CN114047625B - Mems微镜、电子设备及mems微镜的使用方法 - Google Patents

Abstract

本公开实施例提供了一种MEMS微镜、电子设备及MEMS微镜的使用方法；其中，MEMS微镜包括基底，镜面，静电吸合装置及驱动装置；镜面悬置于基底上；静电吸合装置包括第一静电电极和第二静电电极，第一静电电极位于基底上，第二静电电极位于镜面上；驱动装置的一端与基底连接，驱动装置的另一端与镜面连接，驱动装置能够发生弯曲，驱动装置被构造为能够带动镜面相对于基底发生运动；在驱动装置弯曲的状态下，镜面能够朝向第一静电电极运动，并能够通过第二静电电极静电吸合在第一静电电极上。本公开实施例为MEMS微镜提供了一种抗冲击振动的方案，其镜面在不使用的情况下可以通过静电吸合在基底上。

Description

MEMS微镜、电子设备及MEMS微镜的使用方法

技术领域

本公开实施例涉及电子产品技术领域，更具体地，本公开涉及一种MEMS微镜以及电子设备。

背景技术

MEMS微镜中的镜面通常是通过驱动器悬置设置的，并且使镜面发生相对运动的驱动方式目前通常是电热驱动。然而，电热驱动器本身较为脆弱，其通常难以承受较大的外界冲击或者震动，这就无法为镜面提供较大的支撑刚度，这样，就会导致MEMS微镜的整体强度不足、抗冲击力较差。

而在实际应用中，在MEMS微镜运输、安装或者某些使用场景下，不可避免的会受到较大的冲击力或者震动。鉴于此，需要提供一种新的技术方案，以解决上述技术问题。

发明内容

本公开的目的是提供一种MEMS微镜以及电子设备的新的技术方案。

为了解决上述至少一个技术问题，第一方面，本公开提供了一种MEMS微镜。所述MEMS微镜包括：

基底；

镜面，所述镜面悬置于所述基底上；

静电吸合装置，所述静电吸合装置包括第一静电电极和第二静电电极，所述第一静电电极位于所述基底上，所述第二静电电极位于所述镜面上；

驱动装置，所述驱动装置的一端与所述基底连接，所述驱动装置的另一端与所述镜面连接，所述驱动装置能够发生弯曲，所述驱动装置被构造为能够带动所述镜面相对于所述基底发生运动；

在所述驱动装置弯曲的状态下，所述镜面能够朝向所述第一静电电极运动，并能够通过所述第二静电电极静电吸合在所述第一静电电极上。

可选地，所述基底设置有容置腔，所述第一静电电极设置于所述容置腔内。

可选地，所述基底包括支撑部和底座，所述支撑部设置于所述底座上，所述支撑部上形成有通道，所述底座上形成凸起结构，所述凸起结构位于所述通道内，所述第一静电电极设置于所述凸起结构的表面上。

可选地，所述静电吸合装置包括绝缘介质层，所述绝缘介质层位于所述第一静电电极与所述第二静电电极之间。

可选地，所述镜面包括反射层及支撑层，所述反射层与所述支撑层层叠设置，并且连接在一起，其中，所述反射层为金属材料，所述支撑层为无机非金属材料。

可选地，第二静电电极为所述反射层或支撑层。

可选地，所述驱动装置为多层电热驱动结构或者压电薄膜结构。

可选地，所述驱动装置包括加热元件、第一材料层和第二材料层；

所述第一材料层和所述第二材料层层叠设置，并且连接在一起，所述加热元件位于所述第一材料层和所述第二材料层之间，所述加热元件与所述第一材料层和所述第二材料层中的一个连接，所述第一材料层和所述第二材料层的热膨胀系数不同。

第二方面，本公开还提供了一种电子设备，包括：

设备本体；以及

如上所述的MEMS微镜，所述MEMS微镜设置在所述设备本体上。

第三方面，本公开还提供了一种如上所述的MEMS微镜的使用方法，包括：

在正常工作状态下，所述镜面能够在所述驱动装置的驱动作用下相对于所述基底发生垂直移动和/或转动；

在MEMS微镜停止工作后，所述驱动装置能够带动所述镜面靠近所述第一静电电极，对所述静电吸合装置施加静电驱动电压之后，所述镜面上的所述第二静电电极与所述基底上的第一静电电极之间产生静电吸引力，以使所述镜面能够通过所述第二静电电极静电吸合在所述第一静电电极上，所述驱动装置停止工作，所述镜面始终与所述基底处于静电吸合状态；

在MEMS微镜恢复正常工作状态后，撤去为所述静电吸合装置施加的电压，所述镜面恢复到可运动的状态，所述镜面能够在所述驱动装置的驱动作用下相对于所述基底发生垂直移动和/或转动。

本公开实施例的一个有益效果在于：

通过本公开提供的一种MEMS微镜的方案，能够为MEMS微镜中的镜面提供更为稳定地支撑作用；尤其是，MEMS微镜在停止工作之后，其中的镜面能够通过静电吸合在基底上，由基底对原本悬空设置的镜面提供支撑作用，这改善了现有技术中镜面在不使用时长期处于悬置的状态，这使得MEMS微镜的整体强度得到了提高，同时赋予了其良好的抗冲击力。并且，静电吸合所需的驱动电压和功耗小。

通过以下参照附图对本说明书的示例性实施例的详细描述，本说明书的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本说明书的实施例，并且连同其说明一起用于解释本说明书的原理。

图1为本公开一个实施例中MEMS微镜的结构示意图。

图2为图1中镜面静电吸合在第一静电电极上的示意图。

图3为本公开另一个实施例中MEMS微镜的结构示意图。

图4为图3中镜面静电吸合在第一静电电极上的示意图。

附图标记：

1-基底，11-容置腔，101-支撑部，1011-通道，102-底座，1021-凸起结构，2-镜面，3-驱动装置，4-第一静电电极，5-第二静电电极，6-绝缘介质层，7-第一控制电路。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本公开的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术和设备应当被视为说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

在本公开的一些实施例中，参见图1至图4所示，提供了一种MEMS微镜，其包括有基底1。所述MEMS微镜是采用MEMS工艺制成。

所述基底1可以为半导体材料。

例如，所述基底1可以为硅、硅的化合物如二氧化硅、氮化硅和碳化硅。

又例如，所述基底1可以为锗和砷化镓，所述基底1还可以为压电晶体，陶瓷化合物。

所述基底1是通过腐蚀工艺，例如干法刻蚀工艺和/或湿法腐蚀工艺从基底上去除不需要的材料，从而形成本公开中的所述基底1的几何结构。

所述MEMS微镜包括有镜面2。所述镜面2悬置于所述基底1上。

所述MEMS微镜在正常工作的状态下，其中的所述镜面2能够相对于所述基底1发生例如垂直移动和/或转动，所述镜面2可在合适的角度起到反光的效果。

所述MEMS微镜包括有静电吸合装置，所述静电吸合装置包括第一静电电极4和第二静电电极5，所述第一静电电极4位于所述基底1上，所述第二静电电极5位于所述镜面2上。

并且，所述MEMS微镜还包括有驱动装置3，所述驱动装置3的一端与所述基底1连接，所述驱动装置3的另一端与所述镜面2连接。所述驱动装置3能够发生形变，例如弯曲。所述驱动装置3被构造为能够带动所述镜面2相对于所述基底1发生运动。

在所述驱动装置3弯曲的状态下，所述镜面2能够朝向所述第一静电电极4运动，并能够通过所述第二静电电极5静电吸合在所述第一静电电极4上。

在本公开的方案中，所述驱动装置3能够对所述镜面2相对于所述基底1的运动进行驱动控制，以调整所述镜面2的角度。

并且，在所述驱动装置3弯曲的状态下，参见图2和图4所示，所述镜面2能够朝向所述第一静电电极4运动，并能够静电吸合在所述第一静电电极4上，此时，可由所述基底1对所述镜面2进行支撑。也即，在MEMS微镜停止工作之后，所述镜面2不再处于悬置的状态，而是静电吸合在所述基底1上的，由所述基底1对所述镜面2进行支撑。

在本公开的方案中，通过采用静电吸合的方式，在MEMS微镜停止工作之后，参见图2和图4所示，所述镜面2能够被静电吸合在所述基底1上的第一静电电极4上，由所述基底1为MEMS微镜中的所述镜面2提供支撑。

本公开中的设计，改善了现有技术中镜面在不使用时长期处于悬置的状态仅由电热驱动臂对其进行支撑，而电热驱动臂本身较为脆弱，难以承受较大的外界冲击或者震动。相比于现有技术，本公开中的技术方案使得MEMS微镜的整体强度得到了提高，同时赋予了其良好的抗冲击力。并且，静电吸合所需的驱动电压和功耗小。

在本公开的一些实施例中，参见图1所示，所述基底1设置有容置腔11，所述第一静电电极4设置于所述容置腔11内。

所述容置腔11例如为设置在所述基底1上的凹陷结构，所述凹陷结构内设置有所述第一静电电极4。

例如，所述第一静电电极4覆盖在所述凹陷结构的底部。

所述驱动装置3能够驱动所述镜面2朝向所述容置腔11内运动，当对所述静电吸合装置施加静电驱动电压之后，所述第一静电电极4可产生静电力，其能够用以静电吸附朝向所述容置腔11内运动的所述镜面2，也即，可为所述镜面2提供静电力。

在本公开的另一些实施例中，参见图3和图4所示，所述基底1包括支撑部101和底座102，所述支撑部101设置于所述底座102上，所述支撑部101上形成有通道1011，所述底座102上形成凸起结构1021，所述凸起结构1021位于所述通道1011内，所述第一静电电极4设置于所述凸起结构1021的表面上。

所述驱动装置3能够驱动所述镜面2朝向所述通道1011内运动并靠近所述凸起结构1021，当对所述静电吸合装置施加静电驱动电压之后，所述第一静电电极4可产生静电力，用以静电吸附所述镜面2。

所述第一静电电极4与所述镜面2之间的高度由所述凸起结构1021的高度决定。

所述凸起结构1021附着所述第一静电电极4的表面例如为平面结构，这样，可以稳定的静电吸合所述镜面2。

参见图1至图4所示，所述镜面2的下方对应的是所述基底1上的容置腔11或者通道1011。由于所述镜面2是能够相对于所述基底1发生运动(垂直移动或者偏转)的，在此基础上，所述容置腔11或者所述通道1011可以为所述镜面2的运动预留一定的位移空间。

此外，在本公开的一些实施例中，可以将所述基底1的一表面直接采用导电材料制成，此时，无需额外设置静电吸合装置，所述基底1的该表面可以直接作为第一静电电极，在对其施加静电驱动电压之后，可静电吸合所述镜面2。

在本公开的一些实施例中，所述静电吸合装置包括绝缘介质层6，所述绝缘介质层6位于所述第一静电电极4与所述第二静电电极5之间。

也就是说，所述绝缘介质层6例如可设置在所述基底1和所述镜面2中的一个上。

在本公开的技术方案中，所述绝缘介质层6设置于所述第一静电电极4与所述第二静电电极5之间即可，所述绝缘介质层6的位置较为灵活，本公开对此不做限制。在所述镜面2与所述基底1静电吸合的情况下，在这二者之间存在有所述绝缘介质层6。所述绝缘介质层6的存在可用于避免所述镜面2与所述基底1之间发生电导通的情况。

此外，在本公开的一些实施例中，若所述镜面2与所述基底1静电吸合的表面为电绝缘的，或者所述基底1与所述镜面2静电吸合的表面为电绝缘的，又或者由于结构限制，所述基底1与所述镜面2静电吸合时中间存在空气层，则可以不需要额外设置上述的绝缘介质层6。

在本公开的一些实施例中，参见图3所示，所述绝缘介质层6覆盖在所述第一静电电极4上。

其中，所述绝缘介质层6为绝缘材料薄膜，例如氧化硅材料薄膜、氮化硅材料薄膜等。

在本公开的一些实施例中，所述第一静电电极4可以为导电材料。

例如，所述第一静电电极4为铝膜。

在本公开的一些实施例中，所述驱动装置3设置有一个或者多个。

多个所述驱动装置3相对于所述镜面2对称设置。

多个所述驱动装置3可共同支撑和驱动控制所述镜面2，这也使得MEMS微镜的整体强度得到了提高，并能使所述镜面2相对与所述基底1的运动更加稳定。

在本公开的一些实施例中，所述镜面2上设置有第二静电电极5。

所述第二静电电极5被构造为在施加静电驱动电压之后，能够与所述基底1上的所述第一静电电极层4进行静电吸合。

在本公开的一些实施例中，所述绝缘介质层6可覆盖在所述第二静电电极5上。其中，所述绝缘层6为绝缘材料薄膜，例如氧化硅材料薄膜、氮化硅材料薄膜等。

在本公开的一些实施例中，所述驱动装置3为多层电热驱动结构或者压电薄膜结构。

例如，所述驱动装置3为多层电热驱动结构。所述驱动装置3包括加热元件、第一材料层和第二材料层，所述第一材料层和所述第二材料层层叠设置，并且连接在一起，所述加热元件位于所述第一材料层和所述第二材料层之间，并且所述加热元件与所述第一材料层和所述第二材料层中的一个(即第一材料层和/或第二材料层)连接，所述第一材料层和所述第二材料层的热膨胀系数不同。

在本公开的一个实施例中，所述驱动装置3的第一材料层为金属材料，例如铝、铜或铂等；所述驱动装置3的第二材料层为无机非金属，例如二氧化硅、氮化硅或碳化硅。

还设置有加热元件，加热元件可以在第一材料层和第二材料层之间设置，也可以仅与第一材料层连接，或是仅与第二材料层连接。加热元件例如为电阻，如铂、钛或钨，也可以是其他足以为第一材料层和第二材料层提供热源的其他电阻材质，在此不做限定。

当对电阻施加电压时，电阻产生热量以升高所述驱动装置3的温度。而由于所述第一材料层与所述第二材料层的热膨胀系数不同，当温度升高时，金属铝的热膨胀系数更高，所述驱动装置3发生弯曲，就可以驱动所述镜面2朝向所述容置腔11或者所述通道1011内转动，以实现所述镜面2与所述基底1的静电吸合。当减小对电阻施加的电压时，所述驱动装置3恢复形变，并能够与所述基底1相分离。

在本申请的另一些实施例中，所述驱动装置3还可以为压电驱动，此时，所述第一材料层例如为二氧化硅，所述第二材料层例如为具有逆压电效应的材料，如压电陶瓷。当对压电陶瓷施加电压时，压电陶瓷产生形变，带动所述驱动装置3弯曲，所述驱动装置3驱动所述镜面2朝向所述容置腔11或者所述通道1011内转动，以实现所述镜面2与所述基底1的静电吸合。当减小对压电陶瓷施加的电压时，压电陶瓷的形变缩小，所述驱动装置3恢复形变，并能够与所述基底1相分离。

可以理解的是，在上述实施例中，可以由第一材料层，也可以省略第一材料层。只要能够使得所述驱动装置3形成需要的弯曲度即可。

在本公开的一些实施例中，所述镜面2包括反射层及支撑层，所述反射层与所述支撑层层叠设置，并且连接在一起，其中，所述反射层为金属材料，所述支撑层为无机非金属材料。

所述反光层能够用以实现反光效果。

所述反光层为不透光的材质，例如金属，如铝。

所述支撑层用以提高所述镜面2的刚度。

所述支撑层为无机非金属材料，例如二氧化硅。

需要说明的是，所述反射层与所述支撑层层叠的顺序在此不做限定。

本公开的实施例中，对于所述镜面2，也可以仅设置有所述反射层，使得所述反射层既能够具有合适的刚度，同时也能阻挡光线传播。

在本公开的一些实施例中，第二静电电极5可为所述反射层或支撑层。

在本公开的一些实施例中，所述的MEMS微镜，参见图1至图4所示，还包括第一控制电路7，所述第一控制电路7的一端与所述第二静电电极5电性连接，所述第一控制电路7的另一端与所述第一静电电极4电性连接，所述第一控制电路7被构造为：能够对所述第二静电电极5与所述第一静电电极4施加静电驱动电压，以使所述镜面2能够通过所述第二静电电极5静电吸合在所述基底1的第一静电电极4上。

在本公开的一些实施例中，所述的MEMS微镜还包括第二控制电路(图1至图4中未示出)，所述第二控制电路例如与所述驱动装置3电连接，所述第二控制电路能够对所述驱动装置3施加驱动电压，以使所述驱动装置3发生形变，例如弯曲形变。

并且，在所述镜面2静电吸合在所述基底1的第一静电电极4上之后，断开所述第二控制电路，保持所述镜面2能够静电吸合在所述第一静电电极4上。本公开的方案中，为了避免驱动电压较高的问题，设计断开所述第二控制电路，并使所述第一控制电路7中保持较小静电驱动电压，以保持所述镜面2能够静电吸合在所述基底1的第一静电电极4上即可。

<实施例一>

参见图1和图2，图1为本公开一个实施例中MEMS微镜的结构示意图，提供了一种MEMS微镜，所述MEMS微镜包括：

基底1，所述基底1为硅材料，基底1上形成有容置腔11，所述容置腔11为设置在所述基底1上的凹陷结构，所述凹陷结构内设置有第一静电电极4，第一静电电极4材料可为铝，若所述基底1为导电材料，也可将所述基底1自身作为第一静电电极4，无需额外制作电极；

镜面2，所述镜面2悬置于所述基底1上，所述镜面2包括铝层，用以实现反光，在铝层下层叠设置有低阻硅层，用以为所述镜面2提供刚度，并用于形成第二静电电极5；

绝缘介质层6，所述绝缘介质层6为二氧化硅，位于所述第二静电电极下方；所述第一静电电极4、所述绝缘介质层6及所述第二静电电极5共同构成所述静电吸合装置；以及

驱动装置3，所述驱动装置3设置有两个，两个所述驱动装置3相对于所述镜面2对称设置；各所述驱动装置3的一端与所述基底1连接，各所述驱动装置3的另一端与所述镜面2连接，所述驱动装置3能够发生弯曲，所述驱动装置3被构造为能够带动所述镜面2相对于所述基底1发生运动；并且，在所述驱动装置3弯曲的状态下，所述镜面2能够朝向所述第一静电电极4运动，并能够静电吸合在所述基底1的第一静电电极4上；

其中，各所述驱动装置3为多层电热驱动结构，其包括电阻、铝层和二氧化硅层，所述铝层和所述二氧化硅层层叠设置，并且连接在一起，所述电阻位于所述铝层和所述二氧化硅层之间，并且所述电阻与所述铝层和所述二氧化硅层中的一个连接。

所述MEMS微镜还包括第一控制电路7和第二控制电路(图1和图2中未示出)；

利用所述第二控制电路对所述驱动装置3施加电热驱动电压，使得当所述驱动装置3发生弯曲时，可驱动所述镜面2朝向所述第一静电电极4运动；

利用所述第一控制电路7对所述第一静电电极4和所述第二静电电极5施加静电驱动电压，所述镜面2能够通过所述第二静电电极5静电吸合在所述基底1的第一静电电极4上，而在所述镜面2静电吸合在所述第一静电电极4上之后，断开所述第二控制电路，保持所述镜面2能够静电吸合在所述第一静电电极4上。

<实施例二>

参见图3和图4，图3为本公开另一个实施例中MEMS微镜的结构示意图，提供了另一种MEMS微镜，所述MEMS微镜包括：

基底1，所述基底1为硅材料，所述基底1包括支撑部101和底座102，所述支撑部101设置于所述底座102上，所述支撑部101上形成有通道1011，所述底座102上形成凸起结构1021，所述凸起结构1021位于所述通道1011内，所述第一静电电极4设置于所述凸起结构1021的表面上，所述第一静电电极4的材料为铝；

镜面2，所述镜面2悬置于所述基底1上，所述镜面2包括铝层，用以实现反光，并作为第二静电电极5，在铝层下层叠设置有低阻硅层，用以为所述镜面2提供刚度；

绝缘介质层6，所述绝缘介质层6为二氧化硅，设置在所述底座102上，并覆盖所述第一静电电极4上；所述第一静电电极4、所述绝缘介质层6及所述第二静电电极5共同构成所述静电吸合装置；以及

驱动装置3，所述驱动装置3设置有四个，四个所述驱动装置3在所述镜面2四周相对于所述镜面2对称设置；各所述驱动装置3的一端与所述基底1连接，各所述驱动装置3的另一端与所述镜面2连接，所述驱动装置3能够发生弯曲，所述驱动装置3被构造为能够带动所述镜面2相对于所述基底1发生运动；并且，在所述驱动装置3弯曲的状态下，所述镜面2能够朝向所述第一静电电极4运动，并能够静电吸合在所述基底1的第一静电电极4上；

其中，各所述驱动装置为多层电热驱动结构，其包括电阻、铝层和二氧化硅层，所述铝层和所述二氧化硅层层叠设置，并且连接在一起，所述电阻位于所述铝层和所述二氧化硅层之间，并且所述电阻与所述铝层和所述二氧化硅层中的一个连接。

所述MEMS微镜还包括第一控制电路7和第二控制电路(图3和图4中未示出)；

利用所述第二控制电路对所述驱动装置3施加电热驱动电压，使得当所述驱动装置3发生弯曲时，可驱动所述镜面2朝向所述第一静电电极4运动；

利用所述第一控制电路7对所述第一静电电极4和所述第二静电电极5施加静电驱动电压，所述镜面2能够通过所述第二静电电极5静电吸合在所述基底1的第一静电电极4上，而在所述镜面2静电吸合在所述第一静电电极4上之后，断开所述第二控制电路，保持所述镜面2能够静电吸合在所述第一静电电极4上。

本公开还提供了一种电子设备。所述电子设备包括设备本体和MEMS微镜，所述MEMS微镜设置在所述设备本体上。

其中，电子设备可以为探测设备，如激光雷达，光谱仪等。也可以为投影设备，如投影仪、AR，VR等。也可以为光通讯设备，如交换机，路由器等。

本公开还提供了一种MEMS微镜的使用方法：

在正常工作状态下，所述镜面2能够在所述驱动装置3的驱动作用下相对于所述基底1发生垂直移动和/或转动。

在MEMS微镜停止工作后，所述驱动装置3能够带动所述镜面2靠近所述第一静电电极4，对所述静电吸合装置施加静电驱动电压之后，所述镜面2上的所述第二静电电极5与所述基底1上的第一静电电极4之间产生静电吸引力，以使所述镜面2能够通过所述第二静电电极4静电吸合在所述第一静电电极4上，所述驱动装置停止工作，所述镜面2始终与所述基底1处于静电吸合状态，因此，所述镜面2不易受到外界影响而损坏。

在MEMS微镜恢复正常工作状态后，撤去为所述静电吸合装置施加的电压，所述镜面2恢复到可运动的状态，所述镜面2能够在所述驱动装置3的驱动作用下相对于所述基底1发生垂直移动和/或转动。

虽然已经通过示例对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。

Claims (10)

1.一种MEMS微镜，其特征在于：包括

基底；

镜面，所述镜面悬置于所述基底上；

静电吸合装置，所述静电吸合装置包括第一静电电极和第二静电电极，所述第一静电电极位于所述基底上，所述第二静电电极位于所述镜面上；

驱动装置，所述驱动装置的一端与所述基底连接，所述驱动装置的另一端与所述镜面连接，所述驱动装置能够发生弯曲，所述驱动装置被构造为能够带动所述镜面相对于所述基底发生运动；

在所述驱动装置弯曲的状态下，所述镜面能够朝向所述第一静电电极运动，并能够通过所述第二静电电极静电吸合在所述第一静电电极上，在MEMS微镜停止工作之后，所述镜面不再处于悬置的状态，由所述基底对所述镜面进行支撑。

2.根据权利要求1所述的MEMS微镜，其特征在于：所述基底设置有容置腔，所述第一静电电极设置于所述容置腔内。

3.根据权利要求1所述的MEMS微镜，其特征在于：所述基底包括支撑部和底座，所述支撑部设置于所述底座上，所述支撑部上形成有通道，所述底座上形成凸起结构，所述凸起结构位于所述通道内，所述第一静电电极设置于所述凸起结构的表面上。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的MEMS微镜，其特征在于：所述静电吸合装置包括绝缘介质层，所述绝缘介质层位于所述第一静电电极与所述第二静电电极之间。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的MEMS微镜，其特征在于：所述镜面包括反射层及支撑层，所述反射层与所述支撑层层叠设置，并且连接在一起，其中，所述反射层为金属材料，所述支撑层为无机非金属材料。

6.根据权利要求5所述的MEMS微镜，其特征在于：第二静电电极为所述反射层或支撑层。

7.根据权利要求1-3中任一项所述的MEMS微镜，其特征在于：所述驱动装置为多层电热驱动结构或者压电薄膜结构。

8.根据权利要求1-3中任一项所述的MEMS微镜，其特征在于：所述驱动装置包括加热元件、第一材料层和第二材料层；

所述第一材料层和所述第二材料层层叠设置，并且连接在一起，所述加热元件位于所述第一材料层和所述第二材料层之间，所述加热元件与所述第一材料层和所述第二材料层中的一个连接，所述第一材料层和所述第二材料层的热膨胀系数不同。

9.一种电子设备，其特征在于，包括

设备本体；以及

如权利要求1-8任一项所述的MEMS微镜，所述MEMS微镜设置在所述设备本体上。

10.一种如权利要求1-8任一项所述MEMS微镜的使用方法，其特征在于：包括：

在正常工作状态下，所述镜面能够在所述驱动装置的驱动作用下相对于所述基底发生垂直移动和/或转动；

在MEMS微镜停止工作后，所述驱动装置能够带动所述镜面靠近所述第一静电电极，对所述静电吸合装置施加静电驱动电压之后，所述镜面上的所述第二静电电极与所述基底上的第一静电电极之间产生静电吸引力，以使所述镜面能够通过所述第二静电电极静电吸合在所述第一静电电极上，所述驱动装置停止工作，所述镜面始终与所述基底处于静电吸合状态；

在MEMS微镜恢复正常工作状态后，撤去为所述静电吸合装置施加的电压，所述镜面恢复到可运动的状态，所述镜面能够在所述驱动装置的驱动作用下相对于所述基底发生垂直移动和/或转动。

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