CN114122089A - 有机发光二极管显示面板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种有机发光二极管显示面板及其制造方法。所述有机发光二极管显示面板包括薄膜晶体管基板、多个薄膜晶体管、以及多个有机发光二极管。所述多个薄膜晶体管设置于所述薄膜晶体管基板的一侧。所述多个有机发光二极管设置于所述薄膜晶体管基板远离所述多个薄膜晶体管的一侧。所述多个有机发光二极管设置于平坦的表面，将不会受到作为所述多个薄膜晶体管表面起伏影响。因此所述多个有机发光二极管能够最大化地利用空间设置，以提升所述有机发光二极管显示面板的像素密度。

Description

有机发光二极管显示面板及其制造方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种有机发光二极管显示面板及其制造方法。
背景技术
有机发光二极管显示面板具有广视角、广色域等优点，作为主流显示面板被各大显示装置厂商关注与开发。目前，有机发光二极管显示面板多采用具有顶栅极结构的薄膜晶体管，即顶栅极型薄膜晶体管。相较于传统的具有底栅极结构的薄膜晶体管，所述顶栅极型薄膜晶体管减少了所述有机发光二极管显示面板的制造工序，进而降低制造成本。
然而，在所述顶栅极型薄膜晶体管中，位于所述顶栅极型薄膜晶体管的顶部中间位置的栅极往往造成所述顶栅极型薄膜晶体管的表面产生起伏，使得表面平坦度较差。当所述顶栅极型薄膜晶体管的表面不够平整时，将会影响后续在所述顶栅极型薄膜晶体管上设置的多个发光层的发光效果。
在习知技术中，为了改善所述顶栅极型薄膜晶体管的表面平坦度，通常是在所述顶栅极型薄膜晶体管上增设流平层。所述流平层能使得所述发光层设置在一个平坦的所述流平层的平面，以改善所述发光层的所述发光效果。
虽然上述习知技术的结构能够改善采用所述顶栅极型薄膜晶体管的所述有机发光二极管显示面板的显示效果，但是却也增加了所述有机发光二极管显示面板的厚度、增加了所述有机发光二极管显示面板的制造工序以及制造成本、甚至影响了所述有机发光二极管显示面板的可挠性。因此，上述习知技术无法兼顾所述有机发光二极管显示面板原有的优势并且改善所述顶栅极型薄膜晶体管的技术问题。
发明内容
本发明提供一种有机发光二极管显示面板及其制造方法，能够避免习知技术的有机发光二极管显示面板在采用顶栅极型薄膜晶体管所面临的问题。同时，本发明还能简化所述有机发光二极管显示面板的制造工序、增强所述有机发光二极管显示面板的发光效果、以及提升所述有机发光二极管显示面板的像素密度，使观赏者获得更好的观赏效果。
本发明的所述有机发光二极管显示面板包括薄膜晶体管基板、多个薄膜晶体管、以及多个有机发光二极管。所述多个薄膜晶体管设置于所述薄膜晶体管基板的一侧。所述多个有机发光二极管设置于所述薄膜晶体管基板远离所述多个薄膜晶体管的一侧。
在一实施例中，每一所述多个薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极、以及半导体层，所述半导体层电性接所述源极以及所述漏极。每一所述多个有机发光二极管对应每一所述多个薄膜晶体管，并且包括第一电极、发光层、以及第二电极，所述第一电极电性连接所述源极或是所述漏极。所述第一电极设置于所述薄膜晶体管基板远离所述多个薄膜晶体管的所述一侧，所述发光层设置于所述第一电极远离所述薄膜晶体管基板的一侧，以及所述第二电极设置于所述发光层远离所述第一电极的一侧。
在一实施例中，所述第一电极的面积大于或等于所述半导体层的面积。所述第一电极阻挡光线照射所述半导体层。
在一实施例中，所述第一电极的材料包括不透光材料。
在一实施例中，所述栅极设置于所述半导体层远离所述薄膜晶体管基板的一侧，以及所述源极以及所述漏极设置于所述栅极远离所述半导体层的一侧。
在一实施例中，所述栅极、所述源极、以及所述漏极在所述半导体层上的总投影面积大于或等于所述半导体层的面积。所述栅极、所述源极、以及所述漏极阻挡光线照射所述半导体层。
在一实施例中，所述有机发光二极管显示面板还包括剥离层。所述剥离层设置于所述薄膜晶体管基板与所述多个有机发光二极管之间。
本发明的所述有机发光二极管显示面板的制造方法包括以下步骤：
S1，形成剥离层；
S2，在所述剥离层的一侧形成薄膜晶体管基板；
S3，在所述薄膜晶体管基板远离所述剥离层的一侧形成多个薄膜晶体管；以及
S4，在所述剥离层远离所述薄膜晶体管基板的一侧形成多个有机发光二极管。
在一实施例中，在步骤S4中，包括在所述薄膜晶体管基板远离所述多个薄膜晶体管的所述一侧形成第一电极，在所述第一电极远离所述薄膜晶体管基板的一侧形成发光层，以及在所述发光层远离所述第一电极的一侧形成第二电极。
在一实施例中，在步骤S1中，包括在第一基板的一侧形成所述剥离层。在步骤S4之前，包括将所述第一基板与所述剥离层分离。
附图说明
图1为本发明的有机发光二极管显示面板的结构示意图。
图2为本发明的有机发光二极管显示面板的制造方法的步骤S1-S4的流程图。
图3为本发明的有机发光二极管显示面板的制造方法的步骤S31-S36的流程图。
图4为本发明的有机发光二极管显示面板的制造方法的步骤S361-S362/S362’的流程图。
图5-19为本发明的所述有机发光二极管显示面板的制造过程结构示意图。
具体实施方式
为了让本发明之上述及其他目的、特征、优点能更明显易懂，下文将特举本发明优选实施例，并配合附图，作详细说明如下。
本发明提供一种有机发光二极管显示面板。请参照图1，其为本发明的所述有机发光二极管显示面板的结构示意图。所述有机发光二极管显示面板包括：剥离层200、薄膜晶体管基板300、多个薄膜晶体管400、以及多个有机发光二极管800。
所述剥离层由半导体材料制成，包括有机半导体以及无机半导体。在一实施例中，本发明的所述剥离层200的材料包括无机半导体的氮化镓(GaN)，当由氮化镓制成的所述剥离层200被激光照射后，将会产成气体，能够使其表面连接的元件分离。所述剥离层200于本发明的所述有机发光二极管显示面板的制造方法的应用将于后续的实施例介绍。
如图1所示，所述薄膜晶体管基板300设置于所述剥离层200的一侧，所述多个薄膜晶体管400设置于所述薄膜晶体管基板300远离所述剥离层200的一侧。由于所述薄膜晶体管基板300阻隔所述剥离层200以及所述多个薄膜晶体管400，因此可以确保所述剥离层200不会直接接触所述多个薄膜晶体管400，避免影响所述多个薄膜晶体管400的运作。
每一所述多个薄膜晶体管400作为每一所述多个有机发光二极管800的驱动开关，包括半导体层410、栅极绝缘层420、栅极430、源极440、以及漏极450。在一实施例中，所述源极440以及所述漏极450设置于所述栅极430远离所述薄膜晶体管基板300的一侧。通过控制栅极430的输入电压，每一所述多个薄膜晶体管400便能够控制所述源极440以及所述漏极450两端电流的通断。
本发明以每一所述多个薄膜晶体管400采用顶栅极型薄膜晶体管作为示例性进行说明。所述顶栅极型薄膜晶体管减少了所述有机发光二极管显示面板的制造工序，进而降低制造成本。然而，本发明的每一所述多个薄膜晶体管400不以所述顶栅极型薄膜晶体管为限，还可以为底栅极型薄膜晶体管，或是其他结构的薄膜晶体管。
如图1所示，所述栅极430设置于所述半导体层410远离所述薄膜晶体管基板的一侧，所述源极以及所述漏极设置于所述栅极远离所述半导体层的一侧，所述半导体层410设置于所述薄膜晶体管基板300与所述栅极430之间，所述栅极绝缘层420设置于所述半导体层410与所述栅极430之间，以及所述源极440以及所述漏极450电性连接所述半导体层410。
所述半导体层包括宽能隙的金属氧化物，因此本发明的所述半导体层410能为所述源极440以及所述漏极450建构连接沟道。在一实施例中，本发明的所述半导体层410包括铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide，IGZO)。所述铟镓锌氧化物的电子迁移率为传统非晶硅半导体的20-30倍，因此显着地提升每一所述多个薄膜晶体管400的充放电速率以及响应速度。将所述铟镓锌氧化物作为每一所述多个薄膜晶体管400的沟道，能够实现所述有机发光二极管显示面板更快的刷新率。同时，所述铟镓锌氧化物具有较好的驱动能力，因此每一所述多个薄膜晶体管400的驱动功耗低，使得所述有机发光二极管显示面板更节能、省电，让所述有机发光二极管显示面板的续航大幅增加。
如图1所示，所述有机发光二极管显示面板还包括层间介质层500。所述层间介质层500覆盖所述半导体层410、所述栅极绝缘层420、以及所述栅极430。所述层间介质层500具有高介电常数，其用于阻隔所述栅极430与所述源极440以及所述漏极450。
如图1所示，所述有机发光二极管显示面板还包括依序设置在所述多个薄膜晶体管400远离所述薄膜晶体管基板300的所述一侧的钝化层600以及第一封装层710。所述钝化层600覆盖每一所述多个薄膜晶体管400的所述源极440以及所述漏极450，并且覆盖所述层间介质层500。所述钝化层600既拥有绝缘的效果，同时还赋予所述有机发光二极管显示面板在挠曲时的韧性。通过所述第一封装层710的设置，能将所述有机发光二极管显示面板的外侧封装，以保护所述有机发光二极管显示面板。
如图1所示，所述多个有机发光二极管800设置于所述薄膜晶体管基板300远离所述多个薄膜晶体管400的一侧。每一所述多个有机发光二极管800对应每一所述多个薄膜晶体管400。每一所述多个有机发光二极管800包括第一电极810、发光层820、以及第二电极840。
在一实施例中，所述第一电极810设置于所述剥离层200远离所述薄膜晶体管基板300的一侧。所述第一电极810对应每一所述多个薄膜晶体管400。当所述第一电极810设置于所述剥离层200的平整表面时，所述发光层820能够取得最佳的空间利用效率，提升所述有机发光二极管显示面板的像素密度。
在一实施例中，每一所述多个薄膜晶体管400的所述源极440与所述第一电极810电性连接。在另一实施例中，每一所述多个薄膜晶体管400的所述漏极450与所述第一电极810电性连接。由于所述源极440或是所述漏极450在每一所述多个薄膜晶体管400中所执行的工作仅仅是为电流的输入或是输出，因此本发明并不限定所述源极440或是所述漏极450电性连接所述第一电极810。
如图1所示，所述发光层820设置于所述第一电极810远离所述剥离层200的一侧。本发明通过喷墨打印工艺在所述第一电极810的表面设置所述发光层820。同时，在所述发光层820之间填充像素间隔物830，以使得所述发光层820形成所述有机发光二极管显示面板的像素。
所述第二电极840设置于所述发光层820远离所述第一电极810的一侧。所述第二电极840覆盖所述发光层820以及所述像素间隔物830，并且作为公共电极与所述第一电极810共同运作、驱动所述发光层820发光。
另外，需要注意的是，每一所述多个薄膜晶体管400的所述半导体层410对于对光线敏感，当光线照射于所述半导体层410时，易发生电性漂移而影响每一所述多个薄膜晶体管400的驱动效果。因此，习知技术通常需要为所述每一所述多个薄膜晶体管400的所述半导体层410的上下两侧额外设置遮光层。
然而，在本发明中，所述栅极430、所述源极440、所述漏极450、以及所述第一电极810还能为所述半导体层410的产生遮光作用，阻挡光线照射到所述半导体层410。同时，由于所述栅极430、所述源极440、以及所述漏极450设置于所述半导体层410的一侧，所述第一电极810设置于所述半导体层410远离所述栅极430、所述源极440、以及所述漏极450的一侧，因此所述栅极430、所述源极440、所述漏极450、以及所述第一电极810可以达成习知技术中的所述遮光层的遮光效果，故本发明还可以简化所述有机发光二极管显示面板的结构。
为达成上述目的，在本发明的一实施例中，所述栅极430、所述源极440、以及所述漏极450在所述半导体层410上的总投影面积大于或等于所述半导体层410的面积，以及所述第一电极810的面积被设置为大于或等于每一所述多个薄膜晶体管400的所述半导体层410的面积。并且，所述第一电极810的材料为不透光的导电材料，例如：银(Ag)、氧化铟锡/银/氧化铟锡(ITO/Ag/ITO)复合层、氧化铟锌/银/氧化铟锌(IZO/Ag/IZO)复合层、氧化铟锡/银钯铜合金/氧化铟锡(ITO/APC/ITO)复合层、或氧化铟锌/银钯铜合金/氧化铟锌(IZO/APC/IZO)复合层。
如图1所示，本发明的所述有机发光二极管显示面板还包括设置在所述第二电极840的表面的第二封装层720。通过所述第二封装层720的设置，能将所述有机发光二极管显示面板的下侧封装，以保护所述有机发光二极管显示面板。
在本发明的所述有机发光二极管显示面板中，所述多个薄膜晶体管400上并没有设置习知技术的流平层以及所述多个有机发光二极管800极，而是在所述薄膜晶体管基板300远离所述多个薄膜晶体管400的所述一侧设置所述多个有机发光二极管800。因此，本发明的所述有机发光二极管显示面板将所述多个有机发光二极管800设置在平坦的表面，将不会受到作为所述多个薄膜晶体管400的所述栅极430产生的表面起伏影响。由于所述多个有机发光二极管800能够设置于平坦的表面上，所述发光层820能够最大化地利用空间，进而提升所述有机发光二极管显示面板的像素密度。同时，设置于每一所述多个薄膜晶体管400上下两侧的所述栅极430、所述源极440、所述漏极450、以及所述第一电极810还能起到遮光层的作用，为每一所述多个薄膜晶体管400中的所述半导体层410遮挡光线，既可以简化所述有机发光二极管显示面板的制造工序，还能够增加所述多个薄膜晶体管400的显示效率、并且增强所述有机发光二极管显示面板的发光效果，使观赏者获得更好的观赏效果。
本发明还提供一种如上述的有机发光二极管显示面板的制造方法。请参照图2，其为本发明的所述有机发光二极管显示面板的制造方法的步骤S1-S4的流程图。本发明制造如图1所示的所述有机发光二极管显示面板的制造方法主要包括以下步骤S1-S4。
S1，形成剥离层200。
S2，在所述剥离层200的一侧形成薄膜晶体管基板300。
S3，在所述薄膜晶体管基板300远离所述剥离层200的一侧形成多个薄膜晶体管400。
S4，在所述剥离层200远离所述薄膜晶体管基板300的一侧形成多个有机发光二极管800。
以下配合图5-19所示的所述有机发光二极管显示面板的制造过程结构示意图对本发明的技术方案进行说明。
请参照图5，在图2的步骤S1中，形成剥离层200。所述剥离层由半导体材料制成，包括有机半导体以及无机半导体。在一实施例中，本发明的所述剥离层200的材料包括无机半导体的氮化镓(GaN)。
在一实施例中，步骤S1包括在第一基板110的一侧形成所述剥离层200。如图5所示，所述第一基板110可以为显示面板产业中使用的玻璃基板，提供本发明的所述有机发光二极管显示面板的制造方法简单又便利的初始工序。
请参照图6，在图2的步骤S2中，在所述剥离层200远离所述第一基板110的一侧形成薄膜晶体管基板300。如图1所示，由于所述薄膜晶体管基板300阻隔所述剥离层200以及所述多个薄膜晶体管400，因此可以确保所述剥离层200不会直接接触后续步骤S3所形成的所述多个薄膜晶体管400，避免影响所述多个薄膜晶体管400的运作。
在图2的步骤S3中，在所述薄膜晶体管基板300远离所述剥离层200的一侧形成如图1所示的所述多个薄膜晶体管400。
请参照图3，其为本发明的有机发光二极管显示面板的制造方法的步骤S31-S36的流程图。在一实施例中，步骤S3包括以下步骤S31-S36以形成如图1所示的每一所述多个薄膜晶体管400。
S31，在所述薄膜晶体管基板300远离所述剥离层200的所述一侧形成半导体层410。
S32，在所述半导体层410远离所述薄膜晶体管基板300的一侧形成栅极绝缘层420。
S33，在所述栅极绝缘层420远离所述半导体层410的一侧形成栅极430。
S34，在所述薄膜晶体管基板300远离所述剥离层200的所述一侧形成层间介质层500。
S35，在所述层间介质层500、所述薄膜晶体管基板300、以及所述剥离层200中形成多个通孔510。
S36，在所述层间介质层500远离所述薄膜晶体管基板300的一侧形成源极440以及漏极450。
请参照图7，在步骤S31中，通过光刻工艺在所述薄膜晶体管基板300远离所述剥离层200的所述一侧形成所述半导体层410。由于所述半导体层包括宽能隙的金属氧化物，因此本发明的所述半导体层410能为后续在步骤S36形成如图1所示的所述源极440以及所述漏极450建构连接沟道。在一实施例中，本发明的所述半导体层410包括铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide，IGZO)。所述铟镓锌氧化物的电子迁移率为传统非晶硅半导体的20-30倍，因此显着地提升如图1所示的每一所述多个薄膜晶体管400的充放电速率以及响应速度。将所述铟镓锌氧化物作为每一所述多个薄膜晶体管400的沟道，能够实现所述有机发光二极管显示面板更快的刷新率。同时，所述铟镓锌氧化物具有较好的驱动能力，因此每一所述多个薄膜晶体管400的驱动功耗低，使得所述有机发光二极管显示面板更节能、省电，让所述有机发光二极管显示面板的续航大幅增加。
请参照图8，在步骤S32中，通过所述光刻工艺在所述半导体层410远离所述薄膜晶体管基板300的所述一侧形成所述栅极绝缘层420。如图1所示，所述栅极绝缘层420用于阻隔所述半导体层410与后续步骤S33形成的所述栅极430接触。在一实施例中，所述栅极绝缘层420设置在所述半导体层410上，并且所述栅极绝缘层420的边缘相较所述半导体层410的边缘退缩；即，所述栅极绝缘层420的下表面积小于所述半导体层410的上表面积。其目的是在于保留所述半导体层410左右两侧的位置，以利后续步骤S36形成的所述源极440以及所述漏极450的连接。
请参照图9，在步骤S33中，通过所述光刻工艺在所述栅极绝缘层420远离所述半导体层410的所述一侧形成所述栅极430。在一实施例中，所述栅极430设置在所述栅极绝缘层420上，并且所述栅极430的边缘相较所述栅极绝缘层420的边缘退缩；即，所述栅极430的下表面积小于所述栅极绝缘层420的上表面积。其目的是在于不使得所述栅极430超出所述栅极绝缘层420的边缘，并且保留所述半导体层410左右两侧的位置，以利后续步骤S36形成如图1所示的所述源极440以及所述漏极450的连接。
请参照图10，在步骤S34中，通过涂布工艺在所述薄膜晶体管基板300远离所述剥离层200的所述一侧形成所述层间介质层500。所述层间介质层500在所述薄膜晶体管基板300上涂布完成之后，将会覆盖所述半导体层410、所述栅极绝缘层420、以及所述栅极430。所述层间介质层500具有高介电常数，其用于阻隔所述栅极430与后续步骤S36形成如图1所示的所述源极440以及所述漏极450。
请参照图11，在步骤S35中，通过半透光光罩(halftone mask)对所述层间介质层500、所述薄膜晶体管基板300、以及所述剥离层200进行不同深度的蚀刻，使得所述层间介质层500、所述薄膜晶体管基板300、以及所述剥离层200中形成多个通孔510。由于所述半导体层410、所述栅极绝缘层420、以及所述栅极430被所述层间介质层500覆盖，后续步骤S36形成如图1所示的所述源极440以及所述漏极450无法电性连接所述半导体层410。因此，在形成每一所述多个薄膜晶体管400时，需要通过蚀刻来形成电性连接的通道。所述多个通孔510包括源极通孔511以及漏极通孔512。所述源极通孔511以及所述漏极通孔512贯穿所述层间介质层500，并且暴露所述半导体层410。在一实施例中，所述多个通孔510还包括第一电极通孔513。所述第一电极通孔513贯穿所述层间介质层500、所述薄膜晶体管基板300、以及所述剥离层200，并且暴露所述第一基板110。
请参照图12，在步骤S36中，通过所述光刻工艺在所述层间介质层500远离所述薄膜晶体管基板300的所述一侧形成所述源极440以及所述漏极450。本发明步骤S3所形成的所述多个薄膜晶体管400为顶栅极型薄膜晶体管。
如图12所示，在本发明中，每一所述多个薄膜晶体管400作为每一所述多个有机发光二极管800的驱动开关，包括栅极430、源极440、以及漏极450。通过控制栅极430的输入电压，每一所述多个薄膜晶体管400便能够控制所述源极440以及所述漏极450两端电流的通断。
本发明以每一所述多个薄膜晶体管400采用顶栅极型薄膜晶体管作为示例性进行说明。所述顶栅极型薄膜晶体管减少了所述有机发光二极管显示面板的制造工序，进而降低制造成本。然而，本发明的每一所述多个薄膜晶体管400不以所述顶栅极型薄膜晶体管为限，还可以为底栅极型薄膜晶体管，或是其他结构的薄膜晶体管。
请参照图4，其为本发明的有机发光二极管显示面板的制造方法的步骤S361-S362/S362’的流程图。在一实施例中，步骤S36包括以下步骤S361-S362/S362’以形成如图1所示的所述源极440以及所述漏极450。
S361，在所述多个通孔510中填充导电材料。
S362，电性连接所述源极440与所述第一电极通孔513中的所述导电材料；或
S362’，电性连接所述漏极450与所述第一电极通孔513中的所述导电材料。
如图12所示，在步骤S361中，在所述多个通孔510形成之后，所述多个通孔510中将会被填充所述导电材料。而所述源极440以及所述漏极450于所述多个通孔510上形成时，便会与所述多个通孔510中的所述导电材料电性连接。因此，在每一所述多个薄膜晶体管400中，所述源极440通过所述源极通孔511中的所述导电材料电性连接所述半导体层410，并且所述漏极450通过所述漏极通孔512中的所述导电材料电性连接所述半导体层410。
在形成每一所述多个薄膜晶体管400的制程中，所述第一电极通孔513设置的目的是了将每一所述多个薄膜晶体管400的所述源极440或所述漏极450电性连接后续步骤S4形成如图1所示的所述第一电极810。因此，如图12所示，本发明的一实施例选择采用步骤S362，意即，将所述源极440与所述第一电极通孔513中的所述导电材料电性连接。在另一实施例中，在形成每一所述多个薄膜晶体管400的制程中，也可以选择采用步骤S362’，意即，将所述漏极450与所述第一电极通孔513中的所述导电材料电性连接。由于所述源极440或是所述漏极450在每一所述多个薄膜晶体管400中所执行的工作仅仅是为电流的输入或是输出，因此本发明并不限定所述源极440或是所述漏极450通过所述第一电极通孔513电性连接如图1所示的所述第一电极810。
请参照图13，在图2的步骤S3完成之后，在所述多个薄膜晶体管400远离所述薄膜晶体管基板300的一侧依序形成钝化层600以及第一封装层710。所述钝化层600覆盖每一所述多个薄膜晶体管400的所述源极440以及所述漏极450，并且覆盖所述层间介质层500。所述钝化层600既拥有绝缘的效果，同时还赋予所述有机发光二极管显示面板在挠曲时的韧性。另外，再通过所述第一封装层710将步骤S1-S3所形成的所述有机发光二极管显示面板的半成品与所述第二基板120贴合，以利后续制程进行。
在图2的步骤S4之前，本发明的所述有机发光二极管显示面板的制造方法还包括将所述第一基板110与所述剥离层200分离。本发明的所述有机发光二极管显示面板的制造方法进行到步骤S4之前，将先前步骤所形成的所述有机发光二极管显示面板的半成品中的所述第一基板110移除。
请参照图14，其示出上下翻转的所述有机发光二极管显示面板的半成品。为了将所述第一基板110移除，本发明在制程中翻转所述有机发光二极管显示面板的半成品，并且采用激光烧蚀工艺，将所述第一基板110自所述剥离层200剥离。通过将高功率的纳秒-飞秒级别的脉冲激光对焦于所述剥离层200与所述第一基板110与之间的交界面，当由氮化镓制成的所述剥离层200被激光照射后，将会产成气体，使得所述交界面间的键结消失。当所述第一基板110与所述剥离层200之间不存在键结力时，所述第一基板110便自所述有机发光二极管显示面板的半成品移除，以利后续制程进行。
请参照图15，其示出上下翻转的所述有机发光二极管显示面板的半成品。在图2的步骤S4中，通过所述光刻工艺在所述剥离层200远离所述薄膜晶体管基板300的所述一侧形成所述多个有机发光二极管800。每一所述多个有机发光二极管800对应每一所述多个薄膜晶体管400。每一所述多个有机发光二极管800包括所述第一电极810、发光层820、以及第二电极840。每一所述多个薄膜晶体管400的所述源极440或所述漏极450电性连接所述第一电极810。由于后续的制程皆是在所述剥离层200远离所述薄膜晶体管基板300的所述一侧进行，当所述第一电极810形成于所述剥离层200的平整表面上时，如图1所示的所述发光层820能够取得最佳的空间利用效率，提升所述有机发光二极管显示面板的像素密度。
另外，需要注意的是，每一所述多个薄膜晶体管400的所述半导体层410对于对光线敏感，当光线照射于所述半导体层410时，易发生电性漂移而影响每一所述多个薄膜晶体管400的驱动效果。因此，习知技术通常需要为所述每一所述多个薄膜晶体管400的所述半导体层410的上下两侧额外设置遮光层。
然而，在本发明中，所述栅极430、所述源极440、所述漏极450、以及所述第一电极810还能为所述半导体层410的产生遮光作用，阻挡光线照射到所述半导体层410。同时，由于所述栅极430、所述源极440、以及所述漏极450形成于所述半导体层410的一侧，所述第一电极810形成于所述半导体层410远离所述栅极430、所述源极440、以及所述漏极450的一侧，因此所述栅极430、所述源极440、所述漏极450、以及所述第一电极810可以达成习知技术中的所述遮光层的遮光效果，故本发明还可以简化所述有机发光二极管显示面板的所述制造工序。
为达成上述目的，在本发明的一实施例中，所述栅极430、所述源极440、以及所述漏极450在所述半导体层410上的总投影面积大于或等于所述半导体层410的面积，以及所述第一电极810的面积被设置为大于或等于每一所述多个薄膜晶体管400的所述半导体层410的面积。并且，所述第一电极810的材料为不透光的导电材料，例如：银(Ag)、氧化铟锡/银/氧化铟锡(ITO/Ag/ITO)复合层、氧化铟锌/银/氧化铟锌(IZO/Ag/IZO)复合层、氧化铟锡/银钯铜合金/氧化铟锡(ITO/APC/ITO)复合层、或氧化铟锌/银钯铜合金/氧化铟锌(IZO/APC/IZO)复合层。
请参照图16，其示出上下翻转的所述有机发光二极管显示面板的半成品。在图2的步骤S4中，本发明通过喷墨打印工艺在所述第一电极810远离所述剥离层200的所述一侧形成所述发光层820。同时，在所述发光层820之间填充像素间隔物830，以使得所述发光层820形成所述有机发光二极管显示面板的像素。
请参照图17，其示出上下翻转的所述有机发光二极管显示面板的半成品。本发明在所述发光层820远离所述第一电极810的所述一侧形成所述第二电极840。所述第二电极840覆盖所述发光层820以及所述像素间隔物830，并且作为公共电极与所述第一电极810共同运作、驱动所述发光层820发光。
请参照图18，在图2的步骤S4完成之后，本发明在所述第二电极840远离所述发光层820的一侧形成第二封装层720。通过所述第二封装层720将步骤S1-S4所形成的所述有机发光二极管显示面板的半成品封装，以保护所述有机发光二极管显示面板。
最后，请参照图19，本发明通过所述激光烧蚀工艺将所述第二基板120自所述第一封装层710剥离。为了将所述第二基板120移除，本发明在制程中再度翻转所述有机发光二极管显示面板的半成品，并且通过将高功率的纳秒-飞秒级别的脉冲激光对焦于所述第一封装层710与所述第二基板120与之间的交界面，当由氮化镓制成的所述剥离层200被激光照射后，将会产成气体，使得所述交界面间的键结消失。当所述第二基板120与所述第一封装层710之间不存在键结力时，所述第二基板120便自所述有机发光二极管显示面板的半成品移除。至此步骤，本发明的有机发光二极管显示面板已不具有刚性的所述第一基板或是所述第二基板，因此可以实现柔性、可挠曲的所述有机发光二极管显示面板。
在本发明的所述有机发光二极管显示面板的制造方法中，在所述多个薄膜晶体管400的制程完成之后，并不会继续于所述多个薄膜晶体管400上继续形成习知技术的流平层以及所述多个有机发光二极管800，而是在所述薄膜晶体管基板300远离所述多个薄膜晶体管400的所述一侧形成所述多个有机发光二极管800。因此，本发明的所述有机发光二极管显示面板将所述多个有机发光二极管800形成于平坦的表面，将不会受到作为所述多个薄膜晶体管400的所述栅极430产生的表面起伏影响。由于所述多个有机发光二极管800能够形成于平坦的表面上，所述发光层820能够最大化地利用空间，进而提升所述有机发光二极管显示面板的像素密度。同时，设置于每一所述多个薄膜晶体管400的所述半导体层410上下两侧的所述栅极430、所述源极440、所述漏极450、以及所述第一电极810还能起到遮光层的作用，为所述半导体层410遮挡光线，既可以简化所述有机发光二极管显示面板的制造工序，还能够增加所述多个薄膜晶体管400的显示效率、并且增强所述有机发光二极管显示面板的发光效果，使观赏者获得更好的观赏效果。
以上仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于所属领域技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种有机发光二极管显示面板，其特征在于，包括：
薄膜晶体管基板；
多个薄膜晶体管，设置于所述薄膜晶体管基板的一侧；以及
多个有机发光二极管，设置于所述薄膜晶体管基板远离所述多个薄膜晶体管的一侧。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板，其特征在于，每一所述多个薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极、以及半导体层，所述半导体层电性接所述源极以及所述漏极；以及
每一所述多个有机发光二极管对应每一所述多个薄膜晶体管，并且包括第一电极、发光层、以及第二电极，所述第一电极电性连接所述源极或是所述漏极；
其中，所述第一电极设置于所述薄膜晶体管基板远离所述多个薄膜晶体管的所述一侧，所述发光层设置于所述第一电极远离所述薄膜晶体管基板的一侧，以及所述第二电极设置于所述发光层远离所述第一电极的一侧。
3.如权利要求2所述的有机发光二极管显示面板，其特征在于，所述第一电极的面积大于或等于所述半导体层的面积，以及所述第一电极阻挡光线照射所述半导体层。
4.如权利要求3所述的有机发光二极管显示面板，其特征在于，所述第一电极的材料包括不透光材料。
5.如权利要求2所述的有机发光二极管显示面板，其特征在于，所述栅极设置于所述半导体层远离所述薄膜晶体管基板的一侧，以及所述源极以及所述漏极设置于所述栅极远离所述半导体层的一侧。
6.如权利要求5所述的有机发光二极管显示面板，其特征在于，所述栅极、所述源极、以及所述漏极在所述半导体层上的总投影面积大于或等于所述半导体层的面积，以及所述栅极、所述源极、以及所述漏极阻挡光线照射所述半导体层。
7.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板，其特征在于，所述有机发光二极管显示面板还包括剥离层，所述剥离层设置于所述薄膜晶体管基板与所述多个有机发光二极管之间。
8.一种有机发光二极管显示面板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，形成剥离层；
S2，在所述剥离层的一侧形成薄膜晶体管基板；
S3，在所述薄膜晶体管基板远离所述剥离层的一侧形成多个薄膜晶体管；以及
S4，在所述剥离层远离所述薄膜晶体管基板的一侧形成多个有机发光二极管。
9.如权利要求8所述的有机发光二极管显示面板的制造方法，其特征在于，在步骤S4中，包括在所述薄膜晶体管基板远离所述多个薄膜晶体管的所述一侧形成第一电极，在所述第一电极远离所述薄膜晶体管基板的一侧形成发光层，以及在所述发光层远离所述第一电极的一侧形成第二电极。
10.如权利要求8所述的有机发光二极管显示面板的制造方法，其特征在于，在步骤S1中，包括在第一基板的一侧形成所述剥离层；以及
在步骤S4之前，包括将所述第一基板与所述剥离层分离。
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