CN114149456A - 多环芳香族化合物及其应用 - Google Patents

多环芳香族化合物及其应用 Download PDF

Info

Publication number
CN114149456A
CN114149456A CN202111041155.6A CN202111041155A CN114149456A CN 114149456 A CN114149456 A CN 114149456A CN 202111041155 A CN202111041155 A CN 202111041155A CN 114149456 A CN114149456 A CN 114149456A
Authority
CN
China
Prior art keywords
group
ring
formula
aryl
substituted
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111041155.6A
Other languages
English (en)
Inventor
畠山琢次
川角亮介
田端敬太
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kwansei Gakuin Educational Foundation
SK Materials JNC Co Ltd
Original Assignee
Kwansei Gakuin Educational Foundation
SK Materials JNC Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kwansei Gakuin Educational Foundation, SK Materials JNC Co Ltd filed Critical Kwansei Gakuin Educational Foundation
Publication of CN114149456A publication Critical patent/CN114149456A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
    • C07F5/02—Boron compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
    • C07F5/02—Boron compounds
    • C07F5/027—Organoboranes and organoborohydrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/0803—Compounds with Si-C or Si-Si linkages
    • C07F7/081—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te
    • C07F7/0812—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te comprising a heterocyclic ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/322—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising boron
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/40—Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1007—Non-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1014—Carbocyclic compounds bridged by heteroatoms, e.g. N, P, Si or B
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • C09K2211/104—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom with other heteroatoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1088—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing oxygen as the only heteroatom

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供一种作为有机EL元件中所使用的材料而言新的多环芳香族化合物及其应用。一种多环芳香族化合物，由式(1)表示；具代表性而言，X1及X2为＞O，Y1～Y6为＝C(‑RY)‑或＝N‑，至少一个为＝N‑，RY的至少一个为式(A‑1)或式(A‑2)所表示的基，其他为氢或其他取代基，W1为＞O，此外W2为单键，Z为‑N＝或‑CRZ＝(RZ为氢)，Ar3为芳基，W3为Si，m为3，n为0，L1及L2为单键或连结基，L1以RZ为结合键而与任一‑CRZ＝的C键结，*表示键结位置，式(1)的结构中的至少一个氢可经氰基、卤素或氘取代。
Figure DDA0003249241850000011

Description

多环芳香族化合物及其应用
技术领域
本发明涉及一种多环芳香族化合物、使用所述多环芳香族化合物的有机电致发光元件、有机场效晶体管及有机薄膜太阳电池等有机器件、以及显示装置及照明装置。
背景技术
从前，使用进行电致发光的发光元件的显示装置因能够实现省电力化或薄型化而得到各种研究，进而，包含有机材料的有机电致发光元件因容易轻量化或大型化而得到积极研究。特别是，关于具有作为光的三原色之一的蓝色等的发光特性的有机材料的开发，以及具备空穴、电子等的电荷传输能力(具有成为半导体或超导体的可能性)的有机材料的开发，迄今为止不论是高分子化合物还是低分子化合物均得到积极研究。
有机电致发光(electroluminescence，EL)元件具有如下结构，所述结构包括：包含阳极及阴极的一对电极，以及配置于所述一对电极间、且包含有机化合物的一层或多层。在包含有机化合物的层中有发光层、或者传输或注入空穴、电子等电荷的电荷传输/注入层等，且开发有对于这些层而言适当的各种有机材料。
作为有机EL元件的发光材料，已知有荧光材料、磷光材料、热活化延迟荧光(thermally activated delayed fluorescence，TADF)材料这三种。自从前以来利用的荧光材料的颜色纯度高，但发光效率低。另一方面，磷光材料与TADF材料可期待较荧光材料高3倍～4倍的发光效率。
作为磷光材料，特别是关于铱络合物报告有大量的研究(例如，专利文献1)。
另外，专利文献2中报告一种以硼等为中心原子而缩合多个芳香族环而成的化合物作为颜色纯度高的TADF材料。
作为有机EL元件的发光层用材料，一般与发光材料(掺杂剂材料)一起使用主体材料，以谋求改善发光效率。作为主体材料，一般使用利用单键或磷原子或硅原子将苯或咔唑等现有的芳香族环连结多个而成的分子。其原因在于：通过将多个共轭系比较小的芳香族环加以连结，可确保主体材料所需的大的最高占据分子轨道(highest occupiedmolecular orbital，HOMO)-最低未占分子轨道(lowest unoccupied molecular orbital，LUMO)间隙(薄膜中的带隙Eg)。进而，在使用磷光材料或TADF材料的有机EL元件的主体材料中，还需要高的最低激发三重态能级(ET1)，但通过将施体性或受体性的芳香族环或取代基连结于分子上，而使三重态激发状态(T1)的单占分子轨道(singly occupied molecularorbital，SOMO)1及SOMO2局部存在化，并减小两轨道间的交换相互作用，由此能够提升ET1。但是，共轭系小的芳香族环的氧化还原稳定性并不充分，将连结有现有的芳香族环的分子用作主体材料的元件的寿命并不充分。另一方面，具有扩张π共轭系的多环芳香族化合物一般而言氧化还原稳定性优异，但HOMO-LUMO间隙(薄膜中的带隙Eg)或ET1低，因此被认为不适合主体材料。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]国际公开第2001/41512号
[专利文献2]国际公开第2015/102118号
发明内容
[发明所要解决的问题]
如所述般，作为用于有机EL元件的材料，已开发有各种材料，但为了进一步提高发光特性等有机EL特性、或为了增加发光层用材料等有机EL材料的选择项，期望开发一种从前并不具体知晓的化合物。
[解决问题的技术手段]
本发明者等人为了解决所述课题而进行了努力研究，结果在利用硼原子与氮原子或氧原子等将多个芳香族环连结而成的多环芳香族化合物中，向所述芳香族环导入吡啶性氮，进而制成具有特定的取代基的结构，由此成功提高电荷传输性及非晶稳定性。而且，发现使用所述多环芳香族化合物，可获得优异的有机EL元件，从而完成了本发明。即，本发明提供如以下般的多环芳香族化合物，进而提供包含如以下般的多环芳香族化合物的有机器件材料等。
＜1＞一种多环芳香族化合物，由下述式(1)表示；
[化1]
Figure BDA0003249241830000021
式(1)中，
X1及X2分别独立地为＞N-R、＞O、＞C(-R)2、＞S或＞Se，不存在X1及X2均为＞C(-R)2的情况，
所述＞N-R及＞C(-R)2中的R分别独立地为氢或选自取代基群组YZ中的任一个取代基，所述＞N-R及＞C(-R)2的R可分别独立地通过连结基或单键而与Y1和/或Y2、或者Y5和/或Y6键结，
Y1、Y2、Y3、Y4、Y5及Y6分别独立地为＝C(-RY)-或＝N-，至少一个为＝N-，
RY分别独立地为式(A-1)、或式(A-2)所表示的基、或者为氢或选自取代基群组YZ中的任一个取代基且式(A-1)所表示的基除外的取代基、或者为式(21)所表示的基，
RY中的邻接的基彼此可键结而形成环，所形成的环中的至少一个氢可经式(A-1)或式(A-2)所表示的基、选自取代基群组YZ中的取代基且式(A-1)所表示的基除外的取代基、或者式(21)所表示的基取代，
RY的至少一个为式(A-1)或式(A-2)所表示的基，其中在RY彼此键结而形成环的情况下，选自由对所述环中的氢进行取代的基与RY所组成的群组中的至少一个为式(A-1)或式(A-2)所表示的基，
式(A-1)中，
W1及W2分别独立地为单键、＞C(-RW)2、＞N-RW、＞O、＞Si(-RW)2、＞S、＞SO或＞SO2，
所述＞N-RW的RW为选自取代基群组YZ中的任一个取代基、式(A-2)所表示的基或式(21)所表示的基，
所述＞C(-RW)2、＞Si(-RW)2的RW分别独立地为氢、选自取代基群组YZ中的任一个取代基、式(A-2)所表示的基或式(21)所表示的基，
与相同元素键结的RW可相互键结，
所述＞N-RW、＞C(-RW)2、＞Si(-RW)2的RW可分别独立地与至少一个Z键结，
Z为-N＝或-CRZ＝，RZ分别独立地为氢、选自取代基群组YZ中的任一个取代基、式(A-2)所表示的基、或式(21)所表示的基，
邻接的Z中的RZ可相互键结而形成芳基环或杂芳基环，所形成的环可具有选自取代基群组YZ中的任一个取代基、式(A-2)所表示的基、或式(21)所表示的基，
L1为单键或连结基，
L1以RZ为结合键，与任一-CRZ＝的C键结，或者与Z中的RZ相互键结而形成的环的环构成原子键结，
*表示式(A-1)所表示的基的键结位置，
式(A-2)中，
Ar3分别独立地为可经选自取代基群组YZ中的至少一个取代基或式(21)所表示的基取代的芳基(式(A-1)所表示的基除外)、可经选自取代基群组YZ中的至少一个取代基或式(21)所表示的基取代的杂芳基(式(A-1)所表示的基除外)、或者式(A-1)所表示的基，W3为Si、P或S，
W3为Si时m为3且n为0，W3为P时m为2且n为0或1，W3为S时m为1且n为0～2的整数，
L2为单键或连结基，
*表示式(A-2)所表示的基的键结位置，
式(21)中，
X21及X22分别独立地为＞N-RX21、＞O、＞C(-RX21)2、＞S或＞Se，
＞N-RX21及＞C(-RX21)2中的RX21分别独立地为氢或选自取代基群组YZ中的任一个取代基，所述＞N-RX21及＞C(-RX21)2的RX21可分别独立地通过连结基或单键而与Y21和/或Y22、或者Y25和/或Y26键结，
Y21、Y22、Y23、Y24、Y25及Y26分别独立地为＝C(-R2Y)-或＝N-，
R2Y分别独立地为氢或选自取代基群组YZ中的任一个取代基，
R2Y中的邻接的基彼此可键结而形成环，所形成的环中的至少一个氢可经选自取代基群组YZ中的取代基取代，
L3为单键或连结基，L3以任一个R2Y为结合键，与C键结，或者与邻接的R2Y相互键结而形成的环的环构成原子键结，
*表示式(21)所表示的基的键结位置，
所述多环芳香族化合物中的式(21)所表示的基的数量为零个～两个，
式(1)所表示的结构中的至少一个氢可经氰基、卤素或氘取代；
取代基群组YZ：
可经芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代的芳基；
可经芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代的杂芳基；
可经芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代的二芳基氨基；
可经芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代的二杂芳基氨基；
可经芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代的芳基杂芳基氨基；
可经芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代的二芳基硼基(两个芳基可经由单键或连结基键结)；
可经芳基、杂芳基、或环烷基取代的烷基；
可经芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代的环烷基；
可经芳基、杂芳基、或环烷基取代的烷氧基；及
可经芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代的芳氧基。
＜2＞根据＜1＞所述的多环芳香族化合物，其中L1、L2及L3分别独立地为单键、或者选自由可经芳基或杂芳基取代的亚芳基、可经芳基或杂芳基取代的亚杂芳基、＞N-RL、＞O、＞C(-RL)2、＞Si(-RL)2、＞S、＞Se及包含这些的两种以上的组合的基所组成的群组中的连结基，
L1、L2或L3中的＞N-RL、＞C(-RL)2及＞Si(-RL)2中的RL分别独立地为氢、选自取代基群组YZ中的任一个取代基或式(A-2)所表示的基，与相同元素键结的RL可相互键结。
＜3＞根据＜1＞所述的多环芳香族化合物，其中L1及L2分别独立地为选自由可经芳基或杂芳基取代的亚芳基、可经芳基或杂芳基取代的亚杂芳基及包含这些的两种以上的组合的基所组成的群组中的连结基，L3为单键。
＜4＞根据＜1＞至＜3＞中任一项所述的多环芳香族化合物，其中X1及X2分别独立地为＞N-R或＞O。
＜5＞根据＜1＞至＜4＞中任一项所述的多环芳香族化合物，其中
Y2、Y3、Y4及Y5分别独立地为＝C(-RY)-，Y1或Y6的至少一个为＝N-。
＜6＞根据＜5＞所述的多环芳香族化合物，其中
X1及X2均为＞O，
Y2、Y3、Y4、Y5及Y6分别独立地为＝C(-RY)-，Y1为＝N-。
＜7＞根据＜1＞至＜6＞中任一项所述的多环芳香族化合物，其中式(1)中，RY的一个或两个为式(A-1)或式(A-2)所表示的基，其中，在RY彼此键结而形成环的情况下，选自由对所述环中的氢进行取代的基与RY所组成的群组中的一个或两个为式(A-1)或式(A-2)所表示的基。
＜8＞根据＜1＞至＜7＞中任一项所述的多环芳香族化合物，其中
式(1)中，RY的至少一个为式(A-1)所表示的基，其中，在RY彼此键结而形成环的情况下，选自由对所述环中的氢进行取代的基与RY所组成的群组中的至少一个为式(A-1)所表示的基，
W1为＞C(-RW)2、＞O、＞Si(-RW)2或＞S，W2为单键。
＜9＞根据＜1＞至＜8＞中任一项所述的多环芳香族化合物，其中
式(1)中，RY的至少一个为式(A-2)所表示的基，其中，在RY彼此键结而形成环的情况下，选自由对所述环中的氢进行取代的基与RY所组成的群组中的至少一个为式(A-2)所表示的基，
W3为Si。
＜10＞根据＜1＞至＜9＞中任一项所述的多环芳香族化合物，其中
式(1)中，
在无键结而形成环的邻接的RY彼此的情况下，
式(A-1)或式(A-2)所表示的基以外的RY为氢、可经芳基或杂芳基取代的芳基、或者可经芳基或杂芳基取代的杂芳基，
在存在键结而形成环的邻接的RY彼此的情况下，
RY及对邻接的RY彼此键结而形成的环中的氢进行取代的基中，式(A-1)或式(A-2)所表示的基以外的基为氢、可经芳基或杂芳基取代的芳基、或者可经芳基或杂芳基取代的杂芳基。
＜11＞根据＜1＞所述的多环芳香族化合物，由下述式(1-11)表示。
[化2]
Figure BDA0003249241830000051
＜12＞根据＜1＞所述的多环芳香族化合物，由下述式(1-13)表示。
[化3]
Figure BDA0003249241830000052
＜13＞一种反应性化合物，是在根据＜1＞至＜12＞中任一项所述的多环芳香族化合物中取代有反应性取代基而成。
＜14＞一种高分子化合物或高分子交联体，所述高分子化合物是使根据＜13＞所述的反应性化合物作为单体进行高分子化而成，所述高分子交联体是使所述高分子化合物进一步交联而成。
＜15＞一种悬挂型高分子化合物或悬挂型高分子交联体，所述悬挂型高分子化合物是在主链型高分子中使根据＜13＞所述的反应性化合物进行取代而成，所述悬挂型高分子交联体是使所述悬挂型高分子化合物进一步交联而成。
＜16＞一种有机器件用材料，含有根据＜1＞至＜12＞中任一项所述的多环芳香族化合物。
＜17＞一种有机器件用材料，含有根据＜13＞所述的反应性化合物。
＜18＞一种有机器件用材料，含有根据＜14＞所述的高分子化合物或高分子交联体。
＜19＞一种有机器件用材料，含有根据＜15＞所述的悬挂型高分子化合物或悬挂型高分子交联体。
＜20＞一种有机电致发光元件，具有：一对电极，包含阳极及阴极；以及有机层，配置于所述一对电极间，且含有根据＜1＞至＜12＞中任一项所述的多环芳香族化合物、根据＜13＞所述的反应性化合物、根据＜14＞所述的高分子化合物或高分子交联体、或者根据＜15＞所述的悬挂型高分子化合物或悬挂型高分子交联体。
＜21＞根据＜20＞所述的有机电致发光元件，其中所述有机层为电子传输层。
＜22＞根据＜20＞所述的有机电致发光元件，其中所述有机层为发光层。
＜23＞根据＜22＞所述的有机电致发光元件，其中所述发光层含有选自由发光性金属络合物及TADF材料所组成的群组中的至少一种。
＜24＞根据＜23＞所述的有机电致发光元件，其中所述发光层包含多环芳香族化合物，所述多环芳香族化合物为式(2)所表示的单量体或者为具有多个式(2)所表示的结构单元的多聚体；
[化4]
Figure BDA0003249241830000061
A环、B环及C环分别独立地为可经取代的芳基环或可经取代的杂芳基环，其中，所述单量体中的A环、B环及C环中与B以及X11和/或X12键结的环均非包含氮的6元环，
X11及X12分别独立地为＞O或＞N-R，所述＞N-R的R为可经取代的芳基、可经取代的杂芳基、可经取代的烷基、或可经取代的环烷基，所述＞N-R的R可通过连结基或单键而与A环和/或B环或者A环和/或C环键结，
式(2)所表示的结构或具有多个式(2)所表示的结构单元的结构中选自由芳基环及杂芳基环所组成的群组中的至少一个可经至少一个环烷烃缩合，所述环烷烃中的至少一个氢可经取代，所述环烷烃中的至少一个-CH2-可经-O-取代，
式(2)所表示的结构或具有多个式(2)所表示的结构单元的结构中至少一个氢可经氘、氰基或卤素取代。
＜25＞根据＜22＞至＜24＞中任一项所述的有机电致发光元件，具有配置于所述阴极与所述发光层之间的电子传输层及电子注入层的至少一层，所述电子传输层及电子注入层的至少一层含有选自由硼烷衍生物、吡啶衍生物、荧蒽衍生物、BO系衍生物、蒽衍生物、苯并芴衍生物、氧化膦衍生物、嘧啶衍生物、芳基腈衍生物、三嗪衍生物、苯并咪唑衍生物、菲咯啉衍生物及羟基喹啉系金属络合物所组成的群组中的至少一种。
＜26＞根据＜25＞所述的有机电致发光元件，其中所述电子传输层及电子注入层的至少一层进而含有选自由碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属的氧化物、碱金属的卤化物、碱土金属的氧化物、碱土金属的卤化物、稀土金属的氧化物、稀土金属的卤化物、碱金属的有机络合物、碱土金属的有机络合物及稀土金属的有机络合物所组成的群组中的至少一种。
＜27＞根据＜22＞至＜25＞中任一项所述的有机电致发光元件，其中空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层中的至少一层包含：高分子化合物或高分子交联体、或者悬挂型高分子化合物或悬挂型高分子交联体，所述高分子化合物是使可形成各层的低分子化合物作为单体进行高分子化而成，所述高分子交联体是使所述高分子化合物进一步交联而成，所述悬挂型高分子化合物是使可形成各层的低分子化合物与主链型高分子反应而成，所述悬挂型高分子交联体是使所述悬挂型高分子化合物进一步交联而成。
＜28＞一种显示装置或照明装置，包括根据＜21＞至＜27＞中任一项所述的有机电致发光元件。
[发明的效果]
根据本发明，提供一种可用于有机EL元件等的有机器件用材料的新颖化合物。使用本发明的多环芳香族化合物，可增加发光层用材料等有机EL材料的选择项。本发明的多环芳香族化合物可期待作为电子传输材料或磷光材料或TADF材料的主体材料来利用。
附图说明
图1为表示本实施方式的有机EL元件的概略剖面图。
图2为说明使用喷墨法在具有堤部的基板上制作有机EL元件的方法的图。
[符号的说明]
100：有机电致发光元件
101：基板
102：阳极
103：空穴注入层
104：空穴传输层
105：发光层
106：电子传输层
107：电子注入层
108：阴极
110：基板
120：电极
130：涂膜
140：涂膜
150：发光层
200：堤部
300：喷墨头
310：油墨的液滴
具体实施方式
以下，对本发明进行详细说明。以下所记载的构成要件的说明有时基于具有代表性的实施方式或具体例而成，但本发明并不限定于此种实施方式。再者，在本说明书中使用“～”所表示的数值范围是指包含“～”前后所记载的数值作为下限值及上限值的范围。另外，在本说明书中结构式的说明中的“氢”是指“氢原子(H)”。
在本说明书中有时由碳数来表示化学结构或取代基，但在化学结构中取代有取代基的情况下、或在取代基上进而取代有取代基的情况下等的碳数是指化学结构或取代基各自的碳数，并非指化学结构与取代基的合计碳数、或取代基与取代基的合计碳数。例如，所谓“经碳数X的取代基A取代的碳数Y的取代基B”，是指“碳数X的取代基A”在“碳数Y的取代基B”上进行取代，碳数Y并非取代基A及取代基B的合计碳数。另外，例如所谓“经取代基A取代的碳数Y的取代基B”，是指“(不限定碳数的)取代基A”在“碳数Y的取代基B”上进行取代，碳数Y并非取代基A及取代基B的合计碳数。
1.式(1)所表示的多环芳香族化合物
本发明涉及一种式(1)所表示的多环芳香族化合物。式(1)所表示的多环芳香族化合物具有式(A-1)或式(A-2)所表示的基。
[化5]
Figure BDA0003249241830000081
本发明中，在国际公开第2015/102118号公报中记载的以硼为中心原子而缩合多个芳香族环而成的化合物中，使电子接受性元素的吡啶性氮相对于硼配置在间位(即，所述式(1)的中心元素B与Y1～Y6的位置关系)上，由此获得更强的多重共振效应。另外，如所述般导入吡啶性氮，由此LUMO变深，电子接受能力提高，电子注入变得有利。进而若吡啶性氮包含在所述指定的位置，则ES1(最低激发单重态能级)、ET1(最低激发三重态能级)均变高，在保持宽间隙的状态下可制成式(1)所示般的构成缩环的环的数量多的结构。通过多环缩环与邻接的分子的轨道重叠变大，载流子传输性变良好。
进而本发明中，导入式(A-1)或式(A-2)所表示的基作为针对芳香环的取代基，实现具有优异的电荷传输性、且非晶稳定性优异的结构。式(1)所表示的多环芳香族化合物存在具有高的电子传输性，另外ES1、ET1高的特征。因此，式(1)所表示的多环芳香族化合物适于磷光元件、TADF元件、或TAF元件的主体材料及电子传输材料。
(1)式(A-1)或式(A-2)所表示的基
式(1)中，选自由RY及对邻接的RY彼此键结而形成的环中的氢进行取代的基所组成的群组中的至少一个为式(A-1)或式(A-2)所表示的基。本发明的化合物中可通过式(A-1)或式(A-2)所表示的基来赋予非晶稳定性。另外，可通过式(A-1)或式(A-2)所表示的基来调整载流子传输性。
在无RY彼此键结而形成的环的情况下，RY的至少一个为式(A-1)或式(A-2)所表示的基。在存在RY彼此键结而形成的环的情况下，选自由RY及对邻接的RY彼此键结而形成的环中的氢进行取代的基所组成的群组中的至少一个为式(A-1)或式(A-2)所表示的基。
式(1)中如所述般包含的、式(A-1)或式(A-2)所表示的基的数量(与式(1)的a环、b环、c环、或包含这些任一者的缩合环直接键结的式(A-1)或式(A-2)所表示的基的数量)优选为一个～四个，更优选为一个或两个。
[化6]
Figure BDA0003249241830000091
式(A-1)中，
W1及W2分别独立地为单键、＞C(-RW)2、＞O、＞N-RW、＞Si(-RW)2、＞S、＞SO或＞SO2，所述＞N-RW的RW为选自取代基群组YZ中的任一个取代基、式(A-2)所表示的基或式(21)所表示的基，所述＞C(-RW)2、＞Si(-RW)2的RW分别独立地为氢、选自取代基群组YZ中的任一个取代基、式(A-2)所表示的基或式(21)所表示的基。与相同元素键结的RW可相互键结，＞N-RW、＞C(-RW)2、＞Si(-RW)2的RW可分别独立地与至少一个Z键结。
Z为-N＝或-CRZ＝，RZ分别独立地为氢、选自取代基群组YZ中的任一个取代基、式(A-2)所表示的基或式(21)所表示的基。邻接的Z中的RZ可相互键结而形成芳基环或杂芳基环。另外，所形成的环可具有选自取代基群组YZ中的任一个取代基、式(A-2)所表示的基、或式(21)所表示的基。
L1为单键或连结基。
L1以RZ为结合键，与任一-CRZ＝的C键结，或者与Z中的RZ相互键结而形成的环的环构成原子键结。
*表示式(A-1)所表示的基的键结位置。
[化7]
Figure BDA0003249241830000101
式(A-2)中，
Ar3分别独立地为可经选自取代基群组YZ中的至少一个取代基或式(21)所表示的基取代的芳基(式(A-1)所表示的基除外)、可经选自取代基群组YZ中的至少一个取代基或式(21)所表示的基取代的杂芳基(式(A-1)所表示的基除外)、或者式(A-1)所表示的基。
W3为Si、P或S，W3为Si时m为3且n为0，W3为P时m为2且n为0或1，W3为S时m为1且n为0～2的整数。
L2为单键或连结基。
*表示式(A-2)所表示的基的键结位置。
式(A-1)或式(A-2)中的L1及L2优选为分别独立地为单键、或者为选自由亚芳基、亚杂芳基、＞N-RL、＞O、＞C(-RL)2、＞Si(-RL)2、＞S、＞Se及包含这些任两种以上的组合的基所组成的群组中的连结基。L1及L2更优选为分别独立地为单键、或者选自由可经芳基或杂芳基取代的亚芳基、可经芳基或杂芳基取代的亚杂芳基、＞N-RL、＞O、＞C(-RL)2、＞Si(-RL)2、＞S、＞Se及包含这些的两种以上的组合的基所组成的群组中的连结基。
L1或L2中的＞N-RL、＞C(-RL)2及＞Si(-RL)2中的RL分别独立地为氢、选自取代基群组YZ(后述)中的任一个取代基或式(A-2)所表示的基，与相同元素键结的RL可相互键结。
作为L1或L2中的＞N-RL中的RL，优选为可经芳基或杂芳基取代的芳基、或者可经芳基或杂芳基取代的杂芳基。L1或L2中的＞C(-RL)2中的RL优选为均为烷基，且优选为均为烷基的两个RL键结而形成环己烷等环烷烃。L1或L2中的＞Si(-RL)2中的RL优选为均为甲基。
L1及L2优选为单键、可经芳基或杂芳基取代的亚芳基、可经芳基或杂芳基取代的亚杂芳基、或者选自可经芳基或杂芳基取代的亚芳基及可经芳基或杂芳基取代的亚杂芳基中的两种以上连结而构成的连结基，
更优选为可经芳基或杂芳基取代的亚芳基、可经芳基或杂芳基取代的亚杂芳基、或者选自可经芳基或杂芳基取代的亚芳基及可经芳基或杂芳基取代的亚杂芳基中的两种以上连结而构成的连结基。
L1或L2中的可经芳基或杂芳基取代的亚芳基及可经芳基或杂芳基取代的亚杂芳基优选为以成为交叉共轭的方式具有键结位置。例如，亚苯基优选为1,3-亚苯基。
关于L1及L2中的亚芳基及亚杂芳基，可列举关于作为第一取代基而后述的芳基及杂芳基而分别脱离任一个氢而形成的二价基。
关于L1及L2中的芳基及杂芳基，可参照后述的作为第一取代基的芳基及杂芳基的说明。
关于作为L1及L2的连结基，可列举以下的式子所表示的连结基。在以下的式子中，*表示键结位置，设为通过任一者的*键结于a环、b环或c环，通过另一者键结于式(A-1)中的L1以外的部分结构或式(A-2)中的L2以外的部分结构。
[化8]
Figure BDA0003249241830000111
式(A-1)所表示的基中，W1或W2为＞N-RW时的RW优选为可经取代的芳基或可经取代的杂芳基。
式(A-1)所表示的基中，W1或W2为＞C(-RW)2时的RW优选为均为可经取代的芳基、或者均为可经取代的杂芳基。两个RW通过单键键结时化合物稳定性也优异，而优选。更优选为两个RW均为苯基，这些苯基相互通过单键进行键结。
式(A-1)所表示的基中，W1或W2为＞Si(-RW)2时的RW优选为均为可经取代的芳基、或者均为可经取代的杂芳基。两个RW通过单键键结时化合物稳定性也优异，而优选。更优选为两个RW均为苯基，这些苯基相互通过单键进行键结。
式(A-1)所表示的基中，优选为W1为＞N-RW、＞C(-RW)2、＞O、＞Si(-RW)2或＞S，且W2为单键。这是因为化合物稳定性、载流子传输性优异。更优选为W1为＞N-RW、＞O或＞S，且W2为单键，进而优选为W1为＞O，且W2为单键。
作为W1或W2的＞N-RW、＞C(-RW)2、＞Si(-RW)2的RW可分别独立地与至少一个Z键结。关于作为W1或W2的＞N-RW与Z键结的结构的例子，可列举以下的结构。
[化9]
Figure BDA0003249241830000121
式(A-1)所表示的基中，优选为零个～两个Z为-N＝，其他为-CRZ＝，更优选为零个～一个Z为-N＝，其他为-CRZ＝，进而优选为全部Z为-CRZ＝。RZ优选为分别独立地为氢、可经芳基或杂芳基取代的芳基、可经芳基或杂芳基取代的杂芳基、可经芳基或杂芳基取代的二杂芳基氨基、可经芳基或杂芳基取代的芳基杂芳基氨基。这是因为载流子传输性良好。作为取代基的芳基或杂芳基进而可经芳基或杂芳基取代。式(A-1)所表示的基中，RZ为氢以外的-CRZ＝优选为零个～三个。这是因为非晶稳定性良好。RZ为氢以外的-CRZ＝更优选为零个～两个，进而优选为零个～一个。
式(A-1)所表示的基中，邻接的-CRZ＝即Z中的两个RZ可相互键结而形成芳基环或杂芳基环。作为以所述方式形成芳基环或杂芳基环的式(A-1)所表示的基的例子，可列举以下任一式子所表示的基。
[化10]
Figure BDA0003249241830000122
式中，Me为甲基，*表示键结位置。
另外，所形成的环可具有取代基。取代基的数量优选为零个～两个，更优选为零个～一个。取代基优选为可经芳基或杂芳基取代的芳基、可经芳基或杂芳基取代的杂芳基、可经芳基或杂芳基取代的二杂芳基氨基、可经芳基或杂芳基取代的芳基杂芳基氨基。
L1以RZ为结合键，与任一-CRZ＝的C键结，或者与Z中的RZ相互键结而形成的环的环构成原子直接键结。即，L1不与W1或W2键结。
式(A-1)所表示的基中，优选为位于并非单键的W1的任一对位上的Z中与L1键结。即，优选为位于并非单键的W1的任一对位上的Z为-CRZ＝，所述C以RZ为结合键，与L1键结。
式(A-2)所表示的基中，Ar3优选为分别独立地为可经芳基或杂芳基取代的芳基(式(A-1)所表示的基除外)、可经芳基或杂芳基取代的杂芳基(式(A-1)所表示的基除外)、或者式(A-1)所表示的基，更优选为未经取代的芳基、未经取代的杂芳基或式(A-1)所表示的基。
式(A-2)所表示的基中，m大时电子传输性优异，而优选。
式(A-2)所表示的基中，W3为Si时化合物稳定性优异，而优选。
式(A-2)所表示的基中，最优选为W3为Si、m为3、n为0。
(2)Y1～Y6
Y1～Y6分别独立地为＝C(-RY)-或＝N-，至少一个为＝N-。Y1～Y6的任一个可为＝N-。优选为Y1及Y6为＝N-(a环为嘧啶环)，Y1或Y6为＝N-(a环为吡啶环)，Y2及Y5为＝N-(b环及c环为吡啶环)，Y3及Y4为＝N-(b环及c环为吡啶环)，Y2～Y5为＝N-(b环及c环为嘧啶环)，Y1、Y3、Y4及Y6为＝N-(a环为嘧啶环、b环及c环为吡啶环)，Y1、Y2、Y5及Y6为＝N-(a环为嘧啶环、b环及c环为吡啶环)，Y1～Y6为＝N-(a环、b环及c环为嘧啶环)，Y2或Y5为＝N-(b环或c环为吡啶环)。
优选为Y1或Y6的至少一个为＝N-(Y1～Y6的其他为＝C(-RY)-)。若仅Y1为＝N-，则HOMO、LUMO的高度适当，最优选。
另外，除了以上的＝N-的配置关系以外，X1及X2优选为＞O，优选为包含下述式的任一者所表示的部分结构的多环芳香族化合物。
[化11]
Figure BDA0003249241830000131
特别是包含式(1-1601-R)所表示的部分结构的多环芳香族化合物与无N的结构相比，具有高的ES1、高的ET1、小的ΔES1T1(ES1与ET1的能量差)，因此有希望作为蓝色TADF辅助掺杂剂、TADF主体及磷光主体。另外，由于也具有深的HOMO及深的LUMO，因此有希望作为空穴阻挡材料(hole blocking materials)及电子传输材料。
所述各式表示多环芳香族化合物的“部分结构”。因此，由式(1)规定的RY；作为Y1等的＝C(-RY)-的RY；RY及作为Y1～Y6的＝C(-RY)-的RY中邻接的基彼此键结而可形成的芳基环或杂芳基环、进而针对这些的取代基(第一取代基及第二取代基)；针对作为X1及X2的＞N-R的R的第二取代基或所述R与Y1和/或Y2、或者Y5和/或Y6的连结基或单键；进而可在化合物进行取代的氰基、卤素或氘省略。
就合成的观点而言，也优选为具有所述式(1-1601-R)、式(1-841-R)所表示的部分结构的多环芳香族化合物。这是因为在硼上引起弗里德-克拉夫茨反应(Friedel-Craftsreaction)的芳香环(b环及c环)中不包含氮，不会变得电子不足。
(3)RY(及对邻接的RY彼此键结而形成的环中的氢进行取代的基)(关于式(A-1)或式(A-2)所表示的基以外)
本说明书中，RY包含式(1)中记载的RY及Y1～Y6的任一个以上为＝C(-RY)-时的RY。
RY分别独立地为式(A-1)或式(A-2)所表示的基，或者为氢、或选自取代基群组YZ中的任一个取代基且式(A-1)所表示的基除外的取代基，或者为式(21)所表示的基。另外，RY中邻接的基彼此可键结而形成环。所形成的环中的至少一个氢可经式(A-1)或式(A-2)所表示的基、选自取代基群组YZ中的取代基且式(A-1)所表示的基除外的取代基或式(21)所表示的基取代。
在无键结而形成环的邻接的RY彼此的情况下，RY的至少一个为式(A-1)或式(A-2)所表示的基，其他RY为氢或选自取代基群组YZ中的任一个取代基且式(A-1)所表示的基除外的取代基。在存在键结而形成环的邻接的RY彼此的情况下，RY及对邻接的RY彼此键结而形成的环中的氢进行取代的基中的至少一个为式(A-1)或式(A-2)所表示的基，其他RY及对邻接的RY彼此键结而形成的环中的氢进行取代的基为选自取代基群组YZ中的任一个取代基且式(A-1)所表示的基除外的取代基。
取代基群组YZ包含以下。
可经芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代的芳基；
可经芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代的杂芳基；
可经芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代的二芳基氨基；
可经芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代的二杂芳基氨基；
可经芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代的芳基杂芳基氨基；
可经芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代的二芳基硼基(两个芳基可经由单键或连结基键结)；
可经芳基、杂芳基、或环烷基取代的烷基；
可经芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代的环烷基；
可经芳基、杂芳基、或环烷基取代的烷氧基；及
可经芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代的芳氧基。
本说明书中，取代基群组YZ中有时将符合与式(1)中的a环～c环直接键结的部分的所述芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、二芳基硼基(两个芳基可经由单键或连结基键结)、烷基、环烷基、烷氧基或芳氧基称为第一取代基。有时将对这些中的至少一个氢进行取代的芳基、杂芳基、烷基或环烷基称为第二取代基。
作为第一取代基的“芳基”例如为碳数6～30的芳基，优选为碳数6～20的芳基，更优选为碳数6～16的芳基，进而优选为碳数6～12的芳基，特别优选为碳数6～10的芳基。
作为具体的芳基，可列举：作为单环系的苯基，作为二环系的联苯基，作为缩合二环系的萘基，作为三环系的三联苯基(间三联苯基、邻三联苯基、对三联苯基)，作为缩合三环系的苊基、芴基、非那烯基、菲基，作为缩合四环系的三亚苯基、芘基、并四苯基，作为缩合五环系的苝基、并五苯基等。再者，作为芳基的例子，也包含作为式(A-1)所表示的基且L1为单键、不含有杂原子的基。
作为第一取代基的“杂芳基”例如为碳数2～30的杂芳基，优选为碳数2～25的杂芳基，更优选为碳数2～20的杂芳基，进而优选为碳数2～15的杂芳基，特别优选为碳数2～10的杂芳基。另外，杂芳基例如为除碳以外含有一个至五个选自氧、硫及氮中的杂原子作为环构成原子的杂环等。
作为具体的杂芳基，例如可列举：吡咯基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、咪唑基、噁二唑基、噻二唑基、三唑基、四唑基、吡唑基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基、吲哚基、异吲哚基、1H-吲唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、1H-苯并三唑基、喹啉基、异喹啉基、噌啉基、喹唑啉基、喹噁啉基、酞嗪基、萘啶基、嘌呤基、蝶啶基、咔唑基、吖啶基、吩噁噻基、吩噁嗪基、吩噻嗪基、吩嗪基、吩吖硅基、吲嗪基、呋喃基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、萘并苯并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、异苯并噻吩基、二苯并噻吩基、萘并苯并噻吩基、苯并磷酰基、二苯并磷酰基、苯并磷杂环戊二烯氧化物环的一价基、二苯并磷杂环戊二烯氧化物环的一价基、呋咱基、噻蒽基、吲哚并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基及苯并苯并吲哚并咔唑基等。再者，作为杂芳基的例子，也包含作为式(A-1)所表示的基且L1为单键、含有杂原子的基。
作为第一取代基的“二芳基氨基”中的“芳基”、“二杂芳基氨基”(第一取代基)中的“杂芳基”、“芳基杂芳基氨基”(第一取代基)中的“芳基”及”杂芳基”、以及“芳氧基”(第一取代基)中的“芳基”，可引用所述芳基及杂芳基的说明。
作为第一取代基的“烷基”可为直链及支链的任一种，例如为碳数1～24的直链烷基或碳数3～24的支链烷基。优选为碳数1～18的烷基(碳数3～18的支链烷基)，更优选为碳数1～12的烷基(碳数3～12的支链烷基)，进而优选为碳数1～6的烷基(碳数3～6的支链烷基)，特别优选为碳数1～5的烷基(碳数3～5的支链烷基)或碳数1～4的烷基(碳数3～4的支链烷基)。
作为具体的烷基，可列举：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基(t-pentyl)(t-amyl)、正己基、1-甲基戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、正庚基、1-甲基己基、正辛基、叔辛基(1,1,3,3-四甲基丁基)、1-甲基庚基、2-乙基己基、2-丙基戊基、正壬基、2,2-二甲基庚基、2,6-二甲基-4-庚基、3,5,5-三甲基己基、正癸基、正十一基、1-甲基癸基、正十二基、正十三基、1-己基庚基、正十四基、正十五基、正十六基、正十七基、正十八基、正二十基等。
另外，例如也可列举：1-乙基-1-甲基丙基、1,1-二乙基丙基、1,1-二甲基丁基、1-乙基-1-甲基丁基、1,1,4-三甲基戊基、1,1,2-三甲基丙基、1,1-二甲基辛基、1,1-二甲基戊基、1,1-二甲基庚基、1,1,5-三甲基己基、1-乙基-1-甲基己基、1-乙基-1,3-二甲基丁基、1,1,2,2-四甲基丙基、1-丁基-1-甲基戊基、1,1-二乙基丁基、1-乙基-1-甲基戊基、1,1,3-三甲基丁基、1-丙基-1-甲基戊基、1,1,2-三甲基丙基、1-乙基-1,2,2-三甲基丙基、1-丙基-1-甲基丁基、1,1-二甲基己基等。
关于作为第一取代基的“环烷基”，可列举：碳数3～24的环烷基、碳数3～20的环烷基、碳数3～16的环烷基、碳数3～14的环烷基、碳数5～10的环烷基、碳数5～8的环烷基、碳数5～6的环烷基、碳数5的环烷基等。
作为具体的环烷基，可列举：环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基、环癸基、及这些的碳数1～4的烷基(特别是甲基)取代物、或降冰片基(双环[2.2.1]庚基)、双环[1.1.0]丁基、双环[1.1.1]戊基、双环[2.1.0]戊基、双环[2.1.1]己基、双环[3.1.0]己基、双环[2.2.1]庚基、双环[2.2.2]辛基、金刚烷基、双金刚烷基、十氢萘基、十氢薁基等。
作为第一取代基的“烷氧基”例如为碳数1～24的直链的烷氧基或碳数3～24的支链的烷氧基。优选为碳数1～18的烷氧基(碳数3～18的支链的烷氧基)，更优选为碳数1～12的烷氧基(碳数3～12的支链的烷氧基)，进而优选为碳数1～6的烷氧基(碳数3～6的支链的烷氧基)，特别优选为碳数1～5的烷氧基(碳数3～5的支链的烷氧基)或碳数1～4的烷氧基(碳数3～4的支链的烷氧基)。
作为具体的烷氧基，可列举：甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、叔戊氧基(t-amyloxy)、正戊氧基、异戊氧基、新戊氧基、叔戊氧基(t-pentyloxy)、正己氧基、1-甲基戊氧基、3,3-二甲基丁氧基、2-乙基丁氧基、正庚氧基、1-甲基己氧基、正辛氧基、叔辛氧基、1-甲基庚氧基、2-乙基己氧基、2-丙基戊氧基、正壬氧基、2,2-二甲基庚氧基、2,6-二甲基-4-庚氧基、3,5,5-三甲基己氧基、正癸氧基、正十一氧基、1-甲基癸氧基、正十二氧基、正十三氧基、1-己基庚氧基、正十四氧基、正十五氧基、正十六氧基、正十七氧基、正十八氧基、正二十氧基等。
关于作为第一取代基的“二芳基硼基”中的“芳基”，可引用所述芳基的说明。另外，所述两个芳基可经由单键或连结基(例如＞C(-R)2、＞O、＞S或＞N-R)键结。此处，＞C(-R)2及＞N-R的R为芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、烷基、环烷基、烷氧基或芳氧基(以上为第一取代基)，在所述第一取代基中可进一步取代有芳基、杂芳基、烷基或环烷基(以上为第二取代基)，作为这些基的具体例，可引用作为所述第一取代基的芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、烷基、环烷基、烷氧基或芳氧基的说明。
作为在第一取代基中进行取代的芳基、杂芳基、烷基或环烷基(以上为第二取代基)，可引用作为所述第一取代基的芳基、杂芳基、烷基或环烷基的说明。
在无键结而形成环的邻接的RY彼此的情况下，优选为作为式(A-1)或式(A-2)所表示的基的RY以外的RY为氢、可经芳基或杂芳基取代的芳基、或者可经芳基或杂芳基取代的杂芳基。作为式(A-1)或式(A-2)所表示的基的RY以外的RY优选为任一零个～两个为氢以外的基，更优选为零个～一个为氢以外的基。
在存在键结而形成环的邻接的RY彼此的情况下，优选为RY及对邻接的RY彼此键结而形成的环中的氢进行取代的基中作为式(A-1)或式(A-2)所表示的基的RY以外的RY为氢、可经芳基或杂芳基取代的芳基、或者可经芳基或杂芳基取代的杂芳基。作为式(A-1)或式(A-2)所表示的基的RY以外的基优选为任一零个～两个为氢以外的基，更优选为零个～一个为氢以外的基。
也优选为如所述中记载为“零个”般，作为式(A-1)或式(A-2)所表示的基的RY以外的RY均为氢，RY及邻接的RY彼此键结而形成的环中的氢不会取代为式(A-1)或式(A-2)所表示的基以外。
具体而言，关于作为氢以外的RY及对邻接的RY彼此键结而形成的环中的氢进行取代的基而优选的基(式(A-1)或式(A-2)所表示的基以外)，可列举以下任一者。
[化12]
Figure BDA0003249241830000161
(4)通过RY彼此键结形成缩合环
在式(1)中，RY中邻接的基彼此可键结而形成环。优选为通过环的形成，与a环、b环或c环的至少一个环一起形成芳基环或杂芳基环。式(1)所表示的多环芳香族化合物根据a环、b环及c环中的取代基的相互的键结形态，如下述式(1'-1)及式(1'-2)所示般，构成化合物的环结构发生变化。再者，各式中的RY、Y1～Y6、a、b、c、X1及X2的定义与式(1)中的定义相同。
[化13]
Figure BDA0003249241830000171
所述式(1'-1)及式(1'-2)中的a'环、b'环及c'环表示取代基RY及作为Y1～Y6的＝C(-RY)-的RY中的邻接的基彼此键结并分别与a环、b环及c环一起形成的芳基环或杂芳基环(也可称为其他环结构在a环、b环或c环中缩合而成的缩合环)。再者，虽然式中未示出，但也存在a环、b环及c环全部变化成a'环、b'环及c'环的化合物。
另外，如根据所述式(1'-1)及式(1'-2)而可知般，例如作为a环中的Y1的＝C(-RY)-的RY与作为b环中的Y2的＝C(-RY)-的RY、b环的Y3与c环的Y4、作为c环中的Y5的＝C(-RY)-的RY与作为a环中的Y6的＝C(-RY)-的RY等般跨越环的基彼此并不符合“邻接的基彼此”，这些不会进行键结。即，所谓“邻接的基”是指在同一环上邻接的基，更详细而言是指分别与在同一环上邻接(直接键结)的两个元素直接键结的基。
所述式(1'-1)或式(1'-2)所表示的化合物例如为具有苯环、吲哚环、吡咯环、苯并呋喃环或苯并噻吩环等相对于作为a环(或b环或c环)的6元环(Y1及Y6为＝C(-RY)-的情况下为苯环)进行缩合而形成的a'环(或b'环或c'环)的化合物。若将a环(或b环或c环)设为苯环，则所形成的缩合环a'(或缩合环b'或缩合环c')分别为萘环、咔唑环、吲哚环、二苯并呋喃环或二苯并噻吩环等。
另外，例如在a环(或b环或c环)为吡啶环(Y1及Y6的任一者为＝N-)的情况下，也可同样地缩合有苯环、吲哚环、吡咯环、苯并呋喃环或苯并噻吩环等。再者，如后述般，在一个环上的两个Y(例如a环的Y1及Y6两者)为＝N-的情况下不形成缩合环。
仅在Y1～Y6为＝C(-RY)-的情况下，可与Y1～Y6部分以外的RY键结而形成缩合环，在Y1～Y6为＝N-的情况下，不会形成以所述＝N-为起源的缩合环。例如，如下述结构式的例子所示，在a环的Y1及Y6均为＝N-的情况下不形成缩合环a'，在Y1及Y6的至少一个为＝C(-RY)-的情况下形成缩合环a'。
[化14]
Figure BDA0003249241830000172
作为以所述方式形成的“芳基环”(a'环、b'环或c'环)，例如可列举：碳数9～30的芳基环、碳数9～16的芳基环、碳数9～12的芳基环、碳数9～10的芳基环。再者，所述芳基环的碳数的下限值9相当于5元环(碳数5)相对于a环、b环或c环为碳数6的苯环(Y1～Y6为＝C(-RY)-)缩合而成的缩合环的合计碳数9。
作为具体的“芳基环”，可列举：作为缩合二环系的萘环，作为缩合三环系的苊环、芴环、非那烯环、菲环，作为缩合四环系的三亚苯环、芘环、并四苯环，作为缩合五环系的苝环、并五苯环等。
另外，作为所形成的“杂芳基环”(a'环、b'环或c'环)，例如可列举：碳数5～30的杂芳基环、碳数5～25的杂芳基环、碳数5～20的杂芳基环、碳数5～15的杂芳基环、碳数5～10的杂芳基环。另外，作为“杂芳基环”，例如可列举除碳以外含有一个至五个选自氧、硫及氮中的杂原子作为环构成原子的杂环等。再者，所述杂芳基环的碳数的下限值5为a环、b环或c环为吡啶环(假定各环上的一个Y1～Y6为＝N-)时的下限值，相当于5元环相对于碳数5的吡啶环缩合而成的缩合环的合计碳数5。因此，例如关于a环，在Y1及Y6均为＝C(-RY)-的情况下，下限值变更为6(Y1及Y6两者为＝N-的情况下不形成缩合环)。
作为具体的“杂芳基环”，可列举：吲哚环、异吲哚环、1H-吲唑环、苯并咪唑环、苯并噁唑环、苯并噻唑环、1H-苯并三唑环、喹啉环、异喹啉环、噌啉环、喹唑啉环、喹噁啉环、酞嗪环、萘啶环、咔唑环、吖啶环、吩噁噻环、吩噁嗪环、吩噻嗪环、吩嗪环、苯并呋喃环、异苯并呋喃环、二苯并呋喃环、苯并噻吩环、二苯并噻吩环、噻蒽环等。
所形成的芳基环或杂芳基环可经式(A-1)或式(A-2)所表示的基或者选自取代基群组YZ中的取代基且式(A-1)所表示的基除外的取代基取代。关于选自取代基群组YZ中的取代基，可参照所述RY中的说明。
(5)式(21)所表示的基
[化15]
Figure BDA0003249241830000181
式(1)所表示的多环芳香族化合物可具有式(21)所表示的基。式(21)所表示的基如所述般，作为RY、邻接的RY彼此键结而形成的环的取代基、RW、RZ、邻接的RZ彼此键结而形成的环的取代基、或者Ar3内的芳基或杂芳基的取代基，可包含于式(1)所表示的多环芳香族化合物的结构中。式(1)所表示的多环芳香族化合物中包含的式(21)所表示的基的数量为零个～两个。即，在包含式(1)所表示的多环芳香族化合物中包含的式(21)所表示的基的情况下，为一个或两个。在所述范围内，能够与不包含式(21)所表示的基的式(1)所表示的多环芳香族化合物同样地制造，可与不包含式(21)所表示的基的式(1)所表示的多环芳香族化合物同样地作为主体材料或空穴阻挡层形成材料等来用于有机EL元件的制造。式(1)所表示的多环芳香族化合物中包含的式(21)所表示的基的数量优选为零个或一个，更优选为零个。
包含一个式(21)所表示的基的式(1)所表示的多环芳香族化合物中的式(21)所表示的基的位置并无特别限定，但优选为RY的任一者、或RZ的任一者为式(21)所表示的基。作为式(21)所表示的基的RY优选为位于硼的对位。作为式(21)所表示的基的RZ优选为不与作为与L1的结合键的RZ邻接，优选为键结于和作为与L1的结合键的RZ所键结的环不同的环上。例如，优选为在式(A-1)所表示的基中，在位于非单键的W1的一个对位上的Z中，当与L1键结时，位于非单键的W1的另一个对位上的Z为-CRZ＝，所述RZ为式(21)所表示的基。包含两个式(21)所表示的基的式(1)所表示的多环芳香族化合物中的式(21)所表示的基的位置优选为RY的任意两处，或者为RY的任意一处及RZ的任意一处。两处RY优选为键结于不同的环上的RY。
式(21)中，X21及X22分别独立地为＞N-RX21、＞O、＞C(-RX21)2、＞S或＞Se。＞N-RX21及＞C(-RX21)2中的RX21分别独立地为氢或选自取代基群组YZ中的任一个取代基，所述＞N-RX21及＞C(-RX21)2的RX21可分别独立地通过连结基或单键而与Y21和/或Y22、或者Y25和/或Y26键结。关于X21及X22的详细情况，可参照下述“(6)X1及X2”的记载。关于＞N-RX21及＞C(-RX21)2的RX21与Y21和/或Y22、或者Y25和/或Y26键结的情况，也可参照下述“(7)X1及X2与Y1和/或Y2、或者Y5和/或Y6的键结”的记载。
式(21)中，Y21、Y22、Y23、Y24、Y25及Y26分别独立地为＝C(-R2Y)-或＝N-。R2Y分别独立地为氢或选自取代基群组YZ中的任一个取代基，R2Y中的邻接的基彼此可键结而形成环，所形成的环中的至少一个氢可经选自取代基群组YZ中的取代基取代。
关于Y21、Y22、Y23、Y24、Y25及Y26的详细情况，可参照所述“(2)Y1～Y6”的记载。其中，无如Y1～Y6般至少一个为＝N-的限定，Y21、Y22、Y23、Y24、Y25及Y26均可为＝C(-R2Y)-。即，包含式(21)所表示的基中的Y21、Y22、Y23、Y24、Y25或Y26的任一者的三个环均可为苯环。式(21)所表示的基的缩合环结构也优选为与包含式(1)的Y1～Y6而构成的缩合环结构相同。例如，也优选为Y2、Y3、Y4、Y5及Y6分别独立地为＝C(-RY)-且Y1为＝N-的式(1)所表示的化合物中的式(21)所表示的基中的Y22、Y23、Y24、Y25及Y26分别独立地为＝C(-R2Y)-，Y21为＝N-。
关于R2Y及邻接的R2Y键结而形成的环，可参照所述“(3)RY”及“(4)通过RY彼此键结形成缩合环”的记载。
式(21)中，L3为单键或连结基。关于L3的详细情况及具体例，可参照所述关于L1的记载。L3特别优选为单键。L3以任一个R2Y为结合键，与所述R2Y所键结的C(碳原子)键结，或者与邻接的R2Y相互键结而形成的环的任一个环构成原子键结。
*表示式(21)所表示的基的键结位置。
(6)X1及X2
X1及X2分别独立地为＞N-R(胺性氮)、＞O、＞C(-R)2、＞S或＞Se，不存在X1及X2均为＞C(-R)2的情况。这些中，优选为＞N-R、＞O或＞C(-R)2，更优选为＞N-R或＞O。特别优选为X1及X2均为＞N-R或＞O，最优选为X1及X2均为＞O。这是因为在X1及X2均为＞O的情况下，电子传输性最高。
＞N-R及＞C(-R)2中的R为氢或选自取代基群组YZ中的任一个取代基。关于选自取代基群组YZ中的取代基，可参照所述RY中的说明。
(7)X1及X2与Y1和/或Y2、或者Y5和/或Y6的键结
式(1)中的“(作为X1及X2的)＞N-R及＞C(-R)2的R分别独立地通过连结基或单键而与Y1和/或Y2、或者Y5和/或Y6键结”的规定也可由下述式(1'-3)或式(1'-4)所表示的、具有X1及X2的至少一个被导入至缩合环a'中的环结构的化合物来表现。即，例如为具有其他环以导入X1(或X2、或X1及X2)的方式相对于式(1)中的a环即6元环进行缩合而形成的a'环的化合物。更具体而言，例如可例示作为X1的＞N-R或＞C(-R)2的R与作为Y1的＝C(-RY)-的RY通过连结基或单键而键结的形态。关于X2与Y6的键结也相同。所形成的缩合环a'例如为咔唑环、吩噁嗪环、吩噻嗪环或吖啶环。
另外，所述规定可由下述式(1'-5)所表示的、具有X1或X2被导入至缩合环b'及缩合环c'中的环结构的化合物来表现。即，例如为具有其他环以导入X1(或X2、或X1及X2)的方式相对于式(1)中的b环(或c环、或b环及c环)即6元环进行缩合而形成的b'环(或c'环、或b'环及c'环)的化合物。更具体而言，例如可例示作为X1的＞N-R或＞C(-R)2的R与作为Y2的＝C(-RY)-的RY通过连结基或单键而键结的形态。关于X2与Y5的键结也相同。所形成的缩合环b'(或缩合环c')例如为吩噁嗪环、吩噻嗪环或吖啶环。
再者，下述式(1'-3)、式(1'-4)及式(1'-5)中的RY、Y1～Y6、a、b、c、a'、b'、c'、X1及X2的定义与式(1)中的定义相同。
[化16]
Figure BDA0003249241830000201
作为连结基，优选为-O-、-S-或-C(-R)2-。再者，所述“-C(-R)2-”的R为氢、烷基或环烷基，这些基的详细情况可引用所述取代基群组YZ的作为第一取代基的烷基或环烷基的说明。特别优选为碳数1～4的烷基(例如甲基、乙基等)。
(8)其他取代基的说明
式(1)所表示的多环芳香族化合物的化学结构中的氢的全部或一部分可经氰基、卤素或氘取代。卤素为氟、氯、溴或碘，优选为氟、氯或溴，更优选为氟。
(9)优选的结构
关于作为式(1)所表示的多环芳香族化合物而优选的例子，可列举以下的式(1-YZ-1)所表示的化合物。
[化17]
Figure BDA0003249241830000211
式(1-YZ-1)中，
XW分别独立地为＞N-R、＞O或＞S，所述＞N-R的R为碳数6～12的芳基或碳数2～12的杂芳基，或者为与LYZ的结合键，其中，至少一个XW不为R为与LYZ的结合键的＞N-R，
LYZ分别独立地为单键、碳数6～12的亚芳基、碳数2～12的亚杂芳基或＞NR，所述＞NR的R为碳数6～12的芳基或碳数2～12的杂芳基，
RYZ为氢、碳数6～12的芳基或碳数2～12的杂芳基，
i为2～4，
式(2)所表示的化合物的化学结构中的至少一个氢可经氘取代。
XW优选为＞N-R或＞O。LYZ优选为单键。RYZ优选为氢。
作为本发明的多环芳香族化合物的进而具体的例子，可列举以下的结构式所表示的化合物。
[化18]
Figure BDA0003249241830000221
[化19]
Figure BDA0003249241830000231
[化20]
Figure BDA0003249241830000241
[化21]
Figure BDA0003249241830000251
[化22]
Figure BDA0003249241830000261
[化23]
Figure BDA0003249241830000271
[化24]
Figure BDA0003249241830000281
[化25]
Figure BDA0003249241830000282
(10)高分子化合物等
式(1)所表示的多环芳香族化合物也可作为如下的高分子化合物(用于获得所述高分子化合物的所述单体具有聚合性取代基)或高分子交联体(用于获得所述高分子交联体的所述高分子化合物具有交联性取代基)、或者如下的悬挂型高分子化合物(用于获得所述悬挂型高分子化合物的反应性化合物具有反应性取代基)或悬挂型高分子交联体(用于获得所述悬挂型高分子交联体的所述悬挂型高分子化合物具有交联性取代基)而用于有机器件用材料、例如有机电致发光元件用材料、有机场效晶体管用材料或有机薄膜太阳电池用材料中，所述高分子化合物是使在式(1)所表示的多环芳香族化合物中取代有反应性取代基而成的所述反应性化合物作为单体进行高分子化而成，所述高分子交联体是使所述高分子化合物进一步交联而成，所述悬挂型高分子化合物是使主链型高分子与所述反应性化合物反应而成，所述悬挂型高分子交联体是使所述悬挂型高分子化合物进一步交联而成。
作为所述反应性取代基(包含所述聚合性取代基、所述交联性取代基、及用于获得悬挂型高分子的反应性取代基，以下，也简称为“反应性取代基”)，只要为可使所述多环芳香族化合物进行高分子量化的取代基、可使以此种方式获得的高分子化合物进一步交联化的取代基、或可与主链型高分子进行悬挂反应的取代基，则并无特别限定，但优选为以下结构的取代基。各结构式中的*表示键结位置。
[化26]
Figure BDA0003249241830000291
L分别独立地为单键、-O-、-S-、＞C＝O、-O-C(＝O)-、碳数1～12的亚烷基、碳数1～12的氧亚烷基及碳数1～12的聚氧亚烷基。所述取代基中，优选为式(XLS-1)、式(XLS-2)、式(XLS-3)、式(XLS-9)、式(XLS-10)或式(XLS-17)所表示的基，更优选为式(XLS-1)、式(XLS-3)或式(XLS-17)所表示的基。
关于此种高分子化合物、高分子交联体、悬挂型高分子化合物及悬挂型高分子交联体(以下，也简称为“高分子化合物及高分子交联体”)的用途的详细情况，将在之后叙述。
2.多环芳香族化合物的制造方法
本发明的多环芳香族化合物例如可通过应用国际公开第2015/102118号公报中所公开的方法来合成。即，如下述流程般，合成键结有a环～c环的中间物，并使所述中间物通过串联式杂弗里德-克拉夫茨反应(Tandem Hetero-Friedel-Crafts Reaction)(连续的芳香族亲电子取代反应)进行环化，由此可合成所期望的多环芳香族化合物。下述流程中，各式的符号的定义与所述定义相同。在反应工序中的某处，使用具有式(A-1)或式(A-2)所表示的基的原料、或者追加导入式(A-1)或式(A-2)所表示的基的工序，由此可制造具有式(A-1)或式(A-2)所表示的基的化合物。
[化27]
Figure BDA0003249241830000301
所述流程中的环化前的中间物也可同样地利用国际公开第2015/102118号等中所示的方法合成。即，可通过将利用布赫瓦尔德-哈特维希反应(Buchwald-HartwigReaction)或铃木偶合反应、或者亲核取代反应或乌尔曼反应(Ullmann Reaction)等进行的醚化反应等加以适宜组合，来合成具有所期望的取代基的中间物。
所述流程中所示的利用串联式杂弗里德-克拉夫茨反应进行的环化是导入将a环、b环及c环键结的B(硼)的反应。首先，利用正丁基锂、仲丁基锂或叔丁基锂等对X1及X2之间的a环上的氢原子(-H)进行邻位金属化。继而，加入三氯化硼或三溴化硼等，进行锂-硼的金属交换后，加入N,N-二异丙基乙胺等布忍斯特碱(Bronsted base)，由此进行串联式硼杂弗里德-克拉夫茨反应(Tandem Bora-Friedel-Crafts Reaction)，而可获得目标物。此处，为了促进反应，也可加入三氯化铝等路易斯酸。
另外，除通过邻位金属化朝所期望的位置导入锂的方法以外，也可在欲导入锂的位置上导入溴原子等卤素并通过卤素-金属交换而向所期望的位置导入锂。
3.有机器件
本发明的多环芳香族化合物可用作有机器件用材料。作为有机器件，例如可列举：有机电致发光元件、有机场效晶体管或有机薄膜太阳电池等。
3-1.有机电致发光元件
以下，基于附图对本实施方式的有机EL元件进行详细说明。图1是表示本实施方式的有机EL元件的概略剖面图。
3-1-1.有机电致发光元件的结构
图1所示的有机EL元件100具有：基板101、设置于基板101上的阳极102、设置于阳极102上的空穴注入层103、设置于空穴注入层103上的空穴传输层104、设置于空穴传输层104上的发光层105、设置于发光层105上的电子传输层106、设置于电子传输层106上的电子注入层107、以及设置于电子注入层107上的阴极108。
再者，有机EL元件100也可使制作顺序相反而制成例如以下的结构，所述结构具有：基板101、设置于基板101上的阴极108、设置于阴极108上的电子注入层107、设置于电子注入层107上的电子传输层106、设置于电子传输层106上的发光层105、设置于发光层105上的空穴传输层104、设置于空穴传输层104上的空穴注入层103、以及设置于空穴注入层103上的阳极102。
所述各层并非全部是不可或缺的层，将最小结构单元设为包含阳极102、发光层105及阴极108的结构，空穴注入层103、空穴传输层104、电子传输层106、电子注入层107为可任意设置的层。另外，所述各层可分别包含单一层，也可包含多层。
作为构成有机EL元件的层的形态，除所述“基板/阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极”的结构形态以外，也可为“基板/阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极”、“基板/阳极/空穴注入层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极”、“基板/阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子注入层/阴极”、“基板/阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极”、“基板/阳极/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极”、“基板/阳极/空穴传输层/发光层/电子注入层/阴极”、“基板/阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极”、“基板/阳极/空穴注入层/发光层/电子注入层/阴极”、“基板/阳极/空穴注入层/发光层/电子传输层/阴极”、“基板/阳极/发光层/电子传输层/阴极”、“基板/阳极/发光层/电子注入层/阴极”的结构形态。
3-1-2.有机电致发光元件中的基板
基板101为有机EL元件100的支撑体，通常可使用石英、玻璃、金属、塑料等。基板101根据目的而形成为板状、膜状、或片状，例如可使用玻璃板、金属板、金属箔、塑料膜、塑料片等。其中，优选为玻璃板、及聚酯、聚甲基丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚砜等透明的合成树脂制的板。若为玻璃基板，则可使用钠钙玻璃或无碱玻璃等，另外，厚度也只要有足以保持机械强度的厚度即可，因此例如只要有0.2mm以上即可。作为厚度的上限值，例如为2mm以下，优选为1mm以下。关于玻璃的材质，由于来自玻璃的溶出离子以少为宜，因此优选为无碱玻璃，由于施加了SiO2等的隔离涂层(barrier coat)的钠钙玻璃也有市售，因此可使用所述钠钙玻璃。另外，为了提高阻气性，也可在基板101的至少单面上设置细密的氧化硅膜等阻气膜，特别是在将阻气性低的合成树脂制的板、膜或片用作基板101的情况下，优选为设置阻气膜。
3-1-3.有机电致发光元件中的阳极
阳极102发挥朝发光层105中注入空穴的作用。再者，在阳极102与发光层105之间设置有空穴注入层103和/或空穴传输层104的情况下，经由这些层朝发光层105中注入空穴。
作为形成阳极102的材料，可列举无机化合物及有机化合物。作为无机化合物，例如可列举：金属(铝、金、银、镍、钯、铬等)、金属氧化物(铟的氧化物、锡的氧化物、铟-锡氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)、铟-锌氧化物(Indium Zinc Oxide，IZO)等)、卤化金属(碘化铜等)、硫化铜、碳黑、ITO玻璃或奈塞(NESA)玻璃等。作为有机化合物，例如可列举：聚(3-甲基噻吩)等聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺等导电性聚合物等。此外，可自用作有机EL元件的阳极的物质中适宜选择来使用。
透明电极的电阻只要可供给对于发光元件的发光而言充分的电流即可，因此并无限定，但就发光元件的消耗电力的观点而言，理想的是低电阻。例如，若为300Ω/Υ以下的ITO基板，则作为元件电极而发挥功能，但现在也能够供给10Ω/Υ左右的基板，因此特别理想的是使用例如100Ω/Υ～5Ω/Υ、优选为50Ω/Υ～5Ω/Υ的低电阻品。ITO的厚度可配合电阻值而任意地选择，但通常多在50nm～300nm之间使用。
3-1-4.有机电致发光元件中的空穴注入层、空穴传输层
空穴注入层103发挥将自阳极102迁移而来的空穴高效地注入发光层105内或空穴传输层104内的作用。空穴传输层104发挥将自阳极102所注入的空穴、或自阳极102经由空穴注入层103所注入的空穴高效地传输至发光层105的作用。空穴注入层103及空穴传输层104分别将空穴注入/传输材料的一种或两种以上加以层叠、混合而形成，或者由空穴注入/传输材料与高分子粘结剂的混合物形成。另外，也可向空穴注入/传输材料中添加氯化铁(III)之类的无机盐来形成层。
作为空穴注入/传输材料，需要在施加有电场的电极间高效地注入/传输来自正极的空穴，理想的是空穴注入效率高、且高效地传输所注入的空穴。因此，优选为电离电位小、而且空穴迁移率大、进而稳定性优异、在制造时及使用时不易产生成为陷阱的杂质的物质。
作为形成空穴注入层103及空穴传输层104的材料，可自从前以来在光导电材料中作为空穴的电荷传输材料所惯用的化合物、p型半导体、有机EL元件的空穴注入层及空穴传输层中所使用的已知的化合物中选择使用任意的化合物。这些化合物的具体例为咔唑衍生物(N-苯基咔唑、聚乙烯基咔唑等)、双(N-芳基咔唑)或双(N-烷基咔唑)等双咔唑衍生物、三芳基胺衍生物(在主链或侧链上具有芳香族三级氨基的聚合物、1,1-双(4-二-对甲苯基氨基苯基)环己烷、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-4,4'-二氨基联苯、N,N'-二苯基-N,N'-二萘基-4,4'-二氨基联苯、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-4,4'-二苯基-1,1'-二胺、N,N'-二萘基-N,N'-二苯基-4,4'-二苯基-1,1'-二胺、N4,N4'-二苯基-N4,N4'-双(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-[1,1'-联苯基]-4,4'-二胺、N4,N4,N4',N4'-四([1,1'-联苯基]-4-基)-[1,1'-联苯基]-4,4'-二胺、4,4',4”-三(3-甲基苯基(苯基)氨基)三苯基胺、N-([1,1'-联苯基]-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、N,N-双(4-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)苯基)-[1,1'：4',1”-三联苯基]-4-胺等三苯基胺衍生物、星爆状胺衍生物等)、二苯乙烯衍生物、酞菁衍生物(无金属、铜酞菁等)、吡唑啉衍生物、腙系化合物、苯并呋喃衍生物或噻吩衍生物、噁二唑衍生物、喹噁啉衍生物(例如，1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯-2,3,6,7,10,11-六甲腈等)、卟啉衍生物等杂环化合物、聚硅烷等。在聚合物系中，优选为在侧链具有所述单量体的聚碳酸酯或苯乙烯衍生物、聚乙烯基咔唑及聚硅烷等，但只要为形成发光元件的制作所需的薄膜且可自阳极注入空穴、进而可传输空穴的化合物，则并无特别限定。
另外，有机半导体的导电性因掺杂而受到强烈影响这一点也为人所知。有机半导体基质物质包含供电子性良好的化合物、或电子接受性良好的化合物。为了掺杂供电子物质，已知有四氰基醌二甲烷(Tetracyanoquinodimethane，TCNQ)或2,3,5,6-四氟四氰基-1,4-苯醌二甲烷(2,3,5,6-tetrafluorotetracyano-1,4-benzoquinodimethane，F4TCNQ)等强电子接受体(例如，参照文献“M.法伊弗、A.拜尔、T.弗里茨、K.利奥(M.Pfeiffer,A.Beyer,T.Fritz,K.Leo),《应用物理学快报(Appl.Phys.Lett.)》,73(22),3202-3204(1998)”及文献“J.布洛赫维茨、M.法伊弗、T.弗里茨、K.利奥(J.Blochwitz,M.Pfeiffer,T.Fritz,K.Leo),《应用物理学快报(Appl.Phys.Lett.)》,73(6),729-731(1998)”)。这些通过供电子型基础物质(空穴传输物质)中的电子迁移过程而生成所谓的空穴。基础物质的传导性根据空穴的数量及迁移率而发生相当大的变化。作为具有空穴传输特性的基质物质，已知有例如联苯胺衍生物(N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine，TPD)等)或星爆状胺衍生物(4,4',4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯基胺(4,4',4”-tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine，TDATA)等)、或者特定金属酞菁(特别是锌酞菁(ZnPc)等)(日本专利特开2005-167175号公报)。
所述空穴注入层用材料及空穴传输层用材料也可作为如下的高分子化合物或其高分子交联体、或者如下的悬挂型高分子化合物或其悬挂型高分子交联体而用于空穴层用材料中，所述高分子化合物是使在所述空穴注入层用材料及空穴传输层用材料中取代有反应性取代基而成的反应性化合物作为单体进行高分子化而成，所述悬挂型高分子化合物是使主链型高分子与所述反应性化合物反应而成。作为所述情况下的反应性取代基，可引用包含式(1A)所表示的部分结构及至少两个式(1B)所表示的部分结构的多环芳香族化合物中的说明。
关于此种高分子化合物及高分子交联体的用途的详细情况，将在之后叙述。
3-1-5.有机电致发光元件中的发光层
发光层105通过在施加有电场的电极间，使自阳极102所注入的空穴与自阴极108所注入的电子再结合而发光。作为形成发光层105的材料，只要为由空穴与电子的再结合而得到激发来发光的化合物(发光性化合物)即可，优选为可形成稳定的薄膜形状、且在固体状态下显示出强的发光(荧光)效率的化合物。发光层可为单一层，也可包含多层，任一者均可，且分别由发光层用材料(主体材料、掺杂剂材料)形成。主体材料与掺杂剂材料分别可为一种，也可为多种的组合，任一者均可。例如，作为掺杂剂材料，可使用发射掺杂剂及辅助掺杂剂。掺杂剂材料可包含于主体材料整体中，也可包含于部分主体材料中，任一者均可。作为掺杂方法，可通过与主体材料的共蒸镀法来形成，也可事先与主体材料混合后同时蒸镀。另外，发光层也可利用使用将材料溶解于有机溶媒中而制备的发光层形成用组合物的湿式成膜法来形成。
本发明的多环芳香族化合物可优选地用作有机电致发光元件的发光层的形成材料。
包含本发明的多环芳香族化合物的发光层可包含主体化合物。本发明的多环芳香族化合物优选为用作发光层的主体化合物。此处，主体化合物可为一种也可为两种以上。
另外，发光层可为单一层，也可包含多层，任一者均可。另外，主体化合物、发射掺杂剂材料、及辅助掺杂剂材料可包含在同一层内，也可在多层中包含各至少一种成分。发光层所包含的主体化合物及掺杂剂材料(发射掺杂剂或辅助掺杂剂)分别可为一种，也可为多种的组合，任一者均可。辅助掺杂剂及发射掺杂剂可整体包含在作为基质的主体化合物中，也可部分性地包含在作为基质的主体化合物中。
主体材料的使用量根据主体材料的种类而不同，只要配合所述主体材料的特性来决定即可。主体材料的使用量的基准优选为发光层用材料整体的50质量％～99.999质量％，更优选为80质量％～99.95质量％，进而优选为90质量％～99.9质量％。
掺杂剂材料的使用量根据掺杂剂材料的种类而不同，只要配合所述掺杂剂材料的特性来决定即可。掺杂剂的使用量的基准优选为发光层用材料整体的0.001质量％～50质量％，更优选为0.05质量％～20质量％，进而优选为0.1质量％～10质量％。若为所述范围，则例如就可防止浓度淬灭现象的方面而言优选。
另一方面，在使用了TADF材料作为掺杂剂材料的有机电致发光元件中，就可防止浓度淬灭现象的方面而言，优选为掺杂剂材料的使用量为低浓度，但就热活性型延迟荧光机构的效率的方面而言，优选为掺杂剂材料的使用量为高浓度。进而，在使用了TADF材料作为辅助掺杂剂的有机电致发光元件中，就辅助掺杂剂的热活性型延迟荧光机构的效率的方面而言，优选为与辅助掺杂剂的使用量相比，发射掺杂剂的使用量为低浓度。
使用辅助掺杂剂材料的情况下的主体材料、辅助掺杂剂、及发射掺杂剂的使用量的基准分别为发光层用材料整体的40质量％～99质量％、59质量％～1质量％及20质量％～0.001质量％，优选为分别为60质量％～95质量％、39质量％～5质量％及10质量％～0.01质量％，更优选为70质量％～90质量％、29质量％～10质量％及5质量％～0.05质量％。
3-1-5-1.主体化合物
本发明的多环芳香族化合物优选为用作发光层中的主体化合物。
就促进而非阻碍发光层内的TADF的产生的观点而言，主体材料的ET1优选为高于在发光层内具有最高的ET1的掺杂剂或辅助掺杂剂的ET1，具体而言，主体的ET1优选为0.01eV以上，更优选为0.03eV以上，进而优选为0.1eV以上。
另外，也可在主体材料中使用TADF活性的化合物。
作为主体材料，除可列举本发明的多环芳香族化合物以外，可列举自以前作为发光体已知的蒽或芘等的缩合环衍生物、双苯乙烯基蒽衍生物或二苯乙烯基苯衍生物等双苯乙烯基衍生物、四苯基丁二烯衍生物、环戊二烯衍生物、芴衍生物、苯并芴衍生物等。进而，作为主体材料，例如可列举：下述式(H1)所表示的化合物、下述式(H2)所表示的化合物、下述式(H3)所表示的化合物、包含下述式(H4)所表示的结构的化合物、下述式(H5)所表示的化合物、及下述式(H6)所表示的化合物。可将这些任一种以上的化合物与本发明的多环芳香族化合物并用。
[化28]
Figure BDA0003249241830000341
3-1-5-1-1.式(H1)所表示的化合物
[化29]
Figure BDA0003249241830000342
式(H1)中，L1为碳数6～24的亚芳基，优选为碳数6～16的亚芳基，更优选为碳数6～12的亚芳基，特别优选为碳数6～10的亚芳基，具体而言，可列举：苯环、联苯环、萘环、三联苯环、苊环、芴环、非那烯环、菲环、三亚苯环、芘环、并四苯环、苝环及并五苯环等的二价基。
式(H1)所表示的化合物中的至少一个氢可经碳数1～6的烷基、碳数3～14的环烷基、氰基、卤素或氘取代。
3-1-5-1-2.式(H2)所表示的化合物
[化30]
Figure BDA0003249241830000351
式(H2)中，L2及L3分别独立地为碳数6～30的芳基或碳数2～30的杂芳基。作为芳基，优选为碳数6～24的芳基，更优选为碳数6～16的芳基，进而优选为碳数6～12的芳基，特别优选为碳数6～10的芳基，具体而言，可列举：苯环、联苯环、萘环、三联苯环、苊环、芴环、非那烯环、菲环、三亚苯环、芘环、并四苯环、苝环及并五苯环等的一价基。作为杂芳基，优选为碳数2～25的杂芳基，更优选为碳数2～20的杂芳基，进而优选为碳数2～15的杂芳基，特别优选为碳数2～10的杂芳基，具体而言，可列举：吡咯环、噁唑环、异噁唑环、噻唑环、异噻唑环、咪唑环、噁二唑环、噻二唑环、三唑环、四唑环、吡唑环、吡啶环、嘧啶环、哒嗪环、吡嗪环、三嗪环、吲哚环、异吲哚环、1H-吲唑环、苯并咪唑环、苯并噁唑环、苯并噻唑环、1H-苯并三唑环、喹啉环、异喹啉环、噌啉环、喹唑啉环、喹噁啉环、酞嗪环、萘啶环、嘌呤环、蝶啶环、咔唑环、吖啶环、吩噁噻环、吩噁嗪环、吩噻嗪环、吩嗪环、吲嗪环、呋喃环、苯并呋喃环、异苯并呋喃环、二苯并呋喃环、噻吩环、苯并噻吩环、二苯并噻吩环、呋咱环、及噻蒽环等的一价基。
式(H2)所表示的化合物中的至少一个氢可经碳数1～6的烷基、碳数3～14的环烷基、氰基、卤素或氘取代。
3-1-5-1-3.式(H3)所表示的化合物
[化31]
Figure BDA0003249241830000352
式(H3)中，
MU分别独立地为二价的芳香族基，EC分别独立地为一价的芳香族基，k为2～50000的整数。
更具体而言，
MU分别独立地为亚芳基、亚杂芳基、二亚芳基芳基氨基、二亚芳基芳基硼基、氧杂硼烷-二基、氮杂硼烷-二基，
EC分别独立地为氢、芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基或芳氧基，
MU及EC中的至少一个氢进而可经芳基、杂芳基、二芳基氨基、烷基及环烷基取代，
k为2～50000的整数。
k优选为20～50000的整数，更优选为100～50000的整数。
式(H3)中的MU及EC中的至少一个氢可经碳数1～24的烷基、碳数3～24的环烷基、卤素或氘取代，进而所述烷基中的任意的-CH2-可经-O-或-Si(CH3)2-取代，所述烷基中的直接键结于式(H3)中的EC的-CH2-除外的任意的-CH2-可经碳数6～24的亚芳基取代，所述烷基中的任意的氢可经氟取代。
作为MU，例如可列举以下结构的二价衍生物(例如自以下结构的任一化合物中除去任意两个氢原子而表示的二价基、包含自以下结构的任一化合物中除去任意两个氢原子而表示的二价基的两个以上的组合的二价基、这些基中的氢的至少一个经烷基等取代的二价基等)。
[化32]
Figure BDA0003249241830000361
更具体而言，可列举具有以下的任一结构的二价基。这些中，MU在*处与其他MU或EC键结。
[化33]
Figure BDA0003249241830000371
[化34]
Figure BDA0003249241830000372
[化35]
Figure BDA0003249241830000381
[化36]
Figure BDA0003249241830000382
[化37]
Figure BDA0003249241830000391
[化38]
Figure BDA0003249241830000392
[化39]
Figure BDA0003249241830000393
[化40]
Figure BDA0003249241830000401
[化41]
Figure BDA0003249241830000402
另外，作为EC，例如可列举下述式所表示的基。这些中，EC在*处与MU键结。
[化42]
Figure BDA0003249241830000403
[化43]
Figure BDA0003249241830000411
就溶解性及涂布成膜性的观点而言，式(H3)所表示的化合物优选为分子中的MU总数(k)的10％～100％的MU具有碳数1～24的烷基，更优选为分子中的MU总数(k)的30％～100％的MU具有碳数1～18的烷基(碳数3～18的支链烷基)，进而优选为分子内的MU总数(k)的50％～100％的MU具有碳数1～12的烷基(碳数3～12的支链烷基)。另一方面，就面内取向性及电荷传输的观点而言，优选为分子中的MU总数(k)的10％～100％的MU具有碳数7～24的烷基，更优选为分子中的MU总数(k)的30％～100％的MU具有碳数7～24的烷基(碳数7～24的支链烷基)。
3-1-5-1-4.包含式(H4)所表示的结构的化合物
包含式(H4)所表示的结构的化合物包含多个、优选为一个～五个、更优选为一个～三个、进而优选为一个～两个、最优选为一个式(H4)所表示的结构，在包含多个的情况下，所述结构彼此直接通过单键键结，或者通过特定的连结基键结。
[化44]
Figure BDA0003249241830000412
式(H4)中，G为“＝C(-H)-”或“＝N-”，所述“＝C(-H)-”中的H可经取代基或其他式(H4)所表示的结构取代。
作为包含式(H4)所表示的结构的化合物，例如可使用在国际公开第2012/153780号及国际公开第2013/038650号等中记载的化合物，可依照所述文献中记载的方法来制造。
关于作为G的“＝C(-H)-”中的H经取代的情况下的取代基的例子，可列举：芳基、杂芳基、经取代的硅烷基、经取代的氧化膦基、及经取代的羧基等。
关于作为取代基的“芳基”的具体例，可列举：苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基、菲基、芘基、
Figure BDA0003249241830000413
基、苯并[c]菲基、苯并[g]
Figure BDA0003249241830000414
基、苯并蒽基、三亚苯基、芴基、9,9-二甲基芴基、苯并芴基、二苯并芴基、联苯基、三联苯基、四联苯基、荧蒽基等，优选为可列举苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基、萘基、三亚苯基及芴基等。作为具有取代基的芳基，可列举：甲苯基、二甲苯基及9,9-二甲基芴基等。如具体例所示，芳基包含缩合芳基及非缩合芳基两者。
关于作为取代基的“杂芳基”的具体例，可列举：吡咯基、吡唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、吡啶基、三嗪基、吲哚基、异吲哚基、咪唑基、苯并咪唑基、吲唑基、咪唑并[1,2-a]吡啶基、呋喃基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、氮杂二苯并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、氮杂二苯并噻吩基、喹啉基、异喹啉基、喹噁啉基、喹唑啉基、萘啶基、咔唑基、氮杂咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、噁唑基、噁二唑基、呋咱基、苯并噁唑基、噻唑基、噻二唑基、苯并噻唑基、三唑基、四唑基等，优选为可列举二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、氮杂二苯并呋喃基及氮杂二苯并噻吩基等。进而优选为二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基或氮杂二苯并噻吩基。
作为取代基的“经取代的硅烷基”也优选为选自由经取代或未经取代的三烷基硅烷基、经取代或未经取代的芳基烷基硅烷基、以及经取代或未经取代的三芳基硅烷基所组成的群组中的基。
作为经取代或未经取代的三烷基硅烷基的具体例，可列举三甲基硅烷基及三乙基硅烷基。作为经取代或未经取代的芳基烷基硅烷基的具体例，可列举二苯基甲基硅烷基、二甲苯基甲基硅烷基及苯基二甲基硅烷基等。作为经取代或未经取代的三芳基硅烷基的具体例，可列举三苯基硅烷基及三甲苯基硅烷基等。
作为取代基的“经取代的氧化膦基”也优选为经取代或未经取代的二芳基氧化膦基。作为经取代或未经取代的二芳基氧化膦基的具体例，可列举二苯基氧化膦基及二甲苯基氧化膦基等。
关于作为取代基的“经取代的羧基”，例如可列举苯甲酰氧基等。
作为将多个式(H4)所表示的结构键结的连结基，可列举所述芳基或杂芳基的二价～四价、二价～三价、或二价的衍生物。
将包含式(H4)所表示的结构的化合物的具体例示于以下。
[化45]
Figure BDA0003249241830000431
3-1-5-1-5.式(H5)所表示的化合物及式(H6)所表示的化合物
3-1-5-1-5-1.式(H5)所表示的化合物
[化46]
Figure BDA0003249241830000432
式(H5)中，R1～R11分别独立地为氢、芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基或芳氧基，这些中的至少一个氢进而可经芳基、杂芳基或二芳基氨基取代，
R1～R11中的邻接的基彼此可键结并与a环、b环或c环一起形成芳基环或杂芳基环，所形成的环中的至少一个氢可经芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基或芳氧基取代，这些中的至少一个氢进而可经芳基、杂芳基或二芳基氨基取代。
另外，式(H5)中的任意的至少一个(优选为1～3)的-C(Rn)＝(n为1～11)可经取代为-N＝。
进而，式(H5)所表示的化合物中的至少一个氢可经碳数1～24的烷基取代，进而所述烷基中的任意的-CH2-可经-O-或-Si(CH3)2-取代，所述烷基中的直接键结于式(H5)所表示的化合物的-CH2-除外的任意的-CH2-可经碳数6～24的亚芳基取代，所述烷基中的任意的氢可经氟取代。
另外，式(H5)所表示的化合物中的至少一个氢可经卤素或氘取代。
式(H5)中，a环、b环及c环的取代基R1～R11中的邻接的基彼此可键结并与a环、b环或c环一起形成芳基环或杂芳基环，所形成的环中的至少一个氢可经芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基或芳氧基取代，这些中的至少一个氢进而可经芳基、杂芳基或二芳基氨基取代。其中，此处“邻接的基”表示在同一环上相邻的基，设为“邻接的基彼此键结并与a环、b环或c环一起形成芳基环或杂芳基环”的化合物例如与后述的作为具体的化合物而列举的式(H5-2)～式(H5-17)所表示的化合物相对应。即，例如为将苯环、吲哚环、吡咯环、苯并呋喃环或苯并噻吩环相对于a环(或b环或c环)进行缩合而形成的化合物，所形成而成的缩合环分别为萘环、咔唑环、吲哚环、二苯并呋喃环或二苯并噻吩环。
3-1-5-1-5-2.式(H6)所表示的化合物
[化47]
Figure BDA0003249241830000441
式(H6)中，R1～R16分别独立地为氢、芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基或芳氧基，这些中的至少一个氢进而可经芳基、杂芳基或二芳基氨基取代，
R1～R16中的邻接的基彼此可键结并与a环、b环、c环或d环一起形成芳基环或杂芳基环，所形成的环中的至少一个氢可经芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基或芳氧基取代，这些中的至少一个氢进而可经芳基、杂芳基或二芳基氨基取代。
另外，式(H6)所表示的化合物中的至少一个氢可经碳数1～24的烷基取代，进而所述烷基中的任意的-CH2-可经-O-或-Si(CH3)2-取代，所述烷基中的直接键结于式(H6)所表示的化合物的-CH2-除外的任意的-CH2-可经碳数6～24的亚芳基取代，所述烷基中的任意的氢可经氟取代。
另外，式(H6)所表示的化合物中的至少一个氢可经卤素或氘取代。
式(H6)中，a环、b环、c环及d环的取代基R1～R16中的邻接的基彼此可键结并与a环、b环、c环或d环一起形成芳基环或杂芳基环，所形成的环中的至少一个氢可经芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基或芳氧基取代，这些中的至少一个氢进而可经芳基、杂芳基或二芳基氨基取代。其中，此处“邻接的基”表示在同一环上相邻的基，可将例如后述的作为式(H6)的具体的化合物而列举的式(H6-2)～式(H6-5)所表示般的化合物作为参考而对设为“邻接的基彼此键结并与a环、b环、c环或d环一起形成芳基环或杂芳基环”的化合物进行说明。即，例如为将苯环、吲哚环、吡咯环、苯并呋喃环或苯并噻吩环相对于a环(或b环或c环或d环)进行缩合而形成的化合物，所形成而成的缩合环分别为萘环、咔唑环、吲哚环、二苯并呋喃环或二苯并噻吩环。
3-1-5-1-5-3.“式(H5)中的R1～R11”及“式(H6)中的R1～R16”
“式(H5)中的R1～R11”及“式(H6)中的R1～R16”分别独立地为氢、芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基或芳氧基，优选为碳数6～30的芳基、碳数2～30的杂芳基、二芳基氨基(具有两个碳数6～30的芳基的氨基)、二杂芳基氨基(具有两个碳数2～30的杂芳基的氨基)、芳基杂芳基氨基(具有碳数6～30的芳基与碳数2～30的杂芳基的氨基)或碳数6～30的芳氧基。
作为“芳基”、“二芳基氨基”的芳基、“芳基杂芳基氨基”的芳基、及“芳氧基”的芳基，例如可列举：作为单环系的苯环，作为二环系的联苯环，作为缩合二环系的萘环，作为三环系的三联苯环(间三联苯基、邻三联苯基、对三联苯基)，作为缩合三环系的苊环、芴环、非那烯环、菲环，作为缩合四环系的三亚苯环、芘环、并四苯环，作为缩合五环系的苝环、并五苯环等。进而如后述般，这些芳基中取代有以下定义的杂芳基者也在式(H5)及式(H6)中定义为芳基。
作为“杂芳基”、“二杂芳基氨基”的杂芳基、及“芳基杂芳基氨基”的杂芳基，例如可列举：吡咯环、噁唑环、异噁唑环、噻唑环、异噻唑环、咪唑环、噁二唑环、噻二唑环、三唑环、四唑环、吡唑环、吡啶环、嘧啶环、哒嗪环、吡嗪环、三嗪环、吲哚环、异吲哚环、1H-吲唑环、苯并咪唑环、苯并噁唑环、苯并噻唑环、1H-苯并三唑环、喹啉环、异喹啉环、噌啉环、喹唑啉环、喹噁啉环、酞嗪环、萘啶环、嘌呤环、蝶啶环、咔唑环、吖啶环、吩噁噻环、吩噁嗪环、吩噻嗪环、吩嗪环、吲嗪环、呋喃环、苯并呋喃环、异苯并呋喃环、二苯并呋喃环、噻吩环、苯并噻吩环、二苯并噻吩环、呋咱环、噻蒽环及经N-芳基取代的所述杂芳基等一价基。进而如后述般，这些杂芳基中取代有以上定义的芳基者也在式(H5)及式(H6)中定义为杂芳基。
另外，关于作为式(H5)中的R1～R11或式(H6)中的R1～R16而说明的芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基或芳氧基，这些中的至少一个氢进而可经芳基、杂芳基或二芳基氨基取代。作为如此进行取代的芳基、杂芳基或二芳基氨基，可列举与R1～R11或R1～R16一栏中所说明者相同的基。
作为R1～R11或R1～R16的具体的基，例如可列举下述式(RG-1)～式(RG-10)所表示的基。再者，下述式(RG-1)～式(RG-10)所表示的基在*处与式(H5)或式(H6)键结。
[化48]
Figure BDA0003249241830000461
若将所述具体的基作为参考而对式(H5)及式(H6)中定义的“芳基”及“杂芳基”进行说明，则式(RG-1)、式(RG-4)及式(RG-7)为芳基，式(RG-2)、式(RG-3)及式(RG-6)为杂芳基，式(RG-9)为杂芳基进行了取代的杂芳基，式(RG-10)为杂芳基进行了取代的芳基。再者，式(RG-5)为二芳基氨基(二苯基氨基)进行了取代的芳基(苯基)，式(RG-8)为二芳基氨基(二苯基氨基)。
[化49]
Figure BDA0003249241830000462
3-1-5-1-5-4.式(H5)中，a环、b环或c环的邻接的基彼此键结而形成的环、及式(H6)中，a环、b环、c环或d环的邻接的基彼此键结而形成的环
作为式(H5)中的“R1～R11中的邻接的基彼此键结并与a环、b环或c环一起形成的芳基环”、及式(H6)中的“R1～R16中的邻接的基彼此键结并与a环、b环、c环或d环一起形成的芳基环”，例如可列举碳数6～30的芳基环，优选为碳数6～16的芳基环，更优选为碳数6～12的芳基环，特别优选为碳数6～10的芳基环。其中，所形成的芳基环的碳数包含a环、b环、c环或d环的碳数6。
作为所形成的芳基环的具体例，例如可列举：作为缩合二环系的萘环，作为缩合三环系的苊环、芴环、非那烯环、菲环，作为缩合四环系的三亚苯环、芘环、并四苯环，作为缩合五环系的苝环、并五苯环等。
作为式(H5)中的“R1～R11中的邻接的基彼此键结并与a环、b环或c环一起形成的杂芳基环”、及式(H6)中的“R1～R16中的邻接的基彼此键结并与a环、b环、c环或d环一起形成的杂芳基环”，例如可列举碳数6～30的杂芳基环，优选为碳数6～25的杂芳基环，更优选为碳数6～20的杂芳基环，进而优选为碳数6～15的杂芳基环，特别优选为碳数6～10的杂芳基环。另外，作为“杂芳基环”，例如可列举除碳以外含有一个至五个选自氧、硫及氮中的杂原子作为环构成原子的杂环等。其中，所形成的杂芳基环的碳数包含a环、b环、c环或d环的碳数6。
作为所形成的杂芳基环的具体例，例如可列举：吲哚环、异吲哚环、1H-吲唑环、苯并咪唑环、苯并噁唑环、苯并噻唑环、1H-苯并三唑环、喹啉环、异喹啉环、噌啉环、喹唑啉环、喹噁啉环、酞嗪环、咔唑环、吖啶环、吩噁噻环、吩噁嗪环、吩噻嗪环、吩嗪环、苯并呋喃环、异苯并呋喃环、二苯并呋喃环、苯并噻吩环、二苯并噻吩环、噻蒽环等。
所形成的环中的至少一个氢可经芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基或芳氧基取代，这些中的至少一个氢进而可经芳基、杂芳基或二芳基氨基取代。关于所述说明，可引用式(H5)的R1～R11或式(H6)的R1～R16中的说明。
3-1-5-1-5-5.化合物的具体例
以下示出式(H5)或式(H6)所表示的化合物的进而具体的结构。
以下的式(H5)或式(H6)所表示的化合物的具体的结构可经碳数1～24的烷基取代。
[化50]
Figure BDA0003249241830000481
[化51]
Figure BDA0003249241830000491
[化52]
Figure BDA0003249241830000501
[化53]
Figure BDA0003249241830000511
[化54]
Figure BDA0003249241830000521
[化55]
Figure BDA0003249241830000531
[化56]
Figure BDA0003249241830000541
[化57]
Figure BDA0003249241830000551
[化58]
Figure BDA0003249241830000561
[化59]
Figure BDA0003249241830000571
[化60]
Figure BDA0003249241830000581
[化61]
Figure BDA0003249241830000591
[化62]
Figure BDA0003249241830000592
[化63]
Figure BDA0003249241830000601
[化64]
Figure BDA0003249241830000611
[化65]
Figure BDA0003249241830000621
[化66]
Figure BDA0003249241830000631
[化67]
Figure BDA0003249241830000641
[化68]
Figure BDA0003249241830000651
[化69]
Figure BDA0003249241830000652
[化70]
Figure BDA0003249241830000661
[化71]
Figure BDA0003249241830000662
[化72]
Figure BDA0003249241830000671
[化73]
Figure BDA0003249241830000681
[化74]
Figure BDA0003249241830000691
[化75]
Figure BDA0003249241830000701
[化76]
Figure BDA0003249241830000711
[化77]
Figure BDA0003249241830000721
[化78]
Figure BDA0003249241830000731
[化79]
Figure BDA0003249241830000741
[化80]
Figure BDA0003249241830000751
[化81]
Figure BDA0003249241830000761
[化82]
Figure BDA0003249241830000771
[化83]
Figure BDA0003249241830000772
3-1-5-1-5-6.式(H5)或式(H6)所表示的化合物的制造方法
式(H5)所表示的化合物首先利用键结基(-O-)使a环～c环键结，由此制造中间物(第一反应)，之后利用键结基(包含B的基)使a环～c环键结，由此可制造最终产物(第二反应)。另外，式(H6)所表示的化合物首先利用键结基(＞NH或单键)使a环～d环键结，由此制造中间物(第一反应)，之后利用键结基(包含B的基)使a环～d环键结，由此可制造最终产物(第二反应)。在第一反应中，例如若为醚化反应，则可利用亲核取代反应、乌尔曼反应(Ullmann Reaction)等一般的反应，若为氨基化反应，则可利用布赫瓦尔德-哈特维希反应(Buchwald-Hartwig Reaction)等一般的反应。另外，在第二反应中，可利用串联式杂弗里德-克拉夫茨反应(连续的芳香族亲电子取代反应，以下相同)。
＜制造方法：式(H5)所表示的化合物的第二反应的例子＞
如下述流程(1)所示，第二反应为导入键结a环、b环及c环的B(硼)的反应，作为例子，以下表示式(H5)所表示的化合物的情况。首先，利用正丁基锂、仲丁基锂或叔丁基锂等对两个O之间的氢原子进行邻位金属化。继而，加入三氯化硼或三溴化硼等，进行锂-硼的金属交换后，加入N,N-二异丙基乙基胺等布忍斯特碱，由此进行串联式硼杂弗里德-克拉夫茨反应，而可获得目标物。在第二反应中为了促进反应，也可加入三氯化铝等路易斯酸。
[化84]
流程(1)
Figure BDA0003249241830000781
在所述流程中，通过邻位金属化而朝所期望的位置导入锂，但可如下述流程(2)般在欲导入锂的位置上导入溴原子等，也通过卤素-金属交换而朝所期望的位置导入锂。
[化85]
流程(2)
Figure BDA0003249241830000782
通过适宜选择所述合成法，也适宜选择所使用的原料，可合成在所期望的位置上具有取代基且由式(H5)所表示的化合物。
＜制造方法：式(H6)所表示的化合物的制造方法的例子＞
关于式(H6)所表示的化合物的制造方法，也可应用所述式(H5)所表示的化合物的制造方法中的第一反应及第二反应。即，第二反应为导入将NH与c环及d环键结的B(硼)的反应，利用正丁基锂、仲丁基锂或叔丁基锂等对NH的氢原子进行邻位金属化后，加入三氯化硼或三溴化硼等，进行锂-硼的金属交换，进而加入N,N-二异丙基乙基胺等布忍斯特碱，由此进行串联式硼杂弗里德-克拉夫茨反应，而可获得目标物。此处，在第二反应中为了促进反应，也可加入三氯化铝等路易斯酸。
3-1-5-2.掺杂剂材料
作为掺杂剂材料，并无特别限定，可使用已知的化合物，且可根据所期望的发光色而自各种材料中选择。可将本发明的多环芳香族化合物用作掺杂剂材料。
具体而言，例如可列举：菲、蒽、芘、并四苯、并五苯、苝、萘并芘、二苯并芘、红荧烯及
Figure BDA0003249241830000791
等缩合环衍生物，苯并噁唑衍生物，苯并噻唑衍生物，苯并咪唑衍生物，苯并三唑衍生物，噁唑衍生物，噁二唑衍生物，噻唑衍生物，咪唑衍生物，噻二唑衍生物，三唑衍生物，吡唑啉衍生物，二苯乙烯衍生物，噻吩衍生物，四苯基丁二烯衍生物，环戊二烯衍生物，双苯乙烯基蒽衍生物或二苯乙烯基苯衍生物等双苯乙烯基衍生物(日本专利特开平1-245087号公报)，双苯乙烯基亚芳基衍生物(日本专利特开平2-247278号公报)，二氮杂苯并二茚衍生物，呋喃衍生物，苯并呋喃衍生物，苯基异苯并呋喃、二均三甲苯基异苯并呋喃、二(2-甲基苯基)异苯并呋喃、二(2-三氟甲基苯基)异苯并呋喃、苯基异苯并呋喃等异苯并呋喃衍生物，二苯并呋喃衍生物，7-二烷基氨基香豆素衍生物、7-哌啶基香豆素衍生物、7-羟基香豆素衍生物、7-甲氧基香豆素衍生物、7-乙酰氧基香豆素衍生物、3-苯并噻唑基香豆素衍生物、3-苯并咪唑基香豆素衍生物、3-苯并噁唑基香豆素衍生物等香豆素衍生物，二氰基亚甲基吡喃衍生物，二氰基亚甲基噻喃衍生物，聚次甲基衍生物，花青衍生物，氧代苯并蒽衍生物，呫吨衍生物，罗丹明衍生物，荧光素衍生物，吡喃鎓衍生物，喹喏酮衍生物，吖啶衍生物，噁嗪衍生物，苯醚衍生物，喹吖啶酮衍生物，喹唑啉衍生物，吡咯并吡啶衍生物，呋喃并吡啶衍生物，1,2,5-噻二唑并芘衍生物，吡咯亚甲基衍生物，紫环酮衍生物，吡咯并吡咯衍生物，方酸内鎓盐衍生物，紫蒽酮衍生物，吩嗪衍生物，吖啶酮衍生物，脱氮黄素衍生物，芴衍生物及苯并芴衍生物等。
若以显色光分别例示，则作为蓝色掺杂剂材料～蓝绿色掺杂剂材料，可列举：萘、蒽、菲、芘、三亚苯、苝、芴、茚、
Figure BDA0003249241830000792
等芳香族烃化合物或其衍生物，呋喃、吡咯、噻吩、噻咯、9-硅芴(9-silafluorene)、9,9'-螺二硅芴、苯并噻吩、苯并呋喃、吲哚、二苯并噻吩、二苯并呋喃、咪唑并吡啶、菲咯啉、吡嗪、萘啶、喹噁啉、吡咯并吡啶、噻吨等芳香族杂环化合物或其衍生物，二苯乙烯基苯衍生物、四苯基丁二烯衍生物、二苯乙烯衍生物、醛连氮衍生物、香豆素衍生物，咪唑、噻唑、噻二唑、咔唑、噁唑、噁二唑、三唑等唑衍生物及其金属络合物及N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-4,4'-二苯基-1,1'-二胺所代表的芳香族胺衍生物等。
另外，作为绿色掺杂剂材料～黄色掺杂剂材料，可列举：香豆素衍生物、邻苯二甲酰亚胺衍生物、萘二甲酰亚胺衍生物、紫环酮衍生物、吡咯并吡咯衍生物、环戊二烯衍生物、吖啶酮衍生物、喹吖啶酮衍生物及红荧烯等并四苯衍生物等，进而也可列举如下的化合物作为优选的例子：向作为所述蓝色掺杂剂材料～蓝绿色掺杂剂材料所例示的化合物中导入芳基、杂芳基、芳基乙烯基、氨基、氰基等能够进行长波长化的取代基而成的化合物。
进而，作为橙色掺杂剂材料～红色掺杂剂材料，可列举：双(二异丙基苯基)苝四羧酸酰亚胺等的萘二甲酰亚胺衍生物，紫环酮衍生物，将乙酰丙酮或苯甲酰丙酮与菲咯啉等作为配体的Eu络合物等稀土类络合物，4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(对二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃或其类似物，镁酞菁、铝氯酞菁等金属酞菁衍生物，罗丹明化合物，脱氮黄素衍生物，香豆素衍生物，喹吖啶酮衍生物，吩噁嗪衍生物、噁嗪衍生物、喹唑啉衍生物、吡咯并吡啶衍生物、方酸内鎓盐衍生物、紫蒽酮衍生物、吩嗪衍生物、吩噁嗪酮衍生物及噻二唑并芘衍生物等，进而也可列举如下的化合物作为优选的例子：向作为所述蓝色掺杂剂材料～蓝绿色掺杂剂材料及绿色掺杂剂材料～黄色掺杂剂材料所例示的化合物中导入芳基、杂芳基、芳基乙烯基、氨基、氰基等能够进行长波长化的取代基而成的化合物。
此外，作为掺杂剂，可自化学工业2004年6月号13页及其中所列举的参考文献等中所记载的化合物等中适宜选择而使用。
所述掺杂剂材料中，特别优选为具有二苯乙烯结构的胺、苝衍生物、硼烷衍生物、芳香族胺衍生物、香豆素衍生物、吡喃衍生物或芘衍生物。
具有二苯乙烯结构的胺例如由下述式表示。
[化86]
Figure BDA0003249241830000801
所述式中，Ar1为源自碳数6～30的芳基的m价基，Ar2及Ar3分别独立地为碳数6～30的芳基，Ar1～Ar3的至少一个具有二苯乙烯结构，Ar1～Ar3可经芳基、杂芳基、烷基、环烷基、三取代硅烷基(经芳基、烷基和/或环烷基进行了三取代的硅烷基)或氰基取代，而且m为1～4的整数。
具有二苯乙烯结构的胺更优选为下述式所表示的二氨基二苯乙烯。
[化87]
Figure BDA0003249241830000802
所述式中，Ar2及Ar3分别独立地为碳数6～30的芳基，Ar2及Ar3可经芳基、杂芳基、烷基、环烷基、三取代硅烷基(经芳基、烷基和/或环烷基进行了三取代的硅烷基)或氰基取代。
碳数6～30的芳基的具体例可列举：苯基、萘基、苊基、芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、
Figure BDA0003249241830000803
基、并四苯基、苝基、二苯乙烯基、二苯乙烯基苯基、二苯乙烯基联苯基、二苯乙烯基芴基等。
具有二苯乙烯结构的胺的具体例可列举：N,N,N',N'-四(4-联苯基)-4,4'-二氨基二苯乙烯、N,N,N',N'-四(1-萘基)-4,4'-二氨基二苯乙烯、N,N,N',N'-四(2-萘基)-4,4'-二氨基二苯乙烯、N,N'-二(2-萘基)-N,N'-二苯基-4,4'-二氨基二苯乙烯、N,N'-二(9-菲基)-N,N'-二苯基-4,4'-二氨基二苯乙烯、4,4'-双[4”-双(二苯基氨基)苯乙烯基]-联苯、1,4-双[4'-双(二苯基氨基)苯乙烯基]-苯、2,7-双[4'-双(二苯基氨基)苯乙烯基]-9,9-二甲基芴、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-联苯、4,4'-双(9-苯基-3-咔唑乙烯基)-联苯等。
另外，也可使用日本专利特开2003-347056号公报、及日本专利特开2001-307884号公报等中所记载的具有二苯乙烯结构的胺。
作为苝衍生物，例如可列举：3,10-双(2,6-二甲基苯基)苝、3,10-双(2,4,6-三甲基苯基)苝、3,10-二苯基苝、3,4-二苯基苝、2,5,8,11-四-叔丁基苝、3,4,9,10-四苯基苝、3-(1'-芘基)-8,11-二(叔丁基)苝、3-(9'-蒽基)-8,11-二(叔丁基)苝、3,3'-双(8,11-二(叔丁基)苝基)等。
另外，也可使用日本专利特开平11-97178号公报、日本专利特开2000-133457号公报、日本专利特开2000-26324号公报、日本专利特开2001-267079号公报、日本专利特开2001-267078号公报、日本专利特开2001-267076号公报、日本专利特开2000-34234号公报、日本专利特开2001-267075号公报、及日本专利特开2001-217077号公报等中所记载的苝衍生物。
作为硼烷衍生物，例如可列举：1,8-二苯基-10-(二均三甲苯基硼基)蒽、9-苯基-10-(二均三甲苯基硼基)蒽、4-(9'-蒽基)二均三甲苯基硼基萘、4-(10'-苯基-9'-蒽基)二均三甲苯基硼基萘、9-(二均三甲苯基硼基)蒽、9-(4'-联苯基)-10-(二均三甲苯基硼基)蒽、9-(4'-(N-咔唑基)苯基)-10-(二均三甲苯基硼基)蒽等。
另外，也可使用国际公开第2000/40586号等中所记载的硼烷衍生物。
芳香族胺衍生物例如由下述式表示。
[化88]
Figure BDA0003249241830000811
所述式中，Ar4为源自碳数6～30的芳基的n价基，Ar5及Ar6分别独立地为碳数6～30的芳基，Ar4～Ar6可经芳基、杂芳基、烷基、环烷基、三取代硅烷基(经芳基、烷基和/或环烷基进行了三取代的硅烷基)或氰基取代，而且n为1～4的整数。
特别是更优选为如下的芳香族胺衍生物：Ar4为源自蒽、
Figure BDA00032492418300008114
芴、苯并芴或芘的二价基，Ar5及Ar6分别独立地为碳数6～30的芳基，Ar4～Ar6可经芳基、杂芳基、烷基、环烷基、三取代硅烷基(经芳基、烷基和/或环烷基进行了三取代的硅烷基)或氰基取代，而且n为2。
碳数6～30的芳基的具体例可列举：苯基、萘基、苊基、芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、
Figure BDA0003249241830000813
基、并四苯基、苝基、并五苯基等。
作为芳香族胺衍生物，作为
Figure BDA0003249241830000814
系，例如可列举：N,N,N',N'-四苯基
Figure BDA0003249241830000815
-6,12-二胺、N,N,N',N'-四(对甲苯基)
Figure BDA0003249241830000816
-6,12-二胺、N,N,N',N'-四(间甲苯基)
Figure BDA0003249241830000817
-6,12-二胺、N,N,N',N'-四(4-异丙基苯基)
Figure BDA0003249241830000818
-6,12-二胺、N,N,N',N'-四(萘-2-基)
Figure BDA0003249241830000819
-6,12-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(对甲苯基)
Figure BDA00032492418300008110
-6,12-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-双(4-乙基苯基)
Figure BDA00032492418300008111
-6,12-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-双(4-异丙基苯基)
Figure BDA00032492418300008112
-6,12-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-双(4-叔丁基苯基)
Figure BDA00032492418300008113
-6,12-二胺、N,N'-双(4-异丙基苯基)-N,N'-二(对甲苯基)
Figure BDA0003249241830000822
-6,12-二胺等。
另外，作为芘系，例如可列举：N,N,N',N'-四苯基芘-1,6-二胺、N,N,N',N'-四(对甲苯基)芘-1,6-二胺、N,N,N',N'-四(间甲苯基)芘-1,6-二胺、N,N,N',N'-四(4-异丙基苯基)芘-1,6-二胺、N,N,N',N'-四(3,4-二甲基苯基)芘-1,6-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(对甲苯基)芘-1,6-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-双(4-乙基苯基)芘-1,6-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-双(4-异丙基苯基)芘-1,6-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-双(4-叔丁基苯基)芘-1,6-二胺、N,N'-双(4-异丙基苯基)-N,N'-二(对甲苯基)芘-1,6-二胺、N,N,N',N'-四(3,4-二甲基苯基)-3,8-二苯基芘-1,6-二胺、N,N,N,N-四苯基芘-1,8-二胺、N,N'-双(联苯-4-基)-N,N'-二苯基芘-1,8-二胺、N1,N6-二苯基-N1,N6-双-(4-三甲基硅烷基-苯基)-1H,8H-芘-1,6-二胺等。
另外，作为蒽系，例如可列举：N,N,N,N-四苯基蒽-9,10-二胺、N,N,N',N'-四(对甲苯基)蒽-9,10-二胺、N,N,N',N'-四(间甲苯基)蒽-9,10-二胺、N,N,N',N'-四(4-异丙基苯基)蒽-9,10-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(对甲苯基)蒽-9,10-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(间甲苯基)蒽-9,10-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-双(4-乙基苯基)蒽-9,10-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-双(4-异丙基苯基)蒽-9,10-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-双(4-叔丁基苯基)蒽-9,10-二胺、N,N'-双(4-异丙基苯基)-N,N'-二(对甲苯基)蒽-9,10-二胺、2,6-二-叔丁基-N,N,N',N'-四(对甲苯基)蒽-9,10-二胺、2,6-二-叔丁基-N,N'-二苯基-N,N'-双(4-异丙基苯基)蒽-9,10-二胺、2,6-二-叔丁基-N,N'-双(4-异丙基苯基)-N,N'-二(对甲苯基)蒽-9,10-二胺、2,6-二环己基-N,N'-双(4-异丙基苯基)-N,N'-二(对甲苯基)蒽-9,10-二胺、2,6-二环己基-N,N'-双(4-异丙基苯基)-N,N'-双(4-叔丁基苯基)蒽-9,10-二胺、9,10-双(4-二苯基氨基-苯基)蒽、9,10-双(4-二(1-萘基氨基)苯基)蒽、9,10-双(4-二(2-萘基氨基)苯基)蒽、10-二-对甲苯基氨基-9-(4-二-对甲苯基氨基-1-萘基)蒽、10-二苯基氨基-9-(4-二苯基氨基-1-萘基)蒽、10-二苯基氨基-9-(6-二苯基氨基-2-萘基)蒽等。
另外，此外可列举：[4-(4-二苯基氨基-苯基)萘-1-基]-二苯基胺、[6-(4-二苯基氨基-苯基)萘-2-基]-二苯基胺、4,4'-双[4-二苯基氨基萘-1-基]联苯、4,4'-双[6-二苯基氨基萘-2-基]联苯、4,4”-双[4-二苯基氨基萘-1-基]-对联三苯、4,4”-双[6-二苯基氨基萘-2-基]-对联三苯等。
另外，也可使用日本专利特开2006-156888号公报等中所记载的芳香族胺衍生物。
作为香豆素衍生物，可列举香豆素-6、香豆素-334等。
另外，也可使用日本专利特开2004-43646号公报、日本专利特开2001-76876号公报、及日本专利特开平6-298758号公报等中所记载的香豆素衍生物。
作为吡喃衍生物，可列举下述的吡喃腈衍生物(pyran nitrile derivative，DCM)、(E)-4-(二氰基亚甲基)-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼定基乙烯基)吡喃(4-(Dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidin-4-yl-vinyl)-4H-pyran，DCJTB)等。
[化89]
Figure BDA0003249241830000821
另外，也可使用日本专利特开2005-126399号公报、日本专利特开2005-097283号公报、日本专利特开2002-234892号公报、日本专利特开2001-220577号公报、日本专利特开2001-081090号公报、及日本专利特开2001-052869号公报等中所记载的吡喃衍生物。
特别是优选为在发光层中使用本发明的多环芳香族化合物作为主体材料，同时使用磷光材料或TADF材料(热活性型延迟荧光体)作为掺杂剂材料。
3-1-5-2-1.磷光材料
磷光材料利用由金属原子引起的分子内自旋-轨道相互作用(重原子效果)获得来自三重态的发光。作为此种磷光材料，例如可使用发光性金属络合物。作为发光性金属络合物，例如可列举下述式(B-1)所表示的化合物。
[化90]
Figure BDA0003249241830000831
式(B-1)中，M为选自由Ir、Pt、Au、Eu、Ru、Re、Ag及Cu所组成的群组中的至少一种，n为1～3的整数，“X-Y”分别独立地为双齿的单阴离子性配体。
作为式(B-1)所表示的化合物，例如可列举下述式(B-10)或式(B-15)所表示的化合物。
[化91]
Figure BDA0003249241830000832
式(B-10)及式(B-15)中，X'为包含与M进行键结的碳(C)的芳香族环，Y'为包含与M进行配位键结的氮(N)的杂环。X'及Y'进行键结，可以X'及Y'形成新的环。另外，式(B-15)中，Z为具有两个氧的双齿配体。式(B-10)及式(B-15)中，就高效率及长寿命的观点而言，M优选为Ir。
作为式(B-10)所表示的化合物，例如可列举：Ir(ppy)3、Ir(ppy)2(acac)、Ir(mppy)3、Ir(PPy)2(m-bppy)、BtpIr(acac)、Ir(btp)2(acac)、Ir(2-phq)3、Hex-Ir(phq)3、Ir(fbi)2(acac)、三(2-(3-对二甲苯基)苯基)吡啶合铱(III)(fac-Tris(2-(3-p-xylyl)phenyl)pyridine iridium(III))、Eu(dbm)3(Phen)、Ir(piq)3、Ir(piq)2(acac)、Ir(Fliq)2(acac)、Ir(Flq)2(acac)、Ru(dtb-bpy)3·2(PF6)、Ir(2-phq)3、Ir(BT)2(acac)、Ir(DMP)3、Ir(Mphq)3IR(phq)2tpy、fac-Ir(ppy)2Pc、Ir(dp)PQ2、Ir(Dpm)(Piq)2、Hex-Ir(piq)2(acac)、Hex-Ir(piq)3、Ir(dmpq)3、Ir(dmpq)2(acac)、FPQIrpic等。
作为式(B-10)所表示的化合物，此外例如可列举下述式(B-10-1)～式(B-10-31)所表示的化合物。
[化92]
Figure BDA0003249241830000841
作为式(B-15)所表示的化合物，此外例如可列举下述式(B-15-1)～式(B-15-6)所表示的化合物。
[化93]
Figure BDA0003249241830000851
另外，也可使用日本专利特开2006-089398号公报、日本专利特开2006-080419号公报、日本专利特开2005-298483号公报、日本专利特开2005-097263号公报、及日本专利特开2004-111379号公报、美国专利申请公开第2019/0051845号说明书等中所记载的铱络合物。
3-1-5-2-2.TADF材料
本说明书中，TADF材料是指作为“热活性型延迟荧光体”的材料。“热活性型延迟荧光体”中，通过减小激发单重态与激发三重态的能量差，来高效率地产生通常迁移概率低的自激发三重态状态向激发单重态状态的逆能量转移，显现来自单重态的发光(热活性型延迟荧光，TADF)。在通常的荧光发光中，通过电流激发而产生的75％的三重态激子通过热失活路径，因此无法作为荧光来提取。另一方面，在TADF中可将所有的激子用于荧光发光，可实现高效率的有机EL元件。
TADF材料优选为被设计成使用被称为施体的供电子性的取代基与被称为受体的电子接受性的取代基来使分子内的HOMO与LUMO局部存在化，以产生有效率的反向系间跨越(reverse intersystem crossing)的施体-受体型TADF化合物(D-A型TADF化合物)。
此处，本说明书中“供电子性的取代基”(施体)是指在TADF化合物分子中HOMO轨道局部存在的取代基及部分结构，“电子接受性的取代基”(受体)是指在TADF化合物分子中LUMO轨道局部存在的取代基及部分结构。
作为TADF材料，例如可使用多环芳香族化合物(以下，有时称为“式(2)的多环芳香族化合物”)、或者式(2)的多环芳香族化合物与其他TADF材料的组合等，所述多环芳香族化合物为下述式(2)所表示的单量体、或者为具有多个式(2)所表示的结构单元的多聚体。
＜式(2)的多环芳香族化合物＞
作为下述式(2)所表示的单量体、或作为具有多个式(2)所表示的结构单元的多聚体的多环芳香族化合物作为TADF材料，可提供高的颜色纯度(参照国际公开第2015/102118号、国际公开第2020/162600号等)。
[化94]
Figure BDA0003249241830000861
A环、B环及C环分别独立地为可经取代的芳基环或可经取代的杂芳基环，其中，式(2)所表示的多环芳香族化合物中的A环、B环及C环中与B以及X11和/或X12键结的环均非包含氮的6元环，
X11及X12分别独立地为＞O或＞N-R，所述＞N-R的R为可经取代的芳基、可经取代的杂芳基、可经取代的烷基、或可经取代的环烷基，所述＞N-R的R可通过连结基或单键而与A环和/或B环或者A环和/或C环键结，
式(2)所表示的结构或具有多个式(2)所表示的结构单元的结构中选自由芳基环及杂芳基环所组成的群组中的至少一个可经至少一个环烷烃缩合，所述环烷烃中的至少一个氢可经取代，所述环烷烃中的至少一个-CH2-可经-O-取代，
式(2)所表示的结构或具有多个式(2)所表示的结构单元的结构中至少一个氢可经氘、氰基或卤素取代。
式(2)的多环芳香族化合物优选为作为下述式(2-a)、式(2-b)、式(2-c)、式(2-d)、式(2-e)、或式(2-f)所表示的单量体的多环芳香族化合物，或者为作为具有多个下述式(2-a)、式(2-b)、式(2-c)、式(2-d)、式(2-e)、或式(2-f)所表示的结构单元的多聚体的多环芳香族化合物。
[化95]
Figure BDA0003249241830000871
再者，在各结构式中“A”～“C”及“a”～“c”分别是表示由环(ring)、苯环、或5元环示出的环结构的符号，其他符号与所述定义相同。
式(2)中的A环、B环及C环分别独立地为芳基环或杂芳基环，这些环中的至少一个氢可经取代基取代。所述取代基优选为选自所述取代基群组YZ中的取代基、或经取代的硅烷基。作为式(2)所表示的单量体的多环芳香族化合物中的A环、B环及C环中，与B(硼)以及X11和/或X12键结的环均非包含氮的6元环。即，并非多聚体的式(2)的多环芳香族化合物在A环、B环及C环中，不具有含有氮的6元环作为与后述的缩合二环结构共有键结的环。
A环、B环、及C环优选为至少任一者为具有至少一个取代基的芳基环或具有至少一个取代基的杂芳基环，更优选为A环、B环、及C环均为具有至少一个取代基的芳基环或具有至少一个取代基的杂芳基环，进而优选为A环、B环、及C环分别为具有一个取代基的芳基环或具有一个取代基的杂芳基环。
特别是作为取代基，优选为经取代或未经取代的烷基(特别是新戊基)、金刚烷基般的环烷基。另外，优选为叔烷基(tR)。这是因为通过此种大体积的取代基防止由分子彼此的凝聚而引起的失活，发光量子产率(photoluminescence quantum yield，PLQY)提高。另外，作为取代基，也优选为经取代或未经取代的二芳基氨基。
所述叔烷基由下述式(tR)表示。
[化96]
Figure BDA0003249241830000872
式(tR)中，Ra、Rb、及Rc分别独立地为碳数1～24的烷基，所述烷基中的任意的-CH2-可经-O-取代，式(tR)所表示的基在*处与式(2)的多环芳香族化合物中的至少一个氢进行取代。
作为Ra、Rb、及Rc的“碳数1～24的烷基”，可为直链及支链的任一种，例如可列举：碳数1～24的直链烷基或碳数3～24的支链烷基、碳数1～18的烷基(碳数3～18的支链烷基)、碳数1～12的烷基(碳数3～12的支链烷基)、碳数1～6的烷基(碳数3～6的支链烷基)、碳数1～4的烷基(碳数3～4的支链烷基)。
式(2)的式(tR)中的Ra、Rb、及Rc的碳数的合计优选为碳数3～20，特别优选为碳数3～10。
作为Ra、Rb、及Rc的具体的烷基，可列举：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、正己基、1-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、正庚基、1-甲基己基、正辛基、叔辛基、1-甲基庚基、2-乙基己基、2-丙基戊基、正壬基、2,2-二甲基庚基、2,6-二甲基-4-庚基、3,5,5-三甲基己基、正癸基、正十一基、1-甲基癸基、正十二基、正十三基、1-己基庚基、正十四基、正十五基、正十六基、正十七基、正十八基、正二十基等。
作为式(tR)所表示的基，例如可列举：叔丁基、叔戊基、1-乙基-1-甲基丙基、1,1-二乙基丙基、1,1-二甲基丁基、1-乙基-1-甲基丁基、1,1,3,3-四甲基丁基、1,1,4-三甲基戊基、1,1,2-三甲基丙基、1,1-二甲基辛基、1,1-二甲基戊基、1,1-二甲基庚基、1,1,5-三甲基己基、1-乙基-1-甲基己基、1-乙基-1,3-二甲基丁基、1,1,2,2-四甲基丙基、1-丁基-1-甲基戊基、1,1-二乙基丁基、1-乙基-1-甲基戊基、1,1,3-三甲基丁基、1-丙基-1-甲基戊基、1,1,2-三甲基丙基、1-乙基-1,2,2-三甲基丙基、1-丙基-1-甲基丁基、1,1-二甲基己基等。这些中，优选为叔丁基及叔戊基。
作为A环、B环、及C环中的取代基的其他优选的例子，例如可列举：经式(tR)的基取代的二芳基氨基、经式(tR)的基取代的咔唑基或经式(tR)的基取代的苯并咔唑基。关于“二芳基氨基”，可列举下述作为“第一取代基”而说明的基。作为针对二芳基氨基、咔唑基及苯并咔唑基的式(tR)的基的取代形态，可列举这些基中的芳基环或苯环的一部分或全部的氢经式(tR)的基取代的例子。
A环、B环及C环中的芳基环或杂芳基环优选为具有与包含“B”、“X1”及“X2”的式(2)中央的缩合二环结构共有键结的5元环或6元环。
此处，所谓“缩合二环结构”，是指式(2)的中央所示的包含“B”、“X11”及“X12”而构成的两个饱和烃环缩合而成的结构。另外，所谓“与缩合二环结构共有键结的6元环”，例如是指如式(2-a)、式(2-b)、式(2-c)、式(2-d)、式(2-e)、及式(2-f)所示般在所述缩合二环结构中缩合的a环(苯环(6元环))。另外，所谓“(作为A环的)芳基环或杂芳基环具有所述6元环”，是指仅由所述6元环形成A环、或以包含所述6元环的方式在所述6元环中进而缩合其他环等来形成A环。换句话说，所谓此处所述的“具有6元环的(作为A环的)芳基环或杂芳基环”，是指构成A环的全部或一部分的6元环在所述缩合二环结构中缩合。关于“5元环”，相同的说明也适用。另外，关于“B环(b环)”、“C环(c环)”，相同的说明也适用。
式(2)中的A环对应于式(2-a)、式(2-b)、式(2-c)、式(2-d)、式(2-e)、及式(2-f)中的a环与其取代基R1～取代基R3。式(2)中的B环对应于式(2-a)、式(2-b)、及式(2-c)中的b环与其取代基R8～取代基R11、式(2-d)中的b环与其取代基R10及取代基R11、以及式(2-e)、及式(2-f)中的b环与其取代基R8及取代基R9。式(2)中的C环对应于式(2-a)中的c环与其取代基R4～取代基R7、式(2-b)、式(2-d)、及式(2-f)中的c环与其取代基R4及取代基R5、以及式(2-c)及式(2-e)中的c环与其取代基R6及取代基R7。即，式(2-a)对应于选择至少具有6元环结构的环作为式(2)的A环～C环的结构，式(2-b)、式(2-c)、式(2-d)、式(2-e)、及式(2-f)分别对应于选择至少具有6元环结构的环及至少具有5元环结构的环作为式(2)的A环～C环的结构。以所述含义，由小写字母a～c来表示式(2-a)等的各环。
式(2-b)、式(2-c)、式(2-d)、式(2-e)、及式(2-f)中的XX分别独立地为＞O、＞S、＞N-R、或＞C(-R)2。此处所述＞N-R的R为可经取代的芳基、可经取代的杂芳基、可经取代的烷基、或可经取代的环烷基，优选为可经取代的芳基，更优选为未经取代的芳基。另外，所述＞C(-R)2的R分别独立地为氢、可经烷基或环烷基取代的芳基、可经烷基或环烷基取代的杂芳基、烷基、或环烷基，优选为烷基，更优选为甲基。＞C(-R)2中的两个R优选为相同。另外＞C(-R)2中的两个R也优选为相互形成环。XX优选为分别独立地为＞O、＞S、或＞N-R，更优选为＞O、或＞S，进而优选为＞S。
式(2-a)、式(2-b)、式(2-c)、式(2-d)、式(2-e)、及式(2-f)中，R1～R11分别独立地为选自取代基群组YZ中的取代基、或经取代的硅烷基。
优选为：式(2-a)、式(2-b)、式(2-c)、式(2-d)、式(2-e)、及式(2-f)各自中的R1～R3中，零个～一个为氢以外的取代基且其他为氢，R4～R7中，零个～一个为氢以外的取代基且其他为氢，R8～R11中，零个～一个为氢以外的取代基且其他为氢，
更优选为：R1～R3中，一个为氢以外的取代基且其他为氢，R4～R7中，一个为氢以外的取代基且其他为氢，R8～R11中，一个为氢以外的取代基且其他为氢。作为氢以外的取代基，优选的范围可参照作为第一取代基(可具有第二取代基)而后述的取代基的记载。作为氢以外的取代基，特别优选为烷基(特别是所述叔烷基(tR)、新戊基等)、环烷基(例如，金刚烷基等)、或者经取代或未经取代的二芳基氨基。
式(2-a)、式(2-b)、式(2-c)、式(2-d)、式(2-e)、及式(2-f)中，a环、b环及c环的取代基R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、及R11中的邻接的基彼此可键结并与a环、b环、或c环一起形成芳基环或杂芳基环，所形成的环中的至少一个氢可经芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、二芳基硼基(两个芳基可经由单键或连结基键结)、烷基、环烷基、烷氧基、芳氧基、或经取代的硅烷基取代，这些中的至少一个氢可经芳基、杂芳基、烷基、环烷基、或经取代的硅烷基取代。
例如，式(2-a)所表示的化合物根据a环、b环及c环中的取代基的相互的键结形态，如下述式(2-a-1)及式(2-a-2)所示般，构成化合物的环结构发生变化。各式中的A'环、B'环及C'环对应于式(2)中的各个A环、B环及C环。另外，各式中的R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、a、b、c、X11及X12的定义与式(2-a)中的定义相同。
[化97]
Figure BDA0003249241830000901
若以式(2-a)进行说明，则式(2-a-1)及式(2-a-2)中的A'环、B'环及C'环表示取代基R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、及R11中的邻接的基彼此键结并分别与a环、b环、及c环一起形成的芳基环或杂芳基环(也可称为其他环结构在a环、b环、或c环中缩合而成的缩合环)。再者，虽然式中未示出，但也有a环、b环、及c环全部变化成A'环、B'环、及C'环的化合物。另外，如根据式(2-a-1)及式(2-a-2)而可知般，例如b环的R8与c环的R7、b环的R11与a环的R1、c环的R4与a环的R3等并不符合“邻接的基彼此”，这些不会进行键结。即，所谓“邻接的基”是指在同一环上邻接的基。
式(2-a-1)或式(2-a-2)所表示的化合物对应于例如后述的作为具体的化合物所列举的式(2-67)～式(2-74)、式(2-76)～式(2-83)、式(2-273)～式(2-276)、式(2-290)～式(2-295)及式(2-350)～式(2-355)所表示的化合物等。即，例如为具有苯环、吲哚环、吡咯环、呋喃环、噻吩环、苯并呋喃环、苯并噻吩环、环戊二烯环、或茚环相对于作为a环(或b环或c环)的苯环进行缩合而形成的A'环(或B'环或C'环)的化合物，所形成而成的缩合环A'(或缩合环B'或缩合环C')分别为萘环、咔唑环、吲哚环、苯并呋喃环、苯并噻吩环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环、茚环、或芴环。
另外，式(2-b)、式(2-c)、式(2-d)、式(2-e)、及式(2-f)中，也可分别同样地形成其他环结构在a环、b环、或c环中进行缩合而成的缩合环。例如作为a环或b环的苯环可与所述式(2-a)中的苯环同样地将其他环结构缩合而形成缩合环。
式(2-b)、式(2-c)、式(2-d)、式(2-e)、及式(2-f)中，特别优选为在作为b环或c环的5元环中，R4～R11中的邻接的基彼此键结而形成环从而形成缩合环。例如，式(2-b)及式(2-c)的c环、以及式(2-d)、式(2-e)、及式(2-f)的b环及c环中，R3～R11中的邻接的基彼此键结而形成环，由此可形成作为缩合环的B'环或C'环。作为所形成的环为苯环时的缩合环的例子，可列举：吲哚环、苯并呋喃环、苯并噻吩环。
作为一例，以下示出在式(2-b)的c环即5元环中，R4及R5彼此键结而形成苯环从而形成缩合环的例子。
[化98]
Figure BDA0003249241830000911
式(2-b-1)中，R1、R2、R3、R8、R9、R10、R11、XX、X11及X12与式(2-b)中的各个含义相同，优选的范围也相同。R4b、R5b、R6b、R7b为氢、选自取代基群组YZ中的取代基、或经取代的硅烷基。R4b、R5b、R6b、R7b中，优选为零个～两个为氢以外的取代基且其他为氢，更优选为一个为氢以外的取代基且其他为氢。作为氢以外的取代基，优选的范围可参照后述的取代基的记载。作为氢以外的取代基，特别优选为烷基(特别是所述叔烷基(tR)、新戊基等)、环烷基(例如，金刚烷基等)、或者经取代或未经取代的二芳基氨基。
例如，式(2-b)、式(2-c)、式(2-d)、式(2-e)、及式(2-f)中，当XX为＞O时，b环和/或c环成为呋喃环，但对应于苯环相对于所述呋喃环进行缩合而形成的式(2-a-1)的B'环和/或C'环的环为苯并呋喃环。
另外，例如式(2-b)、式(2-c)、式(2-d)、式(2-e)、及式(2-f)中，当XX为＞S时，b环和/或c环成为噻吩环，但对应于苯环相对于所述噻吩环进行缩合而形成的式(2-a-1)的B'环和/或C'环的环为苯并噻吩环。
作为此种结构的例子，可列举后述的式(2-572)～式(2-588)的任一者所表示的化合物。
式(2)中的X11及X12分别独立地为＞O或＞N-R，所述＞N-R的R为可经取代的芳基、可经取代的杂芳基、可经取代的烷基、或可经取代的环烷基，所述＞N-R的R可通过连结基或单键而与所述B环和/或C环键结，作为连结基，优选为-O-、-S-或-C(-R)2-。再者，所述“-C(-R)2-”的R为氢、烷基或环烷基。所述说明在式(2-a)、式(2-b)、式(2-c)、式(2-d)、式(2-e)、及式(2-f)中的X11及X12中也相同。
式(2)以及式(2-a)、式(2-b)、式(2-c)、式(2-d)、式(2-e)、及式(2-f)中，X11及X12更优选为均为R为可经取代的苯基的＞N-R，进而优选为至少一个R为取代有一个或两个叔丁基、叔戊基、甲基或苯基的苯基的＞N-R，特别优选为至少一个R为取代有一个叔丁基或叔戊基的苯基的＞N-R。X11及X12可为相互相同的基亦可不同。
此处，式(2)中的“＞N-R的R通过连结基或单键而与A环和/或B环或者A环和/或C环键结”的规定对应于式(2-a)、式(2-b)、式(2-c)、式(2-d)、式(2-e)、及式(2-f)中“＞N-R的R通过-O-、-S-、-C(-R)2-或单键而与a环和/或b环或者a环和/或c环键结”的规定。
所述规定可由下述式(2-a-3-1)所表示的、具有X11或X12被导入至缩合环B'及缩合环C'中的环结构的化合物来表现。即，例如为具有其他环以导入X11(或X12)的方式相对于式(2-a)中的b环(或c环)即苯环进行缩合而形成的B'环(或C'环)的化合物。所形成而成的缩合环B'(或缩合环C')例如为吩噁嗪环、吩噻嗪环或吖啶环。
另外，所述规定也可由下述式(2-a-3-2)或式(2-a-3-3)所表示的、具有X11和/或X12被导入至缩合环A'中的环结构的化合物来表现。即，例如为具有其他环以导入X11(和/或X12)的方式相对于式(2-a)中的a环即苯环进行缩合而形成的A'环的化合物。所形成而成的缩合环A'例如为咔唑环、吩噁嗪环、吩噻嗪环或吖啶环。
[化99]
Figure BDA0003249241830000921
关于作为式(2)的A环、B环及C环的“芳基环”，例如可列举碳数6～30的芳基环，优选为碳数6～16的芳基环，更优选为碳数6～12的芳基环，特别优选为碳数6～10的芳基环。再者，所述“芳基环”对应于式(2)中所规定的“R1～R11中的邻接的基彼此键结并与a环、b环或c环一起形成的芳基环”，另外a环(或b环、c环)已包含碳数6的苯环，因此5元环在其中进行缩合而成的缩合环的合计碳数9成为下限的碳数。
作为具体的“芳基环”，可列举：作为单环系的苯环，作为二环系的联苯环，作为缩合二环系的萘环、茚环、四氢化萘(tetralin)环，作为三环系的三联苯环(间三联苯基、邻三联苯基、对三联苯基)，作为缩合三环系的苊环、芴环、非那烯环、菲环、蒽环，作为缩合四环系的三亚苯环、芘环、并四苯环、
Figure BDA0003249241830000922
环，作为缩合五环系的苝环、并五苯环等。
关于作为式(2)的A环、B环及C环的“杂芳基环”，例如可列举碳数2～30的杂芳基环，优选为碳数2～25的杂芳基环，更优选为碳数2～20的杂芳基环，进而优选为碳数2～15的杂芳基环，特别优选为碳数2～10的杂芳基环。另外，作为“杂芳基环”，例如可列举除碳以外含有一个至五个选自氧、硫及氮中的杂原子作为环构成原子的杂环等。再者，所述“杂芳基环”对应于式(2-a)、式(2-b)、式(2-c)、式(2-d)、式(2-e)、及式(2-f)中所规定的“R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10及R11中的邻接的基彼此键结并与a环、b环或c环一起形成的杂芳基环”，另外a环(或b环、c环)已包含碳数6的苯环，因此5元环在其中进行缩合而成的缩合环的合计碳数6成为下限的碳数。
作为具体的“杂芳基环”，例如可列举：吡咯环、噁唑环、异噁唑环、噻唑环、异噻唑环、咪唑环、噁二唑环、噻二唑环、三唑环、四唑环、吡唑环、吡啶环、嘧啶环、哒嗪环、吡嗪环、三嗪环、吲哚环、异吲哚环、1H-吲唑环、苯并咪唑环、苯并噁唑环、苯并噻唑环、1H-苯并三唑环、喹啉环、异喹啉环、噌啉环、喹唑啉环、喹噁啉环、酞嗪环、萘啶环、嘌呤环、蝶啶环、咔唑环、吖啶环、吩噁噻环、吩噁嗪环、吩噻嗪环、吩嗪环、吲嗪环、呋喃环、苯并呋喃环、异苯并呋喃环、二苯并呋喃环、噻吩环、苯并噻吩环、二苯并噻吩环、呋咱环、噻蒽环、吲哚并咔唑环、苯并吲哚并咔唑环、苯并苯并吲哚并咔唑环、萘并苯并呋喃环、二-8-羟基喹啉环、二氢吖啶环、呫吨环、噻吨环、二苯并二-8-羟基喹啉环等。
作为A环、B环、及C环的“芳基环”及“杂芳基环”可分别在任一位置与B(硼)、及X11或X12键结。即，作为A环、B环、及C环的“芳基环”及“杂芳基环”可分别在任一位置与式(2)中央的缩合二环结构共有键结。例如在“芳基环”及“杂芳基环”为缩合有两个以上的环的缩合环的情况下，可以任一环与式(2)中央的缩合二环结构共有键结。其中，如所述般A环、B环、C环优选为具有与包含B(硼)、X11、及X12的式(2)中央的缩合二环结构共有键结的5元环或6元环。即，例如式(2-a)中，R1～R3中邻接的基彼此键结并与a环一起、R4～R7中邻接的基彼此键结并与c环一起、及R8～R11中邻接的基彼此键结并与b环一起形成芳基环或杂芳基环的情况下，以作为6元环的苯环与式(2)中央的缩合二环结构共有键结。另外，式(2-b)的R4与R5和c环一起形成芳基环或杂芳基环的情况下，式(2-c)的R6与R7和c环一起形成芳基环或杂芳基环的情况下，式(2-d)的R4与R5和c环一起或者R10与R11和b环一起形成芳基环或杂芳基环的情况下，式(2-e)的R6与R7和c环一起或者R8与R9和b环一起形成芳基环或杂芳基环的情况下、或者式(2-f)的R4与R5和c环一起或者R8与R9和b环一起形成芳基环或杂芳基环的情况下，以5元环与式(2)中央的缩合二环结构共有键结而优选。作为此时的5元环，可列举：吡咯环、呋喃环、噻吩环等。
作为选自取代基群组YZ中的取代基，可参照式(1)所表示的多环芳香族化合物中的选自取代基群组YZ中的取代基的说明。
作为“经取代的硅烷基”，例如可列举经选自由烷基、环烷基、及芳基所组成的群组中的三个取代基取代的硅烷基。例如可列举：三烷基硅烷基、三环烷基硅烷基、二烷基环烷基硅烷基、烷基二环烷基硅烷基、三芳基硅烷基、二烷基芳基硅烷基、及烷基二芳基硅烷基。
作为“三烷基硅烷基”，可列举硅烷基中的三个氢分别独立地经烷基取代的基，所述烷基可引用所述第一取代基中的作为“烷基”而说明的基。对于取代而言优选的烷基为碳数1～5的烷基，具体而言，可列举：甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、叔戊基等。
作为具体的三烷基硅烷基，可列举：三甲基硅烷基、三乙基硅烷基、三丙基硅烷基、三异丙基硅烷基、三丁基硅烷基、三仲丁基硅烷基、三叔丁基硅烷基、三叔戊基硅烷基、乙基二甲基硅烷基、丙基二甲基硅烷基、异丙基二甲基硅烷基、丁基二甲基硅烷基、仲丁基二甲基硅烷基、叔丁基二甲基硅烷基、叔戊基二甲基硅烷基、甲基二乙基硅烷基、丙基二乙基硅烷基、异丙基二乙基硅烷基、丁基二乙基硅烷基、仲丁基二乙基硅烷基、叔丁基二乙基硅烷基、叔戊基二乙基硅烷基、甲基二丙基硅烷基、乙基二丙基硅烷基、丁基二丙基硅烷基、仲丁基二丙基硅烷基、叔丁基二丙基硅烷基、叔戊基二丙基硅烷基、甲基二异丙基硅烷基、乙基二异丙基硅烷基、丁基二异丙基硅烷基、仲丁基二异丙基硅烷基、叔丁基二异丙基硅烷基、叔戊基二异丙基硅烷基等。
作为“三环烷基硅烷基”，可列举硅烷基中的三个氢分别独立地经环烷基取代的基，所述环烷基可引用所述第一取代基中的作为“环烷基”而说明的基。对于取代而言优选的环烷基为碳数5～10的环烷基，具体而言，可列举：环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基、环癸基、双环[1.1.1]戊基、双环[2.1.0]戊基、双环[2.1.1]己基、双环[3.1.0]己基、双环[2.2.1]庚基、双环[2.2.2]辛基、金刚烷基、十氢萘基、十氢薁基等。
作为具体的三环烷基硅烷基，可列举三环戊基硅烷基、三环己基硅烷基等。
作为取代有两个烷基与一个环烷基的二烷基环烷基硅烷基、及取代有一个烷基与两个环烷基的烷基二环烷基硅烷基的具体例，可列举取代有选自所述具体的烷基及环烷基中的基的硅烷基。
作为取代有两个烷基与一个芳基的二烷基芳基硅烷基、取代有一个烷基与两个芳基的烷基二芳基硅烷基、以及取代有三个芳基的三芳基硅烷基的具体例，可列举取代有选自所述具体的烷基及芳基中的基的硅烷基。作为三芳基硅烷基的具体例，可特别列举三苯基硅烷基。
式(2)的多环芳香族化合物中，可利用第一取代基的结构的位阻性、供电子性及吸电子性来调整发光波长。第一取代基优选为以下结构式所表示的基，更优选为甲基、叔丁基、叔戊基(t-pentyl)(t-amyl)、叔辛基、新戊基、环己基、金刚烷基、苯基、邻甲苯基、对甲苯基、2,4-二甲苯基、2,5-二甲苯基、2,6-二甲苯基、2,4,6-均三甲苯基、二苯基氨基、二-对甲苯基氨基、双(对(叔丁基)苯基)氨基、咔唑基、3,6-二甲基咔唑基、3,6-二-叔丁基咔唑基及苯氧基，进而优选为甲基、叔丁基、叔辛基、新戊基、环己基、金刚烷基、苯基、邻甲苯基、2,6-二甲苯基、2,4,6-均三甲苯基、二苯基氨基、二-对甲苯基氨基、双(对(叔丁基)苯基)氨基、咔唑基、3,6-二甲基咔唑基及3,6-二-叔丁基咔唑基。就合成容易性的观点而言，位阻大的基由于进行选择性合成而优选，具体而言，优选为叔丁基、叔戊基(t-pentyl)(t-amyl)、叔辛基、金刚烷基、邻甲苯基、对甲苯基、2,4-二甲苯基、2,5-二甲苯基、2,6-二甲苯基、2,4,6-均三甲苯基、二-对甲苯基氨基、双(对(叔丁基)苯基)氨基、3,6-二甲基咔唑基及3,6-二-叔丁基咔唑基。
下述结构式中，“Me”表示甲基，“tBu”表示叔丁基，“tAm”表示叔戊基，“tOct”表示叔辛基，*表示键结位置。
[化100]
Figure BDA0003249241830000951
[化101]
Figure BDA0003249241830000961
[化102]
Figure BDA0003249241830000971
[化103]
Figure BDA0003249241830000981
[化104]
Figure BDA0003249241830000982
[化105]
Figure BDA0003249241830000991
[化106]
Figure BDA0003249241830001001
[化107]
Figure BDA0003249241830001002
[化108]
Figure BDA0003249241830001011
[化109]
Figure BDA0003249241830001012
[化110]
Figure BDA0003249241830001021
[化111]
Figure BDA0003249241830001031
[化112]
Figure BDA0003249241830001041
作为式(2-a)、式(2-b)、式(2-c)、式(2-d)、式(2-e)、及式(2-f)的R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、及R11中的芳基、杂芳基、二芳基氨基的芳基、二杂芳基氨基的杂芳基、芳基杂芳基氨基的芳基与杂芳基、二芳基硼基的芳基、或芳氧基的芳基，可列举式(2)中说明的“芳基环”或“杂芳基环”的一价基。另外，作为R1～R11中的烷基、环烷基或烷氧基，可参照所述式(2)的说明中的作为第一取代基的“烷基”、“环烷基”或“烷氧基”的说明。进而，作为针对这些基的取代基的芳基、杂芳基、烷基或环烷基也相同。另外，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、及R11中的邻接的基彼此键结并与a环、b环、或c环一起形成芳基环或杂芳基环时的针对这些环的取代基即杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、二芳基硼基、烷基、环烷基、烷氧基或芳氧基、及作为进一步的取代基的芳基、杂芳基、烷基、或环烷基也相同。
式(2)的X11及X12中的＞N-R的R为芳基、杂芳基、烷基、或环烷基，芳基或杂芳基中的至少一个氢例如可经烷基、环烷基、或经取代的硅烷基取代。作为所述芳基、杂芳基、烷基及环烷基，可列举所述的基。特别优选为碳数6～10的芳基(例如苯基、萘基等)、碳数2～15的杂芳基(例如咔唑基等)、碳数1～5的烷基(例如甲基、乙基等)或碳数5～10的环烷基(优选为环己基或金刚烷基)。所述说明在式(2-a)、式(2-b)、式(2-c)、式(2-d)、式(2-e)、及式(2-f)中的X11及X12中也相同。式(2-a)、式(2-b)、式(2-c)、式(2-d)、式(2-e)、及式(2-f)的X11及X12中的＞N-R的R为可经碳数1～6的烷基或碳数3～14的环烷基取代的碳数6～12的芳基、可经碳数1～6的烷基或碳数3～14的环烷基取代的碳数2～15的杂芳基、碳数1～6的烷基、或者碳数3～14的环烷基，优选为可经碳数1～4的烷基或碳数5～10的环烷基取代的碳数6～10的芳基、碳数1～4的烷基、或者碳数5～10的环烷基。
式(2)中的连结基即“-C(-R)2-”的R为氢、烷基或环烷基，作为所述烷基及环烷基，可列举所述的基。特别优选为碳数1～5的烷基(例如甲基、乙基等)或碳数5～10的环烷基(优选为环己基或金刚烷基)。所述说明在式(2-a)、式(2-b)、式(2-c)、式(2-d)、式(2-e)、及式(2-f)中的连结基即“-C(-R)2-”中也相同。
掺杂剂材料可为具有多个式(2)所表示的结构单元的多聚体即多环芳香族化合物。多聚体优选为具有多个式(2-a)、式(2-b)、式(2-c)、式(2-d)、式(2-e)、及式(2-f)所表示的结构单元的多聚体即多环芳香族化合物。多聚体优选为二聚体～六聚体，更优选为二聚体～三聚体，特别优选为二聚体。多聚体只要是在一个化合物中具有多个所述结构单元的形态即可，例如除多个所述结构单元利用单键、碳数1～3的亚烷基、亚苯基、亚萘基等连结基进行键结的形态以外，也可为以在多个结构单元中共有所述结构单元中包含的任意环(A环、B环或C环、a环、b环或c环)的方式进行键结的形态，另外，还可为以所述结构单元中包含的任意环(A环、B环或C环、a环、b环或c环)彼此缩合的方式进行键结的形态。
作为此种多聚体，例如可列举下述式(2-4)、式(2-4-1)、式(2-4-2)、式(2-5-1)～式(2-5-4)、式(2-6)或式(2-7)所表示的多聚体化合物。下述式(2-4)所表示的多聚体化合物若以式(2-a)进行说明，则为以共有作为a环的苯环的方式，在一个化合物中具有多个式(2-a)所表示的结构单元的多聚体化合物。另外，下述式(2-4-1)所表示的多聚体化合物若以式(2-a)进行说明，则为以共有作为a环的苯环的方式，在一个化合物中具有两个式(2-a)所表示的结构单元的多聚体化合物。另外，下述式(2-4-2)所表示的多聚体化合物若以式(2-a)进行说明，则为以共有作为a环的苯环的方式，在一个化合物中具有三个式(2-a)所表示的结构单元的多聚体化合物。另外，下述式(2-5-1)～式(2-5-4)所表示的多聚体化合物若以式(2-a)进行说明，则为以共有作为b环(或c环)的苯环的方式，在一个化合物中具有多个式(2-a)所表示的结构单元的多聚体化合物。另外，下述式(2-6)所表示的多聚体化合物若以式(2-a)进行说明，则例如为以作为某一结构单元的b环(或a环、c环)的苯环和作为某一结构单元的b环(或a环、c环)的苯环进行缩合的方式在一个化合物中具有多个式(2-a)所表示的结构单元的多聚体化合物。另外，下述式(2-7)所表示的多聚体化合物若以式(2-a)进行说明，则例如为以作为某一结构单元的b环、c环的苯环和作为各个另一结构单元的b环、c环的苯环分别进行缩合的方式在一个化合物中具有三个式(2-a)所表示的结构单元的多聚体化合物。
下述式(2-4)、式(2-4-1)、式(2-4-2)、式(2-5-1)～式(2-5-4)、式(2-6)及式(2-7)中，R1～R11、以及X11及X12与式(2-a)的R1～R11、以及X11及X12分别含义相同。
[化113]
Figure BDA0003249241830001061
Figure BDA0003249241830001071
多聚体化合物可为将式(2-4)、式(2-4-1)或式(2-4-2)所表现的多聚化形态与式(2-5-1)～式(2-5-4)的任一者或式(2-6)所表现的多聚化形态组合而成的多聚体，也可为将式(2-5-1)～式(2-5-4)的任一者所表现的多聚化形态与式(2-6)所表现的多聚化形态组合而成的多聚体，还可为将式(2-4)、式(2-4-1)或式(2-4-2)所表现的多聚化形态与式(2-5-1)～式(2-5-4)的任一者所表现的多聚化形态及式(2-6)所表现的多聚化形态组合而成的多聚体。
作为具有多个式(2)所表示的结构单元的多聚体即多环芳香族化合物，优选为分别包含以式(2-a)加以说明时的式(2-5-3)及式(2-7)所表示的化合物的下述式(D2)或式(D3)所表示的化合物。
[化114]
Figure BDA0003249241830001072
式(D2)或式(D3)中，A～C、X11及X12与式(2-a)的A～C、R1～R11、以及X11及X12分别含义相同。再者，式(D2)或式(D3)所表示的多环芳香族化合物中，与式(2)所表示的多环芳香族化合物(单量体)不同，在A环、B环及C环中与B(硼)以及X11和/或X12键结的环可为包含氮的6元环。
作为式(2)、式(2-a)、式(2-b)、式(2-c)、式(2-d)、式(2-e)、或式(2-f)所表示的单量体、或者作为具有多个这些任一者所表示的结构单元的多聚体的多环芳香族化合物的化学结构中的选自由芳基环及杂芳基环所组成的群组中的至少一个可经至少一个环烷烃缩合。
例如，作为A环、B环、C环、a环、b环、c环的芳基环及杂芳基环中的芳基环及杂芳基环、作为A环～C环中的第一取代基及第二取代基的芳基(芳基、二芳基氨基、芳基杂芳基氨基、二芳基硼基或芳氧基中的芳基部分)及杂芳基(杂芳基、二杂芳基氨基或芳基杂芳基氨基中的杂芳基部分)、作为针对a环、b环、c环的第一取代基及第二取代基的芳基(与所述相同)及杂芳基(与所述相同)、以及作为X11、X12即＞N-R的芳基(与所述相同)及杂芳基(与所述相同)中的至少一个可经至少一个环烷烃缩合。
优选为作为A环、B环、C环、a环、b环、c环的芳基环及杂芳基环、作为A环～C环中的第一取代基的芳基(芳基、二芳基氨基、二芳基硼基或芳氧基中的芳基部分)及杂芳基(杂芳基或二杂芳基氨基中的杂芳基部分)、作为针对a环～c环的第一取代基的芳基(与所述相同)及杂芳基(与所述相同)、以及作为X11、X12即＞N-R的芳基(与所述相同)及杂芳基(与所述相同)中的至少一个可经至少一个环烷烃缩合。
更优选为作为A环、B环、C环、a环、b环、c环的芳基环、作为A环～C环中的第一取代基的芳基(芳基或二芳基氨基中的芳基部分)及杂芳基(杂芳基中的杂芳基部分)、作为针对a环、b环、c环的第一取代基的芳基(与所述相同)及杂芳基(与所述相同)、以及作为X11、X12即＞N-R的R的芳基(与所述相同)中的至少一个可经至少一个环烷烃缩合。
进而优选为作为A环、B环、C环、a环、b环、c环的芳基环、作为A环～C环中的第一取代基的芳基(芳基或二芳基氨基中的芳基部分)、作为针对a环、b环、c环的第一取代基的芳基(与所述相同)、以及作为X11、X12即＞N-R的R的芳基(与所述相同)中的至少一个可经至少一个环烷烃缩合。
作为“环烷烃”，可列举：碳数3～24的环烷烃、碳数3～20的环烷烃、碳数3～16的环烷烃、碳数3～14的环烷烃、碳数5～10的环烷烃、碳数5～8的环烷烃、碳数5～6的环烷烃、碳数5的环烷烃等。
作为具体的环烷烃，可列举：环丙烷、环丁烷、环戊烷、环己烷、环庚烷、环辛烷、环壬烷、环癸烷、降冰片烷(双环[2.2.1]庚烷)、双环[1.1.0]丁烷、双环[1.1.1]戊烷、双环[2.1.0]戊烷、双环[2.1.1]己烷、双环[3.1.0]己烷、双环[2.2.1]庚烷、双环[2.2.2]辛烷、金刚烷、双金刚烷、十氢萘及十氢薁、以及这些的碳数1～5的烷基(特别是甲基)取代体、卤素(特别是氟)取代体及氘取代体等。
这些中，优选为例如下述结构式所示的、环烷烃的α位的碳(于在芳基环或杂芳基环中进行缩合的环烷烃中，与缩合部位的碳邻接的位置的碳)中的至少一个氢经取代的结构，更优选为α位的碳中的两个氢经取代的结构，进而优选为两个α位的碳中的合计四个氢经取代的结构。作为所述取代基，可列举碳数1～5的烷基(特别是甲基)取代体、卤素(特别是氟)取代体及氘取代体等。特别优选为在芳基环或杂芳基环中邻接的碳原子上键结有下述式(B)所表示的部分结构的结构。
[化115]
Figure BDA0003249241830001091
式(B)中，Me表示甲基，*表示键结位置，式(B)所表示的基在所键结的芳基环或杂芳基环的环上分别与邻接的两个元素键结。
作为此种结构的例子，可列举后述的式(2-559)～式(2-563)、式(2-580)的任一者所表示的化合物的结构等。
在一个芳香族环或杂芳香族环中进行缩合的环烷烃的数量优选为一个～三个，更优选为一个或两个，进而优选为一个。例如以下示出在一个苯环(苯基)中缩合有一个或多个环烷烃的例子。如式(Cy-1-4)及式(Cy-2-4)般缩合的环烷烃彼此也可缩合。不论是所缩合的环(基)为苯环(苯基)以外的其他芳香族环或杂芳香族环的情况，还是进行缩合的环烷烃为环戊烷或环己烷以外的其他环烷烃的情况，均相同。
[化116]
Figure BDA0003249241830001092
环烷烃中的至少一个-CH2-可经-O-取代。例如以下示出缩合于一个苯环(苯基)的环烷烃中的一个或多个-CH2-经-O-取代的例子。不论是所缩合的环(基)为苯环(苯基)以外的其他芳香族环或杂芳香族环的情况，还是进行缩合的环烷烃为环戊烷或环己烷以外的其他环烷烃的情况，均相同。
[化117]
Figure BDA0003249241830001093
环烷烃中的至少一个氢可经取代，作为所述取代基，例如可列举：芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、二芳基硼基(两个芳基可经由单键或连结基键结)、烷基、环烷基、烷氧基、芳氧基、经取代的硅烷基、氘、氰基或卤素，这些的详细情况可引用所述第一取代基的说明。这些取代基中，优选为烷基(例如碳数1～6的烷基)、环烷基(例如碳数3～14的环烷基)、卤素(例如氟)及氘等。另外，在环烷基进行取代的情况下，可为形成螺环结构的取代形态，以下示出所述例。
[化118]
Figure BDA0003249241830001101
作为环烷烃缩合的其他形态，可列举：式(2)、式(2-a)、式(2-b)、式(2-c)、式(2-d)、式(2-e)、或式(2-f)所表示、或者具有多个由这些任一者所表示的结构单元的多聚体即多环芳香族化合物具有例如R为由环烷烃缩合的芳基的＞N-R、由环烷烃缩合的二芳基氨基(缩合至其芳基部分)、由环烷烃缩合的咔唑基(缩合至其苯环部分)或由环烷烃缩合的苯并咔唑基(缩合至其苯环部分)的例子。关于“二芳基氨基”，可列举作为所述“第一取代基”而说明的基。
另外，作为进而具体的例子，可列举：式(2-a)、式(2-b)、式(2-c)、式(2-d)、式(2-e)、或式(2-f)所表示、或者具有多个由这些任一者所表示的结构单元的多聚体即多环芳香族化合物中的R2为由环烷烃缩合的二芳基氨基(缩合至其芳基部分)或由环烷烃缩合的咔唑基(缩合至其苯环部分)的例子。
另外，式(2)、式(2-a)、式(2-b)、式(2-c)、式(2-d)、式(2-e)、或式(2-f)所表示、或者具有多个由这些任一者所表示的结构单元的多聚体即多环芳香族化合物的化学结构中的氢的全部或一部分也可为氘、氰基、或卤素。例如，式(2)中，A环、B环、C环(A环～C环为芳基环或杂芳基环)、针对A环～C环的取代基、以及X11及X12为＞N-R时的R(＝烷基、环烷基、芳基)中的氢可经氘、氰基、或卤素取代，这些中可列举芳基或杂芳基中的全部或一部分氢经氘、氰基或卤素取代的形态。卤素为氟、氯、溴或碘，优选为氟、氯或溴，更优选为氟或氯。
作为式(2)的多环芳香族化合物的进而具体的例子，例如可列举下述式所表示的化合物。再者，下述式中的“Me”表示甲基，“tBu”表示叔丁基，“iPr”表示异丙基，“Ph”表示苯基，“tAm”表示叔戊基(t-amyl)(t-pentyl)，“D”表示氘。
[化119]
Figure BDA0003249241830001111
[化120]
Figure BDA0003249241830001121
[化121]
Figure BDA0003249241830001131
[化122]
Figure BDA0003249241830001141
[化123]
Figure BDA0003249241830001151
[化124]
Figure BDA0003249241830001161
[化125]
Figure BDA0003249241830001171
[化126]
Figure BDA0003249241830001181
[化127]
Figure BDA0003249241830001191
[化128]
Figure BDA0003249241830001201
[化129]
Figure BDA0003249241830001211
[化130]
Figure BDA0003249241830001221
[化131]
Figure BDA0003249241830001231
[化132]
Figure BDA0003249241830001241
[化133]
Figure BDA0003249241830001251
[化134]
Figure BDA0003249241830001261
[化135]
Figure BDA0003249241830001271
[化136]
Figure BDA0003249241830001281
[化137]
Figure BDA0003249241830001291
[化138]
Figure BDA0003249241830001301
[化139]
Figure BDA0003249241830001311
[化140]
Figure BDA0003249241830001321
[化141]
Figure BDA0003249241830001331
[化142]
Figure BDA0003249241830001341
[化143]
Figure BDA0003249241830001351
[化144]
Figure BDA0003249241830001361
[化145]
Figure BDA0003249241830001371
[化146]
Figure BDA0003249241830001381
[化147]
Figure BDA0003249241830001391
[化148]
Figure BDA0003249241830001401
[化149]
Figure BDA0003249241830001411
[化150]
Figure BDA0003249241830001421
[化151]
Figure BDA0003249241830001422
[化152]
Figure BDA0003249241830001431
[化153]
Figure BDA0003249241830001432
[化154]
Figure BDA0003249241830001433
[化155]
Figure BDA0003249241830001441
[化156]
Figure BDA0003249241830001442
[化157]
Figure BDA0003249241830001451
[化158]
Figure BDA0003249241830001452
[化159]
Figure BDA0003249241830001461
[化160]
Figure BDA0003249241830001471
[化161]
Figure BDA0003249241830001481
[化162]
Figure BDA0003249241830001482
式(2)的多环芳香族化合物例如可利用国际公开第2019/009052号中作为“式(2)所表示的多环芳香族化合物及其多聚体的制造方法”所公开的方法来合成。
＜其他TADF材料：式(H7)的化合物＞
所述式(2)的多环芳香族化合物优选为和发光光谱与使用的式(2)的多环芳香族化合物的吸收光谱至少一部分重叠的TADF材料并用。作为此种TADF材料，例如可列举下述式(H7)所表示的化合物或具有下述式(H7)作为部分结构的化合物(以下，有时称为“式(H7)的化合物”)。通过同时使用式(2)的多环芳香族化合物与式(H7)的化合物，式(2)的多环芳香族化合物作为发射掺杂剂发挥功能，式(H7)的化合物作为辅助掺杂剂发挥功能，可提供高的颜色纯度。式(2)的多环芳香族化合物与式(H7)的化合物均可包含在相同的层中，也可包含在邻接的层中。当式(1)所表示的多环芳香族化合物与式(H7)的化合物及式(2)的多环芳香族化合物包含在相同的发光层中时，这些的含量优选为分别为60质量％～95质量％、39质量％～5质量％及10质量％～0.01质量％，更优选为70质量％～90质量％、29质量％～10质量％及5质量％～0.05质量％。
[化163]
ED-Ln-EA (H7)
式(H7)中，ED为供电子性基，Ln为连结基，EA为电子接受性基，式(H7)所表示的化合物的最低激发单重态能级(ES1)与最低激发三重态能级(ET1)的能量差(ΔES1T1)为0.2eV以下(尾山弘树(Hiroki Uoyama)、刚志健一(Kenichi Goushi)、志津克行(KatsuyukiShizu)、野村浩子(Hiroko Nomura)、足立千早(Chihaya Adachi)，《自然(Nature)》，492，234-238(2012))。能量差(ΔES1T1)优选为0.15eV以下，更优选为0.10eV以下，进而优选为0.08eV以下。
作为TADF材料中所使用的供电子性基(施体性的结构)及电子接受性基(受体性的结构)，例如可使用《材料化学(Chemistry of Materials)》，2017，29，1946-1963中记载的结构。作为ED，例如可列举含有sp3氮的官能基，更具体而言，可列举：自咔唑、二甲基咔唑、二-叔丁基咔唑、二甲氧基咔唑、四甲基咔唑、苯并氟咔唑、苯并噻吩并咔唑、苯基二氢吲哚并咔唑、苯基联咔唑、联咔唑、三联咔唑(tercarbazole)、二苯基咔唑基胺、四苯基咔唑基二胺、吩噁嗪、二氢吩嗪、吩噻嗪、二甲基二氢吖啶、二苯基胺、(双(叔丁基)苯基)胺、((二苯基氨基)苯基)二苯基苯二胺、二甲基四苯基二氢吖啶二胺、四甲基-二氢-茚基吖啶及二苯基-二氢二苯并氮杂环丙烷等衍生的基。另外，作为EA，例如可列举含sp2氮的芳香族环、CN取代芳香族环、具有酮的环及氰基，更具体而言，可列举：自磺酰基二苯、二苯甲酮、亚苯基双(苯基甲酮)、苯甲腈、异烟腈、邻苯二甲腈、间苯二甲腈、对邻苯二甲腈、三唑、噁唑、噻二唑、苯并噻唑、苯并双(噻唑)、苯并噁唑、苯并双(噁唑)、喹啉、苯并咪唑、二苯并喹噁啉、七氮杂非那烯、噻吨酮二氧化物、二甲基蒽酮、蒽二酮、吡啶、环庚联吡啶、苯三甲腈、芴二甲腈、吡嗪二甲腈、吡啶二甲腈、二苯并喹噁啉二甲腈、嘧啶、苯基嘧啶、甲基嘧啶、三嗪、三苯基三嗪、双(苯基磺酰基)苯、二甲基噻吨二氧化物、噻蒽四氧化物及三(二甲基苯基)硼烷等衍生的基。作为Ln，例如可列举单键及亚芳基，更具体而言，可列举：亚苯基、亚联苯基、亚萘基等。另外，在任一结构中，氢均可经烷基、环烷基及芳基取代。特别优选为具有选自咔唑、吩噁嗪、吖啶、三嗪、嘧啶、吡嗪、噻吨、苯甲腈、邻苯二甲腈、间苯二甲腈、二苯基砜、三唑、噁二唑、噻二唑及二苯甲酮中的至少一者作为部分结构的化合物。
式(H7)中，作为连结基的Ln作为将施体性的部分结构与受体性的部分结构分开的间隔结构发挥功能。
更具体而言，式(H7)所表示的化合物只要为式(H7-1)、式(H7-2)及式(H7-3)的任一者所表示的化合物即可。
[化164]
Figure BDA0003249241830001501
式(H7-1)、式(H7-2)及式(H7-3)中，
M分别独立地为单键、-O-、＞N-Ar或＞C(-Ar)2，就所形成的部分结构的HOMO的深度及激发单重态能级及激发三重态能级的高度的观点而言，优选为单键、-O-或＞N-Ar，
J是与式(H7)中的Ln相对应的连结基，分别独立地为碳数6～18的亚芳基，就自施体性的部分结构与受体性的部分结构渗出的共轭的大小的观点而言，优选为碳数6～12的亚芳基，更具体而言，可列举：亚苯基、甲基亚苯基及二甲基亚苯基，
Q分别独立地为＝C(-H)-或＝N-，就所形成的部分结构的LUMO的浅度及激发单重态能级及激发三重态能级的高度的观点而言，优选为＝N-，
Ar分别独立地为氢、碳数6～24的芳基、碳数2～24的杂芳基、碳数1～12的烷基或碳数3～18的环烷基，就所形成的部分结构的HOMO的深度及激发单重态能级及激发三重态能级的高度的观点而言，优选为氢、碳数6～12的芳基、碳数2～14的杂芳基、碳数1～4的烷基或碳数6～10的环烷基，更优选为氢、苯基、甲苯基、二甲苯基、均三甲苯基、联苯基、吡啶基、联吡啶基、三嗪基、咔唑基、二甲基咔唑基、二-叔丁基咔唑基、苯并咪唑基或苯基苯并咪唑基，进而优选为氢、苯基或咔唑基，
m为1或2，
n为2～(6-m)的整数，就位阻的观点而言，优选为4～(6-m)的整数。
进而，所述各式所表示的化合物中的至少一个氢可经卤素或氘取代。
作为式(H7)所表示的化合物，例如可列举下述结构所表示的化合物。再者，结构式中的*表示键结位置，“Me”表示甲基，“tBu”表示叔丁基。
[化165]
Figure BDA0003249241830001511
[化166]
Figure BDA0003249241830001521
[化167]
Figure BDA0003249241830001531
[化168]
Figure BDA0003249241830001541
[化169]
Figure BDA0003249241830001551
[化170]
Figure BDA0003249241830001561
[化171]
Figure BDA0003249241830001571
[化172]
Figure BDA0003249241830001581
[化173]
Figure BDA0003249241830001591
作为式(H7)所表示的化合物，在所述具体的化合物中，优选为PIC-TRZ、TXO-TPA、TXO-PhCz、PXZD SO2、ACRD SO2、DTC-DBT、DTAO、4CzBN、4CzBN-Ph、5CzBN、3Cz2DPhCzBN、4CzIPN、2PXZ-TAZ、Cz-TRZ3、BDPCC-TPTA、MA-TA、PA-TA、FA-TA、PXZ-TRZ、DMAC-TRZ、BCzT、DCzTrz、DDCzTrz、螺环AC-TRZ、Ac-HPM、Ac-PPM、Ac-MPM、TCzTrz、TmCzTrz及DCzmCzTrz。
3-1-6.有机电致发光元件的电子注入层、电子传输层
电子注入层107发挥将自阴极108迁移而来的电子高效地注入发光层105内或电子传输层106内的作用。电子传输层106发挥将自阴极108所注入的电子、或自阴极108经由电子注入层107所注入的电子高效地传输至发光层105的作用。电子传输层106及电子注入层107分别将电子传输/注入材料的一种或两种以上加以层叠、混合而形成，或者由电子传输/注入材料与高分子粘结剂的混合物形成。
所谓电子注入/传输层是担负自阴极注入电子、进而传输电子的层，理想的是电子注入效率高、且高效地传输所注入的电子。因此，优选为电子亲和力大、且电子迁移率大、进而稳定性优异、在制造时及使用时不易产生成为陷阱的杂质的物质。然而，在考虑了空穴与电子的传输平衡的情况下，当主要发挥可高效地阻止来自阳极的空穴未再结合而流向阴极侧的作用时，即便电子传输能力并不那么高，也与电子传输能力高的材料同等地具有提高发光效率的效果。因此，本实施方式中的电子注入/传输层也可包含可高效地阻挡空穴的迁移的层(空穴阻挡层)的功能。
作为形成电子传输层106或电子注入层107的材料(电子传输材料)，可自从前以来在光导电材料中作为电子传递化合物所惯用的化合物、有机EL元件的电子注入层及电子传输层中所使用的已知的化合物中任意地选择来使用。本发明的多环芳香族化合物具有深的HOMO及深的LUMO，因此也优选为在电子注入/传输层中用作电子传输材料或空穴阻挡材料(hole blocking materials)。
除本发明的多环芳香族化合物以外，作为电子传输层或电子注入层中所使用的材料，优选为含有选自如下化合物中的至少一种：含有包含选自碳、氢、氧、硫、硅及磷中的一种以上的原子的芳香族环或杂芳香族环的化合物；吡咯衍生物及其缩合环衍生物；以及具有电子接受性氮的金属络合物。具体而言，可列举：萘、蒽等缩合环系芳香族环衍生物，以4,4'-双(二苯基乙烯基)联苯为代表的苯乙烯基系芳香族环衍生物，紫环酮衍生物，香豆素衍生物，萘二甲酰亚胺衍生物，蒽醌或联苯醌等醌衍生物，氧化磷衍生物，芳基腈衍生物及吲哚衍生物等。作为具有电子接受性氮的金属络合物，例如可列举：羟基苯基噁唑络合物等羟基唑络合物、甲亚胺络合物、环庚三烯酚酮金属络合物、黄酮醇金属络合物及苯并喹啉金属络合物等。这些材料可单独使用，也可与不同的材料混合使用。
另外，作为其他电子传递化合物的具体例，可列举：吡啶衍生物、萘衍生物、蒽衍生物、苯并芴衍生物、菲咯啉衍生物、紫环酮衍生物、香豆素衍生物、萘二甲酰亚胺衍生物、蒽醌衍生物、联苯醌衍生物、二苯基醌衍生物、苝衍生物、噁二唑衍生物(1,3-双[(4-叔丁基苯基)1,3,4-噁二唑基]亚苯基等)、噻吩衍生物、三唑衍生物(N-萘基-2,5-二苯基-1,3,4-三唑等)、噻二唑衍生物、8-羟基喹啉(oxine)衍生物的金属络合物、羟基喹啉系金属络合物、喹噁啉衍生物、喹噁啉衍生物的聚合物、吲哚(benzazole)类化合物、镓络合物、吡唑衍生物、全氟化亚苯基衍生物、三嗪衍生物、吡嗪衍生物、苯并喹啉衍生物(2,2'-双(苯并[h]喹啉-2-基)-9,9'-螺二芴等)、咪唑并吡啶衍生物、硼烷衍生物、苯并咪唑衍生物(三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯等)、苯并噁唑衍生物、苯并噻唑衍生物、喹啉衍生物、三联吡啶等寡聚吡啶衍生物、联吡啶衍生物、三联吡啶衍生物(1,3-双(4'-(2,2'：6',2”-三联吡啶基))苯等)、萘啶衍生物(双(1-萘基)-4-(1,8-萘啶-2-基)苯基氧化膦等)、醛连氮衍生物、芳基腈衍生物、吲哚衍生物、氧化膦衍生物、双苯乙烯基衍生物等。
另外，也可使用具有电子接受性氮的金属络合物，例如可列举：羟基喹啉系金属络合物或羟基苯基噁唑络合物等羟基唑络合物、甲亚胺络合物、环庚三烯酚酮金属络合物、黄酮醇金属络合物及苯并喹啉金属络合物等。
所述材料可单独使用，也可与不同的材料混合使用。
所述材料中，优选为硼烷衍生物、吡啶衍生物、荧蒽衍生物、BO系衍生物、蒽衍生物、苯并芴衍生物、氧化膦衍生物、嘧啶衍生物、芳基腈衍生物、三嗪衍生物、苯并咪唑衍生物、菲咯啉衍生物、及羟基喹啉系金属络合物。
＜硼烷衍生物＞
硼烷衍生物例如为下述式(ETM-1)所表示的化合物，详细而言在日本专利特开2007-27587号公报中进行了公开。
[化174]
Figure BDA0003249241830001611
式(ETM-1)中，R11及R12分别独立地为氢、烷基、环烷基、可经取代的芳基、经取代的硅烷基、可经取代的含氮杂环、或氰基的至少一者，R13～R16分别独立地为可经取代的烷基、可经取代的环烷基、或可经取代的芳基，X为可经取代的亚芳基，Y为可经取代的碳数16以下的芳基、经取代的硼基、或可经取代的咔唑基，而且，n分别独立地为0～3的整数。另外，作为“可经取代”或“经取代”时的取代基，可列举：芳基、杂芳基、烷基或环烷基等。
式(ETM-1)所表示的化合物中，优选为下述式(ETM-1-1)所表示的化合物或下述式(ETM-1-2)所表示的化合物。
[化175]
Figure BDA0003249241830001612
式(ETM-1-1)中，R11及R12分别独立地为氢、烷基、环烷基、可经取代的芳基、经取代的硅烷基、可经取代的含氮杂环、或氰基的至少一者，R13～R16分别独立地为可经取代的烷基、可经取代的环烷基、或可经取代的芳基，R21及R22分别独立地为氢、烷基、环烷基、可经取代的芳基、经取代的硅烷基、可经取代的含氮杂环、或氰基的至少一者，X1为可经取代的碳数20以下的亚芳基，n分别独立地为0～3的整数，而且，m分别独立地为0～4的整数。另外，作为“可经取代”或“经取代”时的取代基，可列举：芳基、杂芳基、烷基或环烷基等。
[化176]
Figure BDA0003249241830001621
式(ETM-1-2)中，R11及R12分别独立地为氢、烷基、环烷基、可经取代的芳基、经取代的硅烷基、可经取代的含氮杂环、或氰基的至少一者，R13～R16分别独立地为可经取代的烷基、可经取代的环烷基、或可经取代的芳基，X1为可经取代的碳数20以下的亚芳基，而且，n分别独立地为0～3的整数。另外，作为“可经取代”或“经取代”时的取代基，可列举：芳基、杂芳基、烷基或环烷基等。
作为X1的具体的例子，可列举下述式(X-1)～式(X-9)的任一者所表示的二价基。
[化177]
Figure BDA0003249241830001622
(各式中，Ra分别独立地为烷基、环烷基或可经取代的苯基，*表示键结位置)
作为所述硼烷衍生物的具体例，例如可列举以下的化合物。
[化178]
Figure BDA0003249241830001623
所述硼烷衍生物可使用已知的原料与已知的合成方法来制造。
＜吡啶衍生物＞
吡啶衍生物例如为下述式(ETM-2)所表示的化合物，优选为式(ETM-2-1)或式(ETM-2-2)所表示的化合物。
[化179]
φ-(吡啶系取代基)n (ETM-2)
Figure BDA0003249241830001631
φ为n价的芳基环(优选为n价的苯环、萘环、蒽环、芴环、苯并芴环、非那烯环、菲环或三亚苯环)，n为1～4的整数。
式(ETM-2-1)中，R11～R18分别独立地为氢、烷基(优选为碳数1～24的烷基)、环烷基(优选为碳数3～12的环烷基)或芳基(优选为碳数6～30的芳基)。
式(ETM-2-2)中，R11及R12分别独立地为氢、烷基(优选为碳数1～24的烷基)、环烷基(优选为碳数3～12的环烷基)或芳基(优选为碳数6～30的芳基)，R11及R12可键结而形成环。
在各式中，“吡啶系取代基”为下述式(Py-1)～式(Py-15)的任一者(式中的*表示键结位置)，吡啶系取代基可分别独立地经碳数1～4的烷基或碳数5～10的环烷基取代。作为具体例，可列举：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、或叔丁基等，优选为甲基。另外，吡啶系取代基可经由亚苯基或亚萘基而与各式中的φ、蒽环或芴环键结。
[化180]
Figure BDA0003249241830001641
吡啶系取代基为式(Py-1)～式(Py-15)的任一者(式中的*表示键结位置)，这些中优选为下述式(Py-21)～式(Py-44)的任一者。
[化181]
Figure BDA0003249241830001642
各吡啶衍生物中的至少一个氢可经氘取代，另外，式(ETM-2-1)及式(ETM-2-2)中的两个“吡啶系取代基”中的其中一者可经芳基取代。
作为R11～R18中的“烷基”，可为直链及支链的任一种，例如可列举碳数1～24的直链烷基或碳数3～24的支链烷基。优选的“烷基”为碳数1～18的烷基(碳数3～18的支链烷基)。更优选的“烷基”为碳数1～12的烷基(碳数3～12的支链烷基)。进而优选的“烷基”为碳数1～6的烷基(碳数3～6的支链烷基)。特别优选的“烷基”为碳数1～4的烷基(碳数3～4的支链烷基)。
作为具体的“烷基”，可列举：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、正己基、1-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、正庚基、1-甲基己基、正辛基、叔辛基、1-甲基庚基、2-乙基己基、2-丙基戊基、正壬基、2,2-二甲基庚基、2,6-二甲基-4-庚基、3,5,5-三甲基己基、正癸基、正十一基、1-甲基癸基、正十二基、正十三基、1-己基庚基、正十四基、正十五基、正十六基、正十七基、正十八基、正二十基等。
作为在吡啶系取代基中进行取代的碳数1～4的烷基，可引用所述烷基的说明。
作为R11～R18中的“环烷基”，例如可列举碳数3～12的环烷基。优选的“环烷基”为碳数3～10的环烷基。更优选的“环烷基”为碳数3～8的环烷基。进而优选的“环烷基”为碳数3～6的环烷基。
作为具体的“环烷基”，可列举：环丙基、环丁基、环戊基、环己基、甲基环戊基、环庚基、甲基环己基、环辛基或二甲基环己基等。
作为R11～R18中的“芳基”，优选的芳基为碳数6～30的芳基，更优选的芳基为碳数6～18的芳基，进而优选为碳数6～14的芳基，特别优选为碳数6～12的芳基。
作为具体的“碳数6～30的芳基”，可列举：作为单环系芳基的苯基，作为缩合二环系芳基的(1-、2-)萘基，作为缩合三环系芳基的苊-(1-、3-、4-、5-)基、芴-(1-、2-、3-、4-、9-)基、非那烯-(1-、2-)基、(1-、2-、3-、4-、9-)菲基，作为缩合四环系芳基的三亚苯-(1-、2-)基、芘-(1-、2-、4-)基、并四苯-(1-、2-、5-)基，作为缩合五环系芳基的苝-(1-、2-、3-)基、并五苯-(1-、2-、5-、6-)基等。
优选的“碳数6～30的芳基”可列举苯基、萘基、菲基、
Figure BDA0003249241830001652
基或三亚苯基等，进而优选为可列举苯基、1-萘基、2-萘基或菲基，特别优选为可列举苯基、1-萘基或2-萘基。
式(ETM-2-2)中的R11及R12可键结而形成环，其结果，可在芴骨架的5元环上螺键结环丁烷、环戊烷、环戊烯、环戊二烯、环己烷、芴或茚等。
作为所述吡啶衍生物的具体例，例如可列举以下的化合物。
[化182]
Figure BDA0003249241830001651
所述吡啶衍生物可使用已知的原料与已知的合成方法来制造。
＜荧蒽衍生物＞
荧蒽衍生物例如为下述式(ETM-3)所表示的化合物，详细而言在国际公开第2010/134352号中进行了公开。
[化183]
Figure BDA0003249241830001661
式(ETM-3)中，X12～X21表示氢、卤素、直链、分支或环状的烷基、直链、分支或环状的烷氧基、经取代或未经取代的芳基、或者经取代或未经取代的杂芳基。此处，作为经取代时的取代基，可列举：芳基、杂芳基、烷基或环烷基等。
作为所述荧蒽衍生物的具体例，例如可列举以下的化合物。
[化184]
Figure BDA0003249241830001662
＜BO系衍生物＞
BO系衍生物例如为下述式(ETM-4)所表示的多环芳香族化合物、或具有多个下述式(ETM-4)所表示的结构的多环芳香族化合物的多聚体。
[化185]
Figure BDA0003249241830001663
R1～R11分别独立地为氢、芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、烷基、环烷基、烷氧基或芳氧基，这些中的至少一个氢可经芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代。
另外，R1～R11中的邻接的基彼此可键结并与a环、b环或c环一起形成芳基环或杂芳基环，所形成的环中的至少一个氢可经芳基、杂芳基、二芳基氨基、二杂芳基氨基、芳基杂芳基氨基、烷基、环烷基、烷氧基或芳氧基取代，这些中的至少一个氢可经芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代。
另外，式(ETM-4)所表示的化合物或结构中的至少一个氢可经卤素或氘取代。
关于式(ETM-4)中的取代基或环形成的形态的说明，可引用式(1A)及式(1B)所表示的多环芳香族化合物的说明。
作为所述BO系衍生物的具体例，例如可列举以下的化合物。
[化186]
Figure BDA0003249241830001671
所述BO系衍生物可使用已知的原料与已知的合成方法来制造。
＜蒽衍生物＞
蒽衍生物之一例如为下述式(ETM-5)所表示的化合物。
[化187]
Figure BDA0003249241830001672
Ar1分别独立地为单键、二价的苯、萘、蒽、芴、或非那烯。
Ar2分别独立地为碳数6～20的芳基，优选为碳数6～16的芳基，更优选为碳数6～12的芳基，特别优选为碳数6～10的芳基。作为“碳数6～20的芳基”的具体例，可列举：作为单环系芳基的苯基、(邻、间、对)甲苯基、(2,3-、2,4-、2,5-、2,6-、3,4-、3,5-)二甲苯基、均三甲苯基(2,4,6-三甲基苯基)、(邻、间、对)枯烯基，作为二环系芳基的(2-、3-、4-)联苯基，作为缩合二环系芳基的(1-、2-)萘基，作为三环系芳基的三联苯基(间三联苯-2'-基、间三联苯-4'-基、间三联苯-5'-基、邻三联苯-3'-基、邻三联苯-4'-基、对三联苯-2'-基、间三联苯-2-基、间三联苯-3-基、间三联苯-4-基、邻三联苯-2-基、邻三联苯-3-基、邻三联苯-4-基、对三联苯-2-基、对三联苯-3-基、对三联苯-4-基)，作为缩合三环系芳基的蒽-(1-、2-、9-)基、苊-(1-、3-、4-、5-)基、芴-(1-、2-、3-、4-、9-)基、非那烯-(1-、2-)基、(1-、2-、3-、4-、9-)菲基，作为缩合四环系芳基的三亚苯-(1-、2-)基、芘-(1-、2-、4-)基、并四苯-(1-、2-、5-)基，作为缩合五环系芳基的苝-(1-、2-、3-)基等。作为“碳数6～10的芳基”的具体例，可列举：苯基、联苯基、萘基、三联苯基、蒽基、苊基、芴基、非那烯基、菲基、三亚苯基、芘基、并四苯基、苝基等。
R1～R4分别独立地为氢、碳数1～6的烷基、碳数3至6的环烷基或碳数6～20的芳基。
R1～R4中的碳数1～6的烷基可为直链及支链的任一种。即，为碳数1～6的直链烷基或碳数3～6的支链烷基。更优选为碳数1～4的烷基(碳数3～4的支链烷基)。作为具体例，可列举：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、正己基、1-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基、或2-乙基丁基等，优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、或叔丁基，更优选为甲基、乙基、或叔丁基。
作为R1～R4中的碳数3～6的环烷基的具体例，可列举：环丙基、环丁基、环戊基、环己基、甲基环戊基、环庚基、甲基环己基、环辛基或二甲基环己基等。
关于R1～R4中的碳数6～20的芳基，优选为碳数6～16的芳基，更优选为碳数6～12的芳基，特别优选为碳数6～10的芳基。作为“碳数6～20的芳基”的具体例，可引用Ar2中的“碳数6～20的芳基”的具体例。优选的“碳数6～20的芳基”为苯基、联苯基、三联苯基或萘基，更优选为苯基、联苯基、1-萘基、2-萘基或间三联苯-5'-基，进而优选为苯基、联苯基、1-萘基或2-萘基，最优选为苯基。
作为这些蒽衍生物的具体例，例如可列举以下的化合物。
[化188]
Figure BDA0003249241830001681
这些蒽衍生物可使用已知的原料与已知的合成方法来制造。
＜苯并芴衍生物＞
苯并芴衍生物例如为下述式(ETM-6)所表示的化合物。
[化189]
Figure BDA0003249241830001682
Ar1分别独立地为碳数6～20的芳基，可引用与式(ETM-5)的Ar2中的“碳数6～20的芳基”相同的说明。优选为碳数6～16的芳基，更优选为碳数6～12的芳基，特别优选为碳数6～10的芳基。作为具体例，可列举：苯基、联苯基、萘基、三联苯基、蒽基、苊基、芴基、非那烯基、菲基、三亚苯基、芘基、并四苯基、苝基等。
Ar2分别独立地为氢、烷基(优选为碳数1～24的烷基)、环烷基(优选为碳数3～12的环烷基)或芳基(优选为碳数6～30的芳基)，两个Ar2可键结而形成环。
作为Ar2中的“烷基”，可为直链及支链的任一种，例如可列举碳数1～24的直链烷基或碳数3～24的支链烷基。优选的“烷基”为碳数1～18的烷基(碳数3～18的支链烷基)。更优选的“烷基”为碳数1～12的烷基(碳数3～12的支链烷基)。进而优选的“烷基”为碳数1～6的烷基(碳数3～6的支链烷基)。特别优选的“烷基”为碳数1～4的烷基(碳数3～4的支链烷基)。作为具体的“烷基”，可列举：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、正己基、1-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、正庚基、1-甲基己基等。
作为Ar2中的“环烷基”，例如可列举碳数3～12的环烷基。优选的“环烷基”为碳数3～10的环烷基。更优选的“环烷基”为碳数3～8的环烷基。进而优选的“环烷基”为碳数3～6的环烷基。作为具体的“环烷基”，可列举：环丙基、环丁基、环戊基、环己基、甲基环戊基、环庚基、甲基环己基、环辛基或二甲基环己基等。
作为Ar2中的“芳基”，优选的芳基为碳数6～30的芳基，更优选的芳基为碳数6～18的芳基，进而优选为碳数6～14的芳基，特别优选为碳数6～12的芳基。
作为具体的“碳数6～30的芳基”，可列举：苯基、萘基、苊基、芴基、非那烯基、菲基、三亚苯基、芘基、并四苯基、苝基、并五苯基等。
两个Ar2可键结而形成环，其结果，可在芴骨架的5元环上螺键结环丁烷、环戊烷、环戊烯、环戊二烯、环己烷、芴或茚等。
作为所述苯并芴衍生物的具体例，例如可列举以下的化合物。
[化190]
Figure BDA0003249241830001691
所述苯并芴衍生物可使用已知的原料与已知的合成方法来制造。
＜氧化膦衍生物＞
氧化膦衍生物例如为下述式(ETM-7-1)所表示的化合物。详细情况也在国际公开第2013/079217号及国际公开第2013/079678号中进行了记载。
[化191]
Figure BDA0003249241830001692
R5为经取代或未经取代的碳数1～20的烷基、碳数3～16的环烷基、碳数6～20的芳基或碳数5～20的杂芳基，
R6为CN、经取代或未经取代的碳数1～20的烷基、碳数3～16的环烷基、碳数1～20的杂烷基、碳数6～20的芳基、碳数5～20的杂芳基、碳数1～20的烷氧基或碳数6～20的芳氧基，
R7及R8分别独立地为经取代或未经取代的碳数6～20的芳基或碳数5～20的杂芳基，
R9为氧或硫，
j为0或1，k为0或1，r为0～4的整数，q为1～3的整数。
此处，作为经取代时的取代基，可列举：芳基、杂芳基、烷基或环烷基等。
氧化膦衍生物例如可为下述式(ETM-7-2)所表示的化合物。
[化192]
Figure BDA0003249241830001701
R1～R3可相同也可不同，选自氢、烷基、环烷基、芳烷基、烯基、环烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、环烷硫基、芳基醚(芳基醚基)、芳硫基醚(芳硫基醚基)、芳基、杂环基、卤素、氰基、甲酰基、羰基、羧基、氨基、硝基、硅烷基、及在与邻接取代基之间所形成的缩合环中。
Ar1可相同也可不同，且为亚芳基或亚杂芳基。Ar2可相同也可不同，且为芳基或杂芳基。其中，Ar1及Ar2中的至少一者具有取代基，或在与邻接取代基之间形成缩合环。n为0～3的整数，当n为0时不存在不饱和结构部分，当n为3时不存在R1。
这些取代基中，所谓烷基，例如表示甲基、乙基、丙基、丁基等饱和脂肪族烃基，所述烷基可未经取代也可经取代。经取代时的取代基并无特别限制，例如可列举：烷基、芳基、杂环基等，此方面在以下的记载中也共通。另外，烷基的碳数并无特别限定，就获取的容易性或成本的方面而言，通常为1～20的范围。
另外，所谓环烷基，例如表示环丙基、环己基、降冰片基、金刚烷基等饱和脂环式烃基，所述环烷基可未经取代也可经取代。烷基部分的碳数并无特别限定，通常为3～20的范围。
另外，所谓芳烷基，例如表示苄基、苯基乙基等介隔有脂肪族烃的芳香族烃基，脂肪族烃与芳香族烃均可未经取代也可经取代。脂肪族部分的碳数并无特别限定，通常为1～20的范围。
另外，所谓烯基，例如表示乙烯基、烯丙基、丁二烯基等包含双键的不饱和脂肪族烃基，所述烯基可未经取代也可经取代。烯基的碳数并无特别限定，通常为2～20的范围。
另外，所谓环烯基，例如表示环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基等包含双键的不饱和脂环式烃基，所述环烯基可未经取代也可经取代。
另外，所谓炔基，例如表示乙炔基等包含三键的不饱和脂肪族烃基，所述炔基可未经取代也可经取代。炔基的碳数并无特别限定，通常为2～20的范围。
另外，所谓烷氧基，例如表示甲氧基等介隔有醚键的脂肪族烃基，脂肪族烃基可未经取代也可经取代。烷氧基的碳数并无特别限定，通常为1～20的范围。
另外，所谓烷硫基为烷氧基的醚键的氧原子经取代为硫原子的基。
另外，所谓环烷硫基为环烷氧基的醚键的氧原子经取代为硫原子的基。
另外，所谓芳基醚，例如表示苯氧基等介隔有醚键的芳香族烃基，芳香族烃基可未经取代也可经取代。芳基醚的碳数并无特别限定，通常为6～40的范围。
另外，所谓芳硫基醚为芳基醚的醚键的氧原子经取代为硫原子的基。
另外，所谓芳基，例如表示苯基、萘基、联苯基、菲基、三联苯基、芘基等芳香族烃基。芳基可未经取代也可经取代。芳基的碳数并无特别限定，通常为6～40的范围。
另外，所谓杂环基，例如表示呋喃基、噻吩基、噁唑基、吡啶基、喹啉基、咔唑基等具有碳以外的原子的环状结构基，所述杂环基可未经取代也可经取代。杂环基的碳数并无特别限定，通常为2～30的范围。
所谓卤素，表示氟、氯、溴、碘。
在甲酰基、羰基、氨基中也可包含经脂肪族烃、脂环式烃、芳香族烃、杂环等取代的基。
另外，脂肪族烃、脂环式烃、芳香族烃、杂环可未经取代也可经取代。
所谓硅烷基，例如表示三甲基硅烷基等硅化合物基，所述硅烷基可未经取代也可经取代。硅烷基的碳数并无特别限定，通常为3～20的范围。另外，硅数通常为1～6。
所谓在与邻接取代基之间所形成的缩合环例如为在Ar1与R2、Ar1与R3、Ar2与R2、Ar2与R3、R2与R3、Ar1与Ar2等之间所形成的共轭或非共轭的缩合环。此处，在n为1的情况下，两个R1彼此可形成共轭或非共轭的缩合环。这些缩合环可在环内结构中包含氮原子、氧原子、硫原子，也可进而与其他环缩合。
作为所述氧化膦衍生物的具体例，例如可列举以下的化合物。
[化193]
Figure BDA0003249241830001711
所述氧化膦衍生物可使用已知的原料与已知的合成方法来制造。
＜嘧啶衍生物＞
嘧啶衍生物例如为下述式(ETM-8)所表示的化合物，优选为下述式(ETM-8-1)所表示的化合物。详细情况也在国际公开第2011/021689号中进行了记载。
[化194]
Figure BDA0003249241830001712
Ar分别独立地为可经取代的芳基、或可经取代的杂芳基。n为1～4的整数，优选为1～3的整数，更优选为2或3。
作为“可经取代的芳基”的“芳基”，例如可列举碳数6～30的芳基，优选为碳数6～24的芳基，更优选为碳数6～20的芳基，进而优选为碳数6～12的芳基。
作为具体的“芳基”，可列举：作为单环系芳基的苯基，作为二环系芳基的(2-、3-、4-)联苯基，作为缩合二环系芳基的(1-、2-)萘基，作为三环系芳基的三联苯基(间三联苯-2'-基、间三联苯-4'-基、间三联苯-5'-基、邻三联苯-3'-基、邻三联苯-4'-基、对三联苯-2'-基、间三联苯-2-基、间三联苯-3-基、间三联苯-4-基、邻三联苯-2-基、邻三联苯-3-基、邻三联苯-4-基、对三联苯-2-基、对三联苯-3-基、对三联苯-4-基)，作为缩合三环系芳基的苊-(1-、3-、4-、5-)基、芴-(1-、2-、3-、4-、9-)基、非那烯-(1-、2-)基、(1-、2-、3-、4-、9-)菲基，作为四环系芳基的四联苯基(5'-苯基-间三联苯-2-基、5'-苯基-间三联苯-3-基、5'-苯基-间三联苯-4-基、间四联苯基)，作为缩合四环系芳基的三亚苯-(1-、2-)基、芘-(1-、2-、4-)基、并四苯-(1-、2-、5-)基，作为缩合五环系芳基的苝-(1-、2-、3-)基、并五苯-(1-、2-、5-、6-)基等。
作为“可经取代的杂芳基”的“杂芳基”，例如可列举碳数2～30的杂芳基，优选为碳数2～25的杂芳基，更优选为碳数2～20的杂芳基，进而优选为碳数2～15的杂芳基，特别优选为碳数2～10的杂芳基。另外，作为杂芳基，例如可列举除碳以外含有一个至五个选自氧、硫及氮中的杂原子作为环构成原子的杂环等。
作为具体的杂芳基，例如可列举：呋喃基、噻吩基、吡咯基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、咪唑基、吡唑基、噁二唑基、呋咱基、噻二唑基、三唑基、四唑基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、苯并[b]噻吩基、吲哚基、异吲哚基、1H-吲唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、1H-苯并三唑基、喹啉基、异喹啉基、噌啉基、喹唑啉基、喹噁啉基、酞嗪基、萘啶基、嘌呤基、蝶啶基、咔唑基、吖啶基、吩噁嗪基、吩噻嗪基、吩嗪基、吩噁噻基、噻蒽基、吲嗪基等。
另外，所述芳基及杂芳基可经取代，可分别经例如所述芳基或杂芳基取代。
作为所述嘧啶衍生物的具体例，例如可列举以下的化合物。
[化195]
Figure BDA0003249241830001721
所述嘧啶衍生物可使用已知的原料与已知的合成方法来制造。
＜芳基腈衍生物＞
芳基腈衍生物例如为下述式(ETM-9)所表示的化合物、或多个其利用单键等进行键结而成的多聚体。详细情况在美国申请公开第2014/0197386号说明书中进行了记载。
[化196]
Figure BDA0003249241830001722
就快速的电子传输性的观点而言，Arni优选为碳数多，就高的ET1的观点而言，Arni优选为碳数少。具体而言，在用于与发光层邻接的层时，优选为ET1高，从而Arni为碳数6～20的芳基，优选为碳数6～14的芳基，更优选为碳数6～10的芳基。另外，关于腈基的取代个数n，就高的ET1的观点而言，优选为多，就高的ES1的观点而言，优选为少。具体而言，腈基的取代个数n为1～4的整数，优选为1～3的整数，更优选为1～2的整数，进而优选为1。
Ar分别独立地为可经取代的芳基、或可经取代的杂芳基。就高的ES1及高的ET1的观点而言，优选为施体性的杂芳基，由于用作电子传输层，因此施体性的杂芳基优选为少。就电荷传输性的观点而言，优选为碳数多的芳基或杂芳基，优选为具有大量取代基。具体而言，Ar的取代个数m为1～4的整数，优选为1～3的整数，更优选为1～2。
作为“可经取代的芳基”的“芳基”，例如可列举碳数6～30的芳基，优选为碳数6～24的芳基，更优选为碳数6～20的芳基，进而优选为碳数6～12的芳基。
作为具体的“芳基”，可列举：作为单环系芳基的苯基，作为二环系芳基的(2-、3-、4-)联苯基，作为缩合二环系芳基的(1-、2-)萘基，作为三环系芳基的三联苯基(间三联苯-2'-基、间三联苯-4'-基、间三联苯-5'-基、邻三联苯-3'-基、邻三联苯-4'-基、对三联苯-2'-基、间三联苯-2-基、间三联苯-3-基、间三联苯-4-基、邻三联苯-2-基、邻三联苯-3-基、邻三联苯-4-基、对三联苯-2-基、对三联苯-3-基、对三联苯-4-基)，作为缩合三环系芳基的苊-(1-、3-、4-、5-)基、芴-(1-、2-、3-、4-、9-)基、非那烯-(1-、2-)基、(1-、2-、3-、4-、9-)菲基，作为四环系芳基的四联苯基(5'-苯基-间三联苯-2-基、5'-苯基-间三联苯-3-基、5'-苯基-间三联苯-4-基、间四联苯基)，作为缩合四环系芳基的三亚苯-(1-、2-)基、芘-(1-、2-、4-)基、并四苯-(1-、2-、5-)基，作为缩合五环系芳基的苝-(1-、2-、3-)基、并五苯-(1-、2-、5-、6-)基等。
作为“可经取代的杂芳基”的“杂芳基”，例如可列举碳数2～30的杂芳基，优选为碳数2～25的杂芳基，更优选为碳数2～20的杂芳基，进而优选为碳数2～15的杂芳基，特别优选为碳数2～10的杂芳基。另外，作为杂芳基，例如可列举除碳以外含有一个至五个选自氧、硫及氮中的杂原子作为环构成原子的杂环等。
作为具体的杂芳基，例如可列举：呋喃基、噻吩基、吡咯基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、咪唑基、吡唑基、噁二唑基、呋咱基、噻二唑基、三唑基、四唑基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、苯并[b]噻吩基、吲哚基、异吲哚基、1H-吲唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、1H-苯并三唑基、喹啉基、异喹啉基、噌啉基、喹唑啉基、喹噁啉基、酞嗪基、萘啶基、嘌呤基、蝶啶基、咔唑基、吖啶基、吩噁嗪基、吩噻嗪基、吩嗪基、吩噁噻基、噻蒽基、吲嗪基等。
另外，所述芳基及杂芳基可经取代，可分别经例如所述芳基或杂芳基取代。
芳基腈衍生物可为多个式(ETM-9)所表示的化合物利用单键等进行键结而成的多聚体。所述情况下，除单键以外，也可经芳基环(优选为多价的苯环、萘环、蒽环、芴环、苯并芴环、非那烯环、菲环或三亚苯环)键结。
作为所述芳基腈衍生物的具体例，例如可列举以下的化合物。
[化197]
Figure BDA0003249241830001731
所述芳基腈衍生物可使用已知的原料与已知的合成方法来制造。
＜三嗪衍生物＞
三嗪衍生物例如为下述式(ETM-10)所表示的化合物，优选为下述式(ETM-10-1)所表示的化合物。详细情况在美国专利申请公开第2011/0156013号说明书中进行了记载。
[化198]
Figure BDA0003249241830001741
Ar分别独立地为可经取代的芳基、或可经取代的杂芳基。n为1～3的整数，优选为2或3。
作为“可经取代的芳基”的“芳基”，例如可列举碳数6～30的芳基，优选为碳数6～24的芳基，更优选为碳数6～20的芳基，进而优选为碳数6～12的芳基。
作为具体的“芳基”，可列举：作为单环系芳基的苯基，作为二环系芳基的(2-、3-、4-)联苯基，作为缩合二环系芳基的(1-、2-)萘基，作为三环系芳基的三联苯基(间三联苯-2'-基、间三联苯-4'-基、间三联苯-5'-基、邻三联苯-3'-基、邻三联苯-4'-基、对三联苯-2'-基、间三联苯-2-基、间三联苯-3-基、间三联苯-4-基、邻三联苯-2-基、邻三联苯-3-基、邻三联苯-4-基、对三联苯-2-基、对三联苯-3-基、对三联苯-4-基)，作为缩合三环系芳基的苊-(1-、3-、4-、5-)基、芴-(1-、2-、3-、4-、9-)基、非那烯-(1-、2-)基、(1-、2-、3-、4-、9-)菲基，作为四环系芳基的四联苯基(5'-苯基-间三联苯-2-基、5'-苯基-间三联苯-3-基、5'-苯基-间三联苯-4-基、间四联苯基)，作为缩合四环系芳基的三亚苯-(1-、2-)基、芘-(1-、2-、4-)基、并四苯-(1-、2-、5-)基，作为缩合五环系芳基的苝-(1-、2-、3-)基、并五苯-(1-、2-、5-、6-)基等。
作为“可经取代的杂芳基”的“杂芳基”，例如可列举碳数2～30的杂芳基，优选为碳数2～25的杂芳基，更优选为碳数2～20的杂芳基，进而优选为碳数2～15的杂芳基，特别优选为碳数2～10的杂芳基。另外，作为杂芳基，例如可列举除碳以外含有一个至五个选自氧、硫及氮中的杂原子作为环构成原子的杂环等。
作为具体的杂芳基，例如可列举：呋喃基、噻吩基、吡咯基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、咪唑基、吡唑基、噁二唑基、呋咱基、噻二唑基、三唑基、四唑基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、苯并[b]噻吩基、吲哚基、异吲哚基、1H-吲唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、1H-苯并三唑基、喹啉基、异喹啉基、噌啉基、喹唑啉基、喹噁啉基、酞嗪基、萘啶基、嘌呤基、蝶啶基、咔唑基、吖啶基、吩噁嗪基、吩噻嗪基、吩嗪基、吩噁噻基、噻蒽基、吲嗪基等。
另外，所述芳基及杂芳基可经取代，可分别经例如所述芳基或杂芳基取代。
作为所述三嗪衍生物的具体例，例如可列举以下的化合物。
[化199]
Figure BDA0003249241830001751
所述三嗪衍生物可使用已知的原料与已知的合成方法来制造。
＜苯并咪唑衍生物＞
苯并咪唑衍生物例如为下述式(ETM-11)所表示的化合物。
[化200]
φ-(苯并咪唑系取代基)n (ETM-11)
φ为n价的芳基环(优选为n价的苯环、萘环、蒽环、芴环、苯并芴环、非那烯环、菲环或三亚苯环)，n为1～4的整数，“苯并咪唑系取代基”是式(ETM-2)、式(ETM-2-1)及式(ETM-2-2)的“吡啶系取代基”中的吡啶基取代为苯并咪唑基而成的取代基，苯并咪唑衍生物中的至少一个氢可经氘取代。
[化201]
Figure BDA0003249241830001752
所述苯并咪唑基中的R11为氢、碳数1～24的烷基、碳数3～12的环烷基或碳数6～30的芳基，可引用式(ETM-2-1)及式(ETM-2-2)中的R11的说明。
φ进而优选为蒽环或芴环，所述情况下的结构可引用式(ETM-2-1)或式(ETM-2-2)中的说明，各式中的R11～R18可引用式(ETM-2-1)或式(ETM-2-2)中的说明。另外，在式(ETM-2-1)或式(ETM-2-2)中以键结有两个吡啶系取代基的形态进行了说明，但在将这些取代为苯并咪唑系取代基时，可由苯并咪唑系取代基取代两个吡啶系取代基(即n＝2)，也可由苯并咪唑系取代基取代任一个吡啶系取代基并由R11～R18取代另一个吡啶系取代基(即n＝1)。进而，例如可由苯并咪唑系取代基取代式(ETM-2-1)中的R11～R18的至少一个并由R11～R18取代“吡啶系取代基”。
作为所述苯并咪唑衍生物的具体例，例如可列举：1-苯基-2-(4-(10-苯基蒽-9-基)苯基)-1H-苯并[d]咪唑、2-(4-(10-(萘-2-基)蒽-9-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并[d]咪唑、2-(3-(10-(萘-2-基)蒽-9-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并[d]咪唑、5-(10-(萘-2-基)蒽-9-基)-1,2-二苯基-1H-苯并[d]咪唑、1-(4-(10-(萘-2-基)蒽-9-基)苯基)-2-苯基-1H-苯并[d]咪唑、2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并[d]咪唑、1-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-2-苯基-1H-苯并[d]咪唑、5-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)-1,2-二苯基-1H-苯并[d]咪唑等。
[化202]
Figure BDA0003249241830001761
所述苯并咪唑衍生物可使用已知的原料与已知的合成方法来制造。
＜菲咯啉衍生物＞
菲咯啉衍生物例如为下述式(ETM-12)或式(ETM-12-1)所表示的化合物。详细情况在国际公开第2006/021982号中进行了记载。
[化203]
Figure BDA0003249241830001762
φ为n价的芳基环(优选为n价的苯环、萘环、蒽环、芴环、苯并芴环、非那烯环、菲环或三亚苯环)，n为1～4的整数。
各式的R11～R18分别独立地为氢、烷基(优选为碳数1～24的烷基)、环烷基(优选为碳数3～12的环烷基)或芳基(优选为碳数6～30的芳基)。另外，式(ETM-12-1)中R11～R18的任一者成为与作为芳基环的φ的结合键。
各菲咯啉衍生物中的至少一个氢可经氘取代。
作为R11～R18中的烷基、环烷基及芳基，可引用式(ETM-2)中的R11～R18的说明。另外，关于φ，除所述例子以外，例如可列举以下的结构式。再者，下述结构式中的R分别独立地为氢、甲基、乙基、异丙基、环己基、苯基、1-萘基、2-萘基、联苯基或三联苯基，*表示键结位置。
[化204]
Figure BDA0003249241830001771
作为所述菲咯啉衍生物的具体例，例如可列举：4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、9,10-二(1,10-菲咯啉-2-基)蒽、2,6-二(1,10-菲咯啉-5-基)吡啶、1,3,5-三(1,10-菲咯啉-5-基)苯、9,9'-二氟-双(1,10-菲咯啉-5-基)、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-菲咯啉(bathocuproine)、1,3-双(2-苯基-1,10-菲咯啉-9-基)苯或下述结构式所表示的化合物等。
[化205]
Figure BDA0003249241830001772
所述菲咯啉衍生物可使用已知的原料与已知的合成方法来制造。
＜羟基喹啉系金属络合物＞
羟基喹啉系金属络合物例如为下述式(ETM-13)所表示的化合物。
[化206]
Figure BDA0003249241830001781
式中，R1～R6分别独立地为氢、氟、烷基、环烷基、芳烷基、烯基、氰基、烷氧基、或芳基，M为Li、Al、Ga、Be、或Zn，n为1～3的整数。
作为羟基喹啉系金属络合物的具体例，可列举：8-羟基喹啉锂、三(8-羟基喹啉)铝、三(4-甲基-8-羟基喹啉)铝、三(5-甲基-8-羟基喹啉)铝、三(3,4-二甲基-8-羟基喹啉)铝、三(4,5-二甲基-8-羟基喹啉)铝、三(4,6-二甲基-8-羟基喹啉)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(2-甲基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(3-甲基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-甲基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(2-苯基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(3-苯基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(2,3-二甲基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(2,6-二甲基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(3,4-二甲基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(3,5-二甲基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(3,5-二-叔丁基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(2,6-二苯基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(2,4,6-三苯基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(2,4,6-三甲基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(2,4,5,6-四甲基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(1-萘酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(2-萘酚)铝、双(2,4-二甲基-8-羟基喹啉)(2-苯基苯酚)铝、双(2,4-二甲基-8-羟基喹啉)(3-苯基苯酚)铝、双(2,4-二甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯酚)铝、双(2,4-二甲基-8-羟基喹啉)(3,5-二甲基苯酚)铝、双(2,4-二甲基-8-羟基喹啉)(3,5-二-叔丁基苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)铝-μ-氧代-双(2-甲基-8-羟基喹啉)铝、双(2,4-二甲基-8-羟基喹啉)铝-μ-氧代-双(2,4-二甲基-8-羟基喹啉)铝、双(2-甲基-4-乙基-8-羟基喹啉)铝-μ-氧代-双(2-甲基-4-乙基-8-羟基喹啉)铝、双(2-甲基-4-甲氧基-8-羟基喹啉)铝-μ-氧代-双(2-甲基-4-甲氧基-8-羟基喹啉)铝、双(2-甲基-5-氰基-8-羟基喹啉)铝-μ-氧代-双(2-甲基-5-氰基-8-羟基喹啉)铝、双(2-甲基-5-三氟甲基-8-羟基喹啉)铝-μ-氧代-双(2-甲基-5-三氟甲基-8-羟基喹啉)铝、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍等。
所述羟基喹啉系金属络合物可使用已知的原料与已知的合成方法来制造。
＜噻唑衍生物及苯并噻唑衍生物＞
噻唑衍生物例如为下述式(ETM-14-1)所表示的化合物。
[化207]
φ-(噻唑系取代基)n (ETM-14-1)
苯并噻唑衍生物例如为下述式(ETM-14-2)所表示的化合物。
[化208]
φ-(苯并噻唑系取代基)n (ETM-14-2)
各式的φ为n价的芳基环(优选为n价的苯环、萘环、蒽环、芴环、苯并芴环、非那烯环、菲环或三亚苯环)，n为1～4的整数，“噻唑系取代基”或“苯并噻唑系取代基”是式(ETM-2)、式(ETM-2-1)及式(ETM-2-2)的“吡啶系取代基”中的吡啶基取代为下述的噻唑基或苯并噻唑基而成的取代基，噻唑衍生物及苯并噻唑衍生物中的至少一个氢可经氘取代。
[化209]
Figure BDA0003249241830001791
*表示键结位置。
φ进而优选为蒽环或芴环，所述情况下的结构可引用式(ETM-2-1)或式(ETM-2-2)中的说明，各式中的R11～R18可引用式(ETM-2-1)或式(ETM-2-2)中的说明。另外，在式(ETM-2-1)或式(ETM-2-2)中以键结有两个吡啶系取代基的形态进行了说明，但在将这些取代为噻唑系取代基(或苯并噻唑系取代基)时，可由噻唑系取代基(或苯并噻唑系取代基)取代两个吡啶系取代基(即n＝2)，也可由噻唑系取代基(或苯并噻唑系取代基)取代任一个吡啶系取代基并由R11～R18取代另一个吡啶系取代基(即n＝1)。进而，例如可由噻唑系取代基(或苯并噻唑系取代基)取代式(ETM-2-1)中的R11～R18的至少一个并由R11～R18取代“吡啶系取代基”。
这些噻唑衍生物或苯并噻唑衍生物可使用已知的原料与已知的合成方法来制造。
＜噻咯衍生物＞
噻咯衍生物例如为下述式(ETM-15)所表示的化合物。详细情况在日本专利特开平9-194487号公报中进行了记载。
[化210]
Figure BDA0003249241830001792
X及Y分别独立地为烷基、环烷基、烯基、炔基、烷氧基、烯氧基、炔氧基、芳基、杂芳基，这些可经取代。关于这些基的详细情况，可引用式(1A)及式(1B)中的说明、以及式(ETM-7-2)中的说明。另外，烯氧基及炔氧基分别为烷氧基中的烷基部分取代为烯基或炔基而成的基，关于这些烯基及炔基的详细情况，可引用式(ETM-7-2)中的说明。
另外，均为烷基的X与Y可键结而形成环。
R1～R4分别独立地为氢、卤素、烷基、环烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、烷基羰基、芳基羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、偶氮基、烷基羰氧基、芳基羰氧基、烷氧基羰氧基、芳氧基羰氧基、亚磺酰基(sulfinyl)、磺酰基(sulfonyl)、巯基(sulfanyl)、硅烷基、氨甲酰基、芳基、杂芳基、烯基、炔基、硝基、甲酰基、亚硝基、甲酰氧基、异氰基、氰酸酯基、异氰酸酯基、硫代氰酸酯基、异硫代氰酸酯基、或氰基，这些可经烷基、环烷基、芳基或卤素取代，也可在与邻接取代基之间形成缩合环。
关于R1～R4中的卤素、烷基、环烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、芳基、杂芳基、烯基及炔基的详细情况，可引用式(1A)及式(1B)中的说明。
关于R1～R4中的烷基羰基、芳基羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、烷基羰氧基、芳基羰氧基、烷氧基羰氧基及芳氧基羰氧基中的烷基、芳基及烷氧基的详细情况，也可引用式(1A)及式(1B)中的说明。
作为硅烷基，可列举硅烷基、以及硅烷基的三个氢的至少一个分别独立地经芳基、烷基或环烷基取代的基，优选为三取代硅烷基，可列举：三芳基硅烷基、三烷基硅烷基、三环烷基硅烷基、二烷基环烷基硅烷基及烷基二环烷基硅烷基等。关于这些中的芳基、烷基及环烷基的详细情况，可引用式(1A)及式(1B)中的说明。
所谓在与邻接取代基之间所形成的缩合环例如为在R1与R2、R2与R3、R3与R4等之间所形成的共轭或非共轭的缩合环。这些缩合环可在环内结构中包含氮原子、氧原子、硫原子，也可进而与其他环缩合。
其中，优选为在R1及R4为苯基的情况下，X及Y不为烷基或苯基。另外，优选为不同时满足在R1及R4为噻吩基的情况下，X及Y为烷基且R2及R3为烷基、芳基、烯基或R2与R3键结而形成环的环烷基的结构。另外，优选为当R1及R4为硅烷基时，R2、R3、X及Y分别独立地不为氢或碳数1至6的烷基。另外，优选为于在R1及R2中缩合有苯环的结构的情况下，X及Y不为烷基及苯基。
这些噻咯衍生物可使用已知的原料与已知的合成方法来制造。
＜唑啉衍生物＞
唑啉衍生物例如为下述式(ETM-16)所表示的化合物。详细情况在国际公开第2017/014226号中进行了记载。
[化211]
Figure BDA0003249241830001801
式(ETM-16)中，
φ为源自碳数6～40的芳香族烃的m价基或源自碳数2～40的芳香族杂环的m价基，φ的至少一个氢可经碳数1～6的烷基、碳数3～14的环烷基、碳数6～18的芳基或碳数2～18的杂芳基取代，
Y分别独立地为-O-、-S-或＞N-Ar，Ar为碳数6～12的芳基或碳数2～12的杂芳基，Ar的至少一个氢可经碳数1～4的烷基、碳数5～10的环烷基、碳数6～12的芳基或碳数2～12的杂芳基取代，R1～R5分别独立地为氢、碳数1～4的烷基或碳数5～10的环烷基，其中，所述＞N-Ar中的Ar及所述R1～R5中的任一个为与L键结的部位，
L分别独立地选自由下述式(L-1)所表示的二价基、及下述式(L-2)所表示的二价基所组成的群组中，
[化212]
Figure BDA0003249241830001811
式(L-1)中，X1～X6分别独立地为＝CR6-或＝N-，X1～X6中的至少两个为＝CR6-，X1～X6中的两个＝CR6-中的R6为与φ或唑啉环键结的部位，其以外的＝CR6-中的R6为氢，
式(L-2)中，X7～X14分别独立地为＝CR6-或＝N-，X7～X14中的至少两个为＝CR6-，X7～X14中的两个＝CR6-中的R6为与φ或唑啉环键结的部位，其以外的＝CR6-中的R6为氢，
L的至少一个氢可经碳数1～4的烷基、碳数5～10的环烷基、碳数6～10的芳基或碳数2～10的杂芳基取代，
m为1～4的整数，当m为2～4时，由唑啉环与L形成的基可相同也可不同，而且，
式(ETM-16)所表示的化合物中的至少一个氢可经氘取代。
具体的唑啉衍生物为下述式(ETM-16-1)或式(ETM-16-2)所表示的化合物。
[化213]
Figure BDA0003249241830001812
式(ETM-16-1)及式(ETM-16-2)中，
φ为源自碳数6～40的芳香族烃的m价基或源自碳数2～40的芳香族杂环的m价基，φ的至少一个氢可经碳数1～6的烷基、碳数3～14的环烷基、碳数6～18的芳基或碳数2～18的杂芳基取代，
式(ETM-16-1)中，Y分别独立地为-O-、-S-或＞N-Ar，Ar为碳数6～12的芳基或碳数2～12的杂芳基，Ar的至少一个氢可经碳数1～4的烷基、碳数5～10的环烷基、碳数6～12的芳基或碳数2～12的杂芳基取代，
式(ETM-16-1)中，R1～R4分别独立地为氢、碳数1～4的烷基或碳数5～10的环烷基，其中，R1与R2相同，且R3与R4相同，
式(ETM-16-2)中，R1～R5分别独立地为氢、碳数1～4的烷基或碳数5～10的环烷基，其中，R1与R2相同，且R3与R4相同，
式(ETM-16-1)及式(ETM-16-2)中，
L分别独立地选自由下述式(L-1)所表示的二价基、及下述式(L-2)所表示的二价基所组成的群组中，
[化214]
Figure BDA0003249241830001821
式(L-1)中，X1～X6分别独立地为＝CR6-或＝N-，X1～X6中的至少两个为＝CR6-，X1～X6中的两个＝CR6-中的R6为与φ或唑啉环键结的部位，其以外的＝CR6-中的R6为氢，
式(L-2)中，X7～X14分别独立地为＝CR6-或＝N-，X7～X14中的至少两个为＝CR6-，X7～X14中的两个＝CR6-中的R6为与φ或唑啉环键结的部位，其以外的＝CR6-中的R6为氢，
L的至少一个氢可经碳数1～4的烷基、碳数5～10的环烷基、碳数6～10的芳基或碳数2～10的杂芳基取代，
m为1～4的整数，当m为2～4时，由唑啉环与L形成的基可相同也可不同，而且，
式(ETM-16-1)或式(ETM-16-2)所表示的化合物中的至少一个氢可经氘取代。
优选为：φ选自由下述式(φ1-1)～式(φ1-18)所表示的一价基、下述式(φ2-1)～式(φ2-34)所表示的二价基、下述式(φ3-1)～式(φ3-3)所表示的三价基、及下述式(φ4-1)～式(φ4-2)所表示的四价基所组成的群组中，φ的至少一个氢可经碳数1～6的烷基、碳数3～14的环烷基、碳数6～18的芳基或碳数2～18的杂芳基取代。
[化215]
Figure BDA0003249241830001822
[化216]
Figure BDA0003249241830001831
[化217]
Figure BDA0003249241830001832
式中的Z为＞CR2、＞N-Ar、＞N-L、-O-或-S-，＞CR2中的R分别独立地为碳数1～4的烷基、碳数5～10的环烷基、碳数6～12的芳基或碳数2～12的杂芳基，R可相互键结而形成环，＞N-Ar中的Ar为碳数6～12的芳基或碳数2～12的杂芳基，＞N-L中的L为式(ETM-16)、式(ETM-16-1)或式(ETM-16-2)中的L。式中的*表示键结位置。
优选为：L为选自由苯、萘、吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、三嗪、喹啉、异喹啉、萘啶、酞嗪、喹噁啉、喹唑啉、噌啉、及蝶啶所组成的群组中的环的二价基，L的至少一个氢可经碳数1～4的烷基、碳数5～10的环烷基、碳数6～10的芳基或碳数2～10的杂芳基取代。
优选为：作为Y或Z的＞N-Ar中的Ar选自由苯基、萘基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、萘啶基、酞嗪基、喹噁啉基、喹唑啉基、噌啉基、及蝶啶基所组成的群组中，作为Y的＞N-Ar中的Ar的至少一个氢可经碳数1～4的烷基、碳数5～10的环烷基或碳数6～10的芳基取代。
优选为：R1～R4分别独立地为氢、碳数1～4的烷基或碳数5～10的环烷基，其中，R1与R2相同，R3与R4相同，且R1～R4不会全部同时成为氢，而且，m为1或2，当m为2时，由唑啉环与L形成的基相同。
作为唑啉衍生物的具体例，例如可列举以下的化合物。再者，结构式中的“Me”表示甲基。
[化218]
Figure BDA0003249241830001841
更优选为：φ选自由下述式(φ2-1)、式(φ2-31)、式(φ2-32)、式(φ2-33)及式(φ2-34)所表示的二价基所组成的群组中，φ的至少一个氢可经碳数6～18的芳基取代。
[化219]
Figure BDA0003249241830001851
(＊表示键结位置。)
L为选自由苯、吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、及三嗪所组成的群组中的环的二价基，L的至少一个氢可经碳数1～4的烷基、碳数5～10的环烷基、碳数6～10的芳基或碳数2～14的杂芳基取代，
作为Y的＞N-Ar中的Ar选自由苯基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、及三嗪基所组成的群组中，所述Ar的至少一个氢可经碳数1～4的烷基、碳数5～10的环烷基或碳数6～10的芳基取代，
R1～R4分别独立地为氢、碳数1～4的烷基或碳数5～10的环烷基，其中，R1与R2相同，R3与R4相同，且R1～R4不会全部同时成为氢，而且，
m为2，由唑啉环与L形成的基相同。
作为唑啉衍生物的其他具体例，例如可列举以下的化合物。再者，结构式中的“Me”表示甲基。
[化220]
Figure BDA0003249241830001852
关于规定所述唑啉衍生物的所述各式中的烷基、环烷基、芳基或杂芳基的详细情况，可引用式(1A)及式(1B)中的说明。
所述唑啉衍生物可使用已知的原料与已知的合成方法来制造。
＜还原性物质＞
也可在电子传输层或电子注入层中进而包含可将形成电子传输层或电子注入层的材料还原的物质。所述还原性物质只要是具有一定的还原性的物质，则可使用各种物质，例如可优选地使用选自由碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属的氧化物、碱金属的卤化物、碱土金属的氧化物、碱土金属的卤化物、稀土金属的氧化物、稀土金属的卤化物、碱金属的有机络合物、碱土金属的有机络合物及稀土金属的有机络合物所组成的群组中的至少一种。
作为优选的还原性物质，可列举Na(功函数2.36eV)、K(功函数2.28eV)、Rb(功函数2.16eV)或Cs(功函数1.95eV)等碱金属，或者Ca(功函数2.9eV)、Sr(功函数2.0eV～2.5eV)或Ba(功函数2.52eV)等碱土金属，特别优选为功函数为2.9eV以下的物质。这些中，更优选的还原性物质是作为碱金属的K、Rb或Cs，进而优选为Rb或Cs，最优选为Cs。这些碱金属的还原能力特别高，通过向形成电子传输层或电子注入层的材料中添加比较少量的所述碱金属，可实现有机EL元件中的发光亮度的提高或长寿命化。另外，作为功函数为2.9eV以下的还原性物质，也优选为这些两种以上的碱金属的组合，特别优选为包含Cs的组合，例如Cs与Na、Cs与K、Cs与Rb、或Cs与Na及K的组合。通过包含Cs，可有效率地发挥还原能力，通过添加至形成电子传输层或电子注入层的材料中，可实现有机EL元件中的发光亮度的提高或长寿命化。
所述电子注入层用材料及电子传输层用材料也可作为如下的高分子化合物或其高分子交联体、或者如下的悬挂型高分子化合物或其悬挂型高分子交联体而用于电子层用材料中，所述高分子化合物是使在所述电子注入层用材料及电子传输层用材料中取代有反应性取代基而成的反应性化合物作为单体进行高分子化而成，所述悬挂型高分子化合物是使主链型高分子与所述反应性化合物反应而成。作为所述情况下的反应性取代基，可引用包含式(1A)所表示的部分结构及至少两个式(1B)所表示的部分结构的多环芳香族化合物中的说明。
关于此种高分子化合物及高分子交联体的用途的详细情况，将在之后叙述。
3-1-7.有机电致发光元件中的阴极
阴极108发挥经由电子注入层107及电子传输层106而将电子注入至发光层105的作用。
作为形成阴极108的材料，只要为可将电子高效地注入至有机层的物质，则并无特别限定，可使用与形成阳极102的材料相同的材料。其中，优选为锡、铟、钙、铝、银、铜、镍、铬、金、铂、铁、锌、锂、钠、钾、铯及镁等金属或这些的合金(镁-银合金、镁-铟合金、氟化锂/铝等铝-锂合金等)等。为了提高电子注入效率来提高元件特性，有效的是锂、钠、钾、铯、钙、镁或包含这些低功函数金属的合金。然而，一般而言这些低功函数金属多数情况下在大气中不稳定。为了改善此点，已知有例如向有机层中掺杂微量的锂、铯或镁，并使用稳定性高的电极的方法。作为其他掺杂剂，也可使用氟化锂、氟化铯、氧化锂及氧化铯之类的无机盐。但是，并不限定于这些。
进而，可列举如下作为优选的例子：为了保护电极而将铂、金、银、铜、铁、锡、铝及铟等金属、或使用这些金属的合金，以及二氧化硅、二氧化钛及氮化硅等无机物，聚乙烯基醇，氯乙烯，烃系高分子化合物等进行层叠。这些电极的制作方法只要为电阻加热、电子束蒸镀、溅镀、离子镀及涂布等可取得导通的方法，则也无特别限制。
3-1-8.各层中可使用的粘结剂
以上的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层中所使用的材料可单独地形成各层，也可分散于作为高分子粘结剂的聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚(N-乙烯基咔唑)、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸丁酯、聚酯、聚砜、聚苯醚、聚丁二烯、烃树脂、酮树脂、苯氧基树脂、聚酰胺、乙基纤维素、乙酸乙烯酯树脂、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(acrylonitrile butadiene styrene，ABS)树脂、聚氨基甲酸酯树脂等溶剂可溶性树脂，或者酚树脂、二甲苯树脂、石油树脂、脲树脂、三聚氰胺树脂、不饱和聚酯树脂、醇酸树脂、环氧树脂、硅酮树脂等硬化性树脂等中来使用。
3-1-9.有机电致发光元件的制作方法
构成有机EL元件的各层可通过利用蒸镀法、电阻加热蒸镀、电子束蒸镀、溅镀、分子层叠法、印刷法、旋涂法或浇铸法、涂布法等方法将应构成各层的材料制成薄膜来形成。以所述方式形成的各层的膜厚并无特别限定，可根据材料的性质来适宜设定，但通常为2nm～5000nm的范围。膜厚通常可利用晶体振荡式膜厚测定装置等来测定。在使用蒸镀法进行薄膜化的情况下，其蒸镀条件根据材料的种类、膜的目标结晶结构及缔合结构等而不同。蒸镀条件一般而言优选为在舟皿加热温度+50℃～+400℃、真空度10-6Pa～10-3Pa、蒸镀速度0.01nm/sec～50nm/sec、基板温度-150℃～+300℃、膜厚2nm～5μm的范围内适宜设定。
在对以所述方式获得的有机EL元件施加直流电压的情况下，只要将阳极作为+的极性，将阴极作为-的极性来施加即可，若施加2V～40V左右的电压，则可自透明或半透明的电极侧(阳极或阴极、及两者)观测到发光。另外，所述有机EL元件在施加有脉冲电流或交流电流的情况下也发光。再者，所施加的交流的波形可为任意。
继而，作为制作有机EL元件的方法的一例，对包括阳极/空穴注入层/空穴传输层/包含主体材料与掺杂剂材料的发光层/电子传输层/电子注入层/阴极的有机EL元件的制作方法进行说明。
＜蒸镀法＞
在适当的基板上，利用蒸镀法等形成阳极材料的薄膜来制作阳极，然后在所述阳极上形成空穴注入层及空穴传输层的薄膜。在所述薄膜上对主体材料与掺杂剂材料进行共蒸镀而形成薄膜来作为发光层，在所述发光层上形成电子传输层、电子注入层，进而利用蒸镀法等形成包含阴极用物质的薄膜来作为阴极，由此获得目标有机EL元件。再者，在所述有机EL元件的制作中，也可使制作顺序相反，而以阴极、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、阳极的顺序制作。
＜湿式成膜法＞
通过准备可形成有机EL元件的各有机层的低分子化合物作为液状的有机层形成用组合物，并使用其来实施湿式成膜法。在不存在将所述低分子化合物溶解的适当的有机溶媒的情况下，也可由如下的高分子化合物等来准备有机层形成用组合物，所述高分子化合物是与作为在所述低分子化合物中取代有反应性取代基而成的反应性化合物而具有溶解性功能的其他单体或主链型高分子一起进行高分子化而成。
湿式成膜法一般而言通过经由如下工序而形成涂膜，所述工序为在基板上涂布有机层形成用组合物的涂布工序以及自经涂布的有机层形成用组合物中去除溶媒的干燥工序。在所述高分子化合物具有交联性取代基的情况(也将其称为交联性高分子化合物)下，通过所述干燥工序来进一步进行交联而形成高分子交联体。根据涂布工序的不同，将使用旋涂机的方法称为旋涂法，将使用狭缝涂布机的方法称为狭缝涂布法，将使用版的方法称为凹版、平版、反向平版、柔版印刷法，将使用喷墨印刷机的方法称为喷墨法，将以雾状吹附的方法称为喷雾法。
作为一例，参考图2，并对在具有堤部的基板上使用喷墨法来形成涂膜的方法进行说明。首先，将堤部200设置于基板110上的电极120上。在所述情况下，可自喷墨头300向堤部200间滴加油墨的液滴310，并加以干燥，由此制作涂膜130。重复所述工序，制作下一涂膜140，进而直至发光层150为止，只要使用真空蒸镀法将电子传输层、电子注入层及电极进行成膜，则可制作发光部位被堤部材料划分的有机EL元件。
干燥工序中有风干、加热、减压干燥等方法。干燥工序可仅进行一次，也可使用不同的方法或条件而进行多次。另外，例如可如在减压下煅烧般并用不同的方法。
所谓湿式成膜法是使用溶液的成膜法，例如为一部分印刷法(喷墨法)、旋涂法或浇铸法、涂布法等。湿式成膜法与真空蒸镀法不同，无需使用昂贵的真空蒸镀装置，可在大气压下进行成膜。除此以外，湿式成膜法能够大面积化或连续生产，从而带来制造成本的减少。
另一方面，在与真空蒸镀法比较的情况下，存在湿式成膜法难以层叠化的情况。在使用湿式成膜法来制作层叠膜的情况下，需要防止由上层的组合物引起的下层的溶解，且运用控制了溶解性的组合物、下层的交联及正交溶媒(Orthogonal solvent，相互不溶解的溶媒)等。然而，存在即便使用这些技术也难以将湿式成膜法用于所有的膜的涂布的情况。
因此，一般而言可采用如下方法：使用湿式成膜法仅制成若干层，利用真空蒸镀法制成剩余层，从而制作有机EL元件。
例如，以下示出一部分应用湿式成膜法而制作有机EL元件的程序。
(程序1)阳极的利用真空蒸镀法进行的成膜
(程序2)包含空穴注入层用材料的空穴注入层形成用组合物的利用湿式成膜法进行的成膜
(程序3)包含空穴传输层用材料的空穴传输层形成用组合物的利用湿式成膜法进行的成膜
(程序4)包含主体材料与掺杂剂材料的发光层形成用组合物的利用湿式成膜法进行的成膜
(程序5)电子传输层的利用真空蒸镀法进行的成膜
(程序6)电子注入层的利用真空蒸镀法进行的成膜
(程序7)阴极的利用真空蒸镀法进行的成膜
通过经由所述程序，可获得包括阳极/空穴注入层/空穴传输层/包含主体材料与掺杂剂材料的发光层/电子传输层/电子注入层/阴极的有机EL元件。
当然，关于电子传输层及电子注入层，也可分别使用包含电子传输层用材料及电子注入层用材料的层形成用组合物，并通过湿式成膜法来进行成膜。此时，优选为使用防止下层的发光层溶解的手段，或者与所述程序相反地自阴极侧进行成膜的手段。
＜其他成膜法＞
在有机层形成用组合物的成膜化中可使用激光加热描绘法(激光感应热成像(laser induced thermal imaging，LITI))。所谓LITI为利用激光对附着于基材的化合物进行加热蒸镀的方法，且可将有机层形成用组合物用于涂布在基材上的材料中。
＜任意的工序＞
在成膜的各工序的前后，也可适宜加入适当的处理工序、清洗工序及干燥工序。作为处理工序，例如可列举：曝光处理、等离子体表面处理、超声波处理、臭氧处理、使用适当的溶媒的清洗处理及加热处理等。进而也可列举制作堤部的一系列的工序。
在堤部的制作中可使用光刻技术。作为能够利用光刻的堤部材料，可使用正型抗蚀剂材料及负型抗蚀剂材料。另外，也可使用喷墨法、凹版平版印刷、反向平版印刷、丝网印刷等能够制成图案的印刷法。此时，也可使用永久抗蚀剂材料。
作为用于堤部的材料，可列举：多糖类及其衍生物、具有羟基的乙烯性单体的均聚物及共聚物、生物高分子化合物、聚丙烯酰基化合物、聚酯、聚苯乙烯、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚硫醚、聚砜、聚苯(polyphenylene)、聚苯基醚、聚氨基甲酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯、三聚氰胺(甲基)丙烯酸酯、聚烯烃、环状聚烯烃、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚聚合物(ABS)、硅酮树脂、聚氯乙烯、氯化聚乙烯、氯化聚丙烯、聚乙酸酯、聚降冰片烯、合成橡胶、聚偏二氟乙烯、聚四氟乙烯、聚六氟丙烯等氟化聚合物、氟烯烃-碳氢烯烃的共聚聚合物、氟碳聚合物，但并不仅限定于此。
＜湿式成膜法中所使用的有机层形成用组合物＞
有机层形成用组合物是使可形成有机EL元件的各有机层的低分子化合物、或将所述低分子化合物加以高分子化而成的高分子化合物溶解于有机溶媒中而获得。例如，发光层形成用组合物含有作为第一成分的至少一种掺杂剂材料即多环芳香族化合物(或其高分子化合物)、作为第二成分的至少一种主体材料、以及作为第三成分的至少一种有机溶媒。第一成分作为由所述组合物获得的发光层的掺杂剂成分而发挥功能，第二成分作为发光层的主体成分而发挥功能。第三成分作为使组合物中的第一成分与第二成分溶解的溶媒而发挥功能，并在涂布时通过第三成分自身的经控制的蒸发速度而获得平滑且均匀的表面形状。
＜有机溶媒＞
有机层形成用组合物包含至少一种有机溶媒。通过在成膜时控制有机溶媒的蒸发速度，可控制及改善成膜性及涂膜的缺陷的有无、表面粗糙度、平滑性。另外，在使用喷墨法来进行成膜时，可控制喷墨头的针孔处的弯液面(meniscus)稳定性，并可控制/改善喷出性。除此以外，通过控制膜的干燥速度及衍生物分子的取向，可改善具有由所述有机层形成用组合物获得的有机层的有机EL元件的电特性、发光特性、效率、及寿命。
(1)有机溶媒的物性
至少一种有机溶媒的沸点为130℃～300℃，更优选为140℃～270℃，进而优选为150℃～250℃。就喷墨的喷出性的观点而言，优选为沸点高于130℃的情况。另外，就涂膜的缺陷、表面粗糙度、残留溶媒及平滑性的观点而言，优选为沸点低于300℃的情况。就良好的喷墨喷出性、成膜性、平滑性及残留溶媒少的观点而言，有机溶媒更优选为包含两种以上的有机溶媒的构成。另一方面，视情况考虑到搬运性等，也可为通过自有机层形成用组合物中去除溶媒而制成为固体状态的组合物。
进而，有机溶媒包含对于溶质的至少一种而言的良溶媒(good solvent，GS)与不良溶媒(poor solvent，PS)，特别优选为良溶媒(GS)的沸点(BPGS)低于不良溶媒(PS)的沸点(BPPS)的构成。
通过加入高沸点的不良溶媒，而在成膜时低沸点的良溶媒先挥发，组合物中的含有物的浓度与不良溶媒的浓度增加并促进快速成膜。由此，可获得缺陷少、表面粗糙度小且平滑性高的涂膜。
溶解度的差(SGS-SPS)优选为1％以上，更优选为3％以上，进而优选为5％以上。沸点的差(BPPS-BPGS)优选为10℃以上，更优选为30℃以上，进而优选为50℃以上。
有机溶媒在成膜后通过真空、减压、加热等干燥工序而自涂膜中去除。在进行加热的情况下，就改善涂布成膜性的观点而言，优选为以溶质的至少一种的玻璃化转变温度(Tg)+30℃以下进行。另外，就削减残留溶媒的观点而言，优选为以溶质的至少一种的玻璃化转变温度(Tg)-30℃以上进行加热。即便加热温度低于有机溶媒的沸点，由于膜薄，因此有机溶媒也充分地被去除。另外，可在不同的温度下进行多次干燥，也可并用多种干燥方法。
(2)有机溶媒的具体例
作为有机层形成用组合物中所使用的有机溶媒，可列举：烷基苯系溶媒、苯基醚系溶媒、烷基醚系溶媒、环状酮系溶媒、脂肪族酮系溶媒、单环性酮系溶媒、具有二酯骨架的溶媒及含氟系溶媒等，作为具体例，可列举：戊醇、己醇、庚醇、辛醇、壬醇、癸醇、十一醇、十二醇、十四醇、己烷-2-醇、庚烷-2-醇、辛烷-2-醇、癸烷-2-醇、十二烷-2-醇、环己醇、α-松油醇(α-terpineol)、β-松油醇、γ-松油醇、δ-松油醇、松油醇(混合物)、乙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇单甲醚乙酸酯、二乙二醇二甲醚、二丙二醇二甲醚、二乙二醇乙基甲醚、二乙二醇异丙基甲醚、二丙二醇单甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇丁基甲醚、三丙二醇二甲醚、三乙二醇二甲醚、二乙二醇单丁醚、乙二醇单苯基醚、三乙二醇单甲醚、二乙二醇二丁醚、三乙二醇丁基甲醚、聚乙二醇二甲醚、四乙二醇二甲醚、对二甲苯、间二甲苯、邻二甲苯、2,6-二甲基吡啶、2-氟-间二甲苯、3-氟-邻二甲苯、2-氯苯并三氟化物、枯烯、甲苯、2-氯-6-氟甲苯、2-氟苯甲醚、苯甲醚、2,3-二甲基吡嗪、溴苯、4-氟苯甲醚、3-氟苯甲醚、3-三氟甲基苯甲醚、均三甲苯、1,2,4-三甲基苯、叔丁基苯、2-甲基苯甲醚、苯乙醚、苯并二噁茂(benzodioxole)、4-甲基苯甲醚、仲丁基苯、3-甲基苯甲醚、4-氟-3-甲基苯甲醚、异丙基甲苯(cymene)、1,2,3-三甲基苯、1,2-二氯苯、2-氟苯甲腈、4-氟邻二甲氧苯(4-fluoroveratrole)、2,6-二甲基苯甲醚、正丁基苯、3-氟苯甲腈、萘烷(decalin)(十氢萘(decahydronaphthalene))、新戊基苯、2,5-二甲基苯甲醚、2,4-二甲基苯甲醚、苯甲腈、3,5-二甲基苯甲醚、二苯基醚、1-氟-3,5-二甲氧基苯、苯甲酸甲酯、异戊基苯、3,4-二甲基苯甲醚、邻甲苯甲腈(o-tolunitrile)、正戊基苯、邻二甲氧苯(veratrole)、1,2,3,4-四氢萘、苯甲酸乙酯、正己基苯、苯甲酸丙酯、环己基苯、1-甲基萘、苯甲酸丁酯、2-甲基联苯、3-苯氧基甲苯、2,2'-二甲基联苯(2,2'-bitolyl)、十二基苯、二戊基苯、四甲基苯、三甲氧基苯、三甲氧基甲苯、2,3-二氢苯并呋喃、1-甲基-4-(丙氧基甲基)苯、1-甲基-4-(丁氧基甲基)苯、1-甲基-4-(戊氧基甲基)苯、1-甲基-4-(己氧基甲基)苯、1-甲基-4-(庚氧基甲基)苯、苄基丁基醚、苄基戊基醚、苄基己基醚、苄基庚基醚、苄基辛基醚等，但并不仅限定于此。另外，溶媒可单独使用，也可进行混合。
＜任意成分＞
有机层形成用组合物也可在不损及其性质的范围内包含任意成分。作为任意成分，可列举粘合剂及表面活性剂等。
(1)粘合剂
有机层形成用组合物也可含有粘合剂。关于粘合剂，在成膜时在形成膜的同时将所获得的膜与基板接合。另外，在所述有机层形成用组合物中发挥使其他成分溶解及分散以及粘结的作用。
作为有机层形成用组合物中所使用的粘合剂，例如可列举：丙烯酸树脂、聚对苯二甲酸乙二酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-乙烯基醇共聚物、丙烯腈-乙烯-苯乙烯共聚物(acrylonitrile-ethylene-styrene，AES)树脂、离聚物(ionomer)、氯化聚醚、邻苯二甲酸二烯丙酯树脂、不饱和聚酯树脂、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚苯乙烯、聚乙酸乙烯酯、铁氟龙(Teflon)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS)树脂、丙烯腈-苯乙烯共聚物(acrylonitrile-styrene，AS)树脂、酚树脂、环氧树脂、三聚氰胺树脂、脲树脂、醇酸树脂、聚氨基甲酸酯、以及所述树脂及聚合物的共聚物，但并不仅限定于此。
有机层形成用组合物中所使用的粘合剂可仅为一种，也可混合使用多种。
(2)表面活性剂
例如为了控制有机层形成用组合物的膜面均匀性、膜表面的亲溶媒性及拨液性，有机层形成用组合物也可含有表面活性剂。表面活性剂根据亲水性基的结构被分类为离子性及非离子性，进而根据疏水性基的结构被分类为烷基系及硅酮系以及氟系。另外，根据分子的结构被分类为分子量比较小的具有单纯结构的单分子系及分子量大的具有侧链或分支的高分子系。另外，根据组成被分类为单一系、混合有两种以上的表面活性剂及基材的混合系。作为可用于所述有机层形成用组合物的表面活性剂，可使用所有种类的表面活性剂。
作为表面活性剂，例如可列举：珀利弗洛(Polyflow)No.45、珀利弗洛(Polyflow)KL-245、珀利弗洛(Polyflow)No.75、珀利弗洛(Polyflow)No.90、珀利弗洛(Polyflow)No.95(商品名，共荣社化学工业(股)制造)；迪斯帕毕克(Disperbyk)161、迪斯帕毕克(Disperbyk)162、迪斯帕毕克(Disperbyk)163、迪斯帕毕克(Disperbyk)164、迪斯帕毕克(Disperbyk)166、迪斯帕毕克(Disperbyk)170、迪斯帕毕克(Disperbyk)180、迪斯帕毕克(Disperbyk)181、迪斯帕毕克(Disperbyk)182、毕克(BYK)300、毕克(BYK)306、毕克(BYK)310、毕克(BYK)320、毕克(BYK)330、毕克(BYK)342、毕克(BYK)344、毕克(BYK)346(商品名，日本毕克化学(BYK-Chemie Japan)(股)制造)；KP-341、KP-358、KP-368、KF-96-50CS、KF-50-100CS(商品名，信越化学工业(股)制造)；沙福隆(Surflon)SC-101、沙福隆(Surflon)KH-40(商品名，清美化学(Seimi Chemical)(股)制造)；福杰特(Ftergent)222F、福杰特(Ftergent)251、FTX-218(商品名，尼欧斯(NEOS)(股)制造)；艾福拓(EFTOP)EF-351、艾福拓(EFTOP)EF-352、艾福拓(EFTOP)EF-601、艾福拓(EFTOP)EF-801、艾福拓(EFTOP)EF-802(商品名，三菱材料(Mitsubishi Material)(股)制造)；美佳法(Megafac)F-470、美佳法(Megafac)F-471、美佳法(Megafac)F-475、美佳法(Megafac)R-08、美佳法(Megafac)F-477、美佳法(Megafac)F-479、美佳法(Megafac)F-553、美佳法(Megafac)F-554(商品名，迪爱生(DIC)(股)制造)；氟烷基苯磺酸盐、氟烷基羧酸盐、氟烷基聚氧乙烯醚、氟烷基碘化铵、氟烷基甜菜碱、氟烷基磺酸盐、二甘油四(氟烷基聚氧乙烯醚)、氟烷基三甲基铵盐、氟烷基氨基磺酸盐、聚氧乙烯壬基苯基醚、聚氧乙烯辛基苯基醚、聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯月桂酸酯、聚氧乙烯油酸酯、聚氧乙烯硬脂酸酯、聚氧乙烯月桂基胺、脱水山梨糖醇月桂酸酯、脱水山梨糖醇棕榈酸酯、脱水山梨糖醇硬脂酸酯、脱水山梨糖醇油酸酯、脱水山梨糖醇脂肪酸酯、聚氧乙烯脱水山梨糖醇月桂酸酯、聚氧乙烯脱水山梨糖醇棕榈酸酯、聚氧乙烯脱水山梨糖醇硬脂酸酯、聚氧乙烯脱水山梨糖醇油酸酯、聚氧乙烯萘基醚、烷基苯磺酸盐及烷基二苯基醚二磺酸盐。
另外，表面活性剂可使用一种，也可并用两种以上。
＜有机层形成用组合物的组成及物性＞
考虑有机层形成用组合物中的各成分的良好的溶解性、保存稳定性及成膜性、以及由所述有机层形成用组合物获得的涂膜的优质膜质、和使用喷墨法时的良好喷出性、具有使用所述组合物而制作的有机层的有机EL元件的良好的电特性、发光特性、效率、寿命的观点来决定有机层形成用组合物中的各成分的含量。例如，在发光层形成用组合物的情况下，优选为：第一成分相对于发光层形成用组合物的总质量而为0.0001质量％～2.0质量％，第二成分相对于发光层形成用组合物的总质量而为0.0999质量％～8.0质量％，第三成分相对于发光层形成用组合物的总质量而为90.0质量％～99.9质量％。
更优选为：第一成分相对于发光层形成用组合物的总质量而为0.005质量％～1.0质量％，第二成分相对于发光层形成用组合物的总质量而为0.095质量％～4.0质量％，第三成分相对于发光层形成用组合物的总质量而为95.0质量％～99.9质量％。进而优选为：第一成分相对于发光层形成用组合物的总质量而为0.05质量％～0.5质量％，第二成分相对于发光层形成用组合物的总质量而为0.25质量％～2.5质量％，第三成分相对于发光层形成用组合物的总质量而为97.0质量％～99.7质量％。
有机层形成用组合物可通过利用已知的方法对所述成分适宜选择进行搅拌、混合、加热、冷却、溶解、分散等而制造。另外，也可在制备后适宜选择进行过滤、脱气(也称为除气(degas))、离子交换处理及惰性气体置换/封入处理等。
作为有机层形成用组合物的粘度，高粘度的情况下可获得良好的成膜性与使用喷墨法时的良好的喷出性。另一方面，低粘度的情况下容易制作薄膜。因此，所述有机层形成用组合物的粘度优选为25℃下的粘度为0.3mPa·s～3mPa·s，更优选为1mPa·s～3mPa·s。在本发明中，粘度是使用圆锥平板型旋转粘度计(cone-plate type)而测定的值。
作为有机层形成用组合物的表面张力，表面张力低的情况下可获得良好的成膜性及无缺陷的涂膜。另一方面，表面张力高的情况下可获得良好的喷墨喷出性。因此，所述有机层形成用组合物的粘度优选为25℃下的表面张力为20mN/m～40mN/m，更优选为20mN/m～30mN/m。在本发明中，表面张力是使用悬滴法而测定的值。
＜交联性高分子化合物：式(XLP-1)所表示的化合物＞
继而，对所述高分子化合物具有交联性取代基的情况进行说明。此种交联性高分子化合物例如为下述式(XLP-1)所表示的化合物。
[化221]
Figure BDA0003249241830001921
式(XLP-1)中，
MUx、ECx及k与式(H3)中的MU、EC及k含义相同，其中，式(XLP-1)所表示的化合物具有至少一个交联性取代基(XLS)，优选为具有交联性取代基的一价或二价的芳香族基的含量在分子中为0.1质量％～80质量％。
具有交联性取代基的一价或二价的芳香族基的含量在分子中优选为0.5质量％～50质量％，更优选为1质量％～20质量％。
作为交联性取代基(XLS)，若为可使所述高分子化合物进一步交联化的基，则并无特别限定，优选为以下结构的取代基。各结构式中的*表示键结位置。
[化222]
Figure BDA0003249241830001931
L分别独立地为单键、-O-、-S-、＞C＝O、-O-C(＝O)-、碳数1～12的亚烷基、碳数1～12的氧亚烷基及碳数1～12的聚氧亚烷基。所述取代基中，优选为式(XLS-1)、式(XLS-2)、式(XLS-3)、式(XLS-9)、式(XLS-10)或式(XLS-17)所表示的基，更优选为式(XLS-1)、式(XLS-3)或式(XLS-17)所表示的基。
作为具有交联性取代基的二价的芳香族化合物，例如可列举具有下述部分结构的化合物。
[化223]
Figure BDA0003249241830001932
[化224]
Figure BDA0003249241830001941
[化225]
Figure BDA0003249241830001942
[化226]
Figure BDA0003249241830001943
＜高分子化合物及交联性高分子化合物的制造方法＞
关于高分子化合物及交联性高分子化合物的制造方法，以所述式(H3)所表示的化合物及式(XLP-1)所表示的化合物为例进行说明。这些化合物可将已知的制造方法适宜组合而合成。
作为反应中所使用的溶媒，可列举芳香族溶媒、饱和/不饱和烃溶媒、醇溶媒、醚系溶媒等，例如可列举：二甲氧基乙烷、2-(2-甲氧基乙氧基)乙烷、2-(2-乙氧基乙氧基)乙烷等。
另外，反应也可以两相系统进行。在以两相系统进行反应的情况下，视需要也可加入四级铵盐等相间转移催化剂。
当制造式(H3)的化合物及式(XLP-1)的化合物时，可以一阶段来制造，也可经由多阶段来制造。另外，可通过将原料全部放入反应容器后开始反应的总括聚合法来进行，也可通过将原料滴加至反应容器的滴加聚合法来进行，还可通过产物随着反应的进行而沉淀的沉淀聚合法来进行，可适宜组合这些方法来进行合成。例如，当以一阶段来合成式(H3)所表示的化合物时，通过在将单体单元(MU)中键结有聚合性基的单体及封端单元(EC)中键结有聚合性基的单体加入至反应容器中的状态下进行反应来获得目标物。另外，当以多阶段来合成式(H3)所表示的化合物时，通过在使单体单元(MU)中键结有聚合性基的单体聚合至目标分子量后，加入封端单元(EC)中键结有聚合性基的单体并加以反应来获得目标物。若以多阶段加入不同种类的单体单元(MU)中键结有聚合性基的单体来进行反应，则可制作对于单体单元的结构而言具有浓度梯度的聚合物。另外，制备前体聚合物后，可通过后续反应而获得作为目标物的聚合物。
另外，若选择单体的聚合性基，则可控制聚合物的一次结构。例如，如合成流程的l～3所示，能够合成具有无规的一次结构的聚合物(合成流程的1)、具有规则的一次结构的聚合物(合成流程的2及3)等，且可根据目标物适宜组合来使用。进而，若使用具有三个以上的聚合性基的单体，则可合成超支化聚合物(hyperbranched polymer)或树枝状聚合物(dendrimer)。
[化227]
a、b＝MU或MUx
聚合性基＝x、y(分别为x与y键结)
1)使用两种单体(x-a-y)及单体(x-b-y)而合成的聚合物
Figure BDA0003249241830001951
2)使用两种单体(x-a-x)及单体(y-b-y)而合成的聚合物
Figure BDA0003249241830001952
3)使用两种单体(x-a-y)及单体(y-b-y)而合成的聚合物
Figure BDA0003249241830001953
作为本发明中可使用的单体，可依据日本专利特开2010-189630号公报、国际公开第2012/086671号、国际公开第2013/191088号、国际公开第2002/045184号、国际公开第2011/049241号、国际公开第2013/146806号、国际公开第2005/049546号、国际公开第2015/145871号、日本专利特开2008-106241号公报、日本专利特开2010-215886号公报、国际公开第2016/031639号、日本专利特开2011-174062号公报中记载的方法来合成。
另外，关于具体的聚合物合成程序，可依据日本专利特开2012-036388号公报、国际公开第2015/008851号、日本专利特开2012-36381号公报、日本专利特开2012-144722号公报、国际公开第2015/194448号、国际公开第2013/146806号、国际公开第2015/145871号、国际公开第2016/031639号、国际公开第2016/125560号、国际公开第2011/049241号中记载的方法来合成。
3-1-10.有机电致发光元件的应用例
另外，本发明也可应用于包括有机EL元件的显示装置或包括有机EL元件的照明装置等。
包括有机EL元件的显示装置或照明装置可通过将本实施方式的有机EL元件与已知的驱动装置加以连接等已知的方法来制造，且可适宜使用直流驱动、脉冲驱动、交流驱动等已知的驱动方法来进行驱动。
作为显示装置，例如可列举：彩色平板显示器等面板显示器、挠性彩色有机电致发光(EL)显示器等挠性显示器等(例如，参照日本专利特开平10-335066号公报、日本专利特开2003-321546号公报、日本专利特开2004-281086号公报等)。另外，作为显示器的显示方式，例如可列举矩阵和/或分段方式等。再者，矩阵显示与分段显示可在同一面板中共存。
在矩阵中，将用于显示的像素二维地配置成格子状或马赛克状等，从而由像素的集合来显示文字或图像。像素的形状或尺寸是根据用途来决定。例如在个人计算机、监视器、电视机的图像及文字显示中，通常使用一边为300μm以下的四边形的像素，另外，在显示面板般的大型显示器的情况下，使用一边为mm级的像素。在单色显示的情况下，只要排列相同颜色的像素即可，在彩色显示的情况下，使红、绿、蓝的像素并列来进行显示。所述情况下，典型的有三角型与条纹型。而且，作为所述矩阵的驱动方法，可为线序(line-sequential)驱动方法或有源矩阵的任一者。线序驱动有结构简单这一优点，但在考虑了运行特性的情况下，有时有源矩阵更优异，因此驱动方法也需要根据用途而区分使用。
在分段方式(类型)中，以显示事先所决定的信息的方式形成图案，并使所决定的区域发光。例如可列举：数字时钟或温度计中的时刻或温度显示、声频设备或电磁炉等的运行状态显示及汽车的面板显示等。
作为照明装置，例如可列举室内照明等照明装置、液晶显示装置的背光源等(例如，参照日本专利特开2003-257621号公报、日本专利特开2003-277741号公报、日本专利特开2004-119211号公报等)。背光源主要为了提高不进行自发光的显示装置的视认性而使用，其用于液晶显示装置、时钟、声频装置、汽车面板、显示板及标识等。特别是作为液晶显示装置中薄型化正成为课题的个人计算机用途的背光源，当考虑到现有方式因包含荧光灯或导光板而难以薄型化时，使用了本实施方式的发光元件的背光源具有薄型、轻量的特征。
3-2.其他有机器件
本发明的多环芳香族化合物除可用于所述有机电致发光元件以外，还可用于有机场效晶体管或有机薄膜太阳电池等的制作。
有机场效晶体管是利用通过电压输入所产生的电场来控制电流的晶体管，除设置有源电极与漏电极以外，还设置有栅电极。有机场效晶体管为如下的晶体管：若对栅电极施加电压，则产生电场，可任意地阻断在源电极与漏电极间流动的电子(或空穴)的流动来控制电流。与单一晶体管(双极晶体管)相比，场效晶体管容易小型化，而常用作构成集成电路等的元件。
关于有机场效晶体管的结构，通常只要与使用本发明的多环芳香族化合物所形成的有机半导体活性层相接地设置源电极及漏电极，进而隔着与有机半导体活性层相接的绝缘层(介电体层)来设置栅电极即可。作为其元件结构，例如可列举以下的结构。
(1)基板/栅电极/绝缘体层/源电极及漏电极/有机半导体活性层
(2)基板/栅电极/绝缘体层/有机半导体活性层/源电极及漏电极
(3)基板/有机半导体活性层/源电极及漏电极/绝缘体层/栅电极
(4)基板/源电极及漏电极/有机半导体活性层/绝缘体层/栅电极
以所述方式构成的有机场效晶体管可应用为有源矩阵驱动方式的液晶显示器或有机电致发光显示器的像素驱动开关元件等。
有机薄膜太阳电池具有在玻璃等透明基板上层叠有ITO等的阳极、空穴传输层、光电转换层、电子传输层、阴极的结构。光电转换层在阳极侧具有p型半导体层，在阴极侧具有n型半导体层。本发明的多环芳香族化合物根据其物性，能够用作空穴传输层、p型半导体层、n型半导体层、电子传输层的材料。在有机薄膜太阳电池中，本发明的多环芳香族化合物可作为空穴传输材料或电子传输材料而发挥功能。有机薄膜太阳电池除包括所述以外，还可适宜包括空穴阻挡层、电子阻挡层、电子注入层、空穴注入层、平滑化层等。在有机薄膜太阳电池中可适宜选择有机薄膜太阳电池中所使用的已知的材料来组合使用。
[实施例]
以下，通过实施例来具体地说明本发明，但本发明并不受这些实施例任何限定。
＜化合物的合成例＞
首先，以下对本发明的化合物的合成例进行说明。
合成例(1)：化合物(1-11)的合成
[化228]
Figure BDA0003249241830001971
在氮气环境下，将放入有化合物(I-1)(91.7mg，0.30mmol)、化合物(I-2)(110mg，0.33mmol)、双(二-叔丁基(3-甲基丁-2-烯-1-基)膦)二氯钯(II)(5.5mg，0.009mmol)、叔丁醇钠(31.7mg，0.33mmol)、及均三甲苯(1.5mL)的烧瓶加热至140℃，并搅拌6小时。将反应溶液放置冷却至室温为止后，注入至水中，利用二氯甲烷对水层进行提取。利用饱和食盐水对所获得的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁进行干燥。将所述溶液在减压下加以浓缩，对残渣进行乙腈加热清洗后，通过硅胶短程(展开溶媒：二氯甲烷：乙酸乙酯＝1：1)进行纯化。进而，通过乙酸乙酯加热清洗、二氯乙烷加热清洗进行纯化，由此以白色固体的形式获得化合物(1-11)(88.6mg；49％)。
[化229]
Figure BDA0003249241830001972
通过核磁共振(nuclear magnetic resonance，NMR)测定来确认所获得的化合物的结构。
1H-NMR(500MHz,CDCl3)：δ＝7.19(dt,1H),7.29-7.38(m,3H),7.48(dt,1H),7.56-7.65(m,3H),7.75-8.05(m,11H),8.21(d,1H),8.75(d,1H),8.94-8.96(m,2H).
合成例(2)：化合物(1-13)的合成
[化230]
Figure BDA0003249241830001981
在氮气环境下，将放入有化合物(I-1)(61.1mg，0.20mmol)、化合物(I-3)(256mg，0.48mmol)、双(二-叔丁基(4-二甲基氨基苯基)膦)二氯钯(II)((AMPhos)2PdCl2)(8.5mg，0.012mmol)、磷酸三钾(204mg，0.96mmol)、及1,4-二噁烷(2.0mL)的烧瓶在加热回流下搅拌4小时。将反应溶液冷却至室温为止后，注入至水中，利用二氯甲烷对水层进行提取。利用饱和食盐水对所获得的有机层进行清洗，利用无水硫酸镁进行干燥。将所述溶液在减压下加以浓缩，通过硅胶短程(展开溶媒：二氯甲烷：乙酸乙酯＝1：1)对残渣进行纯化。进而，通过乙腈加热清洗进行纯化，由此以白色固体的形式获得化合物(1-13)(114mg；75％)。
[化231]
Figure BDA0003249241830001982
通过NMR测定来确认所获得的化合物的结构。
1H-NMR(500MHz,CDCl3)：δ＝7.31(d,1H),7.40-7.45(m,15H),7.57-7.66(m,8H),7.72-7.73(m,2H),7.80-7.86(m,3H),7.92-7.95(m,3H),8.04(dd,1H),8.75(d,1H),8.94-8.99(m,2H).
＜基础物性评价＞
对合成的化合物(1-11)及化合物(1-13)以及以下所示的ref_BO2进行了基础物性评价。
在玻璃基板及形成有150nm的ITO膜的玻璃基板上，利用真空蒸镀法在真空度1.0×10-4Pa下蒸镀各材料，形成厚度60nm的膜。测定在无ITO的玻璃基板上形成的薄膜的吸收光谱，将比吸收峰值短的波长作为激发光并测定荧光光谱、磷光光谱。样品的吸收光谱的测定是使用紫外可见近红外分光光度计(岛津制作所(股)，UV-2600)来进行。另外，样品的荧光光谱或磷光光谱的测定是使用分光荧光光度计(日立高新科技(Hitachi-hightech)(股)制造，F-7000)来进行。将吸收光谱的长波长端设为Eg(能隙)，荧光光谱的短波长端设为ES1，磷光光谱的短波长端设为ET1。进而使用存在ITO膜的玻璃基板制作样品的单独膜，使用光电子分光计(住友重机械工业股份有限公司PYS-201)测定Ip(电离电位)。Ea(电子亲和力)依据以下式来算出。
Ea＝Ip-Eg
将结果示于表1中。
[表1]
化合物 Ip Ea E<sub>S1</sub> E<sub>T1</sub> ΔE<sub>S1T1</sub>
ref_BO2 6.07 3.02 2.91 2.74 0.17
化合物(1-11) 6.09 3.19 2.91 2.75 0.16
化合物(1-13) 6.50 3.24 3.23 3.01 0.22
[化232]
Figure BDA0003249241830001991
ref_BO2利用国际公开第2015/102118号中记载的合成例(54)中所记载的方法来合成。
＜掺杂剂中使用磷光材料的例子＞
在膜厚150nm的形成有包含氧化铟锡(ITO)的阳极的玻璃基板上，利用真空蒸镀法在真空度1.0×10-4Pa下层叠各薄膜。首先，在ITO上，以20nm的厚度形成铜酞菁(CuPc)作为空穴注入层。其次，以40nm的厚度形成NPD作为空穴传输层。其次，在空穴传输层上作为发光层，自不同的蒸镀源对主体化合物(表2所示的材料与质量比)与Ir(ppy)3进行共蒸镀，以35nm的厚度形成发光层。Ir(ppy)3的浓度为7％。其次，以40nm的厚度形成Alq3作为电子传输层。进而，在电子传输层上，以0.5nm的厚度形成氟化锂(LiF)作为电子注入层。最后，在电子注入层上，以170nm的厚度形成铝(Al)作为电极，从而制作有机EL元件。
对所制作的元件，将ITO电极作为阳极且将铝电极作为阴极来施加直流电压，测定电流密度10mA/cm2下的驱动电压及亮度。将评价结果示于表2中。
[表2]
Figure BDA0003249241830001992
[化233]
Figure BDA0003249241830002001
＜掺杂剂中使用TADF材料的例子(TAF元件)＞
在膜厚100nm的形成有包含铟锡氧化物(ITO)的阳极的玻璃基材上，利用真空蒸镀法在真空度1×10-4Pa下层叠各薄膜。首先，在ITO上，以10nm的厚度形成HATCN，在其上以25nm的厚度形成Tris-PCz，进而在其上以5nm的厚度形成mCBP。其次，分别在下述表3及表4的材料及浓度下，自不同的蒸镀源对主体材料与4CzBN及ν-DABNA或化合物(2-560)进行共蒸镀，形成30nm的厚度的层来制成发光层。其次，将SF3TRZ形成为10nm的厚度的空穴障壁层。继而，自不同的蒸镀源对SF3TRZ与Liq进行共蒸镀，形成为40nm的厚度的电子传输层。此时，SF3TRZ：Liq(质量比)设为7：3。进而，以2nm的厚度形成Liq，继而以100nm的厚度对铝(Al)进行蒸镀，由此形成阴极。通过以上的程序来制作比较例2～比较例5、实施例9～实施例16的有机电致发光元件。
对所制作的元件，将ITO电极作为阳极且将铝电极作为阴极来施加直流电压，测定亮度1000cd/m2下的驱动电压及外部量子效率(external quantum efficiency，EQE)。将评价结果示于表3及表4中。
再者，实施例中外部量子效率的测定方法如以下般。使用爱德万测试(Advantest)公司制造的电压/电流产生器R6144施加电压，由此使元件发光。使用拓普康(TOPCON)公司制造的分光放射亮度计SR-3AR，对发光面自垂直方向测定可见光区域的分光放射亮度。假定发光面为完全扩散面，将所测定的各波长成分的分光放射亮度的值除以波长能量并乘以π所得的数值为各波长下的光子数。继而，在所观测的整个波长区域内将光子数累计，并设为自元件释放出的总光子数。将施加电流值除以元电荷(elementary charge)所得的数值设为注入至元件的载流子数，且将自元件释放出的总光子数除以注入至元件的载流子数所得的数值为外部量子效率。
[表3]
Figure BDA0003249241830002002
[表4]
Figure BDA0003249241830002011
[化234]
Figure BDA0003249241830002012
化合物(2-560)利用国际公开第2020/162600号中记载的方法来合成。
在膜厚50nm的形成有包含铟锡氧化物(ITO)的阳极的玻璃基材上，利用真空蒸镀法在真空度1×10-4Pa下层叠各薄膜。首先，在ITO上，以40nm的厚度形成NPD，在其上以15nm的厚度形成TcTa，进而在其上以15nm的厚度形成mCP。其次，以99：1的浓度自不同的蒸镀源对DOBNA-Tol与ν-DABNA进行共蒸镀，形成20nm的厚度的层来制成发光层。其次，将3,4-2CzBN、化合物(1-11)、或化合物(1-13)形成为10nm的厚度的空穴阻挡层。继而，将BPy-TP2形成为20nm的厚度的电子传输层。进而，以1nm的厚度形成LiF，继而以100nm的厚度对铝(Al)进行蒸镀，由此形成阴极。通过以上的程序来制作比较例6、实施例17、实施例18的有机电致发光元件。
关于所制作的元件，将ITO电极作为阳极且将铝电极作为阴极来施加直流电压，测定亮度1000cd/m2下的外部量子效率(EQE)、及LT50(以初始亮度1000cd/m2下的电流密度连续驱动时的直至500cd/m2为止的时间)。将评价结果示于表5中。
[表5]
Figure BDA0003249241830002021
[化235]
Figure BDA0003249241830002022
在膜厚120nm的形成有包含铟锡氧化物(ITO)的阳极的玻璃基材上，利用真空蒸镀法在真空度1×10-4Pa下层叠各薄膜。首先，在ITO上，以5nm的厚度形成HATCN，在其上以90nm的厚度形成HT1，进而在其上以10nm的厚度形成HT2。其次，以97：3的浓度自不同的蒸镀源对Host1与BD1进行共蒸镀，形成20nm的厚度的层来制成发光层。其次，将ET1、化合物(1-11)、或化合物(1-13)形成为20nm的厚度的空穴阻挡层。继而，将ET2形成为10nm的厚度的电子传输层。进而，以1nm的厚度形成LiF，继而以100nm的厚度对铝(Al)进行蒸镀，由此形成阴极。通过以上的程序来制作比较例7、实施例19、实施例20的有机电致发光元件。
关于所制作的元件，将ITO电极作为阳极且将铝电极作为阴极来施加直流电压，测定亮度500cd/m2下的外部量子效率(EQE)、及LT97(以电流密度22.5mA/cm2连续驱动时的直至初始亮度的95％为止的时间)。将评价结果示于表6中。
[表6]
Figure BDA0003249241830002023
[化236]
Figure BDA0003249241830002031
[产业上的可利用性]
在本发明中，通过提供新颖的多环芳香族化合物，可增加有机EL元件用材料的选择项。另外，通过将新颖的多环芳香族化合物用作有机电致发光元件用材料，可提供优异的有机EL元件、包括所述有机EL元件的显示装置及包括所述显示装置的照明装置等。

Claims (29)

1.一种多环芳香族化合物，由下述式(1)表示；
Figure FDA0003249241820000011
式(1)中，
X1及X2分别独立地为＞N-R、＞O、＞C(-R)2、＞S或＞Se，不存在X1及X2均为＞C(-R)2的情况，
所述＞N-R及＞C(-R)2中的R分别独立地为氢或选自取代基群组YZ中的任一个取代基，所述＞N-R及＞C(-R)2的R可分别独立地通过连结基或单键而与Y1和Y2中的至少一个、或者Y5和Y6键结中的至少一个，
Y1、Y2、Y3、Y4、Y5及Y6分别独立地为＝C(-RY)-或＝N-，至少一个为＝N-，
RY分别独立地为式(A-1)、或式(A-2)所表示的基、或者为氢或选自取代基群组YZ中的任一个取代基且式(A-1)所表示的基除外的取代基、或者为式(21)所表示的基，
RY中的邻接的基彼此可键结而形成环，所形成的环中的至少一个氢可经式(A-1)或式(A-2)所表示的基、选自取代基群组YZ中的取代基且式(A-1)所表示的基除外的取代基、或者式(21)所表示的基取代，
RY的至少一个为式(A-1)或式(A-2)所表示的基，其中在RY彼此键结而形成环的情况下，选自由对所述环中的氢进行取代的基与RY所组成的群组中的至少一个为式(A-1)或式(A-2)所表示的基，
式(A-1)中，
W1及W2分别独立地为单键、＞C(-RW)2、＞N-RW、＞O、＞Si(-RW)2、＞S、＞SO或＞SO2，
所述＞N-RW的RW为选自取代基群组YZ中的任一个取代基、式(A-2)所表示的基或式(21)所表示的基，
所述＞C(-RW)2、＞Si(-RW)2的RW分别独立地为氢、选自取代基群组YZ中的任一个取代基、式(A-2)所表示的基或式(21)所表示的基，
与相同元素键结的RW可相互键结，
所述＞N-RW、＞C(-RW)2、＞Si(-RW)2的RW可分别独立地与至少一个Z键结，
Z为-N＝或-CRZ＝，RZ分别独立地为氢、选自取代基群组YZ中的任一个取代基、式(A-2)所表示的基、或式(21)所表示的基，
邻接的Z中的RZ可相互键结而形成芳基环或杂芳基环，所形成的环可具有选自取代基群组YZ中的任一个取代基、式(A-2)所表示的基、或式(21)所表示的基，
L1为单键或连结基，
L1以RZ为结合键，与任一-CRZ＝的C键结，或者与Z中的RZ相互键结而形成的环的环构成原子键结，
*表示式(A-1)所表示的基的键结位置，
式(A-2)中，
Ar3分别独立地为可经选自取代基群组YZ中的至少一个取代基或式(21)所表示的基取代的芳基，其中式(A-1)所表示的基除外、可经选自取代基群组YZ中的至少一个取代基或式(21)所表示的基取代的杂芳基，其中式(A-1)所表示的基除外、或者式(A-1)所表示的基，
W3为Si、P或S，
W3为Si时m为3且n为0，W3为P时m为2且n为0或1，W3为S时m为1且n为0～2的整数，
L2为单键或连结基，
*表示式(A-2)所表示的基的键结位置，
式(21)中，
X21及X22分别独立地为＞N-RX21、＞O、＞C(-RX21)2、＞S或＞Se，
＞N-RX21及＞C(-RX21)2中的RX21分别独立地为氢或选自取代基群组YZ中的任一个取代基，所述＞N-RX21及＞C(-RX21)2的RX21可分别独立地通过连结基或单键而与Y21和Y22中的至少一个、或者Y25和Y26键结中的至少一个，
Y21、Y22、Y23、Y24、Y25及Y26分别独立地为＝C(-R2Y)-或＝N-，
R2Y分别独立地为氢或选自取代基群组YZ中的任一个取代基，
R2Y中的邻接的基彼此可键结而形成环，所形成的环中的至少一个氢可经选自取代基群组YZ中的取代基取代，
L3为单键或连结基，L3以任一个R2Y为结合键，与C键结，或者与邻接的R2Y相互键结而形成的环的环构成原子键结，
*表示式(21)所表示的基的键结位置，
所述多环芳香族化合物中的式(21)所表示的基的数量为零个～两个，
式(1)所表示的结构中的至少一个氢可经氰基、卤素或氘取代；
取代基群组YZ：
可经芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代的芳基；
可经芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代的杂芳基；
可经芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代的二芳基氨基；
可经芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代的二杂芳基氨基；
可经芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代的芳基杂芳基氨基；
可经芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代的二芳基硼基，其中两个芳基可经由单键或连结基键结；
可经芳基、杂芳基、或环烷基取代的烷基；
可经芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代的环烷基；
可经芳基、杂芳基、或环烷基取代的烷氧基；及
可经芳基、杂芳基、烷基或环烷基取代的芳氧基。
2.根据权利要求1所述的多环芳香族化合物，其中L1、L2及L3分别独立地为单键、或者选自由可经芳基或杂芳基取代的亚芳基、可经芳基或杂芳基取代的亚杂芳基、＞N-RL、＞O、＞C(-RL)2、＞Si(-RL)2、＞S、＞Se及包含这些的两种以上的组合的基所组成的群组中的连结基，
L1、L2或L3中的＞N-RL、＞C(-RL)2及＞Si(-RL)2中的RL分别独立地为氢、选自取代基群组YZ中的任一个取代基或式(A-2)所表示的基，与相同元素键结的RL可相互键结。
3.根据权利要求1所述的多环芳香族化合物，其中L1及L2分别独立地为选自由可经芳基或杂芳基取代的亚芳基、可经芳基或杂芳基取代的亚杂芳基及包含这些的两种以上的组合的基所组成的群组中的连结基，L3为单键。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的多环芳香族化合物，其中X1及X2分别独立地为＞N-R或＞O。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的多环芳香族化合物，其中
Y2、Y3、Y4及Y5分别独立地为＝C(-RY)-，Y1或Y6的至少一个为＝N-。
6.根据权利要求5所述的多环芳香族化合物，其中
X1及X2均为＞O，
Y2、Y3、Y4、Y5及Y6分别独立地为＝C(-RY)-，Y1为＝N-。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的多环芳香族化合物，其中式(1)中，RY的一个或两个为式(A-1)或式(A-2)所表示的基，其中，在RY彼此键结而形成环的情况下，选自由对所述环中的氢进行取代的基与RY所组成的群组中的一个或两个为式(A-1)或式(A-2)所表示的基。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的多环芳香族化合物，其中
式(1)中，RY的至少一个为式(A-1)所表示的基，其中，在RY彼此键结而形成环的情况下，选自由对所述环中的氢进行取代的基与RY所组成的群组中的至少一个为式(A-1)所表示的基，
W1为＞C(-RW)2、＞O、＞Si(-RW)2或＞S，W2为单键。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的多环芳香族化合物，其中
式(1)中，RY的至少一个为式(A-2)所表示的基，其中，在RY彼此键结而形成环的情况下，选自由对所述环中的氢进行取代的基与RY所组成的群组中的至少一个为式(A-2)所表示的基，
W3为Si。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的多环芳香族化合物，其中
式(1)中，
在无键结而形成环的邻接的RY彼此的情况下，
式(A-1)或式(A-2)所表示的基以外的RY为氢、可经芳基或杂芳基取代的芳基、或者可经芳基或杂芳基取代的杂芳基，
在存在键结而形成环的邻接的RY彼此的情况下，
RY及对邻接的RY彼此键结而形成的环中的氢进行取代的基中，式(A-1)或式(A-2)所表示的基以外的基为氢、可经芳基或杂芳基取代的芳基、或者可经芳基或杂芳基取代的杂芳基。
11.根据权利要求1所述的多环芳香族化合物，由下述式(1-11)表示，
Figure FDA0003249241820000041
12.根据权利要求1所述的多环芳香族化合物，由下述式(1-13)表示，
Figure FDA0003249241820000042
13.一种反应性化合物，是在如权利要求1至12中任一项所述的多环芳香族化合物中取代有反应性取代基而成。
14.一种高分子，其是使如权利要求13所述的反应性化合物作为单体进行高分子化而成的高分子化合物、或是使所述高分子化合物进一步交联而成的高分子交联体。
15.一种悬挂型高分子，其是在主链型高分子中使如权利要求13所述的反应性化合物进行取代而成的悬挂型高分子化合物、或是使所述悬挂型高分子化合物进一步交联而成的悬挂型高分子交联体。
16.一种有机器件用材料，含有如权利要求1至12中任一项所述的多环芳香族化合物。
17.一种有机器件用材料，含有如权利要求13所述的反应性化合物。
18.一种有机器件用材料，含有如权利要求14所述的高分子。
19.一种有机器件用材料，含有如权利要求15所述的悬挂型高分子。
20.一种有机电致发光元件，具有：一对电极，包含阳极及阴极；以及有机层，配置于所述一对电极间，且含有如权利要求1至12中任一项所述的多环芳香族化合物、如权利要求13所述的反应性化合物、如权利要求14所述的高分子、或者如权利要求15所述的悬挂型高分子。
21.根据权利要求20所述的有机电致发光元件，其中所述有机层为电子传输层。
22.根据权利要求20所述的有机电致发光元件，其中所述有机层为发光层。
23.根据权利要求22所述的有机电致发光元件，其中所述发光层含有选自由发光性金属络合物及热活化延迟荧光材料所组成的群组中的至少一种。
24.根据权利要求23所述的有机电致发光元件，其中所述发光层包含多环芳香族化合物，所述多环芳香族化合物为式(2)所表示的单量体或者为具有多个式(2)所表示的结构单元的多聚体；
Figure FDA0003249241820000051
A环、B环及C环分别独立地为可经取代的芳基环或可经取代的杂芳基环，其中，所述单量体中的A环、B环及C环中与B以及X11和X12中的至少一个键结的环均非包含氮的6元环，
X11及X12分别独立地为＞O或＞N-R，所述＞N-R的R为可经取代的芳基、可经取代的杂芳基、可经取代的烷基、或可经取代的环烷基，所述＞N-R的R可通过连结基或单键而与A环和B环中的至少一个或者A环和C环键结中的至少一个，
式(2)所表示的结构或具有多个式(2)所表示的结构单元的结构中选自由芳基环及杂芳基环所组成的群组中的至少一个可经至少一个环烷烃缩合，所述环烷烃中的至少一个氢可经取代，所述环烷烃中的至少一个-CH2-可经-O-取代，
式(2)所表示的结构或具有多个式(2)所表示的结构单元的结构中至少一个氢可经氘、氰基或卤素取代。
25.根据权利要求22至24中任一项所述的有机电致发光元件，具有配置于所述阴极与所述发光层之间的电子传输层及电子注入层的至少一层，所述电子传输层及电子注入层的至少一层含有选自由硼烷衍生物、吡啶衍生物、荧蒽衍生物、BO系衍生物、蒽衍生物、苯并芴衍生物、氧化膦衍生物、嘧啶衍生物、芳基腈衍生物、三嗪衍生物、苯并咪唑衍生物、菲咯啉衍生物及羟基喹啉系金属络合物所组成的群组中的至少一种。
26.根据权利要求25所述的有机电致发光元件，其中所述电子传输层及电子注入层的至少一层进而含有选自由碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属的氧化物、碱金属的卤化物、碱土金属的氧化物、碱土金属的卤化物、稀土金属的氧化物、稀土金属的卤化物、碱金属的有机络合物、碱土金属的有机络合物及稀土金属的有机络合物所组成的群组中的至少一种。
27.根据权利要求22至25中任一项所述的有机电致发光元件，其包含空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层，其中的至少一层包含：高分子化合物或高分子交联体、或者悬挂型高分子化合物或悬挂型高分子交联体，所述高分子化合物是使可形成各层的低分子化合物作为单体进行高分子化而成，所述高分子交联体是使所述高分子化合物进一步交联而成，所述悬挂型高分子化合物是使可形成各层的低分子化合物与主链型高分子反应而成，所述悬挂型高分子交联体是使所述悬挂型高分子化合物进一步交联而成。
28.一种显示装置，包括如权利要求21至27中任一项所述的有机电致发光元件。
29.一种照明装置，包括如权利要求21至27中任一项所述的有机电致发光元件。
CN202111041155.6A 2020-09-07 2021-09-06 多环芳香族化合物及其应用 Pending CN114149456A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020149735A JP2022044212A (ja) 2020-09-07 2020-09-07 多環芳香族化合物
JP2020-149735 2020-09-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114149456A true CN114149456A (zh) 2022-03-08

Family

ID=80462571

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111041155.6A Pending CN114149456A (zh) 2020-09-07 2021-09-06 多环芳香族化合物及其应用

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2022044212A (zh)
KR (1) KR20220033994A (zh)
CN (1) CN114149456A (zh)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001041512A (ja) 1999-07-28 2001-02-16 Daikin Ind Ltd 加湿システム
JP6329754B2 (ja) 2013-11-22 2018-05-23 矢崎総業株式会社 締結部材付き部品とその取付方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022044212A (ja) 2022-03-17
KR20220033994A (ko) 2022-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2018212169A1 (ja) 多環芳香族化合物
KR20200107848A (ko) 다환 방향족 화합물 및 그 다량체
CN112047967A (zh) 多环芳香族化合物、反应性化合物、高分子化合物、悬挂型高分子化合物、及使用其的用途
CN111560031A (zh) 多环芳香族化合物、反应性化合物、高分子化合物、高分子交联体、及其应用
KR20220058824A (ko) 다환 방향족 화합물
KR20230049656A (ko) 다환 방향족 화합물
JP2021063067A (ja) 多環芳香族化合物、有機デバイス用材料、有機電界発光素子、表示装置および照明装置
KR20220157312A (ko) 다환 방향족 화합물
WO2022185896A1 (ja) 多環芳香族化合物および有機電界発光素子
JP7515098B2 (ja) 多環芳香族化合物およびその多量体
WO2022185897A1 (ja) 多環芳香族化合物
CN114149456A (zh) 多环芳香族化合物及其应用
TWI844513B (zh) 多環芳香族化合物、有機元件用材料、發光層形成用組成物、有機電場發光元件、顯示裝置及照明裝置
CN116997557A (zh) 多环芳香族化合物及有机电致发光元件
CN115477662A (zh) 多环芳香族化合物及其应用
KR20230041616A (ko) 다환 방향족 화합물, 유기 전계 발광 소자, 표시 장치 및 조명 장치
JP2022179317A (ja) 多環芳香族化合物
KR20220021417A (ko) 다환 방향족 화합물
CN113929710A (zh) 多环芳香族化合物及其应用
KR20220021416A (ko) 다환 방향족 화합물
JP2022191159A (ja) 多環芳香族化合物
CN114989199A (zh) 多环芳香族化合物及包含或使用其的化合物、交联体、材料、组合物及装置
JP2023044631A (ja) 多環芳香族化合物
KR20230098036A (ko) 다환 방향족 화합물
KR20230095841A (ko) 다환 방향족 화합물

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination