CN114175221A - 功率半导体模块以及其形成方法 - Google Patents

功率半导体模块以及其形成方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114175221A
CN114175221A CN202080053808.XA CN202080053808A CN114175221A CN 114175221 A CN114175221 A CN 114175221A CN 202080053808 A CN202080053808 A CN 202080053808A CN 114175221 A CN114175221 A CN 114175221A
Authority
CN
China
Prior art keywords
housing part
substrate
cooling
substrate side
power semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202080053808.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN114175221B (zh
Inventor
D·托雷辛
T·格拉丁格
J·舒德勒
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Energy Co ltd
Original Assignee
Hitachi Energy Switzerland AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Energy Switzerland AG filed Critical Hitachi Energy Switzerland AG
Publication of CN114175221A publication Critical patent/CN114175221A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114175221B publication Critical patent/CN114175221B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
    • H01L21/4882—Assembly of heatsink parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3675—Cooling facilitated by shape of device characterised by the shape of the housing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3677—Wire-like or pin-like cooling fins or heat sinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
    • H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y10T29/49144—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. by metal fusion

Abstract

本发明涉及一种为功率半导体模块(10)提供冷却器的方法，该方法通过使用包括间歇焊接步骤和密封步骤的两步骤工艺。本发明还涉及根据这样的方法形成的功率半导体模块(10)的布置结构。

Description

功率半导体模块以及其形成方法
技术领域
本发明涉及一种功率半导体模块。本发明尤其涉及一种功率半导体模块，该功率半导体模块具有衬底与冷却器的改进连接。本发明还涉及一种形成功率半导体模块的方法。
背景技术
功率半导体模块在本领域的不同应用中是周知的。
作为示例，已知将焊接在衬底上的电路定位在壳体中，并且将电路封装在填充在壳体中的树脂中。
然而，由于功率模块的循环可靠性增加，传递模塑的、特别是烧结的功率模块已经成为传统方法的令人感兴趣的替代物。尽管如此，这增加了电路(例如，在共用基板或冷却器上包括三相的电路)的集成的复杂性。尽管在进行后续的衬底焊接时，衬底可以完全用焊线组装，但是用于烧结的衬底不能或者几乎不能在烧结之前进行引线结合和测试，因为烧结方法需要在衬底上施加很大的压力。压力通常是用橡皮章机械地施加的，这会破坏引线结合。
为此，例如，一步烧结六组件模块在经济上风险非常大。优选的解决方案是采用由三个不同的传递模塑的和烧结的半桥模块制成的六组件构型。
然而，当使用传递模塑模块时，需要考虑不同的问题。
例如，由于可靠性原因，例如，由于O形环的老化，通过使用O形环的集成具有改进的空间。螺钉的使用需要储存和装配线的零件编号。此外，由于螺钉和O形环的数量(例如，半桥模块需要四个螺钉和O形环)，此解决方案需要用于螺钉和O形环的空间。
重要的是，用于集成电路的方法或技术不得损坏功率模块。特别地，为了不损坏复合模，温度不超过225℃可能是优选的。进一步地，应避免机械应力。
还应避免由于焊接技术的集成产生导致泄漏的小裂纹和孔隙。
除此之外，基于流体的冷却器的流体外壳应该是坚固且防泄漏的，并且同时设计应该节省空间且便宜。
DE102016203184A1公开了一种功率电子组件，该功率电子组件包括：功率电子单元；第一金属件或第一金属合金的第一部件，该第一部件用于保护功率电子单元；第二金属件或第二金属合金的第二部件，该第二部件用于保护功率电子单元；金属膜；其中，膜将第一部件和第二部件彼此物理地连接并且不透流体。
然而，连接作为传递模塑功率半导体模块的一部分的衬底仍然是一个问题。因此，现有技术在这方面有改进的空间。
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种至少部分克服现有技术的至少一个缺点的解决方案。本发明的特别目的是提供一种解决方案，用于以简单的方式将功率半导体模块可靠地连接到冷却器，从而允许有效的电绝缘。
这些目的至少部分地通过具有独立权利要求1的特征的方法来解决。这些目的至少部分地通过具有独立权利要求9的特征的布置结构来进一步解决。从属权利要求、进一步的描述以及附图中给出了有利的实施例，其中，除非没有明确排除，否则所描述的实施例可以单独或以相应实施例的任意组合来提供本发明的特征。
描述了一种为功率半导体模块提供冷却器的方法，该方法包括以下步骤：
a)提供功率半导体模块，该功率半导体模块包括衬底，该衬底具有用于承载至少一个电路的第一衬底侧并且具有与第一衬底侧相反的第二衬底侧，其中，第二衬底侧连接到第一基板侧，其中，基板还包括第二基板侧，该第二基板侧与基板的第一基板侧相反并且适用于与冷却器接触，该冷却器包括第一壳体部件和第二壳体部件，其中，第二基板侧配设有被连接区域围绕的冷却区域；
b)将第一壳体部件连接到第二基板侧的连接区域，其中，第一壳体部件包括至少一个用于接纳冷却区域的开口；
c)将第二壳体部件连接到第一壳体部件，使得在第一壳体部件与第二壳体部件之间设置用于向冷却区域提供冷却流体的冷却通道；其中，该方法包括步骤b100)和c100)中的至少一个，其中，根据步骤b100)，步骤b)包括以下步骤：
b1)通过间歇焊接技术沿着完全围绕开口的第一机械连接路径将第一壳体部件焊接到基板；以及
b2)沿着完全围绕开口的第一密封路径提供密封剂，以使基板相对于第一壳体部件密封；并且其中，
根据所述步骤c100)，步骤c)包括以下步骤：
c1)通过间歇焊接技术沿着完全围绕冷却通道的第二机械连接路径(46)将第二壳体部件焊接到第一壳体部件；以及
c2)沿着第二密封路径提供密封剂，以使第一壳体部件相对于第二壳体部件密封。
这样的方法可以提供优于所述的现有技术的显著优点，特别是在为功率半导体模块提供冷却器方面。特别地，所描述的方法可以用于形成逆变器。
关于为功率半导体模块提供冷却器，可以包括的是，该方法包括将冷却器的一部分分别连接到功率半导体模块或其基板。例如并且如下面更详细描述的，可以包括的是，冷却器外壳(该冷却器外壳向功率模块并且因此向其基板提供冷却流体)并且因此冷却器的被动部分可以附接到基板，而其他部分，例如，泵、控制单元等在此不再详细提及。
根据第一方法步骤a)，提供了一种功率半导体模块，该功率半导体模块包括衬底和基板。衬底特别地可以是在衬底金属化部上承载功率半导体器件的陶瓷衬底。因此，功率半导体器件可以例如固定到衬底金属化部上，并且可以与其他部件(例如，端子和相应互连件)一起形成电路。基板连接到衬底，以便提供功率半导体器件的冷却效果，使得功率半导体模块可以以期望的方式工作。
因此，尽管第一基板侧(即，基板的第一侧)连接到衬底，但是第二基板侧(即，基板的第二侧)适用于连接到冷却器，例如，冷却器外壳。关于这点，设置的是，第二基板侧配设有被连接区域围绕的冷却区域。因此，冷却区域是基板的有效部分，并且因此是应该由冷却器冷却的部分，并且特别是应该与被引导通过冷却器的冷却流体接触的部分。然而，连接区域被设置用于将基板连接到冷却器，并且因此不需要也不期望这个区域与例如冷却流体接触。
根据方法步骤b)，冷却器的第一壳体部件连接并因此固定到第二基板侧的连接区域。这是通过如下所述的焊接完成的。例如，第一壳体部件可以由平板形成，这允许使制造(比例如压花)容易。
第一壳体部件包括至少一个用于接纳冷却区域的开口。换句话说，在第一壳体部件附接到基板的情况下，冷却区域仍然露出，使得它可以被流过冷却器(例如，冷却器外壳)的冷却流体冷却。
根据进一步的方法步骤c)，设置的是，第二壳体部件连接到第一壳体部件并且因此固定到第一壳体部件，其中，设置的是用于向冷却区域提供冷却流体的冷却通道设置在第一壳体部件与第二壳体部件之间。冷却通道可以是存在于第一壳体部件与第二冷却部件之间的自由体积，或者可以具有引导冷却流体经过限定的路径的结构。第一壳体部件和第二壳体部件可以形成冷却器外壳。
关于将第一壳体部件固定到基板以及关于将第二壳体部件固定到第二壳体部件，出现了以下情况。
设置的是，该方法包括步骤b100)和c100)中的至少一个，其中，步骤b100)限定将第一壳体部件固定到基板，并且其中，步骤c100)限定将第二壳体部件固定到第一壳体部件。
根据步骤b100)，设置的是，首先通过间歇焊接技术沿着完全围绕开口的第一机械连接路径将第一壳体部件焊接到基板；并且其次，沿着第一密封路径提供密封剂，以使基板相对于第一壳体部件密封。
因此，可以看出，第一壳体部件没有沿着机械连接路径完全焊接到基板，但是仅第一壳体部件的特定区域焊接到基板，而连接路径的其他区域没有焊接到基板。因此，这个步骤允许在不完全焊接连接路径的情况下将第一壳体部件机械地固定到基板。
因此，第二步骤特别处理沿着密封路径没有焊接在一起的区域，并且提供将基板密封到第一壳体部件的密封剂。因此，这个步骤避免了与冷却区域接触的冷却流体离开基板与第一壳体部分之间的冷却器并且因此导致泄漏。
与第一连接路径相比，第一密封路径可以是相同的路径，或者可以是不同的路径。例如，第一密封路径可以基本上平行于第一连接路径，和/或可以位于第一连接路径内或外。
对应地，根据步骤c100)，设置的是，首先通过间歇焊接技术沿着完全围绕冷却通道的第二机械连接路径将第二壳体部件焊接到第一壳体部件；并且其次，沿着第二密封路径提供密封剂，以使第一壳体部件相对于第二壳体部件密封。
因此，可以看出，第二壳体部件没有沿着机械连接路径完全焊接到第一壳体部件，而是仅壳体部件的特定区域焊接在一起，而连接路径的其他区域没有焊接在一起。因此，这个步骤允许在不完全焊接连接路径的情况下将第一壳体部件机械固定到第二壳体部件。
第二步骤特别处理沿着连接路径没有焊接在一起的区域，并且提供将第一壳体部件密封到第二壳体部件的密封剂。因此，这个步骤避免了在壳体元件之间的冷却通道中的冷却流体离开基板与第一壳体部分之间的冷却器并且因此导致泄漏。
同样，与第二机械连接路径相比，第二密封路径可以是相同的路径，或者可以是不同的路径。例如，第二密封路径可以基本上平行于第二连接路径，和/或可以位于第一连接路径内或外。
因此，该方法允许以非常有效的方式在功率半导体模块处提供冷却器，这允许基板和因此功率半导体模块的可靠且有效的冷却行为。这是由于这样的事实：通过提供基于要使用的冷却流体的冷却器具有高效的冷却行为，使得功率半导体模块以非常有效的方式被冷却。
除此之外，由于焊接步骤，可以实现壳体部件彼此之间以及与基板之间的可靠机械连接，这确保了长期可靠的布置结构。
进一步地，由于提供了密封剂，能够可靠地避免冷却流体至少在由第一壳体部件和第二壳体部件形成的冷却器外壳处离开冷却器，使得能够避免相应的损坏或冷却能力降低。
关于壳体和因此第一壳体部件以及第二壳体部件(该第一壳体部件和该第二壳体部件形成冷却器外壳)，可以设置的是这些壳体部件由金属形成。
作为示例，壳体部件可以由铝形成。通常可以设置的是，壳体部件由相同的材料形成，因此可以提高焊接条件。
通常，分别地，第一壳体部件可以用作底部板并且第二壳体部件可以用作帽或盖，用于封闭冷却通道。
通过使用焊接和密封的两个步骤方式，如前所述的方法允许将第一壳体部件连接到基板和将第二壳体部件连接到第一壳体部件的非常温和的条件。这继而允许显著降低由于功率半导体模块上的焊接步骤而产生的热影响。因此，可以避免或至少显著降低由于热影响而使功率半导体模块的部分损坏或劣化的危险。
这些优点可能是优选的，例如，分别用于烧结衬底或用于功率半导体器件烧结在其上的衬底。事实上，用于烧结的衬底不能在烧结之前进行引线结合和测试，因为烧结方法需要在衬底上有很大的压力，该压力通常是利用橡皮图章机械地施加的，这会破坏引线结合。
焊接工艺，尤其是与胶合工艺相结合不影响功率模块功能，并且允许在不使用O形环和螺钉的情况下形成防漏容器。这就产生了具有高可靠性和高温额定值的紧凑解决方案。
如果设置的是步骤b1)、b2)、c1)和c2)中的至少一个(优选所有这些步骤)是从与基板相反的一侧执行的，则可以进一步降低对功率半导体模块的部件的温度影响。因此，主要的热影响从与功率半导体模块相反的一侧引入，使得可以进一步显著降低功率半导体模块的部件(例如，功率半导体器件)劣化的危险。进一步地，这个步骤允许使用如下所述的传递模塑模块。
特别地，特别优选的是，该方法包括步骤b100)和步骤c100)两者。特别是根据这个实施例，可以认识到，由于焊接而引起的对其他部分的温度影响显著降低。这可能是由于焊接可以减少到最小，这也减少了施加到功率半导体模块的热。
可进一步设置的是，在步骤b1)和c1)中的至少一个中，优选地在步骤b1)和c1)两者中，通过激光焊接执行焊接。特别是通过激光焊接，可以显著降低对要焊接的部分和因此对功率半导体模块的温度影响。这可能是由于使用激光焊接时产生的温度可能保持低于250℃、甚至低于225℃。因此，可以防止或至少减少功率半导体模块的部分的损坏，例如，功率半导体器件的损坏，使得可以以可靠的方式实现如上所述的模块。
关于如前所述的焊接步骤，可进一步设置的是，在步骤b1)和c1)中的至少一个中，优选地在步骤b1)和c1)两者中，通过点焊执行焊接。点焊是一种在不同的技术领域中是本领域公知的焊接技术。详细地，点焊是一种工艺，根据现有技术，该工艺可以用作在焊接时将部件保持在适当位置、对准和间隔开的临时方式。然而，在本发明中，可以使用点焊来将相应部分牢固地固定到另一个上。不需要焊接整个连接路径，因为稍后将施加密封剂，无论如何实现明显足够的机械强度。
因此，点焊是提供机械稳定性的可靠方式，这是本发明中焊接步骤的主要部分。
可进一步设置的是，冷却区域在步骤b)之前配设有冷却结构，或者冷却结构在步骤b)之后且在步骤c)之前附接到冷却区域。根据这个实施例，可以进一步提高冷却器的冷却效率。这可能主要是由于这样的事实：可以显著增加基板的可以通过冷却流体的影响而被冷却的表面。
可以设置的冷却结构例如可以通过使用固定在基板上的冷却销来形成，或者可以是基板的一部分，并且因此可以与基板形成一体。
根据该实施例，可以设置的是，第一壳体部件具有适用于接纳冷却结构的开口。进一步地，可以选择第一壳体部件与第二壳体部件之间的距离，使得这个距离大于冷却结构的长度，使得有足够的空间放置冷却结构。
可进一步设置的是，密封剂包括粘合剂。该实施例允许将冷却器固定到功率半导体器件的特别可靠且有效的措施。这可能是由于这样的事实：密封剂不仅实现了使基板有效且可靠地相对于第一壳体部件密封和/或使第一壳体部件相对于第二壳体部件密封的目的。除此之外，密封剂材料附加地可以有助于将基板机械固定到第一壳体部件和/或将第一壳体部件机械固定到第二壳体部件。因此，特别是在执行点焊的情况下，焊接区域(例如，焊接点)可以以特别减少的量或面积形成，使得进一步降低热影响。然而，尽管如此，该方式的机械稳定性和可靠性并没有降低。因此，可以达到特别有利的协同效果。
可进一步设置的是，第一壳体部件和第二壳体部件中的至少一个包括流体入口和流体出口中的至少一个。因此，这个实施例允许以非常高效和简单的方式使用第一壳体部件和第二壳体部件的布置结构作为基于流体的冷却器。关于这点，可以认识到，入口和出口均设置在第一壳体部件或第二壳体部件处，或者入口和出口之一设置在第一壳体部件处，入口和出口的其他部分设置在入口和出口的其他部分处。然而，由于空间原因，优选的是，入口和出口两者设置在第二壳体部件处，该第二壳体部件也可以被视为一种帽。
如上面可以详细看出的，在特定实施例中，所提出的发明允许通过焊接技术将模块(例如，三个单个半桥模块)集成到作为第一壳体部件的共用金属框架中，然后将作为第二壳体部件的盖焊接到该共用金属框架，以便在不使用O形环和螺钉的情况下产生冷却通道(例如，流体盆)。因此，可以设置特别简单的布置结构，该布置结构允许容易地向功率半导体模块提供冷却器。
除此之外，可以降低温度影响，这继而降低了例如负面地影响模块的功率半导体器件的危险。
关于该方法的其他优点和技术特征，请参见布置、附图和进一步的描述。
进一步描述了功率半导体模块和冷却器的布置结构，其中，功率半导体模块包括衬底，该衬底具有承载至少一个电路的第一衬底侧并且具有与第一衬底侧相反的第二衬底侧，其中，第二衬底侧连接到第一基板侧，其中，基板还包括第二基板侧，该第二基板侧与基板的第一基板侧相反并且与冷却器接触，其中，第二基板侧配设有被连接区域围绕的冷却区域，其中，冷却器的第一壳体部件连接到第二基板侧的连接区域，其中，第一壳体部件包括至少一个用于接纳冷却区域的开口，并且其中，第二壳体部件连接到第一壳体部件，使得用于向冷却区域提供冷却流体的冷却通道设置在第一壳体部件与第二壳体部件之间，其特征在于，提供特征i)和ii)中的至少一个，其中，根据特征i)，通过间歇焊接技术沿着完全围绕开口的第一机械连接路径将第一壳体部件焊接到基板，并且完全沿着完全围绕开口的第一密封路径提供密封剂，以使基板相对于第一壳体部件密封，并且其中，根据特征ii)，通过间歇焊接技术沿着完全围绕冷却通道的第二连接路径将第二壳体部件焊接到第一壳体部件，并且完全沿着第二密封路径提供密封剂，以使第一壳体部件相对于第二壳体部件密封。
这样的布置结构可以提供优于现有技术解决方案的显著优点。进一步地，所描述的布置结构可以包括或形成逆变器。进一步地，这样的布置结构可以根据前述方法形成。
详细地，由于沿着第一机械连接路径和/或第二机械连接路径的焊接是以间歇方式(例如，通过点焊)执行的事实，因此可以显著降低对功率半导体模块以及尤其是对功率半导体器件的热影响。因此，该布置结构具有改进的可制造性。
功率半导体模块包括多个功率半导体器件。这样的功率半导体器件通常可以如本领域中已知的那样形成，并且尤其可以分别包括晶体管或开关(例如，MOSFET和/或IGBT)，和/或多个功率半导体器件可以以非限制性的方式包括二极管。功率半导体器件可以分别互连，并且因此可以电接触(例如，与引线框架的相应区域处于电流接触)，例如，通过焊接或烧结其上的功率半导体器件而接触。
为了允许功率半导体模块以及特别是功率半导体器件的温和工作条件，功率半导体器件通过基板连接并且热联接到冷却器。冷却器因此用于基板散热，并且因此用于功率半导体器件散热。
因此，可以提供冷却器的长期稳定和可靠的布置结构，这允许安全的工作行为。这可能是由于基于流体的冷却器具有有效的冷却能力。
基板材料应该适合所选的焊接技术，并且还应具有不需要涂层(例如，镍)的表面精加工，以便在安装在冷却回路中时用于电偶腐蚀保护。这种材料的示例可以是铜/铝基板，其中，铝部分与冷却介质或/和例如仅在焊接区域富含铝的AlSiC基板接触。
可进一步设置的是，功率半导体模块是传递模塑模块。根据这个实施例，可以达到显著的有利效果。
就这点而言，传递模塑的功率半导体模块已经成为传统凝胶或树脂封装方法的令人感兴趣的替代物，这是由于成本方面的益处(因为不需要壳体)、由于循环可靠性(因为可以提供功率半导体器件和相应连接件的硬模具和低CTE封装)、由于环境保护(因为实现了低湿气吸收和蒸汽扩散)、并且进一步由于振动、冲击和处理特性以及翘曲减少。因此，传递模塑模块比现有技术的解决方案具有显著优点。
可进一步设置的是，功率半导体模块是三相模块，该三相模块形成由三个功率半导体半桥模块(又称为半桥)制成的逆变器。同样，这个实施例可以特别有效地示出所描述的优点，因为根据现有技术，尤其是关于三相模块，衬底与冷却器的连接是一个问题。
关于如上所述形成逆变器的三相模块，可以注意以下内容。
在驱动三相机器的两级牵引逆变器中，需要六个功能半导体开关。例如，当考虑用于电动车辆的牵引逆变器时，最先进的逆变器通常包括六组件模块，该六组件模块将三个独立的相集成在共用基板或冷却器中。这种设计的典型模块基于三相针翅式基板、胶合在基板上的塑料框架。
优选地基于三个单独的模具模块来实现三相模具模块，并且因此每相一个半桥模块。因此，模具模块需要在被模制后附接到冷却器系统。
关于该布置结构的其他优点和技术特征，请参见该方法、附图和进一步的描述。
附图说明
本发明的这些和其他方面根据在下文中描述的实施例将是显而易见的并且将参考所述实施例对其进行阐述。实施例中公开的各个特征可以单独或组合地构成本发明的一个方面。不同实施例的特征可以从一个实施例延续到另一个实施例。
在附图中：
图1示出了功率半导体模块的实施例；
图2示出了第一壳体部件的实施例；
图3示出了在焊接步骤之后第一壳体部件固定到功率半导体模块的布置结构；
图4示出了在密封步骤之后第一壳体部件固定到功率半导体模块的布置结构；
图5示出了第二壳体部件的实施例；
图6示出了在焊接步骤之后第二壳体部件固定到第一壳体部件的布置结构；
图7示出了在密封步骤之后第二壳体部件固定到第一壳体部件的布置结构；以及
图8示出了具有冷却结构的基板的侧视图。
具体实施方式
图1示出了功率半导体模块10，通过使用根据本发明的方法，该功率半导体模块应该设置有如下面更详细示出的冷却器。
功率半导体模块10包括衬底，该衬底具有承载至少一个电路的第一衬底侧并且具有与第一衬底侧相反的第二衬底侧，其中，第二衬底侧连接到第一基板侧。功率半导体模块10的电路包括功率半导体器件，这些功率半导体器件可以烧结到衬底上，并且在图1中未示出，因为功率半导体模块10是传递模塑模块。因此，示出了封装电路的复合模(moldcompound)16。然而，用于外部接触电路的端子18示出为从复合模16中伸出。
基板14包括第二基板侧20，该第二基板侧适用于与冷却器接触，特别是与冷却器外壳接触，该冷却器外壳包括冷却通道并且因此为基板14提供冷却流体。因此，冷却器并且更详细地说冷却器外壳将连接到第二基板侧20。
第二基板侧20配设有被连接区域24围绕的冷却区域22。冷却区域22适用于与冷却流体接触，并且连接区域24适用于被固定到冷却器外壳。
进一步示出了冷却区域22配设有冷却结构26，该冷却结构由多个冷却销27形成。这在图8中有更详细地示出。
例如，这样的功率半导体模块10可以例如是半桥模块，并且可以是车辆经常需要的三相逆变器的一部分。
为了给功率半导体模块10提供冷却器，设置了在连接区域24将冷却器的第一壳体部件28连接到第二基板侧20。为了允许冷却结构26在冷却器22的工作条件中起作用，第一壳体部件28包括开口30，该开口用于接纳并围绕冷却区域22，并且因此围绕冷却结构26。
图2中示出了这样的第一壳体部件28。示出了第一壳体部件28包括三个开口30，这三个开口可以适用于接纳三个功率半导体模块10，例如，三个半桥模块。进一步示出了孔32，这些孔用于将冷却器和功率半导体模块10的布置结构固定到支撑件。
图3示出了第一壳体部件28的俯视图，该第一壳体部件通过第一步骤(即通过间歇焊接步骤)分别固定到功率半导体模块10或半导体模块的基板14。该步骤可以通过点焊工艺和/或通过激光焊接来执行。
更详细地，示出了第一壳体部件28通过间歇焊接技术沿着完全围绕开口30的第一机械连接路径34固定到基板14。因此，形成例如具有点状的焊接区域36。
图4示出了第一壳体部件28的另一视图，其中可见沿着完全围绕开口30的第一密封路径40提供密封剂38，例如，粘合剂，以使基板14相对于第一壳体部件28密封。
对于所有三个开口30并且因此对于所有功率半导体器件10，以对应的方式示出了相应焊接结构与密封结构的这种布置结构。
为了形成冷却器外壳，进一步设置的是，第二壳体部件42连接到第一壳体部件28。换句话说，第一壳体部件28和第二壳体部件42形成冷却器外壳。图5中示出了第二壳体部件42，其中，示出了第二壳体部件42包括两个开口44，这两个开口可以用作引导冷却流体穿过冷却器的入口和出口。第一壳体部件28和第二壳体部件42可以由相同的材料形成，以增强焊接。
更详细地并且如图6所示，设置的是，第二壳体部件42固定到第一壳体部件28，使得在第一壳体部件28与第二壳体部件42之间设置用于向冷却区域22提供冷却流体的冷却通道。这是通过间歇焊接技术沿着完全围绕冷却通道的第二机械连接路径46将第二壳体部件42焊接到第一壳体部件28来实现的。同样，该步骤可通过点焊工艺和/或通过激光焊接来实现。然而，一般来说，可以设置的是，可以通过摩擦搅拌焊接、激光焊接和冷金属传递来执行这个焊接步骤，因为与将第一壳体部件28固定到基板14的焊接步骤相比，在最大温度与机械应力方面的要求没有那大的挑战性。
回到将第一壳体部件28固定到基板14的后一焊接步骤，用于基板14的材料可以被选择为热性能、可靠性、耐腐蚀性与焊接性之间的最佳折衷。后一点可能非常重要。为了避免脆性金属间相，基板14在焊接接口处并且因此在连接区域24处的材料也可以是铝。考虑到所有这些限制，一种可能的选择是使用铝包铜板或具有铝富集区域的AlSiC基板14，在该区域进行焊接，并且因此在连接区域处进行焊接。
第二壳体部件42焊接至一壳体部件28的这个步骤再次使得形成焊接区域48，这些焊接区域同样形成为例如点。
根据进一步的步骤并且如图7所示，设置的是，沿着第二密封路径52提供密封剂50，以便将第一壳体部件28相对于第二壳体部件42密封。在已经执行该步骤之后，在功率半导体模块10处设置冷却器外壳。
回到图2，可见第一壳体部件28包括隆起部29，在第一壳体部件28如上所示固定到第二壳体部件42的情况下，该隆起部可以形成冷却通道。在这种情况下，第一壳体部件28可以形成一种由第二壳体部件42封闭的冷却盆。
概括地说并且根据优选实施例，获得了用于制造例如电动车辆的六组件逆变器的解决方案，该解决方案基于三个分离的半桥模块，这些半桥模块具有传递模具和烧结衬底。这是通过结合焊接技术和胶合技术来实现的。焊缝是沿着环形路径的间断的线，并且或者可以是单独的线段(即，由单独的线段组成)，或者甚至仅是点。这种技术用于点焊。点焊通常用作在零件装配期间执行的临时焊。通常这样做是为了确保实际焊接开始前的尺寸稳定性。在所提出的解决方案中，作为功率半导体模块10的三个半桥模块机械集成到作为第一壳体部件28的共用金属框架中是分两步完成的。
根据第一步骤，焊接是通过激光焊接或任何其他允许将温度保持低于225℃并避免机械应力的焊接来进行的。该工艺的目标是保持零件准确对准，并且分别在功率模块基板14与框架或第一壳体部件之间提供机械结合。
根据第二步骤，沿着半桥基板14与金属盖之间的界面分配与工作流体和边界条件(例如，温度)相容的合适的胶。该工艺的目标是提供胶合部分之间的密封性。粘合胶材料的示例通常是硅树脂、环氧化物、聚酰亚胺、丙烯酸树脂和聚氨酯。
然后对框架重复相同的两步骤工艺以盖住接头，区别在于，在这种情况下，也可以使用不同的焊接技术，因为温度约束对于框架接头不如对于基板那么严格。
通常，本发明结合了焊接工艺的良好机械稳定性和密封剂的高密封性的优点。因此，可以避免仅使用焊接会由于错误的焊接工艺而导致泄漏。
进一步地，可以避免O形环和螺钉，从而使密封性特别高并且制造工艺容易。
虽然已经在附图和前面的描述中详细图示和描述了本发明，但是这种图示和描述应被认为是说明性的或示例性的，而不是限制性的；本发明不限于所公开的实施例。通过对附图、本公开和所附权利要求的研究，本领域技术人员在实施所要求保护的本发明时可以理解和实现所公开的实施例的其他变型。在权利要求中，词语“包括”并不排除其他要素或步骤，并且不定冠词“一”或“一个”并不排除复数。在相互不同的从属权利要求中陈述某些措施的简单事实并不表明这些措施的组合不能被有利地利用。权利要求中的任何附图标记不应被解释为限制范围。
附图标记列表
10 功率半导体模块
14 基板
16 复合模
18 端子
20 第二基板侧
22 冷却区域
24 连接区域
26 冷却结构
27 冷却销
28 第一壳体部件
29 隆起部
30 开口
32 孔
34 第一连接路径
36 焊接区域
38 密封剂
40 第一密封路径
42 第二壳体部件
44 开口
46 第二连接路径
48 焊接区域
50 密封剂
52 第二密封路径。

Claims (10)

1.一种为功率半导体模块(10)提供冷却器的方法，所述方法包括以下步骤：
a)提供功率半导体模块(10)，所述功率半导体模块包括衬底，所述衬底具有用于承载至少一个电路的第一衬底侧并且具有与所述第一衬底侧相反的第二衬底侧，其中，所述第二衬底侧连接到第一基板侧，其中，基板(14)还包括第二基板侧(20)，所述第二基板侧与基板的第一基板侧相反并且适用于与所述冷却器接触，所述冷却器包括第一壳体部件(28)和第二壳体部件(42)，其中，所述第二基板侧(20)配设有被连接区域(24)围绕的冷却区域(22)；
b)在所述连接区域(24)处，将所述第一壳体部件(28)连接到所述第二基板侧(20)，其中，所述第一壳体部件(28)包括至少一个用于接纳所述冷却区域(22)的开口(30)；
c)将第二壳体部件(42)连接到所述第一壳体部件(28)，使得在所述第一壳体部件(28)与所述第二壳体部件(42)之间设置用于为所述冷却区域(22)提供冷却流体的冷却通道；其中，
所述方法包括步骤b100)和c100)中的至少一个，其中，
根据所述步骤b100)，步骤b)包括以下步骤：
b1)通过间歇焊接技术，沿着完全围绕所述开口(30)的第一机械连接路径(34)将所述第一壳体部件(28)焊接到所述基板(14)；以及
b2)沿着完全围绕所述开口(30)的第一密封路径(40)提供密封剂(38)，以使所述基板(14)相对于所述第一壳体部件(28)密封；并且其中，
根据所述步骤c100)，步骤c)包括以下步骤：
c1)通过间歇焊接技术，沿着完全围绕所述冷却通道的第二机械连接路径(46)将所述第二壳体部件(42)焊接到所述第一壳体部件(28)；以及
c2)沿着第二密封路径(52)提供密封剂(50)，以使所述第一壳体部件(28)相对于所述第二壳体部件(42)密封。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括所述步骤b100)和步骤c100)两者。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步骤b1)和步骤c1)中的至少一者中的焊接通过激光焊接执行。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述步骤b1)和步骤c1)中的至少一者中的焊接通过点焊执行。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述步骤b1)、步骤b2)、步骤c1)和步骤c2)中的至少一者从与所述基板(14)相反的一侧执行。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，在步骤b)之前所述冷却区域(22)配设有冷却结构(26)，或者在步骤b)之后且在步骤c)之前将冷却结构(26)附接到所述冷却区域(22)。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，所述密封剂(38，50)包括粘合剂。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一壳体部件(28)和所述第二壳体部件(42)中的至少一者包括流体入口和流体出口中的至少一者。
9.一种功率半导体模块(10)和冷却器的布置结构，其中，所述功率半导体模块(10)包括衬底，所述衬底具有承载至少一个电路的第一衬底侧并且具有与所述第一衬底侧相反的第二衬底侧，其中，所述第二衬底侧连接到第一基板侧，其中，基板(14)还包括第二基板侧(20)，所述第二基板侧与基板的第一基板侧相反并且与所述冷却器接触，其中，所述第二基板侧(20)配设有被连接区域(24)围绕的冷却区域(22)，其中，在所述连接区域(24)处，所述冷却器的第一壳体部件(28)连接到所述第二基板侧(20)，其中，所述第一壳体部件(28)包括至少一个用于接纳所述冷却区域(22)的开口(30)，并且其中，第二壳体部件(42)连接到所述第一壳体部件(28)，使得用于为所述冷却区域(22)提供冷却流体的冷却通道设置在所述第一壳体部件(28)与所述第二壳体部件(42)之间，其特征在于，提供特征i)和特征ii)中的至少一者，其中，根据所述特征i)，通过间歇焊接技术，沿着完全围绕所述开口(30)的第一机械连接路径(34)将所述第一壳体部件(28)焊接到所述基板(14)，并且完全沿着完全围绕所述开口(30)的第一密封路径(40)提供密封剂(38)，以使所述基板(14)相对于所述第一壳体部件(28)密封，并且其中，根据所述特征ii)，通过间歇焊接技术，沿着完全围绕所述冷却通道的第二连接路径(46)将所述第二壳体部件(42)焊接到所述第一壳体部件(28)，并且完全沿着第二密封路径(52)提供密封剂(50)，以使所述第一壳体部件(28)相对于所述第二壳体部件(42)密封。
10.根据权利要求9所述的布置结构，其特征在于，所述功率半导体模块(10)是传递模塑模块。
CN202080053808.XA 2019-07-25 2020-07-23 功率半导体模块以及其形成方法 Active CN114175221B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP19188379.2 2019-07-25
EP19188379 2019-07-25
PCT/EP2020/070855 WO2021013956A1 (en) 2019-07-25 2020-07-23 Power semiconductor module and method of forming the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114175221A true CN114175221A (zh) 2022-03-11
CN114175221B CN114175221B (zh) 2022-10-28

Family

ID=67438915

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080053808.XA Active CN114175221B (zh) 2019-07-25 2020-07-23 功率半导体模块以及其形成方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11562911B2 (zh)
EP (1) EP3824494B1 (zh)
JP (1) JP7210804B2 (zh)
CN (1) CN114175221B (zh)
WO (1) WO2021013956A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT522831B1 (de) * 2019-08-08 2023-05-15 Dau Gmbh & Co Kg Luftwärmetauscher sowie Verfahren zu dessen Herstellung und damit ausgestatteter Elektronikaufbau
EP4060724B1 (en) * 2021-03-19 2023-08-23 Hitachi Energy Switzerland AG A power module comprising at least one semiconductor module, and a method for manufacturing a power module

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1208960A (zh) * 1997-08-16 1999-02-24 Abb研究有限公司 具有以亚模块方式集成的冷却器的功率半导体模块
US20100084748A1 (en) * 2008-06-04 2010-04-08 National Semiconductor Corporation Thin foil for use in packaging integrated circuits
CN103378021A (zh) * 2012-04-30 2013-10-30 英飞凌科技股份有限公司 功率模块及制造功率模块的方法
CN104183561A (zh) * 2013-05-24 2014-12-03 英飞凌科技股份有限公司 具有液体冷却的功率半导体模块
CN104425406A (zh) * 2013-09-03 2015-03-18 赛米控电子股份有限公司 功率半导体装置和用于制造功率半导体装置的方法
WO2015176194A1 (zh) * 2014-05-22 2015-11-26 深圳市君瑞能电科技有限公司 一种散热器焊接工艺方法
DE102016203184A1 (de) * 2016-02-29 2017-05-18 Conti Temic Microelectronic Gmbh Leistungselektronikanordnung, Verfahren zur Herstellung einer Leistungselektronikanordnung

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6665180B2 (en) * 2001-06-22 2003-12-16 International Business Machines Corporation System for cooling a component in a computer system
JP4133170B2 (ja) * 2002-09-27 2008-08-13 Ｄｏｗａホールディングス株式会社 アルミニウム−セラミックス接合体
JP5028147B2 (ja) * 2007-05-29 2012-09-19 株式会社アライドマテリアル 半導体装置用ヒートスプレッダとその製造方法
WO2010041529A1 (ja) * 2008-10-06 2010-04-15 日本軽金属株式会社 伝熱板の製造方法
US8369090B2 (en) * 2009-05-12 2013-02-05 Iceotope Limited Cooled electronic system
JP5729215B2 (ja) * 2011-08-22 2015-06-03 トヨタ自動車株式会社 冷却器及びその製造方法
JP5704735B1 (ja) * 2014-04-27 2015-04-22 関東精密株式会社 水冷式プレート型冷却ユニット
CN207165550U (zh) 2017-07-17 2018-03-30 上海道之科技有限公司 一种功率模块用水冷散热基板
DE102019206262A1 (de) * 2019-05-02 2020-11-05 Abb Schweiz Ag Halbleiterbauteil, Kraftfahrzeug und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1208960A (zh) * 1997-08-16 1999-02-24 Abb研究有限公司 具有以亚模块方式集成的冷却器的功率半导体模块
US20100084748A1 (en) * 2008-06-04 2010-04-08 National Semiconductor Corporation Thin foil for use in packaging integrated circuits
CN103378021A (zh) * 2012-04-30 2013-10-30 英飞凌科技股份有限公司 功率模块及制造功率模块的方法
CN104183561A (zh) * 2013-05-24 2014-12-03 英飞凌科技股份有限公司 具有液体冷却的功率半导体模块
CN104425406A (zh) * 2013-09-03 2015-03-18 赛米控电子股份有限公司 功率半导体装置和用于制造功率半导体装置的方法
WO2015176194A1 (zh) * 2014-05-22 2015-11-26 深圳市君瑞能电科技有限公司 一种散热器焊接工艺方法
DE102016203184A1 (de) * 2016-02-29 2017-05-18 Conti Temic Microelectronic Gmbh Leistungselektronikanordnung, Verfahren zur Herstellung einer Leistungselektronikanordnung

Also Published As

Publication number Publication date
EP3824494B1 (en) 2021-12-22
EP3824494A1 (en) 2021-05-26
CN114175221B (zh) 2022-10-28
US20220254654A1 (en) 2022-08-11
WO2021013956A1 (en) 2021-01-28
JP7210804B2 (ja) 2023-01-23
US11562911B2 (en) 2023-01-24
JP2022534447A (ja) 2022-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5686758A (en) Semiconductor device having integral structure of case and external connection terminals
US6697257B1 (en) Power semiconductor module
US9837338B2 (en) Semiconductor module with mounting case and method for manufacturing the same
EP3931867B1 (en) Electric power converter device with improved integration of cooler frame
CN114175221B (zh) 功率半导体模块以及其形成方法
JP2002314038A (ja) パワー半導体モジュール
JP4906650B2 (ja) パワー半導体モジュール及びその製法
US11955407B2 (en) Electronic module including a semiconductor package connected to a fluid heatsink
CN105990275A (zh) 功率模块封装件及其制作方法
WO2020105556A1 (ja) 半導体装置、電力変換装置及び半導体装置の製造方法
JP3244461U (ja) パワー半導体モジュールおよび冷却器からなる構成
US11937413B2 (en) Power electronics module and method for fabricating a power electronics module
JP4051027B2 (ja) パワー半導体デバイスモジュール
US20220254653A1 (en) Arrangement of a Power Semiconductor Module and a Cooler
WO2020254143A1 (en) Half-bridge power assembly
EP4184567A1 (en) Cooler unit, semiconductor device and method for manufacturing a cooler unit
US20230317560A1 (en) Power semiconductor module, system including a power semiconductor module and a cooler and method for fabricating a system
KR102536643B1 (ko) 반도체 패키지
WO2021106519A1 (ja) パワーモジュールおよびパワーモジュールの製造方法
EP3770956A1 (en) Power semiconductor module
JP7006015B2 (ja) 半導体モジュールの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20240112

Address after: Zurich, SUI

Patentee after: Hitachi Energy Co.,Ltd.

Address before: Swiss Baden

Patentee before: Hitachi energy Switzerland AG

TR01 Transfer of patent right