CN114057766B - 一种含稠杂环结构的化合物及其应用和一种有机电致发光器件 - Google Patents

一种含稠杂环结构的化合物及其应用和一种有机电致发光器件 Download PDF

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Abstract

本发明涉及有机电致发光器件领域，公开了一种含稠杂环结构的化合物及其应用和一种有机电致发光器件，该化合物具有式(I)所示的结构：式(I)：A‑L1‑B；A结构由式(I‑1)所示的结构去掉任意一个H原子而提供；B结构由式(I‑2)所示的结构等提供。本发明的化合物具有较高的三线态能级，应用于OLED器件中能够提高发光效率。

Description

一种含稠杂环结构的化合物及其应用和一种有机电致发光 器件
技术领域
本发明涉及有机电致发光器件领域，具体涉及一种含稠杂环结构的化合物及其应用和一种有机电致发光器件。
背景技术
有机电致发光现象是1963年Pope等人最早发现的，直到1987年柯达公司的邓青云博士等人报道了基于荧光效率高、电子传输性好的8-羟基喹啉铝和空穴传输性良好的芳香二胺两种有机半导体材料，通过真空热蒸镀制备了器件为三明治型的有机电致发光器件。
在驱动电压小于10V的电压下，前述有机电致发光器件的外量子效率达到了1％，使得OLED材料及器件具有了实用性的可能，从此引起了众多科学家和产业界对OLED材料及器件的研究。
近年来，OLED作为新一代的显示技术逐渐进入人们的视野，广泛的应用前景和技术上的突飞猛进使得OLED成为显示领域和科学研究产品开发最热门的研究之一。
目前，OLED器件或屏体仍然存在驱动电压高、电流效率低的缺陷，为了改善这些缺陷，一方面器件结构需要进一步优化，另一方面也需要改进各功能层光材料的性能，其中，发光材料极大地影响着器件的光电性能，发光材料根据功能分为主体材料和掺杂材料，主体材料需要具有高电子和空穴迁移率，高三线态能级及良好的热稳定性能等优异性能来改善目前所面临的OLED器件缺陷。
电子阻挡层材料在OLED器件中也是必不可少的，也极大的影响着OLED器件的光电性能。
为了进一步提升OLED技术的竞争力和应用领域，需要OLED器件的光电性能大幅度的提升，作为对器件性能具有决定性作用的OLED材料的改进势在必行。
因此，开发高性能的有机电致发光材料具有十分重大的意义。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术的OLED器件或屏体存在驱动电压高、电流效率低的缺陷。
为了实现上述目的，本发明的第一方面提供一种含稠杂环结构的化合物，该化合物具有式(I)所示的结构：
式(I)：A-L1-B；
其中，
式(I)中的A结构由式(I-1)所示的结构去掉任意一个H原子而提供；
式(I)中的B结构由式(I-2)所示的结构、式(I-3)所示的结构、式(I-4)所示的结构、式(I-5)所示的结构去掉任意一个H原子、式(I-6)所示的结构、式(I-7)所示的结构、式(I-8)所示的结构、式(I-9)所示的结构中的任意一个结构而提供；
式(I)中的L1结构选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的对三联苯、取代或未取代的9,9-二甲基芴去掉共轭环上的任意两个H原子提供的基团、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基，或者式(I)中的L1结构不存在而使得式(I)中的A结构与B结构直接连接；
式(I-1)：
Figure GDA0003483068270000021
式(I-2)：
Figure GDA0003483068270000022
式(I-3)：
Figure GDA0003483068270000023
式(I-4)：
Figure GDA0003483068270000024
式(I-5)：
Figure GDA0003483068270000025
式(I-6)：
Figure GDA0003483068270000026
式(I-7)：
Figure GDA0003483068270000027
式(I-8)：
Figure GDA0003483068270000028
式(I-9)：
Figure GDA0003483068270000029
在式(I-1)中，X为O或S；
在式(I-2)中，X1、X2和X3中的两者为N，剩余一者为N或CH；
在式(I-2)和式(I-3)中，R1、R2、R3、R4各自独立地选自取代或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C3-C20杂芳基、取代或未取代的C9-C20稠环芳基、取代或未取代的C5-C20稠环杂芳基中的至少一种；
L1结构、R1、R2、R3、R4中任选存在的取代基各自独立地选自C6-C20芳基、C3-C20杂芳基、C1-C10烷基和C1-C10烷氧基中的至少一种。
本发明的第二方面提供前述化合物在有机电致发光器件中的应用。
本发明的第三方面提供一种有机电致发光器件，该器件中含有前述化合物中的至少一种。
本发明至少具有如下具体的优点：
1、本发明提供的母核结构及其上带有的吸电子基团形成的新化合物，有合适的HOMO、LUMO能级，能够匹配相邻近的功能层材料，降低电子和空穴的注入势垒，应用于OLED器件中能够降低驱动电压；同时带有吸电子基团的新化合物具有高电子和空穴迁移率，且能够平衡器件中电子和空穴的迁移速率，应用于OLED器件中能够获得较宽的载流子复合区域，从而提高发光效率；
2、本发明提供的母核结构及其上带有给电子基团形成的新化合物，有合适的HOMO能级，能够匹相邻的功能层材料，降低空穴的注入势垒；有较高的LUMO能级可阻挡电子，防止漏电，能够提高器件的驱动电压及其发光效率；
3、本发明的化合物具有较高的三线态能级，应用于OLED器件中能够提高发光效率。
具体实施方式
在本文中所披露的范围的端点和任何值都不限于该精确的范围或值，这些范围或值应当理解为包含接近这些范围或值的值。对于数值范围来说，各个范围的端点值之间、各个范围的端点值和单独的点值之间，以及单独的点值之间可以彼此组合而得到一个或多个新的数值范围，这些数值范围应被视为在本文中具体公开。
“式(I)中的A结构由式(I-1)所示的结构去掉任意一个H原子而提供”，表示，A结构由式(I-1)所示的结构提供，并且，式(I-1)所示的结构中的任意一个能够被取代的位置与式(I)中的L1或者与B结构连接。“式(I-5)所示的结构去掉任意一个H原子”、“9,9-二甲基芴去掉共轭环上的任意一个H原子提供的基团”具有与此类似的解释。
“式(I)中的L1结构由选自苯、联苯、萘、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑中的任意一种化合物去掉任意两个H原子而提供”，表示，L1结构由选自苯、联苯、萘、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑中的任意一种化合物作为连接基团而提供，该连接基团连接A和B结构；并且，该连接基团通过任意两个能够被取代的位置分别连接A和B结构。
“式(I)中的L1结构不存在而使得式(I)中的A结构与B结构直接连接”，表示，L1结构不存在，式(I)中的A结构与B结构直接键连接。
如前所述，本发明的第一方面提供了一种含稠杂环结构的化合物，该化合物具有式(I)所示的结构：
式(I)：A-L1-B；
其中，
式(I)中的A结构由式(I-1)所示的结构去掉任意一个H原子而提供；
式(I)中的B结构由式(I-2)所示的结构、式(I-3)所示的结构、式(I-4)所示的结构、式(I-5)所示的结构去掉任意一个H原子、式(I-6)所示的结构、式(I-7)所示的结构、式(I-8)所示的结构、式(I-9)所示的结构中的任意一个结构而提供；
式(I)中的L1结构选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的对三联苯、取代或未取代的9,9-二甲基芴去掉共轭环上的任意两个H原子提供的基团、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基，或者式(I)中的L1结构不存在而使得式(I)中的A结构与B结构直接连接；
式(I-1)：
Figure GDA0003483068270000031
式(I-2)：
Figure GDA0003483068270000032
式(I-3)：
Figure GDA0003483068270000033
式(I-4)：
Figure GDA0003483068270000034
式(I-5)：
Figure GDA0003483068270000035
式(I-6)：
Figure GDA0003483068270000041
式(I-7)：
Figure GDA0003483068270000042
式(I-8)：
Figure GDA0003483068270000043
式(I-9)：
Figure GDA0003483068270000044
在式(I-1)中，X为O或S；
在式(I-2)中，X1、X2和X3中的两者为N，剩余一者为N或CH；
在式(I-2)和式(I-3)中，R1、R2、R3、R4各自独立地选自取代或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C3-C20杂芳基、取代或未取代的C9-C20稠环芳基、取代或未取代的C5-C20稠环杂芳基中的至少一种；
L1结构、R1、R2、R3、R4中任选存在的取代基各自独立地选自C6-C20芳基、C3-C20杂芳基、C1-C10烷基和C1-C10烷氧基中的至少一种。
更优选地，R1、R2、R3、R4各自独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的对三联苯、取代或未取代的9,9-二甲基芴去掉共轭环上的任意一个H原子提供的基团、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基中的至少一种基团。
优选情况下，式(I)中的L1结构由选自苯、联苯、萘、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑中的任意一种化合物去掉任意两个H原子而提供，或者式(I)中的L1结构不存在而使得式(I)中的A结构与B结构直接连接；
式(I-1)：
Figure GDA0003483068270000045
式(I-2)：
Figure GDA0003483068270000046
式(I-3)：
Figure GDA0003483068270000047
式(I-4)：
Figure GDA0003483068270000048
式(I-5)：
Figure GDA0003483068270000049
式(I-6)：
Figure GDA0003483068270000051
式(I-7)：
Figure GDA0003483068270000052
式(I-8)：
Figure GDA0003483068270000053
式(I-9)：
Figure GDA0003483068270000054
在式(I-1)中，X为O或S；
在式(I-2)中，X1、X2和X3中的两者为N，剩余一者为N或CH；
在式(I-2)和式(I-3)中，R1、R2、R3、R4各自独立地选自苯基、联苯基、萘基、9,9-二甲基芴去掉共轭环上的任意一个H原子提供的基团、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基中的至少一种基团。
以下提供本发明的几种优选的具体实施方式说明本发明的前述化合物。
具体实施方式1：
式(I)中的A结构由式(I-1)所示的结构去掉任意一个H原子而提供；
式(I)中的B结构由式(I-2)所示的结构提供；
式(I)中的L1结构由选自苯、联苯、萘、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑中的任意一种化合物去掉任意两个H原子而提供，或者式(I)中的L1结构不存在而使得式(I)中的A结构与B结构直接连接；
在式(I-1)中，X为O或S；
在式(I-2)中，X1、X2和X3中的两者为N，剩余一者为N或CH；
R1、R2各自独立地选自苯基、联苯基、萘基、9,9-二甲基芴去掉共轭环上的任意一个H原子提供的基团、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基中的至少一种基团。
具体实施方式2：
式(I)所示结构的化合物选自以下中的任意一种：
Figure GDA0003483068270000055
Figure GDA0003483068270000061
Figure GDA0003483068270000071
具体实施方式3：
式(I)中的A结构由式(I-1)所示的结构去掉任意一个H原子而提供；
式(I)中的B结构由式(I-3)所示的结构提供；
式(I)中的L1结构由选自苯、联苯、萘、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑中的任意一种化合物去掉任意两个H原子而提供，或者式(I)中的L1结构不存在而使得式(I)中的A结构与B结构直接连接；
在式(I-1)中，X为O或S；
R3、R4各自独立地选自苯基、联苯基、萘基、9,9-二甲基芴去掉共轭环上的任意一个H原子提供的基团、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基中的至少一种基团。
具体实施方式4：
式(I)所示结构的化合物选自以下中的任意一种：
Figure GDA0003483068270000081
Figure GDA0003483068270000091
具体实施方式5：
式(I)中的A结构由式(I-1)所示的结构去掉任意一个H原子而提供；
式(I)中的B结构由式(I-4)所示的结构或式(I-5)所示的结构提供；
式(I)中的L1结构由选自苯、联苯、萘、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑中的任意一种化合物去掉任意两个H原子而提供，或者式(I)中的L1结构不存在而使得式(I)中的A结构与B结构直接连接；
在式(I-1)中，X为O或S；
具体实施方式6：
式(I)所示结构的化合物选自以下中的任意一种：
Figure GDA0003483068270000101
具体实施方式7：
式(I)中的A结构由式(I-1)所示的结构去掉任意一个H原子而提供；
式(I)中的B结构由式(I-6)所示的结构、式(I-7)所示的结构、式(I-8)所示的结构或式(I-9)所示的结构提供；
式(I)中的L1结构由选自苯、联苯、萘、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑中的任意一种化合物去掉任意两个H原子而提供，或者式(I)中的L1结构不存在而使得式(I)中的A结构与B结构直接连接；
在式(I-1)中，X为O或S。
具体实施方式8：
式(I)所示结构的化合物选自以下中的任意一种：
Figure GDA0003483068270000111
具体实施方式9：
式(I)所示结构的化合物选自以下中的任意一种：
Figure GDA0003483068270000112
Figure GDA0003483068270000121
Figure GDA0003483068270000131
Figure GDA0003483068270000141
Figure GDA0003483068270000151
Figure GDA0003483068270000161
具体实施方式10：
式(I)所示结构的化合物选自以下中的任意一种：
Figure GDA0003483068270000162
Figure GDA0003483068270000171
本发明对制备前述化合物的具体方法没有特别的限制，本领域技术人员可以根据本发明提供的具体结构式，结合有机合成领域内的常规工艺路线获得本发明前述的化合物，并且，本发明的后文中示例性地列举了几个实例以说明本发明的化合物的制备方法，本领域技术人员也可以根据本发明的后文中的化合物的制备方法，通过替换原料的种类获得其余所有化合物的具体制备方法。本发明不再对全部化合物的制备方法进行详述，本领域技术人员不应理解为对本发明的限制。
如前所述，本发明的第二方面提供了前述化合物在有机电致发光器件中的应用。
如前所述，本发明的第三方面提供了一种有机电致发光器件，该器件中含有前述化合物中的至少一种。
优选地，所述化合物存在于所述器件的空穴传输层、电子阻挡层和发光层的至少一层中。
特别优选地，所述化合物存在于所述器件的发光层和/或电子阻挡层中。
进一步优选地，所述化合物为所述器件的发光层中的主体材料。
根据一种优选的具体实施方式，所述化合物存在于该有机电致发光器件的电子阻挡层中。
优选情况下，本发明的该有机电致发光器件中还含有阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极。
根据本发明的一些实施方式，形成所述阳极的阳极材料，通常优选具有大功函数的材料，例如本发明中使用的阳极材料选自以下材料的一种或多种，金属，如钒、铬、铜和金，或其他合金：金属氧化物，如：氧化锌、氧化铟、氧化铟锡、氧化铟锌和二氧化锡，金属和氧化物的组合，如：氧化锌：铝，但不限于此。
根据本发明的一些实施方式，形成所述空穴注入层的材料，具有传输空穴的能力，因此，所述空穴注入层的材料具有注入阳极中的空穴效应，对发光层或发光材料具有优异的空穴注入效应，防止发光层中产生的激子移动至电子注入层或电子注入材料，此外，具有优异的薄膜形成能力。空穴注入材料的HOMO优选在阳极材料的功函数与周围有机材料层的HOMO之间。
根据本发明的一些实施方式，形成所述空穴传输层的材料为能够接收来自阳极或空穴注入层的空穴、使空穴移动至发光层并对空穴具有高迁移率的材料。
根据本发明的一些实施方式，所述空穴注入材料和空穴传输材料包括芳香族胺衍生物(例如NPB、SqMA1)、六氮杂苯并菲衍生物(例如HACTN)、吲哚并咔唑衍生物、导电聚合物(例如PEDOT/PSS)，酞菁或卟啉衍生物、二苯并茚并芴胺、螺二芴胺中的至少一种，但不限于此。
根据本发明的一些实施方式，所述空穴注入层和空穴传输层例如可采用如下通式的芳香族胺衍生物形成：
Figure GDA0003483068270000181
上述通式中的R1至R9的基团各自独立地选自单键、氢、氘、烷基、苯、二联苯、三联苯、萘、蒽、菲、苯并菲、芘、芴、二甲基芴、螺二芴、咔唑、噻吩、苯并噻吩、二苯并噻吩、呋喃、苯并呋喃、二苯并呋喃、吲哚、吲哚咔唑、茚并咔唑、吡啶、嘧啶、咪唑、噻唑、喹啉、异喹啉、喹喔啉、喹唑啉、卟啉、咔啉、吡嗪、哒嗪或三嗪。
根据本发明的一些实施方式，电子阻挡层的形成材料不受特别限制，一般情况下，能够具备如下第1或/和第2个条件的化合物均可考虑采用：
第1：具备较浅的LUMO能级(绝对值较小)，其目的就是减少离开发光层的电子数目，从而提高电子和空穴在发光层的复合几率。
第2：具备较大的三线态能量，其目的就是减少离开发光层的激子数量，从而提高激子转换发光的效率。
根据本发明的一些实施方式，当所述器件的发光层中含有本发明前述第一方面中所述的化合物时，形成所述电子阻挡层的材料包括但不限于芳香族胺衍生物(例如NPB)、螺二芴胺(例如SpMA2)，其中部分电子阻挡材料和空穴注入材料和空穴传输材料的结构类似。
根据本发明的一些实施方式，当所述器件的电子阻挡层中含有本发明前述第一方面中所述的化合物时，发光层的发光材料是能够通过接收分别来自空穴传输层和电子传输层的空穴和电子并使空穴和电子结合而发出可见光区域内的光的材料，并且优选对荧光或磷光有良好的量子效率的材料。
根据本发明的一些实施方式，发光层可以包含主体材料和客体材料。
根据本发明的一些实施方式，所述的主体材料可以包括蒽类衍生物、咔唑类衍生物、芴类衍生物、芳胺类衍生物、有机硅类衍生物、咔唑-三嗪类衍生物、磷氧基类衍生物、菲啰啉衍生物，但不限于此。
在本发明的一些优选实施方式中，所述蒽类衍生物具有如下所示的通式：
Figure GDA0003483068270000182
所述磷氧基类衍生物具有如下所示的通式：
Figure GDA0003483068270000191
在上述蒽类衍生物和磷氧基类衍生物的通式中，R11、R12、R13、R14、R15和R16各自独立地选自单键、氢、氘、烷基、苯、二联苯、三联苯、四联苯、萘、苯基萘、蒽、菲、苯并菲、芘、芴、咔唑、噻吩、苯并噻吩、二苯并噻吩、呋喃、苯并呋喃、二苯并呋喃、吲哚、吲哚咔唑、茚并咔唑、吡啶、嘧啶、咪唑、噻唑、喹啉、异喹啉、喹喔啉、喹唑啉、卟啉、咔啉、吡嗪、哒嗪或三嗪，以及它们的取代物表示的基团。
根据本发明的一些实施方式，客体材料优选为经由磷光、荧光、TADF(热激活延迟荧光)、MLCT(金属到配体电荷转移)、HLCT(具有杂化CT态)和三线态-三线态消灭方法中的至少一种方法产生发射的化合物。
根据本发明的一些实施方式，发光层中的客体材料中可以包括苝的衍生物、蒽的衍生物、芴类衍生物、二苯乙烯基芳类衍生物、芳胺类衍生物、有机硅类衍生物、有机硼类衍生物、咔唑-三嗪类衍生物、吖啶类衍生物、含有酮类衍生物、砜基类衍生物、氰基衍生物和氧杂蒽类衍生物，但不限于此。
在本发明的一些优选实施方式中，所述砜基类衍生物具有如下所示的通式：
Figure GDA0003483068270000192
所述酮类衍生物具有如下所示的通式：
Figure GDA0003483068270000193
在上述砜基类衍生物和酮类衍生物的通式中，R20、R21、R22和R23各自独立地选自单键、氢、氘、烷基、苯、二联苯、三联苯、四联苯、萘、苯基萘、蒽、菲、苯并菲、芘、芴、咔唑、噻吩、苯并噻吩、二苯并噻吩、呋喃、苯并呋喃、二苯并呋喃、吲哚、吲哚咔唑、茚并咔唑、吡啶、嘧啶、咪唑、噻唑、喹啉、异喹啉、喹喔啉、喹唑啉、卟啉、咔啉、吡嗪、哒嗪或三嗪，以及它们的取代物表示的基团。
根据本发明的一些实施方式，空穴阻挡层的材料还可以优选为具备如下第1和/或第2个条件的化合物：
第1：具备较深的HOMO能级(绝对值较大)，其目的就是减少离开发光层的空穴数目，从而提高电子和空穴在发光层的复合几率。
第2：具备较大的三线态能量，其目的就是减少离开发光层的激子数量，从而提高激子转换发光的效率。
根据本发明的一些实施方式，形成所述空穴阻挡层的材料例如可以包括含有菲啰啉衍生物(例如Bphen,BCP)，苯并菲衍生物，苯并咪唑衍生物，但不限于此。
根据本发明的一些实施方式，电子注入层是注入来自电极的电子的层，并且电子注入材料优选为这样的化合物：其具有传输电子的能力，具有注入来自阴极的电子的效应，具有将电子注入发光层或发光材料的优异效应，防止发光层中产生的激子移动至空穴注入层，此外还具有优异的薄膜形成能力。电子注入层材料例如包括LiF、CsF、Cs2CO3、LiQ，但不限于此。
根据本发明的一些实施方式，形成所述阴极材料通常优选具有小功函数的材料，可以使电子顺利注入有机材料层，能够在本公开内容中使用的阴极材料可以选自以下材料的一种或多种，Al、Mg和Ag中的一种或多种。
以下将通过实例对本发明进行详细描述。以下实例中，在没有特别说明的情况下，使用的各种原料均为普通市售品。
在没有特别说明的情况下，下文所述的室温均表示25±1℃。
制备例1
中间体M-2的合成：
Figure GDA0003483068270000201
中间体M-1的合成：在100ml三口瓶中，将0.01mol的苯肼盐酸盐在30分钟内分批加入到含0.01mol环己酮的乙酸溶液(30ml)中，然后回流8小时，反应完全。将反应液冷却到室温，然后倒入到冰水中，过滤得到粗品，将固体用甲醇进行重结晶，得到白色固M-1(收率80％)。
中间体M-2的合成：在250ml烧瓶中，将0.01mol高碘酸和2ml甲醇在室温搅拌下30分钟。将反应液冷却到-10℃，然后将0.01mol中间体M-1的甲醇溶液(5mL)慢慢的滴加到反应混合液中，滴加完成后，使反应液自然升到室温。将反应液倒到冰水中，用乙酸乙酯进行萃取产品，分离有机相，并用硫代硫酸钠溶液洗涤有机相，然后无水硫酸钠进行干燥，通过柱层析白色固体M-2(收率75％)。
制备例2
中间体M-3的合成：
Figure GDA0003483068270000202
中间体M-3的合成：将0.7mmol的中间体M-2和含有0.7mmol苯肼盐酸盐的乙酸/三氟乙酸(体积比3:1)的溶液(15ml)加热回流14小时。将反应瓶冷却到室温，加入冰水，析出固体，过滤得到粗品，用二氯甲烷作为洗脱剂进行柱色谱纯化，得到白色固体M-3(收率：68％)。
制备例3
中间体M-4的合成：
Figure GDA0003483068270000203
按照合成M-3相似的方法制备M-4，得到白色固体M-4。
制备例4
中间体M-5的合成：
Figure GDA0003483068270000211
中间体M-5的合成：将0.01mol吲哚并[2,3-A]咔唑溶于26ml的N,N-二甲基甲酰胺中，滴加含有0.01mol的NBS的N,N-二甲基甲酰胺溶液20ml，滴加完毕升温至100℃搅拌2h，检测原料反应完毕，将反应液降至室温后滴加水150ml，搅拌20min后，过滤得到粗品，烘干得到中间体M-5(收率55％)。
制备例5
中间体M-6的合成：
Figure GDA0003483068270000212
中间体M-6的合成：2L三口瓶中，在氮气保护下，加入800ml无水THF，然后加入0.2mol的二苯醚，将反应体系用冰水冷却到0℃，缓慢的滴加176ml的0.44mol的2.5M正丁基锂溶液，滴加过程中保持反应温度在0-5℃，加完后在此温度下继续搅拌2小时，然后升到室温继续反应2小时，再次将反应体系冷却到-20℃，加入0.5mol固体单质碘，加完后保持冰浴1小时，撤掉冰浴升温到室温继续搅拌2小时，溶液呈棕红色。加入亚硫酸氢钠水溶液，将反应液洗至淡黄色，加入乙酸乙酯萃取两遍，合并有机相，干燥，旋干溶剂，得到棕色固体，经石油醚重结晶得到白色固体M6(收率63％)。
制备例6
中间体M-7的合成：
Figure GDA0003483068270000213
中间体M-7的合成：在1L三口瓶中，在氮气保护下，将0.1mol的2-碘苯酚溶于220mlDMF溶剂中，将反应体系冷却到0℃，缓慢加入0.11mol的NaH(60重量％)，冒出大量气泡，自然升到室温，并搅拌2小时，氮气保护下依次加入0.1mol的溴取代的1-氟2-碘苯，搅拌升温至回流反应，6h后检测原料反应完毕，降温至室温，加入200mL去离子水水解，搅拌10分钟，分液，有机相用甲苯洗涤三遍，合并有机相，无水硫酸镁干燥。将残余物通过硅胶柱色谱分离，得到白色固体。
制备例7
中间体M-8的合成：
Figure GDA0003483068270000214
按照合成M-6相似的方法制备M-8，得到白色固体M-8(收率45％)。
制备例8
中间体M-9的合成：
Figure GDA0003483068270000221
按照合成M-7相似的方法制备M-9，得到白色固体M-9。
制备例9
中间体C-1的合成：
Figure GDA0003483068270000222
中间体C-1的合成：氮气保护下，向装有机械搅拌、温度计的2L三口瓶中加入0.1mol的M-4，0.1mol的M-6，0.2mol的活化铜粉，20mmol的18-冠-6，0.3mol的碳酸钾，邻二氯苯400ml。开启搅拌，反应混合物保持回流反应60h。将反应液降温至室温，补加400ml甲苯，过滤，旋干滤液，用石油醚/乙酸乙酯为洗脱剂柱层析，得到中间体C-1。
制备例10
中间体C-2的合成：
Figure GDA0003483068270000223
按照合成C-1相似的方法制备C-2，得到白色固体C-2。
制备例11
中间体C-3的合成：
Figure GDA0003483068270000224
按照合成C-1相似的方法制备C-3，得到白色固体C-3。
制备例12
中间体C-4的合成：
Figure GDA0003483068270000231
按照合成C-1相似的方法制备C-4，得到白色固体C-4。
制备例13
中间体C-5的合成：
Figure GDA0003483068270000232
中间体C-5的合成：同中间体C-1的合成方法相同，所不同的是将M-4替换为M-5，得到中间体C-5。
制备例14
中间体C-6的合成：
Figure GDA0003483068270000233
中间体C-6的合成：同中间体C-1的合成方法相同，得到中间体C-6。
化合物实施例1：化合物1-1的合成
Figure GDA0003483068270000234
中间体1-1-1的合成：在500ml三口瓶中，将0.01mol的上述路线的中间体溶于50ml的1,4-二氧六环溶剂中，通氮气下搅拌，依次加入0.01mol的联硼酸频哪醇酯、0.025mol乙酸钾、0.1mmol的[1,1'-双(二苯基膦基)二茂铁]二氯化钯，升温至回流反应，3h后HPLC检测原料基本反应完毕，将反应液降至室温后，将反应液减压旋干，得到粗品，将粗品溶于氯苯溶剂，加热搅拌，升温至回流，热过硅胶柱进行脱色，将滤液减压旋干至有少量溶剂，再加入100ml乙醇打浆，用甲苯/乙醇进行重结晶，得到黄棕色固体(收率85％)。
化合物1-1的合成：将0.007mol的中间体1-1-1溶于40ml的1,4-二氧六环溶剂中，通氮气下搅拌，依次加入0.007mol的2-氯-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪、0.018mol的K2CO3、0.1mmol四(三苯基膦)钯，升温至回流反应，5h后HPLC检测原料基本反应完毕，将反应液减压旋干，将残余物通过柱层析得到黄色固体降温至室温，加入100mL去离子水水解，搅拌10分钟，分液，有机相用甲苯洗涤三遍，合并有机相，无水硫酸镁干燥。过滤掉干燥剂，旋干溶剂，残余物通过硅胶柱色谱分离，得到淡黄色固体(收率74％)
质谱：C45H27N5O，理论值：653.22，实测值：653.3。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝7.05～7.18(5H，m)，7.27～7.31(2H，m)，7.38～7.54(9H，m)，7.61～7.73(4H，m)，7.85～7.90(1H，m)，8.32～8.39(4H，m)，8.51～8.57(2H，m)。
化合物实施例2：化合物1-9的合成
Figure GDA0003483068270000241
中间体1-9-1的合成：合成方法同中间体1-1-1的合成方法相同，得到中间体1-9-1(收率82％)。
化合物1-9的合成：合成方法同化合物1-1的合成方法相同，得到化合物1-9(收率76％)。
质谱：C45H27N5O，理论值：653.22，实测值：653.2。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝7.02～7.17(5H，m)，7.26～7.32(1H，m)，7.38～7.54(10H，m)，7.60～7.72(3H，m)，7.75～7.81(1H，m)，8.16～8.21(1H，m)，8.32～8.38(5H，m)，8.53～8.57(1H，m)。
化合物实施例3：化合物1-25的合成
Figure GDA0003483068270000242
中间体1-25-1的合成：合成方法同中间体1-1-1的合成方法相同，得到中间体1-25-1(收率76％)。
化合物1-25的合成：合成方法同化合物1-1的合成方法相同，得到化合物1-25(收率73％)。
质谱：C45H27N5O，理论值：653.22，实测值：653.3。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝7.05～7.19(6H，m)，7.26～7.31(1H，m)，7.41～7.54(10H，m)，7.61～7.70(3H，m)，7.75～7.81(1H，m)，8.31～8.37(4H，m)，8.53～8.57(2H，m)。
化合物实施例4：化合物1-29的合成
Figure GDA0003483068270000243
中间体1-29-1的合成：合成方法同中间体1-1-1的合成方法相同，得到中间体1-29-1(收率72％)。
化合物1-29的合成：合成方法同化合物1-1的合成方法相同，得到化合物1-29(收率75％)。
质谱：C45H27N5O，理论值：653.22，实测值：653.1。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝7.04～7.20(6H，m)，7.27～7.32(2H，m)，7.38～7.55(10H，m)，7.66～7.71(2H，m)，8.23～8.24(1H，s)，8.33～8.39(4H，m)，8.53～8.57(2H，m)。
化合物实施例5：化合物1-34的合成
Figure GDA0003483068270000251
中间体1-34-1的合成：合成方法同中间体1-1-1的合成方法相同，得到中间体1-34-1(收率83％)。
化合物1-34的合成：合成方法同化合物1-1的合成方法相同，得到化合物1-34(收率78％)。
质谱：C45H27N5S，理论值：669.20，实测值：669.1。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝7.06～7.17(3H，m)，7.17～7.22(2H，m)，7.43～7.44(1H，m)，7.46～7.55(12H，m)，7.61～7.73(2H，m)，7.85～7.89(1H，m)，8.33～8.39(4H，m)，8.53～8.57(1H，m)，8.61～8.63(1H，m)。
化合物实施例6：化合物1-46的合成
Figure GDA0003483068270000252
化合物1-46的合成：合成方法同化合物1-1的合成方法相同，得到化合物1-46(收率76％)。
质谱：C46H28N4O，理论值：652.23，实测值：652.1。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝7.06～7.17(5H，m)，7.24～7.32(2H，m)，7.39～7.58(9H，m)，7.61～7.73(4H，m)，7.85～7.89(1H，m)，7.92～7.96(4H，m)，8.22～8.25(1H，s)，8.37～8.40(1H，m)，8.53～8.58(1H，m)。
化合物实施例7：化合物1-64的合成
Figure GDA0003483068270000253
化合物1-64的合成：合成方法同化合物1-1的合成方法相同，得到化合物1-64(收率69％)。
质谱：C52H32N4O，理论值：728.26，实测值：728.3。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝7.06～7.20(5H，m)，7.24～7.32(2H，m)，7.38～7.46(2H，m)，7.48～7.65(9H，m)，7.67～7.81(4H，m)，7.91～7.97(3H，m)，8.17～8.25(4H，m)，8.32～8.38(2H，d)，8.53～8.57(1H，m)。
化合物实施例8：化合物2-13的合成
Figure GDA0003483068270000261
化合物2-13的合成：将0.01mol的上述合成路线中的中间体溶于50ml甲苯中，加入0.01mol的二苯胺，0.025mol叔丁醇钠，0.1mmol三(二亚苄基丙酮)二钯、0.1mmol三叔丁基膦，通氮气下搅拌，升温至回流3h后检测原料反应完毕，将反应液降温至室温，向其中加入稀盐酸调节为中性，加入300ml的去离子水，进行搅拌，分液，取有机相用甲苯溶剂洗涤三次，用无水硫酸镁进行干燥，有机相用旋转蒸发除去溶剂，残余物硅胶柱色谱分离得到黄色固体(收率:70％)。
质谱：C42H27N3O，理论值：589.22，实测值：589.2。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝6.45～6.50(1H，m)，6.96～7.03(2H，m)，7.05～7.14(8H，m)，7.16～7.29(7H，m)，7.38～7.55(4H，m)，7.61～7.72(3H，m)，8.00～8.02(1H，m)，8.52～8.57(1H，m)。
化合物实施例9：化合物2-23的合成
Figure GDA0003483068270000262
化合物2-23的合成：合成方法同化合物1-1的合成方法相同，得到化合物2-23(收率73％)。
质谱：C48H31N3O，理论值：665.25，实测值：665.2。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝6.99～7.02(2H，m)，7.07～7.13(8H，m)，7.14～7.19(3H，m)，7.22～7.30(7H，m)，7.40～7.44(2H，m)，7.50～7.57(2H，m)，7.62～7.67(1H，d)，7.68～7.71(2H，m)，7.78～7.81(1H，m)，8.11～8.13(1H，d)，8.18～8.21(1H，d)，8.54～8.56(1H，m)。
化合物实施例10：化合物2-34的合成
Figure GDA0003483068270000263
化合物2-34的合成：合成方法同化合物2-13的合成方法相同，得到化合物2-34(收率68％)。
质谱：C42H27N3O，理论值：589.22，实测值：589.3。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝6.99～7.04(3H，m)，7.05～7.14(10H，m)，7.15～7.17(1H，m)，7.20～7.22(1H，m)，7.24～7.32(4H，m)，7.38～7.46(1H，m)，7.50～7.54(2H，m)，7.62～7.71(3H，m)，8.53～8.54(1H，d)，8.56～8.58(1H，d)。
化合物实施例11：化合物2-49的合成
Figure GDA0003483068270000271
化合物2-49的合成：合成方法同化合物2-13的合成方法相同，得到化合物2-49(收率71％)。
质谱：C42H25N3O，理论值：587.20，实测值：587.3。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝7.06～7.21(9H，m)，7.24～7.38(3H，m)，7.37～7.44(3H，m)，7.50～7.54(2H，m)，7.63～7.71(4H，m)，8.18～8.21(1H，m)，8.32～8.34(1H，d)，8.53～8.57(2H，m)。
化合物实施例12：化合物2-60的合成
Figure GDA0003483068270000272
化合物2-60的合成：合成方法同化合物2-13的合成方法相同，得到化合物2-60(收率62％)。
质谱：C54H32N4O，理论值：752.26，实测值：752.2。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝7.06～7.14(6H，m)，7.16～7.32(7H，m)，7.38～7.43(2H，m)，7.45～7.54(6H，m)，7.59～7.71(6H，m)，8.17～8.22(1H，m)，8.50～8.57(3H，m)，8.65～8.66(1H，s)。
化合物实施例13：化合物2-66的合成
Figure GDA0003483068270000273
化合物2-66的合成：合成方法同化合物1-1的合成方法相同，得到化合物2-66(收率72％)。
质谱：C48H29N3O，理论值：663.23，实测值：663.2。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝7.06～7.21(7H，m)，7.24～7.32(2H，m)，7.38～7.54(6H，m)，7.58～7.73(7H，m)，7.78～7.94(3H，m)，8.16～8.21(2H，m)，8.23～8.25(1H，m)，8.53～8.56(1H，s)。
化合物实施例14：化合物2-93的合成
Figure GDA0003483068270000274
化合物2-93的合成：合成方法同化合物2-13的合成方法相同，得到化合物2-93(收率73％)。
质谱：C42H25N3S，理论值：603.18，实测值：603.1。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝7.07～7.21(9H，m)，7.31～7.34(1H，m)，7.37～7.46(3H，m)，7.51～7.54(6H，m)，7.62～7.68(2H，m)，8.18～8.20(1H，m)，8.36～8.39(1H，m)，8.54～8.57(2H，s)。
器件实施例1
将涂布了ITO透明导电层的玻璃板进行超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮∶乙醇混合溶剂(体积比1∶1)中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水分，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
将上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-4Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HAT-CN作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为5nm；接着蒸镀空穴传输层NPB，蒸镀速率为0.1nm/s，厚度为60nm；空穴传输层上真空蒸镀TCTA作为电子阻挡层，蒸镀速率为0.1nm/s，厚度为10nm；
在空穴传输层之上真空蒸镀器件的发光层，发光层包括主体材料和客体材料，利用多源共蒸的方法，调节主体材料化合物1-1蒸镀速率为0.1nm/s，客体材料Ir(ppy)3蒸镀速率为主体材料的蒸镀速率的7％比例设定，蒸镀总膜厚为30nm；
在发光层之上真空蒸镀器件的空穴阻挡层TPBi，蒸镀速率为0.1nm/s，厚度为5nm；然后蒸镀电子传输层，利用多源共蒸的方法，调节ET-1和ET-2的蒸镀速率均为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为30nm；
在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为1nm的LiF作为电子注入层，厚度为150nm的Al层作为器件的阴极。
器件实施例2～13
采用与器件实施例1相似的方法制备器件实施例2～13的有机发光器件，所不同的是，将器件实施例1中的化合物1-1替换成表1中的相应化合物。
涉及的分子结构如下：
Figure GDA0003483068270000281
器件对比例1
采用与器件实施例1相似的方法制备器件对比例1的有机电致发光器件，所不同的是，将器件实施例1中的化合物1-1分别替换成1-M-1。
Figure GDA0003483068270000291
质谱：C45H27N5，理论值：637.23，实测值：637.2。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝7.06～7.10(1H，d)，7.14～7.24(4H，m)，7.32～7.34(1H，m)，7.37～7.42(3H，m)，7.47～7.53(5H，m)，7.61～7.65(1H，m)，7.68～7.76(1H，m)，7.77～7.83(2H，m)，8.06～8.14(2H，m)，8.16～8.23(2H，m)，8.32～8.40(4H，m)，8.41～8.44(1H，m)。
测试例1
在亮度10000cd/m2下，测定器件实施例1～13和器件对比例1中制备得到的有机电致发光器件的驱动电压和电流效率，结果见表1。
表1
绿光主体材料 驱动电压(V) 效率(cd/A) 亮度(cd/m<sup>2</sup>)
器件实施例1 化合物1-1 4.66 72.8 10000
器件实施例2 化合物1-5 4.42 69.1 10000
器件实施例3 化合物1-9 4.58 70.9 10000
器件实施例4 化合物1-11 4.49 68.8 10000
器件实施例5 化合物1-16 4.63 71.7 10000
器件实施例6 化合物1-22 4.53 67.9 10000
器件实施例7 化合物1-25 4.46 70.2 10000
器件实施例8 化合物1-30 4.61 68.3 10000
器件实施例9 化合物1-34 4.68 72.4 10000
器件实施例10 化合物1-41 4.55 69.8 10000
器件实施例11 化合物1-46 4.79 67.7 10000
器件实施例12 化合物1-52 4.74 67.8 10000
器件实施例13 化合物1-64 4.70 68.1 10000
器件对比例1 1-M-1 5.35 58.8 10000
从表1所示的实验结果可以看出，由本发明的化合物作为有机电致发光器件的绿光主体材料时，与现有技术相比，具有更低的驱动电压及更高的发光效率。
器件实施例14～25
采用与器件实施例1相似的方法制备器件实施例14～25的有机发光器件，所不同的是，将器件实施例1中的化合物1-1替换成CBP，以及将TCTA替换成表2中的相应化合物。
器件对比例2～3
采用与器件实施例14相似的方法制备器件对比例2～3的有机电致发光器件，所不同的是，将器件实施例14中的化合物2-3分别替换成1-M-2、1-M-3。
Figure GDA0003483068270000301
1-M-2的表征：
质谱：C42H25N3，理论值：571.20，实测值：571.1。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝7.09～7.22(8H，m)，7.38～7.42(5H，m)，7.51～7.53(1H，m)，7.70～7.74(2H，m)，8.01～8.02(1H，s)，8.08～8.12(2H，m)，8.18～8.20(3H，m)，8.41～8.44(2H，m)，8.54～8.56(1H，m)。
1-M-3的表征：
质谱：C48H31N3，理论值：649.25，实测值：649.2。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝6.96～7.11(6H，m)，7.14～7.28(8H，m)，7.35～7.42(6H，m)，7.53～7.58(2H，m)，7.68～7.76(2H，m)，7.82～7.84(1H，s)，8.06～8.14(2H，m)，8.15～8.23(2H，m)，8.40～8.44(2H，m)。
测试例2
在亮度10000cd/m2下，测定器件实施例14～25和器件对比例2～3中制备得到的有机电致发光器件的驱动电压和电流效率，结果见表2。
表2
空穴阻挡材料 驱动电压(V) 效率(cd/A) 亮度(cd/m<sup>2</sup>)
器件实施例14 化合物2-3 4.49 65.2 10000
器件实施例15 化合物2-13 4.33 67.4 10000
器件实施例16 化合物2-18 4.48 66.9 10000
器件实施例17 化合物2-23 4.40 66.1 10000
器件实施例18 化合物2-26 4.45 63.9 10000
器件实施例19 化合物2-34 4.32 64.6 10000
器件实施例20 化合物2-39 4.51 66.7 10000
器件实施例21 化合物2-49 4.44 69.2 10000
器件实施例22 化合物2-60 4.37 67.7 10000
器件实施例23 化合物2-66 4.43 66.8 10000
器件实施例24 化合物2-82 4.28 64.3 10000
器件实施例25 化合物2-93 4.38 68.8 10000
器件对比例2 1-M-2 5.02 58.1 10000
器件对比例3 1-M-3 4.96 57.3 10000
从表2所示的实验结果可以看出，由本发明的化合物作为有机电致发光器件的电子阻挡层材料时，与现有技术相比，具有更低的驱动电压及更高的发光效率。
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于此。在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，包括各个技术特征以任何其它的合适方式进行组合，这些简单变型和组合同样应当视为本发明所公开的内容，均属于本发明的保护范围。

Claims (14)

1.一种含稠杂环结构的化合物，其特征在于，该化合物具有式(I)所示的结构：
式(I)：A-L1-B；
其中，
式(I)中的A结构由式(I-1)所示的结构去掉任意一个H原子而提供；
式(I)中的B结构由式(I-2)所示的结构、式(I-3)所示的结构、式(I-4)所示的结构、式(I-5)所示的结构去掉任意一个H原子、式(I-6)所示的结构、式(I-7)所示的结构、式(I-8)所示的结构、式(I-9)所示的结构中的任意一个结构而提供；
式(I)中的L1结构由选自苯、联苯、萘、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑中的任意一种化合物去掉任意两个H原子而提供，或者式(I)中的L1结构不存在而使得式(I)中的A结构与B结构直接连接；
式(I-1)：
Figure FDA0003906557000000011
式(I-2)：
Figure FDA0003906557000000012
式(I-3)：
Figure FDA0003906557000000013
式(I-4)：
Figure FDA0003906557000000014
式(I-5)：
Figure FDA0003906557000000015
式(I-6)：
Figure FDA0003906557000000016
式(I-7)：
Figure FDA0003906557000000017
式(I-8)：
Figure FDA0003906557000000021
式(I-9)：
Figure FDA0003906557000000022
在式(I-1)中，X为O或S；
在式(I-2)中，X1、X2和X3中的两者为N，剩余一者为N或CH；
在式(I-2)和式(I-3)中，R1、R2、R3、R4各自独立地选自苯基、联苯基、萘基、9,9-二甲基芴去掉共轭环上的任意一个H原子提供的基团、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基中的至少一种基团。
2.根据权利要求1所述的化合物，其中，
式(I)中的A结构由式(I-1)所示的结构去掉任意一个H原子而提供；
式(I)中的B结构由式(I-2)所示的结构提供；
式(I)中的L1结构由选自苯、联苯、萘、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑中的任意一种化合物去掉任意两个H原子而提供，或者式(I)中的L1结构不存在而使得式(I)中的A结构与B结构直接连接；
在式(I-1)中，X为O或S；
在式(I-2)中，X1、X2和X3中的两者为N，剩余一者为N或CH；
R1、R2各自独立地选自苯基、联苯基、萘基、9,9-二甲基芴去掉共轭环上的任意一个H原子提供的基团、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基中的至少一种基团。
3.根据权利要求1或2所述的化合物，其中，式(I)所示结构的化合物选自以下中的任意一种：
Figure FDA0003906557000000031
Figure FDA0003906557000000041
Figure FDA0003906557000000051
4.根据权利要求1所述的化合物，其中，
式(I)中的A结构由式(I-1)所示的结构去掉任意一个H原子而提供；
式(I)中的B结构由式(I-3)所示的结构提供；
式(I)中的L1结构由选自苯、联苯、萘、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑中的任意一种化合物去掉任意两个H原子而提供，或者式(I)中的L1结构不存在而使得式(I)中的A结构与B结构直接连接；
在式(I-1)中，X为O或S；
R3、R4各自独立地选自苯基、联苯基、萘基、9,9-二甲基芴去掉共轭环上的任意一个H原子提供的基团、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基中的至少一种基团。
5.根据权利要求1或4所述的化合物，其中，式(I)所示结构的化合物选自以下中的任意一种：
Figure FDA0003906557000000061
Figure FDA0003906557000000071
6.根据权利要求1所述的化合物，其中，
式(I)中的A结构由式(I-1)所示的结构去掉任意一个H原子而提供；
式(I)中的B结构由式(I-4)所示的结构或式(I-5)所示的结构提供；
式(I)中的L1结构由选自苯、联苯、萘、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑中的任意一种化合物去掉任意两个H原子而提供，或者式(I)中的L1结构不存在而使得式(I)中的A结构与B结构直接连接；
在式(I-1)中，X为O或S。
7.根据权利要求1或6所述的化合物，其中，式(I)所示结构的化合物选自以下中的任意一种：
Figure FDA0003906557000000081
Figure FDA0003906557000000091
8.根据权利要求1所述的化合物，其中，
式(I)中的A结构由式(I-1)所示的结构去掉任意一个H原子而提供；
式(I)中的B结构由式(I-6)所示的结构、式(I-7)所示的结构、式(I-8)所示的结构或式(I-9)所示的结构提供；
式(I)中的L1结构由选自苯、联苯、萘、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑中的任意一种化合物去掉任意两个H原子而提供，或者式(I)中的L1结构不存在而使得式(I)中的A结构与B结构直接连接；
在式(I-1)中，X为O或S。
9.根据权利要求1或8所述的化合物，其中，式(I)所示结构的化合物选自以下中的任意一种：
Figure FDA0003906557000000101
10.根据权利要求1所述的化合物，其中，式(I)所示结构的化合物选自以下中的任意一种：
Figure FDA0003906557000000102
Figure FDA0003906557000000111
Figure FDA0003906557000000121
Figure FDA0003906557000000131
Figure FDA0003906557000000141
Figure FDA0003906557000000151
Figure FDA0003906557000000161
11.根据权利要求10所述的化合物，其中，式(I)所示结构的化合物选自以下中的任意一种：
Figure FDA0003906557000000162
Figure FDA0003906557000000171
12.权利要求1-11中任意一项所述的化合物在有机电致发光器件中的应用。
13.一种有机电致发光器件，其特征在于，该器件中含有权利要求1-11中任意一项所述的化合物中的至少一种。
14.根据权利要求13所述的有机电致发光器件，其中，所述化合物存在于所述器件的空穴传输层、电子阻挡层和发光层的至少一层中。
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