CN114163945A - 一种抗静电硅胶保护膜及其制备方法 - Google Patents

一种抗静电硅胶保护膜及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种抗静电硅胶保护膜及其制备方法，包括基膜；设置在所述基膜上的抗静电丙烯酸胶层；嵌入在所述抗静电丙烯酸胶层内的有机硅胶层，以及设置在有机硅胶层上的隔离膜层；其中，所述抗静电丙烯酸胶层为网格状，所述抗静电丙烯酸胶层与所述有机硅胶层的厚度比例为1：1‑1.5，本发明通过将抗静电丙烯酸胶层与硅胶层形成网格镶嵌结构，并通过两层胶厚的厚度比例可以精准调节抗静电硅胶保护膜的抗静电效果，从而生产多种抗静电值保护膜来满足客户不同应用需要，抗静电硅胶保护膜的胶面抗静电为106‑11Ω/sq，抗静电硅胶保护膜单位面积的表面晶点小于2个，提高了抗静电硅胶保护膜的成品率，延长使用寿命。

Description

一种抗静电硅胶保护膜及其制备方法
技术领域
本申请涉及硅胶保护膜技术领域，具体涉及一种抗静电硅胶保护膜及其制备方法。
背景技术
硅胶保护膜是一款主要应用于保护电子产品的屏幕保护膜，适用于手机、电脑、各类屏幕显示器等表面防刮防尘防辐射的保护膜，目前市场上主要使用的抗静电硅胶保护膜主要有两种，一种主要是在抗静电基材表面涂布有机硅得到抗静电硅胶保护膜，但其胶面抗静电微弱，常规都大于1010Ω/SQ，剥离电压在1KV左右；另外一种主要是在有机硅胶水中添加碳纳米管分散后形成抗静电有机硅胶水，在抗静电基膜表面涂布抗静电有机硅胶水后，得到抗静电硅胶保护膜，这种抗静电保护膜主要缺点是生产成本高，生产分散过程复杂，容易出现产品外观晶点异常导致保护膜无法使用。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种抗静电硅胶保护膜及其制备方法，解决了现有技术中抗静电亚克力保护膜抗静电效果差、外观晶点多、对被贴物表面润湿慢、排气性差等技术问题。
根据本发明的一个方面，本发明提供了一种抗静电硅胶保护膜，所述抗静电硅胶保护膜包括：基膜；设置在所述基膜上的抗静电丙烯酸胶层；嵌入在所述抗静电丙烯酸胶层内的有机硅胶层，以及设置在有机硅胶层上的隔离膜层；其中，所述抗静电丙烯酸胶层为网格状，所述抗静电丙烯酸胶层与所述有机硅胶层的厚度比例为1：1-1.5。
作为优选的，所述抗静电丙烯酸胶层包括按质量百分含量计的如下组分：
Figure BDA0003448032740000021
作为优选的，所述光敏剂包括安息香丁醚或乙醚的任意一种或两种；所述引发剂包括过氧化苯甲酰或过氧化月桂酰的一种或两种。
作为优选的，所述有机硅胶层包括按质量百分含量计的如下组分：
Figure BDA0003448032740000022
作为优选的，所述MQ树脂中M单元与Q单元的比例为：0.5<M:Q<1，其中M为R3SiO1/2，Q为SiO4/2,其他活性官能团为羟基；
所述乙烯基硅油的黏度为5000-15000mpa.s；
所述交联剂为含氢硅油；
所述偶联剂为氨基、乙烯基、甲基丙烯酰氧基、环氧基、巯烃基硅烷类偶联剂中的任意一种；
所述催化剂为二乙烯四甲基二硅氧烷铂络合物；
所述光引发剂包括2-羟基-2-甲基-1-苯基丙酮、1-羟基环己基苯基甲酮、2-甲基-2-(4-吗啉基)-1-[4-(甲硫基)苯基]-1-丙酮、2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦中的任意一种或多种。
作为优选的，所述基膜的材质为材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(PET)、聚酰亚胺膜(PI)、未拉伸聚丙烯膜(CPP)、聚烯烃膜(PO)、聚乙烯膜(PE)、聚乳酸膜(PLA)中的任意一种或多种。
作为优选的，所述隔离膜层的材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(PET)、聚丙烯膜(PP)、聚乙烯膜(PE)、聚乳酸膜(PLA)中的任意一种或多种。
作为本发明的第二个方面，本发明还提供了一种抗静电硅胶保护膜的制备方法，包括如下步骤：
步骤1、在所述基膜的电晕面上涂布抗静电丙烯酸胶水形成抗静电丙烯酸胶层，进行第一阶段UV固化；
步骤2、在步骤1的抗静电丙烯酸胶层的表面涂布有机硅胶水得到有机硅胶层，经过第二阶段UV固化；
步骤3、在步骤2中得到的有机硅胶层的表面贴合隔离膜，得到抗静电硅胶保护膜。
作为优选的，所述步骤1中的抗静电丙烯酸胶层的厚度为5-20μm，第一阶段的UV固化剂量为：400-700mj/cm2，照射时间60S-150S；
所述步骤2中有机硅胶层的厚度为5-20μm，第二阶段的UV固化剂量为：400-750mj/cm2，照射时间60S-180S。
作为优选的，所述步骤1中抗静电丙烯酸胶水的制备方法包括如下步骤：
S1：乙炔炭黑分散液的制备：先在乙炔炭黑中加入乙二醇乙醚并搅拌润湿，得到润湿后的乙炔炭黑，再在高速分散机的容器中加入乙二醇乙醚，以600-800r/min速度边搅拌边加入润湿后的乙炔炭黑，搅拌20min得到乙炔炭黑分散液；
S2：在N2保护下，先将丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸甲酯、邻苯二甲酸二辛酯、醋酸乙烯酯、丙烯酸、甲基丙烯酸放入到反应釜中，再在反应釜中滴加步骤S1中制备得到的乙炔炭黑分散液，进行单体聚合反应形成预聚体；
S3：使用前在步骤S2得到的预聚体中再加入引发剂和光敏剂进行交联反应形成抗静电丙烯酸胶水。
作为优选的，所述步骤S2中，聚合反应的反应的温度为80℃-100℃，反应时间为24-72小时，当预聚体黏度达到800～1200mPa·s时单体聚合反应结束；所述步骤S3中，使用前在步骤S2得到的预聚体中加入引发剂和光敏剂，以600-800r/min速度搅拌分散30min，静置20min消泡后使用。
本发明所述的抗静电硅胶保护膜包括：基膜；设置在所述基膜上的抗静电丙烯酸胶层；嵌入在所述抗静电丙烯酸胶层内的有机硅胶层，以及设置在有机硅胶层上的隔离膜层；其中，所述抗静电丙烯酸胶层为网格状，所述抗静电丙烯酸胶层与所述有机硅胶层的厚度比例为1：1-1.5，抗静电丙烯酸胶层用于提高抗静电硅胶保护膜的抗静电能力，有机硅胶层用于提高抗静电硅胶保护膜的粘结力，这种将抗静电丙烯酸胶层与硅胶层形成镶嵌结构，在提高抗静电硅胶保护膜的抗静电能力的同时还可以保持其粘结力；通过调节抗静电丙烯酸胶层与所述有机硅胶层的厚度比例，使得本发明的抗静电硅胶保护膜具有良好的抗静电效果，本发明的抗静电硅胶保护膜的胶面电阻为106Ω/sq；远远小于对比例中的硅胶保护膜的胶面电阻1010-1011Ω/sq，胶面电阻越低抗静电能力越强；另外，在具有优异的抗静电效果的条件下，抗静电硅胶保护膜单位面积的表面晶点数量小于2个，进而提高了抗静电硅胶保护膜的成品率和使用寿命。
附图说明
为了更清楚的说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术中描述中所需要使用的附图做简单地介绍，显而易见的，下面描述的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1所示为本申请实施例1提供的抗静电硅胶保护膜的剖视图；
图2所示为本申请实施例2提供的抗静电硅胶保护膜的剖视图；
图3所示为本发明实施例1提供的抗静电硅胶保护膜在金相显微镜下的显示图；
图4所示为本发明对比例2提供的硅胶保护膜在金相显微镜下的显示图。
附图标记说明：
1-基膜；2-抗静电丙烯酸胶层；3-有机硅胶层；4-隔离膜。
具体实施方式
为便于理解本发明，下面将结合本发明实施例，对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例紧急是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，均属于本发明保护的范围。
以下实施例以及对比例中所用的原料均为市售。例如:
甲基乙烯基MQ型硅树脂，购自山东大易化工有限公司，牌号为DY-VMQ103；
乙烯硅油，购自山东大易化工有限公司，牌号为DY-V411乙烯基硅油(支链型)；
含氢硅油，购自山东大易化工有限公司，牌号为DY-H202甲基含氢硅油；
二乙烯四甲基二硅氧烷铂络合物，购自道康宁公司，牌号为4000；
羟基MQ树脂，购自晏迪科技，牌号为YDSR-1002；
光引发剂(2-羟基-2-甲基-1-苯基丙酮)，购自南通润丰石油化工有限公司，牌号为2BP 119-61-9；
改性聚噻吩抗静电剂，购自浙江蓝德能源科技发展有限公司，牌号为LD-PSA32；
高温加成型硅胶水，购自陶氏化学，牌号为7651；
碳纳米管高温加成型硅胶，选用先丰纳米材料公司生产的牌号为XFS28的硅胶与陶氏化学生产的牌号为7651的硅胶水按照2％的比例进行混合后得到。
其余未特殊说明的都是普通市售。
实施例1：
图1所示为本申请一实施例提供的抗静电硅胶保护膜的剖视图，如图1所示，抗静电硅胶保护膜包括：基膜1；设置在基膜1上的抗静电丙烯酸胶层2；嵌入在抗静电丙烯酸胶层2内的有机硅胶层3，抗静电丙烯酸胶层2可以设置在基膜1上，在基膜1和隔离膜层4之间再设置有机硅胶层3，以及设置在有机硅胶层3上的隔离膜层4；其中，抗静电丙烯酸胶层2为网格状，抗静电丙烯酸胶层2与所述有机硅胶层3的厚度比例为1：1。
该抗静电硅胶保护膜的制备方法包括如下步骤：
步骤1、选用厚度为50μm的透明聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(PET)的电晕面上采用网格涂布辊涂布一层5μm厚的抗静电丙烯酸胶水，经过第一阶段UV固化，UV剂量500mj/cm2，UV照射时间60s，形成抗静电丙烯酸胶层2，图1所示为实施例1提供的抗静电硅胶保护膜的剖视图，如图1所示，抗静电丙烯酸胶层2的网格形状为圆锥型，网格深度为10μm。
步骤2、在步骤1的抗静电丙烯酸胶层2的表面采用逗号刮刀涂布一层7μm厚度的有机硅胶水，经过第二阶段UV固化，UV固化剂量为：500mj/cm2，照射时间120S，形成有机硅胶层3；
步骤3、在步骤2得到的有机硅胶层3的表面贴合聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)隔离膜4，得到抗静电硅胶保护膜。
其中，抗静电丙烯酸胶水包括按质量百分含量计的如下组分：
丙烯酸丁酯：35％；
甲基丙烯酸甲酯：25％；
邻苯二甲酸二辛酯：7％；
乙炔炭黑：2％；
乙二醇乙醚：15％；
过氧化苯甲酰：1.2％；
醋酸乙烯酯：7％；
丙烯酸：5％；
安息香丁醚：0.8％；
甲基丙烯酸：2％。
抗静电丙烯酸胶水的制备方法包括如下步骤：
S1：乙炔炭黑分散液的制备：按照上述抗静电丙烯酸胶水各组分的质量百分含量，先在乙炔炭黑中加入乙二醇乙醚，乙炔炭黑与乙二醇乙醚的添加比例为1:1，用玻璃棒搅拌润湿得到润湿后的乙炔炭黑，再在高速分散机的容器中加入乙二醇乙醚，以600-800r/min速度边搅拌边加入润湿后的乙炔炭黑，用玻璃棒搅拌20min，得到乙炔炭黑分散液；
S2：按照上述抗静电丙烯酸胶水各组分的质量百分含量，在N2保护下，先将相应质量百分含量的丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸甲酯、邻苯二甲酸二辛酯、醋酸乙烯酯、丙烯酸、甲基丙烯酸放入到反应釜中，再在反应釜中滴加步骤S1中制备得到的乙炔炭黑分散液，进行单体聚合反应形成预聚体，聚合反应的反应温度为80℃，反应时间为48小时，当反应釜内预聚体黏度达到1000mPa·s时单体聚合反应结束，聚合反应结束后将反应釜内的温度降温至25℃以下，将制备得到的预聚体保存备用；
S3：使用前，在步骤S2得到的预聚体中加入引发剂和光敏剂进行交联反应，以600-800r/min搅拌分散30min后静置20min消泡后使用。
在以上抗静电丙烯酸胶水的制备方法中，丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸甲酯、醋酸乙烯酯与乙炔炭黑在引发剂的作用下进行抗静电胶体低聚物的聚合，其中，加入邻苯二甲酸二辛酯可以提高抗静电丙烯酸胶的热稳定性能；甲基丙烯酸的作用主要是在光敏剂和UV光照下进行交联固化反应。
有机硅胶水包括按质量百分含量计的如下组分：
MQ树脂：21％；
乙烯基硅油：62％；
聚丙烯酸甲酯：12％；
含氢硅油：1.2％；
氨基硅烷类偶联剂：1.2％；
二乙烯四甲基二硅氧烷铂络合物：1.1％；
2-羟基-2-甲基-1-苯基丙酮：1.5％。
有机硅胶水的制备方法包括如下步骤：
S1：按照上述有机硅胶水各组分的质量百分含量，在室温条件下，室温为25℃±5℃，先将MQ树脂、乙烯基硅油、聚丙烯酸甲酯、含氢硅油、氨基硅烷类偶联剂放入容器中进行充分搅拌混合形成混合液；
S2：使用前，在步骤S1中形成的混合液中加入二乙烯四甲基二硅氧烷铂络合物和2-羟基-2-甲基-1-苯基丙酮，进行交联反应。
采用实施例1的原料配比及方法制备得到抗静电硅胶保护膜的性能如表1所示。
将实施例1制备得到的抗静电硅胶保护膜放到金相显微镜下放大10倍进行观察，如图3所示，图3中每平方米硅胶保护膜表面晶点数量小于2个。
实施例2：
实施例2与实施例1的实施方式基本相同，不同之处在于：
本实施例中抗静电硅胶保护膜的制备方法包括如下步骤：
步骤1、选用厚度为50μm的透明聚酰亚胺膜(PI)的电晕面上经过网格涂布辊涂布一层8μm厚的抗静电丙烯酸胶水，经过第一阶段UV固化，UV剂量500mj/cm2，UV照射时间120s，形成抗静电丙烯酸胶层2，图2所示为实施例2提供的抗静电硅胶保护膜的剖视图，如图2所示，抗静电丙烯酸胶层2的网格形状为圆锥型，网格深度为10μm。
步骤2、在步骤1、的抗静电丙烯酸胶层2的表面采用逗号刮刀涂布一层10μm厚度的有机硅胶水，经过第二阶段UV固化，UV固化剂量为：500mj/cm2，照射时间150S，形成有机硅胶层3；
步骤3、在步骤2得到的有机硅胶层3的表面贴合聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)隔离膜4，得到抗静电硅胶保护膜。
采用实施例2的原料配比及方法制备得到抗静电硅胶保护膜的性能如表1所示。
实施例3
实施例3与实施例1的实施方式基本相同，不同之处在于：
实施例3的抗静电硅胶保护膜的制备方法包括如下步骤：
步骤1、选用厚度为50μm的透明PET基膜1电晕面上经过网格涂布辊涂布一层15μm厚的抗静电丙烯酸胶水，网格形状为菱锥型，网格深度为15μm；经过第一阶段UV固化，UV剂量500mj/cm2，UV照射时间120s，形成抗静电丙烯酸胶层2；
步骤2、在步骤1的抗静电丙烯酸胶层2的表面采用逗号刮刀涂布一层17μm厚度的有机硅胶水，经过第二阶段UV固化，UV固化剂量为：500mj/cm2，照射时间150S，形成有机硅胶层3；
步骤3、在步骤2得到的有机硅胶层3的表面贴合聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)隔离膜4，得到抗静电硅胶保护膜。
对比例1：
先用50μm厚的PET基膜上涂布1μm的改性聚噻吩抗静电剂，经过烘箱热固120°/60s后，在抗静电表面涂布7μm的高温加成型硅胶，经过160℃烘烤2min，固化后贴合聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)隔离膜得到成品抗静电硅胶保护膜。
对比例2：
先用50μm厚的PET基膜上涂布10μm经过高速分散的碳纳米管高温加成型硅胶，经过160℃烘烤2min，固化后贴合聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)隔离膜得到成品抗静电硅胶膜。
采用对比例2的原料以及方法制备得到的抗静电硅胶保护膜放到金相显微镜下放大10倍进行观察，如图4所示，图4中每平方米硅胶保护膜表面晶点数量大于20个。
对比例3：
先用50μm厚的PET基膜上涂布1μm改性聚噻吩类抗静电剂，经过烘箱热固120°/60s后，在改性聚噻吩类抗静电剂表面涂布16μm经过高速分散的碳纳米管高温加成型硅胶，经过160℃烘烤2min，固化后贴合聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)隔离膜得到成品抗静电硅胶保护膜。
表1实施例1-3，对比例1-3样品测试结果
Figure BDA0003448032740000101
Figure BDA0003448032740000111
按ASTMD3652制备试样并测试使用层的厚度；
按ASTMD3330制备试样并测试剥离力；
按GB/9286制备试样并测试胶层附着力；
对玻璃表面揭膜剥离电压的测试方法：使用本产品胶面平整贴合在A4大小的玻璃表面，从其中一个角揭开保护膜，速度：3000mm/min；采用红外线静电压测试仪同步测试玻璃表面电压值；
胶面电阻测试方法：采用重锤表面电阻测试仪对抗静电硅胶保护膜进行表面电阻测试。
根据实施例1-3及对比例1-3可知，本发明制备得到的抗静电硅胶保护膜具有优异抗静电效果以及稳定的剥离电压，同时胶面的洁净度高，提高了抗静电硅胶保护膜的成品率，延长了抗静电硅胶保护膜的使用寿命。
1、硅胶保护膜的剥离电压越低，硅胶保护膜的稳定性能越好，一般的硅胶保护膜的剥离电压在1KV左右，实施例1-3的原料及方法制备得到的抗静电硅胶保护膜对玻璃表面揭膜剥离电压在100-110V之间，而对比文件1-3的对玻璃表面揭膜剥离电压在500-800V之间，由此可见，由本发明制备得到的抗静电硅胶保护膜的剥离电压稳定性能良好。
2、硅胶保护膜的胶面电阻越低，硅胶保护膜的抗静电效果越好，本发明实施例1-3的原料及方法制备得到的抗静电硅胶保护膜的的胶面电阻为106Ω/SQ，显著低于对比例1-3的原料及方法制备得到的硅胶保护膜的1010-1011Ω/SQ，由此可见，实施例1-3制备得到的硅胶保护膜的抗静电能力显著高于对比例1-3制备得到的硅胶保护膜的抗静电能力。
3、硅胶保护膜的表面的晶点数量越高会导致硅胶保护膜无法使用，本发明实施例1-3的原料及方法制备得到抗静电硅胶保护膜每平米胶面晶点数量均小于2个，成品率高；而对比例1-3的原料及方法制备得到的硅胶保护膜中每平米的胶面晶点数量大于5-20个，每平米的胶面晶点数量越高，产品的成品率越低，胶面洁净度越低；由此可见，实施例1-3制备得到的硅胶保护膜的胶面洁净度以及成品率均远远高于对比例1-3制备得到的硅胶保护膜的胶面洁净度以及成品率。
另外，由于对比例2和对比例3均涂布有一层经过高速分散有碳纳米管的高温加成型硅胶，碳纳米在硅胶保护膜的胶层中分布不均匀导致每平米的胶面晶点数量大于20个，使得其硅胶保护膜使用效果较差；而对比例1中涂布的高温加成型硅胶中未分散有碳纳米管，对比例1中每平米的胶面晶点数量大于5个，使得对比例1的硅胶保护膜使用效果好于对比例1以及对比例2。
4、由本发明制备得到的抗静电硅胶保护膜可以在电子产品机壳及屏幕保护膜中使用，由于保护膜在使用过程中与被贴物产生摩擦静电，会出现静电积累导致出现高静电压，通过本发明的抗静电处理后，静电得到扩散通过第三接触体导出，避免了静电积累，抗静电硅胶保护膜可以防止揭膜电压导致敏感元件被破坏，同时有防止吸附异物的效果。
5、由本发明制备得到的抗静电硅胶保护膜生产过程简单，且生产成本低，使用的抗静电丙烯酸胶水通过共聚乳化乙炔炭黑抗静电材料，先在基膜表面使用网纹涂布方式涂布一层抗静电丙烯酸胶水，经过UV固化后在其表面采用逗号刮刀涂布一层有机硅胶水进行UV固化后贴合隔离膜得到具有优异的抗静电性能的抗静电硅胶保护，而且与对比例相比，固化过程中使用UV固化，比对比例的采用烘箱加热固化，有助于减少热能消耗，节省部分电力成本。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种抗静电硅胶保护膜，其特征在于：所述抗静电硅胶保护膜包括：
基膜(1)；
设置在所述基膜(1)上的抗静电丙烯酸胶层(2)；
嵌入在所述抗静电丙烯酸胶层(2)内的有机硅胶层(3)，以及
设置在有机硅胶层(3)上的隔离膜层(4)；
其中，所述抗静电丙烯酸胶层(2)为网格状，所述抗静电丙烯酸胶层(2)与所述有机硅胶层(3)的厚度比例为1：1-1.5。
2.根据权利要求1所述的一种抗静电硅胶保护膜，其特征在于：所述抗静电丙烯酸胶层(2)包括按质量百分含量计的如下组分：
Figure FDA0003448032730000011
3.根据权利要求2所述的一种抗静电硅胶保护膜，其特征在于：所述光敏剂包括安息香丁醚或乙醚的任意一种或两种；
所述引发剂包括过氧化苯甲酰或过氧化月桂酰的一种或两种。
4.根据权利要求1所述的一种抗静电硅胶保护膜，其特征在于：所述有机硅胶层(3)包括按质量百分含量计的如下组分：
Figure FDA0003448032730000021
5.根据权利要求4所述的一种抗静电硅胶保护膜，其特征在于：所述MQ树脂中M单元与Q单元的比例为：0.5<M:Q<1，其中M为R3SiO1/2，Q为SiO4/2,其他活性官能团为羟基；
所述乙烯基硅油的黏度为5000-15000mpa.s；
所述交联剂为含氢硅油；
所述偶联剂为氨基、乙烯基、甲基丙烯酰氧基、环氧基、巯烃基硅烷类偶联剂中的任意一种；
所述催化剂为二乙烯四甲基二硅氧烷铂络合物；
所述光引发剂包括2-羟基-2-甲基-1-苯基丙酮、1-羟基环己基苯基甲酮、2-甲基-2-(4-吗啉基)-1-[4-(甲硫基)苯基]-1-丙酮、2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦中的任意一种或多种。
6.根据权利要求3或5所述的一种抗静电硅胶保护膜，其特征在于，所述基膜(1)的材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚酰亚胺膜、未拉伸聚丙烯膜、聚烯烃膜、聚乙烯膜、聚乳酸膜中的任意一种或多种；
所述隔离膜层(4)的材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚丙烯膜、聚乙烯膜、聚乳酸膜中的任意一种或多种。
7.权利要求1-7任意一项所述的一种抗静电硅胶保护膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
步骤1、在所述基膜(1)的电晕面上涂布抗静电丙烯酸胶水形成抗静电丙烯酸胶层(2)，进行第一阶段UV固化；
步骤2、在步骤1的抗静电丙烯酸胶层(2)的表面涂布有机硅胶水得到有机硅胶层(3)，经过第二阶段UV固化；
步骤3、在步骤2中得到的有机硅胶层(3)的表面贴合隔离膜(4)，得到抗静电硅胶保护膜。
8.根据权利要求7所述的一种抗静电硅胶保护膜的制备方法，其特征在于：所述步骤1中的抗静电丙烯酸胶层(2)的厚度为5-20μm，第一阶段的UV固化剂量为：400-700mj/cm2，照射时间60S-150S；
所述步骤2中有机硅胶层(3)的厚度为5-20μm，第二阶段的UV固化剂量为：400-750mj/cm2，照射时间60S-180S。
9.根据权利要求8所述的一种抗静电硅胶保护膜的制备方法，其特征在于：所述步骤1中抗静电丙烯酸胶水的制备方法包括如下步骤：
S1：乙炔炭黑分散液制备：先在乙炔炭黑中加入乙二醇乙醚并搅拌润湿，得到润湿后的乙炔炭黑，再在高速分散机的容器中加入乙二醇乙醚，以600-800r/min速度边搅拌边加入润湿后的乙炔炭黑，搅拌20min得到乙炔炭黑分散液；
S2：在N2保护下，先将丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸甲酯、邻苯二甲酸二辛酯、醋酸乙烯酯、丙烯酸、甲基丙烯酸放入到反应釜中，再在反应釜中滴加步骤S1中制备得到的乙炔炭黑分散液，进行单体聚合反应形成预聚体；
S3：使用前在步骤S2得到的预聚体中再加入引发剂和光敏剂进行交联反应形成抗静电丙烯酸胶水。
10.根据权利要求9所述的一种抗静电硅胶保护膜的制备方法，其特征在于：
所述步骤S2中，聚合反应的反应温度为80℃-100℃，反应时间为24-72小时，当预聚体黏度达到800～1200mPa·s时单体聚合反应结束；
所述步骤S3中，使用前在步骤S2得到的预聚体中加入引发剂和光敏剂，以600-800r/min速度搅拌分散30min，静置20min消泡后使用。
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