CN114163999B - 一种氮化物荧光粉及其制备方法与应用 - Google Patents

一种氮化物荧光粉及其制备方法与应用 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种氮化物荧光粉及其制备方法与应用，所述氮化物荧光粉的结构式为AD1‑x‑yCexTbyE4N7；式中，0.005≤x≤0.05且0≤y≤0.30，A包括Mg、Ca、Sr或Ba中的任意一种或至少两种的组合；D包括La、Gd、Y或Lu中的任意一种或至少两种的组合；E包括Si、Ge或Sn中的任意一种或至少两种的组合。所述氮化物荧光粉为六方晶系，空间群为P63mc；单掺杂Ce时，在近紫外光激发下可以实现蓝光发射，Ce和Tb共掺杂时，在近紫外光激发下能够实现从蓝光到绿光的发射调控；且制备方法采用高温固相法，反应在常压下进行，反应条件温和，易操作、成本低。

Description

一种氮化物荧光粉及其制备方法与应用
技术领域
本发明属于荧光材料技术领域，具体涉及一种氮化物荧光粉及其制备方法与应用。
背景技术
近年来，随着生活水平的不断提高，人们对照明光源的质量也提出了更高的要求，高品质、全光谱照明已经成了世界范围内“健康绿色照明”的新趋势。白光发光二极管(LED)具有环保、高效、寿命长等诸多优点，已逐步取代灯泡和荧光灯成为新一代绿色照明光源。半导体芯片加荧光粉是实现白光LED照明的主流方案，目前商业化最成熟的途径是由InGaN蓝光发光二极管芯片和石榴石结构的黄色荧光粉(YAG:Ce3+)相结合制备白光LED。但是，该途径由于蓝绿光和红光不足，导致白光LED器件显色指数(CRI)低、色温高，限制了白光LED的应用领域。
实现白光LED的另一种途径是使用近紫外(n-UV)LED芯片与红色、绿色和蓝色荧光粉相结合制备白光LED。这种方法得到的白光LED能够在整个可见光范围内实现平坦的光谱分布，具有显色指数高、色彩稳定等优点。此途径中荧光粉对于白光LED的性能具有重要影响，近年来，近紫外LED芯片性能获得大幅度的提升，然而匹配近紫外LED芯片的蓝色和绿色荧光粉还比较缺乏，因此制备可被近紫外光有效激发的蓝色和绿色荧光粉对于高品质的白光LED尤为重要。
稀土Tb3+的5D4-7F5跃迁发射峰位于543nm附近，属于典型的绿色发光中心。然而，由于禁戒的f-f跃迁，导致Tb3+在近紫外光区域的吸收非常弱，通过合适的敏化剂吸收近紫外光，然后将其激发能转移到Tb3+离子是一种有效的解决方法。
CN106929016B公开一种蓝色到绿色颜色可调硅酸盐荧光粉及其制备方法；所述荧光粉的化学组成表示式为：NaBa3La3(1-x-y)Ce3xTb3ySi6O20；其中，x，y分别是离子Ce3+和Tb3+相对La3+占的摩尔百分比系数，0.001≤x≤0.01，0.05≤y≤0.40。该荧光粉为正交晶系，空间群为Ama2。该荧光粉在310-385nm的紫外光激发下，发射峰位于345-630nm之间，通过调控Ce3 +和Tb3+的掺杂比例，可有效调节近紫外光和蓝绿光发射峰的比例，进而实现荧光粉材料从蓝光到绿光发射可调；但是，硅酸盐自身的化学稳定性较差，对湿度敏感，易受潮，发射峰窄，晶体颗粒偏大，影响了其在白光LED领域的应用。
综上所述，亟需开发一种新的可被近紫外光有效激发的蓝色和绿色荧光粉，能够匹配近紫外LED芯片，能够实现蓝光和绿光的调控，并兼具较好的稳定性。
发明内容
本发明的目的在于提供一种氮化物荧光粉及其制备方法与应用，所述氮化物荧光粉的结构式为AD1-x-yCexTbyE4N7；式中，0.005≤x≤0.05且0≤y≤0.30，A包括Mg、Ca、Sr或Ba中的任意一种或至少两种的组合；D包括La、Gd、Y或Lu中的任意一种或至少两种的组合；E包括Si、Ge或Sn中的任意一种或至少两种的组合。所述氮化物荧光粉为六方晶系，空间群为P63mc；单掺杂Ce时，在近紫外光激发下可以实现蓝光发射，Ce和Tb共掺杂时，在近紫外光激发下能够实现从蓝光到绿光的发射调控。
为达到此发明目的，本发明采用以下技术方案：
本发明的目的之一在于提供一种氮化物荧光粉，所述氮化物荧光粉的结构式为AD1-x-yCexTbyE4N7；式中，0.005≤x≤0.05且0≤y≤0.30，例如x可以是0.005，0.01，0.015，0.02，0.025，0.03，0.035，0.04，0.045等，y可以是0，0.02，0.05，0.08，0.10，0.13，0.15，0.17，0.20，0.22，0.25，0.28，0.30等；A包括Mg、Ca、Sr或Ba中的任意一种或至少两种的组合，所述组合典型但非限制性的实例包括Mg和Ca的组合，Mg和Sr的组合，Mg和Ba的组合，Ca和Sr的组合，Ca和的Ba组合，Sr和Ba的组合；D包括La、Gd、Y或Lu中的任意一种或至少两种的组合，所述组合典型但非限制性的实例包括La和Gd的组合，La和Y的组合，Lu和La的组合，Gd和Y的组合，Gd和Lu的组合，Y和Lu的组合；E包括Si、Ge或Sn中的任意一种或至少两种的组合，所述组合典型但非限制性的实例包括Si和Ge的组合，Si和Sn的组合，Ge和Sn的组合。
本发明提供的氮化物荧光粉，单掺杂发光中心为Ce时，能够实现蓝光发射；进一步引入Tb时，通过构建Ce-Tb能量传递体系，可以获得在近紫外激发下从蓝光到绿光发射可调谐的荧光粉。
作为本发明优选的技术方案，所述氮化物荧光粉为六方晶系，空间群为P63mc，其晶体结构由[SiN4]四面体通过角-角连接构建。
作为本发明优选的技术方案，所述氮化物荧光粉被近紫外光有效激发的激发波长为250-400nm，例如可以是250nm，260nm，270nm，280nm，290nm，300nm，310nm，320nm，330nm，40nm，350nm，360nm，370nm，380nm，390nm，400nm等，但并不仅限于所列举的数值，上述数值范围内其他未列举的数值同样适用。
本发明的目的之二在于提供一种上述目的之一所述氮化物荧光粉的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
(1)将含A原料、含D原料、含E原料、含Ce原料、含Tb原料和碳原料混合，得到混合物；
(2)将步骤(1)所述混合物在氮气气氛中进行烧结，得到氮化物荧光粉。
作为本发明优选的技术方案，步骤(1)所述含A原料包括含A碳酸盐、含A氧化物或含A氮化物中的任意一种或至少两种的组合，所述组合典型但非限制性的实例包括含A碳酸盐和含A氧化物的组合，含A碳酸盐和含A氮化物的组合，含A氧化物和含A氮化物的组合。
优选地，步骤(1)所述含D原料包括含D氧化物和/或含D硝酸盐。
优选地，步骤(1)所述含E原料包括含E氮化物、含E碳化物或含E氧化物中的任意一种或至少两种的组合，所述组合典型但非限制性的实例包括含E氮化物和含E碳化物的组合，含E氮化物和含E氧化物的组合，含E碳化物和含E氧化物的组合。
作为本发明优选的技术方案，步骤(1)所述含Ce原料包括含Ce氧化物、含Ce氮化物、含Ce氟化物、含Ce硝酸盐或含Ce卤化物中的任意一种或至少两种的组合，所述组合典型但非限制性的实例包括含Ce氧化物和含Ce氮化物的组合，含Ce氧化物和含Ce氟化物的组合，含Ce氧化物和含Ce硝酸盐的组合，含Ce氧化物和含Ce卤化物的组合，含Ce氮化物和含Ce氟化物的组合，含Ce氮化物和含Ce硝酸盐的组合，含Ce氮化物和含Ce卤化物的组合，含Ce氟化物和含Ce硝酸盐的组合，含Ce氟化物和含Ce卤化物的组合，含Ce硝酸盐和含Ce卤化物的组合。
优选地，步骤(1)所述含Tb原料包括含Tb氧化物、含Tb氮化物、含Tb氟化物、含Tb硝酸盐或含Tb卤化物中的任意一种或至少两种的组合，所述组合典型但非限制性的实例包括含Tb氧化物和含Tb氮化物的组合，含Tb氧化物和含Tb氟化物的组合，含Tb氧化物和含Tb硝酸盐的组合，含Tb氧化物和含Tb卤化物的组合，含Tb氮化物和含Tb氟化物的组合，含Tb氮化物和含Tb硝酸盐的组合，含Tb氮化物和含Tb卤化物的组合，含Tb氟化物和含Tb硝酸盐的组合，含Tb氟化物和含Tb卤化物的组合，含Tb硝酸盐和含Tb卤化物的组合。
优选地，步骤(1)所述碳原料包括石墨粉和/或含碳有机物。
优选地，步骤(1)所述混合的方式为研磨。
作为本发明优选的技术方案，步骤(2)所述烧结的温度为1500-1700℃，例如可以是1500℃，1520℃，1540℃，1560℃，1580℃，1600℃，1620℃，1640℃，1660℃，1680℃，1700℃等，但并不仅限于所列举的数值，上述数值范围内其他未列举的数值同样适用。
本发明所述烧结的温度为1500-1700℃，若温度高于1700℃，则会导致所得氮化物荧光粉结块，不利于后续的处理；若温度低于1500℃，则会导致所得氮化物荧光粉不纯，发光亮度低，这是由于温度过低导致反应在较长的烧结时间内也无法充分进行。
优选地，步骤(2)所述烧结的时间为1-10h，例如可以是1h，2h，3h，4h，5h，6h，7h，8h，9h，10h等，但并不仅限于所列举的数值，上述数值范围内其他未列举的数值同样适用。
作为本发明优选的技术方案，所述制备方法还包括将步骤(2)所得氮化物荧光粉依次进行研磨、洗涤、烘干和过筛。
作为本发明优选的技术方案，所述制备方法包括如下步骤：
(1)将含A原料、含D原料、含E原料、含Ce原料、含Tb原料和碳原料混合，得到混合物；
其中，A包括Mg、Ca、Sr或Ba中的任意一种或至少两种的组合；D包括La、Gd、Y或Lu中的任意一种或至少两种的组合；E包括Si、Ge或Sn中的任意一种或至少两种的组合；含A原料包括含A碳酸盐、含A氧化物或含A氮化物中的任意一种或至少两种的组合；含D原料包括含D氧化物和/或含D硝酸盐；含E原料包括含E氮化物、含E碳化物或含E氧化物中的任意一种或至少两种的组合；含Ce原料包括含Ce氧化物、含Ce氮化物、含Ce氟化物、含Ce硝酸盐或含Ce卤化物中的任意一种或至少两种的组合；含Tb原料包括含Tb氧化物、含Tb氮化物、含Tb氟化物、含Tb硝酸盐或含Tb卤化物中的任意一种或至少两种的组合；碳原料包括石墨粉和/或含碳有机物；
(2)将步骤(1)所述混合物在氮气气氛中，1500-1700℃烧结1-10h，依次经过研磨、洗涤、烘干和过筛，得到氮化物荧光粉。
本发明的目的之三在于提供一种上述目的之一所述氮化物荧光粉的应用，所述氮化物荧光粉用于近紫外芯片激发的白光发光二极管。
值得说明的是，当y＝0时，所述氮化物荧光粉发蓝光；当0<y≤0.30时，随着y值的增加，该氮化物荧光粉在近紫外光激发下能够实现从蓝光到绿光的发射调控。
本发明所述的数值范围不仅包括上述例举的点值，还包括没有例举出的上述数值范围之间的任意的点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
相对于现有技术，本发明具有以下有益效果：
(1)本发明所述氮化物荧光粉，单掺杂Ce时，在近紫外光激发下可以获得峰值在450nm左右的蓝光发射，Ce和Tb共掺杂时，在近紫外光激发下能够实现从蓝光到绿光的发射调控；
(2)本发明所述氮化物荧光粉的制备方法采用高温固相法，反应在常压下进行，反应条件温和，易操作、成本低。
附图说明
图1为本发明实施例1所得氮化物荧光粉的XRD图；
图2为本发明实施例1所得氮化物荧光粉的激发光谱；
图3为本发明实施例1所得氮化物荧光粉的发射图谱；
图4为本发明实施例5所得氮化物荧光粉的激发光谱；
图5为本发明实施例5所得氮化物荧光粉的发射图谱；
图6为本发明实施例4、6、7、8所得氮化物荧光粉的CIE色度坐标图。
具体实施方式
下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。
实施例1
本实施例提供了一种氮化物荧光粉及其制备方法，所述氮化物荧光粉的结构式为SrLu0.98Ce0.02Si4N7；所述制备方法包括如下步骤：
(1)按照化学计量比等称取适量的SrCO3、Lu2O3、α-Si3N4、CeO2、石墨粉原料，置于玛瑙研钵中进行充分研磨混合，得到混合物；
(2)将步骤(1)所述混合物在氮气气氛中，1600℃烧结4h，依次经过研磨、洗涤、烘干和过筛，得到氮化物荧光粉。
本实施例所得氮化物荧光粉的XRD图如图1所示，由图1可以看出，本实施例所得SrLu0.98Ce0.02Si4N7与SrLuSi4N7的晶相一致；
本实施例所得氮化物荧光粉的激发光谱图如图2所示，发射光谱图如图3所示，由图2和图3可以看出，SrLu0.98Ce0.02Si4N7可被250-400nm的近紫外光有效激发，在360nm近紫外光激发下，发射峰值为450nm的蓝光。
实施例2
本实施例提供了一种氮化物荧光粉及其制备方法，所述氮化物荧光粉的结构式为SrLu0.995Ce0.005Si4N7；所述制备方法包括如下步骤：
(1)按照化学计量比等称取适量的SrCO3、Lu2O3、α-Si3N4、CeO2、石墨粉原料，置于玛瑙研钵中进行充分研磨混合，得到混合物；
(2)将步骤(1)所述混合物在氮气气氛中，1500℃烧结10h，依次经过研磨、洗涤、烘干和过筛，得到氮化物荧光粉。
实施例3
本实施例提供了一种氮化物荧光粉及其制备方法，所述氮化物荧光粉的结构式为SrLu0.95Ce0.05Si4N7；所述制备方法包括如下步骤：
(1)按照化学计量比等称取适量的SrCO3、Lu2O3、α-Si3N4、CeO2、石墨粉原料，置于玛瑙研钵中进行充分研磨混合，得到混合物；
(2)将步骤(1)所述混合物在氮气气氛中，1700℃烧结1h，依次经过研磨、洗涤、烘干和过筛，得到氮化物荧光粉。
实施例4
本实施例提供了一种氮化物荧光粉及其制备方法，所述氮化物荧光粉的结构式为SrLu0.96Ce0.04Si4N7；所述制备方法包括如下步骤：
(1)按照化学计量比等称取适量的SrCO3、Lu2O3、α-Si3N4、CeO2、石墨粉原料，置于玛瑙研钵中进行充分研磨混合，得到混合物；
(2)将步骤(1)所述混合物在氮气气氛中，1580℃烧结7h，依次经过研磨、洗涤、烘干和过筛，得到氮化物荧光粉。
实施例5
本实施例提供了一种氮化物荧光粉及其制备方法，所述氮化物荧光粉的结构式为SrLu0.76Ce0.04Tb0.20Si4N7；所述制备方法包括如下步骤：
(1)按照化学计量比等称取适量的SrCO3、Lu2O3、α-Si3N4、CeO2、Tb4O7、石墨粉原料，置于玛瑙研钵中进行充分研磨混合，得到混合物；
(2)将步骤(1)所述混合物在氮气气氛中，1580℃烧结7h，依次经过研磨、洗涤、烘干和过筛，得到氮化物荧光粉。
本实施例所得氮化物荧光粉的激发光谱图如图4所示，发射光谱图如图5所示，由图4和图5可以看出，SrLu0.76Ce0.04Tb0.20Si4N7可被250-400nm的近紫外光有效激发，能够匹配商业近紫外LED芯片；该SrLu0.76Ce0.04Tb0.20Si4N7氮化物荧光粉以545nm的绿光发射为主。
实施例6
本实施例提供了一种氮化物荧光粉及其制备方法，所述氮化物荧光粉的结构式为SrLu0.86Ce0.04Tb0.10Si4N7；所述制备方法包括如下步骤：
(1)按照化学计量比等称取适量的SrCO3、Lu2O3、α-Si3N4、CeO2、Tb4O7、石墨粉原料，置于玛瑙研钵中进行充分研磨混合，得到混合物；
(2)将步骤(1)所述混合物在氮气气氛中，1580℃烧结7h，依次经过研磨、洗涤、烘干和过筛，得到氮化物荧光粉。
实施例7
本实施例提供了一种氮化物荧光粉及其制备方法，所述氮化物荧光粉的结构式为SrLu0.71Ce0.04Tb0.25Si4N7；所述制备方法包括如下步骤：
(1)按照化学计量比等称取适量的SrCO3、Lu2O3、α-Si3N4、CeO2、Tb4O7、石墨粉原料，置于玛瑙研钵中进行充分研磨混合，得到混合物；
(2)将步骤(1)所述混合物在氮气气氛中，1580℃烧结7h，依次经过研磨、洗涤、烘干和过筛，得到氮化物荧光粉。
实施例8
本实施例提供了一种氮化物荧光粉及其制备方法，所述氮化物荧光粉的结构式为SrLu0.66Ce0.04Tb0.30Si4N7；所述制备方法包括如下步骤：
(1)按照化学计量比等称取适量的SrCO3、Lu2O3、α-Si3N4、CeO2、Tb4O7、石墨粉原料，置于玛瑙研钵中进行充分研磨混合，得到混合物；
(2)将步骤(1)所述混合物在氮气气氛中，1580℃烧结7h，依次经过研磨、洗涤、烘干和过筛，得到氮化物荧光粉。
图6为实施例4、6、7、8所得氮化物荧光粉的CIE色度坐标图，由图6可以看出，固定Ce3+的掺杂浓度为4％，通过调控Tb3+的掺杂浓度，可有效调节近紫外激发的蓝光发射峰和绿光发射峰的比例，进而实现荧光粉材料从蓝光到绿光发射可调。
实施例9
本实施例提供了一种氮化物荧光粉及其制备方法，所述氮化物荧光粉的结构式为CaLu0.98Ce0.02Si4N7；所述制备方法包括如下步骤：
(1)按照化学计量比等称取适量的CaCO3、Lu2O3、α-Si3N4、CeO2、石墨粉原料，置于玛瑙研钵中进行充分研磨混合，得到混合物；
(2)将步骤(1)所述混合物在氮气气氛中，1600℃烧结4h，依次经过研磨、洗涤、烘干和过筛，得到氮化物荧光粉。
实施例10
本实施例提供了一种氮化物荧光粉及其制备方法，所述氮化物荧光粉的结构式为BaLu0.98Ce0.02Si4N7；所述制备方法包括如下步骤：
(1)按照化学计量比等称取适量的BaCO3、Lu2O3、α-Si3N4、CeO2、石墨粉原料，置于玛瑙研钵中进行充分研磨混合，得到混合物；
(2)将步骤(1)所述混合物在氮气气氛中，1600℃烧结4h，依次经过研磨、洗涤、烘干和过筛，得到氮化物荧光粉。
对比例1
本对比例提供了一种蓝色到绿色颜色可调硅酸盐荧光粉及其制备方法，参照CN106929016B中所述的制备方法制备了结构式为NaBa3La2.829Ce0.021Tb0.15Si6O20的硅酸盐荧光粉。
对比例2
本对比例提供了一种氮化物荧光粉及其制备方法，参照实施例5所述氮化物荧光粉及其制备方法，区别仅在于：原料中没有CeO2，即，所述氮化物荧光粉的结构式为SrLu0.80Tb0.20Si4N7；所述制备方法包括如下步骤：
(1)按照化学计量比等称取适量的SrCO3、Lu2O3、α-Si3N4、Tb4O7、石墨粉原料，置于玛瑙研钵中进行充分研磨混合，得到混合物；
(2)将步骤(1)所述混合物在氮气气氛中，1580℃烧结7h，依次经过研磨、洗涤、烘干和过筛，得到氮化物荧光粉。
将上述实施例与对比例所得氮化物荧光粉的激发峰值和发射峰值进行测试，所用测试仪器为日立F-7100荧光分光光度计。
将上述实施例与对比例所得氮化物荧光粉激发峰值和发射峰值的测试结果列于表1。
表1
项目 氮化物荧光粉结构式 激发峰值/nm 发射峰值/nm
实施例1 SrLu0.98Ce0.02Si4N7 358 441
实施例2 SrLu0.995Ce0.005Si4N7 358 438
实施例3 SrLu0.95Ce0.05Si4N7 360 446
实施例4 SrLu0.96Ce0.04Si4N7 360 445
实施例5 SrLu0.76Ce0.04Tb0.20Si4N7 368 545
实施例6 SrLu0.86Ce0.04Tb0.10Si4N7 368 545
实施例7 SrLu0.71Ce0.04Tb0.25Si4N7 368 545
实施例8 SrLu0.66Ce0.04Tb0.30Si4N7 368 545
实施例9 CaLu0.98Ce0.02Si4N7 365 470
实施例10 BaLu0.98Ce0.02Si4N7 350 430
对比例1 NaBa3La2.829Ce0.021Tb0.15Si6O20 335 545
对比例2 SrLu0.80Tb0.20Si4N7 310 545
由表1可以得出以下几点：
(1)由实施例1-10可以看出，本发明所述氮化物荧光粉，单掺杂Ce时，在近紫外光激发下可以获得峰值在450nm左右的蓝光发射，Ce和Tb共掺杂时，在近紫外光激发下能够实现从蓝光到绿光的发射调控；
(2)由实施例1-4可以看出，随着Ce掺杂浓度的增大，发射峰值发生偏移，从438nm移至446nm处；
(3)由实施例4-8可以看出，实施例4中Ce单掺杂的氮化物荧光粉发射峰值在445nm，实施例5-8中Ce、Tb共掺杂的氮化物荧光粉发射峰值在545nm，固定Ce的掺杂浓度为4％，随着Tb的掺杂浓度的增大，所述氮化物荧光粉发射的蓝光部分相对减弱，绿光部分相对增强；
(4)将实施例5和对比例1进行对比，可以得出，实施例5提供的氮化物荧光粉激发峰值在368nm，CN106929016B中所述的硅酸盐荧光粉激发峰值在335nm，由于高效率的商业近紫外LED芯片的发射峰值在365nm以后，因此实施例5提供的氮化物荧光粉能够更好的匹配高效率的商业近紫外LED芯片；
(5)将实施例5和对比例2进行对比，可以得出，实施例5提供的氮化物荧光粉激发峰值在368nm，对比例2提供的氮化物荧光粉没有Ce原料，其激发峰值在310nm，由于高效率的商业近紫外LED芯片的发射峰值在365nm以后，因此实施例5提供的氮化物荧光粉能够更好的匹配高效率的商业近紫外LED芯片。
申请人声明，以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，所属技术领域的技术人员应该明了，任何属于本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

Claims (16)

1.一种氮化物荧光粉，其特征在于，所述氮化物荧光粉的结构式为AD1-x-yCexTbyE4N7；式中，0.005≤x≤0.05且0＜y≤0.30；A为Mg、Ca、Sr或Ba中的任意一种或至少两种的组合；D为Lu；E为Si。
2.根据权利要求1所述的氮化物荧光粉，其特征在于，所述氮化物荧光粉为六方晶系，空间群为P63mc。
3.根据权利要求1或2所述的氮化物荧光粉，其特征在于，所述氮化物荧光粉被近紫外光有效激发的激发波长为250-400nm。
4.一种权利要求1-3任一项所述氮化物荧光粉的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
（1）将含A原料、含D原料、含E原料、含Ce原料、含Tb原料和碳原料混合，得到混合物；
（2）将步骤（1）所述混合物在氮气气氛中进行烧结，得到氮化物荧光粉。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述含A原料包括含A碳酸盐、含A氧化物或含A氮化物中的任意一种或至少两种的组合。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述含D原料包括含D氧化物和/或含D硝酸盐。
7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述含E原料包括含E氮化物、含E碳化物或含E氧化物中的任意一种或至少两种的组合。
8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述含Ce原料包括含Ce氧化物、含Ce氮化物、含Ce氟化物、含Ce硝酸盐或含Ce卤化物中的任意一种或至少两种的组合。
9.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述含Tb原料包括含Tb氧化物、含Tb氮化物、含Tb氟化物、含Tb硝酸盐或含Tb卤化物中的任意一种或至少两种的组合。
10.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述碳原料包括石墨粉和/或含碳有机物。
11.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述混合的方式为研磨。
12.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述烧结的温度为1500-1700℃。
13.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述烧结的时间为1-10h。
14.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括将步骤（2）所得氮化物荧光粉依次进行研磨、洗涤、烘干和过筛。
15.根据权利要求4-14任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
（1）将含A原料、含D原料、含E原料、含Ce原料、含Tb原料和碳原料混合，得到混合物；
其中，A为Mg、Ca、Sr或Ba中的任意一种或至少两种的组合；D为Lu；E为Si；含A原料包括含A碳酸盐、含A氧化物或含A氮化物中的任意一种或至少两种的组合；含D原料包括含D氧化物和/或含D硝酸盐；含E原料包括含E氮化物、含E碳化物或含E氧化物中的任意一种或至少两种的组合；含Ce原料包括含Ce氧化物、含Ce氮化物、含Ce氟化物、含Ce硝酸盐或含Ce卤化物中的任意一种或至少两种的组合；含Tb原料包括含Tb氧化物、含Tb氮化物、含Tb氟化物、含Tb硝酸盐或含Tb卤化物中的任意一种或至少两种的组合；碳原料包括石墨粉和/或含碳有机物；
（2）将步骤（1）所述混合物在氮气气氛中，1500-1700℃烧结1-10h，依次经过研磨、洗涤、烘干和过筛，得到结构式为AD1-x-yCexTbyE4N7的氮化物荧光粉。
16.一种权利要求1-3任一项所述氮化物荧光粉的应用，其特征在于，所述氮化物荧光粉用于近紫外芯片激发的白光发光二极管。
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