CN114122090B - 光阻层的加工方法、显示面板的制作方法以及显示面板 - Google Patents

光阻层的加工方法、显示面板的制作方法以及显示面板 Download PDF

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Abstract

本申请实施例公开了一种光阻层的加工方法、显示面板的制作方法以及显示面板，通过对负性光阻层的第一曝光区域进行第一次曝光处理；对负性光阻层的第二曝光区域进行第二次曝光处理，第二曝光区域至少具有设于第一曝光区域的一侧且与第一曝光区域连接的部分，第一次曝光处理的曝光量大于第二次曝光处理的曝光量；对负性光阻层进行显影处理，去除未进行光反应的负性光阻层；对剩余的负性光阻层进行加热固化处理，得到底切结构。本申请通过对负性光阻层进行两次曝光处理和一次显影处理，即可制得底切结构，有效简化了底切结构的制作工艺，从而提高了生产效率。

Description

光阻层的加工方法、显示面板的制作方法以及显示面板
技术领域
本申请涉及显示领域，具体涉及一种光阻层的加工方法、显示面板的制作方法以及显示面板。
背景技术
自主发光的有机发光二极管显示器(Organic Light-Emitting Diode，OLED)具有响应速度快、对比度高、视角广等优点，并且容易实现柔性显示，因而被普遍应用。OLED显示器极有可能成为下一代显示技术的主流产品。OLED显示面板结构包括透明阳极层，发光层和金属阴极层。为了增大顶发射的透过率，金属阴极的厚度较薄，造成方阻较大，电流压降(IR drop)严重，导致显示面板有明显的亮度不均匀现象，严重影响了OLED显示装置的显示效果。为改善面板显示亮度的不均匀性，可以架设辅助电极层，与较薄的金属阴极相连。由于辅助电极层的电阻较小，电流压降减小，通电时，使面板的阴极的阻抗和电流压降得到减小，亮度均匀性得到一定的改善。
对于如何实现辅助电极层和金属阴极搭接，通常采用在阴极和辅助电极层之间设置底切结构，底切结构通常需要通过两道黄光制程(曝光和显影)制得，制作工艺复杂，降低生产效率。
发明内容
本申请实施例提供一种光阻层的加工方法、显示面板的制作方法以及显示面板，可以解决底切结构的制作工艺复杂和生产效率低的技术问题。
本申请实施例提供一种光阻层的加工方法，包括：
步骤B1、形成负性光阻层；
步骤B2、对所述负性光阻层的第一曝光区域进行第一次曝光处理；
步骤B3、对所述负性光阻层的第二曝光区域进行第二次曝光处理，所述第二曝光区域至少具有设于所述第一曝光区域的一侧且与所述第一曝光区域连接的部分，所述第一次曝光处理的曝光量大于所述第二次曝光处理的曝光量；
步骤B4、对所述负性光阻层进行显影处理，去除未进行光反应的所述负性光阻层；
步骤B5、对剩余的所述负性光阻层进行加热固化处理，得到底切结构。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一曝光区域设于所述第二曝光区域内，所述第二曝光区域的面积大于所述第一曝光区域的面积。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一曝光区域和所述第二曝光区域部分重叠。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二曝光区域设于所述第一曝光区域的侧面，且所述第二曝光区域与所述第一曝光区域连接。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一次曝光处理的曝光时间大于所述第二次曝光处理的曝光时间。
可选的，在本申请的一些实施例中，在所述步骤B2中，还对所述负性光阻层的第三曝光区域进行第一次曝光处理，所述第一曝光区域和所述第三曝光区域间隔设置，所述第二曝光区域和所述第三曝光区域间隔设置；
在所述步骤B5中，所述负性光阻层对应所述第一曝光区域和所述第二曝光区域的部分形成所述底切结构，所述负性光阻层对应所述第三曝光区域的部分形成凸台结构。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述底切结构具有负坡度角，所述凸台结构具有正坡度角。
本申请实施例还提供一种显示面板的制作方法，包括：
步骤B10、在基板上形成第一像素定义层，所述第一像素定义层为负性光阻层，所述基板设有间隔设置的辅助电极和第一电极，所述第一像素定义层设有堤坝区域、开口区域、过孔区域以及第一底切区域，所述堤坝区域围合形成所述开口区域，所述堤坝区域和所述第一底切区域围合形成所述过孔区域，所述过孔区域对应所述辅助电极设置，所述开口区域对应所述第一电极设置；
步骤B20、对所述第一像素定义层的所述堤坝区域和所述第一底切区域进行第一次曝光处理；
步骤B30、对所述第一像素定义层的第二底切区域进行第二次曝光处理，所述第二底切区域的一侧延伸至所述第一底切区域，所述第二底切区域的另一侧连接于所述过孔区域，所述第一次曝光处理的曝光量大于所述第二次曝光处理的曝光量；
步骤B40、对所述第一像素定义层进行显影处理，去除所述开口区域和所述过孔区域的所述第一像素定义层，形成露出所述第一电极的像素开口以及露出所述辅助电极的搭接过孔；
步骤B50、对剩余的所述第一像素定义层进行加热固化处理，对应所述第一底切区域和所述第二底切区域的所述第一像素定义层形成底切结构，对应所述堤坝区域的所述第一像素定义层形成堤坝，所述堤坝围合形成用于露出所述第一电极的像素开口，所述堤坝和所述底切结构围合形成用于露出所述辅助电极的搭接过孔；
步骤B60、在所述第一电极上形成发光层；
步骤B70、在所述发光层上形成第二电极，所述第二电极延伸至所述搭接过孔内并与所述辅助电极连接。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一底切区域设于所述第二底切区域内，所述第二底切区域的面积大于所述第一底切区域的面积。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一底切区域和所述第二底切区域部分重叠。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二底切区域设于所述第一底切区域的一侧，且所述第二底切区域与所述第一底切区域连接。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一次曝光处理的曝光时间大于所述第二次曝光处理的曝光时间。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述底切结构具有负坡度角，所述堤坝具有正坡度角。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述基板还包括衬底以及设于所述衬底上的驱动电路层，所述辅助电极和所述第一电极设于所述驱动电路层，所述第一电极电性连接于所述驱动电路层。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述基板还包括设于所述辅助电极和所述第一电极上的第二像素定义层，所述第一像素定义层设于所述第二像素定义层上，所述第二像素定义层设有用于露出所述辅助电极的第一通孔和用于露出所述第一电极的第二通孔。
本申请实施例还提供一种显示面板，包括：
衬底；
驱动电路层，设于所述衬底上；
辅助电极，设于所述驱动电路层上；
第一电极，设于所述驱动电路层上且与所述辅助电极间隔设置；
堤坝，设于所述驱动电路层上，所述堤坝的材料为负性光阻，所述堤坝具有正坡度角，所述堤坝围合形成像素开口，所述像素开口露出所述第一电极；
底切结构，设于所述驱动电路层上，所述底切结构的材料为负性光阻，所述底切结构具有负坡度角，所述底切结构和所述堤坝围合形成搭接过孔，所述搭接过孔露出所述辅助电极；
发光层，设于所述第一电极上；以及
第二电极，设于所述发光层上，所述第二电极延伸至所述搭接过孔内并与所述辅助电极连接。
本申请实施例采用一种光阻层的加工方法、显示面板的制作方法以及显示面板，通过对负性光阻层进行两次曝光处理和一次显影处理，即可制得底切结构，有效简化了底切结构的制作工艺，从而提高了生产效率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的光阻层的加工方法的流程示意图；
图2是本申请实施例提供的负性光阻层的结构示意图；
图3是本申请实施例提供的对负性光阻层进行第一次曝光处理的结构示意图；
图4是本申请实施例提供的对负性光阻层进行第二次曝光处理的结构示意图一；
图5是本申请实施例提供的对负性光阻层进行显影处理的结构示意图一；
图6是本申请实施例提供的对剩余的负性光阻层进行加热固化处理的结构示意图一；
图7是本申请实施例提供的对负性光阻层进行第二次曝光处理的结构示意图二；
图8是本申请实施例提供的对负性光阻层进行第二次曝光处理的结构示意图三；
图9是本申请实施例提供的对负性光阻层进行显影处理的结构示意图二；
图10是本申请实施例提供的对剩余的负性光阻层进行加热固化处理的结构示意图二；
图11是本申请实施例提供的显示面板的制作方法的流程示意图；
图12是本申请实施例提供的在基板上形成负性光阻层的结构示意图；
图13是本申请实施例提供的对基板上的负性光阻层进行第一次曝光处理的结构示意图；
图14是本申请实施例提供的对基板上的负性光阻层进行第二次曝光处理的结构示意图一；
图15是本申请实施例提供的对基板上的负性光阻层进行显影处理的结构示意图一；
图16是本申请实施例提供的对基板上的负性光阻层进行加热固化处理的结构示意图一；
图17是本申请实施例提供的在堤坝和底切结构上形成发光层、第二电极以及封装层的结构示意图一；
图18是本申请实施例提供的对基板上的负性光阻层进行第二次曝光处理的结构示意图二；
图19是本申请实施例提供的对基板上的负性光阻层进行第二次曝光处理的结构示意图三；
图20是本申请实施例提供的对基板上的负性光阻层进行显影处理的结构示意图二；
图21是本申请实施例提供的对基板上的负性光阻层进行加热固化处理的结构示意图二；
图22是本申请实施例提供的在堤坝和底切结构上形成发光层、第二电极以及封装层的结构示意图二。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供一种光阻层的加工方法、显示面板的制作方法以及显示面板。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
请参阅图1，本申请实施例提供一种光阻层的加工方法，包括以下步骤：
步骤B1、如图2所示，形成负性光阻层210。
步骤B2、如图3所示，对负性光阻层210的第一曝光区域211进行第一次曝光处理，使得负性光阻层210对应第一曝光区域211的部分发生光反应。在此实施例中，采用第一光罩310对负性光阻层210的第一曝光区域211进行第一次曝光处理，第一光罩310开设有对应第一曝光区域211的第一开口311。
步骤B3、如图4所示，对负性光阻层210的第二曝光区域212进行第二次曝光处理，使得负性光阻层210对应第二曝光区域212的部分发生光反应，第二曝光区域212至少具有设于第一曝光区域211的一侧且与第一曝光区域211连接的部分。第一次曝光处理的曝光量大于第二次曝光处理的曝光量，因此，第二次曝光处理中负性光阻层210对应第二曝光区域212处的顶部发生光反应，底部并未发生光反应。在此实施例中，采用第二光罩320对负性光阻层210的第二曝光区域212进行第二次曝光处理，第二光罩320开设有对应第二曝光区域212的第二开口321。
步骤B4、如图5所示，对负性光阻层210进行显影处理，去除未进行光反应的负性光阻层210。
步骤B5、如图6所示，对剩余的负性光阻层210进行加热固化处理，得到底切结构214。
本申请实施例中，在步骤B3中，如图4所示，第一曝光区域211设于第二曝光区域212内，第二曝光区域212的面积大于第一曝光区域211的面积，使得负性光阻层210对应第一曝光区域211发生光反应的部分和第二曝光区域212发生光反应的部分形成T型结构；如图5所示，在步骤B4中，对负性光阻层210进行显影处理，去除未进行光反应的负性光阻层210，剩余的负性光阻层210呈T型结构；如图6所示，在步骤B5中，对剩余的负性光阻层210进行加热固化处理，加热使得负性光阻层210软化并具有一定的流体特性，负性光阻层210呈T型的部分会转变为类似倒梯形的结构，从而得到底切结构214。
可以理解的是，根据实际情况的选择和具体需求，第一曝光区域211和第二曝光区域212的关系可以做适当修改，只要能使得负性光阻层210中第一次曝光处理后发生光反应的部分的顶部继续向外延伸一部分即可，在此不做唯一限定。具体来说，在上述步骤B3中，如图7所示，第一曝光区域211和第二曝光区域212可以部分重叠；或者，如图8所示，第二曝光区域212设于第一曝光区域211的侧面，且第二曝光区域212与第一曝光区域211连接，图7和图8所示的实施例均可以使得负性光阻层210中第一次曝光处理后发生光反应的部分的顶部继续向外延伸一部分。在执行步骤B4后，剩余的负性光阻层210包括对应第一曝光区域211和第二曝光区域212发生光反应的部分，此部分呈类似L型结构；最后，对剩余的负性光阻层210进行加热固化处理，加热使得负性光阻层210软化并具有一定的流体特性，负性光阻层210呈L型的部分会转变为类似平行四边形的结构，从而得到底切结构214。
本申请实施例的光阻层的加工方法，通过对负性光阻层210进行两次曝光处理和一次显影处理，即可制得底切结构214，有效简化了底切结构214的制作工艺，从而提高了生产效率。
可选的，第一次曝光处理的曝光量可以为40毫焦/平方厘米～60毫焦/平方厘米，例如，第一次曝光处理的曝光量可以为40毫焦/平方厘米、42毫焦/平方厘米、44毫焦/平方厘米、46毫焦/平方厘米、48毫焦/平方厘米、50毫焦/平方厘米、52毫焦/平方厘米、54毫焦/平方厘米、56毫焦/平方厘米、58毫焦/平方厘米或60毫焦/平方厘米。当然，根据实际情况的选择和具体需求，第一次曝光处理的曝光量可以做适当调整，在此不做唯一限定。
可选的，第二次曝光处理的曝光量可以为10毫焦/平方厘米～30毫焦/平方厘米，例如，第二次曝光处理的曝光量可以为10毫焦/平方厘米、12毫焦/平方厘米、14毫焦/平方厘米、16毫焦/平方厘米、18毫焦/平方厘米、20毫焦/平方厘米、22毫焦/平方厘米、24毫焦/平方厘米、26毫焦/平方厘米、28毫焦/平方厘米或30毫焦/平方厘米。当然，根据实际情况的选择和具体需求，第二次曝光处理的曝光量可以做适当调整，在此不做唯一限定。
具体的，在上述步骤B2和步骤B3中，为了使得第一次曝光处理的曝光量大于第二次曝光处理的曝光量，可以通过控制两次曝光处理的曝光时间。曝光量随着曝光时间的增加而增加，因此，本申请实施例中，第一次曝光处理的曝光时间大于第二次曝光处理的曝光时间。
进一步的，在制作底切结构214的同时，也能制作常规的光阻结构。具体来说，在上述步骤B2中，如图3所示，还对负性光阻层210的第三曝光区域213进行第一次曝光处理，使得负性光阻层210的第三曝光区域213的部分也发生光反应，即步骤B3中同时对第一曝光区域211和第三曝光区域213进行曝光处理，使得负性光阻层210的第一曝光区域211和第三曝光区域213的部分均发生光反应；第一曝光区域211和第三曝光区域213间隔设置，第二曝光区域212和第三曝光区域213间隔设置；在上述步骤B3中，如图4、图7或图8所示，并未对第三曝光区域213的部分进行曝光处理；在上述步骤B4中，如图5或图9所示，对负性光阻层210进行显影处理，去除未进行光反应的负性光阻层210，剩余的负性光阻层210还包括第三曝光区域213发生光反应的部分；在上述步骤B5中，如图6或图10所示，负性光阻层210对应第一曝光区域211、第二曝光区域212发生光反应的部分形成底切结构214，负性光阻层210对应第三曝光区域213发生光反应的部分形成常规的凸台结构215。在此实施例中，第二光罩320开设有对应第一曝光区域211和第二曝光区域212的第一开口311。
具体的，如图6或图10所示，所制得的底切结构214具有负坡度角，所制得的凸台结构215具有正坡度角。需要注意的是，图6所示的底切结构214仅具有负坡度角，而不具有正坡度角；图10所示的底切结构214同时具有负坡度角和正坡度角。在此实施例中，负坡度角指的是侧面与底面的夹角为锐角，正坡度角指的是侧面与底面的夹角为钝角，如图6所示，底切结构214的侧面与底面的夹角为锐角，即负坡度角；凸台结构215的侧面与底面的夹角为钝角，即正坡度角。
基于同一发明构思，上述光阻层的加工方法可以应用于制作显示面板，如图11所示，本申请实施例提供一种显示面板的制作方法，包括以下步骤：
步骤B10、如图12和图13所示，在基板400上形成第一像素定义层500，第一像素定义层500为负性光阻层，基板400设有间隔设置的辅助电极440和第一电极450，第一像素定义层500设有堤坝区域510、开口区域520、过孔区域530以及第一底切区域540，堤坝区域510围合形成开口区域520，堤坝区域510和第一底切区域540围合形成过孔区域530，过孔区域530对应辅助电极440设置，开口区域520对应第一电极450设置。
步骤B20、如图13所示，对第一像素定义层500的堤坝区域510和第一底切区域540进行第一次曝光处理，使得第一像素定义层500对应堤坝区域510和第一底切区域540的部分发生光反应。在此实施例中，采用第三光罩710对第一像素定义层500的第一底切区域540和堤坝区域510进行第一次曝光处理，第三光罩710开设有对应第一底切区域540和堤坝区域510的第三开口711。
步骤B30、如图14所示，对第一像素定义层500的第二底切区域550进行第二次曝光处理，第二底切区域550的一侧延伸至第一底切区域540，第二底切区域550的另一侧连接于过孔区域530。第一次曝光处理的曝光量大于第二次曝光处理的曝光量，因此，第二次曝光处理中第一像素定义层500对应第二底切区域550处的顶部发生光反应，底部并未发生光反应。在此实施例中，采用第四光罩720对第一像素定义层500的第二底切区域550进行第二次曝光处理，第四光罩720开设有对应第二底切区域550的第四开口721。
步骤B40、如图15所示，对第一像素定义层500进行显影处理，去除开口区域520和过孔区域530的第一像素定义层500，形成露出第一电极450的像素开口580以及露出辅助电极440的搭接过孔590。
步骤B50、如图16所示，对剩余的第一像素定义层500进行加热固化处理，对应第一底切区域540和第二底切区域550的第一像素定义层500形成底切结构570，对应堤坝区域510的第一像素定义层500形成堤坝560，堤坝560围合形成用于露出第一电极450的像素开口580，堤坝560和底切结构570围合形成用于露出辅助电极440的搭接过孔590。
步骤B60、如图17所示，在第一电极450上形成发光层610。
步骤B70、如图17所示，在发光层610上形成第二电极620，第二电极620延伸至搭接过孔590内并与辅助电极440连接。
可选的，在上述步骤B20中，如图14所示，通孔区域呈环状，通孔区域设于第一底切区域540和第二底切区域550的外周侧。当然，根据实际情况的选择和具体需求，第一底切区域540的一侧可以与堤坝区域510连接，第一底切区域540的另一侧通过第二底切区域550与通孔区域的一侧连接，通孔区域的另一侧与堤坝区域510连接。
在上述步骤B30中，如图14所示，第一底切区域540设于第二底切区域550内，第二底切区域550的面积大于第二底切区域550的面积，使得第一像素定义层500对应第一底切区域540发生光反应的部分和第二底切区域550发生光反应的部分形成T型结构；在上述步骤B40中，如图15所示，对第一像素定义层500进行显影处理，去除未进行光反应的第一像素定义层500，第一底切区域540发生光反应的部分和第二底切区域550发生光反应的部分呈T型结构；在上述步骤B50中，如图16所示，对剩余的第一像素定义层500进行加热固化处理，加热使得第一像素定义层500软化并具有一定的流体特性，第一像素定义层500呈T型的部分会转变为类似倒梯形的结构，从而得到底切结构570。在此实施例中，通孔区域呈环状，通孔区域设于第一底切区域540和第二底切区域550的外周侧。
可以理解的是，根据实际情况的选择和具体需求，第一底切区域540和第二底切区域550的关系可以做适当修改，只要能使得第一像素定义层500中第一次曝光处理后发生光反应的部分的顶部继续向外延伸一部分即可，在此不做唯一限定。具体来说，在上述步骤B20和步骤B30中，如图18所示，第一底切区域540和第二底切区域550可以部分重叠；或者，如图19所示，第二底切区域550设于第一底切区域540的侧面，且第二底切区域550与第一底切区域540连接，图18和图19所示的实施例均可以使得第一像素定义层500中第一次曝光处理后发生光反应的部分的顶部继续向外延伸一部分；在上述步骤B40中，如图20所示，对第一像素定义层500进行显影处理，去除未进行光反应的第一像素定义层500，剩余的第一像素定义层500包括对应第一底切区域540和第二底切区域550的部分，此部分呈类似L型结构；在上述步骤B50中，如图21所示，对剩余的第一像素定义层500进行加热固化处理，加热使得第一像素定义层500软化并具有一定的流体特性，第一像素定义层500呈L型的部分会转变为类似平行四边形的结构，从而得到底切结构570和堤坝560；在上述步骤B60和步骤B70中，如图22所示，在第一电极450上形成发光层610，在发光层610上形成第二电极620，第二电极620延伸至搭接过孔590内并与辅助电极440连接。
本申请实施例的显示面板的制作方法，通过对第一像素定义层500进行两次曝光处理和一次显影处理，即可制得底切结构570，有效简化了底切结构570的制作工艺，从而提高了生产效率。
可选的，在上述步骤B20中，第一次曝光处理的曝光量可以为40毫焦/平方厘米～60毫焦/平方厘米，例如，第一次曝光处理的曝光量可以为40毫焦/平方厘米、42毫焦/平方厘米、44毫焦/平方厘米、46毫焦/平方厘米、48毫焦/平方厘米、50毫焦/平方厘米、52毫焦/平方厘米、54毫焦/平方厘米、56毫焦/平方厘米、58毫焦/平方厘米或60毫焦/平方厘米。当然，根据实际情况的选择和具体需求，第一次曝光处理的曝光量可以做适当调整，在此不做唯一限定。
可选的，在上述步骤B30中，第二次曝光处理的曝光量可以为10毫焦/平方厘米～30毫焦/平方厘米，例如，第二次曝光处理的曝光量可以为10毫焦/平方厘米、12毫焦/平方厘米、14毫焦/平方厘米、16毫焦/平方厘米、18毫焦/平方厘米、20毫焦/平方厘米、22毫焦/平方厘米、24毫焦/平方厘米、26毫焦/平方厘米、28毫焦/平方厘米或30毫焦/平方厘米。当然，根据实际情况的选择和具体需求，第二次曝光处理的曝光量可以做适当调整，在此不做唯一限定。
具体的，在上述步骤B20和步骤B30中，为了使得第一次曝光处理的曝光量大于第二次曝光处理的曝光量，可以通过控制两次曝光处理的曝光时间。曝光量随着曝光时间的增加而增加，因此，本申请实施例中，第一次曝光处理的曝光时间大于第二次曝光处理的曝光时间。
具体的，如图16或图21所示，所制得的底切结构570具有负坡度角，所制得的凸台结构具有正坡度角。需要注意的是，图16所示的底切结构570仅具有负坡度角，而不具有正坡度角；图21所示的底切结构570同时具有负坡度角和正坡度角。在此实施例中，负坡度角指的是侧面与底面的夹角为锐角，正坡度角指的是侧面与底面的夹角为钝角，如图16所示，底切结构570的侧面与底面的夹角为锐角，即负坡度角；堤坝560的侧面与底面的夹角为钝角，即正坡度角。
具体的，如图12所示，基板400还包括衬底410以及设于衬底410上的驱动电路层420，辅助电极440和第一电极450设于驱动电路层420，第一电极450电性连接于驱动电路层420。其中，驱动电路层420包括衬底410、遮光电极422、第一存储电极423、缓冲层424、有源层425、栅绝缘层426、栅极427、第一层间绝缘层428、源极429、漏极430、第二存储电极431、绑定电极432、平坦层433以及第二层间绝缘层434，遮光电极422和第一存储电极423间隔设于衬底410上，缓冲层424覆盖于衬底410、遮光电极422和第一存储电极423上；有源层425设于缓冲层424上且位于遮光电极422上方，栅绝缘层426设于有源层425上，栅极427设于栅绝缘层426上；第一层间绝缘层428覆盖于缓冲层424、有源层425和栅极427上；源极429、漏极430、第二存储电极431和绑定电极432间隔设于第一层间绝缘层428上，源极429与有源层425的一端接触，漏极430与有源层425的另一端接触，漏极430还与遮光电极422接触；第二存储电极431对应设于第一存储电极423上方，第一存储电极423和第二存储电极431形成存储电容；平坦层433设于第一层间绝缘层428上，平坦层433裸露绑定电极432；第二层间绝缘层434覆盖在平坦层433、源极429、漏极430和第二存储电极431上，辅助电极440和第一电极450设于第二层间绝缘层434上。
具体的，如图12所示，基板400还包括设于辅助电极440和第一电极450上的第二像素定义层435，第一像素定义层500设于第二像素定义层435上，第二像素定义层435设有用于露出辅助电极440的第一通孔436和用于露出第一电极450的第二通孔437。在此实施例中，第二像素定义层435设于第二层间绝缘层434上。
具体的，显示面板的制作方法还包括：步骤80、在第二电极620上形成封装层630，封装层630覆盖在堤坝560和底切结构570上，封装层630可以对第二电极620起到保护作用。
请参阅图17和图22，同时结合图12，本申请实施例还提供一种显示面板，显示面板采用上述显示面板的制作方法制得。显示面板包括：
衬底410；
驱动电路层420，设于衬底410上；
辅助电极440，设于驱动电路层420上；
第一电极450，设于驱动电路层420上且与辅助电极440间隔设置；
堤坝560，设于驱动电路层420上，堤坝560的材料为负性光阻，堤坝560具有正坡度角，堤坝560围合形成像素开口580，像素开口580露出第一电极450；
底切结构570，设于驱动电路层420上，底切结构570的材料为负性光阻，底切结构570具有负坡度角，底切结构570和堤坝560围合形成搭接过孔590，搭接过孔590露出辅助电极440；
发光层610，设于第一电极450上；以及
第二电极620，设于发光层610上，第二电极620延伸至搭接过孔590内并与辅助电极440连接。
以上对本申请实施例所提供的一种光阻层的加工方法、显示面板的制作方法以及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (15)

1.一种光阻层的加工方法，其特征在于，包括：
步骤B1、形成负性光阻层；
步骤B2、对所述负性光阻层的第一曝光区域进行第一次曝光处理；
步骤B3、对所述负性光阻层的第二曝光区域进行第二次曝光处理，所述第二曝光区域至少具有设于所述第一曝光区域的一侧且与所述第一曝光区域连接的部分，所述第一次曝光处理的曝光量大于所述第二次曝光处理的曝光量；
步骤B4、对所述负性光阻层进行显影处理，去除未进行光反应的所述负性光阻层；
步骤B5、对剩余的所述负性光阻层进行加热固化处理，得到底切结构。
2.如权利要求1所述的光阻层的加工方法，其特征在于，所述第一曝光区域设于所述第二曝光区域内，所述第二曝光区域的面积大于所述第一曝光区域的面积。
3.如权利要求1所述的光阻层的加工方法，其特征在于，所述第一曝光区域和所述第二曝光区域部分重叠。
4.如权利要求1所述的光阻层的加工方法，其特征在于，所述第二曝光区域设于所述第一曝光区域的侧面，且所述第二曝光区域与所述第一曝光区域连接。
5.如权利要求1所述的光阻层的加工方法，其特征在于，所述第一次曝光处理的曝光时间大于所述第二次曝光处理的曝光时间。
6.如权利要求1～5任一项所述的光阻层的加工方法，其特征在于，在所述步骤B2中，还对所述负性光阻层的第三曝光区域进行第一次曝光处理，所述第一曝光区域和所述第三曝光区域间隔设置，所述第二曝光区域和所述第三曝光区域间隔设置；
在所述步骤B5中，所述负性光阻层对应所述第一曝光区域和所述第二曝光区域的部分形成所述底切结构，所述负性光阻层对应所述第三曝光区域的部分形成凸台结构。
7.如权利要求6所述的光阻层的加工方法，其特征在于，所述底切结构具有负坡度角，所述凸台结构具有正坡度角。
8.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
步骤B10、在基板上形成第一像素定义层，所述第一像素定义层为负性光阻层，所述基板设有间隔设置的辅助电极和第一电极，所述第一像素定义层设有堤坝区域、开口区域、过孔区域以及第一底切区域，所述堤坝区域围合形成所述开口区域，所述堤坝区域和所述第一底切区域围合形成所述过孔区域，所述过孔区域对应所述辅助电极设置，所述开口区域对应所述第一电极设置；
步骤B20、对所述第一像素定义层的所述堤坝区域和所述第一底切区域进行第一次曝光处理；
步骤B30、对所述第一像素定义层的第二底切区域进行第二次曝光处理，所述第二底切区域的一侧延伸至所述第一底切区域，所述第二底切区域的另一侧连接于所述过孔区域，所述第一次曝光处理的曝光量大于所述第二次曝光处理的曝光量；
步骤B40、对所述第一像素定义层进行显影处理，去除所述开口区域和所述过孔区域的所述第一像素定义层，形成露出所述第一电极的像素开口以及露出所述辅助电极的搭接过孔；
步骤B50、对剩余的所述第一像素定义层进行加热固化处理，对应所述第一底切区域和所述第二底切区域的所述第一像素定义层形成底切结构，对应所述堤坝区域的所述第一像素定义层形成堤坝，所述堤坝围合形成用于露出所述第一电极的像素开口，所述堤坝和所述底切结构围合形成用于露出所述辅助电极的搭接过孔；
步骤B60、在所述第一电极上形成发光层；
步骤B70、在所述发光层上形成第二电极，所述第二电极延伸至所述搭接过孔内并与所述辅助电极连接。
9.如权利要求8所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第一底切区域设于所述第二底切区域内，所述第二底切区域的面积大于所述第一底切区域的面积。
10.如权利要求8所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第一底切区域和所述第二底切区域部分重叠。
11.如权利要求8所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第二底切区域设于所述第一底切区域的一侧，且所述第二底切区域与所述第一底切区域连接。
12.如权利要求8所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第一次曝光处理的曝光时间大于所述第二次曝光处理的曝光时间。
13.如权利要求8所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述底切结构具有负坡度角，所述堤坝具有正坡度角。
14.如权利要求8～13任一项所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述基板还包括衬底以及设于所述衬底上的驱动电路层，所述辅助电极和所述第一电极设于所述驱动电路层，所述第一电极电性连接于所述驱动电路层。
15.如权利要求14所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述基板还包括设于所述辅助电极和所述第一电极上的第二像素定义层，所述第一像素定义层设于所述第二像素定义层上，所述第二像素定义层设有用于露出所述辅助电极的第一通孔和用于露出所述第一电极的第二通孔。
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