CN111599930A - 一种显示装置 - Google Patents

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唐兆兵
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Abstract

本发明公开了一种显示装置，包括：用于图像显示的发光器件，发光器件包括底电极、顶电极和位于底电极和顶电极之间的发光功能层。在相邻两个采用溶液法进行制作的发光功能层之间设置一层具有油水双亲性的界面层。在前一层发光功能层制备完成之后，在其上形成一层界面层，由于其具有油水双亲性，因此无论前一层发光功能层采用水性或油性溶液进行制作，界面层均可以在其表面具有良好的浸润和铺展性，而后在形成后一层发光功能层时，则可以完全铺展于发光区域内，由此避免溶液法制备发光器件时易发生的膜厚不均匀、浸润和铺展性差等问题，提高发光器件的发光效率和寿命。

Description

一种显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)具有能耗低、响应速度快、视角宽、更轻薄且具有柔韧性等优点，是一种极具潜力的显示技术。
量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，简称QLED)是将量子点作为发光层的制作材料，在不同的导电材料之间引入发光层从而得到所需要波长的光。QLED具有色域广、自发光、启动电压低、响应速度快、寿命长等优点。
OLED及QLED中的发光功能层均可以采用溶液法进行制作，在采用溶液法制备发光功能层时，需要保证功能层的完整性，且后制备的功能层的溶液不能对前一功能层造成破坏；同时为了干燥后的膜层平整且可以覆盖整个发光区域，还需要保证后引入的溶液在上一功能层表面具有良好的浸润和铺展。
现阶段相邻的功能层采用的溶液通常选择正交溶剂，这将导致发光区域内功能层在前一功能层表面不能完全填充，且膜层厚度不均匀，严重影响器件的发光效率和寿命，甚至还会造成器件短路而无法正常点亮。
发明内容
本发明一些实施例中，显示装置包括用于图像显示的发光器件，发光器件包括底电极、顶电极和位于底电极和顶电极之间的发光功能层。在相邻两个采用溶液法进行制作的发光功能层之间设置一层具有油水双亲性的界面层。在前一层发光功能层制备完成之后，在其上形成一层界面层，由于其具有油水双亲性，因此无论前一层发光功能层采用水性或油性溶液进行制作，界面层均可以在其表面具有良好的浸润和铺展性，而后在形成后一层发光功能层时，则可以完全铺展于发光区域内，由此避免溶液法制备发光器件时易发生的膜厚不均匀、浸润和铺展性差等问题，提高发光器件的发光效率和寿命。
本发明一些实施例中，界面层可以设置于任意两个相邻的且采用溶液法制作时极性相差较大的发光功能层之间。通过在相邻的发光功能层之间设置界面层，克服溶液法制作OLED面板或QLED面板的缺陷，提高发光器件的发光效率和寿命。
本发明一些实施例中，界面层采用溶液法进行制作，通过将含有表面活性剂的溶液旋涂或喷墨打印在功能层上，再进行干燥成膜处理即可形成界面层。
本发明一些实施例中，界面层中的表面活性剂的选择包括但不限于烷基醚聚氧代乙烯及聚醚改性聚硅氧烷，溶剂包括但不限于环己酮、丙酮及两者的混合物。
本发明一些实施例中，界面层的厚度为2nm-50nm。
本发明一些实施例中，发光器件为正置结构器件，底电极为阳极，顶电极为阴极；发光功能层包括：
空穴注入层，位于底电极背离衬底基板的一侧；
空穴传输层，位于空穴注入层背离底电极的一侧；
发光层，位于空穴传输层背离空穴注入层的一侧；
电子传输层，位于发光层面向顶电极的一侧；
电子注入层，位于电子传输层面向顶电极的一侧；
界面层位于空穴注入层与空穴传输层之间。
本发明一些实施例中，发光器件为倒置结构器件，底电极为阴极，顶电极为阳极；发光功能层包括：
电子注入层，位于底电极背离衬底基板的一侧；
电子传输层，位于电子注入层背离底电极的一侧；
发光层，位于电子传输层背离电子注入层的一侧；
空穴传输层，位于发光层面向顶电极的一侧；
空穴注入层，位于空穴传输层面向顶电极的一侧；
界面层位于空穴注入层与空穴传输层之间。
本发明一些实施例中，底电极与发光层之间的功能层采用旋涂法或喷墨打印法制作而成。
本发明一些实施例中，发光层采用旋涂法或喷墨打印法制作而成。
本发明一些实施例中，发光器件为顶发射型器件或底发射型器件。
本发明一些实施例中，发光器件为有机发光二极管器件或量子点发光二极管器件。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所介绍的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的显示装置的截面结构示意图；
图2为本发明实施例提供的发光器件的截面结构示意图之一；
图3为本发明实施例提供的发光器件的截面结构示意图之二；
图4为本发明实施例提供的显示装置的制作方法的流程图。
其中，11-衬底基板，12-发光器件，121-底电极，122-顶电极，123-发光层，124-空穴注入层，125-空穴传输层，126-电子传输层，127-电子注入层，128-界面层。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本发明做进一步说明。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明更全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。本发明中所描述的表达位置与方向的词，均是以附图为例进行的说明，但根据需要也可以做出改变，所做改变均包含在本发明保护范围内。本发明的附图仅用于示意相对位置关系不代表真实比例。
OLED作为新一代显示技术，相较于液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)，OLED屏幕厚度小并且重量更加轻盈。OLED屏幕还具有LCD不具备的广视角，可以实现超大可视范围，画面不会失真。其响应速度是LCD屏幕的千分之一。并且OLED屏幕耐低温，可以在-40℃环境下正常显示内容，发光效率更高、能耗低、生态环保，可以制作成曲面屏，给观看者带来不同感受的视觉冲击。
量子点发光材料具有发光光谱可调节、发光色纯度高、光化学稳定性及热稳定性好等特点，目前已经被广泛应用在新型显示领域。而以量子点材料为发光材料的QLED，相比于OLED具有更宽的色域、更高的显色指数、更好的溶液加工性能等特性，因此在显示领域的应用前景十分巨大。
OLED显示面板中的显示器件为OLED，QLED显示面板中的显示器件为QLED，OLED和QLED的结构基本相同，不同之处在于OLED中的发光材料为有机发光材料，而QLED中的发光材料为量子点发光材料。
在OLED显示面板或QLED显示面板的众多制备方法中，高精度金属掩模(FineMetal Mask，简称FMM)法适用于小尺寸OLED显示产品，如手机等，但由于精细金属掩模板成本昂贵，因此目前大尺寸OLED面板通常采用较蒸镀法进行制作，但该方法的材料利用率低，设备投入较大，不利于大尺寸OLED面板成本的进一步降低。
以喷墨印刷为代表的溶液法与蒸镀法相比具有材料利用率高、设备投入低等优势，可降低材料成本和面板整体成本。溶液加工面板的过程中，功能层材料的溶液通过喷墨印刷或旋涂法沉积在基板上，经过干燥过程形成厚度均匀完整的薄膜。
膜层间界面特性是影响器件光电性能的重要因素，在采用溶液法完成多功能层制备时，必须保证功能层的完整性。为了避免后引入的溶液溶解上一功能层中的有机材料或对膜层造成破坏，相邻功能层的溶液通常选择正交溶剂。同时，为了使干燥后的膜层平整且覆盖整个发光区域，后引入的溶液需要在上一功能层表面可以良好的浸润和铺展。然而，由于相邻两层的功能层的溶液通常极性相反，因此后引入的溶液极易在上一功能层表面出现不能浸润的现象，这就导致发光区域或角落不能被完整填充，且膜层厚度不均匀，严重影响器件发光效率和器件寿命，甚至可能造成器件短路而无法点亮。
目前解决上述问题的常见办法是调整溶液配制，混合几种溶剂调节溶液性质，同时严格筛选匹配相邻功能层的溶液，保证其浸润性良好且不相互溶解。然而这样会很大程度上限制溶液的选择，或一定程度上牺牲材料的性能。
图1为本发明实施例提供的显示装置的截面结构示意图。
参照图1，本发明实施例提供的显示装置包括：衬底基板11以及位于衬底基板上的发光器件12。
衬底基板11位于显示装置的底部，具有支撑和承载作用。衬底基板11通常情况下为一方形结构，包括天侧、地侧、左侧和右侧。其中天侧和地侧相对，左侧和右侧相对，天侧分别与左侧的一端和右侧的一侧相连，地侧分别与左侧的另一端和右侧的另一端相连。
衬底基板11可以采用刚性材料也可以采用柔性材料。当衬底基板11的材料采用玻璃等硬性材质时，可以制作成硬性显示装置；当衬底基板11采用聚酰亚胺(PI)等柔性材料时，可以制作成柔性显示装置。
衬底基板11之上形成有驱动线路，驱动线路由薄膜晶体管、电容、电阻等元件组成，驱动线路层之上形成有平坦层，平坦层具有过孔，该过孔用于将发光器件的电极与驱动线路电连接，通过对驱动线路施加驱动信号实现发光器件12的驱动显示。
发光器件12位于衬底基板之上，发光器件12作为用于图像显示的子像素单元。在本发明实施例中，发光器件12为有机发光二极管器件或量子点发光二极管器件。当显示装置中的发光器件12为OLED器件时，则显示装置为OLED显示装置；当显示装置中的发光器件12为QLED器件时，则显示装置为QLED显示装置。
图2为本发明实施例提供的发光器件的截面结构示意图之一。
参照图2，发光器件12包括：底电极121、顶电极122以及位于底电极121和顶电极122之间的发光功能层。
底电极121为相互分立的结构，每个底电极121限定了一个发光器件，即一个子像素单元所在的区域。衬底基板上的驱动线路与底电极121通过过孔电连接，驱动线路的驱动信号可以被施加到每个底电极121上。
底电极121位于衬底基板11之上，底电极121为相互分立的结构，每个底电极121限定了一个发光器件，即一个子像素单元所在的区域。衬底基板上的驱动线路与底电极121通过过孔电连接，驱动线路的驱动信号可以被施加到每个底电极121上。
顶电极122位于底电极121背离衬底基板11的一侧，顶电极122与底电极121相对设置，当施加电信号时底电极121与顶电极122之间产生电场。
顶电极122通常情况下可以整面设置，不需要区分每个子像素单元进行单独设置。顶电极122的形状与衬底基板11的形状相适应，通常情况下可以设置为矩形。顶电极122的尺寸由所有的发光器件12的占有面积来确定，顶电极122覆盖在所有的发光器件12之上。
发光功能层位于底电极121和顶电极122之间，发光功能层可以仅位于底电极121所在区域，也可以整层设置。当发光功能层仅位于底电极121所在区域时，其形状与底电极121相同；当发光功能层整层设置时，其形状与顶电极122相同。
本发明实施例中，发光功能层包括发光层和功能层。在向阳极与阴极施加电信号，以使阳极与阴极之间形成电场时，电子和空穴会向发光层移动，在发光层中复合成激发，从而激发发光材料进行发光。功能层对发光层具有辅助作用，可以为发光层注入和传输载流子。
当发光器件12为OLED器件时，发光层采用有机发光材料，不同的有机发光材料可以出射不同颜色的光，通常情况下可以采用分别出射红光、绿光和蓝光的多种有机发光材料制作OLED器件分别作为像素单元中的不同颜色的子像素。或者，也可以采用出射白光的有机发光材料，配合颜色滤波片进行图像显示。
当发光器件12为QLED器件时，发光层采用量子点发光材料。量子点材料包括：Cd基量子点、Pb基量子点、InP系量子点、钙钛矿量子点、Zn基量子点等，通过调整量子点的粒径可以实现不同颜色光的出射。
参照图2，本发明实施例中的发光功能层包括：发光层123、空穴注入层124、空穴传输层125、电子传输层126和电子注入层127。其中，空穴注入层124、空穴传输层125、电子传输层126和电子注入层127均属于上述功能层。
发光层123位于底电极121和顶电极122之间，发光层123通常情况下位于底电极121所在区域。
当发光器件12为OLED器件时，发光层123采用有机发光材料；当发光器件12为QLED器件时，发光层123采用量子点发光材料。
发光层123的材料为聚合物发光材料或小分子发光材料，可以发射出红光、绿光蓝光或其它颜色的光。采用旋涂法或喷墨打印法进行制作。发光层123的厚度通常为20nm-200nm。
空穴注入层124位于发光层123与阳极之间。空穴注入层124可以整层设置，也可以仅设置在底电极121所在区域之上。
由于所有的发光器件12均需要提高空穴注入浓度，因此整层设置空穴注入层124可以为全部的发光器件12提供空穴，整层设置空穴注入层124的制作工艺也相对简单。
然而只有注入到底电极121位置的空穴对发光器件12的发光有贡献，因此也可以仅在底电极121之上形成空穴注入层124，节省成本。
空穴注入层124采用聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT:PSS)、聚乙烯苯胺(polyaniline)等聚合物材料，或采用三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)等金属氧化物材料，采用旋涂法或喷墨打印法进行制作。空穴注入层124的厚度通常为20nm-150nm。
空穴传输层125位于空穴注入层124与发光层123之间。空穴传输层125可以整层设置，也可以仅设置在底电极121所在区域之上。
由于所有的发光器件12均需要提高空穴浓度，因此整层设置空穴传输层125可以为全部的发光器件12提供空穴，整层设置空穴传输层125的制作工艺也相对简单。
然而只有传输到底电极121位置的空穴对发光器件12的发光有贡献，因此也可以仅在底电极121之上形成空穴传输层125，节省成本。
空穴传输层125采用可交联的聚合物材料，如三级芳香胺N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)，或异吲哚类材料HPCzl等，采用旋涂法或喷墨打印法进行制作。空穴传输层125有厚度通常为20nm-150nm。
电子传输层126位于发光层123背离空穴传输层125的一侧。电子传输层126可以整层设置，也可以仅设置在底电极121所在区域之上。
由于所有的发光器件12均需要提高电子浓度，因此整层设置电子传输层126可以为全部的发光器件12提供电子，整层设置电子传输层126的制作工艺也相对简单。
然而只有传输到底电极121位置的电子对发光器件12的发光有贡献，因此也可以仅在底电极121之上形成电子传输层126，节省成本。
电子传输层126采用8-羟基喹啉和铝(Alq3)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔-丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)等材料，采用真空蒸镀法进行制作。电子传输层126还可以采用聚乙烯亚胺(PEI)、聚乙氧基乙烯亚胺(PEIE)、PFNR2、PFN-OX等材料，采用旋涂法或喷墨打印法进行制作。电子传输层126的厚度通常为20nm-100nm。
电子注入层127位于发光层123和阴极之间。电子注入层127可以整层设置，也可以仅设置在底电极121所在区域之上。
由于所有的发光器件12均需要提高电子浓度，因此整层设置电子注入层127可以为全部的发光器件12提供电子，整层设置电子注入层127的制作工艺也相对简单。
然而只有传输到底电极121位置的电子对发光器件12的发光有贡献，因此也可以仅在底电极121之上形成电子注入层127，节省成本。
电子注入层127采用氟化锂(LiF)、氟化钠(NaF)、氟化铯(CsF)、钙(Ca)、钡(Ba)等材料，采用真空蒸镀法进行制作。电子注入层127也可以采用氧化锌(ZnO)等氧化物纳米颗粒、碳酸铯(Cs2CO3)等无机盐纳米颗粒等材料，采用旋涂法或喷墨打印法进行制作。电子注入层127的厚度通常为1nm-20nm。
由此可见，本发明实施例中的发光层和功能层均可以采用旋涂法、喷墨打印法等溶液法进行制作，那么相邻两个发光功能层均采用溶液法进行制作时，则会存在界面不平整或浸润铺展性差等问题。
为了避免上述问题，本发明实施例在相邻两个采用溶液法进行制作的发光功能层之间设置一层具有油水双亲性的界面层128。在前一层发光功能层制备完成之后，在其上形成一层界面层128，由于其具有油水双亲性，因此无论前一层发光功能层采用水性或油性溶液进行制作，界面层128均可以在其表面具有良好的浸润和铺展性，而后在形成后一层发光功能层时，则可以完全铺展于发光区域内，由此避免溶液法制备发光器件时易发生的膜厚不均匀、浸润和铺展性差等问题，提高发光器件的发光效率和寿命。
上述界面层128可以设置于任意两个相邻的且采用溶液法制作时极性相差较大的发光功能层之间。通过在发光器件中设置界面层，克服溶液法制作OLED面板或QLED面板的缺陷，提高发光器件的发光效率和寿命。
在本发明实施例中，界面层128可以采用含有硅氧烷、羟基或其他基团的表面活性剂溶于有机溶剂配制成的溶液，表面活性剂的浓度为体积分数1％-10％(3％-5％为较佳范围)，表面活性剂的选择包括但不限于烷基醚聚氧代乙烯及聚醚改性聚硅氧烷，溶剂包括但不限于环己酮、丙酮及两者的混合物等。
表面活性剂具有油水双亲性，当其形成在发光功能层之上作为界面层时，后一层发光功能层的溶液在其上具有良好的浸润和铺展性，可以使后一层发光功能层的溶液完全铺展于发光区域。
界面层128可以采用旋涂法或喷墨打印法进行制作，其厚度控制在2nm-50nm之间，根据两侧的发光功能层所采用的溶剂及发光器件的整体性能对界面层128的厚度进行调整，在此不做限定。
本发明实施例中的发光器件12可以为顶发射型器件或底发射型器件。
当发光器件12为顶发射型器件时，底电极121可以采用复合结构，如底电极121设置为ITO/Ag/ITO的复合结构，以使底电极121具有较高的反射性能。顶电极122可以采用金属Al或Ag等材料，在此不做限定。
当发光器件12为底发射型器件时，底电极121可以采用ITO等材料，顶电极122可以采用金属Al或Ag等材料，在此不做限定。
本发明实施例中的发光器件12既可以设置为正置器件，也可以设置为倒置器件。
参照图2，发光器件12为正置结构器件，底电极121为阳极，顶电极122为阴极；发光功能层包括：
空穴注入层124，位于底电极121背离衬底基板11的一侧；
空穴传输层125，位于空穴注入层124背离底电极121的一侧；
发光层123，位于空穴传输层125背离空穴注入层124的一侧；
电子传输层126，位于发光层123面向顶电极122的一侧；
电子注入层127，位于电子传输层126面向顶电极122的一侧。
图3为本发明实施例提供的发光器件的截面结构示意图之二。
参照图3，发光器件12为倒置结构器件，底电极121为阴极，顶电极122为阳极；发光功能层包括：
电子注入层127，位于底电极121背离衬底基板11的一侧；
电子传输层126，位于电子注入层127背离底电极121的一侧；
发光层123，位于电子传输层126背离电子注入层127的一侧；
空穴传输层125，位于发光层123面向顶电极122的一侧；
空穴注入层124，位于空穴传输层125面向顶电极122的一侧。
参照图2和图3，在本发明实施例中，空穴注入层124和空穴传输层125均采用溶液法进行制作，且空穴注入层124采用的溶液一般为水溶性，例如采用PEDOT:PSS，而空穴传输层125采用的溶液一般为油溶性，因此可以在空穴注入层124和空穴传输层125之间设置一层界面层128，以克服溶液在界面浸润和铺展性差的问题。
以下以显示装置中的发光器件为正置结构器件为例，对本发明实施例提供的显示装置的制作方法进行具体说明。
图4为本发明实施例提供的显示装置的制作方法的流程图。
参照图4，本发明实施例提供的显示装置的制作方法，包括：
S10、在衬底基板上形成底电极的图形；
S20、在底电极背离衬底基板的一侧形成空穴注入层；
S30、在空穴注入层背离底电极的一侧形成界面层；
S40、在界面层背离空穴注入层的一侧形成空穴传输层；
S50、在空穴传输层背离界面层的一侧形成发光层；
S60、在发光层背离空穴传输层的一侧形成电子传输层；
S70、在电子传输层背离发光层的一侧形成电子注入层；
S80、在电子注入层背离电子传输层的一侧形成顶电极。
具体地，在形成有驱动电路的衬底基板上形成底电极的图形，正置结构器件的底电极为阳极，阳极可以采用刻蚀工艺形成，阳极采用氧化铟锡(ITO)。
在制备形成阳极的图形之后，需要将带有阳极的衬底基板进行清洗和烘干的操作。
在清洗衬底基板之后，采用溶液法在底电极上形成空穴注入层。例如，可以在阳极之上旋涂或喷墨打印空穴注入层。空穴注入层采用聚(3,4-乙烯二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT:PSS)，厚度为20nm-150nm。
在形成空穴注入层之后，对基板进行真空干燥和烘烤，而后将含有硅氧烷的表面活性剂溶于环己酮配制成溶液，采用溶液法在空穴注入层之上形成界面层。例如，可以在空穴注入层上旋涂或喷墨打印一层表面活性剂溶液，并进行干燥成膜处理形成界面层，厚度为2nm-50nm。
在形成界面层之后，采用溶液法在界面层之上形成空穴传输层。例如，可以在界面层之上旋涂或喷墨打印空穴传输层。空穴传输层采用可交联空穴传输聚合物，厚度为20nm-150nm。
在形成空穴传输层之后，对基板进行真空干燥和烘烤，而后采用溶液法在空穴传输层之上形成发光层。例如，可以在空穴传输层上旋涂或喷墨打印发光层。发光层采用聚合物或小分子发光材料，可以发出红光、绿光、蓝光或其它颜色的光，厚度为20nm-200nm。
在形成发光层之后，对基板进行真空干燥和烘烤，而后在发光层之上真空蒸镀电子传输层。电子传输层可以采用1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)，厚度为20nm-100nm。
在形成电子传输层之后，在电子传输层之上真空蒸镀电子注入层。电子注入层可以采用氧化锂(LiF)，厚度为1nm-20nm。
在形成电子注入层之后，在电子注入层之上真空蒸镀顶电极，正置结构器件的顶电极为阴极。阴极可以采用金属铝的复合结构，厚度为100nm-800nm。
在制备完成发光器件之后，对显示面板进行封装。
本发明实施例提供的上述发光器件也可以采用倒置结构，制作倒置结构的发光器件时，底电极为阴极，顶电极为阳极。且在形成底电极之后各发光功能层的制作顺序为先制作电子注入层、电子传输层、再制作发光层、空穴传输层、界面层以及空穴注入层。
根据第一发明构思，在相邻两个采用溶液法进行制作的发光功能层之间设置一层具有油水双亲性的界面层。在前一层发光功能层制备完成之后，在其上形成一层界面层，由于其具有油水双亲性，因此无论前一层发光功能层采用水性或油性溶液进行制作，界面层均可以在其表面具有良好的浸润和铺展性，而后在形成后一层发光功能层时，则可以完全铺展于发光区域内，由此避免溶液法制备发光器件时易发生的膜厚不均匀、浸润和铺展性差等问题，提高发光器件的发光效率和寿命。
根据第二发明构思，界面层可以设置于任意两个相邻的且采用溶液法制作时极性相差较大的发光功能层之间。通过在相邻的发光功能层之间设置界面层，克服溶液法制作OLED面板或QLED面板的缺陷，提高发光器件的发光效率和寿命。
根据第三发明构思，界面层同样可以采用溶液法进行制作，通过将含有表面活性剂的溶液旋涂或喷墨打印在功能层上，再进行干燥成膜处理即可形成界面层。界面层中的表面活性剂的选择包括但不限于烷基醚聚氧代乙烯及聚醚改性聚硅氧烷，溶剂包括但不限于环己酮、丙酮及两者的混合物等。界面层的厚度为2nm-50nm。
根据第四发明构思，界面层可以位于空穴注入和层和空穴传输层之间。
根据第五发明构思，发光器件为顶发射型器或底发射型器件，相应可以制备顶发射型显示面板或底发射型显示面板。
根据第六发明构思，发光器件为正置结构器件或倒置结构器件。发光器件为正置结构时，底电极为阳极，顶电极为阴极；发光器件为倒置结构时，底电极为阴极，顶电极为阳极。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
衬底基板，用于支撑和承载作用；
发光器件，位于所述衬底基板之上，用于图像显示；
所述发光器件包括：
底电极，位于所述衬底基板之上；
顶电极，位于所述底电极背离所述衬底基板的一侧；
发光功能层，位于所述底电极和所述顶电极之间；
所述发光器件中至少相邻两个所述发光功能层采用溶液法制作而成，相邻两个采用溶液法制作而成的所述发光功能层之间设置界面层；所述界面层具有油水双亲性。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述界面层采用的材料包括烷基醚聚氧代乙烯或聚醚改性聚硅氧烷。
3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述界面层采用旋涂法或喷墨打印法制作而成。
4.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述界面层的厚度为2nm-50nm。
5.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述发光器件为正置结构器件，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极；所述发光功能层包括：
空穴注入层，位于所述底电极背离所述衬底基板的一侧；
空穴传输层，位于所述空穴注入层背离所述底电极的一侧；
发光层，位于所述空穴传输层背离所述空穴注入层的一侧；
电子传输层，位于所述发光层面向所述顶电极的一侧；
电子注入层，位于所述电子传输层面向所述顶电极的一侧；
所述界面层位于所述空穴注入层与所述空穴传输层之间。
6.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述发光器件为倒置结构器件，所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极；所述发光功能层包括：
电子注入层，位于所述底电极背离所述衬底基板的一侧；
电子传输层，位于所述电子注入层背离所述底电极的一侧；
发光层，位于所述电子传输层背离所述电子注入层的一侧；
空穴传输层，位于所述发光层面向所述顶电极的一侧；
空穴注入层，位于所述空穴传输层面向所述顶电极的一侧；
所述界面层位于所述空穴注入层与所述空穴传输层之间。
7.如权利要求5或6所述的显示装置，其特征在于，所述底电极与所述发光层之间的功能层采用旋涂法或喷墨打印法制作而成。
8.如权利要求5或6所述的显示装置，其特征在于，所述发光层采用旋涂法或喷墨打印法制作而成。
9.如权利要求1-6任一项所述的显示装置，其特征在于，所述发光器件为顶发射型器件或底发射型器件。
10.如权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述发光器件为有机发光二极管器件或量子点发光二极管器件。
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