CN114141759A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
显示装置。一种显示装置包括:基底基板,所述基底基板在其前表面上具有电极焊盘;发光器件,所述发光器件被设置在所述基底基板上并连接到所述电极焊盘;第一模制件,所述第一模制件被配置为通过避开设置有所述发光器件的区域来覆盖所述电极焊盘的至少一部分;以及第二模制件,所述第二模制件被配置为覆盖所述发光器件和所述第一模制件。
Description
技术领域
本公开涉及一种显示装置,并且更具体地涉及一种包括半导体发光器件的显示装置,该显示装置适用于提高对比度的技术领域。
背景技术
显示器的对比度是显示器的最大亮度和最小亮度之间的比率。如果显示器的对比度为10000:1,则表示最大亮度是最小亮度的10000倍,并且显示器可以识别最亮颜色和最暗颜色之间的高达10000级的对比度。显示器的对比度越高,其可以获得的图像质量就越好。
在显示器上呈现全黑对于提高对比度很重要。黑色的质量越好,可以在相对低的亮度水平下实现的对比度就越高。然而,在这种情况下,连接到发光二极管(LED)的电极焊盘可能会降低对比度。
具体地,LED连接到设置在基底基板上的电极焊盘,并且响应于所施加的电信号而发出光。考虑到设置在基底基板上的电极焊盘可以由金属制成并且对光进行反射,因此由电极焊盘反射的光可以降低显示装置的对比度。
当LED通过导线连接到电极焊盘时,这个问题可能会更加明显。其原因是通过导线连接到LED的电极焊盘暴露于前表面。
在现有技术中,已将具有预定不透明度的模制件堆叠在整个显示器上方以降低对比度。然而,在这种情况下,由于从LED发出的光也会被阻挡,所以不透明度是有限的。此外,驱动LED需要高功率也可能是个问题。
发明内容
因此,本发明涉及一种基本消除了由于现有技术的限制和缺点而造成的一个或者更多个问题的显示装置。
本公开的目的是提高显示装置的对比度。
本公开的另一个目的是解决本文未提及的各种问题。本领域技术人员将理解,本公开能够实现的目的不限于上文已经具体描述的内容,并且本公开能够实现的上述和其他目的将从以下描述和附图中更清楚地理解。
本公开的附加的优点、目的及特征部分地将在以下的说明书中进行阐述,并且部分地对于本领域的技术人员来说将在研读以下内容后变得清楚,或者可以从本公开的实践获知。本公开的目的和其它优点可以通过在本说明书及其权利要求书及附图中具体指出的结构来实现和获得。
为了实现这些目的和其他优点并且根据本公开的目的,如本文中具体实施和广泛描述的,一种显示装置可以包括:在其前表面上具有电极焊盘的基底基板;设置在基底基板上并连接到电极焊盘的发光器件;第一模制件,其被配置为通过避开设置有发光器件的区域来覆盖电极焊盘的至少一部分;以及第二模制件,其被配置为覆盖发光器件和第一模制件。
电极焊盘可以包括连接到发光器件的第一电极的第一电极焊盘和连接到发光器件的第二电极的第二电极焊盘。在这种情况下,第一模制件可以被配置为覆盖第一电极焊盘和第二电极焊盘中的至少一个。
发光器件可以包括设置在第一电极焊盘上并导线连接到第二电极焊盘的垂直型发光器件。在这种情况下,第一模制件可以被配置为覆盖连接到垂直型发光器件的第二电极焊盘。
发光器件可以包括导线连接到第一电极焊盘和第二电极焊盘的水平型发光器件。在这种情况下,第一模制件可以被配置为覆盖连接到水平型发光器件的第一电极焊盘和第二电极焊盘。
多个发光器件可以被布置在第一电极焊盘上并且分别导线连接到与其相邻的多个第二电极焊盘。在这种情况下,第一模制件可以被配置为覆盖与第一电极焊盘相邻设置的多个第二电极焊盘。
多个发光器件可以包括垂直型发光器件和水平型发光器件。第一电极焊盘可以包括导线连接到水平型发光器件的接触部分,其中,接触部分可以在设置发光器件的区域中沿一个方向延伸。在这种情况下,第一模制件可以被配置为覆盖第一电极焊盘的接触部分。
可以针对每个像素单元设置电极焊盘和多个发光器件。设置在一个像素单元中的第二电极焊盘可以定位成比对应像素单元中的第一电极焊盘更靠近另一个相邻像素单元中的第二电极焊盘。
发光器件可以包括垂直型发光器件和水平型发光器件。第一电极焊盘可以包括:与垂直型发光器件交叠并连接到垂直型发光器件的第一电极的未暴露的第一电极焊盘;以及通过避开设置有发光器件的区域而设置并连接到水平型发光器件的第一电极的暴露的第一电极焊盘。在这种情况下,第一模制件可以被配置为覆盖暴露的第一电极焊盘和一个或更多个第二电极焊盘,每个电极焊盘都导线连接到发光器件。
垂直型发光器件可以通过第一粘合件固定到未暴露的第一电极焊盘,而水平型发光器件可以通过第二粘合件固定到基底基板。在这种情况下,第一粘合件的不透明度可以高于第二粘合件的不透明度。
显示装置还可以包括支承构件,该支承构件被设置在基底基板上,与水平型发光器件交叠,并且具有与未暴露的第一电极焊盘对应的厚度。
第一模制件可以比第二模制件更不透明。
第一模制件可以具有与发光器件的前表面形成台阶差的前表面。在这种情况下,第一模制件的前表面可以被定位为低于发光器件的前表面。
第一模制件可以由硅制成。第一模制件可以包含决定第一模制件的粘度和亮度的预定量的黑色粉末。
预定量可以是当第一模制件被注入电极焊盘时形成低于发光器件的最高点的最大量。
第二模制件可以包含比第一模制件更少的量的黑色粉末。
根据本公开,可以提高显示装置的对比度。
本领域技术人员应当理解,利用本公开可以实现的效果不限于上文具体描述的效果,并且从以下描述和附图将更清楚地理解本公开的其它优点。
附图说明
附图被包括在本申请中以提供对本公开的进一步理解,并结合到本申请中且构成本申请的一部分,附图示出了本公开的实施方式,且与说明书一起用于解释本公开的原理。在附图中:
图1是示出根据本公开的使用半导体发光器件的显示装置的实施方式的概念图;
图2是图1的部分A的局部放大图;
图3A和图3B是沿着图2的线B-B和C-C截取的截面图;
图4是示出图3的倒装芯片型半导体发光器件的概念图;
图5A至图5C是示出倒装芯片型半导体发光器件中的颜色实现的各种示例的概念图;
图6是用于说明根据本公开的制造使用半导体发光器件的显示装置的方法的截面图;
图7是示出根据本公开的使用半导体发光器件的显示装置的另一实施方式的立体图;
图8是沿着图7的线D-D截取的截面图;
图9是示出图8的垂直半导体的概念图;
图10是显示装置的示意性正视图;
图11是图10的像素的放大图;
图12是包括第一模制件360的像素的放大图;
图13是沿着图12的线E-E'截取的截面图;
图14是比较当第一模制件360被覆盖或未被覆盖时电极焊盘330暴露于前表面的程度的图;
图15示出了像素结构的实施方式;
图16示出了像素结构的另一实施方式;
图17示出了像素结构的又一实施方式;以及
图18是示出像素的电极面板之间的间隔的概念图。
具体实施方式
在下文中,将参考附图详细描述本公开的实施方式。相同或相似的组件被赋予相同的附图标记并且省略其冗余描述。本文中元件的后缀“模块”和“单元”是为了描述的方便而使用的,因此可以互换使用,并且不具有任何可区分的含义或功能。此外,在以下描述中,如果与本公开相关联的已知技术的详细描述会不必要地模糊本公开的主旨,则将省略其详细描述。另外,提供附图是为了容易理解本公开的实施方式,并不限制本公开的技术精神。
虽然为了描述的方便而分别对附图进行了描述,但是本领域技术人员结合至少两个或更多附图来实现其他实施方式也在本公开的范围内。
当诸如层、区域或基板的元件被称为在另一个元件“上”时,可以解释为意味着该元件直接在另一个元件上或在这些元件之间存在中间元件。
本文件中描述的显示装置是包括基于一个像素单元或一组像素单元显示信息的所有显示装置的概念。因此,本公开也适用于零件而不限于成品。例如,对应于数字TV的一部分的面板与本说明书中的显示装置对应。成品包括手机、智能手机、膝上型计算机、数字广播终端、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、导航仪、平板PC、平板电脑、超级本、数字TV和台式计算机。
然而,对于本领域技术人员来说显而易见的是,根据本文档中描述的实施方式的配置适用于能够显示的装置,甚至包括要开发的新产品。
另外,本文描述的半导体发光器件是包括发光二极管(LED)、微型LED等的概念,并且这些术语可以互换地使用。
图1是示出根据本公开的使用半导体发光器件的显示装置的实施方式的概念图。
如图1所示,由显示装置100的控制器(未示出)处理的信息可以被显示在柔性显示器上。
柔性显示器可以包括通过外力可弯曲、可扭转、可折叠和可卷曲的显示器。
此外,柔性显示器可以指制造在薄且柔性的基板上的显示器,该基板在保持传统平板显示器的显示特性的同时可以像纸一样弯曲、折叠或卷曲。
当柔性显示器未弯曲时(例如,具有无限曲率半径的状态)(以下简称第一状态),柔性显示器的显示区域可以是平面。当柔性显示器通过外力从第一状态弯曲时(例如,具有有限曲率半径的状态)(以下称为第二状态),显示区域可以是曲面。参照图1,第二状态下显示的信息可以是曲面上输出的视觉信息。这种视觉信息是通过独立控制以矩阵形式排列的像素单元(子像素)的发光来实现的。像素单元例如是指用于实现一种颜色的最小单元。
柔性显示器的像素单元可以用半导体发光器件来实现。在本公开中,发光二极管(LED)被例示为一种将电流转换成光的半导体发光器件。LED以小尺寸形成,因此即使在第二状态下它也可以用作像素单元。
下面将参照附图详细描述利用LED实现的柔性显示器。
图2是图1的部分A的局部放大图。
图3A和图3B是沿着图2的线B-B和C-C截取的截面图。
图4是示出图3的倒装芯片型半导体发光器件的概念图。
图5A至图5C是示出倒装芯片型半导体发光器件中的颜色实现的各种示例的概念图。
在图2、图3A和图3B,使用无源矩阵(PM)型半导体发光器件的显示装置100被示出为使用半导体发光器件的显示装置100。然而,以下示例适用于有源矩阵(AM)型半导体发光器件。
图1所示的显示装置100可以包括如图2所示的至少一个半导体发光器件150、基板110、第一电极120、导电粘合层130和第二电极140。
基板110可以是柔性基板。例如,基板110可以包括玻璃或聚酰亚胺(PI)以实现柔性显示装置。另外,可以使用任何绝缘和柔性材料,诸如,聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)和聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。另外,基板110可由透明或不透明材料制成。
基板110可以是上面设置有第一电极120的布线板,因此第一电极120可以被设置在基板110上。
如图3A所示,绝缘层160可以被设置在第一电极120所在的基板110上,辅助电极170可以位于绝缘层160上。在这种情况下,绝缘层160被堆叠在基板110上的状态可视为一个布线板。具体地,绝缘层160由诸如PI、PET、PEN之类的绝缘且柔性的材料制成。此外,绝缘层160可以与基板110集成以形成单个基板。
辅助电极170可以是电连接第一电极120和半导体发光器件150的电极。辅助电极170设置在绝缘层160上并被设置在与第一电极120的位置相对应的位置处。例如,辅助电极170具有点形状并且可以通过穿透绝缘层160的电极孔171电连接到第一电极120。可以通过用导电材料填充通孔来形成电极孔171。
尽管如图2或图3A所示导电粘合层130被形成在绝缘层160的一个表面上,但是本公开不限于此。例如,可以在绝缘层160和导电粘合层130之间形成执行特定功能的层,或者导电粘合层130可以被设置在基板110上,而没有绝缘层160。当导电粘合层130被设置在基板110上时,导电粘合层130可以用作绝缘层。
导电粘合层130可以是具有粘合性和导电性的层。为此,导电粘合层130可以与导电且粘合的材料混合。另外,导电粘合层130具有延展性,从而为显示装置提供柔性。
例如,导电粘合层130可以是各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电糊剂、含有导电颗粒的溶液等。导电粘合层130可以被实施为允许在Z方向(跨厚度方向)上电互连但在水平X-Y方向具有电绝缘性的层。因此,导电粘合层130可以被称为Z轴导电层(在此,称为“导电粘合层”)。
ACF是通过将各向异性导电介质与绝缘基底构件混合而获得的膜。当施加热和压力时,由于各向异性导电介质,所以只有特定部分变得导电。在下文中,描述了向ACF施加热和压力,但是可以应用其他方法以使ACF具有部分导电性。这里,其他方法可以包括例如施加热或压力、紫外线(UV)硬化等。
另外,各向异性导电介质可以是例如导电球或导电颗粒。例如,ACF是导电球与绝缘基底构件混合的膜。当施加热和压力时,由于导电球,所以只有特定部分变得导电。ACF可以包含多个颗粒,每个颗粒是通过用由聚合物材料制成的绝缘膜涂覆芯导电材料而获得的。在这种情况下,热和压力施加到的部分的绝缘膜会被破坏,因此ACF由于芯而变得导电。芯的形状可以改变,使得在膜的厚度方向上形成彼此接触的层。例如,可以将热和压力均匀地施加到ACF,并且由于粘附到ACF的对应物之间的高度差,可以部分地形成Z方向上的电连接。
作为另一个示例,ACF可以包含多个颗粒,每个颗粒是通过用导电材料涂覆绝缘芯而获得的。在这种情况下,热和压力施加到的部分的导电材料可能变形(受压),因此ACF在膜的厚度方向上具有导电性。在又一示例中,导电材料在Z方向上穿透绝缘基底构件,使得ACF在膜的厚度方向上具有导电性。在这种情况下,导电材料可以具有尖端。
ACF可以是固定阵列ACF,其中,导电球被插入到绝缘基底构件的一个表面中。具体地,绝缘基底构件由粘合材料制成,并且导电球被密集地设置在绝缘基底构件的底部上。当热和压力被施加到基底构件时,导电球可能变形,因此,ACF在垂直方向上可能具有导电性。
然而,本公开并不限于此。也就是说,ACF可以通过将导电球随机混合并插入绝缘基底构件中而形成。另选地,ACF可以在多个层中形成,并且导电球可以被布置在任何一层(双ACF)中。
各向异性导电糊剂可以通过将导电球与糊剂组合来获得。具体地,各向异性导电糊剂可以是导电球与绝缘且粘性的基材相混合的糊剂。另外,包含导电颗粒的溶液可以是包含导电颗粒或纳米颗粒的溶液。
再次参照图3A,第二电极140可以与辅助电极170间隔开并且被定位在绝缘层160上。也就是说,导电粘合层130可以被设置在辅助电极170和第二电极140所在绝缘层160上。
在辅助电极170和第二电极140被定位在绝缘层160上的同时形成导电粘合层130之后,可以通过施加热和压力以倒装芯片的形式连接半导体发光器件150,使得半导体发光器件150可以电连接到第一电极120和第二电极140。
参照图4,半导体发光器件150可以是倒装芯片型发光器件。
例如,半导体发光器件可以包括p型电极156、形成在p型电极156上的p型半导体层155、形成在p型半导体层155上的有源层154、形成在有源层154上的n型半导体层153、以及在n型半导体层153上的与p型电极156水平分开设置的n型电极152。在这种情况下,p型电极156可以电连接到图3所示的辅助电极170和导电粘合层130,并且n型电极152可以电连接到第二电极140。
再次参照图2、图3A和图3B,辅助电极170可以沿一个方向伸长,使得一个辅助电极170电连接到多个半导体发光器件150。例如,辅助电极170周围的左右半导体发光器件的p型电极可以电连接到一个辅助电极。
具体地,可以通过热和压力将半导体发光器件150压入导电粘合层130的内部。结果,仅半导体发光器件150的p型电极156和辅助电极170之间的部分以及半导体发光器件150的n型电极152和第二电极140之间的部分可以变得导电。另外,其余部分没有导电性,因为半导体发光器件150没有被压入其中。这样,导电粘合层130不仅将半导体发光器件150与辅助电极170和第二电极140互连,而且在它们之间形成电连接。
此外,多个半导体发光器件150构成发光器件阵列,并且磷光体层180可以被形成在发光器件阵列中。
发光器件阵列可以包括具有不同亮度值的多个半导体发光器件150。每个半导体发光器件150与一个像素单元对应并电连接到第一电极120。例如,可以存在多个第一电极120,并且半导体发光器件150可以被布置成多行。在这种情况下,每行中的半导体发光器件150可以电连接到多个第一电极中的任何一个。
由于半导体发光器件150以倒装芯片的形式连接,所以半导体发光器件150可以在透明介电基板上生长。此外,半导体发光器件150可以是例如氮化物半导体发光器件。由于半导体发光器件150具有优良的亮度,因此每个像素单元可以被配置为具有小尺寸。
如图3所示,可以在半导体发光器件150之间形成分隔壁190。在这种情况下,分隔壁190可以用于将各个像素单元彼此分隔开并与导电粘合层130集成。例如,当半导体发光器件150被插入到ACF中时,ACF的基底构件可以用作分隔壁190。
另外,当ACF的基底构件是黑色时,即使没有单独的黑色绝缘体,分隔壁190也可以具有反射特性,并且同时可以增加对比度。
在另一示例中,反射分隔壁可以被单独提供作为分隔壁190。在这种情况下,取决于显示装置的目的,分隔壁190可以包括黑色或白色绝缘体。当分隔壁190包括白色绝缘体时,可以增大反射率。当分隔壁190包括黑色绝缘体时,在分隔壁190具有反射特性的同时可以增加对比度。
磷光体层180可以被定位在半导体发光器件150的外表面上。例如,半导体发光器件150可以是发射蓝(B)光的蓝色半导体发光器件,并且磷光体层180可以用于将蓝(B)光转换为像素单元颜色。磷光体层180可以是构成每个像素的红色磷光体181或绿色磷光体182。
也就是说,能够将蓝光转换为红(R)光的红色磷光体181可以被堆叠在蓝色半导体发光器件上与红色像素单元对应的位置处,并且能够将蓝光转换为绿(G)光的绿色磷光体182可以被堆叠在蓝色半导体发光器件上与绿色像素单元对应的位置处。蓝色半导体发光器件可以在与蓝色像素单元对应的位置处单独使用。在这种情况下,红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)像素单元可以形成一个像素。具体地,可以沿着第一电极120的每条线堆叠具有相同颜色的磷光体。因此,第一电极120的一行可以是控制一种颜色的电极。也就是说,红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)可以沿着第二电极140顺序设置以实现像素单元。
然而,本公开并不限于此。为了实现红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)像素单元,半导体发光器件150可以与量子点(QD)而不是磷光体组合。
黑底191可以被设置在磷光体层之间以提高对比度。也就是说,黑底191可以提高明暗对比度。
然而,本公开不限于此,并且也可以应用用于实现蓝色、红色和绿色的其他结构。
参照图5A,通过使用氮化镓(GaN)作为主要材料并添加铟(In)和/或铝(Al),每个半导体发光器件150可以被实现为能够发射包括蓝光的各种光的高功率发光器件。
在这种情况下,半导体发光器件150可以对应于用于形成每个像素单元的红色、绿色或蓝色半导体发光器件。例如,红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)半导体发光器件可以交替布置,并且红色像素单元、绿色像素单元和蓝色像素单元可以形成一个像素。也就是说,红色半导体发光器件、绿色半导体发光器件和蓝色半导体发光器件可以实现全色显示。
参照图5B,半导体发光器件150a可以包括白光发射器件W,在该白光发射器件W中,为每个单独的器件提供黄色磷光体层。在这种情况下,为了形成像素单元,可以在白光发射器件W上设置红色磷光体层181、绿色磷光体层182和蓝色磷光体层183。另外,像素单元可以通过使用重复红色、绿色和蓝色的滤色器而被形成在白光发射器件W上。
参照图5C,红色磷光体层184、绿色磷光体层185和蓝色磷光体层186可以被设置在紫外光发射器件150b上。以这种方式,半导体发光器件150不仅可以在可见光而且还可以在UV光的整个范围内使用。此外,半导体发光器件150可以扩展到使用UV光作为上磷光体的激发源的水平。
再看本示例,半导体发光器件150可以被设置在导电粘合层130上以形成显示装置中的像素单元。由于半导体发光器件150具有优异的亮度,因此每个像素单元可以被配置为具有小尺寸。
每个半导体发光器件150可以是矩形或正方形器件,并且具有例如80μm或更小的一侧长度。在矩形的情况下,半导体发光器件150的尺寸可以是20×80μm2或更小。
即使使用一侧长度为10μm的正方形半导体发光器件150作为像素单元,也可以获得足够的显示装置亮度。
在一侧为600μm而另一侧为300μm的矩形像素单元的情况下,半导体发光器件可以充分间隔开。
因此,在这种情况下,可以实现质量高于高清(HD)质量的柔性显示装置。
可以通过新的制造方法来制造上述使用半导体发光器件的显示装置。在下文中,将参考图6描述制造方法。
图6是用于说明根据本公开的制造使用半导体发光器件的显示装置的方法的截面图。
参照图6,导电粘合层130被形成在辅助电极170和第二电极140所在的绝缘层160上。绝缘层160被堆叠在布线板110上,并且第一电极120、辅助电极170和第二电极140被设置在布线板110上。在这种情况下,第一电极120和第二电极140可以被布置在彼此正交的方向上。另外,为了实现柔性显示装置,布线板110和绝缘层160中的每一者可以包括玻璃或PI。
导电粘合层130可以用例如ACF来实现,并且为此,可以将ACF施加到设置有绝缘层160的基板。
构成每个像素并对应于辅助电极170和第二电极140的位置的多个半导体发光器件150可以位于临时基板112上。可以设置临时基板112,使得半导体发光器件150面向辅助电极170和第二电极140。
在这种情况下,临时基板112可以是用于生长半导体发光器件150的生长基板,并且它可以是尖顶基板或硅基板。
如果半导体发光器件以晶片为基础形成,则每个半导体发光器件可以具有适合于形成显示装置的间隙和尺寸,使得半导体发光器件可以高效地用于显示装置。
然后,布线板110和临时基板112被热压。例如,布线板110和临时基板112可以被ACF压头热压。布线板110和临时基板112通过热压接合。由于ACF通过热压具有导电性的特性,所以只有辅助电极170和半导体发光器件150之间以及第二电极140和半导体发光器件150之间的部分可以变得导电。因此,半导体发光器件150可以电连接到电极。在这种情况下,半导体发光器件150可以被插入到ACF的内部,使得可以在半导体发光器件150之间形成分隔壁。
然后,可以去除临时基板112。例如,可以通过激光剥离(LLO)或化学剥离(CLO)去除临时基板112。
最后,通过去除临时基板112,可以将半导体发光器件150暴露于外部。如果需要,透明绝缘层(未示出)可以通过在与半导体发光器件150联接的布线板上涂覆硅氧化物(SiOx)来形成。
另外,该方法还可以包括在半导体发光器件150的一个表面上形成磷光体层。例如,当半导体发光器件150是发射蓝(B)光的蓝色半导体发光器件时,用于将蓝(B)光转换为像素单元颜色的红色磷光体或绿色磷光体可以在蓝色半导体发光器件的一个表面上形成层。
可以以各种形式修改使用半导体发光器件的显示装置的制造方法及其结构。例如,垂直半导体发光器件也可以应用于上述显示装置。
在以下修改示例或实施方式中,对于与先前示例相同或相似的构造,给出相同或相似的附图标记,并且将省略冗余的描述。
图7是示出根据本公开的使用半导体发光器件的显示装置的另一实施方式的立体图,图8是沿图7的线D-D截取的截面图,并且图9是示出图8的垂直半导体的概念图。
参照附图,显示装置可以是使用PM型垂直半导体发光器件的显示装置。
显示装置包括基板210、第一电极220、导电粘合层230、第二电极240和至少一个半导体发光器件250。
基板210是设置有第一电极220的布线板并且可以包括PI以实现柔性显示装置。另外,可以使用任何绝缘且柔性的材料。
第一电极220被定位在基板210上并且可以形成为沿一个方向伸长的条形。第一电极220可以用作数据电极。
导电粘合层230被形成在第一电极220所在的基板210上。类似于应用倒装芯片型发光器件的显示装置,导电粘合层230可以是ACF、各向异性导电糊剂和包含导电颗粒的溶液。在本实施方式中假设导电粘合层230被实现为ACF。
在将ACF定位在设置有第一电极220的基板210上之后,可以通过施加热和压力来连接半导体发光器件250。然后,半导体发光器件250可以电连接到第一电极220。在这种情况下,半导体发光器件250可以优选地被设置在第一电极220上。
因为在如上所述施加热和压力之后ACF在厚度方向上部分地变得导电,所以可以建立电连接。也就是说,ACF可以在厚度方向上分为非导电部分和导电部分。
另外,由于ACF包含粘合件成分,因此导电粘合层230实现了半导体发光器件250和第一电极220之间的电连接以及机械连接。
如上所述,半导体发光器件250可以被设置在导电粘合层230上,从而在显示装置中构造各个像素。由于半导体发光器件250具有优异的亮度,因此每个像素单元可以被配置为具有小尺寸。每个半导体发光器件250可以是矩形或正方形器件,并且具有例如80μm或更小的一侧长度。在矩形的情况下,半导体发光器件250的尺寸可以是20×80μm2或更小。
半导体发光器件250可以具有垂直结构。
多个第二电极240可以被定位在垂直半导体发光器件250之间。第二电极240可以被设置在横贯第一电极220的长度方向的方向上并且电连接到垂直半导体发光器件250。
参照图9,垂直半导体发光器件250可以包括p型电极256、形成在p型电极256上的p型半导体层255、形成在p型半导体层255上的有源层254、形成在有源层254上的n型半导体层253、以及在n型半导体层253上的n型电极252。在这种情况下,位于底部的p型电极256可以通过导电粘合层230电连接到第一电极220,并且位于顶部的n型电极252可以电连接到第二电极240,这将稍后进行描述。因为电极可以上下布置,所以垂直半导体发光器件250具有减小芯片尺寸的优点。
参照图8,磷光体层280可以被形成在半导体发光器件250的一个表面上。例如,如果半导体发光器件250是发射蓝(B)光的蓝色半导体发光器件,则可以提供可以用于将蓝(B)光转换为像素单元颜色的磷光体层280。在这种情况下,磷光体层280可以包括构成每个像素的红色磷光体281或绿色磷光体282。
也就是说,能够将蓝光转换为红(R)光的红色磷光体281可以被堆叠在蓝色半导体发光器件上与红色像素单元对应的位置处,并且能够将蓝光转换为绿(G)光的绿色磷光体182可以被堆叠在蓝色半导体发光器件上与绿色像素单元对应的位置处。蓝色半导体发光器件可以在与蓝色像素单元对应的位置处单独使用。在这种情况下,红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)像素单元可以形成一个像素。
然而,本公开不限于此,用于实现蓝色、红色和绿色的其他结构可以应用于如上所述应用倒装芯片型发光器件的显示装置。
返回参考本实施方式,第二电极240可以被定位在半导体发光器件250之间并且电连接到半导体发光器件250。例如,半导体发光器件250可以被设置成多行,并且第二电极240可以被设置在半导体发光器件250的行之间。
由于构成每个像素的半导体发光器件250之间的距离足够大,所以第二电极240可以被定位在半导体发光器件250之间。
第二电极240可以被形成为沿一个方向伸长的条形并沿垂直于第一电极220的方向设置。
另外,第二电极240和半导体发光器件250可以通过从第二电极240突出的连接电极电连接。具体地,连接电极可以是半导体发光器件250的n型电极252。例如,n型电极252可以被形成为用于欧姆接触的欧姆电极,并且第二电极240通过印刷或蒸发来覆盖欧姆电极的至少一部分。因此,半导体发光器件250的n型电极252和第二电极240可以电连接。
再次参照图8,第二电极240可以被定位在导电粘合层230上。在一些情况下,包括SiOx等的透明绝缘层(未示出)可以被形成在形成有半导体发光器件250的基板210上。当在形成透明绝缘层之后设置第二电极240时,第二电极240可以被设置在透明绝缘层上。另外,第二电极240可以被形成为与导电粘合层230或透明绝缘层间隔开。
如果使用诸如氧化铟锡(ITO)的透明电极来将第二电极240定位在半导体发光器件250上,则存在ITO材料对n型半导体层253的粘附性差的问题。根据本公开,由于第二电极240被定位在半导体发光器件250之间,所以不需要包括ITO的透明电极。因此,可以通过使用对n型半导体层253具有良好粘附性的导电材料作为水平电极而不限于透明材料的选择来提高光提取效率。
再次参照图8,分隔壁290可以被定位在半导体发光器件250之间。也就是说,分隔壁290可以被定位在垂直半导体发光器件250之间以使构成每个像素的半导体发光器件250隔离。在这种情况下,分隔壁290可以用于将各个像素单元彼此分隔开并与导电粘合层230集成。例如,当半导体发光器件250被插入到ACF中时,ACF的基底构件可以形成分隔壁290。
另外,如果ACF的基底构件是黑色的,则分隔壁290可以具有反射特性,并且同时对比度可以在没有单独的黑色绝缘体的情况下增加。
在另一示例中,反射分隔壁可以被单独提供作为分隔壁290。取决于显示装置的用途,分隔壁290可以包括黑色或白色绝缘体。
如果第二电极240被直接定位在半导体发光器件250之间的导电粘合层230上,则分隔壁290可以位于垂直半导体发光器件250和第二电极240之间。因此,每个像素单元可以通过半导体发光器件250配置为具有小尺寸。因此,半导体发光器件250之间的距离足够大,以使得第二电极240可以被定位在半导体发光器件250之间。此外,可以实现具有HD图像质量的柔性显示装置。
为了提高对比度,可以在磷光体之间设置黑底291,如图8所示。也就是说,黑底291可以提高明暗对比度。
图10是显示装置的示意性正视图。
根据本公开的实施方式的显示装置300可以包括基底基板310和包括在基底基板310上的多个发光器件320的像素。
基底基板310可以包括用于向发光器件320提供信号的电路布线。基底基板310可以对应于图2所示的基板110。具体地,基底基板310可以包括被配置为驱动发光器件320的驱动电路。驱动电路可以包括PM型驱动电路或AM型驱动电路。
基底基板310可以包括连接到发光器件321至323(如图11所示)的电极焊盘330。电极焊盘330被设置在基底基板310的前表面上以电连接驱动电路和发光器件320。具体地,电极焊盘330可以对应于图3A所示的第一电极120(更具体地,辅助电极170)和第二电极140。
像素可以包括红光发射器件321、绿光发射器件322和蓝光发射器件323作为图像元件。像素被设置在基底基板310上并且可以在基底基板310上按列和行布置。像素可以以预定间距被设置在基底基板310上。
这里,发光器件323可以对应于半导体发光器件。发光器件323可以是图4的倒装芯片型发光器件或图9的垂直或水平型发光器件。在倒装芯片型发光器件中,第一电极和第二电极可以朝向基底基板310直接连接到电极焊盘330。在垂直型发光器件中,第一电极可以朝向基底基板310直接连接到电极焊盘330,但是第二电极可以被设置在前侧并且通过导线连接到电极焊盘330。在水平型发光器件中,第一电极和第二电极可以被设置在前侧并且通过导线连接到电极焊盘330。
当发光器件320通过导线连接到电极焊盘330时,因为电极焊盘330暴露于前表面,所以对比度会降低。在下文中,将详细描述该问题。
图11是图10的像素的放大图。将不重复上面在图10中描述的相同构造。
根据本公开的实施方式的显示装置300可以包括基底基板310和包括在基底基板310上的多个发光器件320的像素。
像素可以对应于包括发光器件320和连接到发光器件320的电极焊盘330的图像元件。在一些情况下,像素可以对应于包括连接到电极焊盘330的驱动电路的图像元件。
电极焊盘330可以包括连接到发光器件321至323的第一电极的第一电极焊盘331和连接到发光器件321至323的第二电极的第二电极焊盘332。第一电极焊盘331提供公共电极,因此可以提供至少一个第一电极焊盘331。可以提供多个第二电极焊盘331以分别向发光器件321至323提供不同的信号。在图11的实施方式中,提供一个第一电极焊盘331,并且根据发光器件321至323的数量,提供三个第二电极焊盘332。
发光器件320可以是垂直型发光器件。发光器件320可以被设置在第一电极焊盘331上并且通过导线340连接到第二电极焊盘332。具体地,图11示出了红光发射器件321是垂直型发光器件。
发光器件320可以是水平型发光器件。发光器件320可以通过导线340连接到第一电极焊盘331和第二电极焊盘332中的每一个。具体地,图11示出了绿光发射器件322和蓝光发射器件323中的每一个都是水平型发光器件。
在一些情况下,像素可以包括仅垂直型发光器件、仅水平型发光器件、或垂直型发光器件和水平型发光器件二者。具体地,图11示出了垂直型发光器件和水平型发光器件被混合。
显示装置300可以通过在像素中包括模制件350来提高对比度。这里,模制件350可以具有小于100%的透射率,也就是说,模制件350可以具有一定程度的不透明度。然而,由于模制件350覆盖发光器件321至323,所以模制件350需要具有一定程度的透明度。当模制件350完全不透明时,从发光器件321至323发射的光可能不会发射到前表面。当不透明度极高时,可能会增加功耗来获得高亮度。
由于模制件350需要一定程度的透明度,因此电极焊盘330也可以跨过模制件350暴露于前表面。由于电极焊盘330暴露于前表面,所以显示装置300的对比度会降低。相比之下,当模制件350的透射率降低以降低电极焊盘330的暴露水平时,显示装置300的功耗会增加,因此可能难以实现高饱和度和亮度。
在下文中,将描述添加第一模制件360的实施方式以解决上述问题。下文将图11中的模制件350称为第二模制件350。
图12是包括第一模制件360的像素的放大图。将不重复上面在图10和图11中描述的相同构造。
根据本公开的实施方式的显示装置300可以包括基底基板310和包括在基底基板310上的多个发光器件320的像素。
像素可以对应于包括发光器件320和连接到发光器件320的电极焊盘330的图像元件。在一些情况下,像素可以对应于包括连接到电极焊盘330的驱动电路的图像元件。
电极焊盘330可以包括连接到发光器件321至323的第一电极的第一电极焊盘331和连接到发光器件321至323的第二电极的第二电极焊盘332。第一电极焊盘331提供公共电极,因此可以提供至少一个第一电极焊盘331。可以提供多个第二电极焊盘331以分别向发光器件321至323提供不同的信号。
发光器件320可以是垂直型发光器件。发光器件320可以被设置在第一电极焊盘331上并且通过导线340连接到第二电极焊盘332。
发光器件320可以是水平型发光器件。发光器件320可以通过导线340连接到第一电极焊盘331和第二电极焊盘332中的每一个。
在一些情况下,像素可以包括仅垂直型发光器件、仅水平型发光器件、或垂直型发光器件和水平型发光器件二者。具体地,图12示出了垂直型发光器件和水平型发光器件被混合。
根据本公开的实施方式的显示装置300可以包括第一模制件360,该第一模制件360通过避开设置有发光器件321至323的区域而覆盖电极焊盘330的至少一部分。第二模制件350可以覆盖发光器件321至323和第一模制件360。
具体地,第一模制件360可以覆盖第一电极焊盘331和第二电极焊盘332中的至少一个。在一些情况下,第一模制件360可以额外地覆盖第一电极焊盘331或第二电极焊盘332的部分区域。
第一模制件360的不透明度可以高于第二模制件350的不透明度。第二模制件350覆盖发光器件321至323,因此可以具有高透明度。第一模制件360防止电极焊盘330暴露在第二模制件350之外并且因此可以具有高不透明度。
第一模制件360和第二模制件350分别设置在显示装置300中,从而防止电极焊盘330暴露于前表面并增加对比度。此外,发光器件321至323可以被配置为以低功率提供高亮度和饱和度。
由第一模制件360覆盖的区域可以根据发光器件321至323的类型而变化。
具体地,当发光器件320是设置在第一电极焊盘331上的垂直型发光器件(图12中的红光发射器件321)时,第一模制件360可以覆盖导线连接到垂直型发光器件的第二电极焊盘332。由于第一电极焊盘331在一定程度上被发光器件覆盖,所以可以降低对对比度的影响。
当发光器件320是水平型发光器件(图12中的绿光发射器件322或蓝光发射器件323)时,第一模制件360可以覆盖导线连接到水平型发光器件的第一电极焊盘331和第二电极焊盘332。在水平型发光器件中,由于电极焊盘330不与发光器件交叠,所以第一模制件360可能不需要覆盖第一电极焊盘331和第二电极焊盘332二者。
在一些情况下,多个发光器件320可以被布置在第一电极焊盘331上并且分别导线连接到多个第二电极焊盘332。在这种情况下,第一模制件360可以覆盖与第一电极焊盘331相邻设置的多个第二电极焊盘332的全部。
在下文中,将参照图12的(a)详细描述由第一模制件360覆盖的区域。设置在第一电极焊盘331上的发光器件321至323可以包括垂直型发光器件321和水平型发光器件322和323。第一电极331可以包括从设置有发光器件321至323的区域沿一个方向延伸的接触部分3311,以便与水平型发光器件322和323导线连接。第一模制件360可以覆盖第一电极焊盘331和第二电极焊盘332的接触部分3311。
具体地,第一电极焊盘331可以沿着布置发光器件321至323的方向设置,并且多个第二电极焊盘332可以被设置在第一电极焊盘331的两侧上。接触部分3311是没有设置第二电极焊盘332的区域并且可以在第一电极焊盘331的横向方向上延伸。在这种情况下,可以设置第一模制件360以覆盖第一电极焊盘331的两侧区域,如图12的(b)所示。从图12的(c)可以看出,当第二模制件350被第一模制件360覆盖时,电极焊盘330暴露在第二模制件350之外的区域与图11的(b)相比减小。
图13是沿着图12的线E-E'截取的截面图。将不重复上面在图12中描述的相同构造。
显示装置300可以包括在基底基板310上的发光器件323。发光器件323的每个电极可以连接到第一电极焊盘331和第二电极焊盘332。发光器件323可以通过导线340连接到第一电极焊盘331和第二电极焊盘332中的至少一个。第一模制件360可以覆盖第一电极焊盘331和第二电极焊盘332中的至少一个,而第二模制件350可以覆盖第一模制件360和发光器件323。
第一模制件360的不透明度可以高于第二模制件350的不透明度。具体地,第一模制件360可以包括预定量的黑色粉末361。第一模制件360可以由硅材料制成并且以喷墨方法插入到电极焊盘330中。在这种情况下,黑色粉末361的量可以决定第一模制件360的粘度和亮度。具体地,随着黑色粉末361的量增加,第一模制件360的亮度会变暗并且粘度会增加。
第一模制件360可以比第二模制件350更不透明。考虑到第一模制件360设置在发光器件323的两侧,第一模制件360的前表面可以被定位为低于发光器件323的前表面以在第一模制件360的前表面和发光器件323的前表面之间形成台阶差。当第一模制件360的前表面被定位为高于发光器件323的前表面时,发光器件323的光发射角度可能变窄。具体地,图13示出了第一模制件360的前表面比发光器件323的前表面低d1。
可以根据发光器件323的前表面的高度来确定第一模制件360中包括的黑色粉末361的量。在第一模制件360被注入到电极焊盘330中的状态下,包括在第一模制件360中的黑色粉末361的量可以增加直到其最高点不超过发光器件323的最高点位置为止。具体地,如果黑色粉末361的量增加,则对比度可能增加,但粘度也可能增加以致最高点高于发光器件323的最高点。这在发光器件323的显示厚度和光发射角度方面可能是不利的。
第二模制件350也可以具有一定程度的不透明度。然而,第二模制件350的透明度应高于第一模制件360的透明度。因此,包括在第二模制件350中的黑色粉末361的量可以低于包括在第一模制件360中的量。
图14是比较当第一模制件360被覆盖或未被覆盖时电极焊盘330暴露于前表面的程度的图。具体地,图14的(a)示出了不存在第一模制件360和第二模制件350的情况,图14的(b)示出了仅覆盖第二模制件350的情况,并且图14的(c)示出了第一模制件360和第二模制件350二者都被覆盖的情况。
参照图14的(b),可以看出,当仅覆盖第二模制件350时,电极焊盘330显著地暴露于前表面。
参照图14的(c),可以看出,当额外覆盖第一模制件360时,电极焊盘330的暴露程度显著降低。这可以作为提高对比度的一个因素。
然而,也可以在图14的(c)中看到,电极焊盘330暴露于设置有发光器件320的区域F。在下文中,将描述用于防止电极焊盘330暴露于设置有发光器件320的区域F的实施方式。
图15示出了像素结构的实施方式。将不重复上面在图12中描述的相同构造。
根据本公开的实施方式的显示装置300可以包括基底基板310和包括在基底基板310上的多个发光器件320的像素。
像素可以对应于包括发光器件320和连接到发光器件320的电极焊盘330的图像元件。在一些情况下,像素可以对应于包括连接到电极焊盘330的驱动电路的图像元件。
电极焊盘330可以包括连接到发光器件321至323的第一电极的第一电极焊盘331和连接到发光器件321至323的第二电极的第二电极焊盘332。第一电极焊盘331提供公共电极,因此可以提供至少一个第一电极焊盘331。可以提供多个第二电极焊盘331以分别向发光器件321至323提供不同的信号。
这里,多个发光器件321至323中的每一个可以是水平型发光器件。具体地,多个发光器件321至323中的每一个可以通过导线340连接到第一电极焊盘331和第二电极焊盘332。
多个发光器件321至323可以沿在一个方向布置。第一电极焊盘331和第二电极焊盘332可以沿着与布置发光器件320的方向垂直的两侧设置。可以提供一个第一电极焊盘331作为公共电极,并且根据发光器件的数量,可以提供多个第二电极焊盘332。具体地,图15的(a)示出了一个第一电极焊盘331和三个第二电极焊盘332被一分为二并布置在多个发光器件320的两侧上。
在这种情况下,由于发光器件321至323不与电极焊盘330交叠,所以第一模制件360可以覆盖整个电极焊盘330。当第二模制件350被覆盖时,可以完全防止电极焊盘330在第二模制件360上方被暴露(即,可以防止电极焊盘330跨过第二模制件360在如图14所示的设置有发光器件的区域F中被暴露)。
然而,对于发光器件321至323,取决于发射颜色混合垂直型和水平型可能更高效。在下文中,将描述在构造发光器件321至323时混合垂直型和水平型的实施方式。
图16示出了像素结构的另一实施方式。将不重复上面在图12中描述的相同构造。
根据本公开的实施方式的显示装置300可以包括基底基板310和包括在基底基板310上的多个发光器件320的像素。
像素可以对应于包括发光器件320和连接到发光器件320的电极焊盘330的图像元件。在一些情况下,像素可以对应于包括连接到电极焊盘330的驱动电路的图像元件。
电极焊盘330可以包括连接到发光器件321至323的第一电极的第一电极焊盘331和连接到发光器件321至323的第二电极的第二电极焊盘332。第一电极焊盘331提供公共电极,因此可以提供至少一个第一电极焊盘331。可以提供多个第二电极焊盘331以分别向发光器件321至323提供不同的信号。
可以通过混合垂直型发光器件和水平型发光器件来构造多个发光器件321至323。具体地,图16的(a)示出红光发射器件321是垂直型发光器件,而绿光发射器件322和蓝光发射器件323中的每一个都是水平型发光器件。
电极焊盘330可以包括分别用于向发光器件321至323提供公共电极的第一电极焊盘331和用于向发光器件321至323提供不同信号的第二电极焊盘332。
第一电极焊盘331可以包括未暴露的第一电极焊盘331a和暴露的第一电极焊盘331b。未暴露的第一电极焊盘331a可以与垂直型发光器件321交叠,并连接到垂直型发光器件321的第一电极。暴露的第一电极焊盘331b可以通过避开设置有发光器件321至323的区域来设置,并连接到水平型发光器件322和323的第一电极。
在这种情况下,由于水平型发光器件322和323没有被设置在电极焊盘330上,所以水平型发光器件322和323可以不与电极焊盘330交叠。第一模制件360可以覆盖暴露的第一电极焊盘331b和第二电极焊盘332以防止超出第二模制件350暴露于前表面。也就是说,在设置有发光器件321至323的区域中,可以使第一电极焊盘331超出第二模制件350的暴露最小化。
在一些情况下,水平型发光器件322和323可以被设置在具有与第一电极焊盘331相同高度的支承构件370上。在这种情况下,支承构件370可以设置为黑色。支承构件370可以用于将水平型发光器件322和323的高度与垂直型相匹配。
图17示出了像素结构的又一实施方式。将不重复上面在图12中描述的相同构造。
根据本公开的实施方式的显示装置300可以包括基底基板310和包括在基底基板310上的多个发光器件320的像素。
像素可以对应于包括发光器件320和连接到发光器件320的电极焊盘330的图像元件。在一些情况下,像素可以对应于包括连接到电极焊盘330的驱动电路的图像元件。
可以通过混合垂直型发光器件和水平型发光器件来构造多个发光器件321至323。具体地,图17的(a)示出红光发射器件321是垂直型发光器件,而绿光发射器件322和蓝光发射器件323中的每一个都是水平型发光器件。
电极焊盘330可以包括分别用于向发光器件321至323提供公共电极的第一电极焊盘331和用于向发光器件321至323提供不同信号的第二电极焊盘332。
第一电极焊盘331可以包括未暴露的第一电极焊盘331a和暴露的第一电极焊盘331b。未暴露的第一电极焊盘331a可以与垂直型发光器件321交叠,并连接到垂直型发光器件321的第一电极。暴露的第一电极焊盘331b可以通过避开设置有发光器件321至323的区域来设置,并连接到水平型发光器件322和323的第一电极。
在这种情况下,由于水平型发光器件322和323没有被设置在电极焊盘330上,所以水平型发光器件322和323可以不与电极焊盘330交叠。第一模制件360可以覆盖暴露的第一电极焊盘331b和第二电极焊盘332以防止超出第二模制件350暴露于前表面。也就是说,可以使第一电极焊盘331超出第二模制件350暴露在设置有发光器件321至323的区域中最小化。
垂直型发光器件321可以通过第一粘合件381固定到第一电极焊盘331。这里,第一粘合件381可以是ACF。第一粘合件381可以具有高不透明度。具体地,水平型发光器件322和323可以通过第二粘合件382固定到基底基板310。在这种情况下,第一粘合件381的不透明度可以高于第二粘合件382的不透明度。
第一电极焊盘331的未被第一模制件360覆盖的部分可以被第一粘合件381覆盖以防止超过第二模制件350暴露于前表面。
在下文中,将描述电极焊盘300的适于覆盖第一模制件360的结构。
图18是示出像素的电极面板之间的间隔的概念图。将不重复上面在图12中描述的相同构造。
根据本公开的实施方式的显示装置300可以包括基底基板310和包括在基底基板310上的多个发光器件320的像素。
像素可以对应于包括发光器件320和连接到发光器件320的电极焊盘330的图像元件。在一些情况下,像素可以对应于包括连接到电极焊盘330的驱动电路的图像元件。
电极焊盘330可以包括连接到发光器件321至323的第一电极的第一电极焊盘331和连接到发光器件321至323的第二电极的第二电极焊盘332。第一电极焊盘331提供公共电极,因此可以提供至少一个第一电极焊盘331。可以提供多个第二电极焊盘331以分别向发光器件321至323提供不同的信号。
发光器件320可以是垂直型发光器件。发光器件320可以被设置在第一电极焊盘331上并且通过导线340连接到第二电极焊盘332。
发光器件320可以是水平型发光器件。发光器件320可以通过导线340连接到第一电极焊盘331和第二电极焊盘332中的每一个。
在一些情况下,像素可以包括仅垂直型发光器件、仅水平型发光器件、或垂直型发光器件和水平型发光器件二者。具体地,图18示出了垂直型发光器件和水平型发光器件被混合。
基底基板310可以包括多个像素,并且每个像素单元可以包括多个发光器件320和电极焊盘330。具体地,像素可以在布置发光器件320的位置处包括第一电极焊盘331,并且第二电极焊盘332可以被设置在第一电极焊盘331的两侧上。
在这种情况下,一个像素中的第二电极焊盘332可以被设置在基底基板310上,使得第二电极焊盘332比对应像素中的第一电极焊盘331更靠近相邻像素中的另一第二电极焊盘332。具体地,一个像素中的第一电极焊盘331和第二电极焊盘332之间的距离d1可以大于相邻像素中的第二电极焊盘332之间的距离d2。
这种结构可以有利于第一模制件360一次覆盖第二电极焊盘332。另外,该结构还可以有利于在覆盖第一模制件360时防止发光器件320的侵入。
以上描述仅是对本公开的技术精神的说明。本公开所属技术领域的普通技术人员将理解,在不脱离本公开的必要特征的情况下,可以进行各种修改和变型。
本公开中公开的实施方式不应被解释为限制本公开的技术精神,而应被解释为说明本公开的技术精神。另外,本公开的技术精神的范围不受实施方式的限制。
本公开的范围应基于所附权利要求来解释。因此,本公开应当被解释为涵盖从所附权利要求及其等同物的含义和范围引起的所有修改或变型。
Claims (15)
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底基板,所述基底基板在其前表面上具有电极焊盘;
发光器件,所述发光器件被设置在所述基底基板上并且连接到所述电极焊盘;
第一模制件,所述第一模制件被配置为通过避开设置有所述发光器件的区域来覆盖所述电极焊盘的至少一部分;以及
第二模制件,所述第二模制件被配置为覆盖所述发光器件和所述第一模制件。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述电极焊盘包括:
第一电极焊盘,所述第一电极焊盘连接到所述发光器件的第一电极;以及
第二电极焊盘,所述第二电极焊盘连接到所述发光器件的第二电极,并且
其中,所述第一模制件被配置为覆盖所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘中的至少一个。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述发光器件包括设置在所述第一电极焊盘上并且导线连接到所述第二电极焊盘的垂直型发光器件,并且其中,所述第一模制件被配置为覆盖连接到所述垂直型发光器件的所述第二电极焊盘。
4.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述发光器件包括导线连接到所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘的水平型发光器件,并且其中,所述第一模制件被配置为覆盖连接到所述水平型发光器件的所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘。
5.根据权利要求2所述的显示装置,其中,多个发光器件被布置在所述第一电极焊盘上并且分别导线连接到与所述第一电极焊盘相邻的多个第二电极焊盘,并且其中,所述第一模制件被配置为覆盖与所述第一电极焊盘相邻地设置的多个第二电极焊盘。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述多个发光器件包括垂直型发光器件和水平型发光器件,
其中,所述第一电极焊盘包括导线连接到所述水平型发光器件的接触部分,其中,所述接触部分在设置有所述发光器件的区域中沿一个方向延伸,并且
其中,所述第一模制件被配置为覆盖所述第一电极焊盘的所述接触部分。
7.根据权利要求5所述的显示装置,其中,针对每个像素单元设置所述电极焊盘和所述多个发光器件,并且其中,一个像素单元中设置的第二电极焊盘被定位成比对应像素单元中的第一电极焊盘更靠近另一相邻像素单元中的第二电极焊盘。
8.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述发光器件包括垂直型发光器件和水平型发光器件,
其中,所述第一电极焊盘包括:
未暴露的第一电极焊盘,所述未暴露的第一电极焊盘与所述垂直型发光器件交叠并且连接到所述垂直型发光器件的第一电极;以及
暴露的第一电极焊盘,所述暴露的第一电极焊盘通过避开设置有所述发光器件的区域来设置并且连接到所述水平型发光器件的第一电极,并且
其中,所述第一模制件被配置为覆盖所述暴露的第一电极焊盘和一个或更多个第二电极焊盘,每个电极焊盘都导线连接到所述发光器件。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述垂直型发光器件通过第一粘合件固定到所述未暴露的第一电极焊盘,
其中,所述水平型发光器件通过第二粘合件固定到所述基底基板,并且
其中,所述第一粘合件的不透明度高于所述第二粘合件的不透明度。
10.根据权利要求8所述的显示装置,该显示装置还包括支承构件,所述支承构件被设置在所述基底基板上,与所述水平型发光器件交叠,并且具有与所述未暴露的第一电极焊盘对应的厚度。
11.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一模制件比所述第二模制件更不透明。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述第一模制件具有与所述发光器件的前表面形成台阶差的前表面,并且其中,所述第一模制件的前表面被定位成低于所述发光器件的前表面。
13.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述第一模制件由硅制成,并且其中,所述第一模制件包含预定量的黑色粉末,所述黑色粉末决定所述第一模制件的粘度和亮度。
14.根据权利要求13所述的显示装置,其中,所述预定量是当所述第一模制件被注入到所述电极焊盘中时形成比所述发光器件低的最高点的最大量。
15.根据权利要求13所述的显示装置,其中,所述第二模制件包含比所述第一模制件更少的量的黑色粉末。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114899286A (zh) * | 2022-07-12 | 2022-08-12 | 诺视科技(苏州)有限公司 | 一种像素级分立器件及其制作方法 |
CN114899291A (zh) * | 2022-07-12 | 2022-08-12 | 诺视科技(苏州)有限公司 | 用于半导体器件的像素单元及其制作方法、微显示屏 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220005922A (ko) * | 2020-07-07 | 2022-01-14 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101114253B1 (ko) * | 2009-11-23 | 2012-03-05 | 국민대학교산학협력단 | 블랙 마이크로캐비티를 포함하는 유기발광다이오드 |
KR101237356B1 (ko) * | 2011-06-29 | 2013-02-28 | 갤럭시아일렉트로닉스(주) | 컨트라스트 개선형 디스플레이장치 및 이의 제조방법 |
KR101602422B1 (ko) * | 2012-06-21 | 2016-03-10 | 코닝정밀소재 주식회사 | 블랙 매트릭스 코팅 기판 및 이를 포함하는 oled 디스플레이 장치 |
JP6191453B2 (ja) * | 2013-12-27 | 2017-09-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
KR102188500B1 (ko) * | 2014-07-28 | 2020-12-09 | 삼성전자주식회사 | 발광다이오드 패키지 및 이를 이용한 조명장치 |
US11088304B2 (en) * | 2018-09-05 | 2021-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US10810932B2 (en) * | 2018-10-02 | 2020-10-20 | Sct Ltd. | Molded LED display module and method of making thererof |
-
2020
- 2020-09-04 WO PCT/KR2020/011922 patent/WO2022050454A1/ko active Application Filing
-
2021
- 2021-05-18 US US17/323,734 patent/US11984469B2/en active Active
- 2021-07-23 CN CN202110835442.8A patent/CN114141759A/zh active Pending
- 2021-08-26 DE DE102021122175.7A patent/DE102021122175A1/de active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114899286A (zh) * | 2022-07-12 | 2022-08-12 | 诺视科技(苏州)有限公司 | 一种像素级分立器件及其制作方法 |
CN114899291A (zh) * | 2022-07-12 | 2022-08-12 | 诺视科技(苏州)有限公司 | 用于半导体器件的像素单元及其制作方法、微显示屏 |
CN114899291B (zh) * | 2022-07-12 | 2022-10-25 | 诺视科技(苏州)有限公司 | 用于半导体器件的像素单元及其制作方法、微显示屏 |
Also Published As
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