CN114127161A

CN114127161A - 混合组合物

Info

Publication number: CN114127161A
Application number: CN202080045563.6A
Authority: CN
Inventors: 德田真芳; 樱井彩香
Original assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date: 2019-04-23
Filing date: 2020-04-01
Publication date: 2022-03-01
Also published as: TW202039779A; JP2020180277A; WO2020217905A1; US20220185968A1

Abstract

本发明提供一种混合组合物，是至少1个含有三烷基甲硅烷基的分子链和至少1个水解性基团键合于硅原子的有机硅化合物(A)、金属化合物(B)、酸(C)、水(D)的混合组合物，上述水(D)的摩尔量相对于上述有机硅化合物(A)与上述金属化合物(B)的合计摩尔量的比[D/(A+B)]为3.1～130。

Description

混合组合物

技术领域

本发明涉及一种有机硅化合物与金属化合物的混合组合物。

背景技术

在各种显示装置、光学元件、半导体元件、建筑材料、汽车零件、纳米压印技术等中，如果液滴(特别是水滴)附着在基材的表面，则有时产生如下问题：基材被污染或腐蚀，进而由这些污染或腐蚀引起性能降低等。因此，在这些领域中，要求基材表面的防水·防油性良好。作为用于形成提高基材表面的防水·防油性的被膜的组合物，已知有混合了有机硅化合物的混合组合物。

专利文献1中公开了一种涂布组合物，是将有机硅化合物和金属化合物混合而得到的涂布组合物，该有机硅化合物是至少1个含有三烷基甲硅烷基的分子链和至少1个水解性基团键合于硅原子而成的有机硅化合物，该金属化合物是水解性基团键合于金属原子而成的金属化合物。该文献公开了由该涂布组合物得到的被膜的防水·防油性、耐光性、耐热性等良好。

专利文献2中公开了一种有机硅化合物和金属化合物的混合组合物，该有机硅化合物具有至少1个三烷基甲硅烷基和2个以上水解性硅基团，该金属化合物是至少1个水解性基团键合于金属原子而成的金属化合物。该文献公开了通过使用该混合组合物，可提供除了防水性以外、耐热性和耐光性也良好的被膜。

但是，使用混合了有机硅化合物的混合组合物而得到的被膜如果受到摩擦等，有时会被破坏，存在变得容易附着液滴、附着的液滴难以除去的情况。

另一方面，专利文献3中公开了正癸基三甲氧基硅烷或三(三甲氧基甲硅烷基氧基)硅氧基-聚二甲基硅氧基-三甲氧基硅烷等有机硅化合物、羧酸化合物和酸催化剂的混合组合物。该文献公开了在有机硅化合物为正癸基三甲氧基硅烷的情况下，被膜的耐磨耗性提高。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:国际公开第2016/068138号

专利文献2:日本特开2017-119849号公报

专利文献3:日本特开2018-172660号公报

发明内容

但是，还要求进一步提高耐磨耗性。

本发明着眼于上述情况而完成，其目的在于提供一种组合物，其能够实现防水·防油性优异并且耐磨耗性也优异的被膜。

本发明包括以下发明。

[1]一种混合组合物，是至少1个含有三烷基甲硅烷基的分子链和至少1个水解性基团键合于硅原子的有机硅化合物(A)、金属化合物(B)、酸(C)、水(D)的混合组合物，上述水(D)的摩尔量相对于上述有机硅化合物(A)与上述金属化合物(B)的合计摩尔量的比[D/(A+B)]为3.1～130。

[2]根据[1]所述的组合物，其中，上述水(D)的量为0.01质量％～2.0质量％。

[3]根据[1]或[2]所述的组合物，其中，上述有机硅化合物(A)为下述式(a1)表示的化合物。

[式(a1)中，多个A^a1各自独立地表示水解性基团，Z^a1表示含有三烷基甲硅烷基的分子链、含有硅氧烷骨架的基团、或含有烃链的基团，x为0或1，R^a1表示含有三烷基甲硅烷基的分子链。Z^a1和R^a1的该三烷基甲硅烷基所包含的氢原子可以被取代为氟原子。]

[4]根据[1]～[3]中任一项所述的组合物，其中，上述有机硅化合物(A)为下述式(a2)表示的化合物。

[式(a2)中，A^a1、Z^a1、x与上述同义。Z^s1表示-O-或2价的烃基，上述2价的烃基所包含的-CH₂-可以被取代为-O-，多个R^s2各自独立地表示碳原子数1～10的烷基，n1为1以上的整数，Y^s1表示单键或-Si(R^s2)₂-L^s1-，该L^s1表示2价的烃基，该2价的烃基所包含的-CH₂-可以被取代为-O-，多个R^s1各自独立地表示烃基或三烷基甲硅烷基氧基。]

[5]根据[1]～[4]中任一项所述的组合物，其中，上述金属化合物(B)为下述式(b1)表示的化合物，

M(R^b10)_r(A^b1)_m-r (b1)

[式(b1)中，M表示Al、Fe、In、Ge、Hf、Si、Ti、Sn、Zr或Ta，R^b10表示含有硅氧烷骨架的基团、含有烃链的基团或氢原子，r为0或1。多个A^b1各自独立地表示水解性基团，m是金属原子M的价数，为选自3～5的整数。]

[6]根据[1]～[5]中任一项所述的组合物，其中，上述金属化合物(B)为下述式(b2)表示的化合物。

Si(OR^b11)_yH_4-y (b2)

[式(b2)中，R^b11表示碳原子数1～6的烷基，y为3或4。]

[7]根据[1]～[6]中任一项所述的组合物，其中，混合有溶剂(E)，上述溶剂(E)的量为10质量％以上。

应予说明，上述混合组合物也包含在混合后例如在保管中进行了反应的组合物。以下，也将混合组合物简称为组合物。

使用本发明的混合组合物而得到的被膜具有良好的防水·防油性和耐磨耗性。

具体实施方式

以下，依次对有机硅化合物(A)、金属化合物(B)、酸(C)和水(D)进行说明。

1.有机硅化合物(A)

对于本发明的有机硅化合物(A)，至少1个含有三烷基甲硅烷基的分子链和至少1个水解性基团键合于中心硅原子。

上述含有三烷基甲硅烷基的分子链是指具有含有三烷基甲硅烷基的基团键合于分子链的末端的结构的1价基团，通过使含有三烷基甲硅烷基的基团键合于分子链，从而由本发明的组合物形成的被膜的防水性和防油性提高，特别是水滴的滑落性提高。另外，通过存在含有三烷基甲硅烷基的分子链，从而液滴(水滴等)与该被膜之间的摩擦减少，液滴变得容易移动。即便在含有三烷基甲硅烷基的基团的烷基取代为氟烷基的情况下，也可同样地提高该被膜界面(表面)的防水性和防油性(特别是水滴的滑落性)。

上述含有三烷基甲硅烷基的基团所包含的烷基的碳原子数优选为1～4，更优选为1～3，进一步优选为1或2。

在上述含有三烷基甲硅烷基的分子链中，作为键合有含有三烷基甲硅烷基的基团的分子链，优选为直链状或支链状，更优选为直链状。

上述键合有含有三烷基甲硅烷基的基团的分子链优选包含二烷基硅氧烷链，更优选包含直链状二烷基硅氧烷链。另外，包含二烷基硅氧烷链的上述分子链可以含有2价的烃基。即便该分子链的一部分为2价的烃基，但是剩余部分仍为二烷基硅氧烷链，因此，得到的被膜的化学和物理耐久性良好。

在上述有机硅化合物(A)中，与中心硅原子键合的含有三烷基甲硅烷基的分子链的个数为1个以上，优选为3个以下，更优选为2个以下。与中心硅原子键合的含有三烷基甲硅烷基的分子链的个数特别优选为1个。

上述水解性基团是通过水解而提供羟基的基团(与硅原子键合而成为硅烷醇基的基团)，例如可优选举出甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等碳原子数1～4的烷氧基；羟基；乙酰氧基；氯原子；异氰酸酯基等。其中，优选为碳原子数1～4的烷氧基，更优选为碳原子数1或2的烷氧基。

在上述有机硅化合物(A)中，与中心硅原子键合的水解性基团的个数为1个以上，优选为2个以上，通常优选为3个以下。

在上述有机硅化合物(A)的中心硅原子，除了键合含有三烷基甲硅烷基的分子链、水解性基团以外，也可键合含有硅氧烷骨架的基团(优选原子数比构成含有三烷基甲硅烷基的分子链的分子链的原子数少的、含有硅氧烷骨架的基团)、或含有烃链的基团(优选含有碳原子数比构成含有三烷基甲硅烷基的分子链的分子链的原子数少的烃链的、含有烃链的基团)。

本发明的组合物可含有2种以上的上述有机硅化合物(A)。

具体来说，上述有机硅化合物(A)优选为下述式(a1)表示的化合物。

[式(a1)中，多个A^a1各自独立地表示水解性基团，Z^a1表示含有三烷基甲硅烷基的分子链、含有硅氧烷骨架的基团、或含有烃链的基团，x为0或1，R^a1表示含有三烷基甲硅烷基的分子链。Z^a1和R^a1的上述三烷基甲硅烷基所包含的氢原子可以被取代为氟原子。]

上述式(a1)中，多个A^a1各自独立地为水解性基团，只要是通过水解而提供羟基的基团(与硅原子键合而成为硅烷醇基的基团)即可，例如可优选举出：甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等碳原子数1～4的烷氧基；羟基；乙酰氧基；氯原子；异氰酸酯基等。其中，优选碳原子数1～4的烷氧基，更优选碳原子数1或2的烷氧基。

上述式(a1)中，R^a1为含有三烷基甲硅烷基的分子链，如上所述，其为具有含有三烷基甲硅烷基的基团键合于分子链的末端的结构的1价基团。上述含有三烷基甲硅烷基的基团为包含至少1个三烷基甲硅烷基的基团，优选为包含2个以上、进一步优选为包含3个三烷基甲硅烷基的基团。

上述含有三烷基甲硅烷基的基团优选为下述式(s1)表示的基团。

[上述式(s1)中，多个R^s1各自独立地表示烃基或三烷基甲硅烷基氧基，该烃基或三烷基甲硅烷基氧基所包含的氢原子可以被取代为氟原子。*表示键合位点。]

在上述R^s1为烃基的情况下，其碳原子数优选为1～4，更优选为1～3，进一步优选为1或2。

在上述R^s1为烃基的情况下，优选为脂肪族烃基，更优选为烷基。作为上述烷基，可举出甲基、乙基、丙基、丁基等。

上述式(s1)中，优选上述R^s1的至少1个为三烷基甲硅烷基氧基，或者，上述R^s1全部为烷基。

多个R^s1可以相同，也可以不同，优选相同。

在R^s1全部为烃基(特别是烷基)的情况下，3个R^s1的合计的碳原子数优选为9以下，更优选为6以下，进一步优选为4以下。优选3个R^s1中的至少1个为甲基，更优选至少2个为甲基，特别优选3个R^s1全部为甲基。

作为上述R^s1全部为烃基(烷基)的基团(三烷基甲硅烷基)，具体来说，可举出下述式表示的基团等。式中，*表示键合位点。

另外，上述式(s1)中，在至少1个R^s1为三烷基甲硅烷基氧基的情况下，作为上述三烷基甲硅烷基氧基，可举出氧原子与R^s1全部为烃基(烷基)的基团(三烷基甲硅烷基)的硅原子键合的基团。上述式(s1)中，优选2个以上的R^s1为三烷基甲硅烷基氧基，进一步优选3个R^s1为三烷基甲硅烷基氧基。

作为至少1个R^s1为三烷基甲硅烷基氧基的基团，可举出下述式表示的基团。

在上述含有三烷基甲硅烷基的分子链中，含有三烷基甲硅烷基的基团优选键合于分子链的末端(自由端侧)、特别是分子链的主链(最长直链)的末端(自由端侧)。

上述键合有含有三烷基甲硅烷基的基团的分子链优选直链状或支链状，更优选直链状。

上述键合有含有三烷基甲硅烷基的基团的分子链优选为下述式(s2)表示的基团。

[式(s2)中，Z^s1表示-O-或2价的烃基，该2价的烃基所包含的-CH₂-可以被取代为-O-，多个R^s2各自独立地表示碳原子数1～10的烷基，n1为1以上的整数，Y^s1表示单键或-Si(R^s2)₂-L^s1-，该L^s1表示2价的烃基，该2价的烃基所包含的-CH₂-可以被取代为-O-。在上述式(s2)中，左侧的*表示与中心硅原子的键合位点，右侧的*表示与含有三烷基甲硅烷基的基团的键合位点。]

上述R^s2表示的烷基的碳原子数优选为1～4，更优选为1～3，进一步优选为1或2。

n1优选为1～100的整数，更优选为1～80的整数，进一步优选为1～60的整数，特别优选为1～50的整数，最优选为1～30的整数。

Z^s1或L^s1表示的2价的烃基的碳原子数优选为1～10，更优选为1～6，进一步优选为1～4。上述2价的烃基优选为链状，在链状的情况下，可以是直链状、支链状中的任一种。另外，上述2价的烃基优选为2价的脂肪族烃基，优选为烷二基。作为上述2价的烃基，可举出亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基等。

进而，上述2价的烃基所包含的一部分-CH₂-可以被取代为-O-。该情况下，连续的2个-CH₂-不会同时被取代为-O-，与Si原子邻接的-CH₂-不会被取代为-O-。在2个以上的-CH₂-被取代为-O-的情况下，-O-与-O-间的碳原子数优选为2～4，进一步优选为2或3。作为上述2价的烃基的一部分被取代为-O-而成的基团，具体来说，可例示具有(聚)乙二醇单元的基团、具有(聚)丙二醇单元的基团等。

在上述式(s2)中，优选：Z^s1为-O-，Y^s1为单键，即，上述分子链仅由二烷基甲硅烷基氧基的重复构成。在二烷基硅氧烷链仅由二烷基甲硅烷基氧基的重复构成的情况下，得到的被膜的化学和物理耐久性良好。

作为含有三烷基甲硅烷基的分子链所包含的分子链，可举出下述式表示的分子链。下述式中，q1表示1以上的整数，*表示与中心硅原子或含有三烷基甲硅烷基的基团键合的键合位点。q1与上述n1为相同的数值范围，优选的范围也相同。

另外，构成含有三烷基甲硅烷基的分子链的原子的合计数优选为24个以上，更优选为40个以上，进一步优选为50个以上。另外，优选为5000个以下，更优选为4000个以下，进一步优选为2000个以下，再优选为1200个以下，特别优选为700个以下，最优选为250个以下。

上述含有三烷基甲硅烷基的分子链优选为下述式(s3)表示的基团。

[式(s3)中，Z^s1、R^s2、n1、Y^s1、R^s1与上述同义。*表示与中心硅原子的键合位点。]

上述含有三烷基甲硅烷基的分子链优选为下述式(s3-1)或下述式(s3-2)表示的基团，更优选为下述式(s3-2)表示的基团。

上述含有三烷基甲硅烷基的分子链在以下述式(s3-1)表示的情况下，更优选为下述式(s3-1-1)表示的基团。

[式(s3-1)和式(s3-1-1)中，Z^s1、R^s2、n1、Y^s1与上述同义。R^s3表示碳原子数1～4的烷基。*表示与中心硅原子的键合位点。]

R^s3表示的烷基的碳原子数优选为1～3，更优选为1或2。另外，式(s3-1)和式(s3-1-1)中，-Si(R^s3)₃所包含的R^s3的合计的碳原子数优选为9以下，更优选为6以下，进一步优选为4以下。进而，在-Si(R^s3)₃所包含的R^s3中，优选至少1个R^s3为甲基，更优选2个以上的R^s3为甲基，特别优选3个R^s3全部为甲基。

上述含有三烷基甲硅烷基的分子链在以下述式(s3-2)表示的情况下，更优选为下述式(s3-2-1)表示的基团。

[式(s3-2)和式(s3-2-1)中，Z^s1、R^s2、n1、Y^s1与上述同义。R^s4表示碳原子数1～4的烷基。*表示与中心硅原子的键合位点。]

作为R^s4表示的碳原子数1～4的烷基，可举出上述R^s3中说明的基团，其优选的范围也相同。

R^s4表示的烷基的碳原子数优选为1～3，更优选为1或2。另外，-Si(R^s4)₃包含的R^s4的合计的碳原子数优选为9以下，更优选为6以下，进一步优选为4以下。进而，在-Si(R^s4)₃所包含的R^s4中，优选至少1个R^s4为甲基，更优选2个以上的R^s4为甲基，特别优选3个R^s4全部为甲基。

作为上述含有三烷基甲硅烷基的分子链，具体来说，可举出下述式(s3-I)表示的基团。

[上述式(s3-I)中，*表示与中心硅原子的键合位点。]

上述式(s3-I)中，Z^s10、R^s20、n10、Y^s10、R^s10优选为下述表1、2所示的组合。

[表1]

	Z<sup>s10</sup>	R<sup>s20</sup>	n10	Y<sup>s10</sup>	R<sup>s10</sup>
						(s3-I-1)	-O-	CH<sub>3</sub>-*	1～60	-	(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>SiO-*
(s3-I-2)	-O-	CH<sub>3</sub>-*	1～60	-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-CH<sub>2</sub>-	(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>SiO-*
						(s3-I-3)	-O-	CH<sub>3</sub>-*	1～60	-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-	(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>SiO-*
(s3-I-4)	-O-	CH<sub>3</sub>-*	1～60	-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>3</sub>-	(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>SiO-*
						(s3-I-5)	-O-	CH<sub>3</sub>-*	1～60	-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>-	(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>SiO-*
(s3-I-6)	-CH<sub>2</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60	-	(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>SiO-*
						(s3-I-7)	-CH<sub>2</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60	-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-CH<sub>2</sub>-	(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>SiO-*
(s3-I-8)	-CH<sub>2</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60	-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-	(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>SiO-*
						(s3-I-9)	-CH<sub>2</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60	-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>3</sub>-	(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>SiO-*
(s3-I-10)	-CH<sub>2</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60	-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>-	(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>SiO-*
						(s3-I-11)	-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60	-	(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>SiO-*
(s3-I-12)	-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60	-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-CH<sub>2</sub>-	(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>SiO-*
						(s3-I-13)	-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60	-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-	(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>SiO-*
(s3-I-14)	-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60	-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>3</sub>-	(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>SiO-*
						(s3-I-15)	-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60	-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>-	(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>SiO-*
(s3-I-16)	-(CH<sub>2</sub>)<sub>3</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60	-	(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>SiO-*
						(s3-I-17)	-(CH<sub>2</sub>)<sub>3</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60	-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-CH<sub>2</sub>-	(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>SiO-*
(s3-I-18)	-(CH<sub>2</sub>)<sub>3</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60	-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-	(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>SiO-*
						(s3-I-19)	-(CH<sub>2</sub>)<sub>3</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60	-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>3</sub>-	(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>SiO-*
(s3-I-20)	-(CH<sub>2</sub>)<sub>3</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60	-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>-	(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>SiO-*
						(s3-I-21)	-(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60	-	(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>SiO-*
(s3-I-22)	-(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60	-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-CH<sub>2</sub>-	(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>SiO-*
						(s3-I-23)	-(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60	-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-	(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>SiO-*
(s3-I-24)	-(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60	-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>3</sub>-	(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>SiO-*
						(s3-I-25)	-(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60	-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>-	(CH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>SiO-*

[表2]

	Z<sup>s10</sup>	R<sup>s20</sup>	n10 Y<sup>s10</sup>	R<sup>s10</sup>
					(s3-I-26)	-O-	CH<sub>3</sub>-*	1～60-	CH<sub>3</sub>-*
(s3-I-27)	-O-	CH<sub>3</sub>-*	1～60-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-CH<sub>2</sub>-	CH<sub>3</sub>-*
					(s3-I28)	-O-	CH<sub>3</sub>-*	1～60-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-	CH<sub>3</sub>-*
(s3-I-29)	-O-	CH<sub>3</sub>-*	1～60-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>3</sub>-	CH<sub>3</sub>-*
					(s3-I-30)	-O-	CH<sub>3</sub>-*	1～60-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>-	CH<sub>3</sub>-*
(s3-I-31)	-CH<sub>2</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60-	CH<sub>3</sub>-*
					(s3-I-32)	-CH<sub>2</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-CH<sub>2</sub>-	CH<sub>3</sub>-*
(s3-I-33)	-CH<sub>2</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-	CH<sub>3</sub>-*
					(s3-I-34)	-CH<sub>2</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>3</sub>-	CH<sub>3</sub>-*
(s3-I-35)	-CH<sub>2</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>-	CH<sub>3</sub>-*
					(s3-I-36)	-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60-	CH<sub>3</sub>-*
(s3-I-37)	-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-CH<sub>2</sub>-	CH<sub>3</sub>-*
					(s3-I-38)	-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-	CH<sub>3</sub>-*
(s3-I-39)	-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>3</sub>-	CH<sub>3</sub>-*
					(s3-I-40)	-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>-	CH<sub>3</sub>-*
(s3-I-41)	-(CH<sub>2</sub>)<sub>3</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60-	CH<sub>3</sub>-*
					(s3-I-42)	-(CH<sub>2</sub>)<sub>3</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-CH<sub>2</sub>-	CH<sub>3</sub>-*
(s3-I-43)	-(CH<sub>2</sub>)<sub>3</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-	CH<sub>3</sub>-*
					(s3-I-44)	-(CH<sub>2</sub>)<sub>3</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>3</sub>-	CH<sub>3</sub>-*
(s3-I-45)	-(CH<sub>2</sub>)<sub>3</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>-	CH<sub>3</sub>-*
					(s3-I-46)	-(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60-	CH<sub>3</sub>-*
(s3-I-47)	-(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-CH<sub>2</sub>-	CH<sub>3</sub>-*
					(s3-I-48)	-(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>-	CH<sub>3</sub>-*
(s3-I-49)	-(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>3</sub>-	CH<sub>3</sub>-*
					(s3-I-50)	-(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>-	CH<sub>3</sub>-*	1～60-Si(CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>-(CH<sub>2</sub>)<sub>4</sub>-	CH<sub>3</sub>-*

上述表1、表2所示的n10优选为1～30。

另外，上述式(a1)中，Z^a1表示含有三烷基甲硅烷基的分子链、含有硅氧烷骨架的基团、或含有烃链的基团。

在Z^a1为含有三烷基甲硅烷基的分子链的情况下，可举出与上述R^a1相同的基团。

在Z^a1为含有硅氧烷骨架的基团的情况下，上述含有硅氧烷骨架的基团为含有硅氧烷单元(Si-O-)的1价基团，优选以数量比构成R^a1的含有三烷基甲硅烷基的分子链的原子数少的原子构成。由此，含有硅氧烷骨架的基团成为长度比含有三烷基甲硅烷基的分子链短、或立体展宽(体积大小)比含有三烷基甲硅烷基的分子链小的基团。含有硅氧烷骨架的基团也可包含2价的烃基。

上述含有硅氧烷骨架的基团优选为下述式(s4)表示的基团。

[式(s4)中，Z^s1、R^s2和Y^s1与上述同义。R^s5表示烃基或羟基，该烃基所包含的-CH₂-可以被取代为-O-，该烃基所包含的氢原子可以被取代为氟原子。n3表示0～5的整数。*表示与中心硅原子的键合位点。]

作为R^s5表示的烃基，可举出与R^s1表示的烃基相同的基团，优选为脂肪族烃基，更优选为烷基。

R^s5表示的烃基的碳原子数优选为1～4，更优选为1～3，进一步优选为1或2。

n3优选为1～5的整数，更优选为1～3的整数。

上述含有硅氧烷骨架的基团的原子数的合计优选为600以下，更优选为500以下，进一步优选为350以下，再优选为100以下，特别优选为50以下，最优选为30以下，并且优选为10以上。另外，R^a1的含有三烷基甲硅烷基的分子链与Z^a1的含有硅氧烷骨架的基团的原子数之差优选为10以上，更优选为20以上，优选为1000以下，更优选为500以下，进一步优选为200以下。

作为上述含有硅氧烷骨架的基团，具体来说，可举出下述式表示的基团。

在Z^a1为含有烃链的基团的情况下，优选烃链部分的碳原子数比R^a1中的构成含有三烷基甲硅烷基的分子链的分子链的原子数少。另外，优选烃链的最长直链的碳原子数比构成含有三烷基甲硅烷基的分子链的最长直链的原子数少。含有烃链的基团是指在至少一部分具有烃基的基团，通常仅由烃基(烃链)构成，但根据需要，也可以是该烃链的一部分亚甲基(-CH₂-)被取代为氧原子而成的基团。另外，与Si原子邻接的亚甲基(-CH₂-)不会被取代为氧原子，另外，连续的2个亚甲基(-CH₂-)也不会同时被取代为氧原子。

应予说明，烃链部分的碳原子数，对于非氧取代型的含有烃链的基团而言是指构成烃基(烃链)的碳原子的数量，对于氧取代型的含有烃链的基团而言是指将氧原子假定为亚甲基(-CH₂-)并计数而得的碳原子的数量。

以下，只要没有特别说明，则以非氧取代型的含有烃链的基团(即1价烃基)为例，对含有烃链的基团进行说明，但在任一说明中，均可将其亚甲基(-CH₂-)中的一部分取代为氧原子。

对于上述含有烃链的基团，在其为烃基的情况下，碳原子数优选为1～3，更优选为1。另外，上述含有烃链的基团可以是支链也可以是直链。上述含有烃链的基团优选为含有饱和或不饱和的脂肪族烃链的基团，更优选为含有饱和脂肪族烃链的基团。作为上述含有饱和脂肪族烃链的基团，更优选为饱和脂肪族烃基。在饱和脂肪族烃基中，例如包含甲基、乙基、丙基等。

在饱和脂肪族烃基的一部分亚甲基(-CH₂-)被取代为氧原子的情况下，具体来说，可例示具有(聚)乙二醇单元的基团等。

在上述式(a1)中，x优选为0。

上述有机硅化合物(A)优选为下述式(a2)表示的化合物。

[式(a2)中，A^a1、Z^a1、x、Z^s1、R^s2、n1、Y^s1、R^s1各自与上述同义。]

在上述式(a2)中，上述n1优选为1～60的整数。上述n1更优选为2以上的整数，进一步优选为3以上的整数，更优选为50以下的整数，进一步优选为40以下的整数，特别优选为30以下的整数，最优选为25以下的整数。

上述式(a2)表示的有机硅化合物(A)优选为下述式(a2-1)或下述式(a2-2)表示的化合物，更优选为下述式(a2-2)表示的化合物。

上述式(a2)表示的有机硅化合物(A)在下述式(a2-1)表示的情况下，更优选为下述式(a2-1-1)表示的化合物。

[式(a2-1)和式(a2-1-1)中，A^a1、Z^s1、R^s2、n1、Y^s1、R^s3与上述含义相同。]

上述式(a2)表示的有机硅化合物(A)在下述式(a2-2)表示的情况下，更优选为下述式(a2-2-1)表示的化合物。

[式(a2-2)和式(a2-2-1)中，A^a1、Z^s1、R^s2、n1、Y^s1、R^s4与上述含义相同。]

具体来说，上述式(a2)表示的有机硅化合物(A)可举出式(A-I)表示的化合物。

在上述式(A-I)中，A^a10、Z^s10、R^s20、n10、Y^s10、R^s10优选为下述表3-1、表3-2、表4-1、表4-2所示的组合。

[表3-1]

Aa10

Zs10

Rs20

n10

Ys10

Rs10

(A-I-1)

C2H5O-*

*-O-*

CH3-*

1～60

-

(CH3)3SiO-*

(A-I-2)

C2H5O-*

*-O-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-CH2-*

(CH3)3SiO-*

(A-I-3)

C2H5O-*

*-O-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)2-*

(CH3)3SiO-*

(A-I-4)

C2H5O-*

*-O-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)3-*

(CH3)3SiO-*

(A-I-5)

C2H5O-*

*-O-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)4-*

(CH3)3SiO-*

(A-I-6)

C2H5O-*

*-CH2-*

CH3-*

1～60

-

(CH3)3SiO-*

(A-I-7)

C2H5O-*

*-CH2-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-CH2-*

(CH3)3SiO-*

(A-I-8)

C2H5O-*

*-CH2-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)2-*

(CH3)3SiO-*

(A-I-9)

C2H5O-*

*-CH2-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)3-*

(CH3)3SiO-*

(A-I-10)

C2H5O-*

*-CH2-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)4-*

(CH3)3SiO-*

(A-I-11)

C2H5O-*

*-(CH2)2-*

CH3-*

1～60

-

(CH3)3SiO-*

(A-I-12)

C2H5O-*

*-(CH2)2-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-CH2-*

(CH3)3SiO-*

(A-I-13)

C2H5O-*

*-(CH2)2-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)2-*

(CH3)3SiO-*

(A-I-14)

C2H5O-*

*-(CH2)2-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)3-*

(CH3)3SiO-*

(A-I-15)

C2H5O-*

*-(CH2)2-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)4-*

(CH3)3SiO-*

(A-I-16)

C2H5O-*

*-(CH2)3-*

CH3-*

1～60

-

(CH3)3SiO-*

(A-I-17)

C2H5O-*

*-(CH2)3-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-CH2-*

(CH3)3SiO-*

(A-I-18)

C2H5O-*

*-(CH2)3-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)2-*

(CH3)3SiO-*

(A-I-19)

C2H5O-*

*-(CH2)3-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)3-*

(CH3)3SiO-*

(A-I-20)

C2H5O-*

*-(CH2)3-*

CH3-*

i～60

*-Si(CH3)2-(CH2)4-*

(CH3)3SiO-*

(A-I-21)

C2H5O-*

*-(CH2)4-*

CH3-*

1～60

-

(CH3)3SiO-*

(A-I-22)

C2H5O-*

*-(CH2)4-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-CH2-*

(CH3)3SiO-*

(A-I-23)

C2H5O-*

*-(CH2)4-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)2-*

(CH3)3SiO-*

(A-I-24)

C2H5O-*

*-(CH2)4-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)3-*

(CH3)3SiO-*

(A-I-25)

C2H5O-*

*-(CH2)4-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)4-*

(CH3)3SiO-*

[表3-2]

Aa10

Zs10

Rs20

n10

Ys10

Rs10

(A-I-26)

CH3O-*

*-O-*

CH3-*

1～60

-

(CH3)3SiO-*

(A-I-27)

CH3O-*

*-O-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-CH2-*

(CH3)3SiO-*

(A-I-28)

CH3O-*

*-O-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)2-*

(CH3)3SiO-*

(A-I-29)

CH3O-*

*-O-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)3-*

(CH3)3SiO-*

(A-I-30)

CH3O-*

*-O-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)4-*

(CH3)3SiO-*

(A-I-31)

CH3O-*

*-CH2-*

CH3-*

1～60

-

(CH3)3SiO-*

(A-I-32)

CH3O-*

*-CH2-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-CH2-*

(CH3)3SiO-*

(A-I-33)

CH3O-*

*-CH2-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)2-*

(CH 3)3SiO-*

(A-I-34)

CH3O-*

*-CH2-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)3-*

(CH3)3SiO-*

(A-I-35)

CH3O-*

*-CH2-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)4-*

(CH3)3SiO-*

(A-I-36)

CH3O-*

*-(CH2)2-*

CH3-*

i～60

-

(CH3)3SiO-*

(A-I-37)

CH3O-*

*-(CH2)2-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-CH2-*

(CH3)3SiO-*

(A-I-38)

CH3O-*

*-(CH2)2-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)2-*

(CH3)3SiO-*

(A-I-39)

CH3O-*

*-(CH2)2-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)3-*

(CH3)3SiO-*

(A-I-40)

CH3O-*

*-(CH2)2-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)4-*

(CH3)3SiO-*

(A-I-41)

CH3O-*

*-(CH2)3-*

CH3-*

1～60

-

(CH3)3SiO-*

(A-I-42)

CH3O-*

*-(CH2)3-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-CH2-*

(CH3)3SiO-*

(A-I-43)

CH3O-*

*-(CH2)3-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)2-*

(CH3)3SiO-*

(A-I-44)

CH3O-*

*-(CH2)3-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)3-*

(CH3)3SiO-*

(A-I-45)

CH3O-*

承-(CH2)3-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)4-*

(CH3)3SiO-*

(A-I-46)

CH3O-*

*-(CH2)4-*

CH3-*

1～60

-

(CH3)3SiO-*

(A-I-47)

CH3O-*

水-(CH2)4-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-CH2-*

(CH3)3SiO-*

(A-I-48)

CH3O-*

*-(CH2)4-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)2-*

(CH3)3SiO-*

(A-I-49)

CH3O-*

*-(CH2)4-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)3-*

(CH3)3SiO-*

(A-I-50)

CH3O-*

*-(CH2)4-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)4-*

(CH3)3SiO-*

[表4-1]

Aa10

Zs10

Rs20

n10

Ys10

Rs10

(A-I-51)

C2H5O-*

*-O-*

CH3-*

1～60

-

CH3-*

(A-I-52)

C2H5O-*

*-O-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-CH2-*

CH3-*

(A-I-53)

C2H5O-*

*-O-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)2-*

CH3-*

(A-I-54)

C2H5O-*

*-O-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)3-*

CH3-*

(A-I-55)

C2H5O-*

*-O-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)4-*

CH3-*

(A-I-56)

C2H5O-*

*-CH2-*

CH3-*

1～60

-

CH3-*

(A-I-57)

C2H5O-*

*-CH2-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-CH2-*

CH3-*

(A-I-58)

C2H5O-*

*-CH2-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)2-*

CH3-*

(A-I-59)

C2H5O-*

*-CH2-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)3-*

CH3-*

(A-I-60)

C2H5O-*

*-CH2-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)4-*

CH3-*

(A-I-61)

C2H5O-*

*-(CH2)2-*

CH3-*

1～60

-

CH3-*

(A-I-62)

C2H5O-*

*-(CH2)2-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-CH2-*

CH3-*

(A-I-63)

C2H5O-*

*-(CH2)2-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)2-*

CH3-*

(A-I-64)

C2H5O-*

*-(CH2)2-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)3-*

CH3-*

(A-I-65)

C2H5O-*

*-(CH2)2-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)4-*

CH3-*

(A-I-66)

C2H5O-*

*-(CH2)3-*

CH3-*

1～60

-

CH3-*

(A-I-67)

C2H5O-*

*-(CH2)3-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-CH2-*

CH3-*

(A-I-68)

C2H5O-*

*-(CH2)3-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)2-*

CH3-*

(A-I-69)

C2H5O-*

*-(CH2)3-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)3-*

CH3-*

(A-I-70)

C2H5O-*

*-(CH2)3-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)4-*

CH3-*

(A-1-71)

C2H5O-*

*-(CH2)4-*

CH3-*

1～60

-

CH3-*

(A-I-72)

C2H5O-*

*-(CH2)4-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-CH2-*

CH3-*

(A-I-73)

C2H5O-*

*-(CH2)4-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)2-*

CH3-*

(A-I-74)

C2H5O-*

*-(CH2)4-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)3-*

CH3-*

(A-I-75)

C2H5O-*

*-(CH2)4-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)4-*

CH3-*

[表4-2]

Aa10

Zs10

Rs20

n10

Ys10

Rs10

(A-I-76)

CH3O-*

*-O-*

CH3-*

1～60

-

CH3-*

(A-I-77)

CH3O-*

*-O-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-CH2-*

CH3-*

(A-I-78)

CH3O-*

*-O-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)2-*

CH3-*

(A-I-79)

CH3O-*

*-O-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)3-*

CH3-*

(A-I-80)

CH3O-*

*-O-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)4-*

CH3-*

(A-I-81)

CH3O-*

*-CH2-*

CH3-*

1～60

-

CH3-*

(A-I-82)

CH3O-*

*-CH2-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-CH2-*

CH3-*

(A-I-83)

CH3O-*

*-CH2-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)2-*

CH3-*

(A-I-84)

CH3O-*

*-CH2-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)3-*

CH3-*

(A-I-85)

CH3O-*

*-CH2-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)4-*

CH3-*

(A-I-86)

CH3O-*

*-(CH2)2-*

CH3-*

1～60

-

CH3-*

(A-I-87)

CH3O-*

*-(CH2)2-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-CH2-*

CH3-*

(A-I-88)

CH3O-*

*-(CH2)2-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)2-*

CH3-*

(A-I-89)

CH3O-*

*-(CH2)2-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)3-*

CH3-*

(A-I-90)

CH3O-*

*-(CH2)2-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)4-*

CH3-*

(A-I-91)

CH3O-*

*-(CH2)3-*

CH3-*

1～60

-

CH3-*

(A-I-92)

CH3O-*

*-(CH2)3-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-CH2-*

CH3-*

(A-I-93)

CH3O-*

*-(CH2)3-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)2-*

CH3-*

(A-I-94)

CH3O-*

*-(CH2)3-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)3-*

CH3-*

(A-I-95)

CH3O-*

*-(CH2)3-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)4-*

CH3-*

(A-I-96)

CH3O-*

*-(CH2)4-*

CH3-*

1～60

-

CH3-*

(A-I-97)

CH3O-*

*-(CH2)4-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-CH2-*

CH3-*

(A-I-98)

CH3O-*

*-(CH2)4-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)2-*

CH3-*

(A-I-99)

CH3O-*

*-(CH2)4-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)3-*

CH3-*

(A-I-100)

CH3O-*

*-(CH2)4-*

CH3-*

1～60

*-Si(CH3)2-(CH2)4-*

CH3-*

上述表3-1、表3-2、表4-1、表4-2所示的n10优选为1～30。

上述式(A-I)中，更优选为(A-I-26)表示的化合物。即，作为上述式(a2)表示的有机硅化合物(A)，优选为下述式(a3)表示的化合物。

[式(a3)中，n2为1～60的整数。]

上述n2更优选为2以上的整数，进一步优选为3以上的整数，且更优选为50以下的整数，进一步优选为45以下的整数，特别优选为30以下的整数，最优选为25以下的整数。

在将组合物的整体设为100质量％时，上述有机硅化合物(A)的量优选为0.01质量％以上，更优选为0.015质量％以上，进一步优选为0.02质量％以上，优选为0.5质量％以下，更优选为0.4质量％以下，进一步优选为0.3质量％以下。

上述有机硅化合物(A)可包含寡聚物，在上述有机硅化合物(A)包含寡聚物的情况下，其摩尔数使用数均分子量算出即可。

上述有机硅化合物(A)的量可在组合物的制备时进行调整。另外，上述有机硅化合物(A)的量也可由组合物的分析结果算出。应予说明，本说明书中，在记载了各成分的量、质量比或摩尔比的范围的情况下，与上述同样，该范围可在组合物的制备时调整。

作为上述有机硅化合物(A)的合成方法，可举出日本专利特开2017-201009号公报中记载的方法。

2.金属化合物(B)

本发明的金属化合物(B)是包含金属的化合物，通过与上述有机硅化合物(A)混合而作为间隔物发挥功能，可以认为通过适度分散上述三烷基甲硅烷基，可提高被膜的防水·防油性。

上述金属化合物(B)优选为在金属原子上键合有至少1个水解性基团。

上述金属化合物(B)优选为下述式(b1)表示的化合物。

M(R^b10)_r(A^b1)_m-r (b1)

上述式(b1)表示的化合物是在金属原子M上至少键合有水解性基团A^b1的化合物。应予说明，在本说明书中，“金属”一词是以包含Si或Ge等准金属的含义来使用的。

如上所述，可以认为，由本发明的组合物获得的被膜通过来自有机硅化合物(A)的三烷基甲硅烷基而使得防水和防油功能提高，基于金属化合物(B)的结构在被膜中作为间隔物而发挥作用。

上述金属原子M优选为Al、Si、Ti、Sn或Zr，更优选为Al、Si、Ti、或Zr，进一步优选为Si。

上述含有硅氧烷骨架的基团是在至少一部分中具有含有硅氧烷骨架的基团的基团，上述含有烃链的基团只要是至少一部分具有烃链的基团即可。

应予说明，上述金属原子M为Si时，R^b10的含有硅氧烷骨架的基团优选为不含二烷基硅氧烷链的基团。

上述A^b1表示的水解性基团、以及R^b10表示的含有硅氧烷骨架的基团、含有烃链的基团可从上述有机硅化合物(A)中说明的水解性基团、含有硅氧烷骨架的基团、以及含有烃链的基团中适当选择，优选的范围也相同。

上述m为金属原子M的价数，在金属原子M为Al、Fe、In等3价金属的情况下为3，在金属原子M为Ge、Hf、Si、Ti、Sn、Zr等4价金属的情况下为4，在金属原子M为Ta等5价金属的情况下为5。

本发明的组合物也可以混合2种以上的金属化合物(B)。

作为上述金属化合物(B)，可举出金属化合物B1或金属化合物B2，金属化合物B1中，r＝0，即仅水解性基团A^b1键合于金属原子M；金属化合物B2中，r＝1，即1个含有硅氧烷骨架的基团、含有烃链的基团或氢原子和2个以上水解性基团A^b1键合于金属原子M。

(金属化合物B1)

作为仅水解性基团A^b1键合于金属原子M的金属化合物B1，具体来说，可举出：三乙氧基铝、三丙氧基铝、三丁氧基铝等三烷氧基铝；三乙氧基铁等三烷氧基铁；三甲氧基铟、三乙氧基铟、三丙氧基铟、三丁氧基铟等三烷氧基铟；四甲氧基锗、四乙氧基锗、四丙氧基锗、四丁氧基锗等四烷氧基锗；四甲氧基铪、四乙氧基铪、四丙氧基铪、四丁氧基铪等四烷氧基铪；四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四丙氧基硅烷、四丁氧基硅烷等四烷氧基硅烷；四甲氧基钛、四乙氧基钛、四丙氧基钛、四丁氧基钛等四烷氧基钛；四甲氧基锡、四乙氧基锡、四丙氧基锡、四丁氧基锡等四烷氧基锡；四甲氧基锆、四乙氧基锆、四丙氧基锆、四丁氧基锆等四烷氧基锆；五甲氧基钽、五乙氧基钽、五丙氧基钽、五丁氧基钽等五烷氧基钽等。

(金属化合物B2)

作为1个含有硅氧烷骨架的基团、含有烃链的基团或氢原子和2个以上水解性基团A^b1键合于金属原子M的金属化合物B2，优选金属原子M为4价金属(Ge、Hf、Si、Ti、Sn、Zr等)，作为金属原子M为Si的情况下的具体例，可举出：三甲基甲硅烷基氧基三甲氧基硅烷、三甲基甲硅烷基氧基三乙氧基硅烷、三甲基甲硅烷基氧基三丙氧基硅烷等三甲基甲硅烷基氧基三烷氧基硅烷；甲基三甲氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、甲基三丙氧基硅烷等烷基三烷氧基硅烷；乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷等烯基三烷氧基硅烷；三甲氧基硅烷、三乙氧基硅烷、三丙氧基硅烷等三烷氧基硅烷；二甲氧基甲基硅烷、二乙氧基甲基硅烷等二烷氧基烷基硅烷等。

作为上述金属化合物(B)，具体来说，优选为下述式(b2)表示的化合物。

Si(OR^b11)_yH_4-y(b2)

[式(b2)中，R^b11表示碳原子数1～6的烷基，y为3或4。]

作为R^b11表示的烷基，可举出甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等。

R^b11表示的烷基的碳原子数优选为1～4，更优选为1～3，进一步优选为1或2。

在将组合物的整体设为100质量％时，上述金属化合物(B)的量优选为0.01质量％以上，更优选为0.03质量％以上，进一步优选为0.05质量％以上，优选为5质量％以下，更优选为2质量％以下，进一步优选为1质量％以下。

在将组合物的整体设为100质量％时，上述有机硅化合物(A)和上述金属化合物(B)的量的合计(A+B)优选为0.01质量％以上，更优选为0.05质量％以上，进一步优选为0.08质量％以上，优选为5质量％以下，更优选为3质量％以下，进一步优选为2质量％以下，特别优选为1.5质量％以下。

上述金属化合物(B)相对于上述有机硅化合物(A)的摩尔比(B/A)优选为2～500。上述摩尔比(B/A)更优选为8以上，进一步优选为10以上，特别优选为15以上，最优选为20以上，并且，更优选为200以下，进一步优选为100以下，特别优选为50以下。

3.酸(C)

上述酸(C)可以是无机酸，也可以是有机酸，具体来说，可举出硝酸、盐酸、马来酸、磷酸、丙二酸、甲酸、苯甲酸、苯基乙酸、乙酸、丁酸、2-甲基丙酸、丙酸、2,2-二甲基丙酸等。

上述酸(C)可以仅包含1种，也可组合2种以上而包含。作为上述酸(C)，优选有机酸，更优选马来酸、磷酸、丙二酸、乙酸。

在将组合物的整体设为100质量％时，上述酸(C)的量优选为30质量％以下，更优选为10质量％以下，进一步优选为1质量％以下，特别优选为0.5质量％以下。在将组合物的整体设为100质量％时，上述酸(C)的量的下限大于0质量％，优选为0.00001质量％以上，更优选为0.0001质量％以上。

上述酸(C)优选第1级解离时的pKa为1以上，可以平稳地进行被膜形成时的反应，可形成良好的被膜。上述pKa为酸解离常数，上述酸(C)的第1级解离时的pKa优选为1.5以上，更优选为2.5以上，进一步优选为3.5以上。上述酸(C)的第1级解离时的pKa的上限没有特别限定，例如优选为10以下，更优选为8以下，进一步优选为6以下。

作为上述酸(C)，在使用第1级解离时的pKa为1以上的酸的情况下，可并用第1级解离时的pKa小于1的酸，也可以不并用。在使用第1级解离时的pKa小于1的酸的情况下，将组合物的整体设为100质量％时，该第1级解离时的pKa小于1的酸的量优选为小于2.0质量％，更优选为1.5质量％以下，进一步优选为1质量％以下，再优选为0.5质量％以下，特别优选为0.1质量％以下。

上述酸(C)的pKa具体来说是：马来酸pKa＝1.92、磷酸pKa＝2.12、丙二酸pKa＝2.60、甲酸pKa＝3.75、苯甲酸pKa＝4.2、苯基乙酸pKa＝4.31、乙酸pKa＝4.76、丁酸pKa＝4.83、2-甲基丙酸pKa＝4.84、丙酸pKa＝4.87、2,2-二甲基丙酸pKa＝5.03、硝酸pKa＝-1.5，盐酸pKa＝-8。

4.水(D)

在本发明中，水(D)的摩尔量相对于上述有机硅化合物(A)与上述金属化合物(B)的合计摩尔量的比[D/(A+B)]为3.1～130。通过控制该比[D/(A+B)]，能够兼顾防水·防油性和耐磨耗性。

混合组合物中的水(D)的摩尔量相对于上述有机硅化合物(A)与上述金属化合物(B)的合计摩尔量的比[D/(A+B)]优选为3.15以上，优选为10以上，更优选为20以上，且优选为127以下，更优选为100以下，进一步优选为90以下，特别优选为80以下。

在将组合物的整体设为100质量％时，上述水(D)的量优选为0.01质量％～2.0质量％。通过使上述水的量为2.0质量％以下，从而能够使被膜形成时的反应平稳地进行，能够形成良好的被膜。在将组合物的整体设为100质量％时，上述水(D)的量优选为1.5质量％以下，更优选为1.3质量％以下，进一步优选为1.0质量％以下，优选为0.01质量％以上，更优选为0.015质量％以上，进一步优选为0.02质量％以上。

本发明的混合组合物是上述有机硅化合物(A)、金属化合物(B)、酸(C)和水(D)混合而成的组合物，可通过将这些(A)～(D)混合而得到。

5.溶剂(E)

本发明的组合物中可使用溶剂(E)。上述溶剂(E)是指水以外的溶剂，例如，可举出醇系溶剂、醚系溶剂、酮系溶剂、酯系溶剂、酰胺系溶剂等。作为上述醇系溶剂，例如可举出甲醇、乙醇、丙醇、2-丙醇(异丙醇)、丁醇、乙二醇、丙二醇、二乙二醇等。作为上述醚系溶剂，例如可举出二甲氧基乙烷、四氢呋喃、二

烷等。作为上述酮系溶剂，例如可举出丙酮、甲基乙基酮(2-丁酮)等。作为上述酯系溶剂，例如可举出乙酸乙酯、乙酸丁酯等。作为上述酰胺系溶剂，例如可举出二甲基甲酰胺等。在它们之中，优选为醇系溶剂或醚系溶剂，更优选为醇系溶剂。

在将组合物的整体设为100质量％时，上述溶剂(E)的量优选为10质量％以上，更优选为50质量％以上，进一步优选为90质量％以上，特别优选为95质量％以上，优选为99.95质量％以下，更优选为99.90质量％以下，进一步优选为99.88质量％以下。

在不会阻碍本发明的效果的范围内，本发明的组合物中例如也可使抗氧化剂、防锈剂、紫外线吸收剂、光稳定剂、防霉剂、抗菌剂、生物附着防止剂、除臭剂、颜料、阻燃剂、抗静电剂等各种添加剂共存。

通过使本发明的组合物固化，从而可得到膜。固化而成的膜成为防液层，防水、防油性和耐磨耗性优异。

本发明的组合物固化而成的膜也可形成在基板上。

作为使本发明的组合物(以下，也称为防液层形成用组合物)与基材接触的方法，例如可举出将组合物涂布于基材的方法。具体来说，可举出旋涂法、浸涂法、喷涂法、辊涂法、棒涂法、手工涂布(使液体渗入至布等中并涂抹在基材的方法)、冲流(使用滴管等将液体直接施加至基材并进行涂布的方法)、喷雾(使用喷雾而对基材进行涂布的方法)等。特别是，从操作性的观点出发，优选旋涂法、喷涂法、手工涂布、冲流、喷雾，更优选旋涂法、手工涂布、喷雾，进一步优选为旋涂法。

在使本发明的防液层形成用组合物与基材接触的状态下，在空气中于常温下静置(例如，10小时～48小时)、或者加热(例如，300℃以下，特别是80～300℃)1小时～10小时左右，由此促进水解性基团的水解和缩聚，从而可在基材上形成被膜。

上述被膜的膜厚例如可以是0.5nm～100nm左右。

接触本发明的防液层形成用组合物的基材没有特别限定，基材的形状可以是平面、曲面的任一种，也可以是将多个面组合而成的三维结构。

上述基材的材质也没有限定，可由有机系材料、无机系材料中的任一种构成。作为上述有机系材料，例如可举出丙烯酸树脂、聚碳酸酯树脂、聚酯树脂、苯乙烯树脂、丙烯酸-苯乙烯共聚树脂、纤维素树脂、聚烯烃树脂等热塑性树脂；酚醛树脂、脲树脂、三聚氰胺树脂、环氧树脂、不饱和聚酯、硅酮树脂、聚氨酯树脂等热固化性树脂等。作为上述无机系材料，例如可举出陶瓷；玻璃；铁、硅、铜、锌、铝等金属；包含上述金属的合金等。

也可对上述基材预先实施易粘接处理。作为上述易粘接处理，例如可举出电晕处理、等离子体处理、紫外线处理等亲水化处理。另外，也可实施利用树脂、硅烷偶联剂、四烷氧基硅烷等的底漆处理，也可对基材预先涂布聚硅氮烷等玻璃被膜。

优选在由本发明的防液层形成用组合物得到的被膜与上述基材之间进一步形成中间层。即，优选在基材上形成由中间层形成用组合物得到的中间层，在该中间层的表面(与基材相反侧的表面)形成由上述防液层形成用组合物得到的防液层。

作为上述中间层形成用组合物，例如可举出含有聚硅氮烷(F)并进一步混合有选自下述式(g1)表示的金属化合物及其缩合物中的至少1种的金属化合物(G)、和/或包含硅氧烷链的化合物(H)的混合组合物。通过在上述防液层与上述基材之间形成由这样的中间层形成用组合物得到的中间层，与在基材上仅形成防液层的情况相比，促进防液层的形成反应，防液层的交联密度变高，防液层的耐磨耗性显著提高。另外，以往在以实用的速度形成防液层时需要加热，但通过在上述防液层与上述基材之间形成上述中间层，在实用速度下的防液层的常温固化变得容易。

M(R^g10)_r(A^g1)_m-r (g1)

[式(g1)中，M表示Al、Fe、In、Ge、Hf、Si、Ti、Sn、Zr或Ta，R^g10表示含有烃链的基团或氢原子，r为0或1。多个A^g1各自独立地表示水解性基团，m是金属原子M的价数，为选自3～5的整数。]

以下，对中间层形成用组合物进行说明。

11.聚硅氮烷(F)

上述中间层形成用组合物至少含有聚硅氮烷(F)。上述聚硅氮烷(F)只要是具有硅-氮键的化合物，则没有特别限定，优选具有下述式(f1)表示的结构单元。

[式(f1)中，R^f11、R^f12和R^f13各自独立地表示氢原子、可具有取代基的碳原子数1～10的烃基、或烷基甲硅烷基。]

作为R^f11～R^f13表示的碳原子数1～10的烃基，可举出：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基等直链状的饱和脂肪族烃基；异丙基、仲丁基、叔丁基、甲基戊基、乙基戊基、甲基己基、乙基己基、丙基己基、叔辛基等分支状饱和脂肪族烃基；环戊基、环己基、环庚基、环辛基等环状饱和脂肪族烃基；乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基等不饱和脂肪族烃基；苯基、萘基、对叔丁基苯基、甲苯基、二甲苯基、异丙苯基、均三甲苯基、2,6-二乙基苯基、2-甲基-6-乙基苯基等芳香族烃基；烷基环烷基、环烷基烷基、芳烷基等上述例示的烃基组合而成的基团。

作为该碳原子数1～10的烃基可具有的取代基，可举出选自氟原子、氯原子、溴原子、碘原子中的卤素原子；羟基；硝基；氨基；氰基；硫醇基；环氧基；缩水甘油氧基；(甲基)丙烯酰氧基；形成环的原子数为6～12的杂芳基；甲氧基、乙氧基等碳原子数1～3的烷氧基；形成环的碳原子数为6～12的芳氧基等。

作为R^f11～R^f13表示的碳原子数1～10的烃基，优选为未被取代的碳原子数1～10的饱和脂肪族烃基，更优选为未被取代的碳原子数1～6的直链状的饱和脂肪族烃基，进一步优选为未被取代的甲基、乙基、丙基、或丁基，最优选为甲基。

作为R^f11～R^f13表示的烷基甲硅烷基，可举出：三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三正丙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、甲基二乙基甲硅烷基、二甲基甲硅烷基、二乙基甲硅烷基、甲基甲硅烷基、乙基甲硅烷基等。

上述聚硅氮烷(F)优选具有在上述式(f1)中R^f11和R^f12至少一方为碳原子数1～10的烃基的结构单元(f2)，即为有机聚硅氮烷。另外，R^f13优选为氢原子。

上述聚硅氮烷(F)除了上述结构单元(f2)以外，更优选进一步具有下述式(f3)表示的结构单元。

[式(f3)中，R^f31和R^f32各自独立地表示氢原子或碳原子数1～10的烃基，Y^f表示碳原子数1～10的2价的烃基，多个X^f各自独立地表示水解性基团。]

作为R^f31和R^f32表示的碳原子数1～10的烃基，可举出与上述R^f11～R^f13表示的碳原子数1～10的烃基中说明的基团相同的基团。其中，优选为碳原子数1～10的饱和脂肪族烃基，更优选为碳原子数1～6的直链状的饱和脂肪族烃基，进一步优选为甲基、乙基、丙基或丁基。

作为Y^f表示的2价的烃基，其碳原子数优选为1～4，更优选为1～3，进一步优选为1～2。上述2价的烃基优选为链状，在链状的情况下，可以是直链状、支链状中的任一种。另外，上述2价的烃基优选为2价脂肪族烃基，优选为烷二基。作为上述2价的烃基，可举出亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基等。

进而，上述2价的烃基所包含的一部分-CH₂-可以被取代为-O-。该情况下，连续的2个-CH₂-不会同时被取代为-O-，与Si原子邻接的-CH₂-不会被取代为-O-。在2个以上的-CH₂-被取代为-O-的情况下，-O-与-O-间的碳原子数优选为2～4，进一步优选为2～3。作为2价的烃基的一部分被取代为-O-而成的基团，具体来说，可例示具有(聚)乙二醇单元的基团、具有(聚)丙二醇单元的基团等。

作为X^f表示的水解性基团，只要是通过水解而提供羟基(硅烷醇基)的基团即可，例如可优选举出：甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等碳原子数1～4的烷氧基；羟基；乙酰氧基；氯原子；异氰酸酯基等。其中，优选为碳原子数1～4的烷氧基，更优选为碳原子数1～2的烷氧基。多个X^f可以相同，也可以不同，优选相同。

相对于上述聚硅氮烷(F)100质量％，上述式(f3)的SiX^f ₃基团优选含有2质量％以上，更优选为5质量％以上，进一步优选为8质量％以上。上限没有限定，但可以是50质量％以下，也可以是40质量％以下，也可以是30质量％以下。

在上述聚硅氮烷(F)为有机聚硅氮烷的情况下，可适宜选择Si-H的氢原子、以及键合于Si的碳原子数1～10的烃基的含有比，例如，烃基/氢原子的摩尔比为0.1～50，优选为0.2～10。应予说明，这些摩尔比可根据NMR测定等算出。

在将组合物的整体设为100质量％时，上述聚硅氮烷(F)的量优选为0.01质量％以上，更优选为0.05质量％以上，进一步优选为0.1质量％以上，再优选为0.3质量％以上，另外优选为2.5质量％以下，更优选为2质量％以下，进一步优选为1.5质量％以下，再优选为1质量％以下。

12.金属化合物(G)

在上述中间层形成用组合物中，可使用选自下述式(g1)表示的金属化合物及其缩合物中的至少1种的金属化合物(G)。

M(R^g10)_r(A^g1)_m-r (g1)

上述金属化合物(G)如上述式(g1)所示，是在金属原子M上至少键合有水解性基团A^g1的化合物。应予说明，在本说明书中，“金属”一词是以包含Si或Ge等准金属的含义来使用的。

上述金属原子M优选为Al、Si、Ti、Sn或Zr，更优选为Al、Si、Ti或Zr，进一步优选为Si。

上述A^g1表示的水解性基团和上述R^g10表示的含有烃链的基团可从上述有机硅化合物(A)中说明的水解性基团以及含有烃链的基团中适宜选择，优选的范围也相同。

上述中间层形成用组合物可含有2种以上的上述式(g1)表示的金属化合物及其缩合物。

作为上述金属化合物(G)，可举出金属化合物G1或金属化合物G2，金属化合物G1中，r＝0、即仅水解性基团A^g1键合于金属原子M；金属化合物G2中，r＝1、即1个含有烃链的基团或氢原子和2个以上水解性基团A^g1键合于金属原子M。

(金属化合物G1)

作为仅水解性基团A^g1键合于金属原子M的金属化合物G1，具体来说，可举出：三乙氧基铝、三丙氧基铝、三丁氧基铝等三烷氧基铝；三乙氧基铁等三烷氧基铁；三甲氧基铟、三乙氧基铟、三丙氧基铟、三丁氧基铟等三烷氧基铟；四甲氧基锗、四乙氧基锗、四丙氧基锗、四丁氧基锗等四烷氧基锗；四甲氧基铪、四乙氧基铪、四丙氧基铪、四丁氧基铪等四烷氧基铪；四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四丙氧基硅烷、四丁氧基硅烷等四烷氧基硅烷；四甲氧基钛、四乙氧基钛、四丙氧基钛、四丁氧基钛等四烷氧基钛；四甲氧基锡、四乙氧基锡、四丙氧基锡、四丁氧基锡等四烷氧基锡；四甲氧基锆、四乙氧基锆、四丙氧基锆、四丁氧基锆等四烷氧基锆；五甲氧基钽、五乙氧基钽、五丙氧基钽、五丁氧基钽等五烷氧基钽等。

(金属化合物G2)

作为1个含有烃链的基团或氢原子和2个以上水解性基团A^g1键合于金属原子M的金属化合物G2，优选金属原子M为4价金属(Ge、Hf、Si、Ti、Sn、Zr等)，作为金属原子M为Si的情况下的具体例子，可举出：甲基三甲氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、甲基三丙氧基硅烷等烷基三烷氧基硅烷；乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷等烯基三烷氧基硅烷；三甲氧基硅烷、三乙氧基硅烷、三丙氧基硅烷等三烷氧基硅烷；二甲氧基甲基硅烷、二乙氧基甲基硅烷等二烷氧基烷基硅烷等。

作为上述金属化合物(G)，具体来说，优选为选自下述式(g2)表示的化合物及其缩合物中的至少1种。

Si(OR^g21)_z(R^g22)_4-z (g2)

[式(g2)中，R^g21表示碳原子数1～6的烷基，R^g22表示含有烃链的基团或氢原子，z为3或4。]

作为上述R^g21表示的烷基，可举出甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等。上述R^g21表示的烷基的碳原子数优选为1～4，更优选为1～3，进一步优选为1或2。

作为R^g22表示的含有烃链的基团，可举出与上述R^g10表示的含有烃链的基团中说明的基团相同的基团，优选的范围也相同。

作为上述式(g1)表示的金属化合物的缩合物，例如可举出通过在多个式(g1)表示的金属化合物之间水解性基团发生水解·缩合反应而形成的化合物。多个式(g1)表示的金属化合物可以相同，也可以不同。优选为缩合了2～60个上述式(g1)表示的金属化合物的缩合物，更优选为缩合了2～40个的缩合物，进一步优选为缩合了2～20个的缩合物，特别优选为缩合了2～10个的缩合物。可使上述式(g1)表示的金属化合物水解缩合而得到缩合物，也可适当使用市售的硅氧烷寡聚物、树脂。

上述金属化合物(G)优选为选自上述式(g2)表示的化合物及其缩合物中的至少1种。

作为上述式(g2)表示的化合物的缩合物，优选为通过在多个式(g2)表示的金属化合物之间(OR^g21)基进行水解·缩合反应而形成的化合物，多个式(g2)表示的金属化合物可以相同，也可以不同。作为式(g2)表示的化合物的缩合物，优选为缩合了2～60个式(g2)表示的金属化合物的缩合物，更优选为缩合了2～40个的缩合物，进一步优选为缩合了2～20个的缩合物，特别优选为缩合了2～10个的缩合物。

另外，也可使用2种以上的上述金属化合物(G)。

在上述中间层形成用组合物中使用上述金属化合物(G)的情况下，将中间层形成用组合物的整体设为100质量％时，上述金属化合物(G)的量例如优选为0.01质量％以上，更优选为0.05质量％以上，进一步优选为0.1质量％以上，另外，优选为10质量％以下，更优选为3质量％以下，进一步优选为1质量％以下。

在上述中间层形成用组合物中使用上述金属化合物(G)的情况下，将中间层形成用组合物的整体设为100质量％时，上述聚硅氮烷(F)和上述金属化合物(G)的合计量例如优选为0.02质量％以上，更优选为0.1质量％以上，另外，优选为10质量％以下，更优选为5质量％以下，进一步优选为3质量％以下。

13.包含硅氧烷链的化合物(H)

上述中间层形成用组合物中也可使用包含硅氧烷链的化合物(H)。

上述包含硅氧烷链的化合物(H)只要是具有至少1个硅氧烷键的化合物，就没有特别限定，硅氧烷链可以是直链状也可以是支链状，优选为直链状。

上述硅氧烷链优选包含二烷基硅氧烷链，更优选包含直链状二烷基硅氧烷链。另外，上述硅氧烷链可进一步包含硅氧烷键以外的2价基团，作为该2价基团，可举出2价的烃基、2价的烃基的一部分亚甲基(-CH₂-)被取代为氧原子而成的基团、以及-O-等。

在上述硅氧烷链的末端，优选键合有甲硅烷基。甲硅烷基是在硅原子上键合了3个取代基的基团，作为该取代基，可举出氢原子、含有烃链的基团、烷基甲硅烷基氧基、含有烷基甲硅烷基和硅氧烷链的基团以及水解性基团等。

上述含有烃链的基团是指至少一部分具有烃基的基团，通常仅由烃基(烃链)构成，根据需要，也可以是该烃链的一部分亚甲基(-CH₂-)被取代为氧原子而成的基团。另外，与Si原子邻接的亚甲基(-CH₂-)不会被取代为氧原子，另外，连续的2个亚甲基(-CH₂-)也不会同时被取代为氧原子。应予说明，对于烃链部分的碳原子数，在非氧取代型的含有烃链的基团的情况下，是指构成烃基(烃链)的碳原子的数量，在氧取代型的含有烃链的基团的情况下，是指将氧原子假定为亚甲基(-CH₂-)并计数而得的碳原子的数量。以下，只要没有特别说明，则以非氧取代型的含有烃链的基团(即1价烃基)为例，对含有烃链的基团进行说明，在任一说明中，均可将其亚甲基(-CH₂-)中的一部分取代为氧原子。

对于上述含有烃链的基团，在其为烃基的情况下，碳原子数优选为1～3，更优选为1。另外，上述含有烃链的基团可以是支链也可以是直链。上述含有烃链的基团优选为含有饱和或不饱和的脂肪族烃链的基团，更优选为含有饱和脂肪族烃链的基团。作为上述含有饱和脂肪族烃链的基团，更优选为饱和脂肪族烃基(烷基)。在饱和脂肪族烃基中，例如包含甲基、乙基、丙基等。

作为上述水解性基团，只要是通过水解而提供羟基(硅烷醇基)的基团即可，例如可优选举出：甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等碳原子数1～6的烷氧基；羟基；乙酰氧基；氯原子；异氰酸酯基等。其中，优选为碳原子数1～6的烷氧基，更优选为碳原子数1～4的烷氧基，进一步优选为碳原子数1～2的烷氧基。

在1个硅原子具有多个取代基的情况下，多个取代基可以相同，也可以不同。

在上述硅氧烷链的至少一侧的末端，优选键合有键合了至少1个水解性基团的硅原子，更优选键合有键合了2个以上水解性基团的硅原子，进一步优选键合有键合了3个水解性基团的硅原子。该键合了水解性基团的硅原子可键合于硅氧烷链的单个末端，也可键合于硅氧烷链的两个末端，但优选为仅键合于单末端侧。

更优选在上述硅氧烷链的两个末端键合有具有3个烷氧基作为取代基的甲硅烷基(三烷氧基甲硅烷基)、具有3个烷基作为取代基的甲硅烷基(三烷基甲硅烷基)、以及具有3个三烷基甲硅烷基氧基作为取代基的甲硅烷基[三(三烷基甲硅烷基氧基)甲硅烷基]中的任一者，特别优选在一个末端侧键合有三烷氧基甲硅烷基，在另一个末端侧键合有三烷基甲硅烷基或三(三烷基甲硅烷基氧基)甲硅烷基。

作为上述包含硅氧烷链的化合物(H)的更优选的方式，是具有三烷基甲硅烷基和硅氧烷链的分子链(以下，也将该分子链称为“分子链(ts1)”)键合于至少1个硅原子(以下，也将该硅原子称为“中心硅原子”)的化合物。

上述包含硅氧烷链的化合物(H)中，键合于中心硅原子的分子链(ts1)的个数为1个以上，优选为3个以下，更优选为2个以下，特别优选为1个。

在上述包含硅氧烷链的化合物(H)的中心硅原子，除了分子链(ts1)之外，也可键合有水解性基团、原子数比构成上述分子链(ts1)的原子数少的含有硅氧烷骨架的基团、或含有碳原子数比构成分子链(ts1)的原子数少的烃链的含有烃链的基团。

上述包含硅氧烷链的化合物(H)具体来说优选为下述式(h1)表示的化合物。

[式(h1)中，R^h1表示具有三烷基甲硅烷基和硅氧烷链的分子链，A^h1各自独立地表示水解性基团，Z^h1表示具有三烷基甲硅烷基和硅氧烷链的分子链、含有硅氧烷骨架的基团、或含有烃链的基团，R^h1和Z^h1的上述三烷基甲硅烷基所包含的氢原子可以被取代为氟原子，x表示0～3的整数。]

上述R^h1的具有三烷基甲硅烷基和硅氧烷链的分子链[分子链(ts1)]是具有含有三烷基甲硅烷基的基团键合于上述硅氧烷链的末端的结构的1价基团。含有三烷基甲硅烷基的基团的烷基也可以被取代为氟烷基。

上述含有三烷基甲硅烷基的基团是包含至少1个三烷基甲硅烷基的基团，优选包含2个以上，进一步优选包含3个三烷基甲硅烷基。

上述含有三烷基甲硅烷基的基团与上述有机硅化合物(A)同样，优选上述式(s1)表示的基团。

在分子链(ts1)中，含有三烷基甲硅烷基的基团优选键合于上述硅氧烷链的末端(自由端侧)，特别优选键合于硅氧烷链的主链(最长直链)的末端(自由端侧)。

键合有含有三烷基甲硅烷基的基团的硅氧烷链与上述说明的硅氧烷链同样，优选含有直链状二烷基硅氧烷链。另外，上述分子链可含有2价的烃基。即便分子链的一部分为2价的烃基，但是剩余部分仍为二烷基硅氧烷链，因此，得到的被膜的化学和物理耐久性良好。

上述硅氧烷链优选上述有机硅化合物(A)所示的上述式(s2)表示的基团。

作为分子链(ts1)中含有的硅氧烷链，可举出上述有机硅化合物(A)所示的含有三烷基甲硅烷基的分子链中含有的分子链。

另外，构成分子链(ts1)的原子的合计数只要是与构成上述有机硅化合物(A)所示的含有三烷基甲硅烷基的分子链的原子的合计数相同的范围即可。

分子链(ts1)优选为上述有机硅化合物(A)表示的上述式(s3)表示的基团。

上述分子链(ts1)优选为上述有机硅化合物(A)表示的上述式(s3-1)或上述式(s3-2)表示的基团，更优选为上述式(s3-2)表示的基团。

作为分子链(ts1)，可举出上述有机硅化合物(A)表示的上述式(s3-I)表示的基团。

接下来，对式(h1)中的A^h1进行说明。A^h1为水解性基团，只要是通过水解而提供羟基(硅烷醇基)的基团即可，例如可优选举出：甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等碳原子数1～6的烷氧基；羟基；乙酰氧基；氯原子；异氰酸酯基等。其中，优选为碳原子数1～6的烷氧基，更优选为碳原子数1～4的烷氧基，进一步优选为碳原子数1～2的烷氧基。

式(h1)中的Z^h1表示具有三烷基甲硅烷基和硅氧烷链的分子链、含有硅氧烷骨架的基团、或含有烃链的基团。在Z^h1为具有三烷基甲硅烷基和硅氧烷链的分子链的情况下，可举出与上述R^h1同样的基团。

在Z^h1为含有硅氧烷骨架的基团的情况下，该含有硅氧烷骨架的基团为含有硅氧烷单元(Si-O-)的1价基团，优选以数量比构成R^h1的分子链(ts1)的原子数少的原子构成。由此，含有硅氧烷骨架的基团成为相比于分子链(ts1)长度短或立体展宽(体积大小)小的基团。含有硅氧烷骨架的基团中也可包含2价的烃基。

上述含有硅氧烷骨架的基团优选为上述有机硅化合物(A)所示的上述式(s4)表示的基团。

含有硅氧烷骨架的基团的原子数的合计优选与上述含有硅氧烷骨架的基团的原子数的合计同样的范围。另外，R^h1的分子链(ts1)与Z^h1的含有硅氧烷骨架的基团的原子数之差优选为10以上，更优选为20以上，优选为1000以下，更优选为500以下，进一步优选为200以下。

作为含有硅氧烷骨架的基团，具体来说，可举出作为上述含有硅氧烷骨架的基团而具体示出的基团。

在Z^h1为含有烃链的基团的情况下，只要烃链部分的碳原子数比构成分子链(ts1)的原子数少即可。另外，优选烃链的最长直链的碳原子数比构成分子链(ts1)的最长直链的原子数少。作为含有烃链的基团，可例示与上述例示的含有烃链的基团同样的基团。

式(h1)中的x优选为2以下的整数，更优选为0或1，进一步优选为0。

式(h1)表示的包含硅氧烷链的化合物(H)优选为上述有机硅化合物(A)所示的上述式(a2)表示的化合物。优选的范围也相同。

作为上述包含硅氧烷链的化合物(H)，更优选为下述式(h3)和下述式(h4)表示的化合物。

[式(h3)中，n2为1～60的整数。]

[式(h4)中，n4为1～60的整数。]

上述n2和n4更优选为2以上的整数，进一步优选为3以上的整数，更优选为50以下的整数，进一步优选为45以下的整数，再优选为30以下的整数，特别优选为25以下的整数。

通过含有规定量的包含硅氧烷链的化合物(H)，从而使组合物与基材接触时的涂布性提高。

作为上述包含硅氧烷链的化合物(H)的合成方法的例子，可举出日本专利特开2017-201009号公报中记载的方法。

在上述中间层形成用组合物中使用上述包含硅氧烷链的化合物(H)的情况下，将中间层形成用组合物的整体设为100质量％时，上述包含硅氧烷链的化合物(H)的量例如优选为0.005质量％以上，更优选为0.01质量％以上，另外，优选为0.3质量％以下，更优选为0.2质量％以下。

在上述中间层形成用组合物中使用上述包含硅氧烷链的化合物(H)的情况下，将中间层形成用组合物的整体设为100质量％时，上述聚硅氮烷(F)和上述包含硅氧烷链的化合物(H)的合计量例如优选为0.01质量％以上，更优选为0.1质量％以上，进一步优选为0.3质量％以上，另外优选为5质量％以下，更优选为2.6质量％以下，进一步优选为2质量％以下，特别优选为1.5质量％以下。

在上述中间层形成用组合物含有上述聚硅氮烷(F)并且进一步使用上述金属化合物(G)以及上述包含硅氧烷链的化合物(H)的情况下，它们的合计量在将中间层形成用组合物的整体设为100质量％时，例如优选为0.3质量％以上，更优选为0.4质量％以上，另外，优选为5质量％以下，更优选为3质量％以下。

上述中间层形成用组合物例如是含有聚硅氮烷(F)且进一步混合有金属化合物(G)和/或包含硅氧烷链的化合物(H)的混合组合物，通过混合(F)、(G)和/或(H)而得到。

14.溶剂(I)

上述中间层形成用组合物中可使用溶剂(I)。

作为上述溶剂(I)，例如可举出醇系溶剂、醚系溶剂、酮系溶剂、酯系溶剂、酰胺系溶剂、脂肪族烃系溶剂、芳香族烃系溶剂等。作为上述醇系溶剂，除了作为上述溶剂(E)而例示的溶剂以外，还可举出1-丙氧基2-丙醇等。作为上述醚系溶剂，除了作为上述溶剂(E)而例示的溶剂以外，还可举出二丁基醚等。作为上述酮系溶剂，可举出作为上述溶剂(E)而例示的溶剂。作为上述酯系溶剂，可举出作为上述溶剂(E)而例示的溶剂。作为上述酰胺系溶剂，可举出作为上述溶剂(E)而例示的溶剂。作为上述脂肪族烃系溶剂，例如可举出戊烷、己烷、庚烷、辛烷、异辛烷、环戊烷、环己烷、环庚烷、甲基环己烷、矿油精(Mineral Spirit)等，作为上述芳香族烃系溶剂，例如可举出苯、甲苯、二甲苯、氯苯、二氯苯等。其中，优选为酮系溶剂、醚系溶剂、酯系溶剂、脂肪族烃系溶剂，更优选为脂肪族烃系溶剂。这些溶剂可以使用1种，也可适宜混合2种以上使用。从可以使涂布液的稳定性增加且减少涂敷位移或涂敷时的异物来看，上述溶剂(I)优选不具有水分。

在将中间层形成用组合物的整体设为100质量％时，上述溶剂(I)的量例如优选为50质量％以上，更优选为80质量％以上，进一步优选为90质量％以上，特别优选为95质量％以上。上限根据聚硅氮烷(F)、金属化合物(G)、包含硅氧烷链的化合物(H)、以及这些以外的添加成分(以下称为第三成分)的量来设定，聚硅氮烷(F)、金属化合物(G)、包含硅氧烷链的化合物(H)和第三成分以外可以是溶剂(I)。

在制备上述中间层形成用组合物时，可以使催化剂共存。

上述催化剂优选为能够使聚硅氮烷固化的催化剂，例如可举出1-甲基哌嗪、1-甲基哌啶、4,4'-三亚甲基二哌啶、4,4'-三亚甲基双(1-甲基哌啶)、二氮杂双环-[2,2,2]辛烷、顺-2,6-二甲基哌嗪、4-(4-甲基哌啶)吡啶、吡啶、二吡啶、α-甲基吡啶、β-甲基吡啶、γ-甲基吡啶、哌啶、二甲基吡啶、嘧啶、哒嗪、4,4'-三亚甲基二吡啶、2-(甲基氨基)吡啶、吡嗪、喹啉、喹喔啉、三嗪、吡咯、3-吡咯啉、咪唑、三唑、四唑、1-甲基吡咯烷等N-杂环状化合物；例如可举出甲基胺、二甲基胺、三甲基胺、乙基胺、二乙基胺、三乙基胺、丙基胺、二丙基胺、三丙基胺、丁基胺、二丁基胺、三丁基胺、戊基胺、二戊基胺、三戊基胺、己基胺、二己基胺、三己基胺、庚基胺、二庚基胺、辛基胺、二辛基胺、三辛基胺、苯基胺、二苯基胺、三苯基胺等胺类；例如可举出1,8-二氮杂双环[5,4.0]7-十一烯(DBU)、1,5-二氮杂双环[4,3.0]5-壬烯(DBN)、1,5,9-三氮杂环十二烷、1,4,7-三氮杂环壬烷等。

另外，作为催化剂，除了上述催化剂以外，还优选作为键合于硅原子的水解性基团的水解·缩合催化剂发挥作用的催化剂，作为这样的催化剂，例如可举出酸性化合物；碱性化合物；有机金属化合物等。作为上述酸性化合物，可举出盐酸、硝酸、硫酸、磷酸、过氧化氢、氯酸、次氯酸等无机酸；乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、马来酸、硬脂酸等有机酸等。作为上述碱性化合物，可举出氨等。作为上述有机金属化合物，可举出以Al、Fe、Zn、Sn等金属元素为中心金属的有机金属化合物，可举出羧酸铝、乙酰丙酮铝络合物、乙酰乙酸乙酯铝络合物等有机铝化合物；羧酸铁(辛酸铁等)等有机铁化合物；乙酰丙酮化锌一水合物、环烷酸锌、辛酸锌等有机锌化合物；二丁基二乙酸锡络合物等有机锡化合物，此外，作为有机金属化合物，可举出包含Ni、Ti、Pt、Rh、Co、Ru、Os、Pd、Ir等的金属羧酸盐；包含Ni、Pt、Pd、Rh等的乙酰丙酮络合物；Au、Ag、Pd、Ni、Zn、Ti等的金属微粒；金属过氧化物；金属氯化物；二茂铁(Ferrocene)、二茂锆(Zirconocene)等金属的环戊二烯基络合物等。

在不损害本发明的效果的范围内，在上述中间层形成用组合物中，可以使上述添加剂共存。

作为使上述中间层形成用组合物与上述基材接触的方法，可采用作为使上述防液层形成用组合物与上述基材接触的方法而例示的方法。

如上述那样，使在基材上接触的中间层形成用组合物在空气中、常温下静置，从而与空气中的水分反应并进行分解与硅氧基化，由此，可在基材上形成含有Si-O骨架的被膜。静置时间没有特别限定，但优选为1分钟以上，更优选为2分钟以上。另外，从实用性的观点出发，优选为12小时以下，更优选为1小时以下，进一步优选为30分钟以下，再优选为10分钟以下。

上述中间层的膜厚例如可以是0.1nm～200nm左右，优选为0.2nm～100nm，更优选为0.3nm～50nm。

本发明的防液层形成用组合物固化而成的膜上的液滴(具体来说为水滴)的接触角优选为95°以上，更优选为100°以上，进一步优选为101°以上。该接触角可按照后述的实施例的测定法来确定。

本发明的防液层形成用组合物固化而成的膜上的液滴(具体来说为水滴)的滑落速度优选为20mm/秒以上，更优选为25mm/秒以上，进一步优选为30mm/秒以上，特别优选为45mm/秒以上。该滑落速度可按照后述的实施例的测定法来确定。

本发明的防液层形成用组合物固化而成的膜显示出优选为400次以上、更优选为1200次以上、进一步优选为1600次以上、特别优选为2000次以上的耐磨耗性。该耐磨耗性可按照后述的实施例的测定方法来确定。

实施例

以下，举出实施例对本发明进行更具体的说明，但本发明不受下述实施例所限定，在符合上述和后述的主旨的范围内能够进行适当变更而实施，这些均包含在本发明的技术范围内。应予说明，以下只要没有特别说明，“份”是指“质量份”，“％”是指“质量％”。

(中间层形成用组合物I的制作)

使Durazane(注册商标)1500rapid cure(MERCK公司制)0.15份、四乙氧基硅烷0.09份和上述表3-2所示的(A-I-26)中n10的平均值为24的化合物[以下记为化合物(1)，分子量2212.52]0.015份溶解在异辛烷29.75份中，得到中间层形成用组合物I。应予说明，Durazane(注册商标)1500rapid cure具有以下的下述式(f4)表示的结构单元。

上述式(f4)中，R表示氢原子或甲基。

Durazane(注册商标)1500rapid cure(MERCK公司制)具有9质量％～27质量％的Si(OC₂H₅)₃基，另外，上述(f4)中的结构中的SiH基的氢原子与Si-CH₃基的甲基的摩尔比(甲基/氢原子)为2.39。上述Si(OC₂H₅)₃基的质量比和氢原子与甲基的摩尔比基于¹H-NMR(400MHz，基准：CDCl₃(＝7.24ppm))的积分值来确定。即，由积分值求出有机聚硅氮烷中的SiH、SiCH₃和Si(OCH₂CH₃)₃的摩尔比，算出氢原子与甲基的摩尔比。另外，分别换算成质量比，算出有机聚硅氮烷中包含的Si(OC₂H₅)₃基的质量％。

(防液层形成用组合物No.1的制作)

将上述化合物(1)0.014份、三乙氧基硅烷0.036份溶解在异丙醇0.1027份中，在室温下搅拌10分钟。向得到的溶液中滴加0.0000733份乙酸和0.0128份水后，在65℃下搅拌2小时，得到试样溶液1。用异丙醇46.7038份稀释得到的试样溶液1，制作防液层形成用组合物No.1。防液层形成用组合物No.1中的各化合物的比例(质量％)如下述表5-1所述(在其它实施例和比较例也相同)。

＜被膜No.1＞

将通过大气压等离子处理使表面活化的玻璃基板5×5cm²(EAGLE XG，Corning公司)以仰角45°的方式设置，将500μL上述中间层形成用组合物I从玻璃基板上表面冲流，在常温常湿下干燥5分钟。再从其上冲流500μL上述防液层形成用组合物No.1，在常温常湿下风干1天，由此在玻璃基板上形成被膜(中间层和防液层)。

(防液层形成用组合物No.2～No.10、No.21、No.22)

在上述防液层形成用组合物No.1中，将有机硅化合物(A)、金属化合物(B)、酸(C)、水(D)和溶剂(E)的种类和/或量如下述表5-1或表5-2所示那样进行变更，除此以外，与上述防液层形成用组合物No.1同样地制作防液层形成用组合物No.2～No.10、No.21、No.22。

＜被膜No.2～No.9、No.14、No.21、No.22＞

在与上述被膜No.1相同的条件下，从玻璃基板上表面冲流500μL上述中间层形成用组合物I，在常温常湿下干燥5分钟。再从其上冲流500μL的上述防液层形成用组合物No.2～No.10、No.21或No.22，在常温常湿下风干1天，由此在玻璃基板上形成被膜(中间层和防液层)。

＜被膜No.10、No.11＞

使用下述中间层形成用组合物II或中间层形成用组合物III来代替中间层形成用组合物I，除此以外，在与上述被膜No.1相同的条件下，从玻璃基板上表面冲流500μL中间层形成用组合物II或中间层形成用组合物III，在常温常湿下干燥5分钟。再从其上冲流500μL上述防液层形成用组合物No.1，在常温常湿下风干1天，由此在玻璃基板上形成被膜(中间层和防液层)。

(中间层形成用组合物II的制作)

使Durazane(注册商标)1500rapid cure(MERCK公司制)0.15份和0.015份上述化合物(1)溶解在异辛烷29.84份中，得到中间层形成用组合物II。

(中间层形成用组合物III的制作)

使上述Durazane(注册商标)1500rapid cure(MERCK公司制)0.15份和三乙氧基硅烷0.09份溶解在异辛烷29.84份中，得到中间层形成用组合物III。

＜被膜No.12、No.13＞

将通过大气压等离子处理使表面活化的玻璃基板5×5cm²(EAGLE XG，Corning公司)以仰角45°的方式设置，冲流500μL的上述防液层形成用组合物No.1或No.4，在常温常湿下风干1天，由此在玻璃基板上形成被膜(防液层)。

[表5-1]

[表5-2]

对于上述被膜No.1～No.14、No.21、No.22，按照以下要领评价特性。

(接触角)

使用协和界面科学公司制的接触角测定装置“DM700”，使水滴量为3.0μL，解析方法为θ/2法，测定被膜表面对于水的接触角。将接触角为95°以上的情况评价为防水性优异。

(滑落速度)

向被膜表面滴水，根据被膜表面的水滴的滑落速度评价防水性。具体来说，使用协和界面科学公司制的接触角测定装置“DM700”，对倾斜为20°的玻璃基板上的被膜表面滴加50μL的水，测定水滴从初始滴加位置滑落15mm为止的时间，算出被膜表面的水滴的滑落速度(mm/秒)。应予说明，滴加的水滴在2分钟以内不从初始滴加位置滑落15mm以上时，判断为不滑落，将滑落速度设为0.0mm/秒。将水滴的滑落速度为20mm/秒以上的情况评价为防水性优异。

(耐摩耗性)

在被膜上滴加2.5mL水，在其上接触硅片(SR-400、Tigers Polymer公司制)。在这样的状态下，对硅片施加500gf负荷。然后，在往复速度为每分钟400mm的条件下，在20mm的距离内，以400次为单位摩擦被膜，分别测定经磨耗的部位的中央部分3点的接触角，测定直至3点中2点降低至85°以下为止的次数。将次数为400次以上的情况评价为耐磨耗性优异。

将得到的被膜的特性的评价结果示于表6-1或表6-2中。

[表6-1]

被膜No.	1	2	3	4	5	6	7	8
									中间层形成用组合物No	I	I	I	I	I	I	I	I
防液层形成用组合物No	1	2	3	4	5	6	7	8
									接触角(°)	102.1	101.8	101.7	102.1	102.0	102.2	100.1	100.7
滑落速度(mm/秒)	49.0	55.1	91.8	75.9	78.7	67.7	26.6	48.8
									次数(次)	1200	1600	2400	2000	1600	3200	1600	1600

[表6-2]

被膜No.	9	10	11	12	13	14	21	22
									中间层形成用组合物No	I	II	III	-	-	I	I	I
防液层形成用组合物No	9	1	1	1	4	10	21	22
									接触角(°)	103.4	103	102.1	101	101	102.4	100.1	93.0
滑落速度(mm/秒)	49.0	86.5	65.3	23.6	8.6	64.7	63.7	0.0
									次数(次)	1600	2000	1200	800	400	1200	400>	400>

被膜No.1～No.14中，使用满足本发明规定的要件的组合物(防液层形成用组合物)而形成防液层，因此，能够制作在不损害防水性的情况下具有优异的耐磨耗性的被膜。特别是与被膜No.12、No.13相比，被膜No.1～No.11、No.14的防水性和耐磨耗性相对良好。另外，在被膜No.1～No.11、No.14中，在基材上使用含有聚硅氮烷(F)并且进一步混合了上述金属化合物(G)和/或包含硅氧烷链的化合物(H)以及溶剂(I)的组合物而形成中间层，然后形成防液层，因此，防液层在常温下固化，常温固化性优异。

产业上的可利用性

使用本发明的防液层形成用组合物得到的被膜的防水·防油性以及耐磨耗性优异。因此，使用本发明的防液层形成用组合物处理的基材作为触摸面板显示器等显示装置、光学元件、半导体元件、建筑材料、汽车零件、纳米压印技术等中的基材是有用的。另外，由本发明的防液层形成用组合物形成的被膜可适宜作为电车、汽车、船舶、飞机等运输机器中的机体、窗玻璃(前玻璃、侧玻璃、后玻璃)、镜子、保险杠等物品而使用。另外，也可以用于建筑物外壁、帐篷、太阳光发电模块、隔音板、混凝土等户外用途中。另外，也可用在渔网、捕虫网、水槽等中。进而，也可用于厨房、浴室、盥洗台、镜子、洗手间周边的各构件的物品、吊灯、瓷砖等陶瓷品、人工大理石、空调等各种室内装置中。另外，也可作为工厂内的夹具、内壁、配管等的防污处理来使用。另外，对于护目镜、眼镜、头盔、弹珠机、纤维、伞、玩具、足球等也是适宜的。进而，也可作为食品用包装材料、化妆品用包装材料、罐的内部等各种包装材料的附着防止剂而使用。

Claims

1.一种混合组合物，其为有机硅化合物A、金属化合物B、酸C、以及水D的混合组合物，

所述有机硅化合物A是至少1个含有三烷基甲硅烷基的分子链和至少1个水解性基团键合于硅原子而成的，

所述水D的摩尔量相对于所述有机硅化合物A与所述金属化合物B的合计摩尔量的比D/(A+B)为3.1～130。

2.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述水D的量为0.01质量％～2.0质量％。

3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，所述有机硅化合物A为下述式(a1)表示的化合物，

在式(a1)中，

多个A^a1各自独立地表示水解性基团，

Z^a1表示含有三烷基甲硅烷基的分子链、含有硅氧烷骨架的基团、或含有烃链的基团，

x为0或1，

R^a1表示含有三烷基甲硅烷基的分子链，

Z^a1和R^a1的该三烷基甲硅烷基所包含的氢原子可以被取代为氟原子。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的组合物，其中，所述有机硅化合物A为下述式(a2)表示的化合物，

式(a2)中，A^a1、Z^a1、x与上述同义，

Z^s1表示-O-或2价的烃基，该2价的烃基所包含的-CH₂-可以被取代为-O-，

多个R^s2各自独立地表示碳原子数1～10的烷基，

n1为1以上的整数，

Y^s1表示单键或-Si(R^s2)₂-L^s1-，该L^s1表示2价的烃基，该2价的烃基所包含的-CH₂-可以被取代为-O-，

多个R^s1各自独立地表示烃基或三烷基甲硅烷基氧基。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的组合物，其中，所述金属化合物B为下述式(b1)表示的化合物，

M(R^b10)_r(A^b1)_m-r (b1)

在式(b1)中，

M表示Al、Fe、In、Ge、Hf、Si、Ti、Sn、Zr或Ta，

R^b10表示含有硅氧烷骨架的基团、含有烃链的基团或氢原子，

r为0或1，

多个A^b1各自独立地表示水解性基团，

m是金属原子M的价数，为选自3～5的整数。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的组合物，其中，所述金属化合物B为下述式(b2)表示的化合物，

Si(OR^b11)_yH_4-y (b2)

式(b2)中，

R^b11表示碳原子数1～6的烷基，

y为3或4。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的组合物，其中，混合有溶剂E，所述溶剂E的量为10质量％以上。