CN114121596A - 一种改变生长薄膜取向的方法 - Google Patents

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Abstract

一种改变生长薄膜取向的方法，涉及真空蒸发沉积薄膜工艺。在室温下利用酒精、丙酮和去离子水对衬底进行清洗，在超声波清洗器中清洗以除去衬底表面的杂质，将清洗后的样品置入快速进样室；利用机械泵和涡轮分子泵获得10‑ 8mbar真空度的生长腔后，将衬底从快速进样室传送进生长设备的生长腔，在O气氛下对样品进行退火处理；同时通入等离子体激活的Zn金属源和Mg金属源进行2h的MgZnO薄膜的生长，生长完成后，将样品取出。可解决昂贵的六边形衬底、复杂的工艺条件以及极性和非极性的选择等相关问题，并实现纯净、可控、精确生长。可在温度、气压等各项工艺参数不变的情况下，在相同材料上沉积出结晶取向不同的生长薄膜。

Description

一种改变生长薄膜取向的方法
技术领域
本发明涉及真空蒸发沉积薄膜工艺，尤其是涉及一种改变生长薄膜取向的方法。
背景技术
在信息技术高度发达的二十一世纪，半导体作为一种介于导体和绝缘体之间的材料，受到了广泛关注。而宽禁带半导体材料相较于普通的半导体材料波长更短，可以很好地应用在短波长发光器件中，在通信、电子、光伏和照明等领域有巨大潜力，受到了研究人员的极大关注。半导体方面的研究已经有了很长的历史，各种不同性质的半导体材料相继走进了研究人员的视线中。同第一代半导体材料(Si，Ge)和第二代半导体材料(GaAs，InP)相比，第三代宽禁带半导体材料有效弥补了上两代半导体中的诸多缺点，代表材料有氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氮化铟(InN)和氧化锌(ZnO)等，这些第三代半导体材料有着诸如带隙宽、击穿电压和电子迁移率大等优点。
ZnO作为第三代宽禁带半导体材料，是II-VI族化合物半导体中的一员，作为优秀的直接带隙半导体材料，有许多独特的优点。常温下的禁带宽度约为3.37eV；60meV的激子束缚能使室温下稳定存在的激子复合成为了可能，这意味着高效的激子受激发射可以在室温或更高的温度下进行；1975℃的高熔点以及高的化学稳定性；无毒无害对环境友好等优势都是ZnO成为热门的半导体材料的原因。在ZnO中掺Mg制备出的MgZnO不仅继承了ZnO的优点，其电子迁移率和禁带宽度都有了显著提高，特别是可以通过调节Mg含量，来控制MgZnO的的带隙大小，提高光谱响应度。然而从晶体学角度看，六方纤锌矿结构的ZnO最为稳定，其生长是通过Zn和O交替面叠加而实现的，从而形成晶体取向为(001)的极性ZnO薄膜，这种极性薄膜会产生一个内部电场，将有源层中的电子和空穴分离开来，这种现象会对ZnO的光电器件产生不利影响。
MgZnO同样继承了ZnO的晶格结构，研究表明，晶体取向总是在表面产生特定的原子结构，极性和非极性表面的的化学性质和电子轨道状态不同，会对MgZnO材料的物理和光电性质产生影响。因此，研究MgZnO的不同结晶取向是很有价值的，对于扩大MgZnO的商业潜力很有帮助。当前，极性和非极性的生长薄膜主要是在晶格失配较小的衬底上形成，包括AlN缓冲层上生长的c轴ZnO，r面蓝宝石上生长的a轴ZnO，LiGaO2(110)上生长的m面ZnO。除了衬底的选择，还有研究报道了ZnO薄膜的结晶取向受生长温度控制，温度对控制材料表面形貌起重要作用，此外，还有利用Zn前驱体来改变晶体生长取向。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术存在的上述昂贵的六边形衬底、复杂的工艺条件以及极性和非极性的选择等问题，提供一种改变生长薄膜取向的方法。
本发明包括以下步骤：
1)在室温下利用酒精、丙酮和去离子水对衬底进行清洗，在超声波清洗器中清洗以除去衬底表面的杂质，交替清洗3遍，每遍5min，将清洗后的样品置入快速进样室；
2)利用机械泵和涡轮分子泵获得10-8mbar真空度的生长腔后，将衬底从快速进样室传送进生长设备的生长腔，在O气氛下对样品进行退火处理；
3)经退火处理后，同时通入等离子体激活的Zn金属源和Mg金属源进行2h的MgZnO薄膜的生长，生长完成后，将样品取出。
在步骤1)中，所述衬底选取不同晶向的MgO，可采用MgO(111)、MgO(110)和MgO(100)。
在步骤2)中，所述生长设备可采用分子束外延生长设备、气相外延生长设备(MOCVE)、物理气相沉积(PVD)、脉冲激光沉积系统(PLD)等中的一种；优选分子束外延(MBE)，其生长腔工作时真空度可达到10-9mbar；所述退火处理的条件可为：退火温度维持在800℃，O Plasma功率为250W，O压维持在5×10-5mbar，退火时间1h。
步骤3)中，所述生长过程中，可利用反射式高能电子衍射装置(RHEED)实时观测薄膜的生长状态。生长过程的条件可为：Mg源(Mg，99.999％)和Zn源(Zn，99.999％)温度均维持在330℃，衬底温度维持在275℃，O Plasma功率为180W，O压维持在1×10-5mbar。
与现有技术相比，本发明具有如下突出优点：
不同于改变衬底材料或加入新掺杂剂的方法，本发明通过改变衬底的结晶取向来控制外延生长薄膜的结晶取向。本发明选取了晶格常数与MgZnO相近的MgO衬底，可以解决昂贵的六边形衬底、复杂的工艺条件以及极性和非极性的选择等相关问题。本发明衬底除了选择MgO衬底以外，还可采用蓝宝石、硅片、玻璃等；可供生长的材料也不局限于MgZnO，可扩展到ZnO、SiC、GaN、金刚石以及其他宽禁带半导体材料。在分子束外延设备中进行生长，利用反射式高能电子衍射装置对薄膜生长状态实时监测，实现纯净、可控、精确生长。可以在温度、气压等各项工艺参数不变的情况下，在相同材料上沉积出结晶取向不同的生长薄膜，可以在光电器件领域得到应用。
附图说明
图1 MgO(111)上生长MgZnO的XRD谱图(2theta扫描)。
图2 MgO(111)上生长MgZnO的结构示意图。
图3 MgO(110)上生长MgZnO的XRD谱图(phi扫描)。
图4 MgO(110)上生长MgZnO的结构示意图。
图5 MgO(100)上生长MgZnO的XRD谱图(2theta扫描)。
图6 MgO(100)上生长MgZnO的结构示意图。
具体实施方式
以下实施例将结合附图对本发明作进一步的说明。
本发明在室温下利用酒精、丙酮和去离子水对衬底进行清洗，在超声波清洗器中清洗以除去衬底表面的杂质，交替清洗3遍，每遍5min，将清洗后的样品置入快速进样室；利用机械泵和涡轮分子泵获得10-8mbar真空度的生长腔后，将衬底从快速进样室传送进生长设备的生长腔，在O气氛下对样品进行退火处理；经退火处理后，同时通入等离子体激活的Zn金属源和Mg金属源进行2h的MgZnO薄膜的生长，生长完成后，将样品取出。本发明衬底除了选择MgO衬底以外，还可采用蓝宝石、硅片、玻璃等；可供生长的材料也不局限于MgZnO，可扩展到ZnO、SiC、GaN、金刚石以及其他宽禁带半导体材料。以下实施例仅为本发明的较佳实施例，不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。
实施例1
将MgO(111)衬底进行清洗处理后置入分子束外延设备，在O气氛下对样品进行1h的退火处理，退火过程中，退火温度维持在800℃，O Plasma功率为250W，O压维持在5×10- 5mbar。退火处理后，同时通入等离子体激活的Zn金属源和Mg金属源进行2h的MgZnO薄膜的生长，生长过程中Mg源(Mg，99.999％)和Zn源(Zn，99.999％)温度均维持在330℃，衬底温度维持在275℃，O Plasma功率为180W，O压维持在1×10-5mbar，制得样品。
图1显示了样品的XRD谱图(2theta扫描)，扫描谱中34.4°的衍射峰是ZnO(0001)面特征峰，薄膜沿c轴生长，样品具备六方纤锌矿结构，为极性面。
图2显示了样品的结构示意图。由上半部分的MgZnO和下半部分的MgO(111)衬底组成。
实施例2
将MgO(110)衬底进行清洗处理后置入分子束外延设备，在O气氛下对样品进行1h的退火处理，退火过程中，退火温度维持在800℃，O Plasma功率为250W，O压维持在5×10- 5mbar。退火处理后，同时通入等离子体激活的Zn金属源和Mg金属源进行2h的MgZnO薄膜的生长，生长过程中Mg源(Mg，99.999％)和Zn源(Zn，99.999％)温度均维持在330℃，衬底温度维持在275℃，O Plasma功率为180W，O压维持在1×10-5mbar，制得样品。
图3显示了样品的XRD谱图(phi扫描)，薄膜的生长方向偏离c轴约34°，为倾斜生长。
图4显示了样品的结构示意图。由上半部分的MgZnO和下半部分的MgO(110)衬底组成。
实施例3
将MgO(100)衬底进行清洗处理后置入分子束外延设备，在O气氛下对样品进行1h的退火处理，退火过程中，退火温度维持在800℃，O Plasma功率为250W，O压维持在5×10- 5mbar。退火处理后，同时通入等离子体激活的Zn金属源和Mg金属源进行2h的MgZnO薄膜的生长，生长过程中Mg源(Mg，99.999％)和Zn源(Zn，99.999％)温度均维持在330℃，衬底温度维持在275℃，O Plasma功率为180W，O压维持在1×10-5mbar，制得样品。
图5显示了样品的XRD谱图(2theta扫描)。扫描谱中31.8°的衍射峰是MgZnO(10-10)面特征峰，表明外延膜沿m面生长。
图6显示了样品的结构示意图。由上半部分的MgZnO和下半部分的MgO(100)衬底组成。
本发明在工艺条件相同的情况下，例如实验过程中维持气压、沉积时间和生长温度等条件不变，仅通过改变衬底材料的晶向，便成功制备出沿c轴、倾斜和m面生长的MgZnO，可广泛应用于氧化镁锌的光电器件领域中。

Claims (9)

1.一种改变生长薄膜取向的方法，其特征在于包括以下步骤：
1)在室温下利用酒精、丙酮和去离子水对衬底进行清洗，在超声波清洗器中清洗以除去衬底表面的杂质，将清洗后的样品置入快速进样室；
2)利用机械泵和涡轮分子泵获得10-8mbar真空度的生长腔后，将衬底从快速进样室传送进生长设备的生长腔，在O气氛下对样品进行退火处理；
3)经退火处理后，同时通入等离子体激活的Zn金属源和Mg金属源进行2h的MgZnO薄膜的生长，生长完成后，将样品取出。
2.如权利要求1所述一种改变生长薄膜取向的方法，其特征在于在步骤1)中，所述清洗利用酒精、丙酮和去离子水对衬底进行清洗与在超声波清洗器中清洗交替进行，清洗3遍，每遍5min。
3.如权利要求1所述一种改变生长薄膜取向的方法，其特征在于在步骤1)中，所述衬底选取不同晶向的MgO。
4.如权利要求3所述一种改变生长薄膜取向的方法，其特征在于所述不同晶向的MgO可采用MgO(111)、MgO(110)和MgO(100)。
5.如权利要求1所述一种改变生长薄膜取向的方法，其特征在于在步骤2)中，所述生长设备采用分子束外延生长设备、气相外延生长设备、物理气相沉积、脉冲激光沉积系统中的一种。
6.如权利要求5所述一种改变生长薄膜取向的方法，其特征在于在步骤2)中，所述生长设备采用分子束外延生长设备，其生长腔工作时真空度可达到10-9mbar。
7.如权利要求1所述一种改变生长薄膜取向的方法，其特征在于在步骤2)中，所述退火处理的条件为：退火温度维持在800℃，O Plasma功率为250W，O压维持在5×10-5mbar，退火时间1h。
8.如权利要求1所述一种改变生长薄膜取向的方法，其特征在于步骤3)中，所述生长过程中，采用反射式高能电子衍射装置实时观测薄膜的生长状态。
9.如权利要求1所述一种改变生长薄膜取向的方法，其特征在于步骤3)中，生长过程的条件为：Mg源(Mg，99.999％)和Zn源(Zn，99.999％)温度均维持在330℃，衬底温度维持在275℃，O Plasma功率为180W，O压维持在1×10-5mbar。
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