CN114078902A - 一种显示装置、其制作方法及像素界定层的制作方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 324
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 97
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 32
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- 239000005871 repellent Substances 0.000 claims description 23
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 19
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 8
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 7
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 7
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 5
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 5
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 claims 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 claims 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical group FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 54
- 239000010408 film Substances 0.000 description 36
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 23
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 poly (p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHMICKWLTGFITH-UHFFFAOYSA-N 2H-isoindole Chemical compound C1=CC=CC2=CNC=C21 VHMICKWLTGFITH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010981 drying operation Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910017053 inorganic salt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- ZTLUNQYQSIQSFK-UHFFFAOYSA-N n-[4-(4-aminophenyl)phenyl]naphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 ZTLUNQYQSIQSFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 150000003513 tertiary aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Abstract
本发明公开了一种显示装置、其制作方法及像素界定层的制作方法，每次在像素区域内喷墨打印功能层或发光层之前，对像素界定层远离基板的部分区域进行疏液性处理，从而使得像素界定层的上半部分具有疏液性，阻挡墨水溢出像素区域；同时本发明实施例不仅对像素界定层的顶部进行疏液性处理，还可以对侧壁上半部分的不同深度也相应地进行疏液性处理，从而避免打印的墨水在像素界定层的侧壁上造成粘连而造成的膜层边缘高中间低的情形，由此保证膜层的平整性。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示装置、其制作方法及像素界定层的制作方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)具有能耗低、响应速度快、视角宽、更轻薄且具有柔韧性等优点，是一种极具潜力的显示技术。
喷墨打印法制作OLED器件可以有效降低成本，在应用于大面积显示装置领域具有明显优势。喷墨打印过程中，打印墨水的浸润性和铺展性决定了成膜质量，对器件性能影响至关重要。在理想状态下，打印墨水需要平整铺展在像素界定层分隔出的像素区域内，且像素界定层的上部还需要具有疏液性，避免打印墨水溢出像素区域造成污染和混色。
然而目前的像素界定层仅在其上表面具有疏液性，在完成第一层功能层的打印和干燥后，像素界定层的疏液性通常已消失或明显减弱，在打印其它功能层的墨水时，像素界定层无法有效阻挡墨水溢出。
发明内容
本发明一些实施例中，每次在像素区域内喷墨打印功能层或发光层之前，对像素界定层远离基板的部分区域进行疏液性处理，从而使得像素界定层的上半部分具有疏液性，阻挡墨水溢出像素区域；同时本发明实施例不仅对像素界定层的顶部进行疏液性处理，还可以对侧壁上半部分的不同深度也相应地进行疏液性处理，从而避免打印的墨水在像素界定层的侧辟上造成粘连而造成的膜层边缘高中间低的情形，由此保证膜层的平整性。
本发明一些实施例中，对像素界定层进行疏液性处理之前，在像素界定层背离基板的一侧设置一个掩膜板，该掩膜板将像素区域和像素界定层的下半部分挡住，对应像素界定层的上半部分具有开口，像素界定层背离基板的上半部分会插入至掩膜板的开口中。当设置好掩膜板的位置之后，再对掩膜板所暴露出的像素界定层进行疏液性处理。这样可以使像素界定层的顶部以及侧壁的上半部分均具有疏液性，而在像素区域以及被掩膜板所遮挡的像素界定层的下半部分仍然保持亲液性。在经过这样的疏液性处理之后，像素区域内已形成的功能层或发光层不会被破坏，且在已形成的功能层上继续打印墨水时，像素区域内的膜层具有亲液性，可以保证墨水在像素区域内平整铺展；像素界定层具有疏液性，可以避免打印墨水溢出像素区域造成污染和混色。
本发明一些实施例中，随着喷墨打印的膜层数量的增加，掩膜板与基板之间的距离增大，掩膜板的开口的尺寸减小，掩膜板暴露出的像素界定层的区域减小。在OLED器件的制备过程中，像素区域内功能膜层总厚度逐渐增加，为了使掩膜板更加适应像素区域的尺寸，此时可以调节掩膜板的开口尺寸，使掩膜板的开口露出的像素界定层部分逐渐减少，由此可以更准确的控制像素界定层的亲液和疏液部分，保证每一个打印的功能层膜层均平整。
本发明一些实施例中，在首次进行喷墨打印之前，先对基板进行亲液性处理，以使像素区域内的膜层具有亲液性；再对经过亲液性处理后的基板进行疏液性处理，以使像素界定层远离基板的部分区域具有疏液性。像素区域内的膜层具有亲液性，有利于打印墨水在像素区域内成膜；而像素界定层具有疏液性，可以阻挡墨水的溢出，避免污染和混色的问题。
本发明一些实施例中，空穴注入层、空穴传输层和发光层采用喷墨打印的方式进行制作。
本发明一些实施例中，电子传输层和电子注入层采用蒸镀的方式进行制作。
本发明一些实施例中，像素界定层的材料采用丙烯酸类树脂或聚酰亚胺树脂。
本发明一些实施例中，对像素界定层进行疏液性处理包括但不限于对像素界定层采用CF4或SF6等气体进行等离子体处理。
本发明一些实施例中，提供一种采用上述任一制作方法制作而成的显示装置。
本发明一些实施例中，提供一种像素界定层的制作方法，包括：
在基板上形成第一电极的图形；
在具有第一电极的基板上形成像素界定层的图形，所述像素界定层位于所述第一电极的间隔位置，用于限定出像素区域；
对所述像素界定层远离所述基板的部分区域进行疏液性处理。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所介绍的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的显示装置的制作方法的流程图；
图2本发明实施例提供的OLED器件的截面结构示意图；
图3为本发明实施例提供的疏液性处理的原理图之一；
图4为本发明实施例提供的疏液性处理的原理图之二；
图5a-图5j为各制作步骤对应的显示装置的截面结构示意图；
图6为本发明实施例提供的像素界定层的制作方法的流程图。
其中，11-基板，12-第一电极，13-像素界定层，14-功能层和发光层，15-第二电极，141-空穴注入层，142-空穴传输层，143-发光层，144-电子传输层，145-电子注入层，M-掩膜板，k-开口，M1-第一掩膜板，k1-第一开口，M2-第二掩膜板，k2-第二开口。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本发明做进一步说明。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明更全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。本发明中所描述的表达位置与方向的词，均是以附图为例进行的说明，但根据需要也可以做出改变，所做改变均包含在本发明保护范围内。本发明的附图仅用于示意相对位置关系不代表真实比例。
OLED作为新一代显示技术，相较于液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)，OLED屏幕厚度小并且重量更加轻盈。OLED屏幕还具有LCD不具备的广视角，可以实现超大可视范围，画面不会失真。其响应速度是LCD屏幕的千分之一。并且OLED屏幕耐低温，可以在-40℃环境下正常显示内容，发光效率更高、能耗低、生态环保，可以制作成曲面屏，给观看者带来不同感受的视觉冲击。
OLED显示装置中的发光器件为OLED器件，OLED器件为一种电流驱动型发光器件，在对其两侧的电极施加电压之后，电流驱动发光层中激子发光。
目前较为成熟的蒸镀法制作OLED对材料的利用率较低，且投入较大。而喷墨打印的制作方法具有材料利用率高，设备投入低等优势，可以降低材料成本和面板整体成本。喷墨打印法是针功能层的材料喷墨打印在基板上，经过干燥过程形成功能膜层。
喷墨打印过程中，打印墨水的浸润性和铺展性决定了成膜质量，对器件性能影响至关重要。在理想状态下，打印墨水需要平整铺展在像素界定层分隔出的像素区域内，且像素界定层的上部还需要具有疏液性，避免打印墨水溢出像素区域造成污染和混色。
然而目前的像素界定层仅在其上表面具有疏液性，在完成第一层功能层的打印和干燥后，像素界定层的疏液性通常已消失或明显减弱，在打印其它功能层的墨水时，像素界定层无法有效阻挡墨水溢出。
为了克服上述问题，本发明实施例提供了一种显示装置的制作方法，图1为本发明实施例提供的显示装置的制作方法的流程图，如图1所示，本发明实施例提供的显示装置的制作方法包括：
S10、在具有第一电极的基板上形成像素界定层的图形；
S20、每次进行喷墨打印之前，对像素界定层远离基板的部分区域进行疏液性处理；
S30、在像素区域内喷墨打印至少一层功能层或发光层。
本发明实施例制作的上述显示装置为OLED显示装置，在OLED显示装置中采用OLED器件作为发光器件。OLED器件通常包括阳极、阴极以及位于阳极和阴极之间的功能层和发光层。其中，功能层用于辅助载流子的注入和传输，而发光层采用有机发光材料，在向阳极和阴极施加电信号之后，可以使阳极和阴极之间形成电场，电子和空穴会向发光层移动，在发光层中复合成激子，从而激发发光材料进行发光。
图2本发明实施例提供的OLED器件的截面结构示意图。
参照图2，在本发明实施例中，首先在基板11上形成第一电极12的图形。基板11为阵列基板，通常位于显示装置的底部，阵列基板中的衬底可以采用刚性材料也可以采用柔性材料。当衬底的材料采用玻璃等硬性材质时，可以制作成硬性显示装置；当衬底采用聚酰亚胺(PI)等柔性材料时，可以制作成柔性显示装置。
阵列基板之上形成有驱动线路，驱动线路由薄膜晶体管、电容、电阻等元件组成，驱动线路层之上形成有平坦层，平坦层具有过孔，该过孔用于将OLED器件的第一电极与驱动线路电连接，通过对驱动线路施加驱动信号控制OLED器件进行发光显示。
基板11之上形成的第一电极12具有相互分的图形，每个第一电极12限定了一个OLED器件所在的位置，即一个像素所在的区域。
在本发明实施例中，OLED器件可以设置为正置器件，也可以设置为倒置器件。当OLED器件设置为正置器件时，第一电极12为阳极；当OLED器件设置为倒置结构时，第一电极12为阴极。
本发明实施例以正置OLED器件为例，则在基板上形成的第一电极12为阳极。阳极的材料可以采用氧化铟锡(ITO)等材料，在基板11上制备形成阳极的图形之后，需要将带有阳极的基板进行清洗和烘干的操作。
在基板11之上制作出第一电极12之后，在第一电极12的间隔位置形成像素界定层13。像素界定层13用于限定出像素区域。像素界定层13的厚度通会大于OLED器件的厚度，这样可以在制作时起到阻挡打印墨水溢出，从而避免出现墨水相互污染或混色的问题。
本发明实施例中的像素界定层13可以采用普通的光刻胶材料，如丙烯酸类树脂、聚酰亚胺树脂等，通过在形成有第一电极12的基板上形成一定厚度的光刻胶层，再采用光刻工艺将覆盖第一电极12区域内的光刻胶层去除，从而形成像素界定层13的结构。
在形成像素界定层13之后。在像素界定层13限定出的像素区域内形成功能层和发光层(14)，在本发明实施例中，OLED器件中的功能层和发光层(14)均可以采用喷墨打印工艺进行制作。
OLED器件中的功能层包括：空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层，而发光层通常采用有机发光材料。
在形成了功能层和发光层之后，在像素界定层13和功能层(14)的表面形成第二电极15。
本发明实施例以正置OLED器件为例，第二电极15为阴极，阴极通常情况下整层制作，阴极所采用的材料为金属银或者铝等。
本发明实施例每次在像素区域内喷墨打印功能层或发光层(14)之前，对像素界定层13远离基板11的部分区域进行疏液性处理。
在理想状况下，采用喷墨打印法制作OLED器件时，需要使基板之上像素区域以及像素界定层13的下半部分对新引入的墨水具有亲液性，从而保证墨水的铺展和像素区域的填充；而对于像素界定层13的上半部分需要使其对新引入的墨水具有疏液性，从而阻挡墨水溢出像素区域，造成污染和混色。
本发明实施例每次在像素区域内喷墨打印功能层或发光层(14)之前，对像素界定层13远离基板11的部分区域进行疏液性处理，从而使得像素界定层13的上半部分具有疏液性，阻挡墨水溢出像素区域；同时本发明实施例不仅对像素界定层13的顶部进行疏液性处理，还可以对侧壁上半部分的不同深度也相应地进行疏液性处理，从而避免打印的墨水在像素界定层13的侧壁上造成粘连而造成的膜层边缘高中间低的情形，由此保证膜层的平整性。
具体地，在上述的步骤S20中，对像素界定层远离基板的部分区域进行疏流性处理，包括图中未示出的以下步骤：
S201、在像素界定层背离基板的一侧设置掩膜板；
S202、对掩膜板暴露出的像素界定层进行疏液性处理。
其中，本发明实施例采用的掩膜板具有暴露出部分像素界定层的开口，像素界定层背离基板的部分区域插入至掩膜板的开口中。
图3为本发明实施例提供的疏液性处理的原理图之一。
参照图3，本发明实施例中，在对像素界定层13进行疏液性处理之前，会在像素界定层13背离基板11的一侧设置一个掩膜板M，该掩膜板M将像素区域和像素界定层13的下半部分挡住，对应像素界定层13的上半部分具有开口k，像素界定层13背离基板11的上半部分会插入至掩膜板M的开口k中。
当设置好掩膜板M的位置之后，再对掩膜板M所暴露出的像素界定层13进行疏液性处理。这样可以使像素界定层13的顶部以及侧壁的上半部分均具有疏液性，而在像素区域以及被掩膜板M所遮挡的像素界定层13的下半部分仍然保持亲液性。在经过这样的疏液性处理之后，像素区域内已形成的功能层或发光层不会被破坏，且在已形成的功能层上继续打印墨水时，像素区域内的膜层具有亲液性，可以保证墨水在像素区域内平整铺展；像素界定层具有疏液性，可以避免打印墨水溢出像素区域造成污染和混色。
图4为本发明实施例提供的疏液性处理的原理图之二。
对比图3和图4可以看出，随着喷墨打印的膜层数量的增加，掩膜板M与基板11之间的距离增大，掩膜板M的开口k的尺寸减小，掩膜板M暴露出的像素界定层13的区域减小。
在OLED器件的制备过程中，像素区域内功能膜层总厚度逐渐增加，为了使掩膜板M更加适应像素区域的尺寸，此时可以调节掩膜板M的开口尺寸，使掩膜板M的开口k露出的像素界定层13部分逐渐减少，由此可以更准确的控制像素界定层13的亲液和疏液部分，保证每一个打印的功能层膜层均平整。
本发明实施例在首次进行喷墨打印之前，需要对基板依次进行亲液性处理和疏液性处理。
具体地，在首次喷墨打印之前，先对基板进行亲液性处理，以使像素区域内的膜层具有亲液性；而后再对经过亲液性处理后的基板进行疏液性处理，以使像素界定层远离基板的部分区域具有疏液性。
像素区域内的膜层具有亲液性，有利于打印墨水在像素区域内成膜；而像素界定层具有疏液性，可以阻挡墨水的溢出，避免污染和混色的问题。
以下对本发明实施例提供的显示装置的制作方法进行具体说明。图5a-图5j为各制作步骤对应的显示装置的截面结构示意图。
首先，本发明实施例会在衬底基板上制作驱动线路，再制作完驱动线路之后，在驱动线路之上形成一层平坦层。该平坦层具有平坦化基板表面以及绝缘的作用。该平坦层还存在一些过孔，这些过孔用于将OLED器件的第一电极12与下方的驱动线路层连接。
如图5a所示，在基板11上形成第一电极12的图形。当OLED器件采用正置结构时，第一电极12为阳极。阳极具有相互分立的图形，采用氧化铟锡(ITO)等材料进行制作。具体地，可以在基板11的表面形成整层的透明导电材料层，再采用刻蚀工艺形成阳极的图形。
在制备形成第一电极12的图形之后，需要将带有第一电极12的基板11进行清洗和烘干的操作。
如图5b所示，在形成第一电极12的之后，在形成有第一电极12图形的基板11上形成像素界定层13的图形。像素界定层13位于第一电极12的间隔区域，用于将各第一电极12相互间隔开，从而限定出像素区域。
在本发明实施例中，像素界定层13可以采用光刻胶材料进行制作，例如可以采用丙烯酸类树脂、聚酰亚胺树脂等光刻胶材料。具体地，可以在形成有第一电极12的基板11上形成整层的光刻胶层，再对光刻胶层进行刻蚀，从而形成上端窄也端宽的像素界定层13的图形。像素界定层13的厚度在几百纳米到2微米之间。
接着，需要在像素区域内喷墨打印功能层和发光层。本发明实施例在像素区域内喷墨打印第一层功能层为首次进行喷墨打印操作，因此需要对带有第一电极12的基板11依次进行亲液性处理和疏液性处理。
本发明实施例仍以制作正置OLED器件为例进行具体说明，在本发明实施例中，先对形成有阳极图形和像素界定层图形的基板11进行亲液性处理，以使像素区域内的阳极具有亲液性；再对经过亲液性处理后的基板11进行疏液性处理，以使像素界定层13远离基板11的部分区域具有疏液性。
具体地，对形成有阳极图形和像素界定层图形的基板11依次在O2和CF4环境下进行等离子体处理，利用ITO和光刻胶对于O2和CF4的不同敏感程度，使得ITO对打印墨水具有亲液效果，像素界定层对打印墨水具有疏液效果。
如图5c所示，在对形成有第一电极图形和像素界定层图形的基板11进行亲液性处理和疏液性处理之后，在像素区域内打印空穴注入层141。
具体地，空穴注入层141可以采用聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT:PSS)、聚乙烯苯胺(Polyaniline)等聚合物材料，或采用三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)等金属氧化物材料，采用喷墨打印法进行制作。空穴注入层141的厚度通常为20nm-150nm。
如图5d所示，在形成了空穴注入层141之后，需要对基板进行干燥等处理，此时像素界定层的疏液性通常已消失或明显减弱，因此本发明实施例在形成空穴注入层之后对像素界定层13再次进行疏液性处理。
具体地，在像素界定层13背离基板11的一侧设置第一掩膜板M1；如图5d所示，第一掩膜板M1具有暴露出部分像素界定层的第一开口k1，第一掩膜板M1的遮光部分可以遮挡空穴注入层141以及像素界定层的下半部分区域，而像素界定层13背离基板11的上半部分区域插入至第一开口k1中。在设置好第一掩膜板M1的位置之后，对第一掩膜板M1暴露出的像素界定层13进行疏液性处理。
对像素界定层进行疏液性处理包括但不限于对像素界定层采用CF4或SF6等气体进行等离子体处理。经过疏液性处理后的像素界定层13的顶部以及侧壁的上半部分具有疏液性，而空穴注入层141以及像素界定层13的侧壁的下半部分保持亲液性。这样保证像素区域内的空穴注入层141不被破坏，保持其良好的光电性能；空穴注入层141依然具有亲液性，更加有利于后续打印喷墨水在像素区域内成膜，且像素界定层可以有效阻挡墨水的溢出。
如图5e所示，在对像素界定层13进行又一次的疏液性处理之后，在像素区域内继续喷墨打印空穴传输层142。
具体地，空穴传输层142可以采用三级芳香胺N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)，或异吲哚类材料HPCzl等，采用喷墨打印法进行制作。空穴传输层142的厚度通常为20nm-150nm。
如图5f所示，在形成了空穴传输层142之后，需要对基板进行干燥等处理，此时像素界定层的疏液性通常已消失或明显减弱，因此本发明实施例在形成空穴传输层之后需要对像素界定层13再次进行疏液性处理。
具体地，在像素界定层13背离基板11的一侧设置第二掩膜板M2；如图5f所示，第二掩膜板M2具有暴露出部分像素界定层的第二开口k2，第二掩膜板M2的遮光部分可以遮挡空穴传输层142以及像素界定层的下半部分区域，而像素界定层13背离基板11的上半部分区域插入至第二开口k2中。在设置好第二掩膜板M2的位置之后，对第二掩膜板M2暴露出的像素界定层13进行疏液性处理。
对像素界定层进行疏液性处理包括但不限于对像素界定层采用CF4或SF6等气体进行等离子体处理。经过疏液性处理后的像素界定层13的顶部以及侧壁的上半部分具有疏液性，而空穴传输层142以及像素界定层13的侧壁的下半部分保持亲液性。这样保证像素区域内的空穴传输层142不被破坏，保持其良好的光电性能；空穴传输层142依然具有亲液性，更加有利于后续打印墨水在像素区域内成膜，且像素界定层可以有效阻挡墨水的溢出。
对比图5d和图5f可以看出，在两次对像素界定层进行疏液性处理所使用的掩膜板中，第一掩膜板M1的第一开口k1的尺寸大于第二掩膜板M2的第二开口k2的尺寸，这样可以使第一掩膜板M1与基板11之间的距离小于第二掩膜板M2与基板11之间的距离，从而使得第一掩膜板M1暴露出的像素界定层13的区域多于第二掩膜板M2暴露出的像素界定层13的区域。由此通过调整掩膜板的开口尺寸，可以更准确的控制像素界定层13的亲液和疏液部分，保证每一个打印的功能层膜层均平整。
如图5g所示，在对像素界定层13进行又一次的疏液性处理之后，在像素区域内继续喷墨打印发光层143。
具体地，可以根据OLED显示装置的像素排列规则，按照行或列的方向打印发光层。发光层143可以采用聚合物或小分子材料，采用喷墨打印法进行制作。其中，聚合物材料可以采用聚对苯撑乙烯等π共轭系聚合物，聚乙烯咔唑等含有低分子燃料(色素)的聚合物等；小分子材料可以采用8-羟基喹啉铝(Alq3)、三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)等金属有机配合物，或基于蒽的有机小分子化合物等。
如图5h所示，在像素区域内形成发光层143之后，采用蒸镀法在发光层之上形成电子传输层144。
具体地，电子传输层144可以采用8-羟基喹啉铝(Alq3)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔-丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)等材料，采用真空蒸镀法进行制作。电子传输层144的厚度通常为20nm-100nm。
如图5i所示，在像素区域内形成电子传输层144之后，采用蒸镀法在电子传输层144之上形成电子注入层145。
具体地，电子注入层145可以采用氟化锂(LiF)、氟化钠(NaF)、氟化铯(CsF)、钙(Ca)、钡(Ba)等材料，采用真空蒸镀法进行制作。电子注入层145的厚度通常为1nm-20nm。
如图5j所示，在像素区域内形成电子注入层145之后，在像素界定层13和电子注入层145之上形成第二电极15。
本发明实施例以制作正置OLED器件为例，第二电极15为阴极。阴极可以采用金属银(Ag)等材料，采用真空蒸镀法进行制作。
本发明实施例中的电子传输层144和电子注入层145还可以继续采用喷墨打印法进行制作。此时，在形成电子传输层144以及在形成电子注入层145之前，还需要再对像素界定层13再次进行疏液性处理。
电子传输层144还可以采用聚乙烯亚胺(PEI)、聚乙氧基乙烯亚胺(PEIE)、PFNR2、PFN-OX等材料，采用喷墨打印法进行制作。
电子注入层145还可以采用氧化锌(ZnO)等氧化物纳米颗粒、碳酸铯(Cs2CO3)等无机盐纳米颗粒等材料，采用喷墨打印法进行制作。
本发明实施例还提供一种显示装置，该显示装置采用上述任一制作方法制作而成。该显示装置的中发光器件为OLED器件，OLED器件中的功能层和/或发光层均可以采用喷墨打印工艺进行制作，OLED器件中的功能层和/或发光层具有较好的平整性，光电性能优良。
本发明实施例还提供一种像素界定层的制作方法，图6为本发明实施例提供的像素界定层的制作方法的流程图，如图6所示，上述制作方法，包括：
S11、在基板上形成第一电极的图形；
S12、在具有第一电极的基板上形成像素界定层的图形；
S13、对像素界定层远离基板的部分区域进行疏液性处理。
具体地，首先在基板之上形成的第一电极的图形。在基板上形成整层的第一电极的材料，再对第一电极进行刻蚀，从而形成第一电极的图形。在本发明实施例中，第一电极具有相互分立的图形，每个第一电极限定出了一个像素所在的位置。
本发明实施例以正置OLED器件为例，则在基板上形成的第一电极为阳极。阳极的材料可以采用氧化铟锡(ITO)等材料。
在基板之上制作出第一电极之后，在第一电极的间隔位置形成像素界定层。在具有第一电极的基板上形成一整层的像素界定层的材料，再采用光刻工艺将覆盖第一电极区域内的材料层去除，从而形成像素界定层的图形。
像素界定层位于第一电极的间隔区域，用于限定出像素区域。像素界定层的厚度通会大于OLED器件的厚度，这样可以在制作时起到阻挡打印墨水溢出，从而避免出现墨水相互污染或混色的问题。
本发明实施例中的像素界定层可以采用普通的光刻胶材料，如丙烯酸类树脂、聚酰亚胺树脂等。
在制作出像素界定层的图形之后，对像素界定层远离基板的部分区域进行疏液性处理。像素界定层在进行疏液性处理之后，其顶部极侧壁的上半部分具有疏液性，这样在进行喷墨打印时，像素界定层可以起到阻挡墨水溢出像素区域的作用，同时像素界定层还可以避免打印墨水在侧壁上粘连而造成的膜层边缘高中间低的问题，保证膜层的平整性。
根据第一发明构思，每次在像素区域内喷墨打印功能层或发光层之前，对像素界定层远离基板的部分区域进行疏液性处理，从而使得像素界定层的上半部分具有疏液性，阻挡墨水溢出像素区域；同时本发明实施例不仅对像素界定层的顶部进行疏液性处理，还可以对侧壁上半部分的不同深度也相应地进行疏液性处理，从而避免打印的墨水在像素界定层的侧壁上造成粘连而造成的膜层边缘高中间低的情形，由此保证膜层的平整性。
根据第二发明构思，对像素界定层进行疏液性处理之前，在像素界定层背离基板的一侧设置一个掩膜板，该掩膜板将像素区域和像素界定层的下半部分挡住，对应像素界定层的上半部分具有开口，像素界定层背离基板的上半部分会插入至掩膜板的开口中。当设置好掩膜板的位置之后，再对掩膜板所暴露出的像素界定层进行疏液性处理。这样可以使像素界定层的顶部以及侧壁的上半部分均具有疏液性，而在像素区域以及被掩膜板所遮挡的像素界定层的下半部分仍然保持亲液性。在经过这样的疏液性处理之后，像素区域内已形成的功能层或发光层不会被破坏，且在已形成的功能层上继续打印墨水时，像素区域内的膜层具有亲液性，可以保证墨水在像素区域内平整铺展；像素界定层具有疏液性，可以避免打印墨水溢出像素区域造成污染和混色。
根据第三发明构思，随着喷墨打印的膜层数量的增加，掩膜板与基板之间的距离增大，掩膜板的开口的尺寸减小，掩膜板暴露出的像素界定层的区域减小。在OLED器件的制备过程中，像素区域内功能膜层总厚度逐渐增加，为了使掩膜板更加适应像素区域的尺寸，此时可以调节掩膜板的开口尺寸，使掩膜板的开口露出的像素界定层部分逐渐减少，由此可以更准确的控制像素界定层的亲液和疏液部分，保证每一个打印的功能层膜层均平整。
根据第四发明构思，在首次进行喷墨打印之前，先对基板进行亲液性处理，以使像素区域内的阳极具有亲液性；再对经过亲液性处理后的基板进行疏液性处理，以使像素界定层远离基板的部分区域具有疏液性。像素区域内的膜层具有亲液性，有利于打印墨水在像素区域内成膜；而像素界定层具有疏液性，可以阻挡墨水的溢出，避免污染和混色的问题。
根据第五发明构思，在喷墨打印形成空穴注入层之后，且在喷墨打印空穴传输层之前，采用第一掩膜板暴露出像素界定层背离基板的部分区域进行疏液性处理。这样保证像素区域内的空穴注入层不被破坏，保持其良好的光电性能；空穴注入层依然具有亲液性，更加有利于打印喷墨水在像素区域内成膜，且像素界定层可以有效阻挡墨水的溢出。
根据第六发明构思，在喷墨打印形成空穴传输层之后，且在喷墨打印发光层之前，再次采用第二掩膜板暴露出像素界定层背离基板的部分区域进行疏液性处理。这样保证像素区域内的空穴传输层不被破坏，保持其良好的光电性能；空穴传输层依然具有亲液性，更加有利于打印喷墨水在像素区域内成膜，且像素界定层可以有效阻挡墨水的溢出。
根据第七发明构思，在两次对像素界定层进行疏液性处理所使用的掩膜板中，第一掩膜板的第一开口的尺寸大于第二掩膜板的第二开口的尺寸，这样可以使第一掩膜板与基板之间的距离小于第二掩膜板与基板之间的距离，从而使得第一掩膜板暴露出的像素界定层的区域多于第二掩膜板暴露出的像素界定层的区域。由此通过调整掩膜板的开口尺寸，可以更准确的控制像素界定层的亲液和疏液部分，保证每一个打印的功能层膜层均平整。
根据第八发明构思，电子传输层和电子注入层采用蒸镀的方式进行制作。
根据第九发明构思，对像素界定层进行疏液性处理包括但不限于对像素界定层采用CF4或SF6等气体进行等离子体处理。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种显示装置的制作方法，其特征在于，包括：
在具有第一电极的基板上形成像素界定层的图形，所述像素界定层位于所述第一电极的间隔位置，用于限定出像素区域；
在所述像素区域内喷墨打印至少一层功能层或发光层；
其中，在每次进行喷墨打印之前，对所述像素界定层远离所述基板的部分区域进行疏液性处理。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述对所述像素界定层远离所述基板的部分区域进行疏流性处理，包括：
在所述像素界定层背离所述基板的一侧设置掩膜板；所述掩膜板具有暴露出部分所述像素界定层的开口，所述像素界定层背离所述基板的部分区域插入至所述掩膜板的开口中；
对所述掩膜板暴露出的像素界定层进行疏液性处理。
3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，随着喷墨打印的膜层数量的增加，所述掩膜板与所述基板之间的距离增大，所述掩膜板的开口的尺寸减小，所述掩膜板暴露出的所述像素界定层的区域减小。
4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，在首次进行喷墨打印之前，对所述像素界定层远离所述基板的部分区域进行疏液性处理，包括：
对所述基板进行亲液性处理，以使所述像素区域内的膜层具有亲液性；
对经过亲液性处理后的基板进行疏液性处理，以使所述像素界定层远离所述基板的部分区域具有疏液性。
5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，在所述像素区域内喷墨打印至少一层功能层或发光层，包括：
在所述像素区域内的第一电极之上喷墨打印空穴注入层；
在所述像素区域内的空穴注入层之上喷墨打印空穴传输层；
在所述像素区域内的空穴传输层之上喷墨打印发光层。
6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，还包括：
在所述发光层之上蒸镀电子传输层；
在所述电子传输层之上蒸镀电子注入层。
7.如权利要求1-6任一项所述的制作方法，其特征在于，所述像素界定层的材料采用丙烯酸类树脂或聚酰亚胺树脂。
8.如权利要求1-6任一项所述的制作方法，其特征在于，所述疏液性处理为四氟化碳等离子体处理或六氟化硫等离子体处理。
9.一种显示装置，其特征在于，采用如权利要求1-8任一项所述的制作方法制作而成。
10.一种像素界定层的制作方法，其特征在于，包括：
在基板上形成第一电极的图形；
在具有第一电极的基板上形成像素界定层的图形，所述像素界定层位于所述第一电极的间隔位置，用于限定出像素区域；
对所述像素界定层远离所述基板的部分区域进行疏液性处理。
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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