CN115360117A - 用于处理基板的装置 - Google Patents

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Abstract

本发明构思提供了一种基板处理装置。该基板处理装置包括：腔室，在该腔室中具有内部空间；流体供应单元，其具有被配置为将处理流体供应到内部空间的供应管线和被配置为将处理流体供应到供应管线的流体供应源；第一排放单元，其被配置为对内部空间进行排放；第二排放单元，其被配置为对供应管线进行排放；以及控制器，其被配置为控制流体供应单元、第一排放单元和第二排放单元，并且其中控制器控制流体供应单元和第二排放单元，使得在待机步骤的至少一部分期间，供应管线的压力被维持在处理流体的临界压力或更高压力，该待机步骤用于在将基板引入内部空间之前将基板保持在内部空间之外。

Description

用于处理基板的装置
技术领域
本文所述的发明构思的实施例涉及一种基板处理装置。
背景技术
为了制造半导体器件，对基板(诸如晶片)执行各种工艺，诸如光刻工艺、蚀刻工艺、灰化工艺、离子注入工艺和薄膜沉积工艺。在每个工艺中使用各种处理液体和处理气体。另外，为了从基板移除用于处理基板的处理液体，对基板那个干燥工艺。
常规地，用于从基板移除处理液体的干燥工艺包括旋转干燥工艺，其用于使基板高速旋转，并且通过基板的旋转的离心力移除残留在基板上的处理液体。然而，在这种旋转干燥方法中，在基板上形成的图案中可能出现倾斜现象的高风险。近来，超临界干燥工艺被用作用于对基板进行干燥的方法。在超临界干燥工艺中，将基板放入能够维持高压力和高温度大气的腔室中，并且然后将超临界状态中的二氧化碳供应到基板上以移除处理液体(例如有机溶剂、显影液体溶剂等)。超临界状态中的二氧化碳具有高溶解性和高渗透性。当将超临界状态中的二氧化碳供应到基板上时，二氧化碳容易渗透到残留在基板上的图案之间的处理液体中。因此，残留在基板上的图案之间的处理液体容易从基板移除。
为了使二氧化碳维持超临界状态，在其中执行超临界干燥工艺的腔室中的大气应该维持在高压力。换言之，超临界干燥工艺包括压缩腔室中的大气的加压工艺和使腔室中的大气返回到正常压力以从腔室取出基板的减压工艺。当腔室内的大气返回到正常压力时，将基板从腔室取出。当基板从腔室取出时，基板处理装置维持待机状态，直到要经受后续超临界干燥工艺的基板被放入。
同时，为了增加基板的处理效率(例如，为了减少工艺缺陷发生的频率)，维持基板处理装置的状况类似于当执行超临界干燥工艺时的状况是重要的。然而，如果该待机状态持续长时间，则基板处理装置的状况(例如，腔室内的温度、向腔室供应二氧化碳的管道的温度等)改变。当基板处理装置的状况改变时，在所处理的基板之间发生干燥程度的偏差。
常规地，当待机状态持续长时间时，在不放入基板的情况下将二氧化碳供应到腔室内以便维持基板处理装置的状况，并从腔室排出二氧化碳。二氧化碳的供应和排出以与超临界干燥工艺类似的方式进行。然而，这种方法消耗了大量的二氧化碳。此外，由于基板处理装置以类似于实际的超临界干燥工艺的方式驱动，因此基板处理装置的部件的消耗周期被缩短。
发明内容
本发明构思的实施例提供了一种用于改善基板处理效率的基板处理装置。
本发明构思的实施例提供了一种用于最小化基板之间的处理偏差的基板处理装置和基板处理装置的控制方法。
本发明构思的实施例提供了一种用于在将在待机步骤处的基板处理装置的状况维持为类似于在处理步骤处的基板处理装置的状况时最小化处理流体的过度消耗的基板处理装置和基板处理装置的控制方法。
本发明构思的实施例提供了一种用于在将在待机步骤处的基板处理装置的供应管线的状况维持为类似于在干燥步骤处的供应管线的状况时最小化二氧化碳的过度消耗的基板处理装置和基板处理装置的控制方法。
本发明构思提供了一种基板处理装置。基板处理装置包括腔室，在腔室中具有内部空间；流体供应单元，具有被配置为将处理流体供应到内部空间的供应管线和被配置为将处理流体供应到供应管线的流体供应源；第一排放单元，其被配置为对内部空间进行排放；第二排放单元，其被配置为对供应管线进行排放；以及控制器，其被配置为控制流体供应单元、第一排放单元和第二排放单元，并且其中控制器控制流体供应单元和第二排放单元，使得在待机步骤的至少一部分期间，供应管线的压力被维持在处理流体的临界压力或更高压力，该待机步骤用于在将基板引入内部空间之前将基板保持在内部空间之外。
在实施例中，当供应管线的压力变得低于临界压力时，控制器控制流体供应单元，使得在待机步骤的至少一部分期间，流体供应源将处理流体供应到供应管线。
在实施例中，流体供应单元还包括加热器，该加热器安装在供应管线处并且被配置为加热供应管线内的处理流体。
在实施例中，控制器控制流体供应单元，使得在待机步骤期间，加热器连续地加热供应管线。
在实施例中，供应管线包括：主供应管线，其连接到流体供应源；第一供应管线，其从主供应管线分支并连接到腔室；以及第二供应管线，其从主供应管线分支并在与第一供应管线不同的位置处连接到腔室，并且其中流体供应单元还包括：主阀，其安装在主供应管线处；第一阀，其安装在第一供应管线处；以及第二阀，其安装在第二供应管线处，并且其中加热器安装在主阀、第一阀和第二阀之间。
在实施例中，加热器分别安装在主供应管线、第一供应管线和第二供应管线处。
在实施例中，控制器控制：流体供应单元和第一排放单元以依次执行待机步骤和用于处理基板的处理步骤；第二排放单元，使得通过对供应管线进行排放，在处理步骤开始之前的预定时间期间，供应管线的压力变为正常压力；以及第二排放单元，使得待机步骤中的供应管线的压力被维持在高于临界压力的压力时的时间长度长于待机步骤中的供应管线的压力变为正常压力所需的时间长度。
在实施例中，控制器控制流体供应单元和第二排放单元，使得处理步骤包括用于增加内部空间的压力的加压步骤和在加压步骤之后的用于将内部空间的压力降低到正常压力的减压步骤，从加压步骤的至少一部分到待机步骤的至少一部分，供应管线的压力被维持在临界压力或更高压力。
本发明构思提供了一种基板处理装置。基板处理装置包括：腔室，在腔室中具有内部空间；流体供应单元，其具有被配置为将处理流体供应到内部空间的供应管线和被配置为加热供应管线的加热器；第一排放单元，其被配置为对内部空间进行排放；第二排放单元，其被配置为对供应管线进行排放；以及控制器，其被配置为控制流体供应单元、第一排放单元和第二排放单元，并且其中控制器控制流体供应单元、第一排放单元和第二排放单元，使得在从内部空间取出基板之后的预定时间期间，加热器对具有残留处理流体的供应管线进行加热。
在实施例中，控制器控制流体供应单元、第一排放单元和第二排放单元以执行：干燥步骤，其用于在内部空间用处理流体对基板进行干燥，以及待机步骤，其用于等待将基板引入内部空间并且包括预定时间。
在实施例中，控制器控制流体供应单元、第一排放单元和第二排放单元，使得在预定时间期间，供应管线的压力被维持在预定压力。
在实施例中，控制器控制流体供应单元，使得预定压力达到临界压力或更高压力，以在供应管线处维持处理流体的超临界状态。
在实施例中，当供应管线的压力变得低于预定压力时，控制器控制流体供应单元将处理流体供应到供应管线。
在实施例中，供应管线包括：主供应管线，其连接到储存处理流体的流体供应源；第一供应管线，其从主供应管线分支并连接到腔室；以及第二供应管线，其从主供应管线分支并在与第一供应管线不同的位置处连接到腔室，并且其中流体供应单元还包括：主阀，其安装在主供应管线处；第一阀，其安装在第一供应管线处；以及第二阀，其安装在第二供应管线处，并且其中控制器控制流体供应单元以在干燥步骤期间关闭主阀、第一阀和第二阀，使得在干燥步骤期间的至少一部分时间期间以及预定时间期间，主阀、第一阀和第二阀关闭。
本发明构思提供一种使用超临界状态中的处理流体对基板进行干式处理的基板处理装置。基板处理装置包括：腔室，在腔室中具有内部空间；流体供应单元，其具有被配置为将处理液体供应到内部空间的供应管线；第一排放单元，其被配置为对内部空间进行排放；第二排放单元，其被配置为对供应管线进行排放；以及控制器，其控制流体供应单元、第一排放单元和第二排放单元，并且其中流体供应单元包括：流体供应源，其被配置为将处理流体传递到供应管线；加热器，其安装在供应管线处；以及阀，其安装在供应管线处，并且其中供应管线包括：主供应管线，其连接到流体供应源；第一供应管线，其从主供应管线分支；以及第二供应管线，其从主供应管线分支，并且在与第一供应管线不同的位置处连接到第一供应管线，并且其中流体供应单元包括：主阀，其安装在主供应管线处；第一阀，其安装在第一供应管线处；以及第二阀，其安装在第二供应管线处，并且其中控制器包括：干燥步骤，其用于在内部空间用处理流体对基板进行干燥；以及待机步骤，其用于在从内部空间取出基板之后等待引入基板，并且其中控制器控制流体供应单元、第一排放单元和第二排放单元，使得执行：干燥步骤，其用于在内部空间用处理流体对基板进行干燥；以及待机步骤，其用于在从内部空间取出基板之后等待引入基板，并且在待机步骤期间的至少一部分时间期间，主阀、第一阀和第二阀关闭。
在实施例中，加热器对在主阀、第一阀和第二阀之间的残留有处理液体的供应管线进行加热。
在实施例中，当正在执行待机步骤时，加热器对供应管线进行加热。
在实施例中，控制器控制流体供应单元、第一排放单元和第二排放单元，使得在主阀、第一阀和第二阀之间的具有残留在其中的处理流体的供应管线的压力被维持在预定压力。
在实施例中，控制器控制流体供应单元，使得预定压力达到临界压力或更高压力，以在供应管线处维持处理流体的超临界状态。
在实施例中，流体供应单元还包括位于主阀下游和第一阀或第二阀上游的压力传感器，并且其中在当主阀、第一阀和第二阀关闭期间，当由压力传感器测量的压力值低于预定压力时，控制器控制流体供应单元打开主阀并通过供应管线供应处理流体。
根据本发明构思的实施例，可以有效地处理基板。
根据本发明构思的实施例，可以最小化基板之间的处理偏差。
根据本发明构思的实施例，当将在待机步骤处的基板处理装置的状况维持为类似于在处理步骤处的基板处理装置的状况时，可以最小化处理流体的过度消耗。
根据本发明构思的实施例，当将在待机步骤处的基板处理装置的供应管线的状况维持为类似于在干燥步骤处的供应管线的状况时，可以最小化二氧化碳的过度消耗。
本发明构思的效果不限于以上提及的效果，其他未提及的效果对于本领域技术人员来说将从以下描述中变得显而易见。
附图说明
以上和其他目的和特征将参照以下附图从以下描述中变得明显，其中除非另有说明，否则相似的附图标记贯穿各个附图指代相似的部分，并且其中：
图1是示意性地示出根据本发明构思的实施例的基板处理装置的平面图。
图2示意性地示出了图1的液体处理腔室的实施例。
图3示意性地示出了图1的干燥腔室的实施例。
图4是示出根据本发明构思的实施例的基板处理方法的流程图。
图5示出了液体处理腔室执行图4的液体处理步骤的状态。
图6是图5的干燥步骤的详细流程图。
图7是示出当基板处理装置执行干燥步骤和在执行干燥步骤后的待机步骤时腔室的内部空间中的压力改变的曲线图。
图8是示出当基板处理装置执行干燥步骤和在执行干燥步骤后的待机步骤时腔室的内部空间中的压力改变和供应管线的压力改变的曲线图。
图9示出了在图8的t2到t23中驱动基板处理装置的状态。
图10示出了在图8的t23到t3中驱动基板处理装置的状态。
图11示出了在图8的t3到t34中驱动基板处理装置的状态。
图12示出了在图8的t34到t4中驱动基板处理装置的状态。
图13示出了在图8的t23到t34中当供应管线内的压力下降时处理流体被供应到供应管线的状态。
图14是示出当基板处理装置执行干燥步骤和在执行干燥步骤后的待机步骤时腔室的内部空间中的压力改变和供应管线的压力改变的另一实施例的曲线图。
具体实施方式
本发明构思可以进行各种修改并且可以具有各种形式，并且其具体实施例将在附图中示出并详细描述。然而，根据本发明构思的构思的实施例并不旨在限制具体公开的形式，并且应当理解，本发明构思包括被包括在本发明的精神和技术范围内的所有变换、等同物和替换。在发明构思的描述中，当可能使发明构思的本质不清楚时，可以省略对相关已知技术的详细描述。
本文使用的术语仅出于描述特定实施例的目的，并不旨在限制本发明构思。如本文所用，单数形式“一”、“一个”和“该/所述”旨在也包括复数形式，除非上下文另有明确指示。将进一步理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”指定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元素、部件和/或它们的组。如本文所用，术语“和/或”包括相关联的列出的项目中的一个或多个的任何和所有组合。此外，术语“示例性”旨在指代示例或说明。
应当理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在本文中用于描述各种元件、部件、区域、层和/或节段，但这些元件、部件、区域、层和/或节段不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或节段与另一个区域、层或节段区分。因此，在不脱离本发明构思的教导的情况下，下面讨论的第一元件、部件、区域、层或节段可以被称为第二元件、部件、区域、层或节段，。
应当理解，当一个元件或层被称为“在另一个元件或层上”、“连接到另一个元件或层”、“联接到另一个元件或层”或“覆盖另一个元件或层”时，它可以直接在另一个元件或层上、连接到另一个元件或层、联接到另一个元件或层，或覆盖另一个元件或层，或者可以存在中间元件或层。相反，当一个元件被称为“直接在另一个元件或层上”、“直接连接到另一个元件或层”或“直接联接到另一个元件或层”时，不存在中间元件或层。诸如“之间”、“相邻”、“接近”等其他术语应以相同方式解释。
除非另有定义，否则本文使用的所有术语(包括技术或科学术语)具有与本发明构思所属领域的技术人员通常理解的相同的含义。除非在本申请中明确定义，否则应将诸如常用词典中定义的术语解释为与相关技术的上下文一致，而不应解释为理想或过于正式。
在下文中，将参照图1至图13描述本发明构思的实施例。
图1是示意性地示出根据本发明构思的实施例的基板处理装置的平面图。
参照图1，基板处理装置包括转位模块10、处理模块20和控制器30。当从上方看时，转位模块10和处理模块20在一个方向上设置。以下，将设置转位模块10和处理模块20的方向称为第一方向X，将当从上方看时与第一方向X垂直的方向称为第二方向Y，并且将与第一方向和第二方向Y垂直的方向称为第三方向Z。
转位模块10将基板W从其中存储基板W的容器C传递到处理模块20，并将已经在处理模块20处完成处理的基板W存储到容器C。转位模块10的纵向方向在第二方向Y上提供。转位模块10具有装载端口12和转位框架14。装载端口12基于转位框架14位于处理模块20的相对侧上。其中存储基板W的从其C被放置在装载端口12上。装载端口12可以被提供成多个，并且多个装载端口12可以沿着第二方向Y设置。
作为容器C，可以使用密封容器，诸如前开式集成吊舱(FOUP)。容器C可以通过传递装置(未示出)(诸如高架传递机、高架输送机、自动导引车)或者由操作员放置在装载端口12上。
转位机器人120被提供在转位框架14处。其纵向方向在第二方向Y上的导轨124可以被提供在转位框架14内，并且转位机器人120可以被提供为沿着导轨124可移动。转位机器人120可以包括手部122，在该手部122上放置基板W，并且手部122可以前后可移动，以第三方向Z为轴线可旋转，并且沿着第三方向Z可移动。手部122被提供为在上/下方向上间隔开的多个，并且手部122可以彼此独立地前后可移动。
控制器30可以控制基板处理装置。控制器可以包括：工艺控制器，其由执行基板处理装置的控制的微处理器(计算机)组成；用户接口，诸如键盘和显示器，操作员经由该键盘输入命令以管理基板处理装置，该显示器示出基板处理装置的操作情况；以及存储器单元，其存储处理方案，即，用以通过控制工艺控制器来执行基板处理装置的处理工艺的控制程序或用以根据数据和处理条件执行基板处理装置的部件的程序。此外，用户接口和存储器单元可以连接到工艺控制器。处理方案可以被存储在存储器单元的存储介质中，并且存储介质可以是硬盘、便携式盘(诸如CD-ROM或DVD)，或半导体存储器(诸如闪存)。
控制器30可以控制基板处理装置以执行下述基板处理方法。例如，控制器30可以控制流体供应单元530、第一排放单元550和第二排放单元560以执行下述基板处理方法。
处理模块20包括缓冲器单元200、传递腔室300、液体处理腔室400和干燥腔室500。缓冲器单元200提供空间，基板W被放入处理模块20中并且从处理模块20取出的基板W暂时保留在该空间中。液体处理腔室400通过将液体供应到基板W上来执行对基板W进行液体处理的液体处理工艺。干燥腔室500执行移除残留在基板W上的液体的干燥工艺。传递腔室300在缓冲器单元200、液体处理腔室400和干燥腔室500之间传递基板W。
传递腔室300的纵向方向可以被提供在第一方向X上。缓冲器单元200可以设置在转位模块10和传递腔室300之间。液体处理腔室400和干燥腔室500可以设置在传递腔室300的一侧上。液体处理腔室400和传递腔室300可以设置在第二方向Y上。干燥腔室500和传递腔室300可以设置在第二方向Y上。缓冲器单元200可以位于传递腔室300的一端。
根据实施例，液体处理腔室400可以设置在传递腔室300的两侧，干燥腔室500可以设置在传递腔室300的两侧，并且液体处理腔室400可以设置成比干燥腔室500更靠近缓冲器单元200。在传递腔室300的一侧，液体处理腔室400可以分别被提供成沿着第一方向X和第三方向Z的AXB(A和B分别是大于1的自然数或1)的布置。另外，在传递腔室300的一侧，干燥腔室500可以分别设被提供成沿着第一方向X和第三方向Z的CXD(C和D分别为大于1的自然数或1)的布置。与上述不同，仅液体处理腔室400可以被提供在传递腔室300的一侧上，并且仅干燥室500可以被提供在另一侧上。
传递腔室300具有传递机器人320。其纵向方向在第一方向X上的导轨324可以被提供在传递腔室300内，并且传递机器人320可以被提供为沿着导轨324可移动324。传递机器人320可以包括手部322，在该手部322上放置基板W，并且手部322可以被提供为前后可移动，以第三方向Z为轴线可旋转，并且沿着第三方向Z可移动。手部322被提供为在上/下方向上间隔开的多个，并且手部322可以彼此独立地前后可移动。
缓冲器单元200包括多个缓冲器220，基板W放置在缓冲器220上。缓冲器220可以设置为沿着第三方向Z彼此间隔开。缓冲器单元200的前面和后面是敞开的。前面是面向转位模块10的表面，并且后面是面向传递腔室300的表面。转位机器人120可以通过前面接近缓冲器单元200，并且传递机器人320可以通过后面接近缓冲器单元200。
图2示意性地示出了图1的液体处理腔室的实施例。参照图2，液体处理腔室400具有外壳410、杯状物420、支撑单元440、液体供应单元460和升/降单元480。
外壳410可以具有在其中处理基板W的内部空间。外壳410可以具有大致六面体形状。例如，外壳410可以具有长方体形状。此外，可以在外壳410处形成用于放入或取出基板W的开口(未示出)。此外，用于选择性地打开和关闭该开口的门(未示出)可以安装在外壳410处。
杯状物420可以具有带有敞开顶部的圆柱体形状。杯状物420可以具有处理空间，并且基板W可以在处理空间内进行液体处理。支撑单元440在处理空间中支撑基板W。液体供应单元460将处理液体供应到由支撑单元440支撑的基板W上。处理液体可以以多种类型提供并且可以顺序地供应到基板W上。升/降单元480调整杯状物420和支撑单元440之间的相对高度。
根据实施例，杯状物420具有多个回收容器422、424和426。回收容器422、424和426中的每一个具有用于回收用于基板处理的液体的回收空间。回收容器422、424和426中的每一个被提供成围绕支撑单元440的环形形状。在液体处理工艺期间，通过基板W的旋转散布的处理液体通过相应回收容器422、424和426的入口422a、424a和426a被引入回收空间。根据实施例，杯状物420具有第一回收容器422、第二回收容器424和第三回收容器426。第一回收容器422设置成围绕支撑单元440，第二回收容器424设置成围绕第一回收容器422，并且第三回收容器426设置成围绕第二回收容器424。将液体引入到第二回收容器424的第二入口424a可以定位在将液体引入第一回收容器422的第一入口422a上方，并且将液体引入第三回收容器426的第三入口426a可以定位在第二入口424a上方。
支撑单元440具有支撑板442和驱动轴444。支撑板442的顶部表面通常被提供为圆形形状并且可以具有比基板W的直径更大的直径。支撑基板W的底部表面的支撑销442a被提供在支撑板442的中心，并且支撑销442a被提供成使得其顶端从支撑板442突出，使得基板W与支撑板442间隔开预定距离。卡盘销442b被提供在支撑板442的边缘。卡盘销442b被设置为从支撑板442向上突出，并且支撑基板W的一侧，使得当基板W旋转时基板W不与支撑单元440分离。驱动轴444由驱动器446驱动，连接到基板W的底部表面的中心，并且使支撑板442基于其中心轴线旋转。
根据实施例，液体供应单元460可以包括喷嘴462。喷嘴462可以将处理液体供应到基板W。处理液体可以是化学品、冲洗液体或有机溶剂。该化学品可以是具有强酸或强碱性质的化学品。此外，冲洗液体可以是去离子水。此外，有机溶剂可以是异丙醇(IPA)。此外，由液体供应单元460供应的处理液体可以是溶剂。例如，由液体供应单元460供应的处理液体可以是显影液体。
此外，液体供应单元460可以包括多个喷嘴462，并且每个喷嘴462可以供应不同类型的处理液体。例如，一个喷嘴462可以供应化学品，另一个喷嘴462可以供应冲洗液体，并且另一个喷嘴462可以供应有机溶剂。此外，控制器30可以在从又一个喷嘴462向基板W供应冲洗液体之后控制液体供应单元460从另一个喷嘴462供应有机溶剂。因此，供应到基板W上的冲洗液体可以用具有小表面张力的有机溶剂代替。此外，可以从任一喷嘴462供应显影液体。
升/降单元480使杯状物420在上/下方向上移动。杯状物420和基板W之间的相对高度通过杯状物420的上/下移动而改变。因此，用于回收处理液体的回收容器422、424和426根据供应到基板W的液体的类型而改变，使得可以分开收回液体。如上所述，杯状物420被固定安装，并且升/降单元480可以使支撑单元440在上/下方向上移动。
图3是示意性地示出图1的干燥腔室的实施例的视图。参照图3，根据本发明构思的实施例的干燥腔室500可以通过使用超临界状态中的处理流体来移除残留在基板W上的处理液体。要移除的处理液体可以是上述任何一种，诸如化学品、冲洗液体、有机溶剂和显影液体。此外，处理流体可以包括二氧化碳(CO2)。例如，干燥腔室500可以通过使用超临界状态中的二氧化碳(CO2)从基板W移除残留在基板W上的显影液体。
干燥腔室500可以包括主体510、加热构件520、流体供应单元530、支撑构件540、第一排放单元550、第二排放单元560和升/降构件570。
主体510可以具有在其中处理基板W的内部空间511。主体510可以提供在其中处理基板W的内部空间511。主体510可以提供在其中由超临界状态中的处理流体对基板W进行干燥的内部空间511。主体510也可以称为腔室。
主体510可以包括顶部主体512和底部主体514。顶部主体512和底部主体514彼此组合以形成内部空间511。顶部主体512和底部主体514中的一个可以联接到升/降构件570以在上/下方向上移动。例如，底部主体514可以联接到升/降构件570并且可以通过升/降构件570在上/下方向上移动。因此，可以选择性地密封主体510的内部空间511。在上述示例中，底部主体514联接到升/降构件570以在上/下方向上移动，但不限于此。例如，顶部主体512可以联接到升/降构件570以在上/下方向上移动。此外，顶部主体512也可以称为第一主体。此外，底部主体514也可以称为第二主体。
加热构件520可以加热供应到内部空间511的处理流体。加热构件520可以增加主体510的内部空间511的温度。随着加热构件520增加内部空间511的温度，供应到内部空间511的处理流体可以转换为超临界状态或维持在超临界状态。
此外，加热构件520可以埋在主体510内。例如，加热构件520可以埋在顶部主体512和底部主体514中的任何一个内。例如，加热构件520可以被提供在底部主体514内。然而，本发明构思不限于此，并且加热构件520可以被提供在能够增加内部空间511的温度的各种位置处。此外，加热构件520可以是加热器。然而，本发明不限于此，并且加热构件520可以作为能够增加内部空间511的温度的已知器件进行各种修改。
流体供应单元530可以将处理流体供应到内部空间511。由流体供应单元530供应的处理流体可以包括二氧化碳。由流体供应单元530供应的处理流体可以在超临界状态中被供应到处理空间511，或者可以在处理空间511中被转换成超临界状态。流体供应单元530可以包括供应管线531、加热器532、阀533、流体供应源535、过滤器537和压力传感器539。
供应管线531可以将处理流体供应到内部空间511。供应管线531可以包括主供应管线531a、顶部供应管线531b(第一供应管线)和底部供应管线531c(第二供应管线)。主供应管线531a可以连接到流体供应源。顶部供应管线531b可以从主供应管线531a分支并且连接到顶部主体512。因此，顶部供应管线531b可以将处理流体供应到内部空间511的顶部区域。底部供应管线531c可以从主供应管线531a分支并且连接到底部主体514。因此，底部供应管线531c可以将处理流体供应到内部空间511的底部区域。
加热器532可以安装在供应管线531处。加热器532可以包括主加热器532a(其可以称为第一加热器)、顶部加热器532b(其可以称为第二加热器))和底部加热器532c(其可以称为第三加热器)。主加热器532a可以安装在主供应管线531a处。顶部加热器532b可以安装在顶部供应管线531b处。底部加热器532c可以安装在底部供应管线531c处。加热器532可以加热供应管线531以调整在供应管线531中流动(或残留)的处理流体的温度。
主加热器532a可以安装在后述主阀533a的下游。主加热器532a可以安装在前述顶部供应管线531b和底部供应管线531c从其分支的分支点的上游。
顶部加热器532b可以安装在后述主阀533a的下游。顶部加热器532b可以安装在前述顶部供应管线531b和底部供应管线531c从其分支的分支点的下游。此外，顶部加热器532b可以安装在后述顶部阀533b的上游。
底部加热器532c可以安装在后述主阀533a的下游。底部加热器532c可以安装在前述顶部供应管线531b和底部供应管线531c从其分支的分支点的下游。此外，底部加热器532c可以安装在后述底部阀533c的上游。
此外，主加热器532a、顶部加热器532b和底部加热器532c可以在后述干燥步骤S30和待机步骤S40期间一直加热供应管线531。可替代地，主加热器532a、顶部加热器532b和底部加热器532c可以接收来自控制器30的控制信号以将供应管线531加热预定时段。
阀533可以安装在供应管线531处。阀533可以是流量控制阀或开/关阀。是否向内部空间511供应处理流体可以通过打开和关闭阀533来确定。阀533可以包括安装在主供应管线531a处的主阀533a、安装在顶部供应管线531b处的顶部阀533b(其可以称为第一阀)，以及安装在底部供应管线531c处的底部阀533c(其可以称为第二阀)。
流体供应源535可以储存和/或供应处理流体。流体供应源535可以是储存器。流体供应源535可以将处理流体传递到供应管线531。上述主阀533a可以安装在后述流体供应源535与前述顶部供应管线531b和底部供应管线531c从其分支的点之间。
过滤器537可以过滤从流体供应源535传递到内部空间511的处理流体。例如，过滤器537可以过滤可以被包含在传递到内部空间511的处理流体中的杂质。过滤器537可以安装在主供应管线531a处。过滤器537可以安装在前述顶部供应管线531b和底部供应管线531c从其分支的点的上游。过滤器537可以安装在后述第二减压管线561与主供应管线531a连接的点的上游。过滤器537可以安装在前述主阀533a的下游。过滤器537可以安装在后述第三压力传感器539c的下游。
压力传感器539可以测量内部空间511和/或供应管线531的压力。由压力传感器539测量的压力数据可以传输到控制器30。压力传感器539可以安装在供应管线531处。压力传感器539可以包括第一压力传感器539a、第二压力传感器539b和第三压力传感器539c。第一压力传感器539a可以安装在第二压力传感器539b的下游，并且第二压力传感器539b可以安装在第三压力传感器539c的下游。
第一压力传感器539a可以安装在顶部供应管线531b处，但可以安装在顶部阀533b的下游。因此，由第一压力传感器539a测量的压力可以与内部空间511的压力相同。也就是说，由第一压力传感器539a测量的压力可以是下述内部空间511的压力。
第二压力传感器539b可以安装在顶部供应管线531b处，但可以安装在顶部阀533b的上游。因此，第二压力传感器539b可以测量当从流体供应源535供应的处理流体流到供应管线531时产生的压力。也就是说，由第二压力传感器539b测量的压力可以是下述供应管线531的压力。
第三压力传感器539c可以安装在主供应管线531a处，并且可以安装在过滤器537和主阀533a之间。因此，第三压力传感器539c可以测量当从流体供应源535供应的处理流体流入供应管线531时产生的压力。也就是说，由第三压力传感器539c测量的压力可以是下述供应管线531的压力，类似于上述第二压力传感器539b测量的压力。
支撑构件540可以在内部空间511中支撑基板W。支撑构件540可以被配置为在内部空间511处支撑基板W的边缘区域。例如，支撑构件540可以被配置为在内部空间511处支撑基板W的边缘区域的底部表面。
第一排放单元550可以对内部空间511减压。第一排放单元550可以通过将供应到内部空间511的处理流体排出到外部来对内部空间511减压。第一排放单元550可以包括与内部空间511连通的第一减压管线551和安装在第一减压管线551处的第一减压阀553。
第二排放单元560可以对供应管线531减压。第二排放单元560可以通过将供应到供应管线531的处理流体排出到外部来对内部空间511减压。例如，第二排放单元560可以包括在顶部供应管线531b和底部供应管线531c从其分支的点的上游连接到主供应管线531a的第二减压管线561，以及安装在第二减压线561处的第二减压阀563。
在下文中，将描述根据本发明构思的实施例的基板处理方法。下述基板处理方法可以通过基板处理装置来执行。如上所述，控制器30可以控制基板处理装置，使得基板处理装置可以执行下述基板处理方法。此外，控制器30可以产生用于执行下述基板处理装置的控制方法的控制信号。进一步地，控制器30可以控制上述的至少一个：下述流体供应单元530、第一排放单元550和第二排放单元560，或者它们的组合。
图4是示出根据本发明构思的实施例的基板处理方法的流程图。参照图4，根据本发明构思的实施例的基板处理方法可以包括液体处理步骤S10、传递步骤S20和干燥步骤S30。
液体处理步骤S10是通过将处理液体供应到基板W来对基板W进行液体处理的步骤。液体处理步骤S10可以在液体处理腔室400中执行。例如，在液体处理步骤中S10，可以通过将处理液体L供应到旋转的基板W来对基板W进行液体处理(参见图5)。在液体处理步骤S10处供应的处理液体L可以是上述中的至少一种：化学品、冲洗液体、有机溶剂和显影液体。例如，在液体处理步骤S10中，可以通过将冲洗液体供应到旋转的基板W来对基板W进行冲洗处理。之后，可以将有机溶剂供应到旋转的基板W以将残留在基板W上的冲洗液体替换为有机溶剂。此外，例如，在液体处理步骤S10中，可以通过将显影液体供应到旋转的基板W来对基板W进行显影。
传递步骤S20是传递基板W的步骤。传递步骤S20也可以是将经过液体处理的基板W传递到干燥腔室500的步骤。例如，在传递步骤S20处，传递机器人320可以将基板W从液体处理腔室400传递到干燥腔室500的内部空间511。处理液体L可以残留在传递步骤S20中要传递的基板W上。例如，有机溶剂可以残留在基板W上。例如，显影液体可以残留在基板W上。也就是说，基板W可以在其顶部表面被显影液体或有机溶剂润湿的状态下被传递到干燥腔室500。如上所述，基板W在润湿状态下被传递到干燥腔室500，从而最小化形成在基板W上的图案中的倾斜现象的发生。
干燥步骤S30是在将基板W引入内部空间511之后使用超临界状态中的处理流体来对基板W进行干燥的步骤。干燥步骤S30可以称为干燥处理步骤。干燥步骤S30可以在干燥腔室500处执行。在干燥步骤S30中，可以通过将处理流体供应到主体510的内部空间511，从而供应到基板W，来对基板W进行干燥。例如，在干燥步骤S30中，可以将超临界状态中的处理流体传递到内部空间511中的基板W。传递到基板W的超临界状态中的处理流体与残留在基板W的顶部表面上的处理液体L混合。此外，随着与处理液体L混合的处理流体从内部空间511排出，处理液体L可以从基板W移除。
在下文中，将更详细地描述根据本发明构思的实施例的干燥步骤S30。图6是图5的干燥步骤的详细流程图，并且图7是示出当基板处理装置执行干燥步骤和在执行干燥步骤后的待机步骤时腔室的内部空间中的压力改变的曲线图。
图7示出了关于内部空间511的压力改变的第一压力廓线PR1。第一压力廓线PR1可以是由第一压力传感器539a测量的压力数据。干燥步骤S30和待机步骤S40可以依次重复进行。在待机步骤S40中，可以将内部空间511的压力维持在正常压力。
参照图6和图7，根据本发明构思的实施例的干燥步骤S30可以包括加压工艺S31、流动工艺S32和减压工艺S33。加压工艺S31、流动工艺S32和减压工艺S33可以依次进行。加压工艺S31可以在图7的0到t1处执行，流动工艺S32可以在图7的t1到t2处进行，并且减压工艺S33可以在图7的t2到t3处进行。简言之，干燥步骤S30可以在0到t3期间执行。另外，待机步骤S40可以在图7的t3到t4中执行。
加压工艺S31可以是将内部空间511的压力增加到预定压力(例如第一压力Pl)的步骤。加压工艺S31可以在将基板W引入内部空间511之后执行。在加压工艺S31中，可以将处理流体供应到内部空间511以将内部空间511的压力增加到第一压力P1。
流动工艺S32可以在加压工艺S31之后执行。在流动工艺S32中，处理流体可以被供应到内部空间511，或者处理流体可以从内部空间511排出。例如，当在流动工艺S32中处理流体被供应到内部空间511时，处理流体可以不从内部空间511排出。此外，当在流动步骤S32中处理流体从内部空间511排出时，处理流体可以不被供应到内部空间511。也就是说，在在流动工艺S32中，内部空间511的压力可以通过分压差而改变。在流动工艺S32中，内部空间511的压力可以在第一压力P1和第二压力P2之间反复脉动。第二压力P2可以低于第一压力P1。第一压力P1可以是约150巴(Bar)。第二压力P2可以是约120巴。在流动工艺S32中，供应到内部空间511的处理流体流动，并且因此可以更有效地从基板W上移除残留在基板W上的处理液体L。
降压工艺S33可以在流动工艺S32之后执行。在减压工艺S33中，可以降低主体510的内部空间511的压力。例如，在减压工艺S33中，可以将主体510的内部空间511的压力降低到正常压力。例如，当执行减压工艺S33时，可以将内部空间511的压力从第一压力P1或第二压力P2减压到正常压力。
图8是示出当基板处理装置执行干燥步骤和在执行干燥步骤后的待机步骤时腔室的内部空间中的压力改变和供应管线的压力改变的曲线图。在图8中，示出了用于内部空间511的压力改变的第一压力廓线PR1和用于供应管线531的压力改变的第二压力廓线PR2。第一压力廓线PR1可以是由第一压力传感器539a测量的压力数据。第二压力廓线PR2可以是由第二压力传感器539b测量的压力数据。此外，第二压力廓线PR2可以是由第三压力传感器539c测量的压力数据。
参照图8，作为关于供应管线531的压力廓线的第二压力廓线PR2在0到t23期间具有与关于内部空间511的第一压力廓线PR1的趋势大致类似的趋势。例如，在作为减压工艺S33的一部分的t2到t23中，主阀533a和第二减压阀563可以关闭，并且顶部阀533b、底部阀533c和第一减压阀553可以打开，如图9所示。因此，内部空间511的压力和供应管线531的压力可以以相同或类似的趋势降低。
在t23到t3中，如图10所示，主阀533a、顶部阀533b、底部阀533c和第二减压阀563可以关闭，并且第一减压阀553可以打开。因此，内部空间511的压力降低到接近正常压力(大气压)的压力或降低到正常压力(大气压)，并且供应管线531的压力可以被维持在预定压力，例如，第三压力P3。第三压力P3可以是高于处理流体可以维持超临界状态的临界压力的压力，例如，大于或等于临界压力的压力。例如，第三压力P3可以是约100巴。此外，当内部空间511的压力降低到接近正常压力(大气压)的压力或降低到正常压力(大气压)时，可以取出在内部空间511中干燥的基板W。
在处理步骤S30的执行完成后，执行待机步骤S40，其用于等待将未处理(未干燥)的新基板W带入内部空间511，即，在将新基板W引入内部空间511之前，将待处理的新基板W保持在内部空间511之外。供应管线531的压力可以在t3到t4的至少一部分时间期间保持恒定在第三压力P3，该时间是执行待机步骤S40的时间(例如，t3到t34)，如图11所示。简言之，处理流体可以在将基板W从内部空间取出的时间t3之后残留在供应管线531中达预定时间t3到t34。
在t4处，待机步骤S40切换到处理步骤S30。简言之，在t4中，对被放入内部空间511的未处理基板W再次开始超临界干燥工艺。如图12所示，第二减压阀563在比t4(在t4处，该工艺从处理步骤S30进入待机步骤S40)早预定时间的t34处打开，使得可以将残留在供应管线531和第二减压管线561中的处理流体排出到外部。这是在稍后执行的处理步骤S30处使用从流体供应源535新供应的处理流体来对基板W进行干燥。因此，供应管线531的压力可以在t34到t4期间从第三压力P3降低到正常压力。
为了维持关于基板W的处理效率和处理均匀性，重要的是不断地维持基板处理装置的状况。例如，重要的是将被提供在干燥腔室500中的基板处理装置的状况维持为类似于执行干燥步骤S30的基板处理装置的状况。当待机步骤S40的时间增加时，变得难以适当地维持基板处理装置的状况。在这种情况下，关于基板W的工艺缺陷的发生频率增加。因此，当执行待机步骤S40的时间变得比预定时间长时，执行与干燥步骤S30相同的操作而不将基板W引入内部空间511中。通常，这被称为自动器皿清洁(AVC)工艺。然而，由于该自动器皿清洁工艺以与对基板W的干燥处理相同的方式执行，因此作为二氧化碳的处理流体的消耗大。此外，由于被提供在干燥腔室500处的基板处理装置以与对基板W的干燥处理相同的方式被驱动，因此基板处理装置的部件的更换周期被缩短。
因此，在根据本发明构思的实施例的基板处理装置的控制方法中，处理流体在t23到t34中残留在供应管线531中。供应管线531的压力可以被维持在第三压力P3，第三压力P3是大于或等于处理流体可以维持超临界状态的临界压力的压力。例如，在t23到t34中，主阀533a、顶部阀533b、底部阀533c和第二减压阀563可以关闭以将处理流体留在图10和图11所示的区域A中。加热器532对残留有处理流体的供应管线531进行加热并且状况被维持在第三压力P3。也就是说，根据本发明构思的实施例，当正在执行待机步骤S40时，处于填充有处理流体的状态的供应管线531被加热器532连续加热直到t34，刚好在这之后执行新干燥步骤S30。因此，基板处理装置的状况可以维持相对恒定，并且可以有效地减少上述自动腔室清洁工艺的次数。因此，可以防止过度消耗作为二氧化碳的处理流体，并且可以缩短基板处理装置的部件的更换周期。另外，由于可以将基板处理装置的状况维持相对恒定，因此能够提高所处理的基板W之间的干燥处理的偏差。此外，当处理流体维持超临界状态时，处理流体的反应性相对高。也就是说，当供应管线531中维持在超临界状态中的处理流体残留并由第二排放单元560排出时，残留在供应管线531中的杂质可以被有效排出。简言之，可以有效地清洁供应管线531。
此外，控制器30可以在t23到t34处连续接收由第二压力传感器539b或第三压力传感器539c测量的压力数据。在一些情况下，由第二压力传感器539b或第三压力传感器539c测量的压力值可以低于预定压力。例如，当供应管线531中发生轻微泄漏时，供应管线531的压力降低。在这种情况下，变得难以维持供应管线531的恒定状态。当供应管线531的压力如上所述降低时，控制器30可以产生用于打开主阀533a的控制信号，如图13所示。当主阀533a打开时，处理流体可以从流体供应源535供应到供应管线531。因此，供应管线531的压力可以再次达到预定压力(例如，第三压力P3)。因此，作为管道的供应管线531的状况可以保持恒定。此外，当供应管线531的压力降低时，控制器30可以产生用于控制警报构件(未示出)的控制信号，使得用户可以识别泄漏。
在上述示例中，已经描述了第三压力P3低于第一压力P1和第二压力P2，但是本发明构思不限于此。例如，第三压力P3可以是约120巴至140巴。
在上述示例中，处理流体被解释为二氧化碳作为示例，但不限于此。例如，可以将处理流体转化为能够进行超临界干燥工艺的各种流体。
在上述示例中，已经描述了流动工艺S32是反复改变内部空间511的压力的所谓的压力脉动工艺，但不限于此。例如，如图14所示，流动工艺S32可以是所谓的连续流动工艺，其中连续地将处理流体供应到内部空间511和将处理流体从内部空间511排出，并且维持内部空间511中的压力。
本发明构思的效果不限于上述效果，并且本发明构思所属领域的技术人员可以从说明书和附图清楚地理解未提及的效果。
尽管到现在为止已经示出和描述了本发明构思的优选实施例，但是本发明构思不限于上述特定实施例，并且注意，本发明构思所涉及的本领域普通技术人员在不脱离权利要求中要求保护的发明构思的本质的情况下，可以以各种方式实施本发明构思，并且这些修改不应与本发明构思的技术精神或前景分开解释。

Claims (20)

1.一种基板处理装置，其包括：
腔室，在所述腔室中具有内部空间；
流体供应单元，其具有被配置为将处理流体供应到所述内部空间的供应管线和被配置为将所述处理流体供应到所述供应管线的流体供应源；
第一排放单元，其被配置为对所述内部空间进行排放；
第二排放单元，其被配置为对所述供应管线进行排放；以及
控制器，其被配置为控制所述流体供应单元、所述第一排放单元和所述第二排放单元，并且
其中，所述控制器控制所述流体供应单元和所述第二排放单元，使得在待机步骤的至少一部分期间，所述供应管线的压力被维持在所述处理流体的临界压力或更高压力，所述待机步骤用于在将基板引入所述内部空间之前将基板保持在所述内部空间之外。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，当所述供应管线的所述压力变得低于所述临界压力时，所述控制器控制所述流体供应单元，使得在所述待机步骤的所述至少一部分期间，所述流体供应源将所述处理流体供应到所述供应管线。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，所述流体供应单元还包括加热器，所述加热器安装在所述供应管线处并且被配置为加热所述供应管线内的所述处理流体。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述控制器控制所述流体供应单元，使得在所述待机步骤期间，所述加热器连续地加热所述供应管线。
5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述供应管线包括：
主供应管线，其连接到所述流体供应源；
第一供应管线，其从所述主供应管线分支并连接到所述腔室；以及
第二供应管线，其从所述主供应管线分支并在与所述第一供应管线不同的位置处连接到所述腔室，并且
其中，所述流体供应单元还包括：
主阀，其安装在所述主供应管线处；
第一阀，其安装在所述第一供应管线处；以及
第二阀，其安装在所述第二供应管线处，并且
其中，所述加热器安装在所述主阀、所述第一阀和所述第二阀之间。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述加热器分别安装在所述主供应管线、所述第一供应管线和所述第二供应管线处。
7.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，所述控制器控制：
所述流体供应单元和所述第一排放单元以依次执行所述待机步骤和用于处理所述基板的处理步骤；
所述第二排放单元，使得通过对所述供应管线进行排放，在所述处理步骤开始之前的预定时间期间，所述供应管线的所述压力变为正常压力；以及
所述第二排放单元，使得所述待机步骤中的所述供应管线的所述压力被维持在高于所述临界压力的压力时的时间长度长于所述待机步骤中的所述供应管线的所述压力变为所述正常压力所需的时间长度。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，所述控制器控制所述流体供应单元和所述第二排放单元，使得所述处理步骤包括：用于增加所述内部空间的压力的加压步骤以及在所述加压步骤之后的用于将所述内部空间的所述压力降低到正常压力的减压步骤，从所述加压步骤的至少一部分到所述待机步骤的至少一部分，所述供应管线的所述压力被维持在所述临界压力或更高压力。
9.一种基板处理装置，其包括：
腔室，在所述腔室中具有内部空间；
流体供应单元，其具有被配置为将处理流体供应到所述内部空间的供应管线和被配置为加热所述供应管线的加热器；
第一排放单元，其被配置为对所述内部空间进行排放；
第二排放单元，其被配置为对所述供应管线进行排放；以及
控制器，其被配置为控制所述流体供应单元、所述第一排放单元和所述第二排放单元，并且
其中，所述控制器控制所述流体供应单元、所述第一排放单元和所述第二排放单元，使得在从所述内部空间取出基板之后的预定时间期间，所述加热器对具有残留处理流体的所述供应管线进行加热。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，所述控制器控制所述流体供应单元、所述第一排放单元和所述第二排放单元以执行，
干燥步骤，其用于在所述内部空间用所述处理流体对基板进行干燥，以及
待机步骤，其用于等待将基板引入所述内部空间并且包括预定时间。
11.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，所述控制器控制所述流体供应单元、所述第一排放单元和所述第二排放单元，使得在所述预定时间期间，所述供应管线的压力被维持在预定压力。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中，所述控制器控制所述流体供应单元，使得所述预定压力达到临界压力或更高压力，以在所述供应管线处维持所述处理流体的超临界状态。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其中，当所述供应管线的所述压力变得低于所述预定压力时，所述控制器控制所述流体供应单元将所述处理流体供应到所述供应管线。
14.根据权利要求10至13中任一项所述的基板处理装置，其中，所述供应管线包括：
主供应管线，其连接到储存所述处理流体的流体供应源；
第一供应管线，其从所述主供应管线分支并连接到所述腔室；以及
第二供应管线，其从所述主供应管线分支并在与所述第一供应管线不同的位置处连接到所述腔室，并且
其中，所述流体供应单元还包括：
主阀，其安装在所述主供应管线处；
第一阀，其安装在所述第一供应管线处；以及
第二阀，其安装在所述第二供应管线处，并且
其中，所述控制器控制所述流体供应单元以在所述干燥步骤期间关闭所述主阀、所述第一阀和所述第二阀，使得在所述干燥步骤期间的至少一部分时间期间以及预定时间期间，所述主阀、所述第一阀和所述第二阀关闭。
15.一种使用超临界状态中的处理流体对基板进行干式处理的基板处理装置，所述基板处理装置包括：
腔室，在所述腔室中具有内部空间；
流体供应单元，其具有被配置为将所述处理液体供应到所述内部空间的供应管线；
第一排放单元，其被配置为对所述内部空间进行排放；
第二排放单元，其被配置为对所述供应管线进行排放；以及
控制器，其控制所述流体供应单元、所述第一排放单元和所述第二排放单元，并且
其中，所述流体供应单元包括：
流体供应源，其被配置为将所述处理流体传递到所述供应管线；
加热器，其安装在所述供应管线处；以及
阀，其安装在所述供应管线处，并且
其中，所述供应管线包括：
主供应管线，其连接到所述流体供应源；
第一供应管线，其从所述主供应管线分支；以及
第二供应管线，其从所述主供应管线分支，并且在与所述第一供应管线不同的位置处连接到所述第一供应管线，并且
其中，所述流体供应单元包括：
主阀，其安装在所述主供应管线处；
第一阀，其安装在所述第一供应管线处；以及
第二阀，其安装在所述第二供应管线处，并且
其中，所述控制器包括：
干燥步骤，其用于在所述内部空间用处理流体对所述基板进行干燥；以及
待机步骤，其用于在从所述内部空间取出所述基板之后等待引入所述基板，并且
其中，所述控制器控制所述流体供应单元、所述第一排放单元和所述第二排放单元，使得执行：
干燥步骤，其用于在所述内部空间用所述处理流体干燥所述基板；以及
待机步骤，其用于在从所述内部空间取出所述基板之后等待引入基板，并且
在所述待机步骤期间的至少一部分时间期间，所述主阀、所述第一阀和所述第二阀关闭。
16.根据权利要求15所述的基板处理装置，其中，所述加热器对在所述主阀、所述第一阀和所述第二阀之间的残留有所述处理液体的所述供应管线进行加热。
17.根据权利要求15和16所述的基板处理装置，其中，当正在执行所述待机步骤时，所述加热器对所述供应管线进行加热。
18.根据权利要求15和16所述的基板处理装置，其中，所述控制器控制所述流体供应单元、第一排放单元和所述第二排放单元，使得在所述主阀、所述第一阀和所述第二阀之间的残留有所述处理流体的所述供应管线的压力被维持在预定压力。
19.根据权利要求18所述的基板处理装置，其中，所述控制器控制所述流体供应单元，使得所述预定压力达到临界压力或更高压力，以在所述供应管线处维持所述处理流体的超临界状态。
20.根据权利要求19所述的基板处理装置，其中，所述流体供应单元还包括位于所述主阀下游和所述第一阀或所述第二阀上游的压力传感器，并且
其中，在所述主阀、所述第一阀和所述第二阀关闭期间，当由所述压力传感器测量的压力值低于所述预定压力时，所述控制器控制所述流体供应单元打开所述主阀并通过所述供应管线供应所述处理流体。
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