CN114203566A - 一种芯片化学开封方法 - Google Patents
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Abstract
一种芯片化学开封方法，方法包括：得到待开封芯片，所述待开封芯片包括芯片本体和附着于所述芯片本体的底部填充胶层；将第一溶胀剂施加于所述底部填充胶层，用以软化所述底部填充胶层；将软化后的所述底部填充胶层进行剔除，得到所述芯片本体；将第二溶胀剂施加于所述芯片本体的封装层，用以去除所述封装层；对所述封装层进行清洗，完成开封。本申请提供的芯片化学开封方法，通过使用化学试剂的方法开封芯片，易于将底部填充胶层清除干净，且不会损伤芯片的IC层。
Description
技术领域
本发明属于芯片开封技术领域，具体涉及一种芯片化学开封方法。
背景技术
芯片是经常使用的零件，在多个领域广泛应用。当芯片故障时，需要对芯片上的IC层(集成电路层)进行修复和检查，此时需要露出IC层，而IC层外设有保护的封装层，故需先去除芯片的封装层才可进行修复和检查，而往往在芯片使用时，会在封装层外附着底部填充胶层，目前的，去除底部填充胶层和封装层方法是采用酸直接进行腐蚀，但申请人在发明过程中发现：底部填充胶层和封装层均为有机物，均可被硝酸腐蚀，封装层腐蚀速率比底部填充胶层快，由于底部填充胶层薄厚不一，导致无底部填充胶层覆盖的区域的线路被腐蚀，导致无法进行修复和检查。另外，由于需要检修芯片时，由于芯片底部存在封装层和底部填充胶层，导致无法看清IC层，因此需要去除封装层和底部填充胶层，并且不损坏IC层。
发明内容
鉴于上述问题，本发明提供克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种芯片化学开封方法。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种芯片化学开封方法，所述方法包括：
得到待开封芯片，所述待开封芯片包括芯片本体和附着于所述芯片本体的底部填充胶层；
将第一溶胀剂施加于所述底部填充胶层，用以软化所述底部填充胶层；
将软化后的所述底部填充胶层进行剔除，得到所述芯片本体；
将第二溶胀剂施加于所述芯片本体的封装层，用以去除所述封装层；
对所述封装层进行清洗，完成开封。
可选的，所述将第一溶胀剂施加于所述底部填充胶层，包括：
将所述底部填充胶层浸泡所述第一溶胀剂；
保持所述第一溶胀剂在所述底部填充胶层上达第一预设时间。
可选的，所述第一溶胀剂为丙酮。
可选的，所述第一预设时间为20min-40min。
可选的，所述第一预设时间为25min-35min。
可选的，所述将第二溶胀剂施加于所述芯片本体的封装层，包括：
将所述第二溶胀剂滴加在所述封装层上；
保持所述第二溶胀剂在所述封装层上达第二预设时间。
可选的，所述第二溶胀剂为硝酸、稀硫酸和盐酸中的至少一种。
可选的，所述第二预设时间为20min-40min。
可选的，所述第二预设时间为25min-35min。
可选的，所述对所述封装层进行清洗，包括：
使用清洗液对去除封装层的表面进行清洗，所述清洗液包括清水、去离子水或蒸馏水。
本发明实施例中的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
本发明实施例提供的一种芯片化学开封方法，当对芯片进行开封时，首先在芯片最上层的底部填充胶层上施加第一溶胀剂，第一溶胀剂可以软化底部填充胶层，而后剔除底部填充胶层，并露出封装层，然后再在封装层上施加第二溶胀剂，第二溶胀剂可以溶解封装层，此时再清洗封装层上的杂物，从而露出芯片的IC层。本申请通过上述两步骤对胶体和封装层分别去除，实现了清除干净且方便的基础上，不损伤IC层，且去除后可以清楚的检查芯片的电路存在损伤的地方。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1是本发明实施例提供的一种芯片化学开封方法的流程示意图。
具体实施方式
下文将结合具体实施方式和实施例，具体阐述本发明，本发明的优点和各种效果将由此更加清楚地呈现。本领域技术人员应理解，这些具体实施方式和实施例是用于说明本发明，而非限制本发明。
在整个说明书中，除非另有特别说明，本文使用的术语应理解为如本领域中通常所使用的含义。因此，除非另有定义，本文使用的所有技术和科学术语具有与本发明所属领域技术人员的一般理解相同的含义。若存在矛盾，本说明书优先。
除非另有特别说明，本发明中用到的各种原材料、试剂、仪器和设备等，均可通过市场购买得到或者可通过现有方法制备得到。
如图1，在本申请实施例中，本发明提供了一种芯片化学开封方法，所述方法包括步骤：
S1：得到待开封芯片，所述待开封芯片包括芯片本体和附着于所述芯片本体的底部填充胶层；
本申请实施例中，底部填充胶层使用的底部填充胶又叫underfill胶，是一种环氧密封剂，一般用于CSP或BGA底部填充制程。
S2：将第一溶胀剂施加于所述底部填充胶层，用以软化所述底部填充胶层；
作为一种可选的实施方式，所述
将第一溶胀剂施加于所述底部填充胶层，包括：
将所述底部填充胶层浸泡所述第一溶胀剂；
保持所述第一溶胀剂在所述底部填充胶层上达第一预设时间。
在本申请实施例中，第一溶胀剂可以软化底部填充胶层，将第一溶胀剂滴加在底部填充胶层上，并保持第一预设时间后，第一溶胀剂可以彻底软化底部填充胶层。
作为一种可选的实施方式，所述第一溶胀剂为丙酮。
具体地，底部填充胶层的成分一般为环氧有机物，包括C(碳)、H(氢)、O(氧)元素，封装层的成分包括C(碳)、H(氢)、O(氧)、N(氮)元素，丙酮可以软化底部填充胶层，但不会软化封装层，且不会与底部填充胶层和封装层反应，有利于后续对底部填充胶层的完全剔除。
作为一种可选的实施方式，所述第一预设时间为20min-40min。优选的，第一预设时间为25min-35min，更优选的，第一预设时间为30min。底部填充胶层经过丙酮的浸泡第一预设时间后能够完全变软，从而有利于后续对底部填充胶层的完全剔除。
优选地，在本申请实施例中，可以使用液体冲洗所述底部填充胶层。待第一溶胀剂软化底部填充胶层后，此时可能第一溶胀剂过多，需要对第一溶胀剂进行清洗，清洗液可以选用清水、去离子水、蒸馏水等。
S3：将软化后的所述底部填充胶层进行剔除，得到所述芯片本体；
在本申请实施例中，使用剔除工具剔除底部填充胶层。剔除工具可以选用刀、锥子等。
S4：将第二溶胀剂施加于所述芯片本体的封装层，用以去除所述封装层：
作为一种可选的实施方式，所述将第二溶胀剂施加于所述芯片本体的封装层，包括：
将所述第二溶胀剂滴加在所述封装层上；
保持所述第二溶胀剂在所述封装层上达第二预设时间。
在本申请实施例中，第二溶胀剂可以溶解封装层，将第二溶胀剂滴加在封装层上，并保持第二预设时间后，第二溶胀剂可以彻底溶解封装层。
作为一种可选的实施方式，所述第二溶胀剂为硝酸、稀硫酸和盐酸中的至少一种。具体地，封装层的成分一般为有机物，包括C(碳)、H(氢)、0(氧)、N(氮)等元素，硝酸、稀硫酸和盐酸可以溶解封装层。
作为一种可选的实施方式，所述第二预设时间为20min-40min。优选的，第二预设时间为25min-35min。底部填充胶层经过第二溶胀剂反应后能够完全溶解，从而有利于后续对封装层的完全去除。
S5：对所述封装层进行清洗，完成开封。
在本申请实施例中，待第二溶胀剂溶解封装层后，此时可能第二溶胀剂过多，表面有脏污等，因此需要对去除封装层的表面进行清洗，清洗液可以选用清水、去离子水、蒸馏水等，不能用丙酮及酒精。
实施例1
当对芯片进行开封时，首先在芯片最上层的底部填充胶层上施加丙酮达25min，丙酮可以软化底部填充胶层，从而剔除底部填充胶层，并露出封装层，然后再在封装层上施加硝酸达20min，硝酸可以溶解封装层，此时再清洗封装层上的杂物，从而露出芯片的IC层。
实施例2
当对芯片进行开封时，首先在芯片最上层的底部填充胶层上施加丙酮达25min，丙酮可以软化底部填充胶层，接着对底部填充胶层进行液体清洗，而后剔除底部填充胶层，并露出封装层，然后再在封装层上施加盐酸达35min，盐酸可以溶解封装层，此时再清洗封装层上的杂物，从而露出芯片的IC层。
实施例3
当对芯片进行开封时，首先在芯片最上层的底部填充胶层上施加丙酮达35min，丙酮可以软化底部填充胶层，接着对底部填充胶层进行液体清洗，而后剔除底部填充胶层，并露出封装层，然后再在封装层上施加稀硫酸达25min，稀硫酸可以溶解封装层，此时再清洗封装层上的杂物，从而露出芯片的IC层。
实施例4
当对芯片进行开封时，首先在芯片最上层的底部填充胶层上施加丙酮达35min，丙酮可以软化底部填充胶层，接着对底部填充胶层进行液体清洗，而后剔除底部填充胶层，并露出封装层，然后再在封装层上施加硝酸达40min，硝酸可以溶解封装层，此时再清洗封装层上的杂物，从而露出芯片的IC层。
本申请提供的芯片化学开封方法，通过使用化学试剂的方法开封芯片，易于将底部填充胶层清除干净，且不会损伤芯片的IC层。
需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。以上所述仅是本申请的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所申请的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
总之，以上所述仅为本发明技术方案的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种芯片化学开封方法，其特征在于，所述方法包括：
得到待开封芯片，所述待开封芯片包括芯片本体和附着于所述芯片本体的底部填充胶层；
将第一溶胀剂施加于所述底部填充胶层，用以软化所述底部填充胶层；
将软化后的所述底部填充胶层进行剔除，得到所述芯片本体；
将第二溶胀剂施加于所述芯片本体的封装层，用以去除所述封装层；
对所述封装层进行清洗，完成开封。
2.根据权利要求1所述的芯片化学开封方法，其特征在于，所述将第一溶胀剂施加于所述底部填充胶层，包括：
将所述底部填充胶层浸泡所述第一溶胀剂；
保持所述第一溶胀剂在所述底部填充胶层上达第一预设时间。
3.根据权利要求1或2所述的芯片化学开封方法，其特征在于，所述第一溶胀剂为丙酮。
4.根据权利要求2所述的芯片化学开封方法，其特征在于，所述第一预设时间为20min-40min。
5.根据权利要求4所述的芯片化学开封方法，其特征在于，所述第一预设时间为25min-36min。
6.根据权利要求1所述的芯片化学开封方法，其特征在于，所述将第二溶胀剂施加于所述芯片本体的封装层，包括：
将所述第二溶胀剂滴加在所述封装层上；
保持所述第二溶胀剂在所述封装层上达第二预设时间。
7.根据权利要求1或6所述的芯片化学开封方法，其特征在于，所述第二溶胀剂为硝酸、稀硫酸和盐酸中的至少一种。
8.根据权利要求6所述的芯片化学开封方法，其特征在于，所述第二预设时间为20min-40min。
9.根据权利要求8所述的芯片化学开封方法，其特征在于，所述第二预设时间为25min-35min。
10.根据权利要求1所述的芯片化学开封方法，其特征在于，所述对所述封装层进行清洗，包括：
使用清洗液对去除封装层的表面进行清洗，所述清洗液包括清水、去离子水或蒸馏水。
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