CN114130474B - 一种基于负离子粉加工的研磨设备 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种基于负离子粉加工的研磨设备，包括，预处理装置，用于将独居石进行预处理，预处理装置包括第一研磨机构；烘干装置，其与预处理装置相连接，用于将研磨后的独居石烘干；球磨装置，其与烘干装置相连接，用于将烘干后的独居石研磨至预设粒径，球磨装置包括第二研磨机构、设置于第二研磨机构外部的第三研磨机构、设置于第三研磨机构外部与第二研磨机构内部的第二冷却机构以及控制球磨装置转动的第三电机；中控单元，其与预处理装置以及球磨装置相连接，用于根据产出的负离子粉负氧离子释放量，调节各部件参数，以使产出的负离子粉负氧离子释放量符合预设标准。

Description

一种基于负离子粉加工的研磨设备

技术领域

本发明涉及负离子粉领域，尤其涉及一种基于负离子粉加工的研磨设备。

背景技术

离子能够跟空气中带正电荷离子相结合，这样能减少空气中的漂浮物，进而达到净化空气的效果，负离子粉是对能产生空气负离子的粉体材料的统称，负离子粉产生的负离子能够净化空气、改善居住空气环境、促进人体血液循环等作用，目前，负离子粉大多采用稀土盐与电气石进行机械化学复合制得，有以天然矿物电气石为主，经过超细化粉碎、凝胶法包覆改性、离子交换掺杂以及高温激活等手段制得的，也有直接利用稀土矿粉或者稀土废矿渣提炼、研磨而成的。制备的负离子粉适用于水性油漆，水性涂料，干粉涂料，涤纶纤维，板材，塑料制品，使添加负离子粉产品有了高释放负氧离子，抑菌，净化甲醛的产品，解决了市场上普通电气石粉，负离子释放量低，辐射量大，与其它物质融合难的问题。

现有的球磨机只能通过增加研磨时间来控制物料的研磨细度，不仅效率低，而且对与负离子粉的制备，即使延长研磨时间，也难于达到所要求的研磨细度，造成能耗增加，产品质量不稳定等问题。

发明内容

为此，本发明提供一种基于负离子粉加工的研磨设备，可以解决无法根据负离子粉负氧离子释放量调节研磨效率的技术问题。

为实现上述目的，本发明提供一种基于负离子粉加工的研磨设备，包括：

预处理装置，用于将独居石进行预处理，所述预处理装置包括第一研磨机构，所述第一研磨机构包括第一研磨器以及设置于所述第一研磨器下方的第二研磨器，所述第一研磨器与第一电机相连接，所述第一电机用于控制第一研磨器与所述第二研磨器间距离，第二研磨器与第二电机相连接，所述第二电机用于控制第二研磨器的转动速率；

烘干装置，其与所述预处理装置相连接，用于将研磨后的独居石烘干；

球磨装置，其与所述烘干装置相连接，用于将烘干后的独居石研磨至预设粒径，所述球磨装置包括第二研磨机构、设置于所述第二研磨机构外部的第三研磨机构、设置于所述第三研磨机构外部与第二研磨机构内部的第二冷却机构以及控制所述球磨装置转动的第三电机，所述第二研磨机构包括第二研磨筒以及设置于所述第二研磨筒内的若干第一研磨体，所述第二研磨筒上设置有过滤膜，所述过滤膜用于将粒径符合预设要求的独居石注入第三研磨机构，所述第三研磨机构包括第三研磨筒以及设置于所述第二研磨筒内的若干第二研磨体，其中，所述第一研磨体直径大于所述第二研磨体直径；

中控单元，其与所述预处理装置以及所述球磨装置相连接，用于根据产出的负离子粉负氧离子释放量，调节所述第一研磨机构的研磨效率、所述球磨装置的研磨效率以及所述第二冷却机构的冷却循环效率，以使产出的负离子粉负氧离子释放量符合预设标准。

进一步地，所述中控单元根据第一预设时间内获取的产出的负离子粉的负氧离子释放量与预设值相比较，判定当前产出的负离子粉是否符合预设标准，中控单元获取的负离子粉的负氧离子释放量大于预设值，中控单元判定当前负离子粉符合预设标准，中控单元获取的负离子粉的负氧离子释放量小于预设值，中控单元判定产出的负离子粉不符合预设标准，中控单元通过控制第三电机调节所述球磨装置的转动速率，控制第二电机调节所述第一研磨器与所述第二研磨器的距离和控制第一电机调节第二研磨器的转动速率；所述中控单元根据第二预设时间内与第一预设时间内获取的产出的负离子粉在负氧离子释放量变化值与预设变化值相比较，中控单元判定产出的负离子粉稳定性是否符合预设标准，中控单元获取的负离子粉释放量变化值小于预设值，中控单元判定当前负离子粉稳定性符合预设标准，中控单元获取的负离子粉释放量变化值大于预设值，中控单元判定当前负离子粉稳定性不符合预设标准，中控单元通过控制电磁阀调节第二冷却机构进水水压，控制第一电机调节第二研磨器的转速，以使产出的负离子符合预设标准。

进一步地，所述中控单元预设单位时间负氧离子释放量QO，中控单元获取第一预设时间t1内产出的负离子粉的负氧离子释放量q1与预设单位时间负氧离子释放量Q0相比较，判定当前负离子是否符合预设标准，其中，

当q1≤Q0，所述中控单元判定当前负离子粉不符合预设标准，中控单元根据获取的负氧离子释放量对所述第一研磨机构的研磨效率、所述球磨装置的研磨效率进行调节；

当q1＞Q0，所述中控单元判定当前负离子粉符合预设标准。

进一步地，所述中控单元判定当前负离子粉符合预设标准，中控单元根据获取的第一预设时间t1内产出的负离子粉的负氧离子释放量q与预设单位时间负氧离子释放量参考值Q相比较，对所述第一研磨机构的研磨效率、所述球磨装置的研磨效率进行调节，其中，

当q1≤Q1，所述中控单元判定将所述第一研磨机构的研磨效率P1提高至P11,设定P11＝P1×(1+(Q1-q1)²/Q1),将所述球磨装置的研磨效率P1提高至P21，设定P21＝P2×(1+TJ’)；

当Q1＜q1＜Q2，所述中控单元判定将所述第一研磨机构的研磨效率P1提高至P12,设定P12＝P1×(1+(Q2-q1)×(q1-Q1)/(Q1×Q2))；

当q1≥Q2，所述中控单元判定提高所述球磨装置的研磨效率P2至P22,设定P22＝P2×(1+1.5×TJ’)；

其中，所述中控单元预设单位时间负氧离子释放量参考值Q，设定第一预设单位时间负氧离子释放量参考值Q1,第二预设单位时间负氧离子释放量参考值Q2，TJ’为球磨装置的研磨效率调节参数。

进一步地，所述中控单元预设所述球磨装置的研磨效率标准值P20，中控单元根据调节后的球磨装置的研磨效率P2i与预设球磨装置的研磨效率标准值相比较，对所述第三电机动力参数进行调节，其中，

当P2i≥P20，所述中控单元将所述第三电机动力参数F3提高至F31,设定F31＝F3×(1+(P2i-P20)/P20)；

当P2i＜P20，所述中控单元将所述第三电机动力参数F3降低至F32,设定F32＝F3×(1-(P20-P2i)/P20)；

其中，i＝1，2。

进一步地，所述中控单元预设所述第一研磨机构的研磨效率标准值W，中控单元根据调节后的第一研磨机构的研磨效率P1j与预设第一研磨机构的研磨效率标准值相比较，对所述第一电机动力参数以及所述第一研磨器与所述第二研磨器间的距离进行调节，其中，

当P1j≤W1，所述中控单元将所述第一研磨器与所述第二研磨器间的距离S扩大至S1,设定S1＝S×(1+(W1-P1j)/W1),将所述第一电机动力参数F1降低至F11，设定F11＝F1×(1-(W1-P1j)/W1)；

当W1＜P1j＜W2，所述中控单元将所述第一电机动力参数F1提高至F12，设定F12＝F1×(1+(W2-P1j)×(P1j-W1)/(W1×W2))；

当P1j＞W2，所述中控单元将所述中控单元将所述第一研磨器与所述第二研磨器间的距离S缩小至S2,设定S2＝S×F1×(1+(P1j-W2)²/W2)，将所述第一电机动力参数F1提高至F13，设定F13＝F1×F1×(1+(P1j-W2)²/W2)/(W1×W2))；

其中，所述中控单元预设第一研磨机构的研磨效率标准值W，设定第一预设第一研磨机构的研磨效率标准值W1，第二预设第一研磨机构的研磨效率标准值W2。

进一步地，所述中控单元预设所述第一研磨器与所述第二研磨器间的距离标准值S0，中控单元根据获取的调节后的第一研磨器与第二研磨器间的距离Sp与预设第一研磨器与第二研磨器间的距离标准值相比较，对所述第二电机动力参数进行调节，其中，

当Sp≤S0，所述中控单元将所述第二电机动力参数F2提高至F21,设定F21＝F2×(1+(S0-Sp)/S0)；

当Sp＞S0，所述中控单元将所述第二电机动力参数F2降低至F22,设定F22＝F2×(1-(Sp-S0)/S0)；

其中，p＝1,2。

进一步地，所述中控单元判定当前负离子粉不符合预设标准，中控单元获取第二预设时间t2内与第一预设时间t1内获取的产出的负离子粉在负氧离子释放量的差值设为负氧离子释放量变化值△q，设定△q＝q2-q1，中控单元根据获取的负氧离子释放量变化值与预设负氧离子释放量变化标准值H0相比较，中控单元判定当前负离子粉稳定性是否符合预设标准，其中，

当△q≤H0，所述中控单元判定当前负离子粉稳定性符合预设标准；

当△q＞H0，所述中控单元判定当前负离子粉稳定性不符合预设标准，中控单元提高所述第一电机动力参数F1k至F1k1，设定F1k1＝F1k×(1+(△q-H0)/H0)，同时中控单元将所述第二冷却机构进水水压D提高至D1,设定D1＝D×(1+(△q-H0)/H0)；

其中，k＝1,2,3。

进一步地，所述中控单元判定当前负离子粉稳定性不符合预设标准，中控单元预设负氧离子释放量变化值H，中控单元根据获取的负氧离子释放量变化值与预设负氧离子释放量变化值H相比较，中控单元获取所述球磨装置的研磨效率调节参数,其中，

当△q≤H1，所述中控单元选取第一预设调节参数TJ1为所述球磨装置的研磨效率调节参数；

当H1＜△q＜H2，所述中控单元选取第二预设调节参数TJ2为所述球磨装置的研磨效率调节参数；

当△q≥H2，所述中控单元选取第三预设调节参数TJ3为所述球磨装置的研磨效率调节参数；

其中，所述中控单元预设负氧离子释放量变化值H，设定第一预设负氧离子释放量变化值H1，第二预设负氧离子释放量变化值H2，中控单元预设调节参数TJ，设定第一预设调节参数TJ1、第二预设调节参数TJ2、第三预设调节参数TJ3。

进一步地，所述中控单元预设所述第二冷却机构进水水压标准值D0，中控单元根据调节后的第二冷却机构进水水压D1与预设第二冷却机构进水水压标准值D0相比较，对获取的所述球磨装置的研磨效率调节参数TJn进行调节，其中，

当D1≥D0，所述中控单元将所述球磨装置的研磨效率调节参数TJn提高到TJn1，设定TJn1＝TJn×(1+(D1-D0)/D0)；

当D1＜D0，所述中控单元将所述球磨装置的研磨效率调节参数TJn降低到TJn2，设定TJn2＝TJn×(1-(D0-D1)/D0)；

其中，n＝1,2,3。

与现有技术相比，本发明的有益效果在于，本发明设置中控单元，所述中控单元根据第一预设时间内获取的产出的负离子粉的负氧离子释放量与预设值相比较，中控单元判定当前产出的负离子粉是否符合预设标准，中控单元获取的负离子粉的负氧离子释放量大于预设值，中控单元判定当前负离子粉符合预设标准，中控单元获取的负离子粉的负氧离子释放量小于预设值，中控单元判定产出的负离子粉不符合预设标准，中控单元通过控制第三电机调节所述球磨装置的转动速率以提高球磨装置的研磨效率，调节所述第一研磨器与所述第二研磨器的距离和第二研磨器的转动速率以提高第一研磨机构的研磨效率；所述中控单元根据第二预设时间内与第一预设时间内获取的产出的负离子粉在负氧离子释放量变化值与预设变化值相比较，中控单元判定产出的负离子粉稳定性是否符合预设标准，中控单元获取的负离子粉释放量变化值小于预设值，中控单元判定当前负离子粉稳定性符合预设标准，中控单元获取的负离子粉释放量变化值大于预设值，中控单元判定当前负离子粉稳定性不符合预设标准，中控单元通过控制第二冷却机构进水水压以调节冷却循环效率，通过调节第二研磨器的转速以提高制备负离子原材料混合均匀度，以使产出的负离子符合预设标准。

尤其，本发明设置单位时间负氧离子释放量，中控单元通过获取的产出负离子粉的负氧离子释放量与预设单位时间负氧离子释放量相比较，判定当前产出的负离子粉是否符合预设标准，其中，若获取的产出负离子粉的负氧离子释放量大于等于预设值，中控单元判定当前负离子粉符合预设标准，其质量合格，可以产出，若获取的产出负离子粉的负氧离子释放量小于预设值，中控单元判定当前负离子粉质量不合格，中控单元根据获取的产出负离子粉的负氧离子释放量与预设单位时间负氧离子释放量参考值相比较，中控单元对第一研磨机构的研磨效率、所述球磨装置的研磨效率进行调节，其中，中控单元获取的产出负离子粉的负氧离子释放量小于等于第一预设值，说明当前产出的负离子粉质量极差在，造成负离子粉质量极差的原因一方面在于预设时间内产出的负离子重量少，另一方面在于负离子粒径不符合预设标准，造成其负氧离子释放量低，中控单元同时提高第一研磨机构研磨效率和球磨装置的研磨效率，以提高下一产出负离子负氧离子释放量，中控单元获取的产出负离子粉的负氧离子释放量在第一预设值和第二预设值之间，中控单元通过提高第一研磨机构的研磨效率以使注入球磨装置的独居石数量增多，进一步的提高下一产出负离子负氧离子释放量，中控单元获取的产出负离子粉的负氧离子释放量大于等于第二预设值，中控单元仅通过提高球磨装置的研磨效率，进一步地提高球磨装置中独居石与其他原材料的混匀程度，同时，单位时间内产出更多合格的负离子粉，以使下一负离子粉质量符合预设标准。

尤其，本发明设置有球磨装置的研磨效率标准值，中控单元通过将调节后的球磨装置研磨效率与预设标准值相比较，对控制球磨装置研磨效率的第三电机动力参数进行调节，其中，若调节后的球磨装置研磨效率大于等于预设标准值，中控单元以调节后的球磨装置研磨效率与预设标准值的差值为基准提高第三电机动力参数，以提高球磨装置的转速，进一步的提高球磨装置研磨效率，反之，若调节后的球磨装置研磨效率小于预设标准值，中控单元以调节后的球磨装置研磨效率与预设标准值的差值为基准降低第三电机动力参数，以降低球磨装置的转速，进一步的降低球磨装置研磨效率，以使球磨装置研磨效率符合调节后的参数。

尤其，本发明将第一研磨机构的研磨效率标准值设置为两个标准，中控单元根据获取调节后的第一研磨机构的研磨效率与预设第一研磨机构的研磨效率标准值相比较，对所述第一电机动力参数以及所述第一研磨器与所述第二研磨器间的距离进行调节，其中，若中控单元获取调节后的第一研磨机构的研磨效率小于等于第一预设第一研磨机构的研磨效率标准值，中控单元通过扩大第一研磨器与所述第二研磨器间的距离减小第一研磨器与第二研磨器对独居石的压力，同时降低第一电机动力参数降低第二研磨器的转动速率，大幅度的降低第一研磨机构的研磨效率，若中控单元获取调节后的第一研磨机构的研磨效率在第一预设第一研磨机构的研磨效率标准值和第二预设第一研磨机构的研磨效率标准值之间，中控单元通过提高所述第一电机动力参数以提高当前第一研磨机构研磨效率，若中控单元获取调节后的第一研磨机构的研磨效率大于等于第二预设第一研磨机构的研磨效率标准值，中控单元通过缩小第一研磨器与所述第二研磨器间的距离同时提高第一电机动力参数，以提高第一研磨机构的研磨效率，用以使当前第一研磨机构研磨效率符合调节后的参数。

尤其，本发明设置有第一研磨器与所述第二研磨器间的距离标准值S0，通过中控单元获取调节后第一研磨器与所述第二研磨器间的距离与预设标准值相比较，对用于控制第一研磨器与所述第二研磨器间的距离的第二电机动力参数进行调节，其中，若调节后第一研磨器与所述第二研磨器间的距离小于等于预设标准值，中控单元判定提高第二电机动力参数，反之，中控单元判定降低第二电机动力参数。

尤其，本发明通过设置负氧离子释放量变化标准值，中控单元判定当前产出负离子粉的负氧离子释放量不符合预设标准，中控单元获取第二预设时间内该产出负离子粉负氧离子释放量与第一预设时间内获取的负离子粉负氧离子释放量的差值设为负氧离子释放量变化值，通过该负氧离子释放量变化值评价当前负离子粉的稳定性，若该负氧离子释放量变化值小于等于预设标准值，中控单元判定当前负离子粉稳定性符合预设标准，若该负氧离子释放量变化值大于预设标准值，说明当前负离子粉稳定性不符合预设标准，造成负离子粉稳定性不符合预设标准的原因在于负离子粉粒径不均匀，其性状不稳定，因此中控单元通过提高第一电机动力参数进一步的提高第二研磨器的转动速率，控制第一研磨室内独居石研磨更彻底，避免粒径不符合标准的独居石进入球磨装置，造成球磨装置研磨效果不佳，同时提高第二冷却机构进水水压，以提高第二冷却机构的冷却效率，避免球磨装置研磨过程中过热导致负离子粉性状发生改变。

尤其，本发明将预设负氧离子释放量变化值划分为明确的两个标准，中控单元根据获取的负氧离子释放量变化值，选取最佳的调节参数为球磨装置的研磨效率，负氧离子释放量变化值的多少由球磨装置的研磨效率决定，因此实时负氧离子释放量变化值决定下一负离子粉制备过程中球磨装置的研磨效率，其中，若获取的负氧离子释放量变化值小于等于第一预设负氧离子释放量变化值，中控单元选取最小的调节参数为所述球磨装置的研磨效率调节参数，若获取的负氧离子释放量变化值在第一预设负氧离子释放量变化值和第二预设负氧离子释放量变化值之间，中控单元选取中间值调节参数为所述球磨装置的研磨效率调节参数，若获取的负氧离子释放量变化值大于等于第二预设负氧离子释放量变化值，中控单元选取最大的调节参数为所述球磨装置的研磨效率调节参数。

尤其，本发明设置第二冷却机构进水水压标准值，中控单元根据调节后的第二冷却机构进水水压与预设第二冷却机构进水水压标准值相比较，对选取的球磨装置的研磨效率调节参数进行调节，因水压调节的越高，其对球磨装置的研磨效率将造成一定影响，具体表现为影响球磨装置的转动速率，因此，中控单元根据第二冷却机构进水水压对球磨装置的研磨效率进行调节，以补偿该影响，具体的，当调节后的第二冷却机构进水水压大于等于预设第二冷却机构进水水压标准值，中控单元提高球磨装置的研磨效率调节参数，反之，降低球磨装置的研磨效率调节参数，以使下一产出的负离子粉符合预设标准。

附图说明

图1为发明实施例基于负离子粉加工的研磨设备结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的和优点更加清楚明白，下面结合实施例对本发明作进一步描述；应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，并不用于限定本发明。

下面参照附图来描述本发明的优选实施方式。本领域技术人员应当理解的是，这些实施方式仅仅用于解释本发明的技术原理，并非在限制本发明的保护范围。

需要说明的是，在本发明的描述中，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方向或位置关系的术语是基于附图所示的方向或位置关系，这仅仅是为了便于描述，而不是指示或暗示所述装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，还需要说明的是，在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域技术人员而言，可根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

请参阅图1所示，其为本发明实施例基于负离子粉加工的研磨设备结构示意图，包括，预处理装置1，用于将独居石进行预处理，所述预处理装置包括第一研磨机构，所述第一研磨机构包括第一研磨器以及设置于所述第一研磨器下方的第二研磨器，所述第一研磨器与第一电机相连接，所述第一电机用于控制第一研磨器与所述第二研磨器间距离，第二研磨器与第二电机相连接，所述第二电机用于控制第二研磨器的转动速率；烘干装置2，其与所述预处理装置相连接，用于将研磨后的独居石烘干；球磨装置3，其与所述烘干装置相连接，用于将烘干后的独居石研磨至预设粒径，所述球磨装置包括第二研磨机构、设置于所述第二研磨机构外部的第三研磨机构、设置于所述第三研磨机构外部与第二研磨机构内部的第二冷却机构以及控制所述球磨装置转动的第三电机，所述第二研磨机构包括第二研磨筒以及设置于所述第二研磨筒内的若干第一研磨体，所述第二研磨筒上设置有过滤膜，所述过滤膜用于将粒径符合预设要求的独居石注入第三研磨机构，所述第三研磨机构包括第三研磨筒以及设置于所述第二研磨筒内的若干第二研磨体，其中，所述第一研磨体直径大于所述第二研磨体直径；中控单元，其与所述预处理装置以及所述球磨装置相连接，用于根据产出的负离子粉负氧离子释放量，调节所述第一研磨机构的研磨效率、所述球磨装置的研磨效率以及所述第二冷却机构的冷却循环效率，以使产出的负离子粉负氧离子释放量符合预设标准。

请继续参阅图1所示，预处理装置包括第一进料口103，其设置于第一研磨室上方，用于向所述第一研磨室注入独居石，所述第一研磨室上方远离第一进料口处设置有第二进料口106，其用于向第一研磨室注入盐酸，盐酸浓度为0.35mol/L～0.5mol/L，独居石与盐酸的重量比为1:2，所述第一研磨室内设置有第一研磨器105,以及设置于所述第一研磨器下方的第二研磨器109，所述第一研磨器与所述第二电机104相连接，所述第二电机与所述第一研磨器相连接，用于控制所述第一研磨器与第二研磨器间的距离，第一电机111与第二研磨器相连接，所述第一电机用于控制第二研磨器的转动速率，所述第一研磨室内壁、第一研磨器与第二研磨器上设置有若干球状研磨体108，所述球状研磨体用于对注入第一研磨室的独居石进行研磨，所述第一研磨室外部设置有第一冷却机构，其包括第一进水口101及第一出水口107，所述第一研磨室底部还设置有出料管110，其用于将研磨酸洗后的独居石注入烘干装置，所述预处理装置还包括支撑架102，其用于支撑所述第一电机。使用中，独居石经第一进料口注入第一研磨室，第二电机控制第一研磨器与第二研磨器间的距离，第一电机控制第二研磨器转动速率对独居石进行研磨，经过预设时间，待将独居石研磨至400目时，盐酸经第二进料口注入第一研磨室，在第二研磨器和第一研磨器的相互作用下，采用60℃的酸洗温度对研磨后的独居石进行酸洗，经过5小时，停止研磨，冷却水经第一进水口注入经第一出水口排出，对研磨后的独居石进行冷却，冷却6小时后，研磨后独居石经出料管注入烘干装置。

请继续参阅图1所示，烘干装置包括烘干室，所述烘干室顶部设置有第三进料口21，所述第三进料口用于将水注入烘干室，所述烘干室内设置有第一过滤网22以及设置于所述第一过滤网下方的第二过滤网23，其中，第一过滤网孔径为420-450目，第二过滤网孔径为400-420目，第一过滤网孔径大于第二过滤网孔径，所述第二过滤网上设置有推动机构，其用于将第二过滤网上的独居石推动至第二出料口307，将其注入球磨装置，所述推动装置包括控制推板运动的第四电机26及用于推动独居石的推板24，所述烘干室底部还设置有支撑机构，其用于为推动机构在第二过滤网上推动独居石时为推板提供支撑力，其包括支撑板25及控制支撑板上下运动的第五电机27。使用中，注入烘干室的独居石经第一过滤网和第二过滤网过滤掉粒径不符合标准的独居石，符合标准的独居石经水洗后，经烘干室的加热装置加热进行高温烘干，烘干后的独居石在推动机构的推动下注入球磨装置，其中水洗时间为1小时。

请继续参阅图1所示，球磨装置包括第二研磨机构、设置于第二研磨机构外部的第二研磨机构，所述第二研磨机构包括第二研磨筒312以及设置于所述第二研磨筒内的若干第一研磨体308，所述第二研磨筒靠近第二研磨筒处上设置有过滤膜305，所述过滤膜用于将粒径符合预设要求的独居石注入第三研磨机构，所述第三研磨机构包括第一研磨筒302以及设置于所述第一研磨筒内的若干第二研磨体310，其中，所述第一研磨体直径大于所述第二研磨体直径，其中，第一研磨体直径为5-8mm，第二研磨体直径为3-5mm，所述第一研磨筒上设置有第二出料口303，所述第二出料口用于产出负离子粉，所述球磨装置还包括第二冷却机构，所述第二冷却机构包括设置于所述第一研磨筒外部的第一冷却管301以及设置于所述第二研磨筒内部的第二冷却管306，所述第一冷却管上设置有第二进水口，所述第二进水口处设置有电磁阀311，所述电磁阀用于控制第二冷却机构进水水压，所述第一冷却管与第二冷却管通过第三进水口309相连接，所述第二冷却管设置有第二出水口304，用于排放冷却水，所述球磨装置还包括第三电机313，其用于控制球磨装置的转动速率，所述转动速率为1400rpm-1600rpm。使用中，经水洗烘干的独居石注入第二研磨机构，同时向第二研磨机构中注入远红外陶瓷粉和柠檬酸分散剂与独居石一同研磨形成第一混合物，其中，独居石、远红外陶瓷粉与柠檬酸分散剂重量比为94：5.5：0.5，经过30分钟后，粒径符合标准的第一混合物经过滤膜过滤后注入第三研磨筒，第三研磨筒内注入聚乙烯醇粘结剂，其中，第一混合物与聚乙烯醇粘结剂的重量比为98：2，研磨30分钟，经第二出料口产出，在整个研磨过程中，冷却水经第二进水口注入第一冷却管，经第三进水口循环入第二冷却管，最后经第二出水口排出，完成一次冷却。

其中，所述中控单元根据第一预设时间内获取的产出的负离子粉的负氧离子释放量与预设值相比较，判定当前产出的负离子粉是否符合预设标准，中控单元获取的负离子粉的负氧离子释放量大于预设值，中控单元判定当前负离子粉符合预设标准，中控单元获取的负离子粉的负氧离子释放量小于预设值，中控单元判定产出的负离子粉不符合预设标准，中控单元通过控制第三电机调节所述球磨装置的转动速率，控制第二电机调节所述第一研磨器与所述第二研磨器的距离和控制第一电机调节第二研磨器的转动速率；所述中控单元根据第二预设时间内与第一预设时间内获取的产出的负离子粉在负氧离子释放量变化值与预设变化值相比较，中控单元判定产出的负离子粉稳定性是否符合预设标准，中控单元获取的负离子粉释放量变化值小于预设值，中控单元判定当前负离子粉稳定性符合预设标准，中控单元获取的负离子粉释放量变化值大于预设值，中控单元判定当前负离子粉稳定性不符合预设标准，中控单元通过控制电磁阀调节第二冷却机构进水水压，控制第一电机调节第二研磨器的转速，以使产出的负离子符合预设标准。

所述中控单元预设单位时间负氧离子释放量QO，中控单元获取第一预设时间t1内产出的负离子粉的负氧离子释放量q1与预设单位时间负氧离子释放量Q0相比较，判定当前负离子是否符合预设标准，其中，

当q1≤Q0，所述中控单元判定当前负离子粉不符合预设标准，中控单元根据获取的负氧离子释放量对所述第一研磨机构的研磨效率、所述球磨装置的研磨效率进行调节；

当q1＞Q0，所述中控单元判定当前负离子粉符合预设标准。

其中，所述中控单元判定当前负离子粉符合预设标准，中控单元根据获取的第一预设时间t1内产出的负离子粉的负氧离子释放量q与预设单位时间负氧离子释放量参考值Q相比较，对所述第一研磨机构的研磨效率、所述球磨装置的研磨效率进行调节，其中，

当q1≤Q1，所述中控单元判定将所述第一研磨机构的研磨效率P1提高至P11,设定P11＝P1×(1+(Q1-q1)²/Q1),将所述球磨装置的研磨效率P1提高至P21，设定P21＝P2×(1+TJ’)；

当Q1＜q1＜Q2，所述中控单元判定将所述第一研磨机构的研磨效率P1提高至P12,设定P12＝P1×(1+(Q2-q1)×(q1-Q1)/(Q1×Q2))；

当q1≥Q2，所述中控单元判定提高所述球磨装置的研磨效率P2至P22,设定P22＝P2×(1+1.5×TJ’)；

其中，所述中控单元预设单位时间负氧离子释放量参考值Q，设定第一预设单位时间负氧离子释放量参考值Q1,第二预设单位时间负氧离子释放量参考值Q2，TJ’为球磨装置的研磨效率调节参数。

具体而言，本发明设置单位时间负氧离子释放量，中控单元通过获取的产出负离子粉的负氧离子释放量与预设单位时间负氧离子释放量相比较，判定当前产出的负离子粉是否符合预设标准，其中，若获取的产出负离子粉的负氧离子释放量大于等于预设值，中控单元判定当前负离子粉符合预设标准，其质量合格，可以产出，若获取的产出负离子粉的负氧离子释放量小于预设值，中控单元判定当前负离子粉质量不合格，中控单元根据获取的产出负离子粉的负氧离子释放量与预设单位时间负氧离子释放量参考值相比较，中控单元对第一研磨机构的研磨效率、所述球磨装置的研磨效率进行调节，其中，中控单元获取的产出负离子粉的负氧离子释放量小于等于第一预设值，说明当前产出的负离子粉质量极差在，造成负离子粉质量极差的原因一方面在于预设时间内产出的负离子重量少，另一方面在于负离子粒径不符合预设标准，造成其负氧离子释放量低，中控单元同时提高第一研磨机构研磨效率和球磨装置的研磨效率，以提高下一产出负离子负氧离子释放量，中控单元获取的产出负离子粉的负氧离子释放量在第一预设值和第二预设值之间，中控单元通过提高第一研磨机构的研磨效率以使注入球磨装置的独居石数量增多，进一步的提高下一产出负离子负氧离子释放量，中控单元获取的产出负离子粉的负氧离子释放量大于等于第二预设值，中控单元仅通过提高球磨装置的研磨效率，进一步地提高球磨装置中独居石与其他原材料的混匀程度，同时，单位时间内产出更多合格的负离子粉，以使下一负离子粉质量符合预设标准。

所述中控单元预设所述球磨装置的研磨效率标准值P20，中控单元根据调节后的球磨装置的研磨效率P2i与预设球磨装置的研磨效率标准值相比较，对所述第三电机动力参数进行调节，其中，

当P2i≥P20，所述中控单元将所述第三电机动力参数F3提高至F31,设定F31＝F3×(1+(P2i-P20)/P20)；

当P2i＜P20，所述中控单元将所述第三电机动力参数F3降低至F32,设定F32＝F3×(1-(P20-P2i)/P20)；

其中，i＝1，2。

具体而言，本发明设置有球磨装置的研磨效率标准值，中控单元通过将调节后的球磨装置研磨效率与预设标准值相比较，对控制球磨装置研磨效率的第三电机动力参数进行调节，其中，若调节后的球磨装置研磨效率大于等于预设标准值，中控单元以调节后的球磨装置研磨效率与预设标准值的差值为基准提高第三电机动力参数，以提高球磨装置的转速，进一步的提高球磨装置研磨效率，反之，若调节后的球磨装置研磨效率小于预设标准值，中控单元以调节后的球磨装置研磨效率与预设标准值的差值为基准降低第三电机动力参数，以降低球磨装置的转速，进一步的降低球磨装置研磨效率，以使球磨装置研磨效率符合调节后的参数。

所述中控单元预设所述第一研磨机构的研磨效率标准值W，中控单元根据调节后的第一研磨机构的研磨效率P1j与预设第一研磨机构的研磨效率标准值相比较，对所述第一电机动力参数以及所述第一研磨器与所述第二研磨器间的距离进行调节，其中，

当P1j≤W1，所述中控单元将所述第一研磨器与所述第二研磨器间的距离S扩大至S1,设定S1＝S×(1+(W1-P1j)/W1),将所述第一电机动力参数F1降低至F11，设定F11＝F1×(1-(W1-P1j)/W1)；

当W1＜P1j＜W2，所述中控单元将所述第一电机动力参数F1提高至F12，设定F12＝F1×(1+(W2-P1j)×(P1j-W1)/(W1×W2))；

当P1j＞W2，所述中控单元将所述中控单元将所述第一研磨器与所述第二研磨器间的距离S缩小至S2,设定S2＝S×F1×(1+(P1j-W2)²/W2)，将所述第一电机动力参数F1提高至F13，设定F13＝F1×F1×(1+(P1j-W2)²/W2)/(W1×W2))；

其中，所述中控单元预设第一研磨机构的研磨效率标准值W，设定第一预设第一研磨机构的研磨效率标准值W1，第二预设第一研磨机构的研磨效率标准值W2。

具体而言，本发明将第一研磨机构的研磨效率标准值设置为两个标准，中控单元根据获取调节后的第一研磨机构的研磨效率与预设第一研磨机构的研磨效率标准值相比较，对所述第一电机动力参数以及所述第一研磨器与所述第二研磨器间的距离进行调节，其中，若中控单元获取调节后的第一研磨机构的研磨效率小于等于第一预设第一研磨机构的研磨效率标准值，中控单元通过扩大第一研磨器与所述第二研磨器间的距离减小第一研磨器与第二研磨器对独居石的压力，同时降低第一电机动力参数降低第二研磨器的转动速率，大幅度的降低第一研磨机构的研磨效率，若中控单元获取调节后的第一研磨机构的研磨效率在第一预设第一研磨机构的研磨效率标准值和第二预设第一研磨机构的研磨效率标准值之间，中控单元通过提高所述第一电机动力参数以提高当前第一研磨机构研磨效率，若中控单元获取调节后的第一研磨机构的研磨效率大于等于第二预设第一研磨机构的研磨效率标准值，中控单元通过缩小第一研磨器与所述第二研磨器间的距离同时提高第一电机动力参数，以提高第一研磨机构的研磨效率，用以使当前第一研磨机构研磨效率符合调节后的参数。

所述中控单元预设所述第一研磨器与所述第二研磨器间的距离标准值S0，中控单元根据获取的调节后的第一研磨器与第二研磨器间的距离Sp与预设第一研磨器与第二研磨器间的距离标准值相比较，对所述第二电机动力参数进行调节，其中，

当Sp≤S0，所述中控单元将所述第二电机动力参数F2提高至F21,设定F21＝F2×(1+(S0-Sp)/S0)；

当Sp＞S0，所述中控单元将所述第二电机动力参数F2降低至F22,设定F22＝F2×(1-(Sp-S0)/S0)；

其中，p＝1,2。

具体而言，本发明设置有第一研磨器与所述第二研磨器间的距离标准值S0，通过中控单元获取调节后第一研磨器与所述第二研磨器间的距离与预设标准值相比较，对用于控制第一研磨器与所述第二研磨器间的距离的第二电机动力参数进行调节，其中，若调节后第一研磨器与所述第二研磨器间的距离小于等于预设标准值，中控单元判定提高第二电机动力参数，反之，中控单元判定降低第二电机动力参数。

其中，所述中控单元判定当前负离子粉不符合预设标准，中控单元获取第二预设时间t2内与第一预设时间t1内获取的产出的负离子粉在负氧离子释放量的差值设为负氧离子释放量变化值△q，设定△q＝q2-q1，中控单元根据获取的负氧离子释放量变化值与预设负氧离子释放量变化标准值H0相比较，中控单元判定当前负离子粉稳定性是否符合预设标准，其中，

当△q≤H0，所述中控单元判定当前负离子粉稳定性符合预设标准；

当△q＞H0，所述中控单元判定当前负离子粉稳定性不符合预设标准，中控单元提高所述第一电机动力参数F1k至F1k1，设定F1k1＝F1k×(1+(△q-H0)/H0)，同时中控单元将所述第二冷却机构进水水压D提高至D1,设定D1＝D×(1+(△q-H0)/H0)；

其中，k＝1,2,3。

具体而言，本发明通过设置负氧离子释放量变化标准值，中控单元判定当前产出负离子粉的负氧离子释放量不符合预设标准，中控单元获取第二预设时间内该产出负离子粉负氧离子释放量与第一预设时间内获取的负离子粉负氧离子释放量的差值设为负氧离子释放量变化值，通过该负氧离子释放量变化值评价当前负离子粉的稳定性，若该负氧离子释放量变化值小于等于预设标准值，中控单元判定当前负离子粉稳定性符合预设标准，若该负氧离子释放量变化值大于预设标准值，说明当前负离子粉稳定性不符合预设标准，造成负离子粉稳定性不符合预设标准的原因在于负离子粉粒径不均匀，其性状不稳定，因此中控单元通过提高第一电机动力参数进一步的提高第二研磨器的转动速率，控制第一研磨室内独居石研磨更彻底，避免粒径不符合标准的独居石进入球磨装置，造成球磨装置研磨效果不佳，同时提高第二冷却机构进水水压，以提高第二冷却机构的冷却效率，避免球磨装置研磨过程中过热导致负离子粉性状发生改变。

其中，所述中控单元判定当前负离子粉稳定性不符合预设标准，中控单元预设负氧离子释放量变化值H，中控单元根据获取的负氧离子释放量变化值与预设负氧离子释放量变化值H相比较，中控单元获取所述球磨装置的研磨效率调节参数,其中，

当△q≤H1，所述中控单元选取第一预设调节参数TJ1为所述球磨装置的研磨效率调节参数；

当H1＜△q＜H2，所述中控单元选取第二预设调节参数TJ2为所述球磨装置的研磨效率调节参数；

当△q≥H2，所述中控单元选取第三预设调节参数TJ3为所述球磨装置的研磨效率调节参数；

其中，所述中控单元预设负氧离子释放量变化值H，设定第一预设负氧离子释放量变化值H1，第二预设负氧离子释放量变化值H2，中控单元预设调节参数TJ，设定第一预设调节参数TJ1、第二预设调节参数TJ2、第三预设调节参数TJ3。

具体而言，本发明将预设负氧离子释放量变化值划分为明确的两个标准，中控单元根据获取的负氧离子释放量变化值，选取最佳的调节参数为球磨装置的研磨效率，负氧离子释放量变化值的多少由球磨装置的研磨效率决定，因此实时负氧离子释放量变化值决定下一负离子粉制备过程中球磨装置的研磨效率，其中，若获取的负氧离子释放量变化值小于等于第一预设负氧离子释放量变化值，中控单元选取最小的调节参数为所述球磨装置的研磨效率调节参数，若获取的负氧离子释放量变化值在第一预设负氧离子释放量变化值和第二预设负氧离子释放量变化值之间，中控单元选取中间值调节参数为所述球磨装置的研磨效率调节参数，若获取的负氧离子释放量变化值大于等于第二预设负氧离子释放量变化值，中控单元选取最大的调节参数为所述球磨装置的研磨效率调节参数。

具体而言，本发明对预设调节参数不做限定，只要其能够根据负氧离子释放量变化值对球磨装置研磨效率进行调节即可，本发明实施例提供一种优选的实施方案，其中第一预设调节参数为1.2，第二预设调节参数为1.5，第三预设调节参数为1.6。

其中，所述中控单元预设所述第二冷却机构进水水压标准值D0，中控单元根据调节后的第二冷却机构进水水压D1与预设第二冷却机构进水水压标准值D0相比较，对获取的所述球磨装置的研磨效率调节参数TJn进行调节，其中，

当D1≥D0，所述中控单元将所述球磨装置的研磨效率调节参数TJn提高到TJn1，设定TJn1＝TJn×(1+(D1-D0)/D0)；

当D1＜D0，所述中控单元将所述球磨装置的研磨效率调节参数TJn降低到TJn2，设定TJn2＝TJn×(1-(D0-D1)/D0)；

其中，n＝1,2,3。

具体而言，本发明设置第二冷却机构进水水压标准值，中控单元根据调节后的第二冷却机构进水水压与预设第二冷却机构进水水压标准值相比较，对选取的球磨装置的研磨效率调节参数进行调节，因水压调节的越高，其对球磨装置的研磨效率将造成一定影响，具体表现为影响球磨装置的转动速率，因此，中控单元根据第二冷却机构进水水压对球磨装置的研磨效率进行调节，以补偿该影响，具体的，当调节后的第二冷却机构进水水压大于等于预设第二冷却机构进水水压标准值，中控单元提高球磨装置的研磨效率调节参数，反之，降低球磨装置的研磨效率调节参数，以使下一产出的负离子粉符合预设标准。

至此，已经结合附图所示的优选实施方式描述了本发明的技术方案，但是，本领域技术人员容易理解的是，本发明的保护范围显然不局限于这些具体实施方式。在不偏离本发明的原理的前提下，本领域技术人员可以对相关技术特征做出等同的更改或替换，这些更改或替换之后的技术方案都将落入本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种基于负离子粉加工的研磨设备，其特征在于，包括：

预处理装置，用于将独居石进行预处理，所述预处理装置包括第一研磨机构，所述第一研磨机构包括第一研磨器以及设置于所述第一研磨器下方的第二研磨器，所述第一研磨器与第一电机相连接，所述第一电机用于控制第一研磨器与所述第二研磨器间距离，第二研磨器与第二电机相连接，所述第二电机用于控制第二研磨器的转动速率；

烘干装置，其与所述预处理装置相连接，用于将研磨后的独居石烘干；

球磨装置，其与所述烘干装置相连接，用于将烘干后的独居石研磨至预设粒径，所述球磨装置包括第二研磨机构、设置于所述第二研磨机构外部的第三研磨机构、设置于所述第三研磨机构外部与第二研磨机构内部的第二冷却机构以及控制所述球磨装置转动的第三电机，所述第二研磨机构包括第二研磨筒以及设置于所述第二研磨筒内的若干第一研磨体，所述第二研磨筒上设置有过滤膜，所述过滤膜用于将粒径符合预设要求的独居石注入第三研磨机构，所述第三研磨机构包括第三研磨筒以及设置于所述第二研磨筒内的若干第二研磨体，其中，所述第一研磨体直径大于所述第二研磨体直径；

中控单元，其与所述预处理装置以及所述球磨装置相连接，用于根据产出的负离子粉负氧离子释放量，调节所述第一研磨机构的研磨效率、所述球磨装置的研磨效率以及所述第二冷却机构的冷却循环效率，以使产出的负离子粉负氧离子释放量符合预设标准。

2.根据权利要求1所述的基于负离子粉加工的研磨设备，其特征在于，所述中控单元根据第一预设时间内获取的产出的负离子粉的负氧离子释放量与预设值相比较，判定当前产出的负离子粉是否符合预设标准，中控单元获取的负离子粉的负氧离子释放量大于预设值，中控单元判定当前负离子粉符合预设标准，中控单元获取的负离子粉的负氧离子释放量小于预设值，中控单元判定产出的负离子粉不符合预设标准，中控单元通过控制第三电机调节所述球磨装置的转动速率，控制第二电机调节所述第一研磨器与所述第二研磨器的距离和控制第一电机调节第二研磨器的转动速率；所述中控单元根据第二预设时间内与第一预设时间内获取的产出的负离子粉在负氧离子释放量变化值与预设变化值相比较，中控单元判定产出的负离子粉稳定性是否符合预设标准，中控单元获取的负离子粉释放量变化值小于预设值，中控单元判定当前负离子粉稳定性符合预设标准，中控单元获取的负离子粉释放量变化值大于预设值，中控单元判定当前负离子粉稳定性不符合预设标准，中控单元通过控制电磁阀调节第二冷却机构进水水压，控制第一电机调节第二研磨器的转速，以使产出的负离子符合预设标准。

3.根据权利要求2所述的基于负离子粉加工的研磨设备，其特征在于，所述中控单元预设单位时间负氧离子释放量QO，中控单元获取第一预设时间t1内产出的负离子粉的负氧离子释放量q1与预设单位时间负氧离子释放量Q0相比较，判定当前负离子是否符合预设标准，其中，

当q1≤Q0，所述中控单元判定当前负离子粉不符合预设标准，中控单元根据获取的负氧离子释放量对所述第一研磨机构的研磨效率、所述球磨装置的研磨效率进行调节；

当q1＞Q0，所述中控单元判定当前负离子粉符合预设标准。

4.根据权利要求3所述的基于负离子粉加工的研磨设备，其特征在于，所述中控单元判定当前负离子粉符合预设标准，中控单元根据获取的第一预设时间t1内产出的负离子粉的负氧离子释放量q与预设单位时间负氧离子释放量参考值Q相比较，对所述第一研磨机构的研磨效率、所述球磨装置的研磨效率进行调节，其中，

当q1≤Q1，所述中控单元判定将所述第一研磨机构的研磨效率P1提高至P11,设定P11＝P1×(1+(Q1-q1)²/Q1),将所述球磨装置的研磨效率P1提高至P21，设定P21＝P2×(1+TJ’)；

当Q1＜q1＜Q2，所述中控单元判定将所述第一研磨机构的研磨效率P1提高至P12,设定P12＝P1×(1+(Q2-q1)×(q1-Q1)/(Q1×Q2))；

当q1≥Q2，所述中控单元判定提高所述球磨装置的研磨效率P2至P22,设定P22＝P2×(1+1.5×TJ’)；

其中，所述中控单元预设单位时间负氧离子释放量参考值Q，设定第一预设单位时间负氧离子释放量参考值Q1,第二预设单位时间负氧离子释放量参考值Q2，TJ’为球磨装置的研磨效率调节参数。

5.根据权利要求4所述的基于负离子粉加工的研磨设备，其特征在于，所述中控单元预设所述球磨装置的研磨效率标准值P20，中控单元根据调节后的球磨装置的研磨效率P2i与预设球磨装置的研磨效率标准值相比较，对所述第三电机动力参数进行调节，其中，

当P2i≥P20，所述中控单元将所述第三电机动力参数F3提高至F31,设定F31＝F3×(1+(P2i-P20)/P20)；

当P2i＜P20，所述中控单元将所述第三电机动力参数F3降低至F32,设定F32＝F3×(1-(P20-P2i)/P20)；

其中，i＝1，2。

6.根据权利要求4所述的基于负离子粉加工的研磨设备，其特征在于，所述中控单元预设所述第一研磨机构的研磨效率标准值W，中控单元根据调节后的第一研磨机构的研磨效率P1j与预设第一研磨机构的研磨效率标准值相比较，对所述第一电机动力参数以及所述第一研磨器与所述第二研磨器间的距离进行调节，其中，

当P1j≤W1，所述中控单元将所述第一研磨器与所述第二研磨器间的距离S扩大至S1,设定S1＝S×(1+(W1-P1j)/W1),将所述第一电机动力参数F1降低至F11，设定F11＝F1×(1-(W1-P1j)/W1)；

当W1＜P1j＜W2，所述中控单元将所述第一电机动力参数F1提高至F12，设定F12＝F1×(1+(W2-P1j)×(P1j-W1)/(W1×W2))；

当P1j＞W2，所述中控单元将所述中控单元将所述第一研磨器与所述第二研磨器间的距离S缩小至S2,设定S2＝S×F1×(1+(P1j-W2)²/W2)，将所述第一电机动力参数F1提高至F13，设定F13＝F1×F1×(1+(P1j-W2)²/W2)/(W1×W2))；

其中，所述中控单元预设第一研磨机构的研磨效率标准值W，设定第一预设第一研磨机构的研磨效率标准值W1，第二预设第一研磨机构的研磨效率标准值W2。

7.根据权利要求6所述的基于负离子粉加工的研磨设备，其特征在于，所述中控单元预设所述第一研磨器与所述第二研磨器间的距离标准值S0，中控单元根据获取的调节后的第一研磨器与第二研磨器间的距离Sp与预设第一研磨器与第二研磨器间的距离标准值相比较，对所述第二电机动力参数进行调节，其中，

当Sp≤S0，所述中控单元将所述第二电机动力参数F2提高至F21,设定F21＝F2×(1+(S0-Sp)/S0)；

当Sp＞S0，所述中控单元将所述第二电机动力参数F2降低至F22,设定F22＝F2×(1-(Sp-S0)/S0)；

其中，p＝1,2。

8.根据权利要求6所述的基于负离子粉加工的研磨设备，其特征在于，所述中控单元判定当前负离子粉不符合预设标准，中控单元获取第二预设时间t2内与第一预设时间t1内获取的产出的负离子粉在负氧离子释放量的差值设为负氧离子释放量变化值△q，设定△q＝q2-q1，中控单元根据获取的负氧离子释放量变化值与预设负氧离子释放量变化标准值H0相比较，中控单元判定当前负离子粉稳定性是否符合预设标准，其中，

当△q≤H0，所述中控单元判定当前负离子粉稳定性符合预设标准；

当△q＞H0，所述中控单元判定当前负离子粉稳定性不符合预设标准，中控单元提高所述第一电机动力参数F1k至F1k1，设定F1k1＝F1k×(1+(△q-H0)/H0)，同时中控单元将所述第二冷却机构进水水压D提高至D1,设定D1＝D×(1+(△q-H0)/H0)；

其中，k＝1,2,3。

9.根据权利要求8所述的基于负离子粉加工的研磨设备，其特征在于，所述中控单元判定当前负离子粉稳定性不符合预设标准，中控单元预设负氧离子释放量变化值H，中控单元根据获取的负氧离子释放量变化值与预设负氧离子释放量变化值H相比较，中控单元获取所述球磨装置的研磨效率调节参数,其中，

当△q≤H1，所述中控单元选取第一预设调节参数TJ1为所述球磨装置的研磨效率调节参数；

当H1＜△q＜H2，所述中控单元选取第二预设调节参数TJ2为所述球磨装置的研磨效率调节参数；

当△q≥H2，所述中控单元选取第三预设调节参数TJ3为所述球磨装置的研磨效率调节参数；

其中，所述中控单元预设负氧离子释放量变化值H，设定第一预设负氧离子释放量变化值H1，第二预设负氧离子释放量变化值H2，中控单元预设调节参数TJ，设定第一预设调节参数TJ1、第二预设调节参数TJ2、第三预设调节参数TJ3。

10.根据权利要求9所述的基于负离子粉加工的研磨设备，其特征在于，所述中控单元预设所述第二冷却机构进水水压标准值D0，中控单元根据调节后的第二冷却机构进水水压D1与预设第二冷却机构进水水压标准值D0相比较，对获取的所述球磨装置的研磨效率调节参数TJn进行调节，其中，

当D1≥D0，所述中控单元将所述球磨装置的研磨效率调节参数TJn提高到TJn1，设定TJn1＝TJn×(1+(D1-D0)/D0)；

当D1＜D0，所述中控单元将所述球磨装置的研磨效率调节参数TJn降低到TJn2，设定TJn2＝TJn×(1-(D0-D1)/D0)；

其中，n＝1,2,3。

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