CN114122279A - 显示面板及其制造方法、显示屏和电子设备 - Google Patents

显示面板及其制造方法、显示屏和电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN114122279A
CN114122279A CN202010899632.1A CN202010899632A CN114122279A CN 114122279 A CN114122279 A CN 114122279A CN 202010899632 A CN202010899632 A CN 202010899632A CN 114122279 A CN114122279 A CN 114122279A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
groove
organic
organic layer
hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010899632.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114122279B (zh
Inventor
龙浩晖
魏山山
方建平
李小龙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Honor Device Co Ltd
Original Assignee
Honor Device Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Honor Device Co Ltd filed Critical Honor Device Co Ltd
Priority to CN202211502098.1A priority Critical patent/CN115835694A/zh
Priority to CN202010899632.1A priority patent/CN114122279B/zh
Priority to CN202211502096.2A priority patent/CN115966573A/zh
Priority to PCT/CN2021/125897 priority patent/WO2022042771A2/zh
Priority to US18/022,392 priority patent/US20230329070A1/en
Priority to EP21860603.6A priority patent/EP4184551A4/en
Publication of CN114122279A publication Critical patent/CN114122279A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114122279B publication Critical patent/CN114122279B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本申请提供了一种显示面板、包括该显示面板的显示屏，以及包括该显示屏的电子设备。该显示面板包括依次层叠的薄膜晶体管背板、有机层和封装层；显示面板具有通孔，通孔贯穿薄膜晶体管背板、有机层和封装层；显示面板包括非显示区和显示区，非显示区围绕通孔设置，显示区围绕非显示区设置；有机层包括第一有机层和第二有机层，第一有机层是位于显示区的部分，第二有机层是位于非显示区的部分，其中，第一有机层包括多个显示单元，第二有机层设置有第一槽，第一槽贯穿第二有机层，且第一槽围绕通孔设置；封装层覆盖有机层，并填充第一槽。本申请还提供了一种显示面板的制造方法，用于制造该显示面板。本申请的方案能够降低制造成本。

Description

显示面板及其制造方法、显示屏和电子设备
技术领域
本申请涉及终端设备领域，尤其涉及一种显示面板及其制造方法、显示屏和电子设备。
背景技术
挖孔屏是一种能提升手机的屏占比的设计。挖孔屏即在显示面板上开设通孔(业内俗称“挖孔”)，将前摄像头对准该通孔。为了防止外界水氧从通孔进入显示面板的显示区，通孔的外周环绕有隔离柱，隔离柱将通孔与显示面板的显示区隔绝。但是，隔离柱的结构复杂，导致显示面板的制造成本较高。
发明内容
本申请提供了一种显示面板及其制造方法、显示屏和电子设备，能够以较为简单的结构实现对通孔的水氧阻隔，从而降低制造成本。
第一方面，本申请提供了一种显示面板，显示面板可与盖板贴合。显示面板包括依次层叠的薄膜晶体管背板、有机层和封装层；显示面板具有通孔，通孔贯穿薄膜晶体管背板、有机层和封装层；显示面板包括非显示区和显示区，非显示区围绕通孔设置，显示区围绕非显示区设置；有机层包括第一有机层和第二有机层，第一有机层是位于显示区的部分，第二有机层是位于非显示区的部分，其中，第一有机层包括多个显示单元，第二有机层设置有第一槽，第一槽贯穿第二有机层，且第一槽围绕通孔设置；封装层覆盖有机层，并填充第一槽。
本申请中，薄膜晶体管背板可以作为有机层的承载背板。薄膜晶体管背板可以包括衬底及形成于衬底之上的薄膜晶体管阵列。显示区与非显示区是对显示面板整体做的区域划分，显示面板中的各个叠层如薄膜晶体管背板、有机层和封装层等，均具有位于显示区的部分与位于非显示区的部分。非显示区围绕通孔一周，非显示区的形状可与通孔的形状适配。显示区围绕在非显示区的外周。由于有机层中的第一有机层能够发光以实现图像显示，也可以认为第一有机层所在区域就是显示区。显示单元也即像素，一个显示单元可以包括一个红色子像素R、一个绿色子像素G和一个蓝色子像素B。每个显示单元均能够发出光线，以使显示面板实现图像显示。第一槽环绕通孔一周。封装层用于对容易受外界环境(如水氧)侵入的有机层进行封装和防护，封装层可由性质稳定的材料(如无机材料，或者有机材料+无机材料)制成。封装层例如可采用薄膜封装工艺制成。封装层的一部分材料填入第一槽内，将第二有机层隔断。
本申请的方案通过在有机层位于非显示区的部分开设第一槽，将封装层填入第一槽以将有机层隔断，从而能将从通孔处进入的外界水氧阻断在第一槽处，防止外界水氧沿有机层侵入显示区。由于第一槽的结构简单，容易加工，因此制造成本较低。
根据第一方面的一种可能的实现方式，第一槽靠近封装层一侧的宽度，大于第一槽远离封装层一侧的宽度。此种第一槽具有梯形横截面，这有利于封装层的材料在第一槽内充分沉积，确保对有机层的隔断效果。
根据第一方面的一种可能的实现方式，薄膜晶体管背板包括衬底及设置于+衬底上的坝，坝位于非显示区，并环绕通孔设置；有机层覆盖衬底与坝，第一槽与坝间隔设置；封装层包括第一无机封装层、有机封装层及第二无机封装层；第一无机封装层覆盖有机层，并填充第一槽；有机封装层覆盖第一无机封装层位于坝外周的部分；第二无机封装层覆盖有机封装层与第一无机封装层。
本实现方式中，衬底是形成封装层与有机层的基膜。衬底可以由多层材料叠加而成。坝与上文提到的薄膜晶体管阵列可以隔开。坝环绕通孔一周。坝与第一槽的位置关系可以根据需要设计，例如坝可以围绕在第一槽的外侧，或者第一槽可以围绕在坝的外侧，或者坝的内外两侧均设有第一槽。坝用于阻挡有机封装层中的有机封装材料(有机封装材料容易流动)，避免有机封装材料越过设计位置。第一无机封装层可由无机材料形成，如SiNx和/或SiO2。第一无机封装层填入第一槽，并将有机层隔断。有机封装层可由有机材料形成，如环氧树脂类有机材料、聚甲基丙烯酸甲酯等。第二无机封装层可由无机材料形成，如SiNx和/或SiO2。由第一无机封装层、有机封装层及第二无机封装层构成的此种“三明治”构造，具有很好的封装性能。
根据第一方面的一种可能的实现方式，坝的内侧与外侧均设置有第一槽，所有第一槽均在非显示区。此种设计能够强化第一槽对水氧的阻隔作用，确保水氧无法侵入显示区。
根据第一方面的一种可能的实现方式，第一槽靠近封装层一侧的宽度为10μm-50μm，第一槽远离封装层一侧的宽度为10μm-50μm。此种设计使第一槽的整体宽度极小，这能使非显示区具有较小宽度，因而使得盖板上的不透光区也可以做的较窄，从而有利于提升电子设备的屏占比。
根据第一方面的一种可能的实现方式，衬底具有第二槽，第二槽在衬底朝向有机层的表面形成开口，第二槽未贯通衬底，第二槽位于坝与通孔之间并环绕通孔；第一槽位于第二槽的外周。
本实现方式中，第二槽环绕通孔一周，在坝、第一槽与第二槽中，第二槽距离通孔最近。通孔附近可能会产生应力集中，导致显示面板产生裂纹。设计第二槽能避免裂纹从通孔延伸到显示区，从而避免显示区受损，保证显示区的可靠性。
根据第一方面的一种可能的实现方式，显示面板包括触控层，触控层覆盖封装层；通孔贯穿触控层。触控层中包含阵列排布的触控单元，用于实现显示面板的触控操作。触控层可位于封装层背离有机层的一侧，例如触控层可通过胶层与封装层贴合。或者，触控层可与封装层连为一体，即在显示面板的制程中一并形成触控层(触控层可作为显示面板的组成)，而非是将独立的触控层贴合至封装层。将触控层与封装层连为一体的设计，能够减薄显示面板的整体厚度。
第二方面，本申请提供了一种显示屏，包括盖板及上述任一项的显示面板，盖板与显示面板贴合，封装层位于盖板与有机层之间。盖板质地较为坚硬，可以在用户触摸时向用户提供触感和力反馈。盖板可以是刚性盖板，其不可弯折，可应用于刚性显示屏。或者盖板可以是柔性盖板，其容易弯折，可应用于折叠显示屏。盖板可与显示面板粘接。盖板的全部区域均可透光；或者盖板的局部区域不透光，盖板的该不透光区与可与显示面板的非显示区位置对应。
根据第二方面的一种可能的实现方式，盖板包括第一透光区、不透光区和第二透光区，第一透光区环绕不透光区设置，不透光区环绕第二透光区设置；显示区位于第一透光区，不透光区与非显示区对应，第二透光区与通孔对应。第一透光区环绕在不透光区的外周，不透光区环绕在第二透光区的外周。可通过在盖板朝向显示面板的表面涂覆遮光油墨以形成不透光区，并将盖板的其他区域划分为第一透光区与第二透光区。由此，显示面板发出的光线能够穿过盖板的第一透光区射出，使用户能观看到画面。外界光线能穿透第二透光区进入通孔。盖板上的不透光区可以将显示面板的非显示区遮盖，保证显示屏的外观简洁。
根据第二方面的一种可能的实现方式，不透光区与第二透光区的边界，落入通孔的边界以内。该边界指不透光区与第二透光区之间的界线，该界线位于通孔以内。也即，不透光区延伸到了通孔以内。此种设计能确保不透光区对非显示区的遮挡效果，避免由于制造误差或组装误差导致非显示区未被全部遮挡而暴露出来。
第三方面，本申请提供了一种电子设备，包括光学模组及上述任一项的显示屏；光学模组与通孔对应，光学模组用于采集穿过第二透光区与通孔的光线。
本申请中，光学模组用于感应外界光线生成电信号。该电信号经过电子设备的处理后，能转换成目标信息。光学模组包括但不限于摄像头模组、红外镜头、点阵投影器、距离传感器等、环境光传感器、接近光传感器中的至少一种。光学模组与通孔对应是指二者的位置可以靠近，以确保光学模组能采集到穿过通孔的光线，将光学模组13设置在通孔内部，以确保光学模组13能够更多地采集到穿过通孔15c的光线，也可以将摄像头模组设置在通孔15c的外部，保证光线通过摄像头模组实现成像画面。例如，光学模组与通孔可以是对准关系，即在通孔的轴线方向上，光学模组的投影与通孔的投影存在重叠；也可以指光学模组的光轴与通孔15c的轴线基本重合，允许存在误差，保证光线通过摄像头模组后实现成像画面即可。本申请的电子设备不仅制造成本低，还可以具有较大的屏占比。
第四方面，本申请提供了一种显示面板的制造方法，包括：制造薄膜晶体管背板；在所述薄膜晶体管背板上形成有机层，其中，所述有机层包括第一有机层与第二有机层，所述第一有机层围绕所述第二有机层设置，所述第一有机层包括多个显示单元，所述第一有机层作为显示面板的显示区，所述第二有机层不含显示单元，所述第二有机层作为显示面板的非显示区；在所述第二有机层上形成环绕一周的第一槽，所述第一槽贯穿所述第二有机层；在所述有机层上形成封装层，使所述封装层覆盖所述第一有机层与所述第二有机层，并填充所述第一槽；在所述封装层上形成触控层与偏光层，使所述触控层位于所述封装层与所述偏光层之间，以制得预制面板；在所述预制面板上开设通孔，使所述通孔位于所述第一槽的内侧。
本申请中，第一有机层能够发光以使显示面板显示图像，可以将第一有机层所在的区域称为显示区，因此形成第一有机层也即形成显示区、相应的，第二有机层不能发光，可以将第二有机层所在的区域称为非显示区，因此形成第二有机层也即形成非显示区。通孔贯穿预制面板的所有叠层。第一槽环绕在通孔的外周。本申请的方案通过在有机层位于非显示区的部分开设第一槽，将封装层填入第一槽以将有机层隔断，从而能将从通孔处进入的外界水氧阻断在封装槽处，防止外界水氧沿有机层侵入显示区。由于封装槽的结构简单，容易加工，因此制造成本较低。
根据第四方面的一种可能的实现方式，所述在所述第二有机层上形成环绕一周的第一槽，包括通过激光刻蚀形成所述第一槽。激光刻蚀的基本原理是将高光束质量的小功率激光束(例如可以是紫外激光、光纤激光等)聚焦成极小光斑，在焦点处形成极高的功率密度，使第二有机层的材料在瞬间汽化蒸发，形成第一槽。激光刻蚀的热影响区小，能极为精准地烧蚀加工区域，具有极高的加工精度与加工质量，因而能刻蚀出宽度极小的第一槽。这有利于减小非显示区的宽度，使得盖板上的不透光区也可以做的较窄，从而有利于提升电子设备的屏占比。而且，由于激光刻蚀可聚焦成激光波长级的极小光斑，能完全蚀刻掉第二有机层，这利于封装层的填入。另外，激光刻蚀适合加工柔性材料，无接触，不会污染第二有机层。
根据第四方面的一种可能的实现方式，所述在所述第二有机层上形成环绕一周的第一槽，使得所述第一槽贯通所述第二有机层的步骤中，使所述第一槽远离所述薄膜晶体管背板一侧的宽度，大于所述第一槽靠近所述薄膜晶体管背板一侧的宽度。此种第一槽具有梯形横截面，有利于封装层的材料在第一槽内充分沉积，确保对有机层的隔断效果。
根据第四方面的一种可能的实现方式，“制造薄膜晶体管背板”包括：制造衬底；在所述衬底上形成环绕一周的坝；在所述在所述薄膜晶体管背板上形成有机层的步骤中，使所述第一有机层覆盖所述衬底，使所述第二有机层覆盖所述衬底与所述坝；在所述在所述第二有机层上形成设环绕一周的第一槽，使所述第一槽贯通所述第二有机层的步骤中，使所述坝环绕所述第一槽设置；所述在所述有机层上形成封装层，使所述封装层覆盖所述第一有机层与所述第二有机层，并填充所述第一槽,包括：在所述有机层上形成第一无机封装层，使所述第一无机封装层覆盖所述第一有机层与所述第二有机层，并填充所述第一槽；在所述第一无机封装层上形成有机封装层，使所述有机封装层覆盖所述第一无机封装层位于所述坝外周的部分；形成第二无机封装层，使所述第二无机封装层覆盖所述有机封装层与所述第一无机封装层；所述在所述封装层上形成触控层与偏光层包括：在所述第二无机封装层上形成所述触控层与所述偏光层。本实现方式可以制得由第一无机封装层、有机封装层及第二无机封装层构成的“三明治”构造，此种“三明治”构造的封装层具有很好的封装性能。
根据第四方面的一种可能的实现方式，在所述在所述第二有机层上开设环绕一周的第一槽，使所述第一槽贯通所述第二有机层的步骤中，开设至少两个所述第一槽，使至少一个所述第一槽位于所述坝的内周，其余所述第一槽环绕于所述坝的外周。本实现方式能够使坝的内侧与外侧均形成第一槽，能够强化第一槽对水氧的阻隔作用，确保水氧无法侵入显示区。
根据第四方面的一种可能的实现方式，所述在所述第一无机封装层上形成有机封装层，使所述有机封装层覆盖所述第一无机封装层位于所述坝外周的部分包括：通过喷墨打印将有机材料打印在所述第一无机封装层位于所述坝外周的部分；对所述有机材料进行固化，以得到所述有机封装层。喷墨打印工艺成本低廉，工艺可靠性高。
根据第四方面的一种可能的实现方式，所述第一槽远离所述薄膜晶体管背板一侧的宽度为10μm-50μm，所述第一槽靠近所述薄膜晶体管背板一侧的宽度为10μm-50μm。此种设计使第一槽的整体宽度极小，这能使非显示区具有较小宽度，因而使得盖板上的不透光区也可以做的较窄，从而有利于提升电子设备的屏占比。
根据第四方面的一种可能的实现方式，在所述制造薄膜晶体管背板与所述在所述薄膜晶体管背板上形成有机层之间，所述制造方法还包括：在所述薄膜晶体管背板上形成环绕一周的第二槽，所述第二槽未贯通所述薄膜晶体管背板；在所述在所述薄膜晶体管背板上形成有机层的步骤中，使所述第二有机层填充所述第二槽；在所述在所述第二有机层上形成环绕一周的第一槽，使所述第一槽贯通所述第二有机层的步骤中，使所述第一槽环绕所述第二槽设置；在所述在所述预制面板上形成通孔，使所述通孔位于所述第一槽的内侧的步骤中，使所述通孔位于所述第二槽的内侧。
本实现方式中，第二槽环绕通孔一周，在坝、第一槽与第二槽中，第二槽距离通孔最近。通孔附近可能会产生应力集中，导致显示面板产生裂纹。设计第二槽能避免裂纹从通孔延伸到显示区，从而避免显示区受损，保证显示区的可靠性。
根据第四方面的一种可能的实现方式，所述制造薄膜晶体管背板包括：提供刚性载板；在所述刚性载板上形成至少两层有机高分子材料与至少两层无机材料，使所述至少两层有机高分子材料与所述两层无机材料交替层叠，其中一层所述有机高分子材料与所述刚性载板贴合，以制得衬底；在所述在所述有机层上形成封装层，使所述封装层覆盖所述第一有机层与所述第二无机层，并填充所述第一槽与所述在所述封装层上形成触控层与偏光层，使所述触控层位于所述封装层与所述偏光层之间，以制得预制面板之间，或者，在所述在所述封装层上形成触控层与偏光层，使所述触控层位于所述封装层与所述偏光层之间，以制得预制面板与所述在所述预制面板上开设通孔，使所述通孔位于所述第一槽的内侧之间，所述制造方法还包括：将所述刚性载板剥离。本实现方式用于制造具有柔性、易于弯折的衬底。具有此种柔性衬底的显示面板可以用于折叠显示屏。
根据第四方面的一种可能的实现方式，所述在所述封装层上形成触控层与偏光层包括：在所述封装层上形成所述触控层；通过涂布工艺在所述触控层上形成所述偏光层。涂布工艺即将偏光液涂布在触控层上，再将偏光液固化，得到偏光层。此种方式制备的偏光片较薄，有利于减小显示面板的整体厚度。
第五方面，本申请提供了一种显示屏，包括显示面板，该显示面板由第四方面的各种实现方式的制造方法制造而成。
第六方面，本申请提供了一种电子设备，包括显示面板，该显示面板由第四方面的各种实现方式的制造方法制造而成。
附图说明
图1是实施例一的电子设备的立体结构示意图；
图2是图1的电子设备的分解结构示意图；
图3是图2的电子设备的显示屏的分解结构示意图；
图4表示图2中的电子设备的显示屏的A-A剖视结构,以及电子设备中的显示屏与光学模组的组装关系示意；
图5是图3中的显示屏的显示面板的背面的结构示意图；
图6是图2中的电子设备的显示屏的A-A剖视示意图；
图7是图6中的显示屏的局部放大示意图；
图8是图7中B处的局部放大示意图；
图9是表示图6中的显示屏的显示面板的缓冲层、薄膜晶体管阵列层、阻挡坝、止裂槽及通孔的位置关系示意图；
图10是表示图8中的有机功能层的层结构的示意图；
图11是表示另一实施例中的有机功能层的一种层结构的示意图；
图12表示图8中的有机功能层、阻挡坝、封装槽、止裂槽及通孔的位置关系示意图；
图13表示常规显示面板中的隔离柱隔断有机功能层的剖视示意图；
图14是实施例二中在刚性载板上形成薄膜晶体管背板的示意图；
图15是图14中C处的局部放大结构示意图；
图16是实施例二中在薄膜晶体管背板上形成有机功能层的示意图；
图17是图16中D处的局部放大结构示意图；
图18是实施例二中在有机功能层上形成第一无机封装层的示意图；
图19是实施例二中在第一无机封装层上形成有机封装层的示意图；
图20是实施例二中在第一无机封装层与有机封装层上形成第二无机封装层的示意图；
图21是实施例二中剥离刚性载板并贴附背膜的示意图；
图22是实施例二中在封装层上贴合触控层与偏光层的示意图；
图23是实施例二中在预制面板上开设通孔的示意图；
图24是实施例二中贴合减振层与支撑层的示意图；
图25是实施例二中将显示面板与盖板贴合的示意图。
具体实施方式
本申请以下实施例提供了一种电子设备，包括但不限于手机、平板电脑、车载设备(例如车机)、可穿戴设备(例如智能手表、虚拟现实设备、增强现实设备)、智慧屏设备等。该电子设备具有显示屏。下文以该电子设备是手机为例进行描述。
如图1和图2所示，实施例一的电子设备10可以包括壳体12、光学模组13和显示屏11。
壳体12作为电子设备10的结构承载部件，用于安装显示屏11和光学模组13，以及收容或安装其他部件(如电路板组件)。壳体12可以是组件。本申请实施例的关键设计不在于壳体12，对于壳体12的具体结构不做限定。
显示屏11可以是平面屏，即显示屏11为平整板状，其边缘并未弯曲形成弧面。或者，显示屏11可以是曲面屏，其边缘弯曲形成弧面。另一方面，显示屏11可以是不可弯折的刚性屏，也可以是可以折叠的折叠屏。
结合图2与图3所示，显示屏11可以包括盖板14与显示面板15，盖板14与显示面板15贴合，显示面板15被盖板14与壳体12封闭起来。盖板14用于对显示面板15进行防护。盖板14质地较为坚硬，可以在用户触摸时向用户提供触感和力反馈。盖板14可以是刚性盖板，其不可弯折，此种盖板14可应用于刚性屏。或者盖板14可以是柔性盖板，其容易弯折，此种盖板14可应用于折叠屏。
如图3和图4(图4是图2中的显示屏11的A-A剖视示意图，其可以表示盖板14与显示面板15的位置关系)所示，盖板14可以具有第一透光区14a、不透光区14b和第二透光区14c。第二透光区14c可以近似为圆形区域，第二透光区14c允许外界光线透过，便于光学模组13接收外界光线(下文将继续描述)。不透光区14b环绕在第二透光区14c的外周(指环绕一周，下同)，可形成近似圆环形的区域。光线无法透过不透光区14b，这样使得位于不透光区14b之下的显示面板15的结构被遮挡而不可见(下文将继续描述)。不透光区14b与第二透光区14c可以靠近盖板14的边缘，如在盖板14的边角处或一边的中部。若盖板14为曲面盖板，不透光区14b与第二透光区14c均位于该曲面盖板的平整部分。第一透光区14a环绕在第二透光区14c的外周，第一透光区14a的外边界可以基本延伸到盖板14的周缘，即第一透光区14a可基本是盖板14除不透光区14b与第二透光区14c以外的区域。第一透光区14a允许显示面板15发出的光线透过，使用户能看到画面(下文将继续描述)。不透光区14b与第二透光区14c的上述形状均只是一种举例，本申请实施例并不限于此。例如，第二透光区14c可以近似为椭圆形区域(类似椭圆形跑道)，不透光区14b可以是椭圆形环状区域。
如图4所示，实施例一中，可以在盖板14朝向显示面板15的局部表面涂覆遮光油墨14d，以制造出不透光区14b。在图4中，以盖板14朝向显示面板15的表面的黑色区域表示该遮光油墨14d。当然这只是一种举例，实际上还可以通过其他方式形成不透光区14b。
或者与实施例一不同的是，其他实施例中的盖板未涂覆遮光油墨14d，该盖板的全部区域均可以透光。此种盖板不会遮挡显示面板15的结构，使得用户可以观察到显示面板15的所有区域，可以营造出独特的外观体验。
实施例一中，显示面板15可以具有柔性，容易弯折，也即显示面板15可以是柔性显示面板。显示面板15包括但不限于有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)面板、量子点发光二极管(quantum dot light emitting diode，QLED)面板等。显示面板15用于显示图像。显示面板15所发出的光线可从第一透光区14a射出，使用户可在第一透光区14a看到图像。
如图3和图4所示，显示面板15包括通孔15c、非显示区15b和显示区15a。通孔15c贯穿显示面板15，通孔15c的轴线可沿显示面板15的厚度方向。通孔15c的形状可以与第二透光区14c相仿，例如通孔15c为圆孔或椭圆形孔。通孔15c的数量为至少一个。图3示出了一个通孔15c，这仅仅是一种举例。根据产品需要，通孔15c还可以是两个及以上，这些通孔15c可以位于不同的位置，可以互相隔开。
如图4所示，通孔15c可以与第二透光区14c位置对应，位置对应是指：在盖板14的厚度方向上，通孔15c在盖板14上的投影的至少一部分落在第二透光区14c内。由此，外界光线可穿透第二透光区14c进入通孔15c。例如图4所示，通孔15c可以与第二透光区14c对准，二者的轴线可以基本重合。通孔15c的直径可以大于第二透光区14c的直径，也即不透光区14b的内边界可以超出通孔15c的边界，将通孔15c的部分区域遮挡(该设计的优点将在下文描述)。或者，通孔15c可以与第二透光区14c对准，二者的轴线可以基本重合，二者的直径也可以基本一致。通孔15c与光学模组13对准，通孔15c用于供透过第二透光区14c的外界光线穿过，以使光学模组13能接收外界光线。
如图3和图4所示，在显示面板15中，通孔15c的外缘为非显示区15b，非显示区15b环绕通孔15c一周。非显示区15b的形状与通孔15c的形状匹配，例如非显示区15b可以近似为圆环形或椭圆环形。非显示区15b是下文记载的封装槽157a(即第一槽157a，本申请实施例出于可读性考虑，称为封装槽157a，下同)、阻挡坝168(即坝168，本申请实施例出于可读性考虑，称为阻挡坝168，下同)、止裂槽159a(即第二槽159a，本申请实施例出于可读性考虑，称为止裂槽159a，下同)所在的区域。非显示区15b没有像素，无法发光，不显示图像。
如图4所示，非显示区15b与不透光区14位置对应，位置对应是指：在盖板14的厚度方向上，非显示区15b在盖板14上的投影的至少一部分落在不透光区14b内，该至少一部分被不透光区14b遮挡而不可见。例如图4中的非显示区15b的投影可以全部落入不透光区14b内，这样使得非显示区15b的全部都被不透光区14b遮挡。
图4中的不透光区14b的内边界(不透光区14b为封闭环状区域，该封闭环状区域内侧的边界称为内边界，外侧的边界称为外边界。也可以理解为，靠近第二透光区14c的边界为内边界，远离第二透光区14c的边界称为外边界。下文提到的内边界与外边界的含义均遵循此定义。)可以超出非显示区15b的内边界(也即超出通孔15c的边界)，这能确保不透光区14b对非显示区15b的遮挡效果，避免由于制造误差或组装误差导致非显示区15b未被全部遮挡，而从第二透光区14c暴露出来。图4中的不透光区14b的外边界可以与非显示区15b的外边界基本对齐，这样可以避免不透光区14b将显示区15a遮挡。不透光区14b与非显示区15b的上述位置设计仅仅是一种举例，本申请实施例并不限于此。例如，不透光区14b的内边界可以与非显示区15b的内边界基本对齐，不透光区14b的外边界可以超出非显示区15b的外边界。
如图3和图4所示，显示面板15中，除非显示区15b与通孔15c之外的其他区域基本均可以是显示区15a，显示区15a环绕在非显示区15b的外周。显示区15a具有可以发光的像素。显示区15a发出的光线可从第一透光区14a射出，以形成图像。
如图4所示，显示区15a位于第一透光区14a，即在盖板14的厚度方向上，显示区15a在盖板14上的投影全部落在第一透光区14a，这样使得整个显示区15a的光线可从第一透光区14a射出。例如，图4中的显示区15a可以与第一透光区14a基本完全重叠。或者根据产品需要，显示区15a的至少一部分边界可以内缩于第一透光区14a的对应边界之内。
实施例一中，当通孔15c为多个时，第二透光区14c也可以为多个，一个第二透光区14c与一个通孔15c对应。相应的，不透光区14b也可以有多个，一个不透光区14b环绕一个第二透光区14c。其中，若相邻的第二透光区14c之间相距较近，各个第二透光区14c所对应的不透光区14b可以相连形成一个大的不透光区。或者，各个第二透光区14c所对应的不透光区14b可以相互间隔。第一透光区14a环绕在所有不透光区14b的外周。
图5展示了显示面板15的俯视示意结构。如图5所示，显示面板15还可以包括柔性电路板(flexible circuit board，FPC)组件16。柔性电路板组件16可以包括柔性电路板161，以及布置在柔性电路板161上的器件162与连接器163。柔性电路板161可从显示面板15的显示区15a的边缘延伸出来,并与显示面板15的中的薄膜晶体管(thin filmtransistor,TFT)阵列层158(下文将会描述)电连接。器件162可以焊接在柔性电路板161的表面，器件162包括但不限于集成电路(integrated circuit，IC)。连接器163可设在柔性电路板161的端部，用于连接至电子设备10的电路板，实现显示面板15与该电路板的电连接。
以上关于显示面板15的文字描述了显示面板15的外部宏观结构。下文将继续描述显示面板15的内部叠层结构。
光学模组13用于感应外界光线生成电信号。该电信号经过电子设备10的处理后，能转换成目标信息。光学模组13包括但不限于摄像头模组、红外镜头、点阵投影器、距离传感器等、环境光传感器、接近光传感器中的至少一种。图2与图3中的光学模组13为摄像头模组，这仅仅是一种举例，并非是对本申请实施例的限制。
参考图2和图3所示，光学模组13可安装在壳体12上，并位于盖板14与壳体11之间。一种实施方式中，如图3所示，光学模组13可全部位于显示面板15与壳体12之间，即光学模组13可全部在显示面板15的下方(“下方”基于图3的视角)，也即光学模组13完全在通孔15c以外。在另一种实施方式中，如图4所示，光学模组13的一部分可以在通孔15c内，另一部分位于通孔15c外。或者在其他实施方式中，光学模组13可以完全收容在通孔15c内。
本申请实施例中，光学模组13可对应通孔15c，以便采集进入通孔15c的外界光线。图3中以穿过第二透光区14c、通孔15c与光学模组13的虚线表示通孔15c对应第二透光区14c、光学模组13对应通孔15c这种对应关系。以光学模组13为摄像头模组为例，光学模组13对应通孔15c可以指摄像头模组的光轴与通孔15c的轴线重合，也可以指光学模组的光轴与通孔15c的轴线基本重合，允许存在误差，保证光线通过摄像头模组后实现成像画面即可。当然，光学模组13与通孔15c的位置关系不限于上文所述。可选的，光学模组13与通孔15c的位置对应，二者的位置可以靠近，将光学模组13设置在通孔内部，以确保光学模组13能够更多地采集到穿过通孔15c的光线，也可以将摄像头模组设置在通孔15c的外部，保证光线通过摄像头模组实现成像画面即可。
图6以剖视图的形式示意了显示面板15的内部叠层结构。出于图面清晰的目的,并未全部显示叠层在通孔15c区域的轮廓线。下同。
如图6所示，显示面板15可以包括偏光片151、触控层152、封装层153、有机功能层157(即有机层157，本申请实施例出于可读性考虑，称为有机功能层157。下同)、TFT阵列层158、衬底159、背膜160、减振层161及支撑层162。上述的各层依次层叠，其中，偏光片151朝向盖板14，支撑层162背向盖板14。通孔15c贯穿以上各层。在图6所示的剖视图中，位于通孔15c两侧的部分可以对称。
衬底159是形成封装层153与有机功能层157的基材。衬底159可以具有柔性，容易弯折。衬底159可以由多层材料叠加而成。结合图6和图7所示(图7截取了图6中的显示面板15位于通孔15c左侧的部分)，衬底159可以包括依次层叠的第一有机高分子材料层167、第一隔绝层166、第二有机高分子材料层165、第二隔绝层164和缓冲层163。其中，第一有机高分子材料层167背向盖板14，缓冲层163朝向盖板14。
第一有机高分子材料层167与第二有机高分子材料层165例如可由聚酰亚胺(Polyimide，PI)这种有机高分子材料制成。第一有机高分子材料层167与第二有机高分子材料层165具有较高的柔性，是衬底159中的柔性基材。第一隔绝层166与第二隔绝层164可以采用无机材料如SiNx(氮化硅)、SiO2(二氧化硅)、Si(硅)、SiNxO(氮氧化硅)、Al2O3(氧化铝)中的至少一个制造。第一隔绝层166与第二隔绝层164具有阻隔水氧的性能，能够避免水氧侵蚀第一有机高分子材料层167、第二有机高分子材料层165以及有机功能层157。缓冲层163可以采用无机材料如SiNx和/或SiO2等制造。缓冲层163能够防止第一有机高分子材料层167与第二有机高分子材料层165中的杂质离子进入TFT阵列层158，避免影响TFT阵列层158的性能。缓冲层163还可以具有阻隔水氧的性能，避免水氧侵蚀有机功能层157、第一有机高分子材料层167及第二有机高分子材料层165。
衬底159的上述多层材料叠加结构既具有较好的柔性，又具有良好的阻隔与缓冲性能。在其他实施例中，衬底159的叠层结构与材料选型均可根据需要设计，不限于为上文所述。例如，可以使用不锈钢片、超薄玻璃(ultra thin glass，UTG)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，PET)或纤维等替换上述的第一隔绝层166与第二隔绝层164，由此制得具有较大刚性的衬底159。
如图7所示，TFT阵列层158形成于衬底159之上，例如可以形成于衬底159中的缓冲层163之上。TFT阵列层158可分布在显示区15a与非显示区15b，其中分布在非显示区15b的部分可位于通孔15c的外周(下文还将继续描述)。TFT阵列层158可以包括由纵横交错的多个TFT形成的TFT阵列，TFT阵列层158用于对有机功能层157进行控制和驱动。TFT阵列层158还可以包括阳极(OLED器件的阳极)。TFT阵列层158与柔性电路板161电连接。本申请实施例的改进并不在于TFT阵列层158，因而对TFT阵列层158的具体结构不做限定。
结合图7与图8所示，衬底159上还可以形成阻挡坝168，例如阻挡坝168可形成于衬底159中的缓冲层163之上。阻挡坝168与TFT阵列层158可以同在缓冲层163上，二者可以隔开。阻挡坝168在非显示区15b，可以位于TFT阵列层158与通孔15c之间。阻挡坝168的横截面形状例如可以为梯形。阻挡坝168的高度可为数微米，如1μm-4μm(含端点值)。阻挡坝168用于阻挡下文描述的有机封装层155。
实施例一中，衬底159以及衬底159上的TFT阵列层158、阻挡坝168，可以作为TFT背板150的基本构成，也即TFT背板150包括衬底159以及衬底159上的TFT阵列层158、阻挡坝168。
图9是以俯视图的视角(即沿显示面板15的厚度方向的视角)表示TFT阵列层158、阻挡坝168、通孔15c在缓冲层163上的位置关系，其中只截取了TFT阵列层158与缓冲层163的部分区域。为了便于区分，使用阴影线表示阻挡坝168。使用纵横交错的线示意TFT阵列层158。如图9所示，阻挡坝168可以围成封闭的环状，例如圆环状。阻挡坝168环绕在通孔15c的外周。阻挡坝168用于阻挡封装层153中的有机材料，这点将在下文描述。
阻挡坝168可以由单一材料制成，也可以由至少两层材料叠加而成。阻挡坝168的材料包括但不限于有机材料或无机材料。图8中仅示出了一个阻挡坝168，这仅仅是一种举例。根据产品需要，可以设更多的阻挡坝168，如2个。或者根据产品需要，可以不设阻挡坝168。
如图8所示，衬底159还可以开设止裂槽159a，例如止裂槽159a可贯穿衬底159中的缓冲层163与第二隔绝层164。在其他实施例中，止裂槽159a也可以仅贯穿衬底159中的缓冲层163。
结合图8和图9所示，止裂槽159a位于阻挡坝168与通孔15c之间。止裂槽159a可以围成封闭环状，例如圆环状。止裂槽159a环绕在通孔15c的外围。止裂槽159a的数量可以根据需要确定，不限于图8中示出的3个，例如还可以是1个、2个或者3个以上。另外，由于止裂槽159a的宽度较小，为了图面清晰，图9中以一个圆环区域指代3个止裂槽159a。
在显示面板15上开设通孔15c时，将光学模组13与显示屏11组装时，或者在盖板14与显示面板15贴合时，通孔15c附近会产生应力集中，可能导致显示面板15产生裂纹，该裂纹将会沿从通孔15c到显示区15a的方向延伸。开设止裂槽159a后，裂纹延伸至止裂槽159a后，显示面板15中的应力得到释放，裂纹将会止于止裂槽159a。因此，止裂槽159a具有阻挡裂纹延伸的作用。由于止裂槽159a环绕一周，因而能阻挡来自各个方向的裂纹。止裂槽159a的设计能避免显示区15a受损，保证显示区15a的可靠性。
在其他实施例中，还可以设计其他具有释放应力和止裂作用的结构，不限于上述所述的止裂槽159a。或者根据产品需要，也可以不设止裂槽159a。
如图6-图8所示，有机功能层157覆盖衬底159(例如覆盖缓冲层163)、TFT阵列层158和阻挡坝168。有机功能层157可以分布在显示区15a与非显示区15b，位于显示区15a的部分可称为第一有机层，位于非显示区15b的部分可称为第二有机层。有机功能层157位于显示区15a的部分包括多个显示单元。显示单元也即像素，每个像素可以包括红色子像素R、绿色子像素G及蓝色子像素B，每个像素均能够发出光线，以实现图像显示；有机功能层157位于非显示区15b的部分则没有像素，不能发光。结合图7与图8所示，有机功能层157位于非显示区15b的部分可以填充到止裂槽159a内。在其他实施例中，有机功能层157也可以无需填充止裂槽159a。
优选的，实施例一中的有机功能层157可以包括基础层和发光层。该基础层在显示区15a与非显示区15b均有分布，该发光层仅分布在显示区15a。
图10为有机功能层157位于显示区15a内的部分的层结构示意。如图10所示，位于显示区15a内的这部分有机功能层157可以包括依次层叠的阴极、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层和空穴注入层，除发光层以外的其他层均属于该基础层。空穴注入层可以朝向TFT阵列层158，阴极层可以背离TFT阵列层158(TFT阵列层158可包含下文将提到的OLED器件的阳极)。有机功能层157中的阴极、电子注入层、电子传输层、空穴传输层和空穴注入层等基础层的功能及材料选型均是本领域的普遍常识，此处不再赘述。有机功能层157可以使用蒸镀工艺制备。
一种实施方式中，发光层可以由OLED发光材料形成，如有机小分子发光材料、配合物发光材料、高分子聚合物等。发光层包括多个红光部分R(能发出红光)、多个绿光部分G(能发出绿光)和多个蓝光部分B(能发出蓝光)，这些不同色的发光部分按阵列排布。每个红光部分R可称为一个红色子像素R、每个绿光部分G可称为一个绿色子像素G、每个蓝光部分B可称为一个蓝色子像素B，一个红色子像素R、一个绿色子像素G及一个蓝色子像素B可以形成一个像素，也即上文所述的显示单元。显示区15a内的这部分有机功能层157包括OLED发光层，可将这部分有机功能层157称为OLED器件。也即本实施方式的显示面板15可以是OLED显示面板。非显示区15b内的另一部分有机功能层157只有基础层而不含发光层，因此不显示画面。
另一实施方式中，与上述实施方式不同的是，发光层可以由量子点(quantum dot，QD)发光材料形成，即该发光层为QD发光层。QD发光层中的QD发光材料是直径在2nm-10nm之间的晶粒，不同直径的晶粒在电场激发下会分别发出红、绿、蓝三种单色光，以分别形成红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B。对应的，本实施方式的显示面板15可以称为电致发光的QLED显示面板。
图11为另一实施例中有机功能层157位于显示区15a内的部分的层结构示意。如图11所示，本实施例中的有机功能层157可以包括基础层、发光层、红色QD层和绿色QD层。其中，基础层同上文所述，不再重复说明。不同的是，发光层可由蓝光OLED材料形成，发光层仅能发出蓝光，也即发光层可作为蓝色子像素B。红色QD层和绿色QD层覆盖阴极，红色QD层和绿色QD层间隔阵列分布。红色QD层与绿色QD均由QD发光材料形成。红色QD层能将发光层的蓝光转换成红光，红色QD层形成红色子像素R。绿色QD层能将发光层的蓝光转换成绿光，绿色QD层形成绿色子像素G。红色QD层和绿色QD层之间的间隔则能使发光层的蓝光透出，这样使得红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B发出的光可以混合，以形成一个像素，即上文所述的显示单元。本实施例的显示面板15可以称为光致发光的QLED显示面板。非显示区15b内的另一部分有机功能层157可以只有基础层，不含发光层、红色QD层及绿色QD层，因此不显示画面。
结合图7与图8所示，有机功能层157位于非显示区15b内的部分开设有封装槽157a。封装槽157a贯穿有机功能层157，并位于阻挡坝168与止裂槽159a之间，当然封装槽157a也位于阻挡坝168与通孔15c之间。封装槽157a的横截面形状(指沿图2所示的A-A截面将显示面板15剖开，得到的封装槽157a的横截面形状)可以近似为“上大下小”的梯形，即封装槽157a远离缓冲层163一侧的宽度，大于封装槽157a靠近缓冲层163一侧的宽度。或者，封装槽157a的横截面也可以是其他合适的形状，例如近似为矩形。
封装槽157a的宽度例如可以是10μm-50μm，例如10μm、20μm、35μm或50μm等。封装槽157a远离缓冲层163一侧的宽度可以在该宽度范围，封装槽157a靠近缓冲层163一侧的宽度也可以在该宽度范围。由于宽度尺寸的量级极小(μm级别)，选择任意合适的测量基准进行测量，得到的宽度数据基本一致，因此可以忽略测量基准的选择问题。例如，可以封装槽157a的梯形截面的中位线长度作为宽度尺寸。
封装槽157a的深度例如可以为100nm-500nm，例如100nm、250nm或500nm等。
封装槽157a的数量可以为至少一个，图8中仅示意出了一个封装槽157a，这仅仅是一种举例，并非是对本申请实施例的限定。当封装槽157a为两个及以上时，封装槽157a可以在阻挡坝168的内外两侧均有分布，也即封装槽157a与通孔15c之间以及封装槽157a的外周均有封装槽157a。
图12是以俯视图的视角(即沿显示面板15的厚度方向的视角)表示阻挡坝168、封装槽157a、止裂槽159a、通孔15c及有机功能层157的相对位置关系。为了便于区分，使用阴影线表示阻挡坝168，并将被有机功能层157覆盖的阻挡坝168与止裂槽159a使用虚线界定各自的轮廓。如图12所示，封装槽157a可以围成封闭环状，例如圆环状。封装槽157a环绕在止裂槽159a与通孔15c的外周。封装槽157a用于供封装层153填入，以避免从通孔15c进入的水氧向显示区15a入侵。这点将在下文详细描述。
实施例一中，可以通过激光刻蚀有机功能层157，制造出封装槽157a。激光刻蚀的基本原理是将高光束质量的小功率激光束(例如可以是紫外激光、光纤激光等)聚焦成极小光斑，在焦点处形成极高的功率密度，使有机功能层157的材料在瞬间汽化蒸发，形成封装槽157a。激光刻蚀的热影响区小，能极为精准地烧蚀加工区域，具有极高的加工精度与加工质量，因而能刻蚀出宽度极小的封装槽157a。而且，由于激光刻蚀可聚焦成激光波长级的极小光斑，能完全蚀刻掉有机功能层157，甚至还可以过刻到有机功能层157下方的缓冲层163，这利于封装层153的填入(这点将在下文继续描述)。另外，激光刻蚀适合加工柔性材料，无接触，不会污染有机功能层157。
结合图7与图8所示，封装层153覆盖有机功能层157，封装层153可以分布在显示区15a与非显示区15b。封装层153可以包括第一无机封装层156、有机封装层155及第二无机封装层154。
第一无机封装层156覆盖有机功能层157的全部区域并填充封装槽157a，以将有机功能层157隔断。第一无机封装层156填入封装槽157a的部分可与缓冲层163接触。第一无机封装层156的厚度可以是0.5μm-1.2μm，例如0.5μm、1μm或1.2μm等。可见，第一无机封装层156的厚度大于封装槽157a的深度(100nm-500nm)，第一无机封装层156可以将封装槽157a完全填满。第一无机封装层156可由无机材料形成，如SiNx和/或SiO2。由于无机材料的特性，第一无机封装层156具有良好的防水氧渗透性能，能将水氧(例如从通孔15c进入的水氧)阻断在封装槽157a处，使得水氧无法越过封装槽157a并沿有机功能层157侵入显示区15a。第一无机封装层156可以使用低温化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)工艺，或者原子层沉积(atomic layer deposition，ALD)工艺制备。封装槽157a的梯形横截面形状，有利于无机材料在封装槽157a内充分沉积。在其他实施例中，第一无机封装层156的厚度、材料与成型工艺可以根据需要确定，不限于上文所述。
有机封装层155覆盖第一无机封装层156，并分布在阻挡坝168以内，阻挡坝168作为第一无机封装层156的边界。有机封装层155的厚度可以是5μm-15μm，例如5μm、12μm或15μm等。有机封装层155可由有机材料形成，如环氧树脂类有机材料、聚甲基丙烯酸甲酯等。可使用喷墨打印工艺将有机材料打印到第一无机封装层156上，该有机材料经过固化后形成有机封装层155。该有机材料在固化前有流动性，阻挡坝168能对其进行阻挡。利用该有机材料的流动性，可以使有机封装层155形成流平表面，有利于后续形成第二无机封装层154。并且，有机封装层155柔性较好，而第一无机封装层156与第二无机封装层154柔性较差，有机封装层155将第一无机封装层156与第二无机封装层154隔开，此种“三明治”结构能确保封装层153整体上具有较好柔性，以满足弯折需要。在其他实施例中，有机封装层155的厚度、材料与成型工艺可以根据需要确定，不限于上文所述。例如，有机封装层155可以通过滴注工艺(one drop fill,ODF)制备。
第二无机封装层154覆盖第一无机封装层156与有机封装层155。第二无机封装层154的厚度可以是0.3μm-1.2μm，例如0.3μm、0.7μm或1.2μm等。第二无机封装层154可由无机材料形成，如SiNx和/或SiO2。第二无机封装层154同样具有良好的防水氧渗透性能，能阻隔水氧(例如从通孔15c进入的水氧，或者从第二无机封装层154背离第一无机封装层156的一侧进入的水氧)，避免水氧侵入有机封装层155和显示区15a。因此，使用第二无机封装层154能进一步提升水氧阻隔性能。第二无机封装层154可以使用低温CVD工艺，或者ALD工艺制备。在其他实施例中，第二无机封装层154的厚度、材料与成型工艺可以根据需要确定，不限于上文所述。
实施例一中的封装层153是包括第一无机封装层156、有机封装层155及第二无机封装层154的“三明治”构造，这仅仅是一种举例。在其他实施例中，封装层153可以由无机材料-有机材料交替叠加多层，例如封装层153可以包括七层或五层材料。或者根据需要，也可以采用其他工艺制备封装层153，该封装层153可以仅有一层或两层材料，其中可以不设阻挡坝168。
实施例一中，通过在有机功能层157位于非显示区的部分开设封装槽157a，将封装层153填入封装槽157a，以将有机功能层157隔断，将从通孔15c处进入的外界水氧阻断在封装槽157a处，防止外界水氧沿有机功能层157侵入显示区15a。由于封装槽157a结构简单，容易加工，因此制造成本较低。
并且，可以采用合适的加工工艺(例如激光刻蚀)保证封装槽157a的宽度较小，这能使得非显示区15b具有较小宽度(参见图6和图7)，因而使得盖板14上的不透光区14b也可以做的较窄，从而有利于提升电子设备10的屏占比。
图13为常规柔性显示面板使用隔离柱20隔断有机功能层157的示意，其中截取的是非显示区内并位于通孔15c外周的层结构。如图13所示，隔离柱20可形成于TFT阵列层158之上。隔离柱20可以包括依次层叠的下隔离层23、中隔离层22和上隔离层21，下隔离层23的宽度与上隔离层21的宽度(图13中左右方向的尺寸)比中隔离层22的宽度大，此种结构可称为底切结构(undercut)。在通过蒸镀工艺形成有机功能层157时，蒸镀材料会沉积到隔离柱20的表面。由于蒸镀材料的沉积具有方向性(粒子基本沿直线运动)，并且存在该底切结构，最终制得的有机功能层157会覆盖上隔离层21、TFT阵列层158和衬底159，还可能覆盖部分下隔离层23与部分中隔离层22，但覆盖上隔离层21的这部分有机功能层157，与其余部分有机功能层157在隔离柱20处断开。第一无机封装层156覆盖有机功能层157，并填入隔离柱20处的间隔，将有机功能层157隔断。当外界水氧从通孔15c一侧侵入有机功能层157时，由于有机功能层157在隔离柱20处是被隔断的，因此外界水氧无法越过隔离柱20继续入侵，从而起到阻隔水氧的作用。
由图13及上文描述可知，隔离柱20的结构较为复杂，这导致隔离柱20的制程较为复杂，常规柔性显示面板制造成本较高。
而且由于制程精度的限制，单个隔离柱20的无法实现有机功能层157的完全隔断，导致水氧封装效果较差。为了弥补此缺陷，通常需要设置多个隔离柱20(例如11个)，多个隔离柱20的总宽度可以达150μm，这又会导致非显示区的宽度增大，从而降低了屏占比。
综上所述，实施例一的方案能够以简单的结构实现对显示面板15的通孔15c附近区域的封装，而且能够减小封装宽度，提升电子设备的屏占比。
如图6和图7所示，触控层152可位于封装层153背离有机功能层158的一侧，例如触控层152可通过胶层C2与封装层153贴合。在其他实施例中，触控层152可与封装层153连为一体，即在显示面板15的制程中一并形成触控层152，而非是将独立的触控层152贴合至封装层153。触控层152中可以有阵列排布的触控单元，用于实现显示面板15的触控操作。
如图6和图7所示，偏光片151可位于触控层152背离封装层153的一侧。偏光片151可通过胶层C1与盖板14贴合。胶层C1上可以形成与通孔15c对准的通孔，便于使外界光线能进入通孔15c。或者，胶层C1可以为透光性较好的胶，此时胶层C1可以不开设通孔，也可以使外界光线进入通孔15c。
如图6和图7所示，背膜160可与衬底159背离有机功能层158的一侧贴合，例如背膜160可以通过胶层C3与第一有机高分子材料层167贴合。背膜160是显示面板15背侧的防护层。背膜147例如可以由聚酰亚胺材料或PET材料制造，也可以采用其他合适的材料。
如图6和图7所示，减振层161位于背膜160背离衬底159的一侧，减振层161可通过胶层C4与背膜160贴合。减振层161例如可由泡棉材料制成，也可以采用其他能缓冲吸振的材料。减振层161具有缓冲吸振作用，能够提升显示面板15抵抗冲击的性能。
如图6和图7所示，支撑层162位于减振层161背离背膜160的一侧，支撑层162可通过胶层C5与减振层161贴合。支撑层162例如可以是金属层，如铜箔、钢片(如SUS不锈钢)等。支撑层162可具有机械防护、散热、抗电磁干扰等性能。
另外，考虑到显示面板15的散热，可以在减振层161中混合石墨材料，或者在支撑层162上贴合石墨片，或者直接使用石墨片替代支撑层162。当然，利用石墨进行散热的设计并非是必需的。
以上实施例详细说明了本申请实施例的显示面板11的结构，以下将描述显示面板11的制造方法。以下提到的与上文同名的部件，其结构同上文所述，在下文中不再重复说明。
实施例二提供了一种显示面板的制造方法，用于制造上文的显示面板11。该制造方法可以包括：
S31.制造TFT背板；
S32.在TFT背板上形成有机功能层，使有机功能层包括第一有机层与第二有机层，所述第一有机层围绕所述第二有机层设置，所述第一有机层包括多个显示单元，所述第一有机层作为显示面板的显示区，所述第二有机层不含显示单元，所述第二有机层作为显示面板的非显示区；
S33.在第二有机层上开设环绕一周的封装槽，使封装槽贯通第二有机层；
S34.在有机功能层上形成封装层，使封装层覆盖第一有机层与第二有机层，并填充封装槽；
S35.在封装层上形成触控层与偏光层，使触控层位于封装层与偏光层之间，以制得预制面板；
S36.在预制面板上开设通孔，使通孔位于封装槽的内周。
S31中所制备的该TFT背板为上述的TFT背板150，TFT背板150可以是柔性TFT背板或刚性TFT背板。下面将结合图14(图14采用了图6的局部剖视表达方式)与图15所示，以该TFT背板150是柔性TFT背板为例详细说明。
结合图14与图15所示，在一种实施方式中，步骤S31具体可以包括：
S311.提供刚性载板100。刚性载板100为平板状的基板，可以采用玻璃制造。刚性载板100具有较大的刚性，可作为承载体，对下一步工序中的柔软的有机高分子材料进行支撑，保证有机高分子材料层的尺寸与平整度满足设计要求。
S312.在刚性载板100上形成至少两层有机高分子材料与至少两层无机材料，使至少两层有机高分子材料与两层无机材料交替层叠，其中一层有机高分子材料与刚性载板100直接贴合。例如，可以形成两层有机高分子材料与两层无机材料，两层有机高分子材料与两层无机材料按照有机高分子材料-无机材料-有机高分子材料-无机材料的次序依次叠加，且紧贴刚性载板100的是其中一层有机高分子材料。有机高分子材料包括但不限于PI等，有机高分子材料形成有机高分子材料层。无机材料包括但不限于SiNx、SiO2、Si、SiNxO、Al2O3中的至少一种，无机材料形成无机材料层。沿材料的叠加方向，依次形成的是第一有机高分子材料层167、第一隔绝层166、第二有机高分子材料层165和第二隔绝层164。
S313.在所形成的第二隔绝层164之上覆盖无机材料，如SiNx和/或SiO2，形成缓冲层163。根据产品需要，在其他实施例中也可以没有步骤S313。
S314.在缓冲层163之上形成TFT阵列层158，例如可以通过阵列工艺形成TFT阵列层158。TFT阵列层158仅形成在缓冲层163的部分区域。在未形成缓冲层163的其他实施例中，可在第二隔绝层164之上形成TFT阵列层158。
S315.在TFT背板150上开设环绕一周的止裂槽159a，使得止裂槽159a仅贯通缓冲层163与第二隔绝层164，也即止裂槽159a并未贯通柔性TFT背板150。例如，可以通过刻蚀工艺对缓冲层163与第二隔绝层164进行刻蚀，以形成止裂槽159a。在其他实施例中，止裂槽159a也可以仅贯通缓冲层163。或者在未形成缓冲层163的实施例中，止裂槽159a可以仅贯通第二隔绝层164。
在S315中，可以开设至少一个止裂槽159a，例如图4所示的3个止裂槽159a，这3个止裂槽159a依次嵌套。根据产品需要，在其他实施例中可不开设止裂槽159a。
实施例二中，步骤S315与步骤S314的先后次序不限，可以根据产品需要确定。
S316.在缓冲层163上形成环绕一周的阻挡坝168。其中，阻挡坝168的数量可以为至少一个，图14示出了一个阻挡坝168，例如也可以是2个。阻挡坝168的高度例如可以是1μm-4μm(含端点值)。可以使用单一材料制造阻挡坝168，也可以使用至少两层材料叠加形成阻挡坝168。阻挡坝168用于阻挡在后续步骤中形成的封装层153中的有机材料。在其他实施例中，没有形成缓冲层163的步骤时，步骤S316可以是在第二隔绝层164上形成阻挡坝168。或者在其他实施例中，可以没有形成阻挡坝168的步骤。
实施例二中，步骤S316、步骤S315及步骤S314的先后次序不限，可以根据产品需要确定。所形成的阻挡坝168环绕于所述形成的止裂槽159a的外周，所形成的TFT阵列层158位于阻挡坝168的外周。
结合图16和图17所示，在步骤S32中所形成的有机功能层157可以覆盖缓冲层163、TFT阵列层158和阻挡坝168。在步骤S32中，例如可以通过在TFT背板150上依次覆盖多层有机材料，依次制备出空穴注入层、空穴传输层、阴极、发光层、电子传输层和电子注入层，从而制得有机功能层157。其中，可以使发光层仅分布在阻挡坝168的外周，空穴注入层、空穴传输层、阴极、电子传输层和电子注入层则覆盖整个TFT背板150(包括阻挡坝168和止裂槽159a)。可以使用OLED发光材料或QD发光材料形成该发光层。由此，有机功能层157中具有发光层的区域可称为第一有机层，第一有机层形成显示区15a；有机功能层157中没有发光层的区域可称为第二有机层，第二有机层形成非显示区15b。
步骤S32中，可以通过蒸镀工艺、打印工艺或者涂布工艺(coating)形成有机功能层157。
结合图16和图17所示，在步骤S33中，可以通过激光刻蚀在有机功能层157的非显示区15b开设环绕一周的封装槽157a。激光刻蚀的基本过程可以是：是将高光束质量的小功率激光束(例如可以是紫外激光、光纤激光等)聚焦成极小光斑，在焦点处形成极高的功率密度，使有机功能层157的非显示区15b的材料在瞬间汽化蒸发，形成封装槽157a。
激光刻蚀的热影响区小，能极为精准地烧蚀加工区域，具有极高的加工精度与加工质量，因而能刻蚀出宽度极小的封装槽157a。例如，可以刻蚀得到宽度在10μm-50μm之间的封装槽157a。其中，同上文所述，封装槽157a远离衬底159一侧的宽度可以在该宽度范围，封装槽157a靠近衬底159一侧的宽度也可以在该宽度范围。而且，由于激光刻蚀可聚焦成激光波长级的极小光斑，能完全蚀刻掉有机功能层157，还可以将有机功能层157下方的缓冲层163部分或全部刻蚀，这利于步骤S34中封装层153的充分填入。另外，激光刻蚀适合加工柔性材料，无接触，不会污染有机功能层157。
在其他实施例的步骤S33中，也可以采用其他方式形成封装槽157a，例如等离子体束干刻或离子束干刻等工艺。
如图17所示，在步骤S33中所形成的封装槽157a，可以具有近似梯形的横截面形状。其中，封装槽157a远离衬底159一侧的宽度，大于封装槽157a靠近衬底159一侧的宽度。梯形的封装槽157a有利于步骤S34中封装层153的充分填入。
如图17所示，在步骤S33中，可以使得封装槽157a环绕于止裂槽159a的外周，并位于阻挡坝168与止裂槽159a之间。可以在阻挡坝168的外周和内周均开设封装槽157a。
结合图18-图20所示，步骤S34具体可以包括：
S341.如图18所示，在有机功能层157上形成第一无机封装层156，使第一无机封装层156覆盖有机功能层157的显示区15a与有机功能层157的非显示区15b，并填充封装槽157a。第一无机封装层156覆盖有机功能层157的全部区域并填充封装槽157a，以将有机功能层157隔断。第一无机封装层156填入封装槽157a的部分可与缓冲层163接触。例如，可以通过低温CVD工艺或者ALD工艺在有机功能层157上沉积SiNx和/或SiO2无机材料，制得第一无机封装层156。上述工艺适用于沉积无机材料，良率较好，工艺可靠性高。
S342.如图19所示，在第一无机封装层156上形成有机封装层155，使有机封装层155覆盖第一无机封装层156位于阻挡坝168外周的部分。例如可以通过喷墨打印工艺，将环氧树脂类、聚甲基丙烯酸甲酯等有机材料打印到第一无机封装层156上。该有机材料具有流动性，阻挡坝168能对该有机材料进行阻挡，使其覆盖第一无机封装层156位于阻挡坝168外周的区域。覆盖完全后，可以对该有机材料进行固化，得到有机封装层155。喷墨打印工艺适用于沉积有机材料，良率较好，工艺可靠性高。也可以通过其他工艺形成有机封装层155，例如ODF工艺。
S343.如图20所示，在有机封装层155与第一无机封装层156上形成第二无机封装层154。例如，可以通过低温CVD工艺或者ALD工艺在有机封装层155与第一无机封装层156上沉积SiNx和/或SiO2无机材料，制得第二无机封装层154。上述工艺适用于沉积无机材料，良率较好，工艺可靠性高。
通过步骤S341-S343可以制得封装层153。通过此种工艺制造出的封装层153具有良好的柔性与阻隔水氧性能。
结合图21所示，在步骤S34中制得封装层153之后，可以将刚性载板100剥离，便于后续继续制程。例如，可以使用激光剥离(laser lift off，LLO)工艺将刚性载板100与第一有机高分子材料层167分离。剥离刚性载板100之后，可以在第一有机高分子材料层167背离第一隔绝层166的表面贴附背膜160，背膜160可以通过粘胶C3与第一有机高分子材料层167贴合。
结合图22所示，在剥离刚性载板100之后的步骤S35中，可以在封装层153上形成触控层152与偏光层151，偏光层151即偏光片151。例如，触控层152可以通过粘胶C2贴合封装层153，偏光层151覆盖触控层152。其中，偏光层151与触控层152可以连为一体，无需通过介质贴合，此时可将偏光层151与触控层152的一体化膜层贴合至封装层153。或者，偏光层151与触控层152可以是独立的膜层，可以先将触控层152贴合至封装层153，再将偏光层151贴合至触控层152。或者，触控层152可以与封装层153连为一体，即在显示面板15的制程中一并形成触控层152。此时只需将单独的偏光层151(或称偏光片151)贴合至触控层152。
或者其他实施例的步骤S35中，通过以上任意方式形成触控层152后，可以使用涂布工艺(coating)在触控层152上形成偏光层151，偏光层151与触控层152连为一体，此种偏光层151可以称为涂布型偏光片。涂布工艺能制备较薄的涂布型偏光片，有利于减薄显示面板15。
在其他实施例中，当步骤S35中使用涂布工艺(coating)制备涂布型偏光片时，可以先进行步骤S35以制得涂布型偏光片，再进行剥离刚性载板100与贴附背膜160的步骤。
或者在其他实施例中，当要形成的TFT背板150为刚性背板时，可以不使用刚性载板100，自然也没有剥离刚性载板100的步骤。
如图22所示，经过以上步骤后，可以制得预制面板15’。在一下步骤中，还将继续对该预制面板15’进行加工。
结合图23所示，在步骤S36中，在预制面板15’上开设通孔15c，通孔15c位于封装槽157a的内周，例如位于止裂槽159a的内周。步骤S36中，通孔15c与止裂槽159a及封装槽157a均保持适当间距。通孔15c的孔径与光学模组13的尺寸相适配。可以使用任意合适的方式开设通孔15c。结合图24所示，在开设通孔15c之后，还可以在预制面板15’的背部贴附减振层161和支撑层162。例如，可以在背膜160背离衬底159的表面通过粘胶C4贴附减振层161，在减振层161上通过粘胶C5贴附支撑层162。减振层161可由具有缓冲吸振性能的材料制成，如泡棉。支撑层162可由铜箔、钢片(如SUS不锈钢)等制成。
在其他实施例中，也可以在开设通孔15c之后，再剥离刚性载板100，然后贴附减振层161和支撑层162。
结合图25所示，可以将上述制造方法制得的显示面板15与盖板14通过粘胶C1贴合，得到显示屏11。其中，盖板14可以包括第一透光区14a、不透光区14b和第二透光区14c，盖板14的不透光区14b具有遮光油墨14d。可以使显示面板15的通孔15c与盖板14的第二透光区14c位置对应，使显示面板15的非显示区15b与不透光区14b位置对应，使显示面板15的显示区15a与第一透光区14a位置对应，
或者，可以使用裸盖板与显示面板15贴合。该裸盖板未涂覆遮光油墨14d，该裸盖板的全部区域均透光，不存在不透光区14b。在贴合前，可以预先在该裸盖板上的设定区域涂覆遮光油墨14d，以将该裸盖板划分为第一透光区14a、不透光区14b和第二透光区14c，其中不透光区14b为涂覆有遮光油墨14d的区域。再将涂覆有遮光油墨14d的该裸盖板与显示面板15贴合。对比上述两种工序可知，前者是是将自身已经具有不透光区14b的盖板14直接与显示面板15贴合；后者是对自身没有不透光区14b的裸盖板进行预加工，使其形成不透光区14b后再与显示面板15贴合。
在其他实施例中，可以直接使用全部区域均透光的裸盖板与显示面板15贴合，这样不存在将第二透光区14c与通孔15c对准的问题，能够减小制程难度。而且，所制得的显示屏11中的非显示区15b不会被遮挡，使用户可以观察到，这可以营造出独特的外观体验。以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (26)

1.一种显示面板，其特征在于，
所述显示面板包括依次层叠的薄膜晶体管背板、有机层和封装层；所述显示面板具有通孔，所述通孔贯穿所述薄膜晶体管背板、所述有机层和所述封装层；所述显示面板包括非显示区和显示区，所述非显示区围绕所述通孔设置，所述显示区围绕所述非显示区设置；
所述有机层包括第一有机层和第二有机层，所述第一有机层是位于所述显示区的部分，所述第二有机层是位于所述非显示区的部分，其中，第一有机层包括多个显示单元，所述第二有机层设置有第一槽，所述第一槽贯穿所述第二有机层，且所述第一槽围绕所述通孔设置；
所述封装层覆盖所述有机层，并填充所述第一槽。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一槽靠近所述封装层一侧的宽度，大于所述第一槽远离所述封装层一侧的宽度。
3.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，
所述薄膜晶体管背板包括衬底及设置于所述衬底上的坝，所述坝位于所述非显示区，并环绕所述通孔设置；所述有机层覆盖所述衬底与所述坝，所述第一槽与所述坝间隔设置；
所述封装层包括第一无机封装层、有机封装层及第二无机封装层；所述第一无机封装层覆盖所述有机层，并填充所述第一槽；所述有机封装层覆盖所述第一无机封装层位于所述坝外周的部分；所述第二无机封装层覆盖所述有机封装层与所述第一无机封装层。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，
所述坝的内侧与外侧均设置有所述第一槽。
5.根据权利要求1-4任一项所述的显示面板，其特征在于，
所述第一槽靠近所述封装层一侧的宽度为10μm-50μm，所述第一槽远离所述封装层一侧的宽度为10μm-50μm。
6.根据权利要求3-5任一项所述的显示面板，其特征在于，
所述衬底具有第二槽，所述第二槽在衬底朝向有机层的表面形成开口，所述第二槽未贯通所述衬底，所述第二槽位于所述坝与所述通孔之间并环绕所述通孔；所述第一槽位于所述第二槽的外周。
7.根据权利要求1-6任一项所述的显示面板，其特征在于，
所述显示面板包括触控层，所述触控层覆盖所述封装层；所述通孔贯穿所述触控层。
8.一种显示屏，其特征在于，包括盖板及权利要求1-7任一项所述的显示面板，所述盖板与所述显示面板贴合，所述封装层位于所述盖板与所述有机层之间。
9.根据权利要求8所述的显示屏，其特征在于，
所述盖板包括第一透光区、不透光区和第二透光区，所述第一透光区环绕所述不透光区设置，所述不透光区环绕所述第二透光区设置；所述显示区位于所述第一透光区，所述不透光区与所述非显示区对应，所述第二透光区与所述通孔对应。
10.根据权利要求9所述的显示屏，其特征在于，
所述不透光区与所述第二透光区的边界，落入所述通孔的边界以内。
11.一种电子设备，其特征在于，
包括光学模组及权利要求8-10任一项所述的显示屏；所述光学模组对应所述通孔，所述光学模组用于采集穿过所述第二透光区与所述通孔的光线。
12.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：
制造薄膜晶体管背板；
在所述薄膜晶体管背板上形成有机层，其中，所述有机层包括第一有机层与第二有机层，所述第一有机层围绕所述第二有机层设置，所述第一有机层包括多个显示单元，所述第一有机层作为显示面板的显示区，所述第二有机层不含显示单元，所述第二有机层作为显示面板的非显示区；
在所述第二有机层上形成环绕一周的第一槽，使所述第一槽贯穿所述第二有机层；
在所述有机层上形成封装层，使所述封装层覆盖所述第一有机层与所述第二有机层，并填充所述第一槽；
在所述封装层上形成触控层与偏光层，使所述触控层位于所述封装层与所述偏光层之间，以制得预制面板；
在所述预制面板上形成通孔，使所述第一槽围绕所述通孔设置。
13.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，
所述在所述第二有机层上形成环绕一周的第一槽，包括：通过激光刻蚀形成所述第一槽。
14.根据权利要求12或13所述的制造方法，其特征在于，
所述第一槽远离所述薄膜晶体管背板一侧的宽度，大于所述第一槽靠近所述薄膜晶体管背板一侧的宽度。
15.根据权利要求12-14任一项所述的制造方法，其特征在于，所述制造薄膜晶体管背板包括：
制造衬底；
在所述衬底上形成环绕一周的坝。
16.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述在所述薄膜晶体管背板上形成有机层，包括:在所述衬底上形成所述第一有机层与所述第二有机层,其中,所述第二有机层覆盖所述衬底与所述坝。
17.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述在所述第二有机层上形成设环绕一周的第一槽，使所述第一槽贯通所述第二有机层，包括：使所述坝环绕所述第一槽设置。
18.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述在所述有机层上形成封装层，使所述封装层覆盖所述第一有机层与所述第二有机层，并填充所述第一槽,包括：
在所述有机层上形成第一无机封装层，使所述第一无机封装层覆盖所述第一有机层与所述第二有机层，并填充所述第一槽；
在所述第一无机封装层上形成有机封装层，使所述有机封装层覆盖所述第一无机封装层位于所述坝外周的部分；
形成第二无机封装层，使所述第二无机封装层覆盖所述有机封装层与所述第一无机封装层。
19.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述在所述第二有机层上开设环绕一周的第一槽，使所述第一槽贯通所述第二有机层，包括：
开设至少两个所述第一槽，使至少一个所述第一槽位于所述坝的内周，其余所述第一槽环绕所述坝设置。
20.根据权利要求18所述的制造方法，其特征在于，
所述在所述第一无机封装层上形成有机封装层，使所述有机封装层覆盖所述第一无机封装层位于所述坝外周的部分,包括：
通过喷墨打印将有机材料打印在所述第一无机封装层位于所述坝外周的部分；
对所述有机材料进行固化，以得到所述有机封装层。
21.根据权利要求12-20任一项所述的制造方法，其特征在于，
所述第一槽远离所述薄膜晶体管背板一侧的宽度为10μm-50μm，所述第一槽靠近所述薄膜晶体管背板一侧的宽度为10μm-50μm。
22.根据权利要求12-21任一项所述的制造方法，其特征在于，所述制造薄膜晶体管背板之后，所述在所述薄膜晶体管背板上形成有机层之前，所述制造方法还包括：在所述薄膜晶体管背板上形成环绕一周的第二槽，所述第二槽未贯通所述薄膜晶体管背板。
23.根据权利要求22所述的制造方法，其特征在于，所述在所述第二有机层上形成环绕一周的第一槽，使所述第一槽贯通所述第二有机层，包括：使所述第一槽环绕所述第二槽设置。
24.根据权利要求22或23所述的制造方法，其特征在于，
所述在所述预制面板上形成通孔，使所述第一槽围绕所述通孔设置，包括：使所述第二槽围绕所述通孔设置。
25.根据权利要求12-24任一项所述的制造方法，其特征在于，所述制造薄膜晶体管背板包括：
提供刚性载板；
在所述刚性载板上形成至少两层有机高分子材料与至少两层无机材料，使所述至少两层有机高分子材料与所述两层无机材料交替层叠，其中一层所述有机高分子材料与所述刚性载板贴合，以制得衬底；
将所述刚性载板剥离。
26.根据权利要求12-25任一项所述的制造方法，其特征在于，所述在所述封装层上形成触控层与偏光层，包括：
在所述封装层上形成所述触控层；
通过涂布工艺在所述触控层上形成所述偏光层。
CN202010899632.1A 2020-08-31 2020-08-31 显示面板及其制造方法、显示屏和电子设备 Active CN114122279B (zh)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211502098.1A CN115835694A (zh) 2020-08-31 2020-08-31 显示面板及其制造方法、显示屏和电子设备
CN202010899632.1A CN114122279B (zh) 2020-08-31 2020-08-31 显示面板及其制造方法、显示屏和电子设备
CN202211502096.2A CN115966573A (zh) 2020-08-31 2020-08-31 显示面板及其制造方法、显示屏和电子设备
PCT/CN2021/125897 WO2022042771A2 (zh) 2020-08-31 2021-10-22 显示面板及其制造方法、显示屏和电子设备
US18/022,392 US20230329070A1 (en) 2020-08-31 2021-10-22 Display panel and manufacturing method therefor, display screen, and electronic device
EP21860603.6A EP4184551A4 (en) 2020-08-31 2021-10-22 DISPLAY PANEL AND METHOD OF PRODUCTION THEREOF, DISPLAY SCREEN AND ELECTRONIC DEVICE

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010899632.1A CN114122279B (zh) 2020-08-31 2020-08-31 显示面板及其制造方法、显示屏和电子设备

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211502098.1A Division CN115835694A (zh) 2020-08-31 2020-08-31 显示面板及其制造方法、显示屏和电子设备
CN202211502096.2A Division CN115966573A (zh) 2020-08-31 2020-08-31 显示面板及其制造方法、显示屏和电子设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114122279A true CN114122279A (zh) 2022-03-01
CN114122279B CN114122279B (zh) 2022-12-16

Family

ID=80352691

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010899632.1A Active CN114122279B (zh) 2020-08-31 2020-08-31 显示面板及其制造方法、显示屏和电子设备
CN202211502096.2A Pending CN115966573A (zh) 2020-08-31 2020-08-31 显示面板及其制造方法、显示屏和电子设备
CN202211502098.1A Pending CN115835694A (zh) 2020-08-31 2020-08-31 显示面板及其制造方法、显示屏和电子设备

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211502096.2A Pending CN115966573A (zh) 2020-08-31 2020-08-31 显示面板及其制造方法、显示屏和电子设备
CN202211502098.1A Pending CN115835694A (zh) 2020-08-31 2020-08-31 显示面板及其制造方法、显示屏和电子设备

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230329070A1 (zh)
EP (1) EP4184551A4 (zh)
CN (3) CN114122279B (zh)
WO (1) WO2022042771A2 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114694508A (zh) * 2022-03-29 2022-07-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示装置
CN114898666A (zh) * 2022-06-13 2022-08-12 武汉天马微电子有限公司 一种贴合组件

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220063794A (ko) * 2020-11-09 2022-05-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널, 표시 장치, 및 표시 장치의 제조방법
US20230165045A1 (en) * 2021-11-24 2023-05-25 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display module and manufacturing method of display module

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110444576A (zh) * 2019-08-14 2019-11-12 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法
CN111081732A (zh) * 2018-10-19 2020-04-28 乐金显示有限公司 显示装置
CN111129351A (zh) * 2020-01-02 2020-05-08 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN111326553A (zh) * 2018-12-14 2020-06-23 乐金显示有限公司 显示装置
CN111443774A (zh) * 2020-03-26 2020-07-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示模组及显示装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102407869B1 (ko) * 2016-02-16 2022-06-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법
KR102587878B1 (ko) * 2018-08-31 2023-10-11 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102659189B1 (ko) * 2018-11-27 2024-04-19 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102621016B1 (ko) * 2018-12-28 2024-01-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
CN110600511A (zh) * 2019-08-26 2019-12-20 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光显示面板及其制备方法
CN111162195B (zh) * 2020-01-02 2022-10-04 合肥维信诺科技有限公司 显示面板和显示装置
CN111403624A (zh) * 2020-03-26 2020-07-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111081732A (zh) * 2018-10-19 2020-04-28 乐金显示有限公司 显示装置
CN111326553A (zh) * 2018-12-14 2020-06-23 乐金显示有限公司 显示装置
CN110444576A (zh) * 2019-08-14 2019-11-12 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法
CN111129351A (zh) * 2020-01-02 2020-05-08 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN111443774A (zh) * 2020-03-26 2020-07-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示模组及显示装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114694508A (zh) * 2022-03-29 2022-07-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示装置
CN114694508B (zh) * 2022-03-29 2023-12-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示装置
CN114898666A (zh) * 2022-06-13 2022-08-12 武汉天马微电子有限公司 一种贴合组件
CN114898666B (zh) * 2022-06-13 2023-10-13 武汉天马微电子有限公司 一种贴合组件

Also Published As

Publication number Publication date
CN115835694A (zh) 2023-03-21
CN114122279B (zh) 2022-12-16
EP4184551A2 (en) 2023-05-24
CN115966573A (zh) 2023-04-14
EP4184551A4 (en) 2024-01-17
WO2022042771A3 (zh) 2022-04-14
US20230329070A1 (en) 2023-10-12
WO2022042771A2 (zh) 2022-03-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN114122279B (zh) 显示面板及其制造方法、显示屏和电子设备
US11342390B2 (en) Display panel, display device and a method for manufacturing a display panel
JP5525589B2 (ja) 有機発光表示装置及びその製造方法
JP6186697B2 (ja) 有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置、電子機器
JP5299475B2 (ja) 表示装置及び電子機器
KR20190048642A (ko) 디스플레이 장치
KR20170003297A (ko) 유기발광 표시장치
JP2007220395A (ja) エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器
EP3929995A1 (en) Display device and method of fabricating the same
JP2017068927A (ja) 有機発光装置および電子機器
JP2020086451A (ja) 表示装置
KR102501537B1 (ko) 전자 기기용 커버 윈도우를 포함하는 전자 기기
KR102674786B1 (ko) 멀티스크린 표시장치 및 이의 제조방법
JP2016143605A (ja) 発光装置の製造方法、発光装置、及び電子機器
JP2019179102A (ja) 電気光学装置及びその製造方法
JP7466701B2 (ja) 表示装置および表示装置の製造方法
JP2010232087A (ja) 光学フィルムおよび発光装置
KR20240038897A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN118215345A (zh) 显示面板及显示装置
JP2016195001A (ja) 有機発光装置および電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant