CN114107929A - 一种可预热溅射靶材的旋靶管装置 - Google Patents
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- 239000013077 target material Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 49
- 238000005336 cracking Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 12
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- C23C14/34—Sputtering
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- C23C14/3421—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target using heated targets
-
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
本发明提供了一种可预热溅射靶材的旋靶管装置,其中包括最外侧圆柱靶管和加热装置,加热装置外侧设置伸缩及固定机构连接外侧管,内侧为加热机构进行预热,通过旋转手轮,伸缩及固定机构可以对不同半径的靶材进行固定和移动,加热机构为电阻丝发热盘,电阻丝与管外电机相接,通电后本装置可以对靶材进行预热,防止靶材出现靶材开裂的情况。
Description
技术领域
本发明涉及磁控溅射镀膜领域,具体涉及一种可预热溅射靶材的旋靶管装置的设计方案。
背景技术
磁控溅射镀膜技术是在辉光放电中进行,镀膜空间里有电子、氩离子可以接受电磁场的束缚,膜层粒子来源于辉光放电中的氩离子对于阴极靶材产生的阴极溅射作用。溅射出的膜层原子会沉积到基体上形成镀膜。和其他镀膜技术相比,磁控溅射镀膜技术所镀的膜层组织致密,膜层粒子的能量大,膜-基结合力好,是镀制半导体器件、信息显示器件等功能薄膜的主要镀膜技术,目前,该技术在工模具沉积硬质膜层和飞机、汽车、轮船等装备上耐磨零件膜层的应用发展的十分广泛。
在近十几年来,磁控溅射镀膜技术迅速发展,在靶材选择、靶材利用率、膜-基结合力、沉积速率等方面都有了一系列的发展,平面磁控溅射靶在生产应用中历史悠久,但也因为其利用率低、成本高等缺点,陆续研发出了柱状磁控溅射靶等靶型,与平面靶相比,柱状磁控溅射靶的靶材利用率更高,表面不易积存绝缘膜,不容易产生“靶中毒”,但是普通的柱状磁控溅射靶对于靶材的尺寸有一定的要求,且使用时靶材的开裂情况较多,因此可以设计一种新型的靶管结构解决以上的问题。
发明内容
为解决上述的柱状磁控溅射靶的靶材尺寸要求较高、靶材利用率低、使用时靶材开裂一些技术缺陷,本发明提供了一种可预热溅射靶材的旋靶管装置,其中包括最外侧圆柱靶管和加热装置,加热装置外侧设置伸缩及固定机构连接外侧管,内侧为加热机构进行预热,伸缩及固定机构可以对不同半径的靶材进行固定,加热机构为电阻丝发热盘,电阻丝与管外电机相接,本装置可以对靶材进行预热,防止靶材出现靶材开裂的情况。
本发明的技术方案如下实现:
一种可预热溅射靶材的旋靶管装置,包括:
最外侧圆柱旋靶管管体;
内置加热装置采用电阻丝进行加热;
伸缩及固定装置通过旋管连接管体和加热装置,利用手轮实现伸缩和固定;
一种可预热溅射靶材的旋靶管装置,包括为最外侧圆柱旋靶管管体,内置加热装置采用电阻丝进行加热,对靶材进行预热,伸缩及固定装置通过旋管连接管体和加热装置,利用手轮实现伸缩和固定。
所述加热装置是本发明的核心,内部采用电阻丝加热,通入电流,使其通过电阻产生热量,对于靶材进行适当的预热。
所述伸缩及固定装置,通过旋管连接管体和加热装置,利用手轮使加热装置固定在管体内侧,实现伸缩和固定。
采用旋转手轮对加热装置进行移动和固定,可以进行快速拆卸。
本发明提供的一种可预热溅射靶材的旋靶管装置,与现有技术相比,具有以下优点和有益效果:
第一,本发明采用采用电阻丝进行加热,相较于普通旋靶管,对靶材进行提前预热,可以防止因温度迅速升高而导致靶材开裂。
第二,本发明采用双旋转手轮控制双加热板进行加热,使靶材左右两侧加热均匀,可以更好的进行预热。
第三,本发明采用旋管连接管体和加热装置,利用手轮使加热装置固定在管体内侧,实现伸缩和固定,可以对不同半径的靶材进行夹持。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或者技术方案,下面将对技术例所需要的附图作简单的介绍。
图1是可预热溅射靶材的旋靶管装置零件总装图。
图2是电阻丝加热装置的装置示意图。
附图中1.加热板;2.外侧管体;3.旋转手轮;4.旋管;5.电阻加热组;附图2中6.加热电阻丝;7.固定板。
具体实施方式
本发明装置如图1所示,包括加热板1、外侧管体2、旋转手轮3、旋管4、电阻加热组5。电阻丝加热装置如图2所示,装置包括加热电阻丝6、固定板7。
可预热溅射靶材的旋靶管的工作原理,根据靶材的不同半径,通过调节旋管4对于靶材进行夹持和固定,通电之后通过加热板1上的电阻加热组5对于靶材进行预热,达到对于靶材的预热效果,预热后旋靶管旋转,靶面产生辉光放电,靶管表面连续经过辉光圈,膜层原子连续被溅射,不断地向工件方向镀膜。
旋靶管的加热装置是本发明的核心装置,通电之后通过固定板7上的加热电阻丝6对于靶材进行均匀的预热,当工作结束之后可以方便迅捷的实现靶材与旋靶管分离。
Claims (4)
1.本发明提供了一种可预热溅射靶材的旋靶管装置,其中包括最外侧圆柱靶管和加热装置,加热装置外侧设置伸缩及固定机构连接外侧管,内侧为加热机构进行预热,通过旋转手轮,伸缩及固定机构可以对不同半径的靶材进行固定和移动,加热机构为电阻丝发热盘,电阻丝与管外电机相接,通电后本装置可以对靶材进行预热,防止靶材出现靶材开裂的情况。
2.根据权利要求1所述的加热装置是本发明的核心,内部采用电阻丝加热,通入电流,使其通过电阻产生热量,对于靶材进行适当的预热。
3.根据权利要求1所述的伸缩及固定装置,通过旋管连接管体和加热装置,利用手轮使加热装置固定在管体内侧,实现伸缩和固定。
4.根据权利要求1所述的采用旋转手轮对加热装置进行移动和固定,可以进行快速拆卸。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111435841.1A CN114107929A (zh) | 2021-11-29 | 2021-11-29 | 一种可预热溅射靶材的旋靶管装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111435841.1A CN114107929A (zh) | 2021-11-29 | 2021-11-29 | 一种可预热溅射靶材的旋靶管装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114107929A true CN114107929A (zh) | 2022-03-01 |
Family
ID=80367716
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111435841.1A Pending CN114107929A (zh) | 2021-11-29 | 2021-11-29 | 一种可预热溅射靶材的旋靶管装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114107929A (zh) |
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