CN114121586A - 半导体处理设备 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供了一种半导体处理设备，包括：至少一个第一电极片；至少一个第二电极片，所述第二电极片与所述第一电极片交替设置，且与所述第一电极片之间保持间距；第一固定部，用于固定所述第一电极片，且与所述第二电极片保持间距；第二固定部，用于固定所述第二电极片，且与所述第一电极片之间保持间距，所述第一固定部与所述第二固定部之间的相对位置固定。

Description

半导体处理设备

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体处理设备。

背景技术

如图1所示，用于诸如气相沉积、等离子体蚀刻等的半导体处理设备包括分别与交流电源的两极电连接的第一电极片1和第二电极片2，第一电极片和第二电极片上分别承载待处理基板4，当半导体处理设备工作时，第一电极片1和第二电极片2之间产生电磁场，使得处理气体在待处理基板4表面沉积或是对待处理基板4暴露出的区域进行蚀刻。第一电极片1与第二电极片2之间设置有若干隔离套管4，以使得第一电极片1与第二电极片2绝缘。

然而，在半导体处理设备工作过程中，处理气体会不断在隔离套管3表面沉积，在半导体处理设备工作一段时间之后，会在隔离套管3表面形成一层薄膜5，若薄膜5为导体或半导体薄膜，随着薄膜5厚度的增加，会使得第一电极片1和第二电极片2之间的阻抗降低，甚至发生短路，从而使得半导体处理设备工作不稳定，特别是在高温环境下，半导体的电导率会迅速增大，这样会加剧半导体处理设备的不稳定性，甚至无法正常工作。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种半导体处理设备，以解决现有的半导体处理设备的电极片之间的阻抗随着使用时间增加而降低，使得半导体处理设备工作不稳定，甚至无法正常工作的问题

本发明实施例提供了一种半导体处理设备，包括：至少一个第一电极片；至少一个第二电极片，所述第二电极片与所述第一电极片交替设置，且与所述第一电极片之间保持间距；第一固定部，用于固定所述第一电极片，且与所述第二电极片保持间距；第二固定部，用于固定所述第二电极片，且与所述第一电极片之间保持间距，所述第一固定部与所述第二固定部之间的相对位置固定。

可选地，所述第一固定部包括至少一个第一卡槽，从所述第一电极片本体向外延伸出的第一延伸部嵌入所述第一卡槽内。

可选地，所述第一固定部包括：至少一个第一隔离件，所述第一隔离件设置在两个所述第一电极片之间，以将两个所述第一电极片间隔开；第一紧固件，用于固定所述第一隔离件和所述第一电极片。

可选地，所述第一电极片包括第一电极片本体和从所述第一电极片本体向外延伸出的第一延伸部，所述第一隔离件设置在两个所述第一电极片的所述第一延伸部之间。

可选地，至少一个所述第一隔离件包括至少一个第一卡槽，从所述第一电极片本体向外延伸出的第一延伸部嵌入所述第一卡槽内。

可选地，所述第二电极片上设置有第二通孔，所述第二通孔的横截面积大于所述第一隔离件的横截面积，相邻两个所述第一电极片之间的所述第一隔离件穿过相邻两个所述第一电极片之间的所述第二电极片的所述第二通孔，所述第一隔离件与所述第二通孔的孔壁保持间距。

可选地，所述第一紧固件为螺栓，所述第一紧固件穿过设置在所述第一电极片和所述第一隔离件上的通孔，以固定所述第一电极片和所述第一隔离件。

可选地，所述第二固定部包括至少一个第二卡槽，从所述第二电极片本体向外延伸出的第二延伸部嵌入所述第二卡槽内。

可选地，所述第二固定部包括：至少一个第二隔离件，每个所述第二隔离件设置在相邻两个所述第二电极片之间，以将相邻两个所述第二电极片间隔开；第二紧固件，用于固定所述第二隔离件和所述第二电极片。

可选地，所述第二电极片包括第二电极片本体和从所述第二电极片本体向外延伸出的第二延伸部，所述第二隔离件设置在相邻两个所述第二电极片的所述第二延伸部之间。

可选地，至少一个所述第二隔离件包括至少一个第二卡槽，从所述第二电极片本体向外延伸出的第二延伸部嵌入所述第二卡槽内。

可选地，所述第一电极片上设置有第一通孔，所述第一通孔的横截面积大于所述第二隔离件的横截面积，相邻两个所述第二电极片之间的所述第二隔离件穿过相邻两个所述第二电极片之间的所述第一电极片的所述第一通孔，所述第二隔离件与所述第一通孔的孔壁保持间距。

可选地，所述第二紧固件为螺栓，所述第二紧固件穿过设置在所述第二电极片和所述第二隔离件上的通孔，以固定所述第二电极片和所述第二隔离件。

可选地，所述半导体处理设备还包括：第三固定部，用于固定所述第一固定部和所述第二固定部之间的相对位置，所述第三固定部的轴向方向或径向方向上具有至少一个缝隙。

可选地，所述半导体处理设备还包括：第四固定部，用于将至少一个所述第一电极片和至少一个所述第二电极片固定在一起。

可选地，所述半导体处理设备还包括：第一电连接件，与每个所述第一电极片电连接；第二电连接件，与每个所述第二电极片电连接，所述第一电连接件与所述第二电连接件之间绝缘。

可选地，所述第一电连接件包括至少一个第三卡槽，从所述第一电极片本体向外延伸出的第三延伸部嵌入所述第三卡槽内；和/或所述第二电连接件包括至少一个第四卡槽，从所述第二电极片本体向外延伸出的第四延伸部嵌入所述第四卡槽内。

可选地，所述第一电连接件为多个，分别设置在两个所述第一电极片之间，且与两个所述第一电极片电接触；和/或所述第二电连接件为多个，分别设置在两个所述第二电极片之间，且与两个所述第二电极片电接触。

可选地，所述第一电极片包括第一电极片本体和从所述第一电极片本体向外延伸出的第三延伸部，所述第一电连接件设置在两个所述第一电极片的所述第三延伸部之间；和/或所述第二电极片包括第二电极片本体和从所述第二电极片本体向外延伸出的第四延伸部，所述第二电连接件设置在两个所述第二电极片的所述第四延伸部之间。

可选地，至少一个所述第一电连接件包括至少一个第一卡槽，从所述第一电极片本体向外延伸出的第三延伸部嵌入所述第一卡槽内；和/或至少一个所述第二电连接件包括至少一个第二卡槽，从所述第二电极片本体向外延伸出的第四延伸部嵌入所述第二卡槽内。

可选地，所述第一电极片上设置有第三通孔，所述第三通孔的横截面积大于所述第二电连接件的横截面积，相邻两个所述第二电极片之间的所述第二电连接件穿过相邻两个所述第二电极片之间的所述第一电极片的所述第三通孔，所述第二电连接件与所述第三通孔的孔壁保持间距；和/或所述第二电极片上设置有第四通孔，所述第四通孔的横截面积大于所述第一电连接件的横截面积，相邻两个所述第一电极片之间的所述第一电连接件穿过相邻两个所述第一电极片之间的所述第二电极片的所述第四通孔，所述第一电连接件与所述第四通孔的孔壁保持间距。

可选地，所述半导体处理设备为气相沉积设备或气相蚀刻设备。

根据本发明实施例的半导体处理设备，第一电极片通过第一固定部固定，第二电极片通过第二固定部固定，并且第一固定部不与第二电极片接触，第二固定部不与第一电极片接触，从而第一电极片和第二电极片之间不存在物理接触，因此第一电极片与第二电极片之间的阻抗不会随着半导体处理设备的工作时间增加而降低，从而使得半导体处理设备工作稳定。

附图说明

通过参考附图会更加清楚的理解本发明的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本发明进行任何限制，在附图中：

图1是现有技术中的半导体处理设备的示意图；

图2A是根据本发明实施例的半导体处理设备的立体视图；

图2B是根据本发明实施例的半导体处理设备的第一电极片的示意图；

图2C是根据本发明实施例的半导体处理设备的第二电极片的示意图；

图2D是图2A所示的半导体处理设备的仰视图；

图2E是沿图2D中的虚线A-A的剖视图；

图2F是沿图2D中的虚线B-B的剖视图；

图2G是根据本发明实施例的半导体处理设备的第三固定部沿图2D中的虚线C-C的剖视图；

图2H是根据本发明实施例的半导体处理设备的第三固定部的另一实施方式沿图2D中的虚线C-C的剖视图；

图2I是图2A所示的半导体处理设备的右视图；

图2J是沿图2I中的虚线D-D的剖视图；

图3A是根据本发明另一实施例的半导体处理设备的立体视图；

图3B是图3A所示的半导体处理设备的仰视图；

图3C是沿图3B中的虚线G-G的剖视图；

图3D是沿图3B中的虚线H-H的剖视图；

图4A是根据本发明另一实施例的半导体处理设备的立体视图；

图4B是图4A所示的半导体处理设备的俯视图；

图4C是沿图4B中的虚线I-I的剖视图；

图4D是沿图4B中的虚线J-J的剖视图；

图5A是沿图2I中的虚线E-E的剖视图；

图5B是沿图2I中的虚线F-F的剖视图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图2A至图2J所示，根据本发明实施例的半导体处理设备可以包括若干第一电极片11、若干第二电极片12、第一固定部13和第二固定部14。其中，第一电极片11与第二电极片12交替设置，且第一电极片11与第二电极片12之间保持间距。第一电极片11和第二电极片12例如可以由石墨材料制成，第一电极片11例如可以是位于奇数序号的电极片，第二电极片12例如可以是位于偶数序号的电极片，若干第一电极片11之间互相电连接，若干第二电极片12之间互相电连接，互相电连接的第一电极片11和第二电极片12分别连接交流电源的两极，当半导体处理设备通电时，在第一电极片11与第二电极片12之间产生电磁场，使得处理气体在电极片所承载的待处理基板表面沉积或是对待处理基板暴露出的区域进行蚀刻。图2B和图2C的示例中，每块第一电极片11和第二电极片12分别可以承载5片待处理基板，实际上承载更多或更少的基板也是可行的，并且示例的半导体处理设备可以采用更多或是更少的第一电极片11和第二电极片12。

如图2E和图2F所示，第一固定部13用于固定第一电极片11，且与第二电极片12之间保持间距，第二固定部14用于固定第二电极片12，且与第一电极片11之间保持间距，并且第一固定部13与第二固定部14之间的相对位置固定。第一固定部13和第二固定部14可以采用诸如陶瓷、石英、特氟龙、聚四氟等绝缘材料制成，本领域技术人员可以根据实际情况设置第一固定部13与第二电极片12、第二固定部14与第一电极片11之间的间距的大小，若间距过小，处理气体在第一固定部13或第二固定部14上沉积薄膜的厚度达到或超过该间距时，会使得薄膜与第二电极片12或第一电极片11接触，从而使得第一电极片11与第二电极片12之间的阻抗下降；若间距过大，则会增大半导体处理设备的体积。第一固定部13与第二电极片12之间的间距和第二固定部14与第一电极片11之间的间距可以相同，也可以不同。

在本发明实施例的半导体处理设备中，通过第一固定部13固定第一电极片11的位置，通过第二固定部14固定第二电极片12的位置，由于第一固定部13与第二固定部14之间的相对位置固定，从而使得第一电极片11与第二电极片12之间的相对位置固定，形成了稳固的半导体处理设备。在本发明实施例的半导体处理设备工作过程中，处理气体不断沉积到第一固定部13和第二固定部14表面形成薄膜16，如图2E和图2F所示，然而第一固定部13所固定的第一电极片11本身就电连接在一起，第二固定部14所固定的第二电极片12本身也电连接在一起，沉积在第一固定部13和第二固定部14表面的薄膜16不会对半导体处理设备造成不利影响，由于第一固定部13不与第二电极片12接触，第二固定部14不与第一电极片11接触，从而第一电极片11和第二电极片12之间不存在物理接触，因此第一电极片11与第二电极片12之间的阻抗不会随着半导体处理设备的工作时间增加而不断降低，从而使得半导体处理设备工作稳定。

为了能够在有限的空间内尽可能承载更多的待处理基板，作为本发明实施例的一种可选实施方式，如图2A所示，第一电极片11和第二电极片12之间平行重叠设置，即第一电极片11和第二电极片12的本体在垂直于第一电极片11和第二电极片12的第一方向x上的投影是重合的。在图2A的示例中，电极片是竖直方向设置的，本领域技术人员应当理解，电极片也可以在水平方向上设置。在图2A至图2I的示例中，第一固定部13和第二固定部14为长条状，本领域技术人员应当理解，第一固定部13和第二固定部14也可以是其他形状，只要能够固定第一电极片11和第二电极片12即可。在本实施例中，长条状的第一固定部13和第二固定部14在第一方向x上延伸，且第一固定部13和第二固定部14沿第一方向x的投影不重叠。

在图2A至图2J的示例中，第一固定部13上设置有若干第一卡槽13a，从第一电极片11本体向外延伸出的第一延伸部11a嵌入第一卡槽13a内，从而将第一电极片11固定在一起，由于第一延伸部11a延伸出第一电极片11本体外，使得第一固定部13能够从第二电极片12外侧通过第二电极片12且不与第二电极片12接触，具体可以参见图2E所示；同样地，第二固定部14上设置有若干第二卡槽14a，从第二电极片12本体向外延伸出的第二延伸部12a嵌入第二卡槽14b内，从而将第二电极片12固定在一起，使得第二固定部14能够从第一电极片11外侧通过第一电极片11且不与第一电极片11接触，具体可以参见图2E所示。为了使电极片固定的更加稳定，可以进一步通过螺栓将第一电极片11和第一固定部13、以及第二电极片12和第二固定部14固定在一起。然而，本发明并不限于此，也可以采用其他任何可行的方式来分别固定第一电极片11和第二电极片12。

为了加强半导体处理设备的强度，可以设置多个第一固定部13和多个第二固定部14，图2A所示的半导体处理设备在上侧和下侧分别设置有多个第一固定部13和多个第二固定部14，本领域技术人员可以根据半导体处理设备的强度需求合理设置第一固定部13和第二固定部14的数量，第一固定部13和第二固定部14的数量可以相同，也可以不同。作为一种可选实施方式，第一固定部13和第二固定部14之间采用一个或多个第三固定部15来固定第一固定部13和第二固定部14之间的相对位置，进而固定第一电极片11和第二电极片12之间的相对位置，第三固定部15沿垂直于第一方向x的第二方向y设置。在图2A的示例中，第一固定部13和第二固定部14之间采用了2个第三固定部15，本领域技术人员应当理解，采用更多或更少的第三固定部15都是可行的。第三固定部15例如可以为螺栓，第三固定部15穿过设置在第一固定部13和第二固定部14上的通孔，以固定第一固定部13和第二固定部14。本领域技术人员应当理解，可以采用其他方式来固定第一固定部13和第二固定部14，例如可以将第一固定部13和第二固定部14制成为一个整体。

图2G示出了根据本发明实施例的半导体处理设备的第三固定部15的剖视图，如图2G所示，第三固定部15的径向方向上具有至少一个缝隙15b。可以采用各种方式来形成缝隙15b，例如可以直接在第三固定部15的径向方向上切割出缝隙15b。作为一种可选实施方式，在图2G的示例中，第三固定部15为套设有若干套管15a的螺栓，相邻套管15a之间形成有缝隙15b。在半导体处理设备工作过程中，处理气体还可能沉积到第三固定部15表面形成薄膜，从而可能连通沉积在第一固定部13和第二固定部14表面的薄膜，进而使得第一电极片11和第二电极片12之间的阻抗下降。在本实施例中，由于第三固定部15的径向方向上具有至少一个缝隙15b，处理气体难以进入到缝隙15b内沉积，即使处理气体在第三固定部15表面成膜，所形成的薄膜也是间断的，不会使第一电极片11和第二电极片12连通。可选地，缝隙15b在轴向方向上的宽度w可以在0.05mm至5mm的范围内，在径向方向上的深度h在0.1mm至10mm的范围内。作为另一种可选实施方式，可以通过增大缝隙15b在径向方向上的深度h与在轴向方向上的宽度w之间的比值，即缝隙15b的深宽比h/w(Aspect Ratio)来使得处理气体更加难以在缝隙内沉积，例如可以使得该缝隙15b的深宽比h/w大于或等于0.5，优选地大于或等于2，更优选地大于或等于4。

图2H示出了根据本发明实施例的半导体处理设备的第三固定部的另一实施方式的剖视图，如图2H所示，第三固定部15的轴向方向上具有至少一个缝隙15d。可以采用各种方式来形成缝隙15d，例如可以直接在第三固定部15的轴向方向上切割出缝隙15d，在图2H的示例中，第三固定部15为套设有至少一个套管15c的螺栓，套管15c可以包括内隔离管和外隔离管，其中外隔离管套设于内隔离管外，外隔离管的长度小于内隔离管，且外隔离管在内隔离管表面上的垂直投影位于内隔离管表面内，并且内隔离管的外壁与外隔离管的内壁间隔设置以使得内隔离管的外壁与外隔离管的内壁之间形成缝隙15d。同样地，由于处理气体难以进入到缝隙15d内沉积，即使处理气体在第三固定部15表面成膜，所形成的薄膜也是间断的，不会使第一电极片11和第二电极片12连通。可选地，可以形成多个外隔离管以进一步切断第三固定部15表面可能的成膜。同样地，缝隙15d在径向方向上的宽度w可以在0.05mm至5mm的范围内，在轴向方向上的深度h在0.1mm至10mm的范围内，该缝隙15d的深宽比h/w可以大于或等于0.5，优选地大于或等于2，更优选地大于或等于4。

除此以外，为了进一步提高半导体处理设备的强度，在图2I和图2J的示例中，本发明实施例的半导体处理设备还可以包括第四固定部17，用于将至少一个第一电极片11和至少一个第二电极片12固定在一起。如图2I和图2J所示，部分第一电极片11和部分第二电极片12向外延伸，向外延伸的第一电极片11和第二电极片12之间设置有隔离衬套18，然后通过螺栓将延伸出的第一电极片11、第二电极片12和隔离衬套18固定在一起，从而实现了第一电极片11和第二电极片12之间的相对位置的固定。用于固定的螺栓同样可以采用如图2G和图2H中的在径向或轴向方向上具有缝隙的螺栓，以进一步提升半导体处理设备的稳定性。在图2I和图2J的示例中，采用隔离衬套18和螺栓来固定第一电极片和第二电极片的相对位置，本领域技术人员应当理解采用类似于图2E和图2F的具有卡槽的固定部也是可行的。

图3A至图3D示出了根据本发明另一实施例的半导体处理设备的示意图，在本实施例中所采用的第一电极片11和第二电极片12与图2A至图2J所示的实施例相同。与图2A至图2J所示的实施例不同的是，在本实施例中，第一固定部23并非一个整体，而是分离的，如图3A至图3D所示，本发明实施例的第一固定部23包括若干第一隔离件23a和第一紧固件23b，第一隔离件23a例如可以为隔离衬套，设置在两个第一电极片11的第一延伸部11a之间，以将两个第一电极片11间隔开，第一紧固件23b用于固定第一隔离件23a和第一电极片11。同样地，第二固定部包括若干第二隔离件24a和第二紧固件24b，第二隔离件24a设置在两个第二电极片12的第二延伸部12a之间，以将两个第二电极片12间隔开，第二紧固件24b用于固定第二隔离件24a和第二电极片12。该隔离衬套同样可以采用诸如陶瓷、石英、特氟龙、聚四氟等绝缘材料制成，在图3A至图3D的示例中，该隔离衬套为块状，本领域技术人员应当理解采用其他形状的隔离衬套也是可行的。作为一种可选实施方式，第一紧固件23b和第二紧固件24b例如可以为螺栓，第一紧固件23b穿过设置在第一电极片11和第一隔离件23a上的通孔，以固定第一电极片11和第一隔离件23a，第二紧固件24b穿过设置在第二电极片12和第二隔离件24a上的通孔，以固定第二电极片12和第二隔离件24a。与图2A至图2I所示的实施例相比，本实施例中的半导体处理设备可以根据处理腔室的大小，灵活增减电极片的数量，从而能够更加有效地利用处理腔室的空间。

作为本发明实施例的一种可选实施方式，如图3C和图3D所示，至少一个第一隔离件23a包括至少一个第一卡槽23c，从第一电极片本体向外延伸出的第一延伸部11a嵌入第一卡槽23c内；同样地，至少一个第二隔离件24a包括至少一个第二卡槽24c，从第二电极片本体向外延伸出的第二延伸部12a嵌入第二卡槽24c内。在本实施例中，由于第一/第二隔离件还具有卡槽，除了可以通过第一/第二隔离件的两端来固定电极片外，还可以通过卡槽来固定电极片，与完全采用第一/第二隔离件的两端来固定电极片的方式相比，减少了第一/第二隔离件的数量，从而可以提升半导体处理设备的强度，同时还保留了可以根据处理腔室的大小灵活增减电极片的数量的优点。

与图2A至图2J所示的实施例相同，在图3A至图3D所示的实施例中，同样也可以采用第三固定部25和第四固定部26来固定第一电极片11和第二电极片12之间的相对位置。第三固定部25和第四固定部26的具体内容可以参考图2A至图2J所示的实施例中的相应描述，在此不再赘述。

图4A至图4D示出了根据本发明另一实施例的半导体处理设备的示意图。在本实施例中，第一固定部33并非一个整体，而是分离的，如图4A至图4D所示，第一固定部33包括若干第一隔离件33a和第一紧固件33b，第一隔离件33a例如可以为隔离套管，设置在两个第一电极片11之间，以将两个第一电极片11间隔开。这两个第一电极片11之间还存在一个第二电极片12，该第二电极片12上设置有第二通孔12a，第二通孔12a的横截面积大于第一隔离件33a的横截面积，以供第一隔离件33a穿过，且第一隔离件33a与第二通孔12a的孔壁保持间距，即使得第一固定部33与第二电极片12不接触，第一紧固件33b用于固定第一隔离件33a和第一电极片11。同样地，第二固定部34包括若干第二隔离件34a和第二紧固件34b，第二隔离件34a例如可以为隔离套管，设置在两个第二电极片12之间，以将两个第二电极片12间隔开。这两个第二电极片12之间还存在一个第一电极片11，该第一电极片11上设置有第一通孔11a，第一通孔11a的横截面积大于第二隔离件34a的横截面积，以供第二隔离件34a穿过，且第二隔离件34a与第一通孔11a的孔壁保持间距，即使得第二固定部34与第一电极片11不接触，第二紧固件34b用于固定第二隔离件34a和第二电极片12。其中，隔离套管可以采用诸如陶瓷、石英、特氟龙、聚四氟等绝缘材料制成，在图4A至图4D的示例中，隔离套管设置为圆环状，本领域技术人员应当理解，采用其他形状的隔离套管也是可行的。

在本实施例中，通过若干隔离套管来使得第一电极片11和第二电极片12之间间隔开，用于使第一电极片11间隔开的隔离套管穿过第二电极片12上的通孔从而不与第二电极片12接触，用于使第二电极片12间隔开的隔离套管穿过第一电极片11上的通孔从而不与第一电极片11接触，从而第一电极片11和第二电极片12之间不存在物理接触，因此第一电极片11与第二电极片12之间的阻抗不会随着半导体处理设备的工作时间增加而不断降低，从而使得半导体处理设备工作稳定。与图2A至图2I所示的实施例相比，本实施例中的半导体处理设备可以根据处理腔室的大小，灵活增减电极片的数量，从而能够更加有效地利用处理腔室的空间。

在图2A至图2I以及图3A至图3D所示的实施例中，半导体处理设备中的电极片需要设置从电极片本体向外延伸出的延伸部，从而使得第一隔离件从第二电极片外侧通过第二电极片且不与第二电极片接触，第二隔离件从第一电极片外侧通过第一电极片且不与第一电极片接触，然而在电极片上额外设置延伸部会增大半导体处理设备的体积。而本实施例中的电极片无需设置从电极片本体向外延伸出的延伸部，第一隔离件33a通过在第二电极片12本体内穿孔的方式穿过第二电极片12，第二隔离件34a通过在第一电极片11本体内穿孔的方式穿过第一电极片11，与图2A至图2I以及图3A至图3D所示的实施例相比，能够缩小半导体处理设备的体积，更加有效地利用处理腔室的空间。

虽然图4A至图4D中未示出，在本实施例中同样可以通过一个或多个第三固定部来固定第一固定部33和第二固定部34之间的相对位置，进而固定第一电极片11和第二电极片12之间的相对位置。图4A至图4D还示出了第四固定部35来固定第一电极片11和第二电极片12之间的相对位置。第三固定部和第四固定部35的具体内容可以参考图2A至图2J所示的实施例中的相应描述，在此不再赘述。

为了加强半导体处理设备的强度，本发明实施例中的半导体处理设备可以采用多组第一固定部和多组第二固定部，其中多组第一固定部可以采用上述图2A至图4D所示的第一固定部中的一种或多种，多组第二固定部同样可以采用上述图2A至图4D所示的第二固定部中的一种或多种，上述的多种组合及变形均落入本发明的范围内。

如上文中所述，本发明实施例中的半导体处理设备的若干第一电极片11之间互相电连接，若干第二电极片12之间互相电连接，在下文中将详细说明第一电极片11和第二电极片12的电连接方式。

如图5A和图5B所示，第一电连接件41与每个第一电极片11电连接，第二电连接件42与每个第二电极片12电连接，且第一电连接件41与第二电连接件42之间绝缘。具体而言，多个第一电连接件41分别设置在两个第一电极片11之间，且与两个第一电极片11电接触，多个第二电连接件42分别设置在两个第二电极片12之间，且与两个第一电极片12电接触。返回至图2B和图2C，第一电极片11还包括从第一电极片本体向外延伸出的第三延伸部11b，第二电极片12还包括从第二电极片本体向外延伸出的第四延伸部12b。在图5A和图5B的示例中，第一电连接件41设置在两个第一电极片11的第三延伸部11b之间，第二电连接件42设置在两个第二电极片12的第四延伸部12b之间，并且分别采用了螺栓将第一电极片11和第一电连接件41固定在一起，将第二电极片12和第二电连接件42固定在一起。由此，不仅实现了第一电极片11以及第二电极片12之间的电接触，还进一步加固了第一电极片11以及第二电极片12之间的连接强度。

尽管图5A和图5B中未示出，还可以通过一个或多个固定部来固定第一电连接件41与第二电连接件42之间的相对位置，进而进一步加强第一电极片11和第二电极片12之间的相对位置的固定强度。

在本发明实施例的一种可选实施方式中，至少一个第一电连接件41可以包括至少一个第一卡槽，从第一电极片本体向外延伸出的第三延伸部11b嵌入该第一卡槽内，至少一个第二电连接件42可以包括至少一个第二卡槽，从第二电极片本体向外延伸出的第四延伸部12b嵌入该第二卡槽内。

图5A和图5B中所示的第一电连接件41和第二电连接件42的设置方式与图3A至图3D所示的第一固定部23和第二固定部24的设置方式相类似，第一电连接件41和第二电连接件42的进一步详细内容可以参考图3A至图3D所示的实施例中的相关描述，在此不再赘述。

在本发明的另一实施例中，第一电连接件可以包括至少一个第三卡槽，从第一电极片本体向外延伸出的第三延伸部嵌入该第三卡槽内，第二电连接件可以包括至少一个第四卡槽，从第二电极片本体向外延伸出的第四延伸部嵌入该第四卡槽内。本实施例中的第一电连接件和第二电连接件的设置方式与图2A至图2J所示的第一固定部13和第二固定件14的设置方式相类似，进一步详细内容可以参考图2A至图2J所示的实施例中的相关描述，在此不再赘述。

在本发明的另一实施例中，第一电极片上设置有第三通孔，第三通孔的横截面积大于第二电连接件的横截面积，相邻两个第二电极片之间的第二电连接件穿过相邻两个第二电极片之间的第一电极片的第三通孔，第二电连接件与第三通孔的孔壁保持间距；第二电极片上设置有第四通孔，第四通孔的横截面积大于第一电连接件的横截面积，相邻两个第一电极片之间的第一电连接件穿过相邻两个第一电极片之间的第二电极片的第四通孔，第一电连接件与所述第四通孔的孔壁保持间距。本实施例中的第一电连接件和第二电连接件的设置方式与图4A至图4D所示的第一固定部33和第二固定部34的设置方式相类似，进一步详细内容可以参考图4A至图4D固定部所示的实施例中的相关描述，在此不再赘述。

本发明实施例中的半导体处理设备可以采用多组第一电连接件和多组第二电连接件，其中多组第一电连接件可以采用上述第一电连接件中的一种或多种，多组第二电连接件同样可以采用上述第二电连接件中的一种或多种。本领域技术人员应当理解，本发明实施例的半导体处理设备的第一电连接件和第二电连接件并不限于此，可以采用任何可行的方式来将第一电极片/第二电极片电连接在一起。

虽然结合附图描述了本发明的实施例，但是本领域技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下作出各种修改和变型，这样的修改和变型均落入由所附权利要求所限定的范围之内。

Claims (22)

1.一种半导体处理设备，其特征在于，包括：

至少一个第一电极片；

至少一个第二电极片，所述第二电极片与所述第一电极片交替设置，且与所述第一电极片之间保持间距；

第一固定部，用于固定所述第一电极片，且与所述第二电极片保持间距；

第二固定部，用于固定所述第二电极片，且与所述第一电极片之间保持间距，所述第一固定部与所述第二固定部之间的相对位置固定。

2.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述第一固定部包括至少一个第一卡槽，从所述第一电极片本体向外延伸出的第一延伸部嵌入所述第一卡槽内。

3.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述第一固定部包括：

至少一个第一隔离件，所述第一隔离件设置在两个所述第一电极片之间，以将两个所述第一电极片间隔开；

第一紧固件，用于固定所述第一隔离件和所述第一电极片。

4.根据权利要求3所述的半导体处理设备，其特征在于，所述第一电极片包括第一电极片本体和从所述第一电极片本体向外延伸出的第一延伸部，所述第一隔离件设置在两个所述第一电极片的所述第一延伸部之间。

5.根据权利要求4所述的半导体处理设备，其特征在于，至少一个所述第一隔离件包括至少一个第一卡槽，从所述第一电极片本体向外延伸出的第一延伸部嵌入所述第一卡槽内。

6.根据权利要求3所述的半导体处理设备，其特征在于，所述第二电极片上设置有第二通孔，所述第二通孔的横截面积大于所述第一隔离件的横截面积，相邻两个所述第一电极片之间的所述第一隔离件穿过相邻两个所述第一电极片之间的所述第二电极片的所述第二通孔，所述第一隔离件与所述第二通孔的孔壁保持间距。

7.根据权利要求3所述的半导体处理设备，其特征在于，所述第一紧固件为螺栓，所述第一紧固件穿过设置在所述第一电极片和所述第一隔离件上的通孔，以固定所述第一电极片和所述第一隔离件。

8.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述第二固定部包括至少一个第二卡槽，从所述第二电极片本体向外延伸出的第二延伸部嵌入所述第二卡槽内。

9.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述第二固定部包括：

至少一个第二隔离件，每个所述第二隔离件设置在相邻两个所述第二电极片之间，以将相邻两个所述第二电极片间隔开；

第二紧固件，用于固定所述第二隔离件和所述第二电极片。

10.根据权利要求9所述的半导体处理设备，其特征在于，所述第二电极片包括第二电极片本体和从所述第二电极片本体向外延伸出的第二延伸部，所述第二隔离件设置在相邻两个所述第二电极片的所述第二延伸部之间。

11.根据权利要求10所述的半导体处理设备，其特征在于，至少一个所述第二隔离件包括至少一个第二卡槽，从所述第二电极片本体向外延伸出的第二延伸部嵌入所述第二卡槽内。

12.根据权利要求9所述的半导体处理设备，其特征在于，所述第一电极片上设置有第一通孔，所述第一通孔的横截面积大于所述第二隔离件的横截面积，相邻两个所述第二电极片之间的所述第二隔离件穿过相邻两个所述第二电极片之间的所述第一电极片的所述第一通孔，所述第二隔离件与所述第一通孔的孔壁保持间距。

13.根据权利要求9所述的半导体处理设备，其特征在于，所述第二紧固件为螺栓，所述第二紧固件穿过设置在所述第二电极片和所述第二隔离件上的通孔，以固定所述第二电极片和所述第二隔离件。

14.根据权利要求1-13中任一项所述的半导体处理设备，其特征在于，还包括：

第三固定部，用于固定所述第一固定部和所述第二固定部之间的相对位置，所述第三固定部的轴向方向或径向方向上具有至少一个缝隙。

15.根据权利要求1-13中任一项所述的半导体处理设备，其特征在于，还包括：

第四固定部，用于将至少一个所述第一电极片和至少一个所述第二电极片固定在一起。

16.根据权利要求1-15中任一项所述的半导体处理设备，其特征在于，还包括：

第一电连接件，与每个所述第一电极片电连接；

第二电连接件，与每个所述第二电极片电连接，所述第一电连接件与所述第二电连接件之间绝缘。

17.根据权利要求16所述的半导体处理设备，其特征在于，所述第一电连接件包括至少一个第三卡槽，从所述第一电极片本体向外延伸出的第三延伸部嵌入所述第三卡槽内；和/或

所述第二电连接件包括至少一个第四卡槽，从所述第二电极片本体向外延伸出的第四延伸部嵌入所述第四卡槽内。

18.根据权利要求16所述的半导体处理设备，其特征在于，所述第一电连接件为多个，分别设置在两个所述第一电极片之间，且与两个所述第一电极片电接触；和/或

所述第二电连接件为多个，分别设置在两个所述第二电极片之间，且与两个所述第二电极片电接触。

19.根据权利要求18所述的半导体处理设备，其特征在于，所述第一电极片包括第一电极片本体和从所述第一电极片本体向外延伸出的第三延伸部，所述第一电连接件设置在两个所述第一电极片的所述第三延伸部之间；和/或

所述第二电极片包括第二电极片本体和从所述第二电极片本体向外延伸出的第四延伸部，所述第二电连接件设置在两个所述第二电极片的所述第四延伸部之间。

20.根据权利要求19所述的半导体处理设备，其特征在于，至少一个所述第一电连接件包括至少一个第一卡槽，从所述第一电极片本体向外延伸出的第三延伸部嵌入所述第一卡槽内；和/或

至少一个所述第二电连接件包括至少一个第二卡槽，从所述第二电极片本体向外延伸出的第四延伸部嵌入所述第二卡槽内。

21.根据权利要求18所述的半导体处理设备，其特征在于，所述第一电极片上设置有第三通孔，所述第三通孔的横截面积大于所述第二电连接件的横截面积，相邻两个所述第二电极片之间的所述第二电连接件穿过相邻两个所述第二电极片之间的所述第一电极片的所述第三通孔，所述第二电连接件与所述第三通孔的孔壁保持间距；和/或

所述第二电极片上设置有第四通孔，所述第四通孔的横截面积大于所述第一电连接件的横截面积，相邻两个所述第一电极片之间的所述第一电连接件穿过相邻两个所述第一电极片之间的所述第二电极片的所述第四通孔，所述第一电连接件与所述第四通孔的孔壁保持间距。

22.根据权利要求1-21中任一项所述的半导体处理设备，其特征在于，所述半导体处理设备为气相沉积设备或气相蚀刻设备。

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