CN114078939A - 显示装置及其制造设备 - Google Patents

Abstract

提供了一种显示装置及其制造设备。所述显示装置包括电极、设置在电极上的保护层以及设置在保护层上的封装有机层。在第一区域中，封装有机层的边缘与电极的边缘间隔第一距离，并且封装有机层的边缘与保护层的边缘间隔第二距离。在第二区域中，封装有机层的边缘设置在电极的边缘与保护层的边缘之间。在第二区域中，封装有机层的边缘与电极的边缘间隔大于第一距离的第三距离，并且封装有机层的边缘与保护层的边缘间隔大于第二距离的第四距离。

Description

显示装置及其制造设备

技术领域

这里的发明构思涉及一种显示装置及其制造设备，更具体地，涉及一种具有检查区域的显示装置以及包括能够提供包括检查区域的显示装置的掩模的制造设备。

背景技术

已经开发了用于多媒体装置(诸如电视、移动电话、平板电脑、导航单元或游戏控制台)的各种显示装置。显示装置的示例是发光显示装置。通常，发光元件设置在发光显示装置的每个像素中。

发光显示装置包括导电图案和多个绝缘层。导电图案可以设置在多个绝缘层之间。可以依次地层叠两个或更多个绝缘层。

发明内容

发明构思的实施例提供了一种包括绝缘层的检查区域的显示装置。

发明构思的实施例也提供了包括能够提供包括检查区域的显示装置的掩模的制造设备。

根据发明构思的实施例，显示装置包括：基体层，在平面上基体层包括显示区域和设置在显示区域的外侧处的非显示区域；第一电极，设置在显示区域上；发光层，设置在第一电极上；第二电极，与显示区域和非显示区域叠置并且设置在发光层上；保护层，与显示区域和非显示区域叠置并且设置在第二电极上；以及薄膜封装层，与显示区域和非显示区域叠置，设置在保护层上，并且包括封装有机层。非显示区域包括第一区域和第二区域。在第一区域中，封装有机层的边缘与第二电极的边缘间隔第一距离，并且封装有机层的边缘与保护层的边缘间隔第二距离。在第二区域中，封装有机层的边缘设置在第二电极的边缘与保护层的边缘之间。在第二区域中，封装有机层的边缘与第二电极的边缘间隔第三距离，封装有机层的边缘与保护层的边缘间隔第四距离。第三距离大于第一距离，第四距离大于第二距离。

在发明构思的实施例中，在第一区域和第二区域中，封装有机层的边缘可以基本上是线型的。

在发明构思的实施例中，保护层的边缘可以在第二区域中包括朝向显示区域凹陷的凹区。第二电极的边缘可以在第二区域中包括朝向基体层的边缘突出的凸区。

在发明构思的实施例中，保护层的边缘的凹区可以在第二区域中具有小于或等于约200μm的最大宽度，第二电极的边缘的凸区可以在第二区域中具有小于或等于约200μm的最大宽度。

在发明构思的实施例中，在第一区域中，保护层的边缘可以设置为在第二电极的边缘、保护层的边缘和封装有机层的边缘之中最靠近基体层的边缘，并且在第一区域中，封装有机层的边缘可以设置为在第二电极的边缘、保护层的边缘和封装有机层的边缘之中距基体层的边缘最远。

在发明构思的实施例中，薄膜封装层还可以包括第一封装无机层和第二封装无机层，并且封装有机层可以在基体层的厚度方向上设置在第一封装无机层与第二封装无机层之间。

在发明构思的实施例中，第一封装无机层的边缘和第二封装无机层的边缘在第一区域和第二区域中可以基本上是线型的。

在发明构思的实施例中，第一封装无机层的边缘和第二封装无机层的边缘中的每个可以在第一区域和第二区域中比封装有机层的边缘靠近基体层的边缘。

在发明构思的实施例中，保护层可以包括有机材料。

在发明构思的实施例中，显示装置包括：基体层，在平面上基体层包括显示区域和设置在显示区域的外侧处的非显示区域；第一电极，设置在显示区域上；发光层，设置为与第一电极对应；第二电极，与显示区域和非显示区域叠置并且设置在发光层上；保护层，与显示区域和非显示区域叠置并且设置在第二电极上；以及薄膜封装层，与显示区域和非显示区域叠置，并且包括第一封装无机层、设置在第一封装无机层上的封装有机层以及设置在封装有机层上的第二封装无机层。在非显示区域中，保护层的边缘包括朝向显示区域凹陷的凹区，第二电极的边缘包括朝向基体层的边缘突出的凸区。凹区和凸区在第一方向上彼此对准，并且在第一方向上，封装有机层的边缘设置在保护层的边缘的凹区的边缘与第二电极的边缘的凸区的边缘之间。

在发明构思的实施例中，制造设备包括：第一掩模，被配置为在工作基底的单元区域中的每个上沉积第一材料；以及第二掩模，被配置为在工作基底的单元区域中的每个上沉积第二材料。第一掩模包括包含第一元件和第二元件的第一掩模片，并且第一元件和第二元件限定与单元区域对应的多个第一沉积开口，第二掩模包括包含第三元件和第四元件的第二掩模片，并且第三元件和第四元件限定与单元区域对应的多个第二沉积开口。第一元件和第三元件均在第一方向上延伸，第二元件和第四元件均在与第一方向交叉的第二方向上延伸。在平面上，凹区设置在第一元件中的至少每个中或者在第二元件中的至少每个中。在平面上，凸区在对应于凹区的位置处设置在第三元件中的至少每个中或者第四元件中的至少每个中。

在发明构思的实施例中，第一掩模还可以包括结合到第一掩模片的第一框架，第二掩模还可以包括结合到第二掩模片的第二框架。

在发明构思的实施例中，第一掩模片和第一框架可以包括彼此相同的材料。

在发明构思的实施例中，至少第一元件或至少第二元件可以包括具有第一厚度的第一区和具有小于第一厚度的第二厚度的第二区。

在发明构思的实施例中，凹区可以设置在第一区的与第二区相对的一侧处。

在发明构思的实施例中，第一元件中的每个可以具有大于第二元件中的每个的长度的长度。

在发明构思的实施例中，多个第一沉积开口中的每个可以具有第一表面面积，多个第二沉积开口中的每个可以具有不同于第一表面面积的第二表面面积。

在发明构思的实施例中，第一材料可以包括金属材料，第二材料可以包括有机材料。

在发明构思的实施例中，制造设备还可以包括被配置为在工作基底的单元区域中的每个上沉积第三材料的第三掩模。第三掩模可以包括第五元件和第六元件，并且第五元件和第六元件可以限定与单元区域对应的多个第三沉积开口。

在发明构思的实施例中，第五元件中的每个可以具有均匀的宽度，第六元件中的每个可以具有均匀的宽度。

根据发明构思的实施例，显示装置包括：基体层，在平面上基体层包括显示区域和设置在显示区域的外侧处的非显示区域；电极，与显示区域和非显示区域叠置；保护层，与显示区域和非显示区域叠置并且设置在电极上；以及薄膜封装层，与显示区域和非显示区域叠置，并且包括第一封装无机层、第二封装无机层以及在显示装置的厚度方向上设置在第一封装无机层与第二封装无机层之间的封装有机层。显示装置包括第一区域和第二区域。在第一区域和第二区域中，第一封装无机层的边缘和第二封装无机层的边缘在与厚度方向交叉的第一方向上设置在基体层的边缘与封装有机层的边缘之间。在第一区域中，电极的边缘在第一方向上设置在保护层的边缘与封装有机层的边缘之间。在第二区域中，封装有机层的边缘在第一方向上设置在电极的边缘与保护层的边缘之间。

附图说明

通过参考附图详细描述发明构思的示例性实施例将更全面地理解发明构思的以上和其他特征。

图1是根据发明构思的实施例的显示装置的透视图。

图2是根据发明构思的实施例的图1的显示装置的剖视图。

图3是根据发明构思的实施例的图1的显示装置的剖视图。

图4A是示出根据发明构思的实施例的图1的显示装置的部分区域的平面图。

图4B是根据发明构思的实施例的图4A的显示装置的部分区域的剖视图。

图4C是根据发明构思的实施例的图4A的显示装置的部分区域的剖视图。

图5是示出根据发明构思的实施例的制造设备的视图。

图6是根据发明构思的实施例的掩模的分解透视图。

图7A和图7B是比较地示出根据发明构思的实施例的第一掩模和第二掩模的平面图。

图8A是示出根据发明构思的实施例的第一掩模的一部分的放大平面图。

图8B是示出根据发明构思的实施例的图8A的第一掩模的一部分的剖视图。

图9A是示出根据发明构思的实施例的第二掩模的一部分的放大平面图。

图9B是示出根据发明构思的实施例的图9A的第二掩模的一部分的剖视图。

具体实施方式

下面将参照附图更全面地描述发明构思的实施例。贯穿本申请，同样的附图标记可以指代同样的元件。

将理解的是，当诸如区域、层或部分的元件被称为在另一元件“上”时，该元件可以直接在另一元件上，或者也可以存在中间元件。

另外，在附图中，为了清楚说明，可能夸大了组件的厚度、比例和尺寸。为了便于描述，这里可以使用诸如“在……下方”、“下”、“在……上方”和“上”的空间相对术语来描述如附图中所示的元件和/或特征与另一元件和/或特征的关系。术语可以是相对概念，并且基于附图中表示的方向来描述。

“包括”或“包含”的含义指定了性质、区域、固定数量、步骤、工艺、元件和/或组件，但不排除其他性质、区域、固定数量、步骤、工艺、元件和/或组件。

图1是示出根据发明构思的实施例的显示装置的透视图。图2是示出根据发明构思的实施例的图1的显示装置的剖视图。图3是示出根据发明构思的实施例的图1的显示装置的剖视图。图2示出了与像素PX对应的剖面，图3示出了沿着图1的线I-I'截取的剖面。

如图1中所示，在由第一方向轴DR1和与第一方向轴DR1交叉的第二方向轴DR2限定的平面上，显示装置DD包括显示区域DA和设置在显示区域DA外部的非显示区域NDA。显示装置DD的厚度方向指示与第一方向轴DR1和第二方向轴DR2交叉的第三方向轴DR3。每个部件的前表面(或顶表面)和后表面(或底表面)通过第三方向轴DR3来区分。然而，由第一方向轴DR1、第二方向轴DR2和第三方向轴DR3指示的方向可以是相对概念并且相对于彼此转换。在下文中，第一方向至第三方向是分别由第一方向轴DR1、第二方向轴DR2和第三方向轴DR3指示并分别由与第一方向轴、第二方向轴和第三方向轴的附图标记相同的附图标记表示的方向。

根据本实施例的显示装置DD可以是平面刚性显示装置。然而，发明构思不限于此。例如，根据发明构思的实施例的显示装置DD可以是柔性显示装置。根据发明构思的实施例的显示装置DD可以用于诸如电视或监视器的大尺寸电子装置，以及诸如移动电话、平板电脑或用于车辆的导航单元、游戏控制台和智能手表的中小尺寸电子装置。

如图1中所示，多个像素PX可以设置在显示区域DA中。像素PX不设置在非显示区域NDA中。

图2示出了与像素PX的部分区域对应的剖面。像素PX可以包括显示元件和允许显示元件操作的驱动电路。显示元件可以是发光元件且包括发光二极管。驱动电路可以包括多个晶体管和至少一个电容器。图2示例性地示出了作为发光元件的有机发光二极管OLED和作为驱动电路的一个晶体管TR。

显示装置DD包括基体层SUB、电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OLED和上绝缘层TFL。基体层SUB可以包括合成树脂层。合成树脂层设置在当制造显示装置DD时使用的支撑基底上。此后，在合成树脂层上设置导电层、绝缘层等。当去除支撑基底时，合成树脂层与基体层SUB对应。

电路元件层DP-CL包括至少一个无机层、至少一个有机层和电路元件。电路元件层DP-CL可以包括第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30以及作为无机层的缓冲层BFL。第一绝缘层10和第二绝缘层20中的每个可以包括无机层，第三绝缘层30可以包括有机层。

半导体图案设置在缓冲层BFL上。半导体图案可以包括硅半导体。半导体图案可以包括多晶硅。然而，发明构思不限于此。例如，半导体图案可以包括非晶硅或金属氧化物半导体。

半导体图案具有根据其是否被掺杂而不同的电性质。半导体图案可以包括第一区域和与第一区域不同的第二区域。第一区域可以掺杂有n-型掺杂剂或p-型掺杂剂。p型晶体管包括掺杂有p-型掺杂剂的掺杂区域。

第一区域具有大于第二区域的导电率的导电率，并且基本上用作电极或信号线。第二区域基本上与晶体管的有源区(或沟道)对应。换句话说，半导体图案的一部分可以是晶体管的有源区(或沟道)，另一部分可以是晶体管的源极(或输入电极区)或漏极(或输出电极区)，另一部分可以是连接信号线(或连接电极)。

如图2中所示，由半导体图案来设置晶体管TR的源极ES1、有源区EA1和漏极ED1。晶体管TR可以通过不同的导电结构连接到有机发光二极管OLED。例如，驱动电路可以包括多个晶体管，另一晶体管可以直接连接到有机发光二极管OLED。

控制电极EG1设置在第一绝缘层10上以与有源区EA1叠置。第二绝缘层20覆盖控制电极EG1。

显示元件层DP-OLED设置在第三绝缘层30上。显示元件层DP-OLED可以包括像素限定层PDL和有机发光二极管OLED。像素限定层PDL可以包括有机材料。第一电极AE设置在第三绝缘层30上。开口OP限定在像素限定层PDL中。像素限定层PDL的开口OP暴露第一电极AE的至少一部分。

第一电极AE的暴露的部分可以被称为发光区域PXA。非发光区域NPXA可以设置为与发光区域PXA相邻。空穴控制层HCL可以共同设置在发光区域PXA和非发光区域NPXA上，例如，设置在发光区域PXA和非发光区域NPXA两者上。空穴控制层HCL包括空穴传输层。空穴控制层HCL还可以包括空穴注入层。诸如空穴控制层HCL的公共层可以共同设置在多个像素PX(参照图1)中。

发光层EML设置在空穴控制层HCL上。发光层EML可以设置在与开口OP对应的区域上。在发明构思的本实施例中，发光层EML可以被划分并设置在多个像素PX中的每个中。发光层EML可以包括有机材料和/或无机材料。尽管在本实施例中示例性地示出了图案化的发光层EML，但是发光层EML可以共同设置在多个像素PX(参照图1)中。在这种情况下，发光层EML可以产生白光或蓝光。

电子控制层ECL设置在发光层EML上。电子控制层ECL可以共同设置在多个像素PX(参照图1)中。电子控制层ECL包括电子传输层。电子控制层ECL还可以包括电子注入层。

第二电极CE设置在电子控制层ECL上。第二电极CE共同设置在多个像素PX(参照图1)中。

上绝缘层TFL设置在第二电极CE上。上绝缘层TFL可以包括保护层CPL和薄膜封装层TFE。保护层CPL直接覆盖第二电极CE并在随后的工艺中保护第二电极CE。保护层CPL可以包括有机材料。

薄膜封装层TFE共同设置在多个像素PX(参照图1)中。薄膜封装层TFE包括多个绝缘层。薄膜封装层TFE保护有机发光二极管OLED免受湿气和外来物质的影响。

在图3中，由于设置在显示区域DA中的电路元件层DP-CL和显示元件层DP-OLED具有与参照图2描述的构造相同的构造，因此将省略其详细描述。空穴控制层HCL和电子控制层ECL未在图3中示出。

尽管图3仅示出了在第二方向DR2上的一侧处的剖面，但是在第二方向DR2上的另一侧处的剖面可以与图3中的剖面对称。这里，对称性是关于在下面描述的边缘的比较关系的对称，而不是数学上的对称特征。在下文中，当将一边缘与另一边缘进行比较时，将理解的是，靠近显示区域DA的边缘设置在内侧处，远离显示区域DA的边缘设置在外侧处。

缓冲层BFL、第一绝缘层10、第二绝缘层20和第三绝缘层30与基体层SUB的显示区域DA和非显示区域NDA叠置。基体层SUB的边缘设置在最外侧处。示例性地示出了缓冲层BFL的与基体层SUB的边缘对准的边缘。示例性地示出了第一绝缘层10和第二绝缘层20的对准的边缘。第三绝缘层30的边缘可以设置在上述边缘之中的最内侧处。像素限定层PDL的边缘可以设置在进一步的内侧处。像素限定层PDL的边缘与非显示区域NDA叠置。

坝部DMP可以设置在第三绝缘层30的边缘的外侧处。坝部DMP可以具有多层结构。可以通过与第三绝缘层30相同的工艺设置下部DM1，可以通过与像素限定层PDL相同的工艺设置上部DM2。在形成稍后将描述的封装有机层OL的工艺中，坝部DMP限制液化的有机材料以防止扩散到外部。

薄膜封装层TFE可以包括依次层叠的第一封装无机层IOL1、封装有机层OL和第二封装无机层IOL2。换句话说，封装有机层OL可以在显示装置DD的厚度方向(例如，DR3)上设置在第一封装无机层IOL1与第二封装无机层IOL2之间。与封装有机层OL的边缘相比，第一封装无机层IOL1和第二封装无机层IOL2中的每个的边缘可以进一步设置在外侧处。第一封装无机层IOL1和第二封装无机层IOL2可以与坝部DMP叠置。与第一绝缘层10和第二绝缘层20中的每个的边缘相比，第一封装无机层IOL1和第二封装无机层IOL2中的每个的边缘可以进一步设置在内侧处。

参照图3，封装有机层OL、第二电极CE和保护层CPL与显示区域DA和非显示区域NDA叠置。参照图3中的预定区域BB，可以知道封装有机层OL、第二电极CE和保护层CPL的边缘未对准，而是设置为彼此相邻。这意味着封装有机层OL、第二电极CE和保护层CPL的边缘通过裸眼几乎不可区分。第二电极CE和保护层CPL可以通过沉积方法设置，封装有机层OL可以通过喷墨方法设置。由于边缘几乎不可区分，因此可能发生难以区分(例如，识别)制造缺陷的限制。在下文中，将详细描述根据发明构思的实施例的显示装置DD的可区分的检查区域。

图4A是示出根据发明构思的实施例的图1的显示装置的部分区域AA的平面图。图4B是根据发明构思的实施例的沿着图4A的显示装置的部分区域AA的线II-II'截取的剖视图。图4C是根据发明构思的实施例的沿着图4A的显示装置的部分区域AA的线III-III'截取的剖视图。

在第一方向DR1上，非显示区域NDA可以包括第一区域R1和第二区域R2。在第一区域R1中，封装有机层OL、第二电极CE和保护层CPL的边缘设置为相对地更大程度地彼此相邻。在第二区域R2中，封装有机层OL、第二电极CE和保护层CPL的边缘设置为相对地更大程度地彼此远离。通过封装有机层OL、第二电极CE和保护层CPL的可区分的边缘，可以知道是否根据设计值适当地设置层。第二区域R2与上述检查区域对应。

参照图4A和图4B，封装有机层OL、第二电极CE和保护层CPL的边缘在第一区域R1中设置为彼此相邻。示例性地示出了保护层CPL的边缘设置在上述边缘之中的最外侧处，并且封装有机层OL的边缘设置在上述边缘之中的最内侧处。换句话说，保护层CPL的边缘最靠近基体层SUB的边缘SUB-E，封装有机层OL的边缘距基体层SUB的边缘SUB-E最远。这里，在第一区域R1中，封装有机层OL的边缘与第二电极CE的边缘间隔第一距离D1，封装有机层OL的边缘与保护层CPL的边缘间隔第二距离D2。换句话说，在第一区域R1中，第二电极CE的边缘在第二方向DR2上设置在保护层CPL的边缘与封装有机层OL的边缘之间。

参照图4A和图4C，封装有机层OL、第二电极CE和保护层CPL的边缘在第二区域R2中设置为相对地彼此远离。在上述三个边缘之中，第二电极CE的边缘设置在最外侧处，保护层CPL的边缘设置在最内侧处。换句话说，在上述三个边缘之中，第二电极CE的边缘最靠近基体层SUB的边缘SUB-E，保护层CPL的边缘距基体层SUB的边缘SUB-E最远。在第二区域R2中，封装有机层OL的边缘设置在第二电极CE的边缘与保护层CPL的边缘之间。这里，在第二区域R2中，封装有机层OL的边缘与第二电极CE的边缘间隔大于第一距离D1的第三距离D3，封装有机层OL的边缘与保护层CPL的边缘间隔大于第二距离D2的第四距离D4。换句话说，在第二区域R2中，封装有机层OL的边缘可以在第二方向DR2上设置在第二电极CE的边缘与保护层CPL的边缘之间。

因为在如图4A中所示的平面上第二电极CE的边缘和保护层CPL的边缘不是线型的，所以产生与第一距离D1不同的第三距离D3以及与第二距离D2不同的第四距离D4。然而，封装有机层OL的边缘在第一区域R1和第二区域R2中基本上是线型的。在第一区域R1和第二区域R2中，封装有机层OL的边缘与第一方向DR1平行。在第一区域R1和第二区域R2中，第一封装无机层IOL1和第二封装无机层IOL2中的每个的边缘可以是基本上线型的，并且设置为比封装有机层OL的边缘靠近基体层SUB的边缘SUB-E。换句话说，在第一区域R1和第二区域R2中，第一封装无机层IOL1和第二封装无机层IOL2的边缘可以在第二方向DR2上设置在基体层SUB的边缘SUB-E与封装有机层OL的边缘之间。

在第二区域R2中，保护层CPL的边缘可以包括朝向显示区域DA凹陷的凹区CPL-C，第二电极CE的边缘可以包括朝向基体层SUB的边缘SUB-E突出的凸区CE-C。通过上述检查区域，可以通过裸眼查验封装有机层OL的边缘。在第二区域R2中，可以确定封装有机层OL的边缘是否适当地设置在保护层CPL的边缘与第二电极CE的边缘之间，可以对通过喷墨工艺设置的封装有机层OL进行评估以确定封装有机层OL是否设置在误差范围内。

这里，由于凸区CE-C设置在第二电极CE中，因此不会减小第二电极CE的噪音屏蔽区域。参照图3，尽管与晶体管TR设置在同一层上的信号线设置在非显示区域NDA中，但是可以防止从信号线产生的信号引起噪声。由于凹区CPL-C设置在作为有机层的保护层CPL中，所以凹区CPL-C可以被第一封装无机层IOL1充分地密封。在图3中，第一封装无机层IOL1广泛地沉积以覆盖坝部DMP。在本发明的实施例中，即使第一封装无机层IOL1沉积得比图3中所示的稍窄，当保护层CPL被第一封装无机层IOL1密封时，也不会引起由凹区CPL-C导致的不利影响。

尽管第二电极CE的边缘的凸区CE-C的在第一方向DR1上的宽度比保护层CPL的边缘的凹区CPL-C的在第一方向DR1上的宽度窄，但是发明构思不限于此。例如，相反的情况可以是可能的，或者第二电极CE的边缘的凸区CE-C的在第一方向DR1上的宽度可以与保护层CPL的边缘的凹区CPL-C的在第一方向DR1上的宽度相同。在发明构思的实施例中，保护层CPL的边缘的凹区CPL-C的在第一方向DR1上的最大宽度可以小于或等于约200μm，第二电极CE的边缘的凸区CE-C的在第一方向DR1上的最大宽度可以小于或等于约200μm。在发明构思的实施例中，保护层CPL的边缘的凹区CPL-C的在第二方向DR2上的最大深度可以小于或等于约200μm，第二电极CE的边缘的凸区CE-C的在第二方向DR2上的最大深度可以小于或等于约200μm。

参照图4A，尽管保护层CPL的边缘的凹区CPL-C和保护层CPL的边缘的线型区域在第一方向DR1上是连续的，但是发明构思不限于此。例如，还可以在保护层CPL的边缘的凹区CPL-C与保护层CPL的边缘的线型区域之间设置边界区域。边界区域可以包括斜的边缘或弯曲的边缘。同样地，还可以在第二电极CE的边缘的凸区CE-C与第二电极CE的边缘的线型区域之间设置边界区域。

图5是示出根据发明构思的实施例的制造设备的视图。图6是根据发明构思的实施例的掩模的分解透视图。图7A和图7B是比较地示出根据发明构思的实施例的第一掩模和第二掩模的平面图。

图5示出了作为制造设备的示例的一个沉积设备FA。沉积设备FA可以用于形成参照图1至图3描述的显示装置DD的绝缘层或导电层(导电图案)。沉积设备FA包括沉积室CB、固定部件CM、设置在沉积室CB内部的沉积源DS以及设置在沉积室CB内部的掩模MSK。根据发明构思的实施例的制造设备可以包括图5中的多个沉积设备FA。制造设备还可以包括用于实现内联系统(in-line system)的附加机械装置。

沉积室CB可以将沉积条件设置为真空。沉积室CB可以包括底表面、顶表面和侧壁。沉积室CB的底表面可以基本上平行于由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的表面。沉积室CB的底表面的法线方向指示第三方向轴DR3。如上所讨论的，第一方向至第三方向可以是分别由第一方向轴DR1、第二方向轴DR2和第三方向轴DR3指示并且分别由与第一方向轴、第二方向轴和第三方向轴的附图标记相同的附图标记表示的方向。在下文中，表述“在平面上”表示基本上平行于由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的表面的表面。

固定部件CM设置在沉积室CB内部并且设置在沉积源DS上方以固定掩模MSK。固定部件CM可以安装在沉积室CB的顶表面上。固定部件CM可以包括夹持掩模MSK的夹具或机械臂。

固定部件CM可以包括主体部和结合到主体部的磁体。主体部可以包括作为用于固定掩模MSK的基体结构的板。然而，发明构思不限于此。磁体可以设置在主体部内部或外部。磁体可以通过使用磁力来固定掩模MSK。

沉积源DS可以使诸如有机材料、无机材料或金属材料的沉积材料蒸发以作为沉积蒸汽而被喷射。沉积蒸气穿过掩模MSK并以预定图案沉积在工作基底WS上。

掩模MSK设置在沉积室CB内部，并且设置在沉积源DS上方以支撑工作基底WS。掩模MSK包括多个沉积开口M-OP。工作基底WS包括对应于多个沉积开口M-OP的多个单元区域UA。当制造工艺完成时，多个单元区域UA中的每个最终构成参照图1至图3描述的显示装置DD。

工作基底WS可以包括玻璃基底或塑料基底。工作基底WS可以包括设置在基体基底上的合成树脂层。可以在用于制造显示装置DD的工艺的后半部分中去除基体基底，合成树脂层可以对应于图2中的基体层SUB。

参照图5和图6，掩模MSK可以包括限定开口F-OP的框架FM和结合到框架FM的掩模片MS。掩模片MS可以结合到(例如，焊接到)框架以与开口F-OP叠置。掩模片MS可以包括限定多个沉积开口M-OP的第一元件E1和第二元件E2。在发明构思的实施例中，作为纵向元件的第一元件E1在长度上大于作为横向元件的第二元件E2。然而，发明构思不限于此。

第一元件E1和第二元件E2可以彼此交叉并且彼此集成。在发明构思的实施例中，第一元件E1可以均在第一方向DR1上延伸，第二元件E2可以均在第二方向DR2上延伸。框架FM和掩模片MS可以包括例如因瓦合金的相同的材料。由于框架FM和掩模片MS具有相同的热膨胀系数，所以可以减少掩模MSK在沉积工艺中的变形。然而，发明构思不限于框架FM和掩模片MS中的每个的材料。在发明构思的实施例中，可以省略框架FM。可以通过增加掩模片MS的外元件的厚度来维持掩模片MS的形状。

可以使用多个掩模来制造参照图1至图3描述的显示装置DD。尽管为了说明掩模MSK的基本形状而示出了图6，但是所有的多个掩模可以与图6中的掩模MSK不同。例如，掩模可以包括具有不同表面面积的沉积开口。另外，掩模可以包括具有不同形状的沉积开口。

将参照图7A描述包括不同形状的沉积开口M-OP1和M-OP2的第一掩模MSK1和第二掩模MSK2。沉积开口M-OP1和M-OP2可以与单元区域UA对应。第一掩模MSK1可以用于提供参照图4A至图4C描述的第二电极CE，第二掩模MSK2可以用于提供参照图4A至图4C描述的保护层CPL。尽管在本实施例中第一掩模MSK1被描述为用于沉积作为第一材料的金属材料，并且第二掩模MSK2被描述为用于沉积作为第二材料的有机材料，但是发明构思不限于此。

第一掩模片MS1包括第一元件E1-1和第二元件E2-1，第二掩模片MS2包括第一元件E1-2和第二元件E2-2。在下文中，为了便于描述，第二掩模片MS2的第一元件E1-2和第二元件E2-2将被分别描述为第三元件和第四元件。第一掩模MSK1的沉积开口M-OP1中的每个可以具有与第二掩模MSK2的沉积开口M-OP2中的每个不同的表面面积。表面面积差引起保护层CPL的边缘与第二电极CE的边缘之间的如图4A中所示的距离。当第一掩模MSK1的沉积开口M-OP1中的每个具有第一表面面积时，第二掩模MSK2的沉积开口M-OP2中的每个可以具有略大于第一表面面积的第二表面面积。

如图7A中所示，凹区CCA限定在第一元件E1-1中，凸区CVA限定在第三元件E1-2中。凹区CCA和凸区CVA设置在彼此对应的位置处。当第一掩模片MS1和第二掩模片MS2彼此对准时，凹区CCA和凸区CVA设置在同一条线上。当凹区CCA和凸区CVA在一条线上对准时，设置在另一条线上的凹区CCA和凸区CVA也对准。

当通过使用第一掩模MSK1在图5中的沉积设备FA中在工作基底WS上沉积金属材料时，第二电极CE的凸区CE-C设置为与第一元件E1-1的凹区CCA对应。当通过使用第二掩模MSK2在不同的沉积设备FA中在工作基底WS上沉积有机材料时，保护层CPL的凹区CPL-C设置为与第三元件E1-2的凸区CVA对应。

尽管如图4A中所示第一掩模MSK1和第二掩模MSK2被描述为用于在沿第一方向DR1上延伸的区域中提供第二区域R2，但是为了在沿第二方向DR2延伸的区域中提供第二区域R2，可以分别针对第一掩模片MS1的第二元件E2-1和第二掩模片MS2的第四元件E2-2来提供凹区CCA和凸区CVA。

如图7B中所示，多个凹区CCA可以设置在沉积开口M-OP1中的每个中，多个凸区CVA可以设置在沉积开口M-OP2中的每个中。这里，示例性地示出了两个凹区CCA和两个凸区CVA。

另外，在图6中包括线型的第一元件E1和线型的第二元件E2的掩模MSK可以用于提供参照图4A至图4C描述的第一封装无机层IOL1和/或第二封装无机层IOL2。由于第一封装无机层IOL1和/或第二封装无机层IOL2中的每个不包括检查区域，因此凹区或凸区在用于提供第一封装无机层IOL1和第二封装无机层IOL2的掩模MSK中不是必需的。换句话说，第一元件E1和第二元件E2中的每个可以具有均匀的宽度。

图8A是示出根据发明构思的实施例的第一掩模的一部分的放大平面图。图8B是示出根据发明构思的实施例的图8A的第一掩模的一部分的剖视图。图8B示出了沿着图8A的线IV-IV'截取的剖面。图9A是示出根据发明构思的实施例的第二掩模的一部分的放大平面图。图9B是示出根据发明构思的实施例的图9A的第二掩模的一部分的剖视图。图9B示出了沿着图9A的线V-V'截取的剖面。

如图8A和图8B中所示，第一掩模MSK1的第一元件E1-1可以包括具有不同厚度的第一区E1-1A和第二区E1-1B。第一区E1-1A可以具有第一厚度，第二区E1-1B可以具有小于第一厚度的第二厚度。凹区CCA设置在第一区E1-1A的与第二区E1-1B相对的一侧处。限定凹区CCA的边缘在平面上包括弯曲区域。

如图9A和图9B中所示，第二掩模MSK2的第三元件E1-2可以包括具有不同厚度的第一区E1-2A和第二区E1-2B。第一区E1-2A可以具有第一厚度，第二区E1-2B可以具有小于第一厚度的第二厚度。凸区CVA设置在第一区E1-2A中。限定凸区CVA的边缘在平面上包括弯曲区域。弯曲区域可以通过使用激光对金属片进行加工来获得。

由于第一掩模MSK1和第二掩模MSK2中的每个包括第二区E1-1B或E1-2B，所以可以减小在工作基底WS与第一掩模MSK1和第二掩模MSK2中的每个之间的接触面积。参照图5，第一掩模MSK1和第二掩模MSK2中的每个的一部分可以与工作基底WS间隔开，而不是整个掩模接触工作基底WS。随着掩模与工作基底WS之间的接触面积减小，掩模的热变形可以减少。

根据发明构思的实施例，第一掩模MSK1的第二元件E2-1和第二掩模MSK2的第四元件E2-2中的每个可以包括具有不同厚度的区域。换句话说，第一掩模MSK1和第二掩模MSK2中的每个的纵向元件和横向元件中的至少一个可以具有具有不同厚度的区域。在发明构思的实施例中，第一掩模MSK1和第二掩模MSK2中的每个的纵向元件和横向元件可以具有彼此相同的厚度。

根据发明构思的实施例，沉积设备FA可以包括第三掩模，所述第三掩模被配置为在工作基底WS的单元区域UA中的每个上沉积第三材料。第三掩模可以包括第五元件和第六元件，第五元件和第六元件可以限定与单元区域UA对应的多个第三沉积开口。第五元件中的每个可以具有均匀的宽度，第六元件中的每个可以具有均匀的宽度。

如上所述，可以查验在检查区域中的层叠结构的边缘，以通过使用裸眼检查来确定是否产生封装有机层OL的缺陷。

由于凸区CE-C设置在第二电极CE中，因此不会降低第二电极CE的噪音屏蔽区域。因此，可以防止从显示面板产生的信号引起噪声。

另外，由于凹区CPL-C设置在作为有机层的保护层CPL中，所以凹区CPL-C可以被第一封装无机层IOL1充分密封。

尽管已经参照发明构思的示例性实施例示出和描述了发明构思，但是对于本领域普通技术人员将明显的是，在不脱离如由所附权利要求阐述的发明构思的精神和范围的情况下，可以对其进行形式和细节上的各种修改。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

基体层，在平面上所述基体层包括显示区域和设置在所述显示区域的外侧处的非显示区域；

第一电极，设置在所述显示区域上；

发光层，设置在所述第一电极上；

第二电极，与所述显示区域和所述非显示区域叠置并且设置在所述发光层上；

保护层，与所述显示区域和所述非显示区域叠置并且设置在所述第二电极上；以及

薄膜封装层，与所述显示区域和所述非显示区域叠置，设置在所述保护层上，并且包括封装有机层，

其中，所述非显示区域包括第一区域和第二区域，

在所述第一区域中，所述封装有机层的边缘与所述第二电极的边缘间隔第一距离，并且所述封装有机层的所述边缘与所述保护层的边缘间隔第二距离，

在所述第二区域中，所述封装有机层的所述边缘设置在所述第二电极的所述边缘与所述保护层的所述边缘之间，

在所述第二区域中，所述封装有机层的所述边缘与所述第二电极的所述边缘间隔第三距离，并且所述封装有机层的所述边缘与所述保护层的所述边缘间隔第四距离，

所述第三距离大于所述第一距离，并且

所述第四距离大于所述第二距离。

2.如权利要求1所述的显示装置，其中，在所述第一区域和所述第二区域中，所述封装有机层的所述边缘是线型的。

3.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述保护层的所述边缘在所述第二区域中包括朝向所述显示区域凹陷的凹区，并且

所述第二电极的所述边缘在所述第二区域中包括朝向所述基体层的边缘突出的凸区。

4.如权利要求3所述的显示装置，其中，所述保护层的所述边缘的所述凹区在所述第二区域中具有小于或等于200μm的最大宽度，并且

所述第二电极的所述边缘的所述凸区在所述第二区域中具有小于或等于200μm的最大宽度。

5.如权利要求1所述的显示装置，其中，在所述第一区域中，所述保护层的所述边缘设置为在所述第二电极的所述边缘、所述保护层的所述边缘和所述封装有机层的所述边缘之中最靠近所述基体层的边缘，并且

在所述第一区域中，所述封装有机层的所述边缘设置为在所述第二电极的所述边缘、所述保护层的所述边缘和所述封装有机层的所述边缘之中距所述基体层的所述边缘最远。

6.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述薄膜封装层还包括第一封装无机层和第二封装无机层，并且所述封装有机层在所述基体层的厚度方向上设置在所述第一封装无机层与所述第二封装无机层之间。

7.如权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一封装无机层的边缘和所述第二封装无机层的边缘在所述第一区域和所述第二区域中是线型的。

8.如权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一封装无机层的边缘和所述第二封装无机层的边缘中的每个在所述第一区域和所述第二区域中比所述封装有机层的所述边缘靠近所述基体层的边缘。

9.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述保护层包括有机材料。

10.一种显示装置，所述显示装置包括：

基体层，在平面上所述基体层包括显示区域和设置在所述显示区域的外侧处的非显示区域；

第一电极，设置在所述显示区域上；

发光层，设置为与所述第一电极对应；

第二电极，与所述显示区域和所述非显示区域叠置并且设置在所述发光层上；

保护层，与所述显示区域和所述非显示区域叠置并且设置在所述第二电极上；以及

薄膜封装层，与所述显示区域和所述非显示区域叠置，并且包括第一封装无机层、设置在所述第一封装无机层上的封装有机层以及设置在所述封装有机层上的第二封装无机层，

其中，在所述非显示区域中，所述保护层的边缘包括朝向所述显示区域凹陷的凹区，并且所述第二电极的边缘包括朝向所述基体层的边缘突出的凸区，并且

所述凹区和所述凸区在第一方向上彼此对准，并且在所述第一方向上，所述封装有机层的边缘设置在所述保护层的所述边缘的所述凹区的边缘与所述第二电极的所述边缘的所述凸区的边缘之间。

11.一种制造设备，所述制造设备包括：

第一掩模，被配置为在工作基底的单元区域中的每个上沉积第一材料；以及

第二掩模，被配置为在所述工作基底的所述单元区域中的每个上沉积第二材料，

其中，所述第一掩模包括包含第一元件和第二元件的第一掩模片，并且所述第一元件和所述第二元件限定与所述单元区域对应的多个第一沉积开口，

所述第二掩模包括包含第三元件和第四元件的第二掩模片，并且所述第三元件和所述第四元件限定与所述单元区域对应的多个第二沉积开口，

所述第一元件和所述第三元件均在第一方向上延伸，并且所述第二元件和所述第四元件均在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，

在平面上，凹区设置在所述第一元件中的至少每个中或者在所述第二元件中的至少每个中，并且

在所述平面上，凸区在对应于所述凹区的位置处设置在所述第三元件中的至少每个中或者所述第四元件中的至少每个中。

12.如权利要求11所述的制造设备，其中，所述第一掩模还包括结合到所述第一掩模片的第一框架，并且

所述第二掩模还包括结合到所述第二掩模片的第二框架。

13.如权利要求12所述的制造设备，其中，所述第一掩模片和所述第一框架包括彼此相同的材料。

14.如权利要求11所述的制造设备，其中，至少所述第一元件或至少所述第二元件包括具有第一厚度的第一区和具有小于所述第一厚度的第二厚度的第二区。

15.如权利要求14所述的制造设备，其中，所述凹区设置在所述第一区的与所述第二区相对的一侧处。

16.如权利要求11所述的制造设备，其中，所述第一元件中的每个具有大于所述第二元件中的每个的长度的长度。

17.如权利要求11所述的制造设备，其中，所述多个第一沉积开口中的每个具有第一表面面积，并且所述多个第二沉积开口中的每个具有不同于所述第一表面面积的第二表面面积。

18.如权利要求11所述的制造设备，其中，所述第一材料包括金属材料，并且所述第二材料包括有机材料。

19.如权利要求11所述的制造设备，所述制造设备还包括被配置为在所述工作基底的所述单元区域中的每个上沉积第三材料的第三掩模，

其中，所述第三掩模包括第五元件和第六元件，并且所述第五元件和所述第六元件限定与所述单元区域对应的多个第三沉积开口。

20.如权利要求19所述的制造设备，其中，所述第五元件中的每个具有均匀的宽度，并且所述第六元件中的每个具有均匀的宽度。

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