CN114093307B - 用于晶体管参数估计的系统和方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种用于晶体管参数估计的系统和方法。在一些实施例中，用于设置晶体管的第一补偿系数的方法包括：确定多个测得的晶体管电流，每个测得的晶体管电流在多个晶体管控制电压的相应一个下确定；基于测得的晶体管电流和晶体管控制电压设置第一补偿系数；以及基于第一补偿系数，调节被施加到晶体管的栅极的电压，电压与颜色值相对应。

Description

用于晶体管参数估计的系统和方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年8月7日提交的标题为“通过减小可变空间的维数进行参数估计并由此计算自适应的初始条件”的美国临时申请第63/062,898号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

根据本公开的实施例的一个或多个方面涉及晶体管驱动电路，并且更具体地涉及用于晶体管参数估计的系统和方法。

背景技术

在包括具有不确定参数的晶体管的系统中，或者在包括具有不同参数的多个晶体管的系统中，利用对参数的不确定性或参数的变化进行补偿的电路来驱动该晶体管或这些晶体管可能是有利的。为此，可以使用用于晶体管参数估计的系统和方法。

发明内容

根据本发明的实施例，提供了一种用于设置晶体管的第一补偿系数的方法，该方法包括：确定多个测得的晶体管电流，每个测得的晶体管电流在多个晶体管控制电压的相应一个下确定；基于多个测得的晶体管电流和多个晶体管控制电压设置第一补偿系数；以及基于第一补偿系数，调节被施加到晶体管的栅极的电压，电压与颜色值相对应。

在一些实施例中：第一补偿系数是乘法补偿系数；该方法进一步包括设置加法补偿系数；并且乘法补偿系数和加法补偿系数的设置包括估计晶体管的多个参数。

在一些实施例中，多个参数包括阿尔法、阈值电压和迁移率。

在一些实施例中，晶体管的多个参数的估计包括求解两个参数的两个方程，两个参数是阿尔法和阈值电压。

在一些实施例中，两个方程中的每一个仅取决于晶体管的多个参数中的阿尔法和阈值电压。

在一些实施例中，具有在/>的50％以内的值，其中：I₁是多个测得的晶体管电流中的第一电流，I₂是多个测得的晶体管电流中的第二电流，I₃是多个测得的晶体管电流中的第三电流，I₄是多个测得的晶体管电流中的第四电流，Vgs₁是多个晶体管控制电压中的与第一电流相对应的晶体管控制电压，Vgs₂是多个晶体管控制电压中的与第二电流相对应的晶体管控制电压，Vgs₃是多个晶体管控制电压中的与第三电流相对应的晶体管控制电压，Vgs₄是多个晶体管控制电压中的与第四电流相对应的晶体管控制电压，V_th是阈值电压，并且α是阿尔法。

在一些实施例中，具有在/>的50％以内的值，其中：I₁是多个测得的晶体管电流中的第一电流，I₂是多个测得的晶体管电流中的第二电流，Vgs₁是多个晶体管控制电压中的与第一电流相对应的晶体管控制电压，Vgs₂是多个晶体管控制电压中的与第二电流相对应的晶体管控制电压，V_th是阈值电压，并且α是阿尔法。

在一些实施例中，求解包括得到阿尔法和阈值电压的近似数值解，近似数值解在满足两个方程的程度上使误差的测量结果最小化。

在一些实施例中，该方法进一步包括基于阿尔法和阈值电压以最小二乘拟合来求解迁移率。

在一些实施例中，多个参数进一步包括偏置电流。

在一些实施例中，该方法进一步包括基于阿尔法、阈值电压和迁移率以最小二乘拟合来求解偏置电流。

在一些实施例中，晶体管的多个参数的估计包括求解阈值电压的一个方程，其中方程仅取决于晶体管的多个参数中的阈值电压。

在一些实施例中，具有在/>的50％以内的值，其中：I₁是多个测得的晶体管电流中的第一电流，I₂是多个测得的晶体管电流中的第二电流，I₃是多个测得的晶体管电流中的第三电流，I₄是多个测得的晶体管电流中的第四电流，Vgs₁是多个晶体管控制电压中的与第一电流相对应的晶体管控制电压，Vgs₂是多个晶体管控制电压中的与第二电流相对应的晶体管控制电压，Vgs₃是多个晶体管控制电压中的与第三电流相对应的晶体管控制电压，Vgs₄是多个晶体管控制电压中的与第四电流相对应的晶体管控制电压，并且V_th是阈值电压。

在一些实施例中，该方法进一步包括将加法补偿系数设置成在与为零的有效阈值电压相对应的值的20％以内的值。

在一些实施例中，该方法进一步包括将乘法补偿系数设置成在与等于参考迁移率的有效迁移率相对应的值的20％以内的值。

在一些实施例中，第一补偿系数是乘法补偿系数，并且该方法进一步包括：设置加法补偿系数；基于以下各项设置被施加到栅极的电压：乘法补偿系数，加法补偿系数，和颜色值；测量以下各项之间的差：由晶体管驱动的电流，与参考电流；以及基于差调节乘法补偿系数和加法补偿系数。

根据本发明的实施例，提供了一种用于设置晶体管的第一补偿系数的系统，包括：处理电路；电源；发光器件；以及连接在电源与发光器件之间的晶体管，处理电路被配置成：确定多个测得的晶体管电流，每个测得的晶体管电流在多个晶体管控制电压的相应一个下确定；并且基于多个测得的晶体管电流和多个晶体管控制电压设置第一补偿系数。

在一些实施例中：第一补偿系数是乘法补偿系数；处理电路进一步被配置成设置加法补偿系数；乘法补偿系数和加法补偿系数的设置包括估计晶体管的多个参数；并且多个参数包括阿尔法、阈值电压和迁移率。

在一些实施例中，晶体管的多个参数的估计包括求解两个参数的两个方程，两个参数是阿尔法和阈值电压，其中两个方程中的每一个仅取决于晶体管的多个参数中的阿尔法和阈值电压。

根据本发明的实施例，提供了一种系统，包括：用于处理的装置；电源；发光器件；以及连接在电源与发光器件之间的晶体管，用于处理的装置被配置成：确定多个测得的晶体管电流，每个测得的晶体管电流在多个晶体管控制电压的相应一个下确定；并且基于测得的晶体管电流和晶体管控制电压设置第一补偿系数。

附图说明

参照说明书、权利要求书和附图，将了解和理解本公开的这些及其他特征和优点，其中：

图1是根据本公开的实施例的具有晶体管的电路的框图；

图2是根据本公开的实施例的具有晶体管的电路的框图；以及

图3是根据本公开的实施例的用于晶体管参数估计和补偿的方法的流程图。

具体实施方式

下面结合附图阐述的具体实施方式旨在作为对根据本公开提供的用于晶体管参数估计的系统和方法的示例性实施例的描述，而并非旨在表示可以构造或利用本公开的唯一形式。描述结合所图示的实施例阐述了本公开的特征。然而，应当理解，相同或等同的功能和结构可以通过不同的实施例来实现，这些不同的实施例也旨在被涵盖在本公开的范围内。如本文中其他地方所指示的，相同的附图标记旨在指示相同的元件或特征。

参照图1，在诸如计算机监视器的视频显示器中，多个发光像素可以均包括驱动晶体管115，驱动晶体管115被配置成响应于亮度控制信号或“颜色值”来驱动电流通过诸如发光二极管120的发光器件。驱动晶体管115可以是连接到电源125的场效应晶体管(FET)。显示器可以包括大量这样的驱动晶体管，并且驱动晶体管可能不是完全相同的。在这样的系统中(以及在其中要控制晶体管的其他系统中)，对晶体管参数的变化进行补偿可能是有利的，使得指定要实现的亮度的给定亮度控制信号(例如，从计算机的视频卡接收到的数字控制信号)导致基本相同的亮度，而不管其应用于哪个像素。

在这样的系统中，可以估计每个晶体管的参数，并且控制电压可以基于亮度控制信号和每个晶体管的参数被施加到该晶体管。可以(例如，通过处理电路105(下面进一步详细讨论)和数模转换器110)调节控制电压，以补偿被驱动的晶体管的参数与参考晶体管的参数之间的差异。例如，乘法补偿系数可以被应用于(即，乘以)亮度控制信号，并且加法补偿系数然后可以被应用于(亮度控制信号和乘法补偿系数的)乘积，使得如果补偿系数(即乘法补偿系数和加法补偿系数)被设置为标称值，则针对相同的亮度控制信号，晶体管驱动与参考晶体管(其可以是假设的“理想”晶体管)驱动的电流基本相同的电流。

可以通过在多个晶体管控制电压中的每一个下测量晶体管驱动的电流(即，确定测得的晶体管电流)来估计晶体管的参数。如本文中所使用的，“晶体管驱动的电流”是流过晶体管的沟道(即，位于源极与漏极之间)的电流。如本文中所使用的，“控制电压”或“晶体管控制电压”是栅-源电压。

根据测得的晶体管电流和晶体管控制电压，可以估计晶体管的参数，并且，基于这些参数，可以设置补偿系数(即，乘法补偿系数和加法补偿系数)的初始值。这些参数可以包括FET的阈值电压V_th、迁移率M、阿尔法α和偏置电流I_bias。

通过这些参数而参数化的晶体管模型可以是：

I_DS＝M×(Vgs–V_th)^α+I_bias

术语“阿尔法”和“α”在本文中是同义词，并且可以互换使用。

在一些实施例中，这些参数可以如下根据多个测得的晶体管电流来估计，每个测得的晶体管电流在多个晶体管控制电压中的相应一个下被确定。测得的晶体管电流中的四个可以被称为I₁、I₂、I₃和I₄，并且对应的控制电压可以是Vgs₁、Vgs₂、Vgs₃和Vgs₄。这些测得的晶体管电流和晶体管控制电压当被代入到晶体管模型中时，将得到以下四个方程：

I₁＝(Vgs₁-V_th)^α×M+I_bias

I₂＝(Vgs₂-V_th)^α×M+I_bias

I₃＝(Vgs₃-V_th)^α×M+I_bias

I₄＝(Vgs₄-V_th)^α×M+I_bias

这些方程可以成对组合(例如，减去)，以得出例如以下三个方程，从中消除了偏置电流I_bias：

I₂-I₁＝M×[(Vgs₂-V_th)^α-(Vgs₁-V_th)^α]

I₄-I₂＝M×[(Vgs₄-V_th)^α-(Vgs₂-V_th)^α]

I₄-I₃＝M×[(Vgs₄-V_th)^α-(Vgs₃-V_th)^α]

上面的三个方程是六个(四选二，即₄C₂)这样的方程中的三个，这样的方程可以形成为四个测得的晶体管电流的成对差。在一些实施例中，测量四个以上的晶体管电流(或者可以测量更少的晶体管电流，如下所讨论的)，并且可以形成成对差的不同集。上面的三个方程可以成对组合(例如，可以采用比率)，以得出例如以下两个方程，从中还消除了迁移率M：

因此，两个方程中的每一个仅取决于晶体管的参数中的阿尔法和阈值电压。上面的方程是两个未知数的两个独立方程，并且可以针对未知数V_th和α进行求解。这可以例如通过执行梯度下降优化或通过在V_th和α的值的网格上执行穷举搜索来实现，网格在V_th和α中的每一个的相应的合理值范围(例如，V_th的范围为0V至0.7V，并且α的范围为1.5至2.5)内延伸，以得到使成本函数最小化的{V_th，α}值的集。这样的方法可以找到阿尔法和阈值电压的近似数值解，近似数值解使成本函数最小化，成本函数可以是在满足两个方程的程度上的误差的测量结果。成本函数可以是均方误差，例如，定义如下：

V_th和α的值可以满足以上方程，例如，对于V_th和α的这些值，可以是

具有与下面值相同的值的情况

或者，在一些实施例中，这些值可能会有所不同，例如，

可以具有在下面值的50％以内的值

一旦得到V_th和α的值，就可以根据以下方程(其是一个未知数M的三个方程)得到迁移率M的值。

I₂-I₁＝M×[(Vgs₂-V_th)^α-(Vgs₁-V_th)^α]

I₄-I₂＝M×[(Vgs₄-V_th)^α-(Vgs₂-V_th)^α]

I₄-I₃＝M×[(Vgs₄-V_th)^α-(Vgs₃-V_th)^α]

这些方程形成了超定线性方程组，并且可以例如通过以下形式编写这些方程而对其进行求解：

其中，k1＝[(Vgs₂-V_th)^α-(Vgs₁-V_th)^α]，并且类似地定义k2和k3，

并且求解

M＝K^ΨI

其中K^Ψ是向量的伪逆，并且I是向量/>

为了得到偏置电流，可以针对I_bias求解以下超定组：

如果使用最小二乘拟合来求解该组，则I_bias的解将是四个偏置电流(其可以通过每次使用(i)四个测得的晶体管电流中的不同电流和(ii)对应的晶体管控制电压来针对偏置电流四次求解晶体管模型而获得)的平均值。

在某些情况下，偏置电流I_bias可以忽略不计(例如，可能不存在泄漏)。零偏置晶体管模型可以写成：

I_DS＝M×(Vgs–V_th)^α

在该模型中，α、V_th和M是要估计的未知参数。迁移率可以通过采用(i)在第二测得的晶体管电流下和在对应的晶体管控制电压下的零偏置晶体管模型与(ii)在第一测得的晶体管电流下和在对应的晶体管控制电压下的零偏置晶体管模型的比率来消除：

根据该方程，得出：

其是未知数V_th和α的方程。对于附加的测得的晶体管电流和对应的晶体管控制电压，可以获得未知数V_th和α的另一方程：

上述两个方程中的每一个仅取决于晶体管的参数中的阿尔法和阈值电压。取上面两个方程中的每一个的两边的对数，得到以下方程：

然后可以通过取上述方程的比率来消除参数α：

上面的方程只取决于晶体管的参数中的阈值电压，并且可以针对V_th迭代地求解上述方程(例如，通过在V_th的值的网格上执行穷尽搜索，网格在V_th的合理值的范围(例如，0V至0.7V的范围)内延伸)。在一些实施例中，晶体管控制电压被选择为使得

(例如，电流可以是以下值(或可以在以下值的30％之内)：I₁＝1nA，I₂＝2nA，I₃＝2.5nA和I₄＝5nA)，

在这种情况下，可以直接求解V_th，以得出以下：

在一些实施例中，可以得到V_th的相近(但不一定相同)的值，例如，对于其中一个

可以具有在下面值的50％以内的值

然后可以使用V_th的值来得到α和M，如下：

V_th和α的这些值可能具有以下特征：

可以具有在下面值的50％以内的值

由于可以使用测得的晶体管电流和对应的晶体管控制电压的多个值来计算α和M，因此可以使用最小二乘拟合来计算阿尔法：

α＝LogV^ΨLogI或α＝(Log(V))^ΨLogI

然后，可以如下获得α和M：

M＝I₂/(Vgs₂-V_th)^α

上述方法使用四个测得的晶体管电流；因为，在零偏置的情况下，只有三个参数(V_th、α和M)被求解，因此三个测得的晶体管电流可足以求解这些参数，并且在一些实施例中，仅使用三个测得的晶体管电流。

一旦已经估计了晶体管的参数，可以如下计算补偿系数(即，乘法补偿系数和加法补偿系数)。图2示出了在一些实施例中用于控制晶体管的电路。参考电流源205包括(i)用于计算M_ideal×C_in ^2.2的处理电路210，其中M_ideal是参考迁移率，并且C_in是控制字(其可以表示所请求的像素亮度)，以及(ii)电流数模转换器(或“I_refDAC”)215，并且参考电流源205根据函数I_ref＝M_idealK_V2IC_in ^2.2产生参考电流。参考迁移率M_ideal可以被选择为处于M的合理值的范围内，例如，它可被选择为在没有制造变化和晶体管特性随年龄的改变的情况下迁移率预期具有的值。驱动电路220包括处理电路105(图1)(其基于控制字C_in和补偿系数来计算调节后的晶体管控制电压)、数模转换器110和晶体管115。被采用以应用补偿(即乘法补偿系数和加法补偿系数)的处理电路105可以是被适当地配置(例如，用固件或软件配置)的处理电路，并且可以被称为“补偿电路”。驱动电路220的处理电路105可以与参考电流源205的处理电路210共享部件(例如，处理电路105可以是与处理电路210相同的处理电路)。参考迁移率M_ideal、I_ref DAC 215的增益K_V2I和驱动电路220的数模转换器的增益K_D是已知的。

未知参数包括晶体管的实际阈值电压V_th(其也可以被称为V_{th_actual})和晶体管的实际迁移率M(其也可以被称为M_actual)。这些未知参数可以例如如上所描述的根据测得的晶体管电流和对应的晶体管控制电压来估计。

然后可以如下计算补偿系数的初始值(即，乘法补偿系数A和加法补偿系数B)。

如果I_ref＝I_pixel，则

M_ideal[K_V2IC_in ^2.2]＝M_actual[K_D(AC_in ^1.1+B)–V_{th_actual}]²

M_idealK_V2IC_in ^2.2＝M_actual[K_DAC_in ^1.1+K_DB–V_{th_actual}]²

如果选择B使得K_DB＝V_{th_actual}(通过设置B＝V_{th_actual}/K_D)，则上面方程变为

M_idealK_V2IC_in ^2.2＝M_actual[K_DAC_in ^1.1]²

可以求解A以得到

当使用A和B的上述值时，补偿电路105、数模转换器110和晶体管115的组合可以具有基本与通过具有相同增益的数模转换器110驱动的、具有零阈值电压并且具有参考迁移率的未补偿晶体管的特性相同的特性。因此，A和B的上述值与为零的有效阈值电压以及等于参考迁移率的有效迁移率相对应。在一些实施例中，A可以被设置成在与等于参考迁移率的有效迁移率相对应的值的20％以内的值，并且B可以被设置成在与为零的有效阈值电压相对应的值的20％以内的值。以上得出的A和B的值可以用作初始值，并且然后可以基于当应用补偿系数(即，乘法补偿系数和加法补偿系数)时测得的残余误差(每个残余误差是(i)被驱动通过发光器件的所需电流或“参考”电流与(ii)晶体管驱动电流之间的测量差)来进行自适应调节。自适应可以例如如在2019年10月18日提交的标题为“通过自适应的像素补偿系数的估计”的序列号为16/657,680的美国专利申请中描述的那样被执行，其通过引用并入本文。

图3示出了在一些实施例中的流程图。该方法包括：在305处，确定多个测得的晶体管电流(例如，每个晶体管电流在多个晶体管控制电压中的相应一个下确定)；在310处，(例如，基于电流测量结果和控制电压)设置乘法补偿系数和加法补偿系数的初始值；以及例如通过在315处测量残余误差(或电流误差)并且在320处调节乘法补偿系数和加法补偿系数，来执行乘法补偿系数和加法补偿系数的自适应调节。

如本文中所使用的，某物的“一部分”是指该物的“至少一些”，并且因此可能是指少于该物的全部或是指全部。因此，事物的“一部分”包括作为特例的整个事物，即，整个事物是事物的一部分的示例。如本文中所使用的，术语“矩形”包括作为特例的正方形，即，正方形是矩形的示例，并且术语“矩形的”涵盖形容词“正方形的”。如本文中所使用的，当第二个数字在第一个数字的“Y％内”时，这意味着第二个数字至少是第一个数字的(1-Y/100)倍，并且第二个数字最多是第一个数字的(1+Y/100)倍。如本文中所使用的，术语“或”应被解释为“和/或”，使得例如“A或B”表示“A”、“B”和“A和B”中的任何一个。

术语“处理电路”或“用于处理的装置”在本文中用于指用于处理数据或数字信号的硬件、固件和软件的任何组合。处理电路硬件可以包括例如专用集成电路(ASIC)、通用或专用中央处理单元(CPU)、数字信号处理器(DSP)、图形处理单元(GPU)以及诸如现场可编程门阵列(FPGA)的可编程逻辑设备。在本文所使用的处理电路中，每个功能都可以通过被配置(即硬连线)成执行该功能的硬件来执行，或者通过被配置成执行存储在非暂时性存储介质中的指令的更通用的硬件(例如，CPU)来执行。处理电路可以被制造在单个印刷电路板(PCB)上，或者也可以被分布在若干互连的PCB之上。处理电路可以包含其他处理电路；例如，处理电路可以包括互连在PCB上的两个处理电路FPGA和CPU。

如本文中所使用的，当方法(例如，调节)或第一数量(例如，第一变量)被称为“基于”第二数量(例如，第二变量)时，这意味着第二数量是方法的输入或影响第一数量，例如，第二数量可以是计算第一数量的函数的输入(例如，唯一输入或若干输入中的一个)，或者，第一数量可以等于第二数量，或者第一数量可以与第二数量相同(例如，与第二数量存储在存储器中相同位置处)。

将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可用于描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分。因此，本文中所讨论的第一元件、部件、区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分，而不脱离本发明构思的精神和范围。

本文中使用的术语仅出于描述特定实施例的目的，并且不旨在限制本发明构思。如本文中所使用的，术语“基本”、“约”和类似术语被用作近似术语而不是程度术语，并且旨在考虑本领域普通技术人员将认识到的测量或计算值的固有偏差。

如本文中所使用的，除非上下文另外明确指示，否则单数形式“一”也旨在包括复数形式。将进一步理解的是，术语“包含”和/或“包括”在本说明书中使用时，指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关联的列出的项目中的一个或多个的任何和所有组合。诸如“中的至少一个”的表达在位于一列元件之后时修饰整列元件，而不修饰该列的单个元件。进一步，当描述本发明构思的实施例时，“可以”的使用是指“本公开的一个或多个实施例”。另外，术语“示例性”旨在指示例或图示。如本文中所使用的，术语“使用”及其变型可以被认为与术语“利用”及其变型分别同义。

将理解的是，当元件或层被称为位于另一元件或层“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件或层时，该元件或层可直接位于另一元件或层上，直接连接到或耦接到另一元件或层，或者可存在一个或多个中间元件或层。相反，当元件或层被称为“直接位于”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件或层时，则不存在中间元件或层。

本文叙述的任意数值范围旨在包括含在所叙述的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”或“1.0与10.0之间”的范围旨在包括所叙述的最小值1.0与所叙述的最大值10.0之间(包括两者)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如，例如，2.4至7.6。本文所叙述的任意最大数值限制旨在包括含在内的所有更小数值限制，并且本说明书中所叙述的任意最小数值限制旨在包括含在内的所有更大数值限制。

尽管本文已经具体描述和图示了用于晶体管参数估计的系统和方法的示例性实施例，但很多修改和改变对于本领域技术人员将是显而易见的。因此，将理解，根据本公开的原理构建的用于晶体管参数估计的系统和方法可以以除了在本文中具体描述的方式来体现。本发明还限定在所附权利要求书及其等同物中。

Claims (14)

1.一种用于设置晶体管的第一补偿系数的方法，所述方法包括：

确定多个测得的晶体管电流，每个测得的晶体管电流在多个晶体管控制电压的相应一个下确定；

基于所述测得的晶体管电流和所述晶体管控制电压设置所述第一补偿系数；

设置第二补偿系数；以及

基于所述第一补偿系数和所述第二补偿系数，调节被施加到所述晶体管的栅极的电压，所述电压与颜色值相对应，

其中：

所述第一补偿系数和所述第二补偿系数的所述设置包括估计所述晶体管的参数；

所述第一补偿系数是乘法补偿系数；

所述第二补偿系数是加法补偿系数；并且

所述乘法补偿系数和所述加法补偿系数的所述设置包括估计所述晶体管的多个参数，

其中，所述多个参数包括阿尔法、阈值电压和迁移率，

其中，所述晶体管的所述多个参数的所述估计包括求解两个参数的两个方程，所述两个参数是所述阿尔法和所述阈值电压，

其中，所述两个方程中的每一个仅取决于所述晶体管的所述参数中的所述阿尔法和所述阈值电压。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

具有在下面值的50％以内的值

其中：

I₁是所述多个测得的晶体管电流中的第一电流，

I₂是所述多个测得的晶体管电流中的第二电流，

I₄是所述多个测得的晶体管电流中的第四电流，

Vgs₁是所述多个晶体管控制电压中的与所述第一电流相对应的晶体管控制电压，

Vgs₂是所述多个晶体管控制电压中的与所述第二电流相对应的晶体管控制电压，

Vgs₄是所述多个晶体管控制电压中的与所述第四电流相对应的晶体管控制电压，

V_th是所述阈值电压，并且

α是所述阿尔法。

3.根据权利要求1所述的方法，其中：

具有在下面值的50％以内的值

其中：

I₁是所述多个测得的晶体管电流中的第一电流，

I₂是所述多个测得的晶体管电流中的第二电流，

Vgs₁是所述多个晶体管控制电压中的与所述第一电流相对应的晶体管控制电压，

Vgs₂是所述多个晶体管控制电压中的与所述第二电流相对应的晶体管控制电压，

V_th是所述阈值电压，并且

α是所述阿尔法。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述求解包括得到所述阿尔法和所述阈值电压的近似数值解，所述近似数值解在满足所述两个方程的程度上使误差的测量结果最小化。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括基于所述阿尔法和所述阈值电压以最小二乘拟合来求解所述迁移率。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述参数进一步包括偏置电流。

7.根据权利要求6所述的方法，进一步包括基于所述阿尔法、所述阈值电压和所述迁移率以最小二乘拟合来求解所述偏置电流。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述晶体管的所述多个参数的所述估计包括求解所述阈值电压的一个方程，其中所述方程仅取决于所述晶体管的所述参数中的所述阈值电压。

9.根据权利要求8所述的方法，其中：

具有在下面值的50％以内的值

其中：

I₁是所述多个测得的晶体管电流中的第一电流，

I₂是所述多个测得的晶体管电流中的第二电流，

I₃是所述多个测得的晶体管电流中的第三电流，

I₄是所述多个测得的晶体管电流中的第四电流，

Vgs₁是所述多个晶体管控制电压中的与所述第一电流相对应的晶体管控制电压，

Vgs₂是所述多个晶体管控制电压中的与所述第二电流相对应的晶体管控制电压，

Vgs₃是所述多个晶体管控制电压中的与所述第三电流相对应的晶体管控制电压，

Vgs₄是所述多个晶体管控制电压中的与所述第四电流相对应的晶体管控制电压，并且

V_th是所述阈值电压。

10.根据权利要求1所述的方法，进一步包括将所述加法补偿系数设置成在与为零的有效阈值电压相对应的值的20％以内的值。

11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括将所述乘法补偿系数设置成在与等于参考迁移率的有效迁移率相对应的值的20％以内的值。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述方法进一步包括：

基于以下各项设置被施加到所述栅极的所述电压：

所述乘法补偿系数，

所述加法补偿系数，和

所述颜色值，

测量以下各项之间的差：

由所述晶体管驱动的电流，与

参考电流；以及

基于所述差调节所述乘法补偿系数和所述加法补偿系数。

13.一种用于晶体管参数估计的系统，包括：

处理电路；

电源；

发光器件；以及

连接在所述电源与所述发光器件之间的晶体管，

所述处理电路被配置成：

确定多个测得的晶体管电流，每个测得的晶体管电流在多个晶体管控制电压的相应一个下确定；

基于所述测得的晶体管电流和所述晶体管控制电压设置第一补偿系数；并且

设置第二补偿系数，

其中：

所述第一补偿系数和所述第二补偿系数的所述设置包括估计所述晶体管的参数；

所述第一补偿系数是乘法补偿系数；

所述第二补偿系数是加法补偿系数；

所述乘法补偿系数和所述加法补偿系数的所述设置包括估计所述晶体管的多个参数；并且

所述参数包括阿尔法、阈值电压和迁移率，

其中，所述晶体管的所述多个参数的所述估计包括求解两个参数的两个方程，所述两个参数是所述阿尔法和所述阈值电压，其中所述两个方程中的每一个仅取决于所述晶体管的所述参数中的所述阿尔法和所述阈值电压。

14.一种用于晶体管参数估计的系统，包括：

用于处理的装置；

电源；

发光器件；以及

连接在所述电源与所述发光器件之间的晶体管，

所述用于处理的装置被配置成：

确定多个测得的晶体管电流，每个测得的晶体管电流在多个晶体管控制电压的相应一个下确定；

基于所述测得的晶体管电流和所述晶体管控制电压设置第一补偿系数；并且

设置第二补偿系数，

其中：

所述第一补偿系数和所述第二补偿系数的所述设置包括估计所述晶体管的参数；

所述第一补偿系数是乘法补偿系数；

所述第二补偿系数是加法补偿系数；

所述乘法补偿系数和所述加法补偿系数的所述设置包括估计所述晶体管的多个参数；并且

所述参数包括阿尔法、阈值电压和迁移率，

其中，所述晶体管的所述多个参数的所述估计包括求解两个参数的两个方程，所述两个参数是所述阿尔法和所述阈值电压，其中所述两个方程中的每一个仅取决于所述晶体管的所述参数中的所述阿尔法和所述阈值电压。