CN114093825A - Led基板的制作方法、led基板和led显示模组 - Google Patents

Led基板的制作方法、led基板和led显示模组 Download PDF

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Abstract

本发明实施例公开了一种LED基板的制作方法、LED基板和LED显示模组。该方法包括：在透明基底上形成透明导电层；在透明导电层上形成种子层，种子层部分覆盖透明导电层；在透明导电层上形成挡墙；其中，挡墙部分覆盖透明导电层，沿透明导电层的水平方向，挡墙包围种子层；沿透明导电层的厚度方向，挡墙的高度大于种子层的高度；在种子层远离透明导电层的一侧形成电极；其中，沿透明导电层的厚度方向，电极远离透明导电层的表面到透明导电层的距离大于或等于挡墙远离透明导电层的表面到透明导电层的距离；隔断不同的种子层覆盖的透明导电层连通部分的透明导电层。本方案实现了在保证LED基板具有低电阻率的特性的同时，简化了LED基板的制作工艺。

Description

LED基板的制作方法、LED基板和LED显示模组
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种LED基板的制作方法、LED基板和LED显示模组。
背景技术
次毫米发光二极管(Mini Light Emitting Diode，MiniLED)/微发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)技术是对发光二极管(Light EmittingDiode，LED)技术的微型化，是一种高密度微小尺寸的LED阵列显示技术，由于该技术具有自发光、高亮度、低功耗、高色域等优点，受到广泛关注，并且在市场逐渐普及。
但是由于LED自身的发光特性，需要在大电流下工作，才能实现较高的发光效率并且产生稳定的发光光谱。从而MiniLED技术和Micro LED技术对整个发光电路的电流供应网络提出了较高的要求，通常通过提高导电层的厚度来降低电阻率。对于提高导电层的厚度通常采用电镀技术快速生长高厚度的金属层。
目前Micro LED基板的制作是在设置键合金属层、较厚的平坦化层之后，在键合金属层上方制备通孔和种子层，最后生长较厚的导电金属层。Micro LED基板的制作方法虽然能够实现低电阻率导电层，但是总体工艺较为复杂。
发明内容
本发明实施例提供一种LED基板的制作方法、LED基板和LED显示模组，在保证LED基板具有低电阻率的特性的同时，简化了LED基板的制作工艺。
第一方面，本发明实施例提供了一种LED基板的制作方法，其包括：
在透明基底上形成透明导电层；
在透明导电层上形成种子层，种子层部分覆盖透明导电层；
在透明导电层上形成挡墙；其中，挡墙部分覆盖透明导电层，沿透明导电层的水平方向，挡墙包围种子层；沿透明导电层的厚度方向，挡墙的高度大于种子层的高度；
在种子层远离透明导电层的一侧形成电极；其中，沿透明导电层的厚度方向，电极远离透明导电层的表面到透明导电层的距离大于或等于挡墙远离透明导电层的表面到透明导电层的距离；
隔断不同的种子层覆盖的透明导电层连通部分的透明导电层。
可选地，在透明导电层上形成挡墙，包括：
在透明导电层上形成负性光刻胶层；
对负性光刻胶层从透明基底远离负性光刻胶层的一侧进行曝光固化，对负性光刻胶层未曝光固化部分进行刻蚀形成挡墙。
可选地，在种子层远离透明导电层的一侧形成电极，包括：
在种子层远离透明基底的一侧采用电镀形成电极。
可选地，在形成挡墙前还包括：
沿透明基底的水平方向，判断相邻种子层之间的距离与预设距离的大小；
当相邻种子层之间的距离小于或等于预设距离时，隔断相邻种子层所覆盖的透明导电层；其中被隔断后的透明导电层连通。
可选地，隔断不同的种子层覆盖的透明导电层连通部分的透明导电层，包括：
对不同的种子层覆盖的透明导电层未被隔断的连通部分进行激光隔断。
可选地，对不同的种子层覆盖的透明导电层未被隔断的连通部分进行激光隔断，包括：
当相邻种子层之间的距离大于预设距离时，对未被隔断的相邻种子层所覆盖的透明导电层进行激光隔断；
对种子层所覆盖的透明导电层周围的透明导电层进行激光隔断；其中被隔断后的透明导电层不连通。
可选地，种子层的材料包括铜、钼、金、铝、镍、钛、银和钽中的至少一种。
第二方面，本发明实施例还提供了一种LED基板，其采用第一方面任意实施例提供的LED基板的制作方法制备。
第三方面，本发明实施例还提供了一种LED显示模组，其包括采用第一方面任意实施例提供的LED基板的制作方法制备的LED基板和至少一个芯片；LED基板包括至少一对电极；
芯片倒装在至少一对电极上。
可选地，芯片包括：第一引脚和第二引脚，第一引脚和第二引脚分别与LED基板上的一对电极连接。
本实施例的技术方案，通过在透明基底上形成透明导电层，可以便于在透明导电层上形成种子层后，对透明导电层进行通电，实现对透明导电层上所有的种子层进行通电，从而便于后续在种子层远离透明导电层的一侧形成电极。此外，在透明导电层上形成的种子层，在通过一定的工艺形成挡墙时可以作为形成挡墙的掩膜版，确保形成的挡墙仅覆盖在种子层未覆盖的透明导电层区域，从而确保种子层和种子层之间完全被挡墙隔离，进一步的固化种子层上形成电极的形状，实现在种子层远离透明基底的一侧生长出厚度大于挡墙的电极，使电极具有低电阻，高导电性的特性。由此可见，本方案在形成电极时实现了对种子层的全局通电，保证LED基板具有低电阻率的特性。在形成挡墙时，实现种子层替代掩膜版，使挡墙的形成精确度更高，从而实现简化LED基板的制作工艺。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图虽然是本发明的一些具体的实施例，对于本领域的技术人员来说，可以根据本发明的各种实施例所揭示和提示的器件结构，驱动方法和制造方法的基本概念，拓展和延伸到其它的结构和附图，毋庸置疑这些都应该是在本发明的权利要求范围之内。
图1为本发明实施例提供的一种LED基板的制作方法的流程示意图；
图2为本发明实施例提供的步骤S110制作的LED基板的剖面图；
图3为本发明实施例提供的步骤S110制作的LED基板的俯视图；
图4为本发明实施例提供的步骤S120制作的LED基板的剖面图；
图5为本发明实施例提供的步骤S120制作的LED基板的俯视图；
图6为本发明实施例提供的步骤S120制作的LED基板的另一剖面图；
图7为本发明实施例提供的步骤S120制作的LED基板的另一俯视图；
图8为本发明实施例提供的步骤S130制作的LED基板的剖面图；
图9为本发明实施例提供的步骤S130制作的LED基板的俯视图；
图10为本发明实施例提供的步骤S130制作的LED基板的另一剖面图；
图11为本发明实施例提供的步骤S130制作的LED基板的另一俯视图；
图12为本发明实施例提供的步骤S140制作的LED基板的剖面图；
图13为本发明实施例提供的步骤S140制作的LED基板的俯视图；
图14为本发明实施例提供的步骤S140制作的LED基板的另一剖面图；
图15为本发明实施例提供的步骤S140制作的LED基板的另一俯视图；
图16为本发明实施例提供的步骤S150制作的LED基板的剖面图；
图17为本发明实施例提供的步骤S150制作的LED基板的俯视图；
图18为本发明实施例提供的步骤S150制作的LED基板的另一剖面图；
图19为本发明实施例提供的步骤S150制作的LED基板的另一俯视图；
图20为本发明实施例提供的一种在透明导电层上形成负性光刻胶层后的LED基板的剖面图；
图21为本发明实施例提供的一种隔断相邻种子层所覆盖的透明导电层的剖面图；
图22为本发明实施例提供的一种隔断相邻种子层所覆盖的透明导电层的俯视图；
图23为本发明实施例提供的一种对不同的种子层覆盖的透明导电层未被隔断的连通部分进行激光隔断的剖面图；
图24为本发明实施例提供的一种对不同的种子层覆盖的透明导电层未被隔断的连通部分进行激光隔断的俯视图；
图25为本发明实施例提供的另一种对不同的种子层覆盖的透明导电层未被隔断的连通部分进行激光隔断的剖面图；
图26为本发明实施例提供的另一种对不同的种子层覆盖的透明导电层未被隔断的连通部分进行激光隔断的俯视图；
图27为本发明实施例提供的一种LED显示模组的剖面图；
图28为本发明实施例提供的一种LED显示模组的俯视图；
图29为本发明实施例提供的另一种LED显示模组的剖面图；
图30为本发明实施例提供的另一种LED显示模组的俯视图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1为本发明实施例提供的一种LED基板的制作方法的流程示意图，参见图1，所述方法具体包括如下步骤：
S110、在透明基底上形成透明导电层。
具体地，图2为本发明实施例提供的步骤S110制作的LED基板的剖面图，图3为本发明实施例提供的步骤S110制作的LED基板的俯视图。如图2和图3所示，透明基底010为LED基板的底层支撑板，具有透光性。透明基底010的材料可以采用玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚酰亚胺薄膜。透明导电层020具有透光性和导电性。透明导电层020采用的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、掺钨氧化铟、铝掺杂的氧化锌、氧化锌镓、银纳米线以及碳纳米线中的至少一种。
S120、在透明导电层上形成种子层，种子层部分覆盖透明导电层。
具体地，图4为本发明实施例提供的步骤S120制作的LED基板的剖面图，图5为本发明实施例提供的步骤S120制作的LED基板的俯视图。图6为本发明实施例提供的步骤S120制作的LED基板的另一剖面图，图7为本发明实施例提供的步骤S120制作的LED基板的另一俯视图。如图4-图7所示，在透明导电层020上形成图形化的种子层030，可以在透明导电层020上形成种子层030后通过掩膜版对种子层030进行刻蚀，使种子层030图形化，从而使种子层030部分覆盖透明导电层020。其中，图形化的种子层030与形成LED基板电极所需图形相同，由此可以为后续产生电极奠定基础，便于在图形化的种子层030的基础上形成电极。此外，在透明导电层020上形成种子层030，可以通过透明导电层020对所有种子层030同时通电，由此可以对所有种子层030实现同时进行电镀工艺，大幅度简化了对种子层030进行电镀工艺的难度。
需要注意的是：图4和图5在透明导电层020上形成的种子层030之间的间距均为间距比较大的情况，图6和图7在透明导电层020上形成的种子层030之间的间距包括间距比较大和间距比较小的两种情况。图4(图5)和图6(图7)所对应的LED基板电极所需图形(图形化的种子层030)不同，上述仅是示例性的示出两种LED基板电极设计图形，设计人员需根据设计的实际需要设计LED基板电极设计图形，此处对LED基板电极设计图形不做限定。
S130、在透明导电层上形成挡墙；其中，挡墙部分覆盖透明导电层，沿透明导电层的水平方向，挡墙包围种子层；沿透明导电层的厚度方向，挡墙的高度大于种子层的高度。
具体地，图8为本发明实施例提供的步骤S130制作的LED基板的剖面图，图9为本发明实施例提供的步骤S130制作的LED基板的俯视图，图10为本发明实施例提供的步骤S130制作的LED基板的另一剖面图，图11为本发明实施例提供的步骤S130制作的LED基板的另一俯视图。如图8-图11所示，挡墙040具有绝缘性，主要用于隔离相邻的种子层030，防止相邻的种子层030之间发生电连接。在透明导电层020上形成的挡墙040是通过利用种子层030做掩膜版形成的，确保挡墙040仅覆盖在种子层030未覆盖的透明导电层020区域，进而确保种子层030和种子层030之间完全被挡墙040隔离。沿透明导电层020的水平方向，挡墙040包围种子层030，由此可以确保种子层030处于挡墙040包围的范围，防止种子层030在后续生长成电极时发生漏电。沿透明导电层020的厚度方向，挡墙040的高度大于种子层030的高度，由此便于固化电极在种子层030上生长的形状及生长方向。
需要注意的是，对比图8和图10可知，在图8中，相邻种子层030之间的距离均比较大。在图10中，具有相邻种子层030之间的距离比较小的情况。针对于图10相邻种子层030之间的距离比较小，可以在形成挡墙040前，对相邻种子层030间距比较小的处的透明导电层020预先进行隔断处理。
S140、在种子层远离透明导电层的一侧形成电极；其中，沿透明导电层的厚度方向，电极远离透明导电层的表面到透明导电层的距离大于或等于挡墙远离透明导电层的表面到透明导电层的距离。
具体地，图12为本发明实施例提供的步骤S140制作的LED基板的剖面图，图13为本发明实施例提供的步骤S140制作的LED基板的俯视图，图14为本发明实施例提供的步骤S140制作的LED基板的另一剖面图，图15为本发明实施例提供的步骤S140制作的LED基板的另一俯视图。如图12-图15所示，电极050用于导电，需要具有低电阻，高导电性的特点。在种子层030远离透明导电层020的一侧形成的电极050，是通过对透明导电层020进行通电，使透明导电层020上的所有种子层030同时向远离透明导电层020的方向生长形成电极050。其中，通过种子层030生长形成的电极050厚度大，可以使电极050具有低电阻、高导电性的导电特性。沿透明导电层020的厚度方向，电极050远离透明导电层020的表面到透明导电层020的距离大于或等于挡墙040远离透明导电层020的表面到透明导电层020的距离，也就是电极050的厚度要大于或等于挡墙040的厚度，由此可以保证电极050远离透明导电层020的表面可以裸露出来，便于电极050与其他器件的连接。
S150、隔断不同的种子层覆盖的透明导电层连通部分的透明导电层。
具体地，图16为本发明实施例提供的步骤S150制作的LED基板的剖面图，图17为本发明实施例提供的步骤S150制作的LED基板的俯视图，图18为本发明实施例提供的步骤S150制作的LED基板的另一剖面图，图19为本发明实施例提供的步骤S150制作的LED基板的另一俯视图。隔断不同的种子层030覆盖的透明导电层020连通部分的透明导电层020，可以通过对透明导电层020的隔断实现对覆盖在透明导电层020上的种子层030的电隔离。
综上，本方案的LED基板的制作方法，通过在透明基底上形成透明导电层，可以便于在透明导电层上形成种子层后，对透明导电层进行通电，实现对透明导电层上所有的种子层进行通电，从而便于后续在种子层远离透明导电层的一侧形成电极。此外，在透明导电层上形成的种子层，在通过一定的工艺形成挡墙时可以作为形成挡墙的掩膜版，确保形成的挡墙仅覆盖在种子层未覆盖的透明导电层区域，从而确保种子层和种子层之间完全被挡墙隔离，进一步的固化种子层上形成电极的形状，实现在种子层远离透明基底的一侧生长出厚度大于挡墙的电极，使电极具有低电阻，高导电性的特性。由此可见，本方案在形成电极时实现了对种子层的全局通电，保证LED基板具有低电阻率的特性。在形成挡墙时，实现种子层替代掩膜版，使挡墙的形成精确度更高，从而实现简化LED基板的制作工艺。
可选地，在透明导电层上形成挡墙，包括：
在透明导电层上形成负性光刻胶层。
图20为本发明实施例提供的一种在透明导电层020上形成负性光刻胶层后的LED基板的剖面图，如图20所示，负性光刻胶层覆盖种子层030和未被种子层030覆盖的透明导电层020。其中，形成挡墙采用的负性光刻胶具有遇光照射会固化的特性。具体地，负性光刻胶可选用的典型材料包括SU8光刻胶、亚克力，干膜光刻胶等。
对负性光刻胶层从透明基底远离负性光刻胶层的一侧进行曝光固化，对负性光刻胶层未曝光固化部分进行刻蚀形成挡墙。
继续参考图8和图20，图8是对图20进行光刻形成挡墙040后的LED基板的剖面图。利用负性光刻胶遇光照射会固化的特性，透明基底010的透光特性以及种子层030不透光的特性，从图20中透明基底010远离光刻胶层的一侧对负性光刻胶层进行光照，此时被光照射部分的负性光刻胶层固化，即固化的负性光刻胶层会沿透明导电层020的水平方向包围种子层030。对由于种子层030遮挡未曝光固化的负性光刻胶部分利用刻蚀液刻蚀掉，便可得到图8。从上述过程可知，种子层030的不透光性在负性光刻胶层进行光刻的过程中，充当了掩膜板的作用，由此在负性光刻胶层图案化形成挡墙040的工艺流程中节省了光刻掩模板，并且通过种子层030对负性光刻胶的光刻曝光，实现了“自对准”，提高了光刻的精确度，大幅减少了线宽损耗。
可选地，在种子层远离透明导电层的一侧形成电极，包括：
在种子层远离透明基底的一侧采用电镀形成电极。
继续参考图12，通过对透明导电层020进行通电，可以采用电镀工艺实现对透明导电层020上形成的种子层030进行电镀，使种子层030生长形成电极050。对种子层030采用电镀工艺，可以电镀铜、镍、金以及铬等可电镀金属，形成电极050。
可选地，在形成挡墙前还包括：
沿透明基底的水平方向，判断相邻种子层之间的距离与预设距离的大小。
其中，相邻种子层覆盖的透明导电层需要进行隔断，由此相邻种子层之间的距离与预设距离的大小直接关系到对相邻种子层覆盖的透明导电层进行隔断的工艺选择。若相邻种子层之间的距离小于或等于预设距离，则需要通过光刻工艺隔断相邻种子层覆盖的透明导电层。若相邻种子层之间的距离大于预设距离，则需要通过激光烧灼隔断相邻种子层覆盖的透明导电层。预设距离是根据激光光斑大小确定的，示例性地，若激光光斑20um～100um，则预设距离可设定为30um。综上，判断相邻种子层之间的距离与预设距离的大小，选择不同的隔断透明导电层的工艺，提高了对小间距种子层覆盖的透明导电层的隔断精确度，简化了对大间距种子层覆盖的透明导电层的隔断工艺。
当相邻种子层之间的距离小于或等于预设距离时，隔断相邻种子层所覆盖的透明导电层；其中被隔断后的透明导电层连通。
图21为本发明实施例提供的一种隔断相邻种子层所覆盖的透明导电层的剖面图，图22为本发明实施例提供的一种隔断相邻种子层所覆盖的透明导电层的俯视图，如图21和图22所示，相邻种子层030之间的距离L1小于预设距离，则间距为L1处的相邻种子层030之间的透明导电层020通过光刻工艺进行隔断。
可选地，隔断不同的种子层覆盖的透明导电层连通部分的透明导电层，包括：
对不同的种子层覆盖的透明导电层未被隔断的连通部分进行激光隔断。
图23为本发明实施例提供的一种对不同的种子层覆盖的透明导电层未被隔断的连通部分进行激光隔断的剖面图，图24为本发明实施例提供的一种对不同的种子层覆盖的透明导电层未被隔断的连通部分进行激光隔断的俯视图，图25为本发明实施例提供的另一种对不同的种子层覆盖的透明导电层未被隔断的连通部分进行激光隔断的剖面图，图26为本发明实施例提供的另一种对不同的种子层覆盖的透明导电层未被隔断的连通部分进行激光隔断的俯视图。
具体地，对不同的种子层030覆盖的透明导电层020未被隔断的连通部分进行激光隔断，包括：当相邻种子层030之间的距离大于预设距离时，对未被隔断的相邻种子层030所覆盖的透明导电层020进行激光隔断；对种子层030所覆盖的透明导电层020周围的透明导电层020进行激光隔断；其中被隔断后的透明导电层020不连通。
其中，相邻种子层030之间的距离大于预设距离，则需要通过激光烧灼隔断相邻种子层030覆盖的透明导电层020。其中，激光可由透明衬底010远离种子层030侧射入或者挡墙040远离透明导电层020侧射入，烧灼相邻种子030层覆盖的透明导电层020之间的透明导电层020，从而实现隔断相邻种子层030所覆盖的透明导电层020。对种子层030所覆盖的透明导电层020周围的透明导电层020进行激光隔断，可以使不同种子层030(电极050)所覆盖的透明导电层020之间不连通，保证不同的种子层030所覆盖的透明导电层020隔断，从而实现不同种子层030(电极050)之间的电隔离。
可选地，种子层的材料包括铜、钼、金、铝、镍、钛、银和钽中的至少一种。
其中，种子层的材料包括铜、钼、铝、金、镍、钛、银、钽或是这些材料的叠层结构。其中，种子层的层叠结构的优选层叠结构为钼和铝构成的钼-铝-钼三层叠层结构。种子层采用层叠结构可以降低种子层的电阻率，提高种子层的导电效率。
本发明实施例还提供了一种LED基板，其采用上述实施例中任一项的LED基板的制作方法制备而成。
具体地，LED基板包括透明基底、透明导电层、种子层、挡墙以及电极。透明导电层设置在透明基底上。种子层设置在透明导电层上，部分覆盖头透明导电层。
挡墙设置在透明导电层上，部分覆盖透明导电层，并且沿透明导电层的水平方向，挡墙包围种子层；沿透明导电层的厚度方向，挡墙的高度大于种子层的高度。电极设置在种子层远离透明导电层的一侧，沿透明导电层的厚度方向，电极远离透明导电层的表面到透明导电层的距离大于或等于挡墙远离透明导电层的表面到透明导电层的距离。
LED基板是由本发明任意实施例提供的LED基板的制作方法制备而成，因此具有本发明实施例提供的LED基板的制作方法的有益效果，此处不再赘述。
本发明实施例还提供了一种LED显示模组，其特征在于，其采用上述实施例中任一项的LED基板的制作方法制备的LED基板和至少一个芯片；LED基板包括至少一对电极；芯片倒装在至少一对电极上。
图27为本发明实施例提供的一种LED显示模组的剖面图，图28为本发明实施例提供的一种LED显示模组的俯视图，图29为本发明实施例提供的另一种LED显示模组的剖面图，图30为本发明实施例提供的另一种LED显示模组的俯视图，如图27-图30所示，LED显示模组是由LED基板和至少一个芯片060组成，其中LED基板包括至少一对电极，例如电极051和电极052。芯片060与LED基板连接，具体地采用键合工艺将芯片060键合在LED基板的一对电极上。
继续参考图27-图30，可选地，芯片包括：第一引脚061和第二引脚062，第一引脚061和第二引脚062分别与LED基板上的一对电极连接。
具体地，电极051和电极052为LED基板上的一对电极，第一引脚061与电极051连接，第一引脚062与电极052连接。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种LED基板的制作方法，其特征在于，包括：
在透明基底上形成透明导电层；
在所述透明导电层上形成种子层，所述种子层部分覆盖所述透明导电层；
在所述透明导电层上形成挡墙；其中，所述挡墙部分覆盖所述透明导电层，沿所述透明导电层的水平方向，所述挡墙包围所述种子层；沿所述透明导电层的厚度方向，所述挡墙的高度大于所述种子层的高度；
在所述种子层远离所述透明导电层的一侧形成电极；其中，沿所述透明导电层的厚度方向，所述电极远离所述透明导电层的表面到所述透明导电层的距离大于或等于所述挡墙远离所述透明导电层的表面到所述透明导电层的距离；
隔断不同的所述种子层覆盖的所述透明导电层连通部分的所述透明导电层。
2.根据权利要求1所述的LED基板的制作方法，其特征在于，在所述透明导电层上形成挡墙，包括：
在所述透明导电层上形成负性光刻胶层；
对所述负性光刻胶层从所述透明基底远离所述负性光刻胶层的一侧进行曝光固化，对所述负性光刻胶层未曝光固化部分进行刻蚀形成所述挡墙。
3.根据权利要求1所述的LED基板的制作方法，其特征在于，在所述种子层远离所述透明导电层的一侧形成电极，包括：
在所述种子层远离所述透明基底的一侧采用电镀形成所述电极。
4.根据权利要求1所述的LED基板的制作方法，其特征在于，在形成挡墙前还包括：
沿所述透明基底的水平方向，判断相邻所述种子层之间的距离与预设距离的大小；
当相邻所述种子层之间的距离小于或等于所述预设距离时，隔断相邻所述种子层所覆盖的所述透明导电层；其中被隔断后的所述透明导电层连通。
5.根据权利要求4所述的LED基板的制作方法，其特征在于，隔断不同的所述种子层覆盖的所述透明导电层连通部分的所述透明导电层，包括：
对不同的所述种子层覆盖的所述透明导电层未被隔断的连通部分进行激光隔断。
6.根据权利要求5所述的LED基板的制作方法，其特征在于，对不同的所述种子层覆盖的所述透明导电层未被隔断的连通部分进行激光隔断，包括：
当相邻所述种子层之间的距离大于所述预设距离时，对未被隔断的相邻所述种子层所覆盖的所述透明导电层进行激光隔断；
对所述种子层所覆盖的所述透明导电层周围的所述透明导电层进行激光隔断；其中被隔断后的所述透明导电层不连通。
7.根据权利要求1所述的LED基板的制作方法，其特征在于，所述种子层的材料包括铜、钼、金、铝、镍、钛、银和钽中的至少一种。
8.一种LED基板，其特征在于，采用权利要求1-7任一所述的LED基板的制作方法制备。
9.一种LED显示模组，其特征在于，包括采用权利要求1-7任一所述的LED基板的制作方法制备的LED基板和至少一个芯片；所述LED基板包括至少一对电极；
所述芯片倒装在至少一对所述电极上。
10.根据权利要求9所述的LED显示模组，其特征在于，所述芯片包括：第一引脚和第二引脚，所述第一引脚和所述第二引脚分别与所述LED基板上的一对所述电极连接。
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