CN114128037B

CN114128037B - 耦合部件、微波器件及电子设备

Info

Publication number: CN114128037B
Application number: CN202080000188.3A
Authority: CN
Inventors: 方家
Original assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Current assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Priority date: 2020-02-27
Filing date: 2020-02-27
Publication date: 2023-06-20
Anticipated expiration: 2040-02-27
Also published as: WO2021168735A1; US20220320701A1; US11817613B2; CN114128037A

Abstract

本公开实施例涉及微波技术领域，特别涉及一种耦合部件、微波器件及电子设备，其中，所述耦合部件包括依次层叠设置的第一地电极、第一介质层、第一传输线、第二介质层、第二地电极、第一基板、第二传输线、第二基板及第三地电极；所述第一地电极、所述第二地电极、所述第三地电极均具有开槽，且三者的开槽在所述第一介质层上的正投影存在交叠；所述第一传输线的耦合端在所述第一介质层上的正投影与所述第二地电极的开槽在所述第一介质层上的正投影存在交叠；所述第二传输线的耦合端在所述第一介质层上的正投影与所述第二地电极的开槽在所述第一介质层上的正投影存在交叠。本方案可实现低损耗耦合。

Description

耦合部件、微波器件及电子设备

技术领域

本公开实施例涉及微波技术领域，特别涉及一种耦合部件、微波器件及电子设备。

背景技术

微波技术的发展要求器件越来越集成化、小型化，而多层电路板的出现使得小型化成为可能。因此，不同介质板上的微波电路的传输显得尤为重要，通常采用垂直金属过孔的方式来实现。但随着新型介质板例如玻璃等的出现，其易损的特性决定了打孔方式并不是降低成本的首选，因此通过电磁耦合的方式来实现不同传输线间的能量传输变得很重要。但是带状线与带状线之间的耦合非常困难，造成传输损耗很大。

发明内容

本公开实施例提供一种耦合部件、微波器件及电子设备，可实现低损耗耦合。

在本公开的一种实施例中，提供了一种耦合部件，其中，所述耦合部件包括依次层叠设置的第一地电极、第一介质层、第一传输线、第二介质层、第二地电极、第一基板、第二传输线、第二基板及第三地电极；

所述第一地电极、所述第二地电极、所述第三地电极均具有开槽，且三者的开槽在所述第一介质层上的正投影存在交叠；

所述第一传输线的耦合端在所述第一介质层上的正投影与所述第二地电极的开槽在所述第一介质层上的正投影存在交叠；

所述第二传输线的耦合端在所述第一介质层上的正投影与所述第二地电极的开槽在所述第一介质层上的正投影存在交叠。

在本公开的一种实施例中，所述第二地电极的开槽内设置有过渡传输结构，所述过渡传输结构与所述第二地电极之间设置有间隙。

在本公开的一种实施例中，

所述第一传输线的耦合端在所述第一介质层上的正投影与所述过渡传输结构在所述第一介质层上的正投影存在交叠；

所述第二传输线的耦合端在所述第一介质层上的正投影与所述过渡传输结构在所述第一介质层上的正投影存在交叠。

在本公开的一种实施例中，所述第一传输线和所述第二传输线均沿第一方向延伸。

在本公开的一种实施例中，所述过渡传输结构在所述第一方向上相对的两侧与所述第二地电极之间形成的间隙不大于0.1mm。

在本公开的一种实施例中，所述第一传输线的耦合端在所述第一介质层上的正投影与所述第二地电极的开槽在所述第一介质层上的正投影在第一方向上完全重合；

所述第二传输线的耦合端在所述第一介质层上的正投影与所述第二地电极的开槽在所述第一介质层上的正投影在第一方向上完全重合。

在本公开的一种实施例中，所述第一地电极的开槽、所述第二地电极的开槽、所述第三地电极的开槽在所述第一介质层上的正投影完全重叠。

在本公开的一种实施例中，所述第一地电极的开槽、所述第二地电极的开槽、所述第三地电极的开槽、所述过渡传输结构的形状相同。

在本公开的一种实施例中，所述耦合部件还包括液晶层，所述液晶层的至少部分位于所述第二传输线与所述第二基板之间。

在本公开的一种实施例中，所述第一介质层和所述第二介质层为印制电路基板；所述第一基板、所述第二基板为玻璃基板。

在本公开的一种实施例中，所述第一介质层、所述第二介质层、所述第一基板、所述第二基板的厚度为0.1mm至10mm。

在本公开的一种实施例中，所述第一地电极、所述第二地电极、所述第三地电极的厚度为0.1μm至100μm。

在本公开的一种实施例中，提供了一种微波器件，其中，所述微波器件包括上述任一项所述的耦合部件。

在本公开的一种实施例中，所述微波器件为移相器、天线或滤波器。

在本公开的一种实施例中，提供了一种电子设备，其中，所述电子设备包括上述所述的微波器件。

在本公开的一种实施例中，所述电子设备为发射机、接收机、天线系统或显示器。

附图说明

附图用来提供对本公开实施例的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开实施例一起用于解释本公开，并不构成对本公开的限制。通过参考附图对详细示例实施例进行描述，以上和其它特征和优点对本领域技术人员将变得更加显而易见，在附图中：

图1为本公开的一实施例中所述的耦合部件的剖视图；

图2为本公开的一实施例中所述的耦合部件的第一带状线的能量传输示意图；

图3为本公开的另一实施例中所述的耦合部件的剖视图；

图4为不同耦合部件的传输损耗示意图；

图5为本公开的一实施例中所述的耦合部件中第一地电极或第三地电极的平面示意图；

图6为本公开的一实施例中所述的耦合部件中第二地电极与过渡传输线的组合示意图；

图7为本公开的一实施例中所述的耦合部件中过渡传输线与第二地电极的第一缝隙、第二缝隙为0时的传输损耗示意图；

图8为本公开的实施例中不同所述的耦合部件中过渡传输线与第二地电极第一缝隙、第二缝隙在不同数值下的传输损耗示意图。

附图说明：

10、耦合部件；101、第一地电极；102、第一介质层；103、第一传输线；103a、耦合端；104、第二介质层；105、第二地电极；106、第一基板；107、第二传输线；107a、耦合端；108、第二基板；109、第三地电极；110、过渡传输结构；111、液晶层。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。

虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。

用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。

随着射频及微波技术的发展，小型化成为一个重要的发展趋势，这就要求尽可能的提高微波电路的集成度。因此微波多层板技术是解决该问题的关键，以实现微波电路的小型化、低成本、高性能。但由此带来的问题是微波线路的走线更加的复杂，需要微波信号在不同传输线之间进行传输。其中，可利用金属能够对信号屏蔽的作用，实现不同层传输线的信号隔离。

此外，信号在不同层的传输线之间传播的时候，需要引入合适的过渡结构，该结构需要良好的匹配，这样才能避免信号的反射、激发高次模等影响，从而使得信号以最小的损耗传输到另一层传输线。因此，研究传输线之间的过渡结构显得尤为关键。

通常情况下，传输线之间的过渡结构有两种：一种是垂直金属过孔的方式，该结构通过对介质基板打孔，并对过孔进行金属化，实现信号的互连。该结构相当于使不同层的传输线实现物理连接，通过尺寸优化，可以获得较小的传输损耗，但对工艺要求较高。另一种是电磁耦合，不同层传输线之间通过微波空间耦合的方式实现能量的传输。电磁耦合对于工艺的要求较低，但不同层传输线之间的耦合通常会引起较大的传输损耗。

对于玻璃基板的微波器件：例如移相器、天线、滤波器等，由于玻璃打孔技术不成熟，且玻璃易碎的特点，金属过孔的方式并不适用于不同层传输线之间的能量传输。

为解决上述问题，如图1所示，本公开实施例提供了一种耦合部件10，此耦合部件10基于电磁耦合；其中，此耦合部件10至少包括依次层叠设置的第一地电极101、第一介质层102、第一传输线103、第二介质层104、第二地电极105、第一基板106、第二传输线107、第二基板108及第三地电极109。需要说明的是，第一地电极101、第一介质层102、第一传输线103、第二介质层104、第二地电极105、第一基板106、第二传输线107、第二基板108及第三地电极109在耦合部件10的厚度方向Z上依次层叠设置。

举例而言，第一地电极101、第二地电极105、第三地电极109的厚度可为0.1μm至100μm，但不限于此；一般情况下，第一地电极101、第二地电极105、第三地电极109的厚度可为18μm或35μm；本实施例中，通过将各地电极的厚度设计为大于或等于0.1μm，一方面可降低加工难度，降低成本，另一方面可保证各地电极的屏蔽性能；通过将各地电极的厚度设计为小于或等于100μm，可避免地电极厚度太大而导致耦合部件10过厚的情况；即：可便于实现耦合部件10的轻薄化、小型化，从而可扩大耦合部件10的适用范围；但不限于此，各基板的厚度也可在其他数值范围内，视具体需求而定。

而第一介质层102、第二介质层104、第一基板106、第二基板108的厚度可为0.1mm至10mm，本实施例中，通过将各基板的厚度设计为大于或等于0.1mm，一方面可降低加工难度，降低成本，另一方面可保证各基板的支撑强度，通过将各基板的厚度设计为小于或等于10mm，还可避免各基板厚度太大而导致耦合部件10过厚的情况，即：可便于实现耦合部件10的轻薄化、小型化，从而可扩大耦合部件10的适用范围，但不限于此，各基板的厚度也可在其他数值范围内，视具体需求而定。

其中，图1中示出的第一地电极101、第一介质层102、第一传输线103、第二介质层104及第二地电极105可形成为一带状线(此带状线可定义为第一带状线)；且第二地电极105、第一基板106、第二传输线107、第二基板108及第三地电极109可形成为另一带状线(此带状线可定义为第二带状线)，也就是说，本实施例的耦合部件10可为带状线耦合部件，其至少包括两带状线，且两带状线共用一地电极(即：第二地电极105)。

应当理解的是，本实施例中耦合部件10中的三层地电极：第一地电极101、第二地电极105、第三地电极109，每一层都可以作为屏蔽结构；在信号传输方面，本实施例中的耦合部件10不止局限于图1中所示的两层带状线，第一地电极101下方、第三地电极109上方也可分别设置传输结构(图中未示出)；因此，第一地电极101可以将第一传输线103与第一地电极101下方的干扰信号进行屏蔽；第二地电极105可以将第一传输线103与第二传输线107进行屏蔽；第三地电极109可以将第二传输线107与第三地电极109上方的干扰信号进行屏蔽。

由于本实施例中要实现第一传输线103与第二传输线107之间的耦合，因此，需将第一地电极101、第二地电极105、第三地电极109均开设有开槽(此开槽在厚度方向上Z上贯穿地电极)，且三者的开槽在第一介质层102上的正投影存在交叠；而第一传输线103的耦合端103a在第一介质层102上的正投影与第二地电极105的开槽在第一介质层102上的正投影存在交叠；第二传输线107的耦合端107a在第一介质层102上的正投影与第二地电极105的开槽在第一介质层102上的正投影存在交叠；这样使得能量沿第一传输线103(第二传输线107)传输时形成断路，从而可实现能量向第二传输线107(第一传输线103)的辐射耦合。

应当理解的是，为了提高不同层传输线之间的耦合效率，本实施例中的第一传输线103的耦合端103a和第二传输线107的耦合端107a应断开，即：不与其同层的其他导电结构连接，以减少能量在同层之间传递，使得更多的能量经第一地电极101的开槽、第二地电极105的开槽或第三地电极109的开槽向不同层传输结构辐射耦合。

以第一带状线为例，在信号正常传输时，其电场分布如图2中实线箭头所示，能量沿着第一传输线103传输。但当第一传输线103呈开路(即：其耦合端103a断开)、第一地电极101呈开路(即：其具有与第一传输线103的耦合端103a相对应的开槽)、第二地电极105呈开路时(即：其具有与第一传输线103的耦合端103a相对应的开槽)，相当于能量传输不连续，无法向前继续传输。因此就会出现能量的辐射，如图2中虚线箭头所示，以与不同层传输结构耦合。

需要说明的是，本实施例中第一传输线103的耦合端103a为第一传输线103上与第二地电极105的开槽在第一介质层102上的正投影相交叠的部分；第二传输线107的耦合端107a为第二传输线107上与第二地电极105的开槽在第一介质层102上的正投影相交叠的部分，具体该耦合端为第一传输线103和第二传输线107中与图1中A区域所对应的部分，第一传输线103的耦合端103a在第一方向X上的尺寸为b1，第二传输线107的耦合端107a在第一方向X上的尺寸为b2。

此外，还需说明的是，为了实现第一传输线103与第一地电极101下方的传输结构耦合，第一传输线103的耦合端103a还可与第一地电极101的开槽在第一介质层102上的正投影相交叠；同理，为了实现第二传输线107与第三地电极109上方的传输结构耦合，第一传输线103的耦合端103a还可与第三地电极109的开槽在第一介质层102上的正投影相交叠。

其中，为了保证第一传输线103向厚度方向Z上的相对两侧辐射的能量基本相同，可使第一地电极101的开槽与第二地电极105的开槽在第一介质层102上的正投影完全重叠，即：第一地电极101与第二地电极105两者的开槽在大小和形状方面完全一致，且在厚度方向Z上的位置相同。

同理，为了保证第二传输线107向厚度方向Z上的相对两侧辐射的能量基本相同，可使第二地电极105的开槽与第三地电极109的开槽在第一介质层102上的正投影完全重叠，即：第二地电极105与第三地电极109两者的开槽在大小和形状方面完全一致，且在厚度方向Z上的位置相同。

综上可知，本实施例中的第一地电极101的开槽、第二地电极105的开槽、第三地电极109的开槽在第一介质层102上的正投影完全重叠；这样设计不仅可使第一传输线103、第二传输线107向两侧辐射的能量基本相同，还可降低加工成本，即：第一地电极101、第二地电极105、第三地电极109的开槽可采用同一掩膜板进行加工。需要说明的是，第一地电极101、第二地电极105、第三地电极109中与图1中所示A区域对应的位置为开槽；其中，第一地电极101、第二地电极105、第三地电极109的大小、形状可相同。

可选地，第一地电极101的开槽、第二地电极105的开槽、第三地电极109的开槽的形状均为圆形或矩形(如图5和图6所示)，以便于加工；但不限于此，也可为其他形状，视具体情况而定。需要说明的是，本公开的实施例不对第一地电极101、第二地电极105、第三地电极109的开槽尺寸进行具体限定，该第一地电极101、第二地电极105、第三地电极109的开槽尺寸可根据耦合部件10的工作频率、各基板的厚度及介电常数而定。

其中，由于在厚度方向Z上，第一传输线103与第二传输线107之间的距离较大，使得第一传输线103与第二传输线107在耦合时信号的耦合效率较低，能量的传输损耗较大，为解决此问题，本实施例采取的方案为：在第二地电极105的开槽内形成有过渡传输结构110，如图3所示，此过渡传输结构110与第二地电极105之间设置有间隙，即：过渡传输线110不与第二地电极105电连接，此过渡传输结构110与第二地电极105构成共面波导。且第一传输线103的耦合端103a在第一介质层102上的正投影与过渡传输结构110在第一介质层102上的正投影存在交叠；第二传输线107的耦合端107a在第一介质层102上的正投影与过渡传输结构110在第一介质层102上的正投影存在交叠。

本实施例中，通过在第一带状线和第二带状线两者的共地电极(即：第二地电极105)的开槽中引入过渡传输结构110，使得第一传输线103的能量先耦合至过渡传输结构110上，然后再耦合至第二传输线107上；或使得第二传输线107的能量先耦合至过渡传输结构110上，然后再耦合至第一传输线103上。该过渡传输结构110的引入，相比于未在第二地电极105的开槽中引入过渡传输结构110的结构(如图1所示)，大大提高了第一带状线和第二带状线耦合时信号的耦合效率，显著降低了能量的传输损耗，即：实现了两带状线之间的低损耗耦合。

具体如4所示，图4中横坐标为频率，单位为GHz；纵坐标为传输损耗，单位为dB。其中，图4中标号为a的线对应为未在第二地电极105的开槽中引入过渡传输结构110的耦合部件在不同频率下的传输损耗，图4中标号为b的线对应为本实施例中在第二地电极105的开槽中引入过渡传输结构110的结构在不同频率下的传输损耗，从图4中可以看出，本实施例通过在第二地电极105的开槽中引入过渡传输结构110相比于未在第二地电极105的开槽中引入过渡传输结构110的结构，其传输损耗显著降低。

在本公开的一实施例中，第一传输线103和第二传输线107均沿第一方向X上延伸，第一方向X与厚度方向Z相互垂直。通过使第一传输线103和第二传输线107均在第一方向X上延伸，便于信号沿着一个方向传递；此外，由于第一传输线103和第二传输线107均在第一方向上X延伸，也就是说，信号主要在第一方向X上传递，因此，为了进一步降低传输损耗，需要将过渡传输结构110与第二地电极105在第一方向X上之间的间隙尺寸设计的比较小。换言之，通过使第一传输线103和第二传输线107均在第一方向X上延伸，后续在设计过渡传输结构110与第二地电极105之间的间隙大小时，只需考虑一个方向上间隙的设计，降低设计难度。

应当理解的是，如图6所示，过渡传输结构110在第一方向X上相对的两侧可分别定义为第一侧、第二侧，过渡传输结构110在第二方向Y上相对的两侧可分别定义为第三侧、第四侧，且与第一侧对应的缝隙定义为第一缝隙h1，与第二侧与对应的缝隙定义为第二缝隙h2，与第三侧对应的缝隙定义为第三缝隙h3，与第四侧对应的缝隙定义为第四缝隙h4。需要说明的是，第二方向Y与第一方向X和厚度方向Z均相互垂直。

应当理解的是，该第一缝隙h1、第二缝隙h2、第三缝隙h3和第四缝隙h4均大于0，这样使得过渡传输结构110与第二地电极105在第二方向Y上的相对两侧可构成共面波导，此共面波导具体如图6中与B区域相对的部位。需要说明的是，在第一缝隙h1、第二缝隙h2为0时，过渡传输结构110与第二地电极105则不能构成共面波导，其传输损耗很大，具体如图7所示，其中，图7中横坐标为频率，单位为GHz；纵坐标为传输损耗，单位为dB。其中，图7中示出的线对应为在第一缝隙、第二缝隙为0时耦合部件在不同频率下的传输损耗。

其中，为了更好地降低传输损耗，在设计过渡传输结构110与第二地电极105时，虽然需要使过渡传输结构110与第二地电极105之间形成的第一缝隙h1、第二缝隙h2大于0，但不应过大，因为过渡传输结构110与第二地电极105之间形成的第一缝隙h1、第二缝隙h2越小，传输损耗越低。这就需要将过渡传输结构110与第二地电极105之间形成的第一缝隙h1、第二缝隙h2的大小控制在合适的范围内，以减小传输损耗、

具体地，本实施例可将过渡传输结构110与第二地电极105之间形成的第一缝隙h1、第二缝隙h2的大小控制在不大于0.1mm的范围内，换言之，过渡传输结构110在第一方向X上相对的两侧与第二地电极105之间形成的间隙均小于等于0.1mm的范围内。其中，过渡传输结构110与第二地电极105之间形成的第一缝隙h1、第二缝隙h2的大小可选为0.025mm、0.05mm、0.075mm、0.1mm等等数值，视具体工艺能力而定。

其中，图8中横坐标为频率，单位为GHz；纵坐标为传输损耗，单位为dB；图8中标号为c的线对应为第一缝隙h1、第二缝隙h2为0.025mm时，本实施例的耦合部件10在不同频率下的传输损耗；图8中标号为d的线对应为第一缝隙h1、第二缝隙h2为0.05mm时，本实施例的耦合部件10在不同频率下的传输损耗；图8中标号为e的线对应为第一缝隙h1、第二缝隙h2为0.075mm时，本实施例的耦合部件10在不同频率下的传输损耗，图8中标号为f的线对应为第一缝隙h1、第二缝隙h2为0.1mm时，本实施例的耦合部件10在不同频率下的传输损耗；从图8中可以看到第一缝隙、第二缝隙越小的话，传输损耗越小，因此，本实施例中在工艺能力能够满足的情况下，优选第一缝隙h1和第二缝隙h2不大于0.1mm。

需要说明的是，第三缝隙h3、第四缝隙h4的大小取决于共面波导设计的传输阻抗及上、下介质板(即：第二介质层、第三基板第一基板)的厚度和介电常数。

其中，过渡传输结构110在第一方向X上相对的两侧与第二地电极105之间形成的间隙相等；即：第一缝隙h1和第二缝隙h2的大小可相等；且过渡传输结构110在第二方向Y上相对的两侧与第二地电极105之间形成的间隙相等，即：第三缝隙h3和第四缝隙h4的大小可相等；但不限于此，第一缝隙h1和第二缝隙h2的大小也可不相等，第三缝隙h3和第四缝隙h4的大小也可不相等，取决于设计。本公开的实施方案中均以第一缝隙h1和第二缝隙h2的大小相等、第三缝隙h3和第四缝隙h4的大小相等进行举例说明。

本实施例中，过渡传输结构110的形状可为圆形或矩形，具体地，该过渡传输结构110的形状可与第二地电极105的开槽形状相匹配，也就是说，在第二地电极105的开槽形状为圆形时，过渡传输结构110的形状也可为圆形；在第二地电极105的开槽形状为矩形时，过渡传输结构110的形状也可为矩形，以便于调整过渡传输结构110与第二地电极105之间的缝隙大小，使其满足工艺要求。

可选地，本实施例中的第一传输线103的耦合端103a的宽度b1可与第二地电极105的开槽的宽度相同，第二传输线107的耦合端107a的宽度b2与第二地电极105的开槽的宽度相同。需要说明的是，此处提到的宽度为在第一方向X上的尺寸。

进一步地，第一传输线103的耦合端103a在第一介质层102上的正投影与第二地电极105的开槽在第一介质层102上的正投影在第一方向X上完全重合；即：第一传输线103的耦合端103a在第一介质层102上的正投影为第一正投影，第二地电极105的开槽在第一介质层102上的正投影为第二正投影，第一正投影在第一方向X上相对的两边界分别与第二正投影在第一方向X上相对的两边界相重合。而第二传输线107的耦合端107a在第一介质层102上的正投影与第二地电极105的开槽在第一介质层102上的正投影在第一方向X上完全重合；即：第二传输线107的耦合端107a在第一介质层102上的正投影为第三正投影，第二地电极105的开槽在第一介质层102上的正投影为第二正投影，第三正投影在第一方向X上相对的两边界分别与第二正投影在第一方向X上相对的两边界相重合；这样设计可保证第一传输线103、过渡传输结构110及第二传输线107之间的耦合面积足够大，从而可提高耦合效率及降低传输损耗。

进一步地，第一传输线103、第二传输线107中与其耦合端在第一方向X上相对的端部可定义为延伸端，第一传输线103的延伸端与第二传输线107的延伸端向远离彼此的方向延伸，以便于在制作过程中，能够更好地实现第一传输线103和第二传输线107之间的耦合。

在本公开的一实施例中，如图1和图3所示，耦合部件10还可包括液晶层111，此液晶层111的至少部分可位于第二传输线107与第二基板108之间。其中，微波信号在液晶层111中传输时，通过调节液晶层111两侧的电压，可使得液晶分子发生偏转，从而使液晶层111的介电常数随之发生，进而调节微波信号的相位。

举例而言，第一传输线103可与馈电源连接以获得能量，然后第一传输线103可通过其耦合端103a将能量传输至过渡传输结构110，再通过过渡传输结构110传输至第二传输线107的耦合端107a上，即：第二传输线107获得能量，该液晶层111可在第二传输线107与第三地电极109的作用下发生偏转，以调节微波信号的相位。需要说明的是，此第一传输线103也可通过与其传输结构耦合来获得能量。

其中，第一介质层102和第二介质层104可为印制电路基板，即：PCB基板，第一基板106和第二基板108可为玻璃基板，但不限于此，第一介质层102、第二介质层104、第一基板106和第二基板108也可均为玻璃基板，或第一介质层102、第二介质层104、第一基板106和第二基板108也可均为PCB基板等等；具体可根据耦合部件10的应用场景而定。且耦合部件10也可不包括液晶层111，该液晶层111的位置可替换为介质基板，具体视需求而定。

本实施例中，通过设置过渡传输结构110在实现不同层传输线耦合的同时，还提高了不同层传输线耦合时信号的耦合效率及显著降低了能量的传输损耗，因此，不需要对第一介质层102、第二介质层104、第一基板106、第二基板108进行打孔，可降低耦合部件10的成本，及提高产品良率。

本公开的一实施例中，还提供了一种微波器件，其中，该微波器件可包括前述任一实施例所描述的耦合部件10。

可选地，该微波器件可为移相器、天线或滤波器，但不限于此。

本公开的一实施例中，还提供了一种电子设备，其中，该电子设备包括前述提到的微波器件。

可选地，该电子设备可为发射机、接收机、天线系统或显示器，但不限于此。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的内容后，将容易想到本公开的其他实施例。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由权利要求指出。

Claims

1.一种耦合部件，其中，所述耦合部件包括依次层叠设置的第一地电极、第一介质层、第一传输线、第二介质层、第二地电极、第一基板、第二传输线、第二基板及第三地电极；

所述第二传输线的耦合端在所述第一介质层上的正投影与所述第二地电极的开槽在所述第一介质层上的正投影存在交叠；

所述第二地电极的开槽内设置有过渡传输结构，所述过渡传输结构与所述第二地电极之间设置有间隙；

所述第二传输线的耦合端在所述第二传输线的延伸方向上的尺寸与所述第二地电极的开槽在所述第二传输线的延伸方向上的尺寸相同，所述第二传输线的耦合端的在所述第二传输线的延伸方向上的尺寸大于所述过渡传输结构在所述第二传输线的延伸方向上的尺寸。

2.根据权利要求1所述的耦合部件，其中，

3.根据权利要求1的耦合部件，其中，

所述第一传输线和所述第二传输线均沿第一方向延伸。

4.根据权利要求3所述的耦合部件，其中，

所述过渡传输结构在所述第一方向上相对的两侧与所述第二地电极之间形成的间隙不大于0.1mm。

5.根据权利要求3的耦合部件，其中，

所述第一传输线的耦合端在所述第一介质层上的正投影与所述第二地电极的开槽在所述第一介质层上的正投影在第一方向上完全重合；

6.根据权利要求1所述的耦合部件，其中，

所述第一地电极的开槽、所述第二地电极的开槽、所述第三地电极的开槽在所述第一介质层上的正投影完全重叠。

7.根据权利要求1所述的耦合部件，其中，

所述第一地电极的开槽、所述第二地电极的开槽、所述第三地电极的开槽、所述过渡传输结构的形状相同。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的耦合部件，其中，

所述耦合部件还包括液晶层，所述液晶层的至少部分位于所述第二传输线与所述第二基板之间。

9.根据权利要求8所述的耦合部件，其中，

所述第一介质层和所述第二介质层为印制电路基板；

所述第一基板、所述第二基板为玻璃基板。

10.根据权利要求1至7中任一项所述的耦合部件，其中，

所述第一介质层、所述第二介质层、所述第一基板、所述第二基板的厚度为0.1mm至10mm。

11.根据权利要求1至7中任一项所述的耦合部件，其中，

所述第一地电极、所述第二地电极、所述第三地电极的厚度为0.1μm至100μm。

12.一种微波器件，其中，所述微波器件包括权利要求1至11中任一项所述的耦合部件。

13.根据权利要求12所述的微波器件，其中，所述微波器件为移相器、天线或滤波器。

14.一种电子设备，其中，所述电子设备包括权利要求12或13中所述的微波器件。

15.根据权利要求14所述的电子设备，其中，所述电子设备为发射机、接收机、天线系统或显示器。