CN114196994B - 一种用于铜箔表面的粗化处理溶液及粗化处理工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于铜箔表面的粗化处理溶液及粗化处理工艺，尤其涉及一种用于铜箔表面超微细粗化处理溶液及粗化处理工艺。采用本发明中的粗化处理溶液对铜箔表面进行粗化处理，可以制备出具有亚微米、纳米级别的微细铜瘤层形貌，铜瘤粒径可以达到30‑200nm，采用HVLP生箔进行表面粗化处理后的粗糙度Rz甚至可以达到1.0μm以下，实现了铜箔表面低粗糙度和较高表面积的特性，尤其适用于高频、高速、超细化等线路的传输。

Description

一种用于铜箔表面的粗化处理溶液及粗化处理工艺
技术领域
本发明属于电解铜箔的加工技术领域，具体涉及一种用于铜箔表面的粗化处理溶液及粗化处理工艺，尤其涉及一种用于铜箔表面超微细粗化处理溶液及粗化处理工艺。
背景技术
随着全球信息技术向数字化、网络化的快速发展，超大容量的信息传输、超快速度和超高密度的信息处理已成为信息技术追求的目标。5G时代来临，自动驾驶、汽车防撞系统、高速大容量存贮器、定位系统、物联网等均要求所使用的电子材料和电子元器件等具有高频、高速和大容量存储及传输的功能。铜箔作为电子材料行业上游基础的关键材料产品，其性能对覆铜板、线路板及终端产品的应用影响至关重要。
为保证信号的高频高速传输，减少传输损耗，要求铜箔表面粗糙度尽可能低，甚至趋于无轮廓，同时又要求铜箔与基材间保持良好的结合力。这对铜箔表面的粗化处理技术提出了非常高的挑战。目前全球范围内，仅有日本三井金属、日本福田金属、卢森堡铜箔等少数铜箔企业的铜箔产品处理面粗糙度Rz可以做到1.0μm以下，国内相关技术和产品尚处于空白。
针对5G网络下信号传输频率高，速度快，损耗低等特点，要求电解铜箔表面粗化处理后具有低的粗糙度，同时具有较大的比表面积，以确保其与树脂结合的可靠性。因此，开发一种铜箔表面超微细粗化处理技术和工艺非常必要，对国家5G产业的健康发展同样具有重要战略意义。
发明内容
本发明针对上述现有技术存在的不足，提供一种用于铜箔表面的粗化处理溶液及粗化处理工艺，尤其适用于铜箔表面超微细粗化处理溶液及粗化处理工艺，采用本发明中的粗化处理溶液对铜箔表面进行粗化处理，可以制备出具有亚微米、纳米级别的细小铜瘤，尤其适用于高频、高速、超细化等线路的传输。
本发明的第一个目的在于，提供一种用于铜箔表面的粗化处理溶液，包括溶液Ⅰ和溶液Ⅱ，
溶液Ⅰ：每升纯水溶液中含有CuSO4 17.5-62.5g，CoSO4 1.5-5g，H2SO4120-220g，添加剂A 0.05-5g，Cl-20-80ppm；
溶液Ⅱ：每升纯水溶液中含有CuSO4 62.5-112.5g，H2SO4 120-220g，添加剂B0.02-0.2g，Cl-20-80ppm。
优选的，所述的溶液Ⅰ：每升纯水溶液中含有CuSO4 25-55g，CoSO41.8-4.5g，H2SO4140-200g，添加剂A 0.1-3g，Cl-30-70ppm；
溶液Ⅱ：每升纯水溶液中含有CuSO4 70-105g，H2SO4 140-200g，添加剂B0.025-0.18g，Cl-30-70ppm。
更优选的，所述的溶液Ⅰ：每升纯水溶液中含有CuSO4 30-50g，CoSO42-4.2g，H2SO4150-180g，添加剂A 0.2-2g，Cl-35-60ppm；
溶液Ⅱ：每升纯水溶液中含有CuSO4 75-100g，H2SO4 150-180g，添加剂B0.03-0.15g，Cl-35-60ppm。
进一步，所述添加剂A的结构式为：YmXM12O40·nH2O或YmX2M18O62·nH2O，Y为H+、Na+、Cu2+中的任一种，X为P、Si、Ge、As中的任一种，M为Mo、W、V、Cr、Nb中的任一种，1≤n≤40，且n为整数。
进一步，所述的添加剂B为半胱氨酸、蛋氨酸中的任一种或两种。
本发明的第二个目的在于，提供使用上述用于铜箔表面的粗化处理溶液的粗化处理工艺，工艺条件如下：
步骤a，采用溶液Ⅰ，温度10-35℃，电流密度25-50A/dm2，电沉积时间3-8s；
步骤b，采用溶液Ⅱ，温度35-55℃，电流密度10-25A/dm2，电沉积时间2-6s。
优选的，所述的步骤a，采用溶液Ⅰ，温度15-30℃，电流密度30-45A/dm2，电沉积时间4-6s；
步骤b，采用溶液Ⅱ，温度40-50℃，电流密度15-20A/dm2，电沉积时间2-4s。
进一步，粗化处理步骤顺序为(步骤a+步骤b)*m，其中m为1、2或3，即按照(步骤a+步骤b)为一个流程，根据需要处理1遍、2遍或3遍。
进一步，所述粗化处理过程，阴极为电解铜箔，阳极为钛涂二氧化铱层。
与现有技术相比，本发明的有益效果如下：
本发明采用上述粗化处理溶液对铜箔表面进行电沉积处理后，可得到具有亚微米、纳米级别的微细铜瘤层形貌，铜瘤粒径可以达到30-200nm，采用HVLP(极低轮廓)生箔进行表面粗化处理后的粗糙度Rz甚至可以达到1.0μm以下，实现了铜箔表面低粗糙度和较高表面积的特性。制备的电子电路产品可以很好的满足5G领域下高频信号传输快，损耗低的特性。
具体实施方式
以下结合实例对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
实施例1
一种用于铜箔表面的粗化处理溶液，包括溶液Ⅰ和溶液Ⅱ，
溶液Ⅰ：每升纯水溶液中含有CuSO4 55g，CoSO4 2g，H2SO4 200g，H4PMo11VO40·30H2O4g，Cl- 40ppm；
溶液Ⅱ：每升纯水溶液中含有CuSO4 65g，H2SO4 200g，半胱氨酸0.08g，Cl- 60ppm。
将35μm HVLP生箔M面(背离阴极辊面)按照“步骤a-步骤b”顺序进行粗化处理工艺。具体工艺参数如下：
步骤a，采用溶液Ⅰ，温度30℃，电流密度45A/dm2，电沉积时间5s；
步骤b，采用溶液Ⅱ，温度46℃，电流密度16A/dm2，电沉积时间4s。
其中，阴极为电解铜箔，阳极为钛涂二氧化铱层。
实施例2
一种用于铜箔表面的粗化处理溶液，包括溶液Ⅰ和溶液Ⅱ，
溶液Ⅰ：每升纯水溶液中含有CuSO4 30g，CoSO4 4.5g，H2SO4 140g，H4PMo11VO40·30H2O 0.5g，Cl- 20ppm；
溶液Ⅱ：每升纯水溶液中含有CuSO4 110g，H2SO4 120g，蛋氨酸0.18g，Cl- 30ppm。
将35μm HVLP生箔M面按照“步骤a-步骤b”顺序进行粗化处理。具体工艺参数如下：
步骤a，采用溶液Ⅰ，温度30℃，电流密度45A/dm2，电沉积时间5s；
步骤b，采用溶液Ⅱ，温度46℃，电流密度16A/dm2，电沉积时间4s。
其中，阴极为电解铜箔，阳极为钛涂二氧化铱层。
实施例3
一种用于铜箔表面的粗化处理溶液，包括溶液Ⅰ和溶液Ⅱ，
溶液Ⅰ：每升纯水溶液中含有CuSO4 17.5g，CoSO4 1.5g，H2SO4 120g，Na3PMo12O40·6H2O 2g，Cl- 80ppm；
溶液Ⅱ：每升纯水溶液中含有CuSO4 80g，H2SO4 160g，半胱氨酸B 0.02g，Cl-20ppm。
将35μm HVLP生箔M面按照“步骤a-步骤b”顺序进行粗化处理。具体工艺参数如下：
步骤a，采用溶液Ⅰ，温度20℃，电流密度32A/dm2，电沉积时间3s；
步骤b，采用溶液Ⅱ，温度55℃，电流密度10A/dm2，电沉积时间2s。
其中，阴极为电解铜箔，阳极为钛涂二氧化铱层。
实施例4
一种用于铜箔表面的粗化处理溶液，包括溶液Ⅰ和溶液Ⅱ，
溶液Ⅰ：每升纯水溶液中含有CuSO4 40g，CoSO4 3.5g，H2SO4 160g，H6P2W9Mo9O62·30H2O 0.05g，Cl- 30ppm；
溶液Ⅱ：每升纯水溶液中含有CuSO4 90g，H2SO4 140g，半胱氨酸0.1g，蛋氨酸0.1g，Cl- 80ppm。
将35μm HVLP生箔M面按照“步骤a-步骤b”顺序进行粗化处理。具体工艺参数如下：
步骤a，采用溶液Ⅰ，温度12℃，电流密度27A/dm2，电沉积时间8s；
步骤b，采用溶液Ⅱ，温度35℃，电流密度23A/dm2，电沉积时间6s。
其中，阴极为电解铜箔，阳极为钛涂二氧化铱层。
实施例5
一种用于铜箔表面的粗化处理溶液，包括溶液Ⅰ和溶液Ⅱ，
溶液Ⅰ：每升纯水溶液中含有CuSO4 60g，CoSO4 3.2g，H2SO4 160g，H3PMo12O40·6H2O0.25g，Cl- 60ppm；
溶液Ⅱ：每升纯水溶液中含有CuSO4 90g，H2SO4 160g，蛋氨酸0.1g，Cl- 60ppm。
将35μm HVLP生箔M面按照“步骤a-步骤b”顺序进行粗化处理。具体工艺参数如下：
步骤a，采用溶液Ⅰ，温度34℃，电流密度48A/dm2，电沉积时间4s；
步骤b，采用溶液Ⅱ，温度42℃，电流密度18A/dm2，电沉积时间3s。
其中，阴极为电解铜箔，阳极为钛涂二氧化铱层。
实施例6
一种用于铜箔表面的粗化处理溶液，包括溶液Ⅰ和溶液Ⅱ，
溶液Ⅰ：每升纯水溶液中含有CuSO4 60g，CoSO4 3.2g，H2SO4 160g，H3PMo12O40·6H2O0.25g，Cl- 60ppm；
溶液Ⅱ：每升纯水溶液中含有CuSO4 90g，H2SO4 160g，蛋氨酸0.1g，Cl- 60ppm。
将35μm HVLP生箔M面按照“步骤a-步骤b-步骤a-步骤b”顺序进行粗化处理。具体工艺参数如下：
步骤a，采用溶液Ⅰ，温度34℃，电流密度48A/dm2，电沉积时间4s；
步骤b，采用溶液Ⅱ，温度42℃，电流密度18A/dm2，电沉积时间3s。
其中，阴极为电解铜箔，阳极为钛涂二氧化铱层。
实施例7
一种用于铜箔表面的粗化处理溶液，包括溶液Ⅰ和溶液Ⅱ，
溶液Ⅰ：每升纯水溶液中含有CuSO4 60g，CoSO4 3.2g，H2SO4 160g，H3PMo12O40·6H2O0.25g，Cl- 60ppm；
溶液Ⅱ：每升纯水溶液中含有CuSO4 90g，H2SO4 160g，蛋氨酸0.1g，Cl- 60ppm。
将35μm HVLP生箔M面按照“步骤a-步骤b-步骤a-步骤b-步骤a-步骤b”顺序进行粗化处理。具体工艺参数如下：
步骤a，采用溶液Ⅰ，温度34℃，电流密度48A/dm2，电沉积时间4s；
步骤b，采用溶液Ⅱ，温度42℃，电流密度18A/dm2，电沉积时间3s。
其中，阴极为电解铜箔，阳极为钛涂二氧化铱层。
对比例1
一种用于铜箔表面的粗化处理溶液，包括溶液Ⅰ和溶液Ⅱ，
溶液Ⅰ：每升纯水溶液中含有CuSO4 30g，H2SO4 160g，Cl- 50ppm；
溶液Ⅱ：每升纯水溶液中含有CuSO4 100g，H2SO4 160g，Cl- 50ppm。
将35μm HVLP生箔M面按照“步骤a-步骤b”顺序进行粗化处理。具体工艺参数如下：
步骤a，采用溶液Ⅰ，温度30℃，电流密度25A/dm2，电沉积时间6s；
步骤b，采用溶液Ⅱ，温度46℃，电流密度20A/dm2，电沉积时间4s。
其中，阴极为电解铜箔，阳极为钛涂二氧化铱层。
对比例2
一种用于铜箔表面的粗化处理溶液，包括溶液Ⅰ和溶液Ⅱ，
溶液Ⅰ：每升纯水溶液中含有CuSO4 30g，H2SO4 160g，Cl-50ppm；
溶液Ⅱ：每升纯水溶液中含有CuSO4 100g，H2SO4 160g，Cl-50ppm。
将35μm HVLP生箔M面按照“步骤a-步骤b-步骤a-步骤b”顺序进行粗化处理。具体工艺参数如下：
步骤a，采用溶液Ⅰ，温度30℃，电流密度25A/dm2，电沉积时间6s；
步骤b，采用溶液Ⅱ，温度46℃，电流密度20A/dm2，电沉积时间4s。
其中，阴极为电解铜箔，阳极为钛涂二氧化铱层。
对比例3
一种用于铜箔表面的粗化处理溶液，包括溶液Ⅰ和溶液Ⅱ，
溶液Ⅰ：每升纯水溶液中含有CuSO4 60g，H2SO4 120g，CoSO4 4g，Cl- 50ppm；
溶液Ⅱ：每升纯水溶液中含有CuSO4 80g，H2SO4 120g，Cl-50ppm。
将35μm HVLP生箔M面按照“步骤a-步骤b”顺序进行粗化处理。具体工艺参数如下：
步骤a，采用溶液Ⅰ，温度12℃，电流密度25A/dm2，电沉积时间4s；
步骤b，采用溶液Ⅱ，温度40℃，电流密度20A/dm2，电沉积时间4s。
其中，阴极为电解铜箔，阳极为钛涂二氧化铱层。
测试：
取实施例1-7和对比例1-3的铜箔样品，采用非接触式激光共聚焦显微镜OLS5000对铜箔的粗化处理面分别进行线粗糙度Rz和表面积比测试。
各实施例与对比例的测试实验数据如表1所示。
表1 各实施例与对比例的测试实验数据
编号 线粗糙度Rz 表面积比
实施例1样品 0.66μm 1.087
实施例2样品 0.87μm 1.065
实施例3样品 0.58μm 1.046
实施例4样品 0.98μm 1.112
实施例5样品 0.72μm 1.098
实施例6样品 0.98μm 1.355
实施例7样品 1.23μm 1.712
对比例1样品 2.26μm 1.376
对比例2样品 3.89μm 1.665
对比例3样品 0.96μm 1.013
35μm HVLP毛箔 0.48μm 1.001
表1中，通过实施例1-7的数据可以看出，采用本发明开发的铜箔表面粗化处理溶液，可以实现铜箔表面的超微细粗化处理，处理后铜箔表面线粗糙度Rz小于2.0μm，甚至小于1.0μm。
作为对比，采用常规粗化处理溶液对铜箔表面进行粗化处理，当表面积比大小相当时(实施例6与对比例1比较，实施例7与对比例2比较)，对比例1和2的粗糙度明显偏大，Rz分别达2.26μm和3.89μm；当粗糙度大小相当时(实施例4、实施例6与对比例3比较)，对比例3的表面积比明显偏小为1.013，导致铜箔很难与树脂进行较好的结合。
综上，本发明开发了一种用于铜箔表面的粗化处理溶液及粗化处理工艺，采用该处理溶液和处理工艺，可以很好的实现铜箔表面低粗糙度和较高表面积的特性。制备的电子电路产品可以很好的满足5G领域下高频信号传输快，损耗低的特性。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种用于铜箔表面的粗化处理溶液的粗化处理工艺，其特征在于，工艺条件如下：
步骤a，采用溶液Ⅰ，温度10-35℃，电流密度25-50 A/dm2，电沉积时间3-8s；
步骤b，采用溶液Ⅱ，温度35-55℃，电流密度10-25 A/dm2，电沉积时间2-6s；
溶液Ⅰ：每升纯水溶液中含有CuSO417.5-62.5g，CoSO4 1.5-5g，H2SO4 120-220g，添加剂A0.05-5g，Cl-20-80 ppm；
溶液Ⅱ：每升纯水溶液中含有CuSO462.5-112.5g，H2SO4 120-220g，添加剂B 0.02-0.2g，Cl-20-80 ppm；
其中，所述添加剂A的结构式为：H4PMo11VO40·30H2O、Na3PMo12O40·6H2O、H6P2W9Mo9O62·30H2O、H3PMo12O40·6H2O中的任一种；
所述的添加剂B为半胱氨酸、蛋氨酸中的任一种或两种。
2. 根据权利要求1所述的粗化处理工艺，其特征在于，所述的步骤a，采用溶液Ⅰ，温度15-30℃，电流密度30-45 A/dm2，电沉积时间4-6s；
步骤b，采用溶液Ⅱ，温度40-50℃，电流密度15-20 A/dm2，电沉积时间2-4s。
3.根据权利要求1所述的粗化处理工艺，其特征在于，粗化处理步骤顺序为（步骤a+步骤b）*m，其中m为1、2或3。
4.根据权利要求1所述的粗化处理工艺，其特征在于，所述粗化处理过程，阴极为电解铜箔，阳极为钛涂二氧化铱层。
5. 根据权利要求1所述的粗化处理工艺，其特征在于，所述的溶液Ⅰ：每升纯水溶液中含有CuSO425-55g，CoSO4 1.8-4.5g，H2SO4 140-200g，添加剂A 0.1-3g，Cl-30-70 ppm；
溶液Ⅱ：每升纯水溶液中含有CuSO470-105g，H2SO4 140-200g，添加剂B 0.025-0.18g，Cl-30-70 ppm。
6. 根据权利要求1所述的粗化处理工艺，其特征在于，所述的溶液Ⅰ：每升纯水溶液中含有CuSO430-50g，CoSO4 2-4.2g，H2SO4 150-180g，添加剂A 0.2-2g，Cl-35-60 ppm；
溶液Ⅱ：每升纯水溶液中含有CuSO475-100g，H2SO4 150-180g，添加剂B 0.03-0.15g，Cl-35-60 ppm。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3660628B2 (ja) * 1995-09-22 2005-06-15 古河サーキットフォイル株式会社 ファインパターン用電解銅箔とその製造方法
US20050067378A1 (en) * 2003-09-30 2005-03-31 Harry Fuerhaupter Method for micro-roughening treatment of copper and mixed-metal circuitry
JP5400447B2 (ja) * 2009-03-31 2014-01-29 三井金属鉱業株式会社 粗化処理銅箔、粗化処理銅箔の製造方法及び銅張積層板
CN102560584B (zh) * 2012-02-14 2014-06-11 联合铜箔(惠州)有限公司 一种电解铜箔用添加剂及甚低轮廓电解铜箔表面处理工艺
CN104694939A (zh) * 2015-04-07 2015-06-10 河南红日铜箔科技有限公司 一种超低轮廓铜箔的表面处理工艺
CN108677225B (zh) * 2018-08-14 2020-05-08 山东金宝电子股份有限公司 一种降低电解铜箔翘曲的处理方法
CN110205656A (zh) * 2019-06-06 2019-09-06 贵州中鼎高精铜箔制造有限公司 一种电解铜箔表面的微细粗化处理工艺

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