CN114053590A - 发光装置及制造发光装置的方法 - Google Patents

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Abstract

提供了发光装置及制造发光装置的方法。发光装置包括主体部和发光部，发光部布置在主体部中并且配置为向外部发射光。发光部包括多个像素。像素中的至少两个配置为发射具有彼此不同的波长的光。

Description

发光装置及制造发光装置的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年8月5日提交的第10-2020-0098192号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请出于所有目的通过引用特此并入，如同在本文中完整阐述一样。
技术领域
本发明的示例性实施方式涉及发光装置及制造发光装置的方法。
背景技术
近年来，发光装置已在美容市场中用于使用光进行皮肤护理，或者已在医疗市场中用于使用光进行病变治疗。发光装置可通过将具有一定波长的光发射到外部来提供优化的美容或治疗效果。
发光装置可包括将具有一定波长的光发射到外部的多个像素。使像素中的每个向外部发射具有相同波长的光，使得可针对一种效果来优化发光装置。
通常，当发光装置向外部发射具有一定波长的光时，可提供针对单个病变所优化的美容或治疗效果，但是必须使用新的发光装置来为用户提供不同的效果。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于理解本发明构思的背景，并且因此，它可包含不构成现有技术的信息。
发明内容
本发明的示例性实施方式提供了用于提供具有各种波长的光的发光装置以及制造发光装置的方法。
本发明构思的附加特征将在下面的描述中阐述，并且部分地将从该描述中明确，或者可通过本发明构思的实践来知悉。
本发明的示例性实施方式提供了发光装置，该发光装置包括：主体部；以及发光部，布置在主体部中并且配置为向外部发射光。发光部包括：多个像素，配置为发出相同颜色；以及像素限定层，限定多个像素中的每个的发射区域。多个像素中的至少两个配置为发射具有彼此不同的波长的光，并且多个像素中的每个中的中间层的辅助层布置在多个像素之中的彼此相邻的至少两个像素和相邻的像素之间的像素限定层上。
多个像素中的每个还可配置为发射白色光、红色光、绿色光和蓝色光中的至少一种。
多个像素中的每个可包括：像素电极；相对电极，布置成面对像素电极；以及发射层，在像素电极和相对电极之间，并且辅助层可布置在发射层和像素电极之间和/或在发射层和相对电极之间。
多个像素中的至少两个可在像素电极和相对电极之间具有不同的间隔。
多个像素之中的彼此相邻的两个像素的辅助层的厚度可彼此不同。
多个像素之中的彼此相邻的两个或更多个像素的辅助层的厚度可彼此不同。
辅助层可包括：第一辅助层，布置在多个像素中的一些像素上；以及第二辅助层，布置在多个像素中的其他像素上，并且第一辅助层的至少一部分可与第二辅助层的至少一部分重叠。
连接布置在平面上的第一辅助层的中心和第二辅助层的中心的第一线可与连接多个像素之中的相邻的像素的中心的第二线相交。
多个像素中的至少一些可形成一个像素组，并且布置在一个像素组中的中间层的总厚度可在布置在一个像素组的中心处的像素中最大。
布置在一个像素组中的中间层的总厚度可从布置在一个像素组的中心处的像素到布置在一个像素组的外侧处的像素减小。
在多个像素中的至少两个中间层的厚度可彼此不同。
本发明的另一示例性实施方式提供了制造发光装置的方法，该方法包括：将处理基板和掩模组件布置在腔室中，通过将沉积材料从沉积源通过掩模组件供应到处理基板来沉积沉积材料，在第一方向上移位处理基板或掩模组件，以及通过将沉积材料从沉积源通过掩模组件供应到处理基板来沉积沉积材料。
该方法还可包括在第二方向上移位处理基板或掩模组件。
第一方向和第二方向可彼此垂直。
掩模组件可包括沉积材料穿过的图案孔，并且图案孔可形成为将沉积材料引导至布置在处理基板的沉积区域中的至少两个像素。
沉积材料可沉积在处理基板上以形成辅助层。
该方法还可包括在处理基板的沉积确认区域中沉积沉积材料。
沉积确认区域可在处理基板的相邻沉积区域之间。
本发明的另一示例性实施方式提供了制造发光装置的方法，该方法包括：在处理基板的第一区域上沉积沉积材料，以及在处理基板的第二区域上沉积沉积材料，其中，第一区域的至少一部分与第二区域的至少一部分重叠。
至少两个像素可布置在第一区域和第二区域中的每个中，并且仅在第一区域或第二区域中布置的像素中的沉积材料的厚度可与在第一区域与第二区域重叠的区域中布置的像素中的沉积材料的厚度不同。
这些一般和具体方面可通过使用系统、方法、计算机程序或其任何组合来实现。
将理解的是，前面的一般描述和下面的详细描述这两者是示例性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
被包括以提供对本发明的进一步理解并且被并入本说明书中并且构成本说明书的一部分的附图，示出了本发明的示例性实施方式，并且与描述一起用于解释本发明构思。
图1是根据实施方式的发光装置的透视图。
图2是图1中所示的发光装置的发光部的仰视图。
图3是沿图2的线C-C’截取的发光装置的剖视图。
图4是示出根据实施方式的用于制造发光装置的设备的剖视图。
图5是图4中所示的掩模组件的透视图。
图6是图4中所示的处理基板的一部分的平面图。
图7是根据实施方式的处理基板的沉积确认部的平面图。
图8是示出根据实施方式的沉积方法的平面图。
图9是根据另一实施方式的处理基板的沉积确认部的平面图。
图10是示出根据另一实施方式的沉积方法的平面图。
图11A、图11B和图11C是示出根据图8或图10中所示的沉积方法在处理基板上沉积沉积材料的过程的剖视图。
图12是根据另一实施方式的发光装置的发光部的一部分的剖视图。
图13是根据另一实施方式的发光装置的发光部的一部分的剖视图。
具体实施方式
在下面的描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以便提供对本发明的各种示例性实施方式的透彻理解。如本文中所使用的，“实施方式”是采用本文中所公开的一个或多个本发明构思的装置或方法的非限制性示例。然而，显而易见的是，可在没有这些具体细节的情况下或在具有一个或多个等同布置的情况下，实践各种示例性实施方式。在其他实例中，以框图形式示出了公知的结构和装置，以便避免不必要地使各种示例性实施方式隐晦。此外，各种示例性实施方式可以是不同的，但是不必是排他的。例如，在不脱离本发明构思的情况下，可在另一示例性实施方式中使用或实现示例性实施方式的具体形状、配置和特性。
除非另有指明，否则所示的示例性实施方式将理解为提供一些可在实践中实现本发明构思的方式的变化细节的示例性特征。因此，除非另有指明，否则各种实施方式的特征、部件、模块、层、膜、面板、区和/或方面等(在下文中单独或统称为“元件”)可以其它方式进行组合、分离、互换和/或重新布置，而不脱离本发明构思。
附图中对交叉影线和/或阴影的使用通常被提供用来阐明相邻元件之间的边界。就其本身而言，除非指明，否则无论是否存在交叉影线或阴影，都不传达或指示针对元件的特定材料、材料性质、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或任何其他特性、属性、性质等的偏爱或要求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述性目的，可夸大元件的大小和相对大小。当示例性实施方式可不同地实现时，可与所描述的顺序不同地执行具体处理顺序。例如，两个连续描述的处理可基本上同时执行或以与所描述的顺序相反的顺序执行。而且，相似的附图标记表示相似的元件。
当诸如层的元件被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时，它可直接在另一元件或层上、直接连接到或直接联接到另一元件或层，或者可存在中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接联接到”另一元件或层时，则不存在中间元件或层。为此，术语“连接”可以是指有或没有中间元件的物理、电气和/或流体连接。此外，D1轴、D2轴和D3轴不限于直角坐标系的三个轴，诸如x轴、y轴和z轴，并且可在更广泛的意义上进行解释。例如，D1轴、D2轴和D3轴可相互垂直，或者可代表相互不垂直的不同的方向。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个”可被解释为仅X、仅Y、仅Z、或X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合，诸如，例如XYZ、XYY、YZ和ZZ。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。
尽管本文中可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，以下讨论的第一元件能被称为第二元件。
空间相对术语，诸如“之下”、“下方”、“下面”、“下”、“上方”、“上”、“上面”、“较高”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等，可在本文中出于描述性目的而使用，并且从而描述如附图中所示的一个元件与另一(多个)元件之间的关系。除附图中描绘的取向外，空间相对术语还旨在涵盖设备在使用、操作和/或制造中的不同的取向。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为在其他元件或特征“下方”或“之下”的元件将然后被定向为在其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”能涵盖上方和下方两个取向。此外，设备可以其他方式定向(例如，旋转90度或以其他取向定向)，并且，就其本身而言，本文中所使用的空间相对描述语被相应地解释。
本文中所使用的措辞是出于描述特定实施方式的目的，并且不旨在进行限制。如本文中所使用的，单数形式“一(a)”、“一(an)”和“该”也旨在包括复数形式，但上下文另外清楚指示的除外。此外，当在本说明书中使用时，术语“包括(comprise)”、“包括(comprising)”、“包括(include)”和/或“包括(including)”指明所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在，但是不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或增加。另外注意的是，如本文中所使用的，术语“基本上”、“约”和其他类似术语被用作近似的术语而不用作程度的术语，并且，就其本身而言，被用来解释本领域普通技术人员会认可的测量、计算和/或提供的值的固有偏差。
本文中参照作为理想化的示例性实施方式和/或中间结构的示意性图示的截面图示和/或分解图示来描述各种示例性实施方式。就其本身而言，由于例如制造技术和/或公差而导致的图示的形状的变化将被预期。因此，本文中公开的示例性实施方式不应必须解释为限于区的特定所示的形状，而是包括由例如制造而导致的形状偏差。以这种方式，附图中所示的区本质上可以是示意性的，并且这些区的形状可不反映装置的区的实际形状，并且，就其本身而言，不一定旨在进行限制。
除非另有限定，否则本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。除非在本文中明确如此限定，否则术语，诸如常用词典中限定的那些术语，应被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且不应在理想化或过于正式的意义上来解释。
图1是示出根据实施方式的发光装置1的透视图。
参照图1，发光装置1可包括主体部10和发光部20。主体部10可在其中限定内部空间，并且各种装置可布置在主体部10的内部空间中。例如，控制发光部20的控制器、连接到控制器的电源等可布置在主体部10中。在这种情况下，电源可具有各种形状。具体地，电源可包括可更换地联接到主体部10的一次电池。在另一实施方式中，电源可包括布置在主体部10中的电池，诸如可充电的二次电池。在另一实施方式中，电源可包括通过电缆连接到外部的装置。在以上情况下，当电源包括一次电池或电池时，发光装置1可以是便携式的。主体部10可经由电缆等连接到外部。电缆可以可拆卸地连接到主体部10。在这种情况下，各种信息可经由电缆从外部输入。在另一实施方式中，主体部10可在其中包括无线通信模块。在这种情况下，发光装置1可通过无线通信连接到外部装置，以与外部装置交换信息。
发光部20可连接到主体部10。在这种情况下，发光部20可向主体部10的外部发射光。在这种情况下，发光部20可发射具有至少两种或更多种波长的光。特别地，发光部20可发射具有相同颜色和不同波长的至少两种光。例如，发光部20可发射具有红色和不同波长的至少两种光。在另一实施方式中，发光部20可发射具有蓝色和不同波长的至少两种光。在另一实施方式中，发光部20可发射具有绿色和不同波长的至少两种光。在另一实施方式中，发光部20可发射具有白色和不同波长的至少两种光。在这种情况下，发光部20可包括多个像素，并且多个像素可发射具有相同颜色的光。
在下文中，将详细描述发光部20。
图2是图1中所示的发光装置1的发光部20的仰视图。图3是沿图2的线C-C’截取的发光装置1的剖视图。
参照图2和图3，发光部20可包括多个像素Px。像素Px中的每个可包括一个像素电极28A并且可发射一种光。在这种情况下，像素Px中的每个可发射具有相同颜色的光。像素Px可限定为发射一种光的区域。例如，像素Px可由像素限定层29的开口区域限定。在这种情况下，像素Px可发射白色光、红色光、黄色光、绿色光和蓝色光中的一种。在这种情况下，所有像素Px可发射具有相同颜色的光。
发光部20可在基板21上限定发射区域DA和在发射区域DA外部的外围区域PA。像素Px可布置在发射区域DA中，并且电源线(未示出)等可布置在外围区域PA中。而且，焊盘部PD可布置在外围区域PA中。在这种情况下，外围区域PA可以是未布置有像素Px的区域，并且可以是未向外部发射光的区域。
发光部20可包括显示基板D和布置在显示基板D上的密封构件(未示出)。在这种情况下，密封构件可包括布置在显示基板D中的密封部和连接到密封部并且布置为面对基板21的封装基板(未示出)。在另一实施方式中，密封构件可包括薄膜封装层E，薄膜封装层E遮蔽显示基板D的至少一部分。在下文中，为了描述的便利，将描述密封构件包括薄膜封装层E的情况。
显示基板D可包括基板21、布置在基板21上的薄膜晶体管(TFT)以及有机发光器件(OLED)28。
基板21可包括玻璃或聚合物树脂。聚合物树脂可包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素。包括聚合物树脂的基板21可以是柔性的、可卷曲的或可弯折的。基板21可具有包括无机层(未示出)和包含上述聚合物树脂的层的多层结构。
TFT可形成在基板21上，钝化层27可形成为覆盖TFT，并且OLED28可形成在钝化层27上。
包括有机化合物和/或无机化合物的缓冲层22可进一步形成在基板21的上表面上。缓冲层22可包括SiOx或SiNx。
以一定图案布置的有源层23形成在缓冲层22上，并且然后，有源层23被栅极绝缘层24掩埋。有源层23包括源极区23A和漏极区23C，并且还包括在源极区23A和漏极区23C之间的沟道区23B。
有源层23可包括各种材料。例如，有源层23可包括诸如非晶硅或晶体硅的无机半导体材料。在另一示例中，有源层23可包括氧化物半导体。在另一示例中，有源层23可包括有机半导体材料。然而，为了描述的便利，将详细描述有源层23包括非晶硅的情况。
通过在缓冲层22上形成非晶硅层，使非晶硅层结晶以形成多晶硅层并且图案化多晶硅层，可形成有源层23。
在有源层23中，根据诸如驱动TFT(未示出)或开关TFT(未示出)的TFT的类型，源极区23A和漏极区23C被掺杂有杂质。
对应于有源层23的栅电极25和掩埋栅电极25的层间绝缘层26形成在栅极绝缘层24的上表面上。
接触孔H1形成在层间绝缘层26和栅极绝缘层24中，并且源电极27A和漏电极27B形成在层间绝缘层26上，以便分别与源极区23A和漏极区23C接触。
钝化层27形成在TFT上，并且OLED 28的像素电极28A形成在钝化层27上。像素电极28A经由形成在钝化层27中的通孔H2与TFT的源电极27A接触。钝化层27可包括无机材料和/或有机材料，并且可包括单层或者两层或更多层。钝化层27可形成为平坦化层，以使得其上表面是平坦的，而与下层的凹入形状或凸出形状无关。可替代地，根据下层的凹入形状或凸出形状，钝化层27可以是凹入的或凸出的。钝化层27可包括透明绝缘体，以便实现共振效果。
在像素电极28A形成在钝化层27上之后，像素限定层29形成为覆盖像素电极28A和钝化层27，并且像素限定层29是开口的，以使得暴露像素电极28A。
中间层28B和相对电极28C形成在像素电极28A上。在另一实施方式中，相对电极28C可形成在显示基板D的整个表面上。在这种情况下，相对电极28C可形成在中间层28B和像素限定层29上。在下文中，为了描述的便利，将详细描述相对电极28C形成在中间层28B和像素限定层29上的情况。
像素电极28A用作阳极，并且相对电极28C用作阴极。当然，像素电极28A和相对电极28C的极性可调换。
像素电极28A和相对电极28C通过中间层28B彼此绝缘，并且将不同极性的电压施加到中间层28B以从有机发射层28B-2发射光。
中间层28B可包括有机发射层28B-2。作为另一可选示例，中间层28B可包括有机发射层28B-2、下辅助层28B-1和上辅助层28B-3中的至少一个。在这种情况下，下辅助层28B-1可包括空穴注入层(HIL)和/或空穴传输层(HTL)。而且，上辅助层28B-3可包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。在这种情况下，上辅助层28B-3可在有机发射层28B-2和相对电极28C之间，并且下辅助层28B-1可在有机发射层28B-2和像素电极28A之间。
一些像素Px可形成一个像素组，并且一个像素组可包括至少三个像素Px。在下文中，为了描述的便利，将详细描述一个像素组包括六个像素Px的情况。
一个像素组中包括的六个像素Px的中间层28B的厚度可彼此不同。特别地，一个像素组中包括的六个像素Px可在一个方向上排成一行。例如，六个像素Px可包括三对像素Px。在这种情况下，每对像素Px可具有相同厚度。具体地，在一个像素组中，布置在作为最外侧区域的第一区域A1中的像素Px的中间层28B可具有第一厚度W1。而且，在一个像素组中，布置在作为中间区域的第三区域A3中的像素Px的中间层28B可具有第三厚度W3。在一个像素组中，布置在第一区域A1和第三区域A3之间的像素Px的中间层28B可具有第二厚度W2。在以上情况下，第一厚度W1可与第二厚度W2不同，并且第二厚度W2可与第三厚度W3不同。具体地，在第一厚度W1、第二厚度W2和第三厚度W3中，第一厚度W1可以是最小的，并且第三厚度W3可以是最大的。
当布置在每个像素Px中的中间层28B的厚度彼此不同时，具有不同厚度的像素Px可发射具有不同波长的光。例如，随着每个像素Px的中间层28B的厚度增加，可生成具有更长波长的光。即，在图3中，从第一区域A1发射的光的波长可以是最短的，并且从第三区域A3发射的光的波长可以是最长的。从第二区域A2发射的光的波长长于从第一区域A1发射的光的波长，并且可短于从第三区域A3发射的光的波长。
在这种情况下，在一个像素组中，可重复第一区域A1、第二区域A2和第三区域A3。特别地，第一区域A1、第二区域A2和第三区域A3可在一个像素组的一部分中在第一方向(例如，图3中的X轴方向)上顺序地布置，并且第三区域A3、第二区域A2和第一区域A1可在一个像素组的另一部分中在第一方向上顺序地布置。在这种情况下，两个第三区域A3可彼此相邻，两个第三区域A3在两个第二区域A2之间，并且两个第二区域A2和两个第三区域A3可在两个第一区域A1之间。在这种情况下，一个像素组可在两个第一区域A1之间，并且其两侧可相对于两个第三区域A3的中心线(例如，图3中的Z轴方向上布置的直线)对称。在以上情况下，随着距两个第三区域A3的中心线的距离增加，布置在每个区域中的像素Px的中间层28B的厚度可顺序地减小。例如，中间层28B的厚度可在从第三区域A3到第一区域A1的方向上减小。在这种情况下，中间层28B的厚度可等于每个像素Px的像素电极28A和相对电极28C之间的距离。即，中间层28B的厚度可意指在每个像素Px中从像素电极28A的上表面到相对电极28C的下表面的高度。在另一实施方式中，随着距一个像素组的中心线的距离增加，相对于一个像素组的中心线而最靠近中心线布置的像素Px的中间层28B的厚度可减小。即，当像素组的中心线穿过布置在像素组的中心处的像素Px的中心时，像素Px的中间层28B的厚度可大于其他像素Px的中间层28B的厚度。
在以上情况下，在布置在一个像素组中的六个像素Px之中，彼此相邻的像素Px的中间层28B的厚度可彼此不同。例如，布置在第二区域A2中的像素Px的中间层28B的第二厚度W2和布置在与第二区域A2相邻的第三区域A3中的像素Px的中间层28B的第三厚度W3可彼此不同。例如，布置在第一区域A1中的像素Px的中间层28B的第一厚度W1和布置在与第一区域A1相邻的第二区域A2中的像素Px的中间层28B的第二厚度W2可彼此不同。
像素Px中的每个可包括像素电极28A、有机发射层28B-2、辅助层和相对电极28C。在这种情况下，像素电极28A可布置为与像素Px中的每个对应，并且有机发射层28B-2和相对电极28C可布置在发光部20的基板21的整个表面上。在这种情况下，像素Px可彼此共享有机发射层28B-2和相对电极28C。而且，像素Px之中彼此相邻的至少两个像素Px可彼此共享辅助层。特别地，在这些情况下，辅助层可布置在像素Px之中彼此相邻的至少两个像素Px以及布置在像素Px之中彼此相邻的至少两个像素Px之间的像素限定层29的上表面上面。例如，在图3中，布置在第三区域A3中的像素Px和布置在第二区域A2中的像素Px可彼此共享上辅助层28B-3和/或下辅助层28B-1。
可提供多个上辅助层28B-3，和/或可提供多个下辅助层28B-1。例如，可提供多个上辅助层28B-3，并且可提供仅一个下辅助层28B-1。在另一实施方式中，可提供仅一个上辅助层28B-3，并且可提供多个下辅助层28B-1。在另一实施方式中，可提供多个上辅助层28B-3和多个下辅助层28B-1。在下文中，为了描述的便利，将详细描述提供了多个下辅助层28B-1的情况。
下辅助层28B-1可包括布置为彼此堆叠的至少两个下辅助层28B-1。在下面，为了描述的便利，将详细描述提供了三个下辅助层28B-1的情况。例如，下辅助层28B-1可包括第一下辅助层28B-1A、第二下辅助层28B-1B和第三下辅助层28B-1C。在这种情况下，第一下辅助层28B-1A、第二下辅助层28B-1B和第三下辅助层28B-1C可包括相同材料或不同的材料。例如，第一下辅助层28B-1A、第二下辅助层28B-1B和第三下辅助层28B-1C的全部可以是空穴注入层或空穴传输层。在另一实施方式中，第一下辅助层28B-1A、第二下辅助层28B-1B和第三下辅助层28B-1C中的一个可以是空穴注入层，并且它们中的其他的可以是空穴传输层。在下文中，为了描述的便利，将详情描述第一下辅助层28B-1A、第二下辅助层28B-1B和第三下辅助层28B-1C的全部包括相同材料的情况。
第一下辅助层28B-1A、第二下辅助层28B-1B和第三下辅助层28B-1C可布置在彼此不同的区域中。即，第一下辅助层28B-1A、第二下辅助层28B-1B和第三下辅助层28B-1C中的一个可在平面上与它们中的另一个至少部分地重叠。例如，在图3的左侧上，第一下辅助层28B-1A可布置为覆盖布置在第一区域A1中的像素Px、布置在第二区域A2中的像素Px以及布置在两个第三区域A3中的像素Px。在这种情况下，彼此相邻的布置在第一区域A1中的像素Px、布置在第二区域A2中的像素Px以及布置在两个第三区域A3中的像素Px可共享第一下辅助层28B-1A。第二下辅助层28B-1B可布置为覆盖布置在图3的左侧上的第二区域A2中的像素Px、布置在两个第三区域A3中的像素Px和布置在图3的右侧上的第二区域A2中的像素Px。第三下辅助层28B-1C可布置为覆盖布置在图3中的两个第三区域A3中的像素Px、布置在图3的右侧上的第二区域A2中的像素Px和布置在图3的右侧上的第一区域A1中的像素Px。在这种情况下，类似于第一下辅助层28B-1A，相邻的像素Px可共享第二下辅助层28B-1B和第三下辅助层28B-1C。
在以上情况下，仅第一下辅助层28B-1A可布置在两个第一区域A1中所布置的像素Px中的一个中，并且仅第三下辅助层28B-1C可布置在两个第一区域A1中所布置的像素Px中的另一个中。而且，第一下辅助层28B-1A和第二下辅助层28B-1B可布置在两个第二区域A2中所布置的像素Px中的一个中，并且第二下辅助层28B-1B和第三下辅助层层28B-1C可顺序地堆叠在两个第二区域A2中所布置的像素Px中的另一个中。布置在两个第三区域A3中的像素Px中的每个可包括顺序地堆叠的第一下辅助层28B-1A、第二下辅助层28B-1B和第三下辅助层28B-1C。当如以上所描述地布置第一下辅助层28B-1A、第二下辅助层28B-1B和第三下辅助层28B-1C时，布置在像素Px中的下辅助层28B-1的厚度可彼此不同。
第一下辅助层28B-1A、第二下辅助层28B-1B和第三下辅助层28B-1C中的至少一个的端部可布置在像素限定层29上。即，第一下辅助层28B-1A、第二下辅助层28B-1B和第三下辅助层28B-1C中的至少一个的端部可布置在相邻的像素Px之间。
有机发射层28B-2、上辅助层28B-3和相对电极28C可顺序地堆叠在下辅助层28B-1上。而且，薄膜封装层E可布置在相对电极28C上。
薄膜封装层E可包括多个无机层，或者可包括无机层和有机层。
薄膜封装层E的有机层可包括聚合物类材料。聚合物类材料可包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)或其任何组合。
薄膜封装层E的无机层可包括选自氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种无机绝缘材料。
暴露于外部的薄膜封装层E的上层可包括无机层，以便防止湿气渗透到OLED 28。
薄膜封装层E可包括至少一个有机层插入在至少两个无机层之间的至少一个夹心结构。作为另一示例，薄膜封装层E可包括至少一个无机层插入在至少两个有机层之间的至少一个夹心结构。作为另一示例，薄膜封装层E可包括至少一个有机层插入在至少两个无机层之间的夹心结构和至少一个无机层插入在至少两个有机层之间的夹心结构。
薄膜封装层E可包括从OLED 28的顶部顺序地设置的第一无机封装层、第一有机封装层和第二无机封装层。
在另一示例中，薄膜封装层E可包括从OLED 28的顶部顺序地设置的第一无机封装层、第一有机封装层、第二无机封装层、第二有机封装层和第三无机封装层。
在另一示例中，薄膜封装层E可包括从OLED 28的顶部顺序地设置的第一无机封装层、第一有机封装层、第二无机封装层、第二有机封装层、第三无机封装层、第三有机封装层以及第四无机封装层。
包括LiF的金属卤化物层可进一步包括在OLED 28和第一无机封装层之间。当通过溅射形成第一无机封装层时，金属卤化物层可防止OLED 28被损坏。
第一有机封装层的面积可小于第二无机封装层的面积，并且第二有机封装层的面积也可小于第三无机封装层的面积。
当如以上所描述地提供无机层时，可沉积无机层，以便在发光部20的边缘处彼此直接接触，并且有机层可不暴露于外部。
因此，发光部20可在发射具有相同颜色的光的同时，向外部发射具有不同波长的光。
发光部20可以各种方式操作。例如，发光部20可操作为使得在布置在一个像素组中的第一区域A1、第二区域A2和第三区域A3中的至少一个中布置的像素Px发射光。
具体地，发光部20可操作为使得仅布置在第一区域A1、第二区域A2或第三区域A3中的像素Px发射光，并且因此，向外部发射具有一种波长的光。
在另一实施方式中，发光部20可操作为使得布置在第一区域A1、第二区域A2和第三区域A3中的至少两个中的像素Px发射光，并且因此，发射具有至少两种波长的光。
在另一实施方式中，发光部20可操作为使得分别布置在第一区域A1、第二区域A2和第三区域A3中的像素Px根据时间发射光，并且因此，在不同的时间发射具有不同波长的光。
因为发光部20可自由地发射具有各种波长的光，所以可向用户提供具有各种效果的光。
图4是示出根据实施方式的用于制造发光装置的设备的剖视图。图5是图4中所示的掩模组件的透视图。
参照图4和图5，用于制造发光装置的设备可包括腔室110、沉积源120、掩模组件130、基板支承件140、掩模支承件150、磁力生成器160、压力调节器170以及视觉部180。
腔室110可在其中限定内部空间，并且腔室110的一侧可以是开口的，以使得处理基板MS从腔室110卸载或容纳在腔室110中。在这种情况下，包括闸阀等的遮蔽部111可布置在腔室110的开口部中，以选择性地打开或关闭腔室110。处理基板MS可以各种形式形成。例如，处理基板MS可包括一个沉积区域。在另一实施方式中，处理基板MS可包括至少两个沉积区域。在这种情况下，至少两个沉积区域可彼此间隔开。在沉积区域中，像素电极或有机发射层可形成在基板上。在另一实施方式中，处理基板MS可以是指上述显示装置的基板本身。在另一实施方式中，处理基板MS可意指在原始基板上形成上述各种层并且原始基板被划分为至少两部分的状态。在另一实施方式中，处理基板MS可以是指上述显示基板D。
沉积源120可容纳用于形成以上所描述的辅助层中的至少一个的沉积材料。在这种情况下，沉积源120可通过施加能量(例如，热能、光能、振动能等)来使沉积材料汽化或升华。
沉积源120可以是可替换的。此时，当容纳的沉积材料耗尽时，可用新的沉积源120替换沉积源120。而且，沉积源120可固定在腔室110内部，或者可以是可线性移动的。
掩模组件130可包括掩模框架131、掩模片132和支承框架133。
掩模框架131可具有形成在其中心的开口。在这种情况下，掩模框架131可形成为诸如窗框架的形状。在另一实施方式中，掩模框架131可具有形成在其中心的开口，并且将开口划分为网格形状的单独的框架可被布置。在下文中，为了描述的便利，将详细描述具有在其中心形成的一个开口的掩模框架131。
掩模片132可以在第一方向和/或第二方向上拉紧的状态布置在掩模框架131的一个表面上，并且可通过焊接等固定到掩模框架131。在这种情况下，可在掩模框架131中形成凹槽以容纳掩模片132。掩模片132可形成为矩形形状，并且可布置在掩模框架131的一侧。而且，掩模片132可形成为狭缝形状。
在实施方式中，可提供多个掩模片132。在这种情况下，掩模片132可排列成一行，以便在第一方向或第二方向上彼此相邻。特别地，在这种情况下，可与掩模框架131的长边或短边平行地布置掩模片132的长边。
在另一实施方式中，可提供一个掩模片132以完全屏蔽掩模框架131的上表面。
在下文中，为了描述的便利，将详细描述提供有多个掩模片132并且掩模片132的长边布置在图5的Y轴方向上的情况。
可在掩模片132中提供多个图案孔132A。在这种情况下，图案孔132A可在第一方向和第二方向上彼此分开。特别地，图案孔132A可形成为各种形状。例如，在实施方式中，图案孔132A可具有顶点布置在掩模片132的拉伸方向上的菱形形状。在另一实施方式中，图案孔132A可具有矩形形状。在这种情况下，图案孔132A的长边可布置在掩模片132的长度方向上或在垂直于掩模片132的长度方向的方向上。在另一实施方式中，图案孔132A可具有圆形形状。然而，为了描述的便利，将详细描述图案孔132A具有矩形形状的情况。
图案孔132A可布置为对应于布置在处理基板MS(或显示基板D)上的至少一些像素Px。即，在平面图中，至少两个像素限定层29的开口可布置在图案孔132A内部。
掩模框架131和掩模片132可各自包括用于确认沉积材料的沉积的程度的确认孔131A。在这种情况下，确认孔131A可形成为与图案孔132A的形状不同的形状。在下文中，为了描述的便利，将详细描述在掩模框架131中布置确认孔131A的情况。
支承框架133可布置在掩模框架131上以支承掩模框架131并且也支承掩模片132。在这种情况下，支承框架133可以网格形式布置在掩模框架131上以限定一个显示装置(未示出)的显示区域(未示出)。即，支承框架133可通过将掩模框架131的中心开口划分为多个区域来限定多个显示区域。
基板支承件140可支承处理基板MS。在这种情况下，基板支承件140可以将处理基板MS安置在基板支承件140上这样的方式来支承处理基板MS，或者基板支承件140可通过吸附或附接处理基板MS的一个表面来支承处理基板MS。例如，基板支承件140可包括固定在腔室110内部的框架、杆等。在另一实施方式中，基板支承件140可包括配置为保持处理基板MS的夹具。在另一实施方式中，基板支承件140可包括粘合卡盘或静电卡盘。在这种情况下，基板支承件140可与磁力生成器160一体地形成。在另一实施方式中，基板支承件140可包括配置为将处理基板MS从腔室110的外部转移到腔室110的内部的往复装置(shuttle)。然而，为了描述的便利，将详细描述基板支承件140包括往复装置的情况。
掩模支承件150可支承掩模组件130。在这种情况下，因为掩模支承件150可与以上描述的基板支承件140相同或相似，所以为了描述的方便将省略其详细描述。而且，将详细描述掩模支承件150包括固定在腔室110内部的框架并且掩模组件130被安置并支承到框架的情况。
磁力生成器160可布置在腔室110中，以使掩模框架131与处理基板MS紧密接触。在这种情况下，磁力生成器160可包括电磁体。
压力调节器170可连接到腔室110以调节腔室110内部的压力。在这种情况下，压力调节器170可包括连接到腔室110的管道以及布置在管道中的泵。
视觉部180可布置在腔室110中。在这种情况下，视觉部180可布置成插入到腔室110中，或者可布置在腔室110外部。尽管未示出，但是，当视觉部180布置在腔室110外部时，透射窗可单独地提供在腔室110中。视觉部180可包括配置为捕获图像的相机。
关于用于制造发光装置的设备的操作，用于制造发光装置的设备可在处理基板MS上形成辅助层中的至少一个。
具体地，可将处理基板MS和掩模组件130装载到腔室110中。在这种情况下，一个沉积区域可布置在处理基板MS的一个表面上，或者彼此分开的多个沉积区域可布置在处理基板MS上。当在处理基板MS上布置多个层时，这样的沉积区域可变成显示装置。在实施方式中，在通过用于制造发光装置的设备形成辅助层之前，以上参照图3所描述的像素电极28A可形成在沉积区域中。在实施方式中，在通过用于制造发光装置的设备形成辅助层之前，以上参照图3所描述的有机发射层28B-2可形成在沉积区域中。
当处理基板MS和掩模组件130分别安置在基板支承件140和掩模支承件150上时，可通过视觉部180拍摄处理基板MS和掩模组件130的位置，并且可基于拍摄的位置使处理基板MS和掩模组件130的位置彼此对齐。
当以上处理完成时，沉积材料可从沉积源120供应到处理基板MS。在这种情况下，可通过图案孔132A将沉积材料沉积在处理基板MS上。可在处理基板MS的一部分上执行以上处理，并且可通过改变处理基板MS或掩模组件130的位置来将沉积材料沉积在处理基板MS的整个表面上。在这种情况下，处理基板MS可包括其中沉积材料以一定图案沉积并且彼此间隔开的沉积区域。当沉积这样的沉积区域时，用于制造发光装置的设备可执行沉积多次。即，用于制造发光装置的设备可通过在改变掩模组件130的位置的同时在沉积区域中沉积沉积材料来在沉积区域的各个部分中形成具有不同厚度的辅助层。
当在用于制造发光装置的设备中完成以上处理时，处理基板MS可从腔室110卸载并且转移到另一用于制造发光装置的设备以在辅助层上形成有机发射层、另一辅助层、相对电极、薄膜封装层等。在另一实施方式中，当完成以上处理时，处理基板MS可从腔室110卸载并且转移到另一用于制造发光装置的设备以在辅助层上形成相对电极、薄膜封装层等。
因此，用于制造发光装置的设备在至少一个像素Px的处理基板MS的对应部分上形成辅助层至少两次或更多次，从而自由地调节像素Px的中间层的厚度。而且，因为用于制造发光装置的设备不需要使用单独的装备或多个掩模组件130来调节一个处理基板MS上的辅助层的厚度，所以可降低制造时间和制造成本。
图6是图4中所示的处理基板MS的一部分的平面图。
参照图6，沉积确认部PM可布置在处理基板MS上。在这种情况下，当处理基板MS包括多个沉积区域EA时，沉积确认部PM可在处理基板MS的沉积区域EA之间。在另一实施方式中，当处理基板MS包括一个沉积区域EA时，沉积确认部PM可布置在处理基板MS的沉积区域EA的外部上。
图7是根据实施方式的处理基板的沉积确认部PM的平面图。图8是示出根据实施方式的沉积方法的平面图。
参照图6至图8，各种图案可布置在沉积确认部PM中。例如，沉积确认部PM可包括沿第一方向布置的第一方向图案MR1和沿第二方向布置的第二方向图案MR2。在这种情况下，第二方向图案MR2可包括第(2-1)方向图案MR2-1、第(2-2)方向图案MR2-2和第(2-3)方向图案MR2-3。第(2-1)方向图案MR2-1、第(2-2)方向图案MR2-2和第(2-3)方向图案MR2-3可在第一方向上彼此分开。在这种情况下，第一方向和第二方向可彼此垂直。
在以上情况下，穿过确认孔131A的沉积材料可沉积在沉积确认部PM上。特别地，当沉积材料穿过确认孔131A时，第一沉积材料图案M1可布置在第一方向图案MR1的延伸线和第(2-1)方向图案MR2-1的延伸线彼此相交的第一点处。而且，当掩模组件130在第一方向上移位一次并且然后执行沉积时，第二沉积材料图案M2可布置在第二点处。当掩模组件130在第一方向上再移位一次并且然后执行沉积时，第三沉积材料图案M3可布置在第三点处。在这种情况下，确认孔131A可相对于掩模组件130的移位方向在最下游侧布置在掩模框架131中。
当在掩模组件130移位的同时执行沉积时，图案孔132A可布置在位置PO1处，如图8中所示。在这种情况下，图案孔132A可布置为与布置在图3的左侧上的第一区域A1至第三区域A3中的四个像素Px对应。在这种情况下，穿过图案孔132A的沉积材料可沉积在处理基板MS的与第一位置PO1的图案孔132A对应的部分上。当掩模组件130移位一次时，图案孔132A可布置在第二位置PO2处。在这种情况下，图案孔132A可布置为与布置在图3的左侧上的第二区域A2和第三区域A3以及图3的右侧上的第三区域A3和第二区域A2中的像素Px对应。在这种情况下，穿过图案孔132A的沉积材料可沉积在对应的像素Px上。而且，当掩模组件130再次移位时，图案孔132A可从第二位置PO2移位到第三位置PO3。在这种情况下，第三位置PO3的图案孔132A可布置为与布置在图3中的两个第三区域A3、图3的右侧上的第二区域A2和图3的右侧上的第一区域A1中的像素Px对应。
当如以上所描述地移位掩模组件130时，可通过将通过确认孔131A布置在处理基板MS上的沉积材料的图案与第一方向图案MR1和第二方向图案MR2进行比较来评估是否准确地执行了掩模组件130的移位。
即，在第一沉积材料图案M1、第二沉积材料图案M2和第三沉积材料图案M3形成在第一方向图案MR1和第二方向图案MR2彼此相交的点处之后，通过视觉部180来确定第一沉积材料图案M1、第二沉积材料图案M2和第三沉积材料图案M3是否形成在正确的点处。在这种方式下，可确认掩模组件130的移位的精度。
已详细描述固定处理基板MS并且移位掩模组件130的情况，但是本公开的实施方式不限于此。
具体地，可在固定掩模组件130并且移位处理基板MS的同时执行以上操作。在这种情况下，可在与以上描述的掩模组件130的移位方向相反的方向上移位处理基板MS的同时，在处理基板MS上执行沉积处理。
图9是根据另一实施方式的处理基板的沉积确认部PM的平面图。图10是示出根据另一实施方式的沉积方法的平面图。
参照图9和图10，沉积确认部PM可包括第一方向图案MR1和第二方向图案MR2。在这种情况下，因为第二方向图案MR2与以上参照图8描述的相同，所以将省略其详细描述。
第一方向图案MR1可包括第(1-1)方向图案MR1-1、第(1-2)方向图案MR1-2和第(1-3)方向图案MR1-3。在这种情况下，第(1-1)方向图案MR1-1、第(1-2)方向图案MR1-2和第(1-3)方向图案MR1-3可在第二个方向上彼此分开。
当通过使用掩模组件130将沉积材料沉积在处理基板MS上时，可在移位掩模组件130或处理基板MS的同时将沉积材料沉积在处理基板MS上。在下文中，为了描述的便利，将详细描述在移位掩模组件130的同时将沉积材料沉积在处理基板MS上的情况。
当在掩模组件130和处理基板MS彼此对齐之后执行沉积时，穿过确认孔131A的沉积材料沉积在沉积确认部PM上以在第(1-1)方向图案MR1-1的延伸线和第(2-1)方向图案MR2-1的延伸线彼此相交的第一点处形成第一沉积材料图案M1。此时，图案孔132A可布置在第一位置PO1处。在这种情况下，图案孔132A可布置为与在一个像素组中的布置在图3的左侧上的第一区域A1至第三区域A3中的四个像素Px对应。
当在掩模组件130移位之后执行沉积时，穿过确认孔131A的沉积材料沉积在沉积确认部PM上，以在第(1-2)方向图案MR1-2的延伸线和第(2-2)方向图案MR2-2的延伸线彼此相交的第二点处形成第二沉积材料图案M2。在这种情况下，图案孔132A可布置在第二位置PO2处。此时，图案孔132A可布置为与在一个像素组中的布置在图3的左侧上的第二区域A2和第三区域A3以及图3的右侧上的第三区域A3和第二区域A2中的像素Px对应。
当在掩模组件130再次移位之后执行沉积时，穿过确认孔131A的沉积材料沉积在沉积确认部PM上，以在第(1-3)方向图案MR1-3的延伸线和第(2-3)方向图案MR2-3的延伸线彼此相交的第三点处形成第三沉积材料图案M3。此时，图案孔132A可布置在第三位置PO3处。在这种情况下，图案孔132A可布置为与在一个像素组中的布置在图3中的两个第三区域A3、图3的右侧上的第二区域A2以及图3的右侧上的第一区域A1中的像素Px对应。
当如以上所描述地执行沉积时，掩模组件130可在第一方向和第二方向上移位。即，掩模组件130可在从第一沉积材料图案M1移位到第二沉积材料图案M2的方向上移位。而且，掩模组件130可在从第二沉积材料图案M2移位到第三沉积材料图案M3的方向上移位。
当如以上所描述地移位掩模组件130时，图案孔132A可不偏离设置在每个区域中的像素Px的范围。即，掩模组件130可被移位，使得在平面图中，布置在每个像素Px中的像素限定层的开口的平面完全在图案孔132A内部。
当如以上所描述地移位掩模组件130时，掩模组件130可不仅在第一方向上移位，而且可在第一方向上移位的同时在第二方向上移位。在这种情况下，如图9中所示，第一沉积材料图案M1、第二沉积材料图案M2和第三沉积材料图案M3可不在第一方向或第二方向上移位，而是可在相对于第一方向和第二个方向倾斜的方向上移位。而且，在这种情况下，当图案孔132A分别布置在第一位置PO1、第二位置PO2和第三位置PO3时，连接在各个位置处的图案孔132A的中心的线段和连接像素Px的中心的线段可彼此平行，或者可不形成直角。即，连接像素Px的中心的线段可平行于第一方向或第二方向，并且图案孔132A的中心移位的任意直线可相对于第一方向或第二方向倾斜地布置。在这种情况下，当图案孔132A布置在第一位置PO1处时形成的第一下辅助层28B-1A的中心、当图案孔132A布置在第二位置PO2处时形成的第二下辅助层28B-1B的中心以及当图案孔132A布置在第三位置PO3处时形成的第三下辅助层28B-1C的中心可彼此不同，以便对应于图案孔132A的中心的位置。
因此，可精确地移位掩模组件130或处理基板MS，以使得当形成辅助层时，将辅助层准确地布置在每个像素Px上。而且，可通过在像素Px中准确地重叠至少两个辅助层来精确地控制每个像素Px的中间层的厚度。
图11A至图11C是示出根据图8或图10中所示的沉积方法在处理基板上沉积沉积材料的过程的剖视图。
参照图11A，第一下辅助层28B-1A可形成在显示基板D上。显示基板D可包括基板21、在基板21和像素限定层29之间的各层、像素限定层29以及像素电极28A。
在这种情况下，在显示基板D布置在用于制造发光装置的设备中之后，如图4中所示，沉积材料可沉积在显示基板D上。此时，一个或多个显示基板D可提供在处理基板MS上。即，显示基板D可以是指处理基板MS本身或处理基板MS的一部分。特别地，当显示基板D是处理基板MS的一部分时，显示基板D可包括处理基板MS的沉积区域。
在掩模组件(未示出)布置成面对显示基板D之后，可通过沉积源(未示出)将沉积材料供应到显示基板D。
可通过掩模片132的图案孔132A将沉积材料沉积在显示基板D上。在这种情况下，沉积材料可沉积在布置在一个像素组中所包括的一个第一区域A1、一个第二区域A2和两个第三区域A3中的显示基板D上。当如以上所描述地沉积沉积材料时，沉积材料可仅沉积在一个像素组中包括的一些像素Px上。
参照图11B，如图11A中所示，第二下辅助层28B-1B可形成在第一下辅助层28B-1A上。在这种情况下，第二下辅助层28B-1B可不布置在第一下辅助层28B-1A的整个表面上。即，如图8和图10中所示，第二下辅助层28B-1B可布置为在平面图中与第一下辅助层28B-1A部分地重叠。
为了如以上所描述地形成第二下辅助层28B-1B，可将掩模框架在第一方向上移位一定间隔。在这种情况下，掩模框架的移位的程度可以是至少一个像素Px的第一方向上的宽度的N倍(N是自然数)。然而，为了描述的便利，将详细描述将掩模框架移位一个像素Px的第一方向上的宽度的情况。
当在如以上所描述地移位掩模组件之后将沉积材料沉积在显示基板D上时，沉积材料可沉积在除了图11B的左侧第一区域A1和右侧第一区域A1之外的两个第二区域A2和两个第三区域A3的显示基板D上。在这种情况下，在布置在左侧第二区域A2和两个第三区域A3中的像素Px中，第二下辅助层28B-1B可布置在第一下辅助层28B-1A上。
参照图11C，在如以上所描述地形成第二下辅助层28B-1B之后，可在第二下辅助层28B-1B上形成第三下辅助层28B-1C。在这种情况下，掩模组件可从图11B的位置再次在第一方向上移位。
在这种情况下，图案孔132A可布置为与两个第三区域A3、右侧第二区域A2和右侧第一区域A1对应。
当如以上所描述地布置掩模组件时，可从沉积源供应沉积材料。在这种情况下，沉积材料在布置在左侧上的第一区域A1和第二区域A2中被掩模片132阻挡，并且已穿过图案孔132A的沉积材料可到达两个第三区域A3、右侧第二区域A2和右侧第一区域A1并且可沉积在显示基板D上。
当如以上所描述地形成第三下辅助层28B-1C时，在两个第三区域A3中，可在像素电极28A上顺序地形成第一下辅助层28B-1A、第二下辅助层28B-1B和第三下辅助层28B-1C。而且，第二下辅助层28B-1B和第三下辅助层28B-1C可在右侧第二区域A2中顺序地布置在像素电极28A上，并且第三下辅助层28B-1C可在右侧第一区域A1中布置在像素电极28A上。
以上处理可不限于以上。例如，可通过将掩模组件移位像素Px的宽度的2N倍而不是如以上所描述地移位掩模组件来将沉积材料沉积在显示基板D上。在另一实施方式中，与图案孔132A对应的像素Px的数量可小于或大于图11A和图11B中所示的像素Px的数量。此时，与图案孔132A对应的像素Px的数量可以是两个或更多个。在这种情况下，可各种地调节掩模组件的移位距离。例如，掩模组件的移位距离可调节为像素Px的宽度的N倍或2N倍。
当如以上所描述地在移位掩模组件的同时将沉积材料沉积在显示基板D上时，相同的沉积材料可以不同的厚度沉积在显示基板D的每个像素Px上。特别地，如以上所描述地，当沉积材料是辅助层时，各个像素Px的中间层28B的厚度彼此不同。因此，可在相同的发光部(未示出)内发射具有不同波长的光。
图12是根据另一实施方式的发光装置的发光部20的一部分的剖视图。
参照图12，发光部20可包括基板21、缓冲层22、有源层23、栅极绝缘层24、层间绝缘层26、源电极27A、漏电极27B、钝化层27、OLED28、像素限定层29和薄膜封装层E。因为缓冲层22、有源层23、栅极绝缘层24、层间绝缘层26、源电极27A、漏电极27B、钝化层27、像素限定层29和薄膜封装层E与以上参照图3所描述的那些相同或相似，将省略其详细描述。
OLED 28可包括像素电极28A、中间层28B和相对电极28C。此时，因为像素电极28A和相对电极28C与以上参照图3所描述的那些相同或相似，将省略其详细描述。
中间层28B可包括有机发射层28B-2和辅助层。在这种情况下，辅助层可包括下辅助层28B-1和/或上辅助层28B-3。然而，为了描述的便利，将详细描述辅助层包括下辅助层28B-1和上辅助层28B-3的情况。
下辅助层28B-1可包括第一下辅助层28B-1A、第二下辅助层28B-1B和第三下辅助层28B-1C。在这种情况下，第一下辅助层28B-1A、第二下辅助层28B-1B和第三下辅助层28B-1C可与以上参照图3所描述的那些相同或相似。
有机发射层28B-2可布置为对应于布置在每个区域中的像素Px。即，可提供多个有机发射层28B-2以彼此分开。在这种情况下，有机发射层28B-2可布置为分别对应于像素Px。在这种情况下，有机发射层28B-2可在显示基板D的一个表面上彼此间隔开并且可以以一定图案布置。
上辅助层28B-3可布置在有机发射层28B-2上。在这种情况下，上辅助层28B-3可彼此一体地形成，并且可布置在所有像素Px上。上辅助层28B-3可包括电子注入层和/或电子传输层。
在这种情况下，可通过调节布置在每个像素Px上的下辅助层28B-1的厚度来调节每个像素Px的中间层28B的厚度。因为调节下辅助层28B-1的厚度的方法与以上参照图3至图11C所描述的方法相同或相似，将省略其详细描述。
因此，发光部20可在发射具有相同颜色的光的同时，向外部发射具有不同波长的光。
发光部20可以各种方式操作。例如，发光部20可使布置在一个像素组中的第一区域A1、第二区域A2和第三区域A3中的至少一个中所布置的像素Px发射光。
具体地，发光部20可使仅布置在第一区域A1、第二区域A2或第三区域A3中的像素Px发射光，从而向外部发射具有一种波长的光。
在另一实施方式中，发光部20可使布置在第一区域A1、第二区域A2和第三区域A3中的至少两个中的像素Px发射光，从而发射具有至少两种波长的光。
在另一实施方式中，发光部20可使布置在第一区域A1、第二区域A2和第三区域A3中的像素Px根据时间发射光，从而在不同的时间发射具有不同波长的光。
因此，因为发光部20可自由地发射具有各种波长的光，所以可向用户提供具有各种效果的光。
上面已描述了发光部20包括薄膜封装层E的情况，但是本公开的实施方式不限于此。即，发光部20可包括面对基板21的单独的封装基板以及布置在基板21和单独的封装基板之间的密封部，以将基板21附接到封装基板，从而从外部阻挡OLED 28。
图13是根据另一实施方式的发光装置的发光部20的一部分的剖视图。
参照图13，发光部20可包括基板21、缓冲层22、有源层23、栅极绝缘层24、层间绝缘层26、源电极27A、漏电极27B、钝化层27、OLED28、像素限定层29和薄膜封装层E。因为缓冲层22、有源层23、栅极绝缘层24、层间绝缘层26、源电极27A、漏电极27B、钝化层27、像素限定层29和薄膜封装层E与以上参照图3所描述的那些相同或相似，将省略其详细描述。
OLED 28可包括像素电极28A、中间层28B和相对电极28C。此时，因为像素电极28A和相对电极28C与以上参照图3所描述的那些相同或相似，所以将省略其详细描述。
中间层28B可包括有机发射层28B-2和辅助层。在这种情况下，辅助层可包括下辅助层28B-1和/或上辅助层28B-3。然而，为了描述的便利，将详细描述辅助层包括下辅助层28B-1和上辅助层28B-3的情况。
下辅助层28B-1可布置在所有像素Px上。在这种情况下，下辅助层28B-1可包括空穴注入层和/或空穴传输层。当下辅助层28B-1包括空穴注入层和空穴传输层这两者时，空穴注入层和空穴传输层可顺序地堆叠在像素电极28A和像素限定层29上。在这种情况下，空穴注入层和空穴传输层可由所有像素Px共享。在下文中，为了描述的便利，将详细描述下辅助层28B-1是空穴传输层的情况。
有机发射层28B-2可布置在下辅助层28B-1上。在这种情况下，如图3中所示，有机发射层28B-2可一体地布置在所有像素Px上。在另一实施方式中，如图12中所示，有机发射层28B-2可彼此分开以对应于每个像素Px。然而，为了描述的便利，将详细描述有机发射层28B-2彼此一体地形成以便由所有像素Px共享的情况。
上辅助层28B-3可布置在有机发射层28B-2上。上辅助层28B-3可包括第一上辅助层28B-3A、第二上辅助层28B-3B和第三上辅助层28B-3C。在这种情况下，第一上辅助层28B-3A、第二上辅助层28B-3B和第三上辅助层28B-3C中的每个可包括电子注入层和/或电子传输层。特别地，第一上辅助层28B-3A、第二上辅助层28B-3B和第三上辅助层28B-3C可包括相同或不同的材料。
第一上辅助层28B-3A、第二上辅助层28B-3B和第三上辅助层28B-3C可不同地堆叠在布置在每个区域中的像素Px上。例如，在像素Px布置在图13的左侧上的第一区域A1中的情况下，仅第一上辅助层28B-3A可布置在有机发射层28B-2上。在像素Px布置在图13的左侧上的第二区域A2中的情况下，第一上辅助层28B-3A和第二上辅助层28B-3B可顺序地堆叠在有机发射层28B-2上。在布置在图13的中心的两个第三区域A3中的像素Px中的每个中，第一上辅助层28B-3A、第二上辅助层28B-3B和第三上辅助层28B-3C可顺序地堆叠在有机发射层28B-2上。在像素Px布置在图13的右侧上的第二区域A2中的情况下，第三上辅助层28B-3C可布置在第二上辅助层28B-3B上。在像素Px布置在图13的右侧上的第一区域A1中的情况下，仅第三上辅助层28B-3C可布置在有机发射层28B-2上。
在这种情况下，可根据布置在有机发射层28B-2上的上辅助层28B-3的数量来确定中间层28B的厚度。即，当布置在每个像素Px的有机发射层28B-2上的上辅助层28B-3的数量大于布置在另一像素Px的有机发射层28B-2上的上辅助层28B-3的数量时，具有大的数量的上辅助层28B-3的像素Px的中间层28B的厚度可大于另一像素Px的中间层28B的厚度。
上辅助层28B-3的布置和数量可类似于以上参照图3至图12所描述的下辅助层28B-1的布置和数量。即，第一上辅助层28B-3A和第二上辅助层28B-3B在平面图中彼此可不完全重叠，并且第二上辅助层28B-3B和第三上辅助层28B-3C在平面中彼此可不完全重叠。
因为存在中间层28B的厚度不同的至少两个像素Px，所以发光部20可在发射具有相同颜色的光的同时，向外部发射具有不同波长的光。
发光部20可以各种方式操作。例如，发光部20可使布置在一个像素组中的第一区域A1、第二区域A2和第三区域A3中的至少一个中所布置的像素Px发射光。
具体地，发光部20使仅布置在第一区域A1、第二区域A2或第三区域A3中的像素Px发射光，从而向外部发射具有一种波长的光。
在另一实施方式中，发光部20可使布置在第一区域A1、第二区域A2和第三区域A3中的至少两个中的像素Px发射光，从而发射具有至少两种波长的光。
在另一实施方式中，发光部20可使布置在第一区域A1、第二区域A2和第三区域A3中的像素Px根据时间发射光，从而在不同的时间发射具有不同波长的光。
因此，因为发光部20可自由地发射具有各种波长的光，所以可向用户提供具有各种效果的光。
以上已描述发光部20包括薄膜封装层E的情况，但是本公开的实施方式不限于此。即，发光部20可包括面对基板21的单独的封装基板以及布置在基板21和单独的封装基板之间的密封部，以将基板21附接到封装基板，从而从外部阻挡OLED 28。
根据一个或多个实施方式的发光装置可将具有不同波长的光提供给外部。而且，发光装置可将具有一定波长的光供应到外部。
根据制造发光装置的方法，根据一个或多个实施方式，可制造包括多个像素的发光装置，多个像素包括具有不同厚度的中间层。
根据制造发光装置的方法，根据一个或多个实施方式，可在单个制造设备中制造包括具有不同厚度的中间层的像素，而无需针对每个像素替换掩模组件。
尽管本文中已描述了某些示例性实施方式和实现方式，但是根据该描述，其他实施方式和修改将是显而易见的。相应地，本发明构思不限于这样的实施方式，而是限于所附权利要求以及对本领域普通技术人员显而易见的各种明显的修改和等同布置的较宽范围。

Claims (20)

1.一种发光装置，包括：
主体部；以及
发光部，布置在所述主体部中并且配置为向外部发射光，
其中：
所述发光部包括：
多个像素，配置为发出相同颜色；以及
像素限定层，限定所述多个像素中的每个像素的发射区域，
所述多个像素中的至少两个像素配置为发射具有彼此不同的波长的光；并且
所述多个像素中的每个像素中的中间层的辅助层布置在所述多个像素之中的彼此相邻的至少两个像素和相邻的像素之间的所述像素限定层上。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述多个像素中的每个像素还配置为发射白色光、红色光、绿色光和蓝色光中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述多个像素中的每个像素包括：
像素电极；
相对电极，布置成面对所述像素电极；以及
发射层，在所述像素电极和所述相对电极之间，并且
所述辅助层布置在所述发射层与所述像素电极之间或所述发射层与所述相对电极之间。
4.根据权利要求3所述的发光装置，其中，所述多个像素中的至少两个像素在所述像素电极与所述相对电极之间具有不同的间隔。
5.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述多个像素之中的彼此相邻的两个所述像素的所述辅助层的厚度彼此不同。
6.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述多个像素之中的彼此相邻的两个或更多个所述像素的所述辅助层的厚度彼此不同。
7.根据权利要求1所述的发光装置，其中：
所述辅助层包括：
第一辅助层，布置在所述多个像素中的一些像素上；以及
第二辅助层，布置在所述多个像素中的其他像素上；并且
所述第一辅助层的至少一部分与所述第二辅助层的至少一部分重叠。
8.根据权利要求7所述的发光装置，其中，连接布置在平面上的所述第一辅助层的中心和所述第二辅助层的中心的第一线与连接所述多个像素之中的相邻的像素的中心的第二线相交。
9.根据权利要求3所述的发光装置，其中，所述多个像素中的至少一些像素形成一个像素组，并且布置在所述一个像素组中的所述中间层的总厚度在布置于所述一个像素组的中心处的所述像素中最大。
10.根据权利要求9所述的发光装置，其中，布置在所述一个像素组中的所述中间层的总厚度从布置在所述一个像素组的所述中心处的所述像素到布置在所述一个像素组的外侧处的像素减小。
11.根据权利要求3所述的发光装置，其中，在所述多个像素中的至少两个所述中间层的厚度彼此不同。
12.一种制造发光装置的方法，所述方法包括：
将处理基板和掩模组件布置在腔室中；
通过将沉积材料从沉积源通过所述掩模组件供应到所述处理基板来使所述沉积材料沉积；
在第一方向上移位所述处理基板或所述掩模组件；以及
通过将所述沉积材料从所述沉积源通过所述掩模组件供应到所述处理基板来使所述沉积材料沉积。
13.根据权利要求12所述的方法，还包括：在第二方向上移位所述处理基板或所述掩模组件。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一方向和所述第二方向彼此垂直。
15.根据权利要求12所述的方法，其中，所述掩模组件包括所述沉积材料穿过的图案孔，并且所述图案孔形成为将所述沉积材料引导至布置在所述处理基板的沉积区域中的至少两个像素。
16.根据权利要求12所述的方法，其中，所述沉积材料沉积在所述处理基板上以形成辅助层。
17.根据权利要求12所述的方法，还包括：在所述处理基板的沉积确认区域中沉积所述沉积材料。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述沉积确认区域在所述处理基板的相邻沉积区域之间。
19.一种制造发光装置的方法，所述方法包括：
在处理基板的第一区域上使沉积材料沉积；以及
在所述处理基板的第二区域上使所述沉积材料沉积，
其中，所述第一区域的至少一部分与所述第二区域的至少一部分重叠。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，至少两个像素布置在所述第一区域和所述第二区域中的每个中，并且
仅在所述第一区域或所述第二区域中布置的所述像素中的所述沉积材料的厚度不同于在所述第一区域与所述第二区域重叠的区域中布置的所述像素中的所述沉积材料的厚度。
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