CN114136736B - 透射电镜试样及其制备方法、待测结构的失效分析方法 - Google Patents
透射电镜试样及其制备方法、待测结构的失效分析方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114136736B CN114136736B CN202111466420.5A CN202111466420A CN114136736B CN 114136736 B CN114136736 B CN 114136736B CN 202111466420 A CN202111466420 A CN 202111466420A CN 114136736 B CN114136736 B CN 114136736B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- area
- target area
- electron microscope
- transmission electron
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title claims abstract description 59
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 title claims description 16
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 5
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000009966 trimming Methods 0.000 claims description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
- G01N23/20008—Constructional details of analysers, e.g. characterised by X-ray source, detector or optical system; Accessories therefor; Preparing specimens therefor
Abstract
本发明提供一种透射电镜试样的制备方法，包括以下步骤：在待测结构中确定测试目标区域；基于测试目标区域提取测试块，所述测试块包括与所述目标区域对应的目标区部分和与目标区部分第一侧边连接的支撑区部分，且所述支撑区部分具有高于所述目标区部分的凸出部；将目标区部分沿与第一侧边平行的方向的中部在厚度方向减薄，作为试样观测区，所述目标区部分形成第一端部和第二端部；对所述支撑区部分沿与所述第一侧边平行的方向的中部在厚度方向减薄至所述凸出部中以形成中间连接部，支撑区部分形成第一端部和第二端部，所述中间连接部与所述支撑区部分的第一端部、第二端部及所述目标区部分的第二端部共同构成所述透射电镜试样的支撑框。
Description
技术领域
本发明主要涉及半导体测试领域，尤其涉及一种透射电镜试样及其制备方法、待测结构的失效分析方法。
背景技术
在半导体器件测试的透射电子显微镜(TEM，Transmission ElectronMicroscope)样品制备中，如何使制备形成的样品保持利于观测的形态，是需要解决的问题。例如，制样过程中会造成拉痕，影响结果分析；并且，样品薄时易变形，不能满足制备薄透射电镜样品(也可称为TEM样品)的需求。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种透射电镜试样及其制备方法、待测结构的失效分析方法，实现透射电镜试样的有效制备，利于对产品的检测分析。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种透射电镜试样的制备方法，包括以下步骤：在待测结构中确定测试目标区域；基于所述测试目标区域提取测试块，所述测试块包括与所述目标区域对应的目标区部分和与目标区部分第一侧边连接的支撑区部分，且所述支撑区部分具有高于所述目标区部分的凸出部；将所述目标区部分沿与所述第一侧边平行的方向的中部在厚度方向减薄，作为试样观测区，所述目标区部分形成第一端部和第二端部；对所述支撑区部分沿与所述第一侧边平行的方向的中部在厚度方向减薄至所述凸出部中以形成中间连接部，支撑区部分形成第一端部和第二端部，所述中间连接部与所述支撑区部分的第一端部、第二端部及所述目标区部分的第二端部共同构成所述透射电镜试样的支撑框。
在本发明的一实施例中，所述连接部与所述试样观测区不接触。
在本发明的一实施例中，保留所述支撑区部分的第一端部和第二端部及所述目标区部分的第一端部和第二端部而不减薄。
在本发明的一实施例中，对所述支撑区部分的第二端部进行减薄，减薄后的厚度大于所述试样观测区厚度。
在本发明的一实施例中，将将所述目标区部分沿与所述第一侧平行的方向的中部在厚度方向减薄，作为所述试样观测区之前还包括：将所述测试块与所述第一侧边相邻的第一端面粘附至载台，所述载台处于竖直平面内与竖直方向呈第一角度的倾斜状态；将所述载台翻转至处于水平平面内。
在本发明的一实施例中，所述第一角度为锐角。
在本发明的一实施例中，将所述测试块与所述第一侧边相邻的第一端面粘附至载台之前还包括，将所述载台侧方修整为平面。
在本发明的一实施例中，在对所述支撑区部分沿与所述第一侧平行的方向的中部在厚度方向减薄至所述凸出部中以形成中间连接部之前还包括，在所述目标区部分的上表面沉积保护层。
本发明还提供一种待测结构的失效分析方法，其特征在于，所述方法包括：通过前述任一项所述的制备方法对所述待测结构进行处理，以制备透射电镜试样；对所述透射电镜试样进行失效分析。
本发明还提供一种透射电镜试样，包括：目标区部分，具有位于中部的试样观测区和位于所述试样观测区两端的目标区第一端部和第二端部，其中所述试样观测区的厚度小于所述第一端部和第二端部的厚度；支撑区部分，具有位于中部的中间连接部和位于所述连接部两端的支撑区第一端部和第二端部，其中所述支撑区第一端部和第二端部分别与所述目标区第一端部和第二端部一一对应连接，且所述支撑区第一端部和第二端部具有高于所述目标第一端部和第二端部的凸出部，所述中间连接部连接于所述目标区第一端部和第二端部的凸出部之间。
在本发明的一实施例中，所述目标区第一端部和第二端部的厚度不同。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：通过试样制备过程中形成的支撑框，实现制备形成的透射电镜试样在薄片形态时，仍能够保持形状不变形，利于试样的观测，从而便于半导体器件产品的检测与分析。
附图说明
附图是为提供对本申请进一步的理解，它们被收录并构成本申请的一部分，附图示出了本申请的实施例，并与本说明书一起起到解释本申请原理的作用。附图中：
图1是本申请一实施例的透射电镜试样的制备方法的流程图。
图2A和图2B是本申请一实施例的通过聚焦离子束系统观测到的透射电镜测试块的示意图。
图3是本申请一实施例的制备透射电镜试样的过程中测试块的结构示意图。
图4是本申请一实施例的制备透射电镜试样的过程中测试块的结构示意图。
图5是本申请一实施例的制备透射电镜试样的过程中测试块的结构示意图。
图6是本申请一实施例的制备透射电镜试样的过程中测试块的结构示意图。
图7是本申请一实施例的透射电镜试样的结构示意图。
图8是本申请一实施例的透射电镜试样的结构示意图。
图9是本申请一实施例的通过聚焦离子束系统观测到的测试块粘附至载台的示意图。
图10是本申请一实施例的通过聚焦离子束系统观测到的载台翻转至水平平面内的示意图。
图11是本申请一实施例的透射电镜试样的结构示意图。
图12A和图12B本申请一实施例的将载台的脚端部由竖直状态转换为倾斜状态的示意图。
图13是本申请一实施例的通过聚焦离子束系统观测到的透射电镜试样的示意图。
具体实施方式
为了更清楚地说明本申请的实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些示例或实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图将本申请应用于其他类似情景。除非从语言环境中显而易见或另做说明，图中相同标号代表相同结构或操作。
如本申请和权利要求书中所示，除非上下文明确提示例外情形，“一”、“一个”、“一种”和/或“该”等词并非特指单数，也可包括复数。一般说来，术语“包括”与“包含”仅提示包括已明确标识的步骤和元素，而这些步骤和元素不构成一个排它性的罗列，方法或者设备也可能包含其他的步骤或元素。
除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本申请的范围。同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
在本申请的描述中，需要理解的是，方位词如“前、后、上、下、左、右”、“横向、竖向、垂直、水平”和“顶、底”等所指示的方位或位置关系通常是基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，在未作相反说明的情况下，这些方位词并不指示和暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位或者以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请保护范围的限制；方位词“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内外。
为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。
此外，需要说明的是，使用“第一”、“第二”等词语来限定零部件，仅仅是为了便于对相应零部件进行区别，如没有另行声明，上述词语并没有特殊含义，因此不能理解为对本申请保护范围的限制。此外，尽管本申请中所使用的术语是从公知公用的术语中选择的，但是本申请说明书中所提及的一些术语可能是申请人按他或她的判断来选择的，其详细含义在本文的描述的相关部分中说明。此外，要求不仅仅通过所使用的实际术语，而是还要通过每个术语所蕴含的意义来理解本申请。
本申请中使用了流程图用来说明根据本申请的实施例的系统所执行的操作。应当理解的是，前面或下面操作不一定按照顺序来精确地执行。相反，可以按照倒序或同时处理各种步骤。同时，或将其他操作添加到这些过程中，或从这些过程移除某一步或数步操作。
本申请的实施例描述一种透射电镜试样及其制备方法、待测结构的失效分析方法。
图1是本申请一实施例的透射电镜试样的制备方法的流程图。
如图1所示，透射电镜试样的制备方法包括，步骤101，在待测结构中确定测试目标区域。步骤102，基于所述测试目标区域提取测试块，所述测试块包括与所述目标区域对应的目标区部分和与目标区部分第一侧边连接的支撑区部分，且所述支撑区部分具有高于所述目标区部分的凸出部。步骤103，将所述目标区部分沿与所述第一侧边平行的方向的中部在厚度方向减薄，作为试样观测区。步骤104，对所述支撑区部分沿与所述第一侧边平行的方向的中部在厚度方向减薄至所述凸出部中以形成连接部，所述连接部与所述支撑区部分的两端部及所述目标区部分的两端部共同构成所述透射电镜试样的支撑框。
具体地，在步骤101，在待测结构中确定测试目标区域。待测结构例如为半导体器件中的某一区域对应的立体结构。半导体器件例如包括三维存储器。
在步骤102，基于所述测试目标区域提取测试块，所述测试块包括与所述目标区域对应的目标区部分和与目标区部分第一侧边连接的支撑区部分，且所述支撑区部分具有高于所述目标区部分的凸出部。
因本申请的技术方案涉及微观结构，为便于理解，图2A和图2B是本申请一实施例的通过聚焦离子束系统观测到的透射电镜测试块的示意图。
在对待测结构进行失效分析时，首先，采用聚焦离子束(Focused Ion beam，FIB)，将包含测试目标区域的样品从待测结构，例如半导体晶圆上剥离。图2A和图2B中，结构201例如即标示待提取的测试块。
图3是本申请一实施例的制备透射电镜试样的过程中测试块的结构示意图。
如图3所示，测试块201包括与所述目标区域对应的目标区部分301和与目标区部分第一侧边303连接的支撑区部分302，且所述支撑区部分302具有高于所述目标区部分301的凸出部305。
在步骤103，将所述目标区部分沿与所述第一侧边平行的方向的中部在厚度方向减薄，作为试样观测区，所述目标区部分形成第一端部和第二端部。
图4是本申请一实施例的制备透射电镜试样的过程中测试块的结构示意图。
测试块201的目标区部分301沿与所述第一侧边303平行的方向的中部例如图4中的标号401所例示。将中部401减薄后，测试块201的结构示意图例如图5所示。图5是本申请一实施例的制备透射电镜试样的过程中测试块的结构示意图。图5中的中部位置401减薄后形成的薄片例如标示为402，薄片区域作为试样观测区。图5中，目标区部分301还形成第一端部403和第二端部404。
接下来，在步骤104，对所述支撑区部分沿与所述第一侧边平行的方向的中部在厚度方向减薄至所述凸出部中以形成中间连接部，支撑区部分形成第一端部和第二端部，所述支撑区部分形成第一端部和第二端部，所述中间连接部与所述支撑区部分的第一端部、第二端部及所述目标区部分的第二端部共同构成所述透射电镜试样的支撑框。
图6是本申请一实施例的制备透射电镜试样的过程中测试块的结构示意图。
参考图6，对支撑区部分302沿所述第一侧边303平行方向上的中部在厚度方向减薄至所述凸出部305中以形成中间连接部501。支撑区部分302形成第一端部503和第二端部504。厚度方向例如图6中的Z方向所标示。中间连接部501与所述支撑区部分的第一端部503和第二端部504及所述目标区部分的第二端部404共同构成所述透射电镜试样402的支撑框，形成透射电镜试样601。
在一些实施例中，所述中间连接部501与所述试样观测区不接触，以利于对试样观测区进行透射电镜观测。
在一些实施例中，保留所述支撑区部分302的第一端部503和第二端部504及所述目标区部分的第一端部403和第二端部404而不减薄。
目标区部分的第一端部403也可称为所述试样观测区的基础连接部。通过所述支撑框的支撑，试样观测区402相对于所述目标区部分的第一端部403保持结构形态不变形。换言之，对于粘附于载台上的测试块而言，在制备形成的透射电镜试样中，试样观测区402远离载台的一端相对于靠近载台的一边保持结构形态不变形，从而有利于后续的试样检测和分析过程。
图7是本申请一实施例的透射电镜试样的结构示意图。在图7中，中间连接部501作了更明确的标示。
在一些实施例中，对所述支撑区部分的第二端部进行减薄，减薄后的厚度大于所述试样观测区厚度，以便支撑框对试样观测区进行支撑。
在一些实施例中，将所述目标区部分沿与所述第一侧平行的方向的中部在厚度方向减薄，作为所述试样观测区之前还包括，步骤201，将所述测试块与所述第一侧边相邻的第一端面粘附至载台，所述载台处于竖直平面内与竖直方向呈第一角度的倾斜状态。步骤202，将所述载台翻转至处于水平平面内。
图9是本申请一实施例的通过聚焦离子束系统观测到的测试块粘附至载台的示意图。
图9中，如步骤201，测试块201被取样针902从待测结构中提取，将所述测试块201与所述第一侧边303相邻的第一端面粘附至载台并粘附于载台902。第一端面例如图11中的第一端面311所标示。载台902处于竖直平面内与竖直方向呈第一角度α的倾斜状态。第一角度α如图9中的与竖直方向V的夹角第一角度α所例示。测试块201的目标区或目标区的中部例如为图9中的905所标示的区域。在一些实施例中，第一角度α为锐角。
将载台(或称为铜栅)的脚端部由竖直状态转换为倾斜状态的示意图如图12A和图12B所例示。图12A中铜栅(载台)的脚端部为竖直状态。图12B中铜栅(载台)的脚端部为倾斜状态。
在步骤202，将所述载台翻转至处于水平平面内。将载台903翻转至水平平面内的示意图如图10所示。图10是本申请一实施例的通过聚焦离子束系统观测到的载台翻转至水平平面内的示意图。
在一些实施例中，将所述测试块与所述第一侧边相邻的第一端面粘附至载台之前还包括，将所述载台侧方修整为平面，以便于测试块的粘附。载台侧方例如图12B中1211所标示。
通过将载台调整为倾斜状态，实现在通过FIB(聚焦离子束)减薄时，对样品的减薄为侧斜切，能有效减少制样过程中在待观测区域造成的拉痕现象，提高制样成功率。
聚焦离子束进行离子轰击的方向如图10中的方向1008和1009所例示，其沿着与竖直平面垂直的方向进行离子轰击，对测试块进行减薄。因测试块随着所述载台的倾斜状态而处于倾斜状态，即与与竖直平面垂直的方向(例如称为正方向)呈一定角度的夹角，因而对于在正方向进行减薄操作的离子束而言，其对测试块进行的减薄操作为侧斜切操作。
在一些实施例中，在对所述支撑区部分沿与所述第一侧平行的方向的中部在厚度方向减薄至所述凸出部中以形成中间连接部之前还包括，在所述目标区部分的上表面沉积保护层。
图13是本申请一实施例的通过聚焦离子束系统观测到的透射电镜试样的示意图。
参考图7的标示，图13中，支撑区部分302的中间连接部501、第一端部503和第二端部504、目标区部分的第一端部403和第二端部404、试样观测区402如图13中所标示。第一端面粘附的载台位于图13中的右侧(为明显示出)。
本申请还提供一种待测结构的失效分析方法，所述方法包括：步骤301，通过前述的制备方法对所述待测结构进行处理，以制备透射电镜试样；步骤302，对所述透射电镜试样进行失效分析。
本申请还提供透射电镜试样，包括目标区部分和支撑区部分。
在一些实施例中，目标区部分具有位于中部的试样观测区和位于所述试样观测区两端的目标区第一端部和第二端部，其中所述试样观测区的厚度小于所述第一端部和第二端部的厚度。
支撑区部分具有位于中部的中间连接部和位于所述连接部两端的支撑区第一端部和第二端部，其中所述支撑区第一端部和第二端部分别与所述目标区第一端部和第二端部一一对应连接，且所述支撑区第一端部和第二端部具有高于所述目标第一端部和第二端部的凸出部，所述中间连接部连接于所述目标区第一端部和第二端部的凸出部之间。
图8是本申请一实施例的透射电镜试样的结构示意图。在图8中，透射电镜试样的凸出部307和308进行了更明确的标示，图8中的凸出部307与第二端部503对应，凸出部308与第二端部504对应。
如图8所示，目标区部分301具有位于中部的试样观测区402和位于所述试样观测区402两端的目标区第一端部403和第二端部404。其中试样观测区402的厚度小于所述第一端部403和第二端部404的厚度。
支撑区部分302具有位于中部的中间连接部501和位于所述连接部两端的支撑区第一端部503和第二端部504，其中所述支撑区第一端部503和第二端部504分别与所述目标区第一端部493和第二端部404一一对应连接，且所述支撑区第一端部503和第二端部504具有高于所述目标第一端部和第二端部的凸出部307和凸出部308，所述中间连接部501连接于所述目标区第一端部和第二端部的凸出部之间，即凸出部307和凸出部308之间。
如前述，目标区第一端部可称为所述试样观测区的基础连接部。通过支撑框的支撑，能实现薄且不变形的透射电镜试样的制备。
在一些实施例中，所述中间连接部501与所述试样观测区402不接触。目标区的上表面具有保护层。
在一些实施例中，目标区第一端部和第二端部的厚度不同。例如，第二端部的厚度大于试样观测区，第一端部的厚度大于第二端部的厚度。
上文已对基本概念做了描述，显然，对于本领域技术人员来说，上述发明披露仅仅作为示例，而并不构成对本申请的限定。虽然此处并没有明确说明，本领域技术人员可能会对本申请进行各种修改、改进和修正。该类修改、改进和修正在本申请中被建议，所以该类修改、改进、修正仍属于本申请示范实施例的精神和范围。
同时，本申请使用了特定词语来描述本申请的实施例。如“一个实施例”、“一实施例”、和/或“一些实施例”意指与本申请至少一个实施例相关的某一特征、结构或特点。因此，应强调并注意的是，本说明书中在不同位置两次或多次提及的“一实施例”或“一个实施例”或“一替代性实施例”并不一定是指同一实施例。此外，本申请的一个或多个实施例中的某些特征、结构或特点可以进行适当的组合。
同理，应当注意的是，为了简化本申请披露的表述，从而帮助对一个或多个发明实施例的理解，前文对本申请实施例的描述中，有时会将多种特征归并至一个实施例、附图或对其的描述中。但是，这种披露方法并不意味着本申请对象所需要的特征比权利要求中提及的特征多。实际上，实施例的特征要少于上述披露的单个实施例的全部特征。
一些实施例中使用了描述成分、属性数量的数字，应当理解的是，此类用于实施例描述的数字，在一些示例中使用了修饰词“大约”、“近似”或“大体上”来修饰。相应地，在一些实施例中，说明书和权利要求中使用的数值参数均为近似值，该近似值根据个别实施例所需特点可以发生改变。在一些实施例中，数值参数应考虑规定的有效数位并采用一般位数保留的方法。尽管本申请一些实施例中用于确认其范围广度的数值域和参数为近似值，在具体实施例中，此类数值的设定在可行范围内尽可能精确。
虽然本申请已参照当前的具体实施例来描述，但是本技术领域中的普通技术人员应当认识到，以上的实施例仅是用来说明本申请，在没有脱离本申请精神的情况下还可作出各种等效的变化或替换，因此，只要在本申请的实质精神范围内对上述实施例的变化、变型都将落在本申请的权利要求书的范围内。
Claims (11)
1.一种透射电镜试样的制备方法，包括以下步骤：
在待测结构中确定测试目标区域；
基于所述测试目标区域提取测试块，所述测试块包括与所述目标区域对应的目标区部分和与目标区部分第一侧边连接的支撑区部分，且所述支撑区部分具有高于所述目标区部分的凸出部；
将所述目标区部分沿与所述第一侧边平行的方向的中部在厚度方向减薄，作为试样观测区，所述目标区部分形成第一端部和第二端部；
对所述支撑区部分沿与所述第一侧边平行的方向的中部在厚度方向减薄至所述凸出部中以形成中间连接部，支撑区部分形成第一端部和第二端部，所述中间连接部与所述支撑区部分的第一端部、第二端部及所述目标区部分的第二端部共同构成所述透射电镜试样的支撑框；所述中间连接部与所述试样观测区不接触；
将所述目标区部分沿与所述第一侧边平行的方向的中部在厚度方向减薄，作为所述试样观测区之前还包括：
将所述测试块与所述第一侧边相邻的第一端面粘附至载台，所述载台处于竖直平面内与竖直方向呈第一角度的倾斜状态，对所述测试块通过侧斜切操作来进行减薄操作。
2.根据权利要求1所述的透射电镜试样的制备方法，其特征在于，保留所述支撑区部分的第一端部和第二端部及所述目标区部分的第一端部和第二端部而不减薄。
3.根据权利要求1所述的透射电镜试样的制备方法，其特征在于，对所述支撑区部分的第二端部进行减薄，减薄后的厚度大于所述试样观测区厚度。
4.根据权利要求1所述的透射电镜试样的制备方法，其特征在于，对所述测试块通过侧斜切操作来进行减薄操作之后，还包括：
将所述载台翻转至处于水平平面内。
5.根据权利要求1所述的透射电镜试样的制备方法，其特征在于，所述第一角度为锐角。
6.根据权利要求1所述的透射电镜试样的制备方法，其特征在于，将所述测试块与所述第一侧边相邻的第一端面粘附至载台之前还包括，将所述载台侧方修整为平面。
7.根据权利要求1所述的透射电镜试样的制备方法，其特征在于，在对所述支撑区部分沿与所述第一侧平行的方向的中部在厚度方向减薄至所述凸出部中以形成中间连接部之前还包括，在所述目标区部分的上表面沉积保护层。
8.一种待测结构的失效分析方法，其特征在于，所述方法包括：
通过权利要求1至7任一项所述的制备方法对所述待测结构进行处理，以制备透射电镜试样；
对所述透射电镜试样进行失效分析。
9.一种透射电镜试样，由权利要求1-7任一项所述的制备方法制备，包括：
目标区部分，具有位于中部的试样观测区和位于所述试样观测区两端的目标区第一端部和第二端部，其中所述试样观测区的厚度小于所述第一端部和第二端部的厚度；
支撑区部分，具有位于中部的中间连接部和位于所述连接部两端的支撑区第一端部和第二端部，其中所述支撑区第一端部和第二端部分别与所述目标区第一端部和第二端部一一对应连接，且所述支撑区第一端部和第二端部具有高于所述目标第一端部和第二端部的凸出部，所述中间连接部连接于所述目标区第一端部和第二端部的凸出部之间；所述中间连接部与所述试样观测区不接触。
10.根据权利要求9所述的透射电镜试样，其特征在于，所述目标区的上表面具有保护层。
11.根据权利要求9所述的透射电镜试样，其特征在于，所述目标区第一端部和第二端部的厚度不同。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111466420.5A CN114136736B (zh) | 2021-12-03 | 2021-12-03 | 透射电镜试样及其制备方法、待测结构的失效分析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111466420.5A CN114136736B (zh) | 2021-12-03 | 2021-12-03 | 透射电镜试样及其制备方法、待测结构的失效分析方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114136736A CN114136736A (zh) | 2022-03-04 |
| CN114136736B true CN114136736B (zh) | 2024-01-16 |
Family
ID=80387611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111466420.5A Active CN114136736B (zh) | 2021-12-03 | 2021-12-03 | 透射电镜试样及其制备方法、待测结构的失效分析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114136736B (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1068683A (ja) * | 1996-08-28 | 1998-03-10 | Kawasaki Steel Corp | 透過電子顕微鏡用薄膜試料の作製方法 |
| JPH1177333A (ja) * | 1997-09-09 | 1999-03-23 | Hitachi Ltd | 集束イオンビーム加工装置及びその方法 |
| JP2000162102A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Hitachi Ltd | 試料作製装置および試料作製方法 |
| CN111896291A (zh) * | 2020-08-10 | 2020-11-06 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种样品制备方法及装置 |
| CN112179927A (zh) * | 2020-09-17 | 2021-01-05 | 长江存储科技有限责任公司 | 透射电镜试样及其制备方法、待测结构的失效分析方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110579495B (zh) * | 2019-10-23 | 2022-06-28 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种tem样品及其制备方法 |
-
2021
- 2021-12-03 CN CN202111466420.5A patent/CN114136736B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1068683A (ja) * | 1996-08-28 | 1998-03-10 | Kawasaki Steel Corp | 透過電子顕微鏡用薄膜試料の作製方法 |
| JPH1177333A (ja) * | 1997-09-09 | 1999-03-23 | Hitachi Ltd | 集束イオンビーム加工装置及びその方法 |
| JP2000162102A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Hitachi Ltd | 試料作製装置および試料作製方法 |
| CN111896291A (zh) * | 2020-08-10 | 2020-11-06 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种样品制备方法及装置 |
| CN112179927A (zh) * | 2020-09-17 | 2021-01-05 | 长江存储科技有限责任公司 | 透射电镜试样及其制备方法、待测结构的失效分析方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114136736A (zh) | 2022-03-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20130340936A1 (en) | Method for ex-situ lift-out specimen preparation | |
| CN104792583B (zh) | 一种tem样品的制备方法 | |
| US9315898B2 (en) | TEM sample preparation method | |
| JP3711018B2 (ja) | Ｔｅｍ試料薄片化加工方法 | |
| CN108010860B (zh) | 一种自定位电迁移测试结构及透射电镜样品制备方法 | |
| CN111398325B (zh) | Tem样品制备方法 | |
| CN114136736B (zh) | 透射电镜试样及其制备方法、待测结构的失效分析方法 | |
| JP2003194681A (ja) | Ｔｅｍ試料作製方法 | |
| CN105699698A (zh) | 一种tem样品的制备方法 | |
| JP6876455B2 (ja) | 観察方法および試料作製方法 | |
| US11355310B2 (en) | Method for changing the spatial orientation of a micro-sample in a microscope system, and computer program product | |
| US20130068948A1 (en) | Method of planar imaging on semiconductor chips using focused ion beam | |
| CN112179927B (zh) | 透射电镜试样及其制备方法、待测结构的失效分析方法 | |
| CN104297037B (zh) | 一种tem样品的制备方法 | |
| US20060139049A1 (en) | Planar view TEM sample preparation from circuit layer structures | |
| CN113466268B (zh) | 组合样品及其制备方法 | |
| US11264200B1 (en) | Lamella alignment based on a reconstructed volume | |
| CN103645076A (zh) | 一种分区域制样的tem样品的制作方法 | |
| WO1999017103A2 (en) | In-line fib process monitoring with wafer preservation | |
| TWI785382B (zh) | 製備聚焦離子束樣本以及在電子顯微鏡系統中分析樣本的方法 | |
| KR100694580B1 (ko) | 투과 전자현미경 분석용 시편 제조방법 | |
| JP2004361139A (ja) | ピックアップ試料の垂直位置出し方法と垂直方向を示す印を持つ試料 | |
| KR102531691B1 (ko) | 집속 이온빔을 이용한 투과전자현미경 시편의 제작방법 | |
| CN104155158A (zh) | 利用fib切割以实现纳米级样品的三维观测方法 | |
| Nicolas et al. | Focused Ion Beam Milling and Cryo-electron Tomography Methods to Study the Structure of the Primary Cell Wall in Allium cepa |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |