JP2023010536A - プラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】プラズマ処理装置のチョーク構造における放電を抑制する技術を提供する。【解決手段】開示されるプラズマ処理装置は、チャンバ、導入部、及びチョーク構造を備える。導入部は、そこからチャンバ内に電磁波が導入されるように設けられている。チョーク構造は、チャンバの壁に設けられている。チョーク構造は、それが設けられた箇所からチャンバの内壁面に沿った下流への電磁波の伝搬を抑制するように構成されている。チョーク構造は、スリット状の第１の部分及び第２の部分を含む。第１の部分は、チャンバ内の空間に接続されている。第２の部分は、チャンバの壁の中で第１の部分から延びる。第２の部分における電磁波の電界の方向に沿った第２の部分の長さは、第１の部分における電磁波の電界の方向に沿った第１の部分の長さよりも長い。【選択図】図１

Description

本開示の例示的実施形態は、プラズマ処理装置に関するものである。

プラズマ処理装置が基板に対するプラズマ処理において用いられている。一種のプラズマ処理装置は、下記の特許文献１に記載されている。特許文献１に記載されたプラズマ処理装置は、プラズマを励起させるための電磁波として、ＵＨＦ帯又はＶＨＦ帯の高周波を用いている。チャンバ内に導入された電磁波は、表面波としてチャンバ内の壁面に沿って伝搬する。特許文献１に記載されたプラズマ処理装置は、チャンバ内の不要な箇所への電磁波の伝搬を抑制するために、チョーク部を有している。

国際公開第２０１８／１０１０６５号

本開示は、プラズマ処理装置のチョーク構造における放電を抑制する技術を提供する。

一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置が提供される。プラズマ処理装置は、チャンバ、導入部、及びチョーク構造を備える。導入部は、そこからチャンバ内に電磁波が導入されるように設けられている。チョーク構造は、チャンバの壁に設けられている。チョーク構造は、それが設けられた箇所からチャンバの内壁面に沿った下流への電磁波の伝搬を抑制するように構成されている。チョーク構造は、スリット状の第１の部分及び第２の部分を含む。第１の部分は、チャンバ内の空間に接続されている。第２の部分は、チャンバの壁の中で第１の部分から延びる。第２の部分における電磁波の電界の方向に沿った第２の部分の長さは、第１の部分における電磁波の電界の方向に沿った第１の部分の長さよりも長い。

一つの例示的実施形態によれば、プラズマ処理装置のチョーク構造における放電を抑制することが可能となる。

一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。 一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置におけるチョーク構造の部分拡大断面図である。 別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。 図３に示すプラズマ処理装置において採用され得る一例の絶縁性部材を破断して示す斜視図である。 図３に示すプラズマ処理装置において採用され得る別の例の絶縁性部材を破断して示す斜視図である。 更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。 更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。 図７に示すプラズマ処理装置において採用され得る一例の誘電体部、絶縁性部材、及び弾性リングを破断して示す斜視図である。 図７に示すプラズマ処理装置において採用され得る一例の絶縁性部材を破断して示す斜視図である。 更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。 更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置の一部を拡大して示す図である。 更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置における誘電体部及び環状排気ダクトの一部を示す図である。 図１３の（ａ）及び１３の（ｂ）の各々は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置における誘電体部及び環状排気ダクトの部分拡大図である。

以下、種々の例示的実施形態について説明する。

一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置が提供される。プラズマ処理装置は、チャンバ、導入部、及びチョーク構造を備える。導入部は、そこからチャンバ内に電磁波が導入されるように設けられている。チョーク構造は、チャンバの壁に設けられている。チョーク構造は、それが設けられた箇所からチャンバの内壁面に沿った下流への電磁波の伝搬を抑制するように構成されている。チョーク構造は、スリット状の第１の部分及び第２の部分を含む。第１の部分は、チャンバ内の空間に接続されている。第２の部分は、チャンバの壁の中で第１の部分から延びる。第２の部分における電磁波の電界の方向に沿った第２の部分の長さは、第１の部分における電磁波の電界の方向に沿った第１の部分の長さよりも長い。

上記実施形態では、第１の部分に対して、第２の部分が、電磁波の電界の方向に沿って拡大されている。したがって、第２の部分における電界の強度が小さくなる。故に、上記実施形態によれば、チョーク構造における放電を抑制することが可能となる。

一つの例示的実施形態において、第２の部分における電磁波の伝搬方向に沿った該第２の部分の長さは、第１の部分における電磁波の伝搬方向に沿った第１の部分の長さよりも長くてもよい。

一つの例示的実施形態において、第１の部分における電磁波の伝搬方向及び第２の部分における電磁波の伝搬方向は、同一であってもよい。

一つの例示的実施形態において、チョーク構造は、第１の部分の中に設けられた誘電体部を更に含んでいてもよい。

一つの例示的実施形態において、チョーク構造は、第２の部分の中に設けられた誘電体部を更に含んでいてもよい。

一つの例示的実施形態において、チョーク構造は、チャンバの側壁に設けられていてもよい。側壁は、環状排気ダクトを含んでいてもよい。環状排気ダクトは、環状排気路を提供する。環状排気路は、側壁の中心軸線に対して周方向に延び且つチャンバ内の空間に連通している。第１の部分は、環状排気ダクトを画成する壁に形成されており、中心軸線に対して周方向に延びている。第２の部分は、環状排気路である。

一つの例示的実施形態において、チャンバの側壁は、第１の壁部材及び第２の壁部材を含んでいてもよい。第１の壁部材は、第１の部分の上側で延在する。第２の壁部材は、該第１の壁部材から分離可能であり、チョーク構造の第１の部分の下側で延在する。第１の壁部材及び第２の壁部材は、それらの間に配置される誘電体部を弾性的に挟持していてもよい。

一つの例示的実施形態において、チャンバの側壁は、第３の壁部材及び第４の壁部材を更に含んでいてもよい。第３の壁部材は、第１の壁部材及び第２の壁部材から分離可能であり、第１の壁部材及び第２の壁部材と共に環状排気ダクトを構成する。第４の壁部材は、環状排気ダクトの下側で延在する。第１の壁部材は、第２の壁部材及び第３の壁部材の上に設けられており、環状排気路を上側から画成する。第２の壁部材は、第３の壁部材に対して内側で延在しており、第３の壁部材と共に環状排気路を下側から画成する。第２の壁部材は、Ｏリング及び／又はスパイラルスプリングガスケットからの反力により、誘電体部を押圧していていもよい。

一つの例示的実施形態において、環状排気ダクトは、三つ以上の凹部を提供していてもよい。三つ以上の凹部は、環状排気路を画成する環状排気ダクトの内周面から径方向内側に延び、且つ、周方向に沿って等間隔に配置されている。誘電体部は、三つ以上の凹部の中に配置される三つ以上の凸部を含んでいてもよい。

一つの例示的実施形態において、第１の部分の中に設けられた誘電体部は、環状排気路の中まで延びていてもよい。

一つの例示的実施形態において、誘電体部は、複数の第１の部材及び複数の第２の部材を含んでいてもよい。複数の第１の部材及び複数の第２の部材は、第１の部分の中で前記周方向に沿って交互に配列されていてもよい。複数の第１の部材は、第１の部分に嵌合されていてもよい。複数の第２の部材の各々の厚さは、記複数の第１の部材の各々の厚さよりも小さくてもよい。

一つの例示的実施形態において、絶縁性部材は、環形状を有していてもよい。絶縁性部材は、該絶縁性部材の内周側から外周側に向けて延びる第１の切り込み部及び該絶縁性部材の外周側から内周側に向けて延びる第２の切り込み部を提供していてもよい。

一つの例示的実施形態において、第１の切り込み部と第２の切り込み部は、絶縁性部材の中心に対して９０度以下の角度範囲内に設けられていてもよい。即ち、第１の切り込み部は、これと対をなす第２の切り込み部の近傍に設けられていてもよい。

一つの例示的実施形態において、絶縁性部材は、各々が第１の切り込み部と第２の切り込み部を含む複数対の切り込み部を提供していてもよい。複数対の切り込み部は、周方向に沿って配列されている。複数対の切り込み部の各々における第１の切り込み部と第２の切り込み部の間の周方向における間隔は、複数対の切り込み部の周方向における間隔よりも狭くてもよい。

一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置は、第１の部分が形成された壁に絶縁性部材を押圧する弾性リングを更に備えていてもよい。

一つの例示的実施形態において、チョーク構造は、環状排気路の中で誘電体部を少なくとも部分的に覆うように設けられた絶縁性部材を更に含んでいてもよい。

一つの例示的実施形態において、絶縁性部材は、環状排気路の中で誘電体部の端部を除く部分又は誘電体部の全体を覆っていてもよい。

一つの例示的実施形態において、絶縁性部材は、周方向において互いから分離された複数の部分を含んでいてもよい。

一つの例示的実施形態において、絶縁性部材は、弾性を有していてもよい。

一つの例示的実施形態において、環状排気ダクトは、開口を提供する外周壁を含んでいてもよい。別の排気ダクトが、環状排気ダクトに接続されていてもよい。別の排気ダクトの排気路が、環状排気ダクトの外周壁の開口を介して環状排気路に接続していてもよい。短絡部が、環状排気ダクトの外周壁の開口を画成する一対の縁部を互いに電気的に接続するよう、当該開口内に設けられていてもよい。

一つの例示的実施形態において、第２の部分は空洞であってもよい。第２の部分の中の圧力はチャンバ内の空間における圧力よりも高い圧力に設定されていてもよい。

別の例示的実施形態においても、プラズマ処理装置が提供される。プラズマ処理装置は、チャンバ、導入部、及びチョーク構造を備える。導入部は、そこからチャンバ内に電磁波が導入されるように設けられている。チョーク構造は、チャンバの壁に設けられている。チョーク構造は、それが設けられた箇所からチャンバの内壁面に沿った下流への電磁波の伝搬を抑制するように構成されている。チョーク構造は、スリット状の第１の部分、誘電体部、及び第２の部分を含む。第１の部分は、チャンバ内の空間に接続されている。誘電体部は、第１の部分の中に設けられている。第２の部分は、チャンバの壁の中で第１の部分から延びる。第２の部分は空洞であり、第２の部分の中の圧力はチャンバ内の空間における圧力よりも高い圧力に設定される。

一つの例示的実施形態において、チョーク構造は、第２の部分をチャンバの外側の大気空間に連通させる通路を提供していてもよい。

一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置は、第２の部分にガスを供給するように構成されたガス供給部を更に備えていてもよい。ガスは、フッ素含有ガスであってもよい。

一つの例示的実施形態において、チョーク構造は、チャンバの側壁に設けられている。第１の部分及び第２の部分は、側壁の中心軸線に対して周方向に延びていてもよい。

以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。

図１は、一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。図１に示すプラズマ処理装置１は、チャンバ１０、導入部１４、及びチョーク構造１６を備えている。

チャンバ１０は、その中に基板処理空間１０ｓを提供している。チャンバ１０は、アルミニウムのような金属から形成されており、接地されている。チャンバ１０は、その上端において開口された略円筒形状を有し得る。チャンバ１０及び基板処理空間１０ｓの各々の中心軸線は、軸線ＡＸである。チャンバ１０は、その表面に耐腐食性を有する膜を有していてもよい。耐腐食性を有する膜は、酸化イットリウム膜、酸化フッ化イットリウム膜、フッ化イットリウム膜、酸化イットリウム、又はフッ化イットリウム等を含むセラミック膜であり得る。

チャンバ１０の底部は、排気口１０ｅを提供している。排気口１０ｅには、排気装置が接続される。排気装置は、ドライポンプ及び／又はターボ分子ポンプのような真空ポンプと自動圧力制御弁を含み得る。

プラズマ処理装置１は、基板支持部１２を更に備えていてもよい。基板支持部１２は、基板処理空間１０ｓの中に設けられている。基板支持部１２は、その上面の上に載置された基板Ｗを略水平に支持するように構成されている。基板支持部１２は、略円盤形状を有している。基板支持部１２の中心軸線は、軸線ＡＸである。

導入部１４は、そこからチャンバ１０内に電磁波が導入されるように設けられている。導入部１４は、石英、窒化アルミニウム、又は酸化アルミニウムのような誘電体から形成されている。導入部１４は、略環形状を有していてもよく、その中心軸線は軸線ＡＸであってもよい。導入部１４からチャンバ１０内に導入される電磁波は、ＶＨＦ波又はＵＨＦ波のような高周波である。電磁波は、後述する高周波電源によって発生される。電磁波は、導波部１８を通って導入部１４に伝搬し、導入部１４からチャンバ内に導入される。

導波部１８は、導波路１８ｗを提供している。一実施形態において、導波部１８は、上部電極２２及び上壁２４を含んでいてもよい。上部電極２２は、基板支持部１２の上方に設けられている。上部電極２２は、アルミニウムのような導体から形成されており、略円盤形状を有している。上部電極２２の中心軸線は、軸線ＡＸである。

上壁２４は、アルミニウムのような導体から形成されている。上壁２４は、上部電極２２を覆うように設けられており、上部電極２２と上壁２４との間に導波路１８ｗを形成している。上壁２４は、上部２４ａ及び側部２４ｂを含んでいてもよい。上部２４ａは、略円盤形状を有しており、その中心軸線は、軸線ＡＸである。上部２４ａは、上部電極２２の上方で、上部電極２２の上面と平行に延在している。導波路１８ｗは、上部電極２２の上面と上壁２４の上部２４ａの下面との間に形成されている。側部２４ｂは、略円筒形状を有しており、その中心軸線は、軸線ＡＸである。側部２４ｂは、上部２４ａの周縁部から下方に延びている。導入部１４は、側部２４ｂの内周面と上部電極２２の外周面との間の空間を埋めるように設けられている。なお、上壁２４は、側部２４ｂの下端がチャンバ１０の側壁１０ａに接するように、側壁１０ａ上に配置され得る。

プラズマ処理装置１は、高周波電源３０及び整合器３２を更に備えている。高周波電源３０は、高周波電力を発生するように構成されている。チャンバ１０内に導入される電磁波は、高周波電源３０によって発生される高周波電力に基づいて発生する。高周波電源３０は、整合器３２及び電気線路３４を介して上部電極２２に接続されている。整合器３２は、高周波電源３０の負荷のインピーダンスを高周波電源３０の出力インピーダンスに整合させるための整合回路を含んでいる。電気線路３４は、整合器３２から下方に延びて、上部電極２２の上面の中心に接続されている。電気線路３４は、軸線ＡＸ上で延在し得る。

一実施形態において、プラズマ処理装置１は、シャワープレート２６を更に備えていてもよい。シャワープレート２６は、基板支持部１２の上方に設けられている。シャワープレート２６は、略円盤形状を有している。シャワープレート２６の中心軸線は、軸線ＡＸである。シャワープレート２６は、アルミニウムのような導体から形成されていてもよい。シャワープレート２６の外周面と上壁２４の側部２４ｂの内周面との間の空間は、導入部１４で埋められている。導入部１４及びシャワープレート２６は、チャンバ１０の上端開口を閉じるように設けられている。

シャワープレート２６は、複数のガス孔２６ｈを提供している。複数のガス孔２６ｈは、シャワープレート２６をその板厚方向に貫通しており、基板処理空間１０ｓに向けて開口している。シャワープレート２６上には、上部電極２２が設けられている。上部電極２２とシャワープレート２６は、シャワーヘッド２８を構成している。上部電極２２及びシャワープレート２６は、それらの間にガス拡散空間２８ａを形成している。複数のガス孔２６ｈは、ガス拡散空間２８ａから下方に延びている。

ガス拡散空間２８ａには、ガス供給部３６が接続されている。ガス供給部３６から出力されるガスは、ガス拡散空間２８ａ及び複数のガス孔２６ｈを介して基板処理空間１０ｓに供給される。ガス供給部３６が供給するガスは、基板処理空間１０ｓ内で行われる処理に応じて選択される。ガス供給部３６が供給するガスは、成膜ガスを含んでいてもよい。ガス供給部３６が供給するガスは、チャンバ１０内の壁面のクリーニングに用いられるクリーニングガスを含んでいてもよい。

以下、図１と共に図２を参照する。図２は、一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置におけるチョーク構造の部分拡大断面図である。チョーク構造１６は、チャンバ１０の壁に設けられている。チョーク構造１６は、それが設けられた箇所からチャンバ１０の内壁面に沿った下流への電磁波の伝搬を抑制するように構成されている。

チョーク構造１６は、スリット状の第１の部分１６１及び第２の部分１６２を含む。第１の部分１６１は、チャンバ１０内の基板処理空間１０ｓに接続されている。第２の部分１６２は、チャンバ１０の壁の中で第１の部分１６１から延びている。第２の部分１６２は、チャンバ１０の壁の中で第１の部分１６１から延びる空間を提供していてもよい。

第１の部分１６１は、その中、即ちスリットの中に設けられた誘電体部１６１ｄを含んでいてもよい。第１の部分１６１のスリットは、誘電体部１６１ｄで埋められている。また、第２の部分１６２は、その中に設けられた誘電体部１６２ｄを含んでいてもよい。第２の部分１６２の空間は、誘電体部１６２ｄで埋められている。誘電体部１６１ｄ及び誘電体部１６２ｄの各々は、石英、酸化アルミニウム、イットリア、炭化ケイ素、窒化アルミニウムのような誘電体から形成されている。

第２の部分１６２における電磁波の電界の方向に沿った第２の部分１６２の長さＨ２は、第１の部分１６１における電磁波の電界の方向に沿った第１の部分１６１の長さＨ１よりも長い。第１の部分１６１及び第２の部分１６２の各々において、電磁波の電界の方向は、電磁波の伝搬方向に直交する方向である。

また、プラズマ処理装置１においては、第２の部分１６２における電磁波の伝搬方向に沿った第２の部分１６２の長さＷ２は、第１の部分１６１における電磁波の伝搬方向に沿った第１の部分１６１の長さＷ１よりも長くてもよい。なお、長さＷ１及び長さＷ２の和は、チャンバ１０の内壁面に沿って伝搬する電磁波を、チョーク構造１６から戻される反射波によって打ち消すように設定される。反射波は、電磁波が第１の部分１６１からチョーク構造１６内に導入されて第２の部分１６２の伝搬方向における終端面（短絡面）において反射されることにより発生する。長さＷ１及び長さＷ２の和は、例えば、チョーク構造１６内における電磁波の波長の約１／４の長さに設定され得る。

一実施形態において、チョーク構造１６は、図１に示すように、チャンバ１０の側壁１０ａに設けられている。チョーク構造１６は、導入部１４の下方に設けられている。第１の部分１６１及びそのスリットは、環形状を有しており、側壁１０ａの中心軸線、即ち軸線ＡＸに対して周方向に延びている。また、第２の部分１６２及びその空間は、環形状を有しており、軸線ＡＸに対して周方向に延びている。第２の部分１６２は、第１の部分１６１に対して径方向外側で延在している。また、誘電体部１６１ｄ及び誘電体部１６２ｄの各々は、環形状を有しており、軸線ＡＸに対して周方向に延びている。プラズマ処理装置１では、第１の部分１６１及び第２の部分１６２の各々における電磁波の伝搬方向は、軸線ＡＸに対して放射方向であり、同一方向である。また、第１の部分１６１及び第２の部分１６２の各々において、電磁波の電界の方向は、鉛直方向である。

プラズマ処理装置１では、導入部１４からチャンバ１０内に導入された電磁波は、シャワープレート２６の下面に沿って伝搬し、複数のガス孔２６ｈからチャンバ１０内に導入されるガスを励起させる。その結果、プラズマが、シャワープレート２６の直下でガスから生成される。基板支持部１２上の基板Ｗは、生成されたプラズマからの化学種により処理される。また、電磁波は、チャンバ１０の側壁１０ａに沿って下方（即ち下流）にも伝搬するが、チョーク構造１６から下方（即ち下流）への電磁波の伝搬は抑制される。

以上説明したプラズマ処理装置１では、第１の部分１６１に対して、第２の部分１６２が、電磁波の電界の方向に沿って拡大されている。したがって、第２の部分１６２における電界の強度が小さくなる。故に、プラズマ処理装置１によれば、チョーク構造１６における放電を抑制することが可能となる。例えば、チャンバ１０の壁と誘電体部１６２ｄとの間の熱膨張率の差に起因して、チャンバ１０の壁と誘電体部１６２ｄとの間に間隙が生じていても、チョーク構造１６における放電が抑制され得る。また、Ｈ１＜Ｈ２の長さの関係を満たすチョーク構造１６を構成することにより、長さＷ１及び長さＷ２の和を、チョーク構造１６内における電磁波の波長の約１／４の長さよりも短くすることができるので、チョーク構造１６の小型化を実現することができる。

以下、図３を参照して、別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置について説明する。図３は、別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。以下では、図３に示すプラズマ処理装置１Ｂとプラズマ処理装置１との差の観点から、プラズマ処理装置１Ｂについて説明する。

プラズマ処理装置１Ｂは、チョーク構造１６Ｂを備えている。チョーク構造１６Ｂは、それが設けられた箇所からチャンバ１０の内壁面に沿った下流への電磁波の伝搬を抑制するように構成されている。チョーク構造１６Ｂは、チャンバ１０の側壁１０ａに設けられている。側壁１０ａは、環状排気ダクト４０を含んでいる。環状排気ダクト４０は、その中に環状排気路４０ｐを提供している。環状排気ダクト４０及び環状排気路４０ｐは、環形状を有しており、軸線ＡＸに対して周方向に延びている。環状排気ダクト４０の内周壁は、複数の貫通孔４０ｔを提供している。複数の貫通孔４０ｔは、軸線ＡＸに対して周方向に沿って配列されている。環状排気路４０ｐは、複数の貫通孔４０ｔを介して基板処理空間１０ｓに連通している。

チョーク構造１６Ｂは、第１の部分１６１Ｂ及び第２の部分１６２Ｂを含んでいる。第１の部分１６１Ｂは、チャンバ１０内の基板処理空間１０ｓに接続されている。第１の部分１６１Ｂは、スリットを提供している。第１の部分１６１Ｂのスリットは、環状排気ダクト４０の内周壁に形成されている。第１の部分１６１Ｂ及びそのスリットは、環形状を有しており、軸線ＡＸに対して周方向に延びている。第２の部分１６２Ｂは、チャンバ１０の壁の中で第１の部分１６１Ｂから延びている。プラズマ処理装置１Ｂにおいて、第２の部分１６２Ｂは、環状排気路４０ｐである。

第２の部分１６２Ｂにおける電磁波の電界の方向に沿った第２の部分１６２Ｂの長さは、第１の部分１６１Ｂにおける電磁波の電界の方向に沿った第１の部分１６１Ｂの長さよりも長くてもよい。第１の部分１６１Ｂ及び第２の部分１６２Ｂの各々において、電磁波の電界の方向は、電磁波の伝搬方向に直交する方向であり、鉛直方向である。第１の部分１６１Ｂ及び第２の部分１６２Ｂの各々における電磁波の伝搬方向は、軸線ＡＸに対して放射方向であり、同一方向である。

第２の部分１６２Ｂにおける電磁波の伝搬方向に沿った第２の部分１６２Ｂの長さは、第１の部分１６１Ｂにおける電磁波の伝搬方向に沿った第１の部分１６１Ｂの長さよりも長くてもよい。プラズマ処理装置１Ｂにおいても、電磁波の伝搬方向に沿った第１の部分１６１Ｂの長さ及び第２の部分１６２Ｂの長さの和は、チャンバ１０の内壁面に沿って伝搬する電磁波を、チョーク構造１６Ｂから戻される反射波によって打ち消すように設定される。電磁波の伝搬方向に沿った第１の部分１６１Ｂの長さ及び第２の部分１６２Ｂの長さの和は、例えば、チョーク構造１６Ｂ内における電磁波の波長の約１／４の長さに設定され得る。

チョーク構造１６Ｂは、誘電体部１６ｄを更に含む。誘電体部１６ｄは、石英、酸化アルミニウム、イットリア、炭化ケイ素、窒化アルミニウムのような誘電体から形成されている。誘電体部１６ｄは、少なくとも第１の部分１６１Ｂのスリットの中に設けられている。第１の部分１６１Ｂのスリットは、誘電体部１６ｄで埋められている。誘電体部１６ｄは、環形状を有しており、軸線ＡＸに対して周方向に延びている。誘電体部１６ｄは、環状排気路４０ｐの中まで延びている。即ち、誘電体部１６ｄは、第１の部分１６１Ｂのスリットから環状排気路４０ｐの中に突き出している。

チョーク構造１６Ｂは、絶縁性部材１６ｉを更に備えていてもよい。以下、図３と共に、図４及び図５を参照する。図４は、図３に示すプラズマ処理装置において採用され得る一例の絶縁性部材を破断して示す斜視図である。図５は、図３に示すプラズマ処理装置において採用され得る別の例の絶縁性部材を破断して示す斜視図である。

絶縁性部材１６ｉは、石英、酸化アルミニウム、イットリア、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、ポリテトラフルオロエチレンのような絶縁体から形成されている。絶縁性部材１６ｉは、環状排気路４０ｐの中で誘電体部１６ｄを少なくとも部分的に覆うように設けられている。プラズマ処理装置１Ｂでは、環状排気路４０ｐ内での電磁波の電界の強度が、絶縁性部材１６ｉによって低減される。

図３及び図４に示す例では、絶縁性部材１６ｉは、環状排気路４０ｐの中で誘電体部１６ｄの端部を除く部分を覆っている。図３及び図４に示す例では、絶縁性部材１６ｉは、互いから分離された複数の部分を含んでいる。絶縁性部材１６ｉの複数の部分の各々は、環状排気ダクト４０の内周壁に、例えばねじを用いて固定されている。絶縁性部材１６ｉの複数の部分の各々は、軸線ＡＸを含む任意の断面において、略三角形をなしている。即ち、絶縁性部材１６ｉの複数の部分の各々の高さ方向の長さは、軸線ＡＸからの距離の増加につれて小さくなっている。

絶縁性部材１６ｉの複数の部分は、複数のペアを構成している。複数のペアの各々に含まれる二つの部分は、鉛直方向に沿って配列されており、それらの間で誘電体部１６ｄを挟持している。絶縁性部材１６ｉの複数のペアは、周方向に沿って配列されている。この例によれば、絶縁性部材１６ｉの複数の部分が周方向に沿って互いから分離されているので、絶縁性部材１６ｉと環状排気ダクト４０の温度が高くなっても、絶縁性部材１６ｉと環状排気ダクト４０の内周壁との間に間隙が生じることが抑制され、この間隙で生じる異常放電を抑制することができる。

図５に示す例では、絶縁性部材１６ｉは、環状排気路４０ｐの中で誘電体部１６ｄの全体を覆っている。図５に示す例では、絶縁性部材１６ｉは、弾性を有する。絶縁性部材１６ｉは、例えばフッ素ゴム又はシリコーンゴムのように弾性体から形成される。図５に示す例では、絶縁性部材１６ｉは、軸線ＡＸを含む任意の断面において、略半円形をなしている。図５に示す例では、絶縁性部材１６ｉは、単一の部材であってもよい。この例においても、絶縁性部材１６ｉと環状排気ダクト４０の温度が高くなっても、絶縁性部材１６ｉと環状排気ダクト４０の内周壁との間に間隙が生じることが抑制され、この間隙で生じる異常放電を抑制することができる。

図３に示すように、環状排気ダクト４０の外周壁４０ｅは、開口４０ｏを提供している。環状排気ダクト４０には、別の排気ダクト４２が接続されている。排気ダクト４２は、排気路４２ｐを提供している。排気ダクト４２及び排気路４２ｐは、チャンバ１０から離れる方向、例えば軸線ＡＸに対して放射方向に延びている。排気路４２ｐは、開口４０ｏを介して環状排気路４０ｐに接続されている。また、排気ダクト４２には、排気装置が接続される。排気装置は、ドライポンプ及び／又はターボ分子ポンプのような真空ポンプと自動圧力制御弁を含み得る。

開口４０ｏ内には、短絡部４０ｃが設けられている。短絡部４０ｃは、アルミウムのような導体から形成されており、例えば棒状をなしている。短絡部４０ｃは、開口４０ｏを画成する一対の縁部、即ち上縁部と下縁部を互いに電気的に接続している。短絡部４０ｃは、開口４０ｏを複数の部分に分離している。開口４０ｏの複数の部分の各々の周方向に沿った長さは、環状排気路４０ｐにおける電磁波の波長の１／１０以下の長さに設定され得る。短絡部４０ｃにより、外周壁４０ｅは、開口４０ｏが設けられている部分においても電磁波に対する短絡面として機能する。

以下、図６を参照して、別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置について説明する。図６は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。以下では、図６に示すプラズマ処理装置１Ｃとプラズマ処理装置１との差の観点から、プラズマ処理装置１Ｃについて説明する。

プラズマ処理装置１Ｃは、チョーク構造１６Ｃを備えている。チョーク構造１６Ｃは、それが設けられた箇所からチャンバ１０の内壁面に沿った下流への電磁波の伝搬を抑制するように構成されている。

チョーク構造１６Ｃは、スリット状の第１の部分１６１Ｃ及び第２の部分１６２Ｃを含む。第１の部分１６１Ｃは、チャンバ１０内の基板処理空間１０ｓに接続されている。第２の部分１６２Ｃは、チャンバ１０の壁の中で第１の部分１６１Ｃから延びている。第２の部分１６２Ｃは、チャンバ１０の壁の中で第１の部分１６１Ｃから延びる空洞を提供していてもよい。

第１の部分１６１Ｃは、その中、即ちスリットの中に設けられた誘電体部１６１ｄを含んでいる。第１の部分１６１Ｃのスリットは、誘電体部１６１ｄで埋められている。誘電体部１６１ｄは、石英、酸化アルミニウム、イットリア、炭化ケイ素、窒化アルミニウムのような誘電体から形成されている。

一実施形態においては、チョーク構造１６Ｃは、チャンバ１０の側壁１０ａに設けられている。また、チョーク構造１６Ｃは、導入部１４の下方に設けられている。第１の部分１６１Ｃ及びそのスリットは、環形状を有しており、側壁１０ａの中心軸線、即ち軸線ＡＸに対して周方向に延びている。また、第２の部分１６２Ｃ及びその空洞は、環形状を有しており、軸線ＡＸに対して周方向に延びている。第２の部分１６２Ｃは、第１の部分１６１Ｃに対して径方向外側で延在している。また、誘電体部１６１ｄは、環形状を有しており、軸線ＡＸに対して周方向に延びている。プラズマ処理装置１Ｃでは、第１の部分１６１Ｃにおける電磁波の伝搬方向は、軸線ＡＸに対して放射方向であり、第２の部分１６２Ｃにおける電磁波の伝搬方向は、軸線ＡＸと平行な方向である。第１の部分１６１Ｃの電磁波の伝搬方向における長さと第２の部分１６２Ｃの電磁波の伝搬方向における長さの和は、例えば、チョーク構造１６Ｃ内における電磁波の波長の約１／４の長さに設定され得る。

第２の部分１６２Ｃの中（その空洞の中）の圧力は基板処理空間１０ｓにおける圧力よりも高い圧力に設定される。一実施形態においては、チャンバ１０の側壁１０ａは、通路１０ｐを提供していてもよい。通路１０ｐは、第２の部分１６２Ｃの空洞をチャンバ１０の外側の大気空間に連通させていてもよい。この場合には、第２の部分１６２Ｃの空洞にける圧力は大気圧になるので、第２の部分１６２Ｃにおける放電が抑制され得る。或いは、通路１０ｐには、ガス供給部５０が接続されていてもよい。ガス供給部５０は、第２の部分１６２Ｃの空洞にガスを供給するように構成されている。ガス供給部５０が第２の部分１６２Ｃの空洞に供給するガスは、フッ素含有ガスであってもよい。この場合にも、第２の部分１６２Ｃにおける放電が抑制され得る。

以下、図７を参照して、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置について説明する。図７は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。以下では、図７に示すプラズマ処理装置１Ｄとプラズマ処理装置１Ｂとの差の観点から、プラズマ処理装置１Ｄについて説明する。また、以下では、図７に加えて、図８及び図９を参照する。図８は、図７に示すプラズマ処理装置において採用され得る一例の誘電体部、絶縁性部材、及び弾性リングを破断して示す斜視図である。図９は、図７に示すプラズマ処理装置において採用され得る一例の絶縁性部材を破断して示す斜視図である。

プラズマ処理装置１Ｄは、チョーク構造１６Ｄを備えている。チョーク構造１６Ｄは、チョーク構造１６Ｂと同様に、第１の部分１６１Ｂ及び第２の部分１６２Ｂを含んでいる。プラズマ処理装置１Ｄは、誘電体部１６ｄ及び絶縁性部材１６ｉに代えて、誘電体部６０、絶縁性部材６１、及び少なくとも一つの弾性リング６２を備えている。プラズマ処理装置１Ｄの他の構成は、プラズマ処理装置１Ｂの他の構成と同様である。

誘電体部６０は、複数の第１の部材６０１及び複数の第２の部材６０２を含んでいる。複数の第１の部材６０１及び複数の第２の部材６０２は、第１の部分１６１Ｂ（そのスリット）の中で周方向に沿って交互に配列されている。即ち、誘電体部６０は、周方向に分割されている。複数の第１の部材６０１の各々とその隣に配置された第２の部材６０２との間には、僅かな隙間が介在し得る。誘電体部６０は、第１の部分１６１Ｂのスリットから環状排気路４０ｐの中に突き出している。誘電体部６０、即ち複数の第１の部材６０１及び複数の第２の部材６０２は、石英、アルミナ、イットリア、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、ポリテトラフルオロエチレン等の絶縁体から形成されている。

複数の第１の部材６０１は、第１の部分１６１Ｂ（そのスリット）に嵌合されている。即ち、複数の第１の部材６０１の各々は、第１の部分１６１Ｂ（そのスリット）の鉛直方向における長さと略同一の厚さを有している。複数の第１の部材６０１の各々は、第１の部分１６１Ｂ（そのスリット）を画成する内周壁によって、鉛直方向において挟持されている。

複数の第２の部材６０２の各々の厚さは、複数の第１の部材６０１の各々の厚さよりも小さい。複数の第２の部材６０２の各々の厚さは、第１の部分１６１Ｂ（そのスリット）の鉛直方向における長さよりも小さい。複数の第２の部材６０２の各々と第１の部分１６１Ｂ（そのスリット）を画成する内周壁との間の隙間の鉛直方向における長さは、プラズマが侵入しない程度の長さ、例えばシース厚さ以下の長さである。複数の第２の部材６０２の各々は、第１の部分１６１Ｂ（そのスリット）の中で移動可能になっている。

絶縁性部材６１は、ポリテトラフルオロエチレンのような絶縁体から形成されている。絶縁性部材６１は、環形状を有しており、環状排気路４０ｐの中で周方向に延在している。絶縁性部材６１は、環状排気路４０ｐの中で誘電体部６０を覆っている。具体的には、絶縁性部材６１は、その内周側に溝６１ｇを提供している。環状排気路４０ｐの中で、誘電体部６０は、溝６１ｇの中に配置されている。プラズマ処理装置１Ｄでは、環状排気路４０ｐ内での電磁波の電界の強度が、絶縁性部材６１によって低減される。

絶縁性部材６１は、第１の切り込み部６１１及び第２の切り込み部６１２を提供している。第１の切り込み部６１１は、絶縁性部材６１の内周側から外周側に向けて延びている。第２の切り込み部６１２は、絶縁性部材６１の外周側から内周側に向けて延びている。第１の切り込み部６１１と第２の切り込み部６１２は、絶縁性部材６１の中心に対して９０度以下の角度範囲内に設けられている。即ち、第１の切り込み部６１１と第２の切り込み部６１２は、周方向において互いに近傍に設けられており、対をなしている。この対における第１の切り込み部６１１と第２の切り込み部６１２との間の部分は、容易に変形可能となっている。

一実施形態において、絶縁性部材６１は、各々が第１の切り込み部６１１と第２の切り込み部６１２を含む複数対の切り込み部６１ｐを提供していてもよい。複数対の切り込み部６１ｐは、周方向に沿って配列されている。複数対の切り込み部６１ｐの各々における第１の切り込み部６１１と第２の切り込み部６１２の間の周方向における間隔は、複数対の切り込み部６１ｐの周方向における間隔よりも狭い。絶縁性部材６１は、複数対の切り込み部６１ｐの各々における第１の切り込み部６１１と第２の切り込み部６１２との間の部分において、容易に変形可能となっている。

一実施形態において、プラズマ処理装置１Ｄは、少なくとも一つの弾性リング６２として、二つの弾性リング６２を備えていてもよい。二つの弾性リング６２の各々は、例えばＯリングである。二つの弾性リング６２は、環状排気路４０ｐの中で周方向に延在しており、鉛直方向に沿って配列されている。二つの弾性リング６２は、第１の部分１６１Ｂが形成された内周壁に絶縁性部材６１を押圧している。これにより、絶縁性部材６１の内周面が、第１の部分１６１Ｂが形成された内周壁に密着するようになっている。

プラズマ処理装置１Ｄでは、誘電体部６０が周方向に分割されており、且つ、複数の第２の部分１６２が移動可能になっている。したがって、チャンバ１０において温度が変化しても、誘電体部６０に応力がかかることがなく、誘電体部６０の割れが防止される。また、絶縁性部材６１が周方向に伸縮可能であるので、チャンバ１０において温度が変化しても、絶縁性部材６１と内周壁との間に隙間が生じることが抑制される。

以下、図１０及び図１１を参照して、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置について説明する。図１０は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。図１１は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置の一部を拡大して示す図である。以下では、図１０及び図１１に示すプラズマ処理装置１Ｅとプラズマ処理装置１Ｂとの差の観点から、プラズマ処理装置１Ｅについて説明する。

プラズマ処理装置１Ｅは、チョーク構造１６Ｅを備えている。チョーク構造１６Ｅは、チョーク構造１６Ｂと同様に、第１の部分１６１Ｂ及び第２の部分１６２Ｂを含んでいる。プラズマ処理装置１Ｅは、誘電体部１６ｄ及び絶縁性部材１６ｉに代えて、誘電体部１６Ｅｄを含んでいる。

誘電体部１６Ｅｄは、石英、酸化アルミニウム、イットリア、炭化ケイ素、窒化アルミニウムのような誘電体から形成されている。誘電体部１６Ｅｄは、略環形状を有している。誘電体部１６Ｅｄの一部、即ち内縁側の部分は、第１の部分１６１Ｂのスリットの中に設けられている。誘電体部１６Ｅｄは、環状排気路４０ｐの中まで延びている。環状排気路４０ｐの中での誘電体部１６Ｅｄの軸線ＡＸを含む任意の断面における形状は、略三角形をなしている。即ち、環状排気路４０ｐの中において、誘電体部１６Ｅｄの高さ方向の長さは、軸線ＡＸからの距離の増加につれて小さくなっている。

プラズマ処理装置１Ｅにおいて、チャンバ１０の側壁は、第１の壁部材４０１、第２の壁部材４０２を含んでいる。第１の壁部材４０１は、略環形状を有しており、第１の部分１６１Ｂの上側で周方向に延在している。第２の壁部材４０２は、第１の壁部材４０１から分離可能である。第２の壁部材４０２は、略環形状を有しており、第１の部分１６１Ｂの下側で周方向に延在している。第１の壁部材４０１及び第２の壁部材４０２は、それらの間に第１の部分１６１Ｂのスリットを画成している。第１の壁部材４０１及び第２の壁部材４０２は、それらの間、即ち、第１の部分１６１Ｂのスリットの中に配置された誘電体部１６Ｅｄを弾性的に挟持している。

一実施形態において、チャンバ１０の側壁は、第３の壁部材４０３及び第４の壁部材４０４を更に含んでいてもよい。第３の壁部材４０３は、第１の壁部材４０１及び第２の壁部材４０２から分離可能であり、第１の壁部材４０１及び第２の壁部材４０２と共に環状排気ダクト４０を構成している。第３の壁部材４０３は、略環形状を有している。第４の壁部材４０４は、環状排気ダクト４０の下側で延在している。なお、第１の壁部材４０１、第２の壁部材４０２、第３の壁部材４０３、及び第４の壁部材４０４は、アルミニウムのような金属から形成されており、接地されている。

第１の壁部材４０１は、第２の壁部材４０２及び第３の壁部材４０３の上に設けられている。第１の壁部材４０１は、環状排気路４０ｐを上側から画成している。第２の壁部材４０２は、第３の壁部材４０３に対して径方向内側で延在しており、第３の壁部材４０３と共に環状排気路４０ｐを下側から画成している。プラズマ処理装置１Ｅでは、環状排気路４０ｐと基板処理空間１０ｓを互いに連通させる複数の貫通孔４０ｔが、環状排気ダクト４０の底壁に形成されている。具体的に、複数の貫通孔４０ｔは、第２の壁部材４０２の底壁部に形成されている。プラズマ処理装置１Ｅにおいて、複数の貫通孔４０ｔは、周方向に沿って配列されている。なお、プラズマ処理装置１Ｂと同様に、複数の貫通孔４０ｔは、環状排気ダクト４０の内周壁に形成されていてもよい。複数の貫通孔４０ｔは、排気路４２ｐと環状排気路４０ｐとの接続位置からの距離の大きさに応じた大きさの幅（又は直径）を有していてもよい。この場合には、周方向における排気の均一性が向上される。

プラズマ処理装置１Ｅは、スパイラルスプリングガスケット７１及びＯリング７２を更に備えていてもよい。第２の壁部材４０２の外縁部は、第３の壁部材４０３の内縁部の上方で延在しており、スパイラルスプリングガスケット７１は、第２の壁部材４０２の外縁部と第３の壁部材４０３の内縁部との間で挟持されている。スパイラルスプリングガスケット７１は、第３の壁部材４０３の内縁部に形成された溝の中に部分的に配置されている。スパイラルスプリングガスケット７１は、第４の壁部材４０４が第３の壁部材４０３に下側から当接することにより、第２の壁部材４０２の外縁部と第３の壁部材４０３の内縁部との間で高さ方向において収縮する。第２の壁部材４０２は、スパイラルスプリングガスケット７１が発生する反力により、誘電体部１６Ｅｄを上方へ押圧する。その結果、第１の部分１６１Ｂのスリットの中に配置された誘電体部１６Ｅｄは、第１の壁部材４０１と第２の壁部材４０２の間で弾性的に挟持される。なお、第３の壁部材４０３の内縁部に形成された溝の深さは、スパイラルスプリングガスケット７１が発生する反力によって誘電体部１６Ｅｄが損傷しないように、設定されている。

Ｏリング７２は、第２の壁部材４０２と第４の壁部材４０４との間で挟持されている。Ｏリング７２は、第２の壁部材４０２に形成された溝の中に部分的に配置されている。Ｏリング７２は、第２の壁部材４０２と第４の壁部材４０４との間で挟持されることにより、高さ方向において収縮する。第２の壁部材４０２は、Ｏリング７２が発生する反力により、誘電体部１６Ｅｄを上方へ押圧する。その結果、第１の部分１６１Ｂのスリットの中に配置された誘電体部１６Ｅｄは、第１の壁部材４０１と第２の壁部材４０２の間で弾性的に挟持される。なお、第２の壁部材４０２に形成された溝の深さは、Ｏリング７２が発生する反力によって誘電体部１６Ｅｄが損傷しないように、設定されている。

図１１に示すように、一実施形態において、プラズマ処理装置１Ｅは、着火モニタ７４を更に備えていてもよい。着火モニタ７４は、環状排気路４０ｐ内でのプラズマの着火を監視するように構成されている。着火モニタ７４は、例えば、プラズマの発光をモニタする光学センサを含んでいてもよい。プラズマ処理装置１Ｅは、着火モニタ７４によって環状排気路４０ｐ内でのプラズマの着火が検出されると、高周波電源３０による高周波電力の発生を停止させてもよい。

以下、図１２及び図１３を参照する。図１２は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置における誘電体部及び環状排気ダクトの一部を示す図である。図１３の（ａ）及び１３の（ｂ）の各々は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置における誘電体部及び環状排気ダクトの部分拡大図である。なお、図１３の（ａ）は、軸線ＡＸに直交する断面内での誘電体部の断面形状を示しており、図１３の（ｂ）は、軸線ＡＸを含む断面内での誘電体部の断面形状及び環状排気路の壁部材の断面形状を示している。

一実施形態において、プラズマ処理装置１Ｅの環状排気ダクト４０は、三つの凹部４０ｒを提供していてもよい。三つの凹部４０ｒは、環状排気路４０ｐを画成する環状排気ダクト４０の内周面４０ｉから径方向内側に延び、且つ、周方向に沿って等間隔に配置されている。一実施形態においては、三つの凹部４０ｒは、第１の壁部材４０１と第２の壁部材４０２によって、それらの間に画成されていてもよい。なお、プラズマ処理装置１Ｅの環状排気ダクト４０は、三つ以上の凹部４０ｒを提供してもよい。

また、誘電体部１６Ｅｄは、三つの凸部１６ｐを更に含んでいてもよい。三つの凸部１６ｐは、三つの凹部４０ｒの中にそれぞれ配置される。三つの凸部１６ｐは、Ｕ字型の平面形状を有していてもよい。なお、誘電体部１６Ｅｄは、三つ以上の凸部１６ｐを凹部４０ｒの個数の範囲内で提供してもよい。

プラズマ処理装置１Ｅによれば、誘電体部１６Ｅｄが、第１の部分１６１Ｂの中で、弾性的に挟持されている。したがって、チャンバ１０の側壁及び環状排気ダクト４０を構成する壁部材が熱膨張等に起因して変形しても、誘電体部１６Ｅｄの損傷が抑制される。また、誘電体部１６Ｅｄと環状排気ダクト４０を構成する壁部材との間に隙間が発生することが抑制される。

また、プラズマ処理装置１Ｅによれば、上述の三つの凸部１６ｐ及び三つの凹部４０ｒにより、チャンバ１０の側壁及び環状排気ダクト４０を構成する壁部材が熱膨張等に起因して変形しても、誘電体部１６Ｅｄの径方向及び周方向における位置の変化が抑制される。したがって、誘電体部１６Ｅｄと環状排気ダクト４０の同心性が維持される。

なお、プラズマ処理装置１Ｅは、誘電体部１６Ｅｄの代わりに、図４又は図５に示す誘電体部１６ｄ及び絶縁性部材１６ｉ、或いは、図８に示す誘電体部６０、絶縁性部材６１、及び少なくとも一つの弾性リング６２を備えていてもよい。

以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な追加、省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。

例えば、種々の実施形態に係るチョーク構造は、チャンバ１０の中の不要箇所への電磁波の伝搬を抑制することが可能であれば、チャンバ１０の壁の任意の箇所に設けられていてもよい。

以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。

１…プラズマ処理装置、１０…チャンバ、１２…基板支持部、１４…導入部、１６…チョーク構造、１８…導波部、３０…高周波電源。

Claims (26)

1. チャンバと、
   そこから前記チャンバ内に電磁波が導入されるように設けられた導入部と、
   前記チャンバの壁に設けられており、それが設けられた箇所から前記チャンバの内壁面に沿った下流への電磁波の伝搬を抑制するように構成されたチョーク構造と、
   を備え、
   前記チョーク構造は、
   前記チャンバ内の空間に接続されたスリット状の第１の部分と、
   前記チャンバの前記壁の中で前記第１の部分から延びる第２の部分と、
   を含み、
   前記第２の部分における電磁波の電界の方向に沿った該第２の部分の長さは、前記第１の部分における電磁波の電界の方向に沿った該第１の部分の長さよりも長い、
   プラズマ処理装置。
2. 前記第２の部分における前記電磁波の伝搬方向に沿った該第２の部分の長さは、前記第１の部分における前記電磁波の伝搬方向に沿った該第１の部分の長さよりも長い、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
3. 前記第１の部分における前記電磁波の伝搬方向及び前記第２の部分における前記電磁波の前記伝搬方向は、同一である、請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
4. 前記チョーク構造は、前記第１の部分の中に設けられた誘電体部を更に含む、請求項１～３の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
5. 前記チョーク構造は、前記第２の部分の中に設けられた誘電体部を更に含む、請求項４に記載のプラズマ処理装置。
6. 前記チャンバの前記壁は、前記チャンバの側壁であり、
   前記側壁は、該側壁の中心軸線に対して周方向に延び且つ前記チャンバ内の空間に連通する環状排気路を提供する環状排気ダクトを含んでおり、
   前記第１の部分は、前記環状排気ダクトを画成する壁に形成されており、前記中心軸線に対して周方向に延びており、
   前記第２の部分は、前記環状排気路である、
   請求項４に記載のプラズマ処理装置。
7. 前記チャンバの前記側壁は、前記第１の部分の上側で延在する第１の壁部材と、該第１の壁部材から分離可能であり前記第１の部分の下側で延在する第２の壁部材と、を含み、
   前記第１の壁部材及び前記第２の壁部材は、それらの間に配置される前記誘電体部を弾性的に挟持している、
   請求項６に記載のプラズマ処理装置。
8. 前記チャンバの前記側壁は、前記第１の壁部材及び前記第２の壁部材から分離可能であり前記第１の壁部材及び前記第２の壁部材と共に前記環状排気ダクトを構成する第３の壁部材と、前記環状排気ダクトの下側で延在する第４の壁部材と、を更に含み、
   前記第１の壁部材は、前記第２の壁部材及び前記第３の壁部材の上に設けられており、前記環状排気路を上側から画成し、
   前記第２の壁部材は、前記第３の壁部材に対して内側で延在しており、前記第３の壁部材と共に前記環状排気路を下側から画成し、
   前記第２の壁部材は、Ｏリング及び／又はスパイラルスプリングガスケットからの反力により、前記誘電体部を押圧している、
   請求項７に記載のプラズマ処理装置。
9. 前記環状排気ダクトは、前記環状排気路を画成するその内周面から径方向内側に延び、且つ、周方向に沿って等間隔に配置された三つ以上の凹部を提供しており、
   前記誘電体部は、前記三つ以上の凹部の中に配置される三つ以上の凸部を含んでいる、
   請求項７又は８に記載のプラズマ処理装置。
10. 前記誘電体部は、前記環状排気路の中まで延びている、請求項６～９の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
11. 前記誘電体部は、前記環状排気路の中まで延びており、
    前記誘電体部は、複数の第１の部材及び複数の第２の部材を含み、
    前記複数の第１の部材及び前記複数の第２の部材は、前記第１の部分の中で前記周方向に沿って交互に配列されており、
    前記複数の第１の部材は、前記第１の部分に嵌合されており、
    前記複数の第２の部材の各々の厚さは、前記複数の第１の部材の各々の厚さよりも小さい、
    請求項６に記載のプラズマ処理装置。
12. 前記チョーク構造は、前記環状排気路の中で前記誘電体部を少なくとも部分的に覆うように設けられた絶縁性部材を更に含む、請求項１０又は１１に記載のプラズマ処理装置。
13. 前記絶縁性部材は、前記環状排気路の中で前記誘電体部の端部を除く部分又は前記誘電体部の全体を覆っている、請求項１２に記載のプラズマ処理装置。
14. 前記絶縁性部材は、前記周方向において互いから分離された複数の部分を含む、請求項１２又は１３に記載のプラズマ処理装置。
15. 前記絶縁性部材は、環形状を有しており、該絶縁性部材の内周側から外周側に向けて延びる第１の切り込み部及び該絶縁性部材の外周側から内周側に向けて延びる第２の切り込み部を提供している、請求項１２又は１３に記載のプラズマ処理装置。
16. 前記第１の切り込み部と前記第２の切り込み部は、前記絶縁性部材の中心に対して９０度以下の角度範囲内に設けられている、請求項１５に記載のプラズマ処理装置。
17. 前記絶縁性部材は、各々が前記第１の切り込み部と前記第２の切り込み部を含む複数対の切り込み部を提供しており、
    前記複数対の切り込み部は、周方向に沿って配列されており、
    前記複数対の切り込み部の各々における前記第１の切り込み部と前記第２の切り込み部の間の周方向における間隔は、前記複数対の切り込み部の該周方向における間隔よりも狭い、請求項１５又は１６に記載のプラズマ処理装置。
18. 前記第１の部分が形成された前記壁に前記絶縁性部材を押圧する弾性リングを更に備える、請求項１２～１７の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
19. 前記絶縁性部材は、弾性を有する、請求項１２～１８の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
20. 前記環状排気ダクトは、開口を提供する外周壁を含み、
    その排気路が前記開口を介して前記環状排気路に接続するように別の排気ダクトが前記環状排気ダクトに接続されており、
    前記開口を画成する一対の縁部を互いに電気的に接続する短絡部が、前記開口内に設けられている、
    請求項６～１９の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
21. 前記第２の部分は空洞であり、該第２の部分の中の圧力は前記チャンバ内の前記空間における圧力よりも高い圧力に設定される、請求項４に記載のプラズマ処理装置。
22. チャンバと、
    そこから前記チャンバ内に電磁波が導入されるように設けられた導入部と、
    前記チャンバの壁に設けられており、それが設けられた箇所から前記チャンバの内壁面に沿った下流への電磁波の伝搬を抑制するように構成されたチョーク構造と、
    を備え、
    前記チョーク構造は、
    前記チャンバ内の空間に接続されたスリット状の第１の部分と、
    前記第１の部分の中に設けられた誘電体部と、
    前記チャンバの前記壁の中で前記第１の部分から延びる第２の部分と、
    を含み、
    前記第２の部分は空洞であり、該第２の部分の中の圧力は前記チャンバ内の前記空間における圧力よりも高い圧力に設定される、
    プラズマ処理装置。
23. 前記チョーク構造は、前記第２の部分を前記チャンバの外側の大気空間に連通させる通路を提供している、請求項２１又は２２に記載のプラズマ処理装置。
24. 前記第２の部分にガスを供給するように構成されたガス供給部を更に備える、請求項２１～２３の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
25. 前記ガスはフッ素含有ガスである、請求項２４に記載のプラズマ処理装置。
26. 前記チャンバの前記壁は、前記チャンバの側壁であり、
    前記第１の部分及び前記第２の部分は、前記側壁の中心軸線に対して周方向に延びている、
    請求項１～５及び請求項２１～２５の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。

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