CN114038985A - 一种显示面板、其制备方法及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种显示面板、其制备方法及显示装置，该显示面板包括：阵列基板，阵列基板包括电极和第一反射槽；LED，位于阵列基板的一侧，电极包括第一电极，第一电极与LED电连接；LED在阵列基板上的正投影与第一电极至少部分交叠；第一反射槽在阵列基板的表面上的正投影，与LED和/或电极在阵列基板的表面上的正投影毗邻。本发明实施例中解决了现有显示面板存在LED转移过程对位精度要求过高的问题，能够避免转移过程中因对位精度不够产生过多的无效LED。同时还可以利用第一反射槽将LED出射的部分光线反射并由显示面板的正面出射，从而提高LED光线的利用率，保证显示面板的发光视角以及发光效率。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、其制备方法及显示装置。
背景技术
平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。
发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)显示面板是一种以在一个基板上集成的LED阵列作为显示像素来实现图像显示的显示器，每一个LED像素可定址、单独驱动点亮，LED显示器相比OLED显示器还具有材料稳定性更好、寿命更长、无影像烙印等优点，被认为是OLED显示器的最大竞争对手。
发明内容
本发明提供一种显示面板、其制备方法及显示装置，以在保证LED的出光效率的同时，解决LED在显示基板上对位难度较大的问题。
第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括：
阵列基板，阵列基板包括电极和第一反射槽；
LED，位于阵列基板的一侧，电极包括第一电极，第一电极与LED电连接；LED在阵列基板上的正投影与第一电极至少部分交叠；
第一反射槽在阵列基板的表面上的正投影，与LED和/或电极在阵列基板的表面上的正投影毗邻。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示面板的制备方法，该制备方法包括：
提供阵列基板，阵列基板设置有电极，电极包括第一电极；
在阵列基板的一侧设置LED，并使LED与第一电极电连接，LED在阵列基板上的正投影与第一电极至少部分交叠；
在阵列基板的表面刻蚀形成第一反射槽；其中，第一反射槽在阵列基板的表面上的正投影，与LED和/或电极在阵列基板的表面上的正投影毗邻。
第三方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的任一项所述的显示面板。
本发明实施例中，首先通过在阵列基板上设置电极，其中电极包括第一电极；然后将LED设置在阵列基板上，并与第一电极电连接，且LED在阵列基板上的正投影与第一电极至少部分交叠；最后在阵列基板上形成第一反射槽，第一反射槽在阵列基板表面的正投影与LED和/或电极在阵列基板表面的正投影毗邻，实现了显示面板的制备。该显示面板的制备过程无需过多考虑LED转移至阵列基板时的对位精度，解决了现有显示面板存在LED转移过程对位精度要求过高的问题，能够避免转移过程中因对位精度不够产生过多的无效LED。而同时，本发明实施例也可以利用第一反射槽将LED出射的部分光线反射并由显示面板的正面出射，从而提高LED光线的利用率，保证显示面板的发光视角以及发光效率。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的局部结构示意图；
图2是图1所示显示面板沿AA’的剖视图；
图3是图1所示显示面板沿BB’的剖视图；
图4是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法流程图；
图5是图4所示制备方法的结构流程图；
图6是本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面结构图；
图7是本发明实施例提供的又一种显示面板的剖面结构图；
图8是本发明实施例提供的两种第一反射槽的形状示意图；
图9是本发明实施例提供的一种LED结构示意图；
图10是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图11是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图12是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图13是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图14是图13所示显示面板沿CC’的剖视图；
图15是图13所示显示面板沿DD’的剖视图；
图16是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图17是图16所示显示面板沿EE’的剖视图；
图18是图1所示显示面板沿FF’的剖视图；
图19是本发明实施例提供的又一种显示面板的剖视图；
图20是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的局部结构示意图，图2是图1所示显示面板沿AA’的剖视图；图3是图1所示显示面板沿BB’的剖视图，参考图1-图3，该显示面板包括：阵列基板10，阵列基板10包括电极11和第一反射槽121；LED20，位于阵列基板10的一侧，电极11包括第一电极111，第一电极111与LED20电连接；LED20在阵列基板10上的正投影与第一电极111至少部分交叠；第一反射槽121在阵列基板10的表面上的正投影，与LED20和/或电极11在阵列基板10的表面上的正投影毗邻。
其中，阵列基板10为设置有驱动电路阵列的显示基板，示例性地，图中的阵列基板10包括衬底13、电极图案层110以及位于衬底13和电极图案层110之间的驱动电路层14，该驱动电路层14由下至上依次包括聚酰亚胺(PI)胶层140、缓冲层141、栅极层142、栅绝缘层143、有源层144、层间绝缘层145、源漏极层146、钝化层147、遮光层148和平坦化层149。其中栅极层142、有源层144、源漏极层146组成驱动电路中必要的薄膜晶体管，实现像素驱动功能。驱动电路可以驱动相连接的LED20点亮，并且通过阵列基板10上的LED20组成显示像素，实现画面显示的效果。本发明实施例中，阵列基板10中的电极11包括驱动电路中与LED20电连接的驱动电极即第一电极111，通过该第一电极111向LED20发送相应的驱动信号，控制LED20点亮。第一反射槽121则是形成于阵列基板10表面的凹槽结构，主要作用为将LED20沿侧向向下方向向阵列基板10表面发射的光线进行反射，使LED20出射的光线集中沿竖向向上的方向背离阵列基板10出射。从显示面板的宏观角度来讲，第一反射槽121主要负责使LED20发射的部分光线正向出射，提高LED20的出光效率，改善显示面板的亮度。
通常情况下，LED显示面板一般是先在显示基板上形成反射槽，然后将LED转移到显示基板上。此过程中，形成有反射槽的显示基板会对LED的设置位置有所限制，使得LED存在一定的对位精度要求。当LED和反射槽的相对位置不稳定时，进而会影响LED的发光视角以及发光效率等问题。
需要强调的是，本发明实施例中的第一反射槽121与LED20和电极11存在毗邻的特点，即第一反射槽121在阵列基板10表面的正投影与LED20和/或电极11在阵列基板10表面的正投影毗邻，此处毗邻表示投影的部分边界共用的概念，换言之，第一反射槽121存在部分边界，与LED20或电极11在阵列基板10上的正投影的边界共用，第一反射槽121与LED20或电极11在阵列基板10的表面上相邻。基于上述第一反射槽121的位置特征，可以理解，以阵列基板10朝向LED20的方向为上，LED20侧向下发射的光线会入射至第一反射槽121中，从而由第一反射槽121可对该部分光线进行反射。
对应地，针对本发明的显示面板，本发明实施例还提供了一种显示面板制备方法。图4是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法流程图，图5是图4所示制备方法的结构流程图，参考图1-图5，该制备方法包括：
S110、提供阵列基板，阵列基板设置有电极，电极包括第一电极。
如图5的a)图所示，该步骤中阵列基板10预先形成有驱动电路以及电极图案层110，电极图案层110中包括电极11，更进一步包括用于连接和驱动LED20的第一电极111。
S120、在阵列基板的一侧设置LED，并使LED与第一电极电连接，LED在阵列基板上的正投影与第一电极至少部分交叠。
如图5的b)图所示，LED20在阵列基板10上的正投影至少部分与第一电极111交叠，实质上表示LED20需覆盖阵列基板10上的第一电极111，以与第一电极111电接触，并通过例如焊锡等导电材料实现电连接。
S130、在阵列基板的表面刻蚀形成第一反射槽；其中，第一反射槽在阵列基板的表面上的正投影，与LED和/或电极在阵列基板的表面上的正投影毗邻。
如图5的c)图所示，该步骤表示第一反射槽121是在阵列基板10上设置完LED20之后再形成的。显然，对于LED20而言，其在贴附至阵列基板10上的过程中，仅需满足对应电连接第一电极111即可，无需过多考虑LED20在阵列基板10上的形态、精细位置等，无需考虑LED20之间的间距，只需保证LED正确转移至基板上即可。由此可知，本发明实施例中提供的显示面板及其制备方法，对于将LED20转移至阵列基板10的过程而言，其LED20的对位精度要求大大降低，对位难度也大大降低。而同时，在LED20转移至阵列基板10上之后，再针对LED20的出光问题设置第一反射槽121，也能保证LED20的出光效率，改善整个显示面板的出光亮度。
本发明实施例中，首先通过在阵列基板上设置电极，其中电极包括第一电极；然后将LED设置在阵列基板上，并与第一电极电连接，且LED在阵列基板上的正投影与第一电极至少部分交叠；最后在阵列基板上形成第一反射槽，第一反射槽在阵列基板表面的正投影与LED和/或电极在阵列基板表面的正投影毗邻，可以无需过多考虑LED转移至阵列基板时的对位精度，解决了现有显示面板存在LED转移过程对位精度要求过高的问题，能够避免转移过程中因对位精度不够产生过多的无效LED。而同时，本发明实施例也可以利用第一反射槽将LED出射的部分光线反射并由显示面板的正面出射，从而提高LED光线的利用率，保证显示面板的发光视角以及发光效率。
上述实施例中，步骤S130可选包括S131、以LED和/或电极为掩膜，采用灰化工艺，在阵列基板的表面刻蚀形成第一反射槽。
其中，灰化工艺是指针对有机材料的刻蚀工艺，与无机材料的刻蚀工艺相比，其区别主要在于需要选择相适应的刻蚀材料。本发明实施例中第一反射槽121需形成于阵列基板10表面，一般而言，阵列基板10表面为有机材料制备形成的平坦化层，故而，在形成第一反射槽121时需要采用灰化工艺制备。
更进一步地，该步骤S131实质上是在完成LED20转移到阵列基板10上之后，利用LED20以及电极11作为掩膜，在LED20和电极11毗邻的位置处形成第一反射槽121的过程。可以理解，此过程无需对LED20的精确位置进行检测，无需考虑LED20的位置，第一反射槽121可以自动形成于与LED20相邻的位置处，保证对LED20向侧下方出射光线的有效反射。
继而言之，为了改善LED的出光效率，在上述阵列基板上设置第一反射槽的基础上，可以对阵列基板进行相应的设计，以提高第一反射槽的反射效率。继续参考图1-图3，本发明实施例中阵列基板10包括平坦化层149、衬底13以及形成于平坦化层149远离衬底13一侧的电极图案层110，电极图案层110包括电极11。可选平坦化层149包括至少一层掺杂有反射粒子1491的有机膜层1490。
其中，电极图案层110是在平坦化层149表面制备电极11形成的图案，一般而言，该工序通常是在平坦化层149的表面形成一层金属电极层，通过掩膜刻蚀将金属电极层图案化形成电极11的过程。而本实施例中，平坦化层149中的有机膜层1490由于掺杂有反射粒子1491，故可以显著提高平坦化层149的反射能力，在设置有第一反射槽121的基础上，可以有效将LED20向侧下方向发射的光线反射为竖向向上出射，即正向出射，改善LED20的出光效率。
图6是本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面结构图，参考图6，在本发明的另一实施例中，可选平坦化层149包括在垂直衬底13的方向上依次层叠的至少两层有机膜层1490，且相邻的两层有机膜层1490包括第一有机膜层1492以及位于第一有机膜层1492背离电极图案层110一侧的第二有机膜层1493，第二有机膜层1493的折射率大于第一有机膜层1492的折射率。
该实施例中设置平坦化层149包括至少两层有机膜层1490，实质是利用相邻有机膜层1490之间的界面增加反射。具体地，以垂直该界面的入射光为例，2，其中n1和n2为两个有机膜层的折射率。由此可知，当两个相邻有机膜层1490存在折射率差时，该相邻有机膜层1490之间的界面即会产生反射，并且折射率差越大，则反射率越大。在图6所示实施例中，设置至少两层有机膜层1490，并且令相邻的两层有机膜层1490中，位于下层的有机膜层1491为第一有机膜层1492，位于下层的有机膜层1490为第二有机膜层1493，第二有机膜层1493的折射率大于第一有机膜层1492的折射率，则实质是设置位于下层的有机膜层折射率大于位于上层有机膜层的折射率，此时，对于平坦化层包括多层有机膜层的方案，其有机膜层的折射率由上至下依次增加，形成的多个界面会多次将上层入射的光线进行反射，从而提高平坦化层的反射率。
需要说明的是，针对上述掺杂有反射粒子的平坦化层材料，或者层叠的存在折射率差的平坦化层材料，本领域技术人员可以根据现有的平坦化层材料自主掺杂合适的反射粒子以及选择和制备合适折射率和厚度的有机膜层，当然也可选替换为其他高反射率的平坦化层材料，例如依据折射率设计实现全反射提高反射率的有机材料等，此处并非限制。
图7是本发明实施例提供的又一种显示面板的剖面结构图，参考图2和图7，在本发明一些实施例中，至少部分相邻的两个LED20之间的间距D不相等，且相邻的两个LED20之间的间距D越大，位于两个LED20之间的第一反射槽121的开口尺寸和/或深度越大。
其中，第一反射槽121的开口尺寸主要表征第一反射槽121的边长或口径的大小。若第一反射槽121的开口为长方形，该开口尺寸则包括长方形的长和宽；若第一反射槽121的开口为圆形，则该开口尺寸则包括圆形的直径。如图2和图7所示，LED20之间的间距D表示两个LED20在平行阵列基板10表面的第一方向1上的距离，图2和图7中均示出两种LED间距D1和D2。第一反射槽121的开口尺寸同样表示其开口在平行阵列基板10表面的第一方向1上的大小，图2中示出两种第一反射槽的开口尺寸L1和L2。而第一反射槽121的深度表示其在垂直阵列基板10表面的第二方向2上的大小，图7中示出两种第一反射槽的深度H2和H3。可以理解的是，本发明实施例的显示面板中，由于对LED的对位精度要求不高，LED之间的间距可能存在不同，甚至LED可以是在与第一电极电连接基础上的随机排布状态，由此，不同位置处LED20和电极11之间的间隙面积可能存在不同。而本发明实施例中由于阵列基板10上的多个第一反射槽121是通过刻蚀同步形成，其刻蚀时间和刻蚀参数等刻蚀条件均相同，在相同条件下，LED20和电极11之间的间隙面积不同，对应形成的第一反射槽121的形状、大小则不同。具体地，LED20之间的间距D越大，如图2和图7所示，D1＞D2，则在刻蚀时D1所对应的开口处刻蚀会更充分，形成的第一反射槽121的整体尺寸相较而言也会较大，D1所对应的开口处在开口尺寸以及深度上会较大，开口宽度L1＞L2，深度H2＞H3。
图8是本发明实施例提供的两种第一反射槽的形状示意图，参考图8，本发明实施例中第一反射槽121的形状具体可以呈半切圆柱形或倒置且侧壁外凸的棱台型，半切圆柱形的第一反射槽121的开口尺寸和/或深度，大于倒置且侧壁外凸的棱台型的第一反射槽121的开口尺寸和/或深度。其中，倒置且侧壁外凸的棱台型的第一反射槽121主要是由LED之间较大的间隙形成，其刻蚀过程更充分，会在反射槽的底部形成平面。而半切圆柱形的第一反射槽121则是由LED之间较小的间隙形成，刻蚀过程相对不够充分，整个侧壁和底部均为刻蚀过程中的状态，内壁整体呈圆弧状。
需要说明的是，上述的第一反射槽的形状仅为可能的两种情况，在不同的刻蚀条件下所形成的形状可能存在不同，示例性地，该第一反射槽也可能呈半球形、倒置的棱台型等等，此处并非限制。
如上实施例中，LED具体可以是mini-LED、micro-LED、nano-LED及其组合等等。其中，mini-LED比传统LED小，尺寸在0.008英寸(200微米)范围内，约为传统LED尺寸的1/5。micro-LED尺寸小到50μm，直径约0.002英寸，约为传统LED尺寸的1/100。而nano-LED则是指单个尺寸在1微米以下的LED。以nano-LED为例，在转移至阵列基板上时nano-LED一般采用巨量转移技术，nano-LED的对位精度不足，存在位置不确定的问题。而对于micro-LED和mini-LED，则在将LED转移至阵列基板上时，可以采用机械手逐个或逐批将LED贴附在阵列基板对应位置，此过程同样可适当降低LED的对位要求精度，提高LED转移效率。显然，本发明实施例在转移LED之后再形成第一反射槽的方案，可以有效延续采用巨量转移等技术，避免LED的精确对位，同时能够有效提高LED的反射效率，保证出光效率。
考虑到本发明是在转移LED之后再形成第一反射槽，故而可选在形成第一反射槽之前，对LED进行有效保护，以防止LED在刻蚀第一反射槽的过程中同样被刻蚀而受到损伤。具体地，可选在LED至少背离阵列基板的一侧表面覆盖防刻蚀保护层。
其中，防刻蚀保护层与刻蚀第一反射槽时所采用的刻蚀材料不发生化学反应，因而具备保护LED的作用，防刻蚀保护层需要对应刻蚀材料选择，此处对具体材料不做限定。在LED背离阵列基板的一侧表面覆盖防刻蚀保护层，需要在LED转移至阵列基板之前，在LED的正面形成防刻蚀保护层，当然也可以是直接在LED的整体表面包裹防刻蚀保护层。此时覆盖或包裹有防刻蚀保护层的LED通过巨量转移技术转移至阵列基板上之后，可以利用LED作为掩膜在阵列基板表面刻蚀形成第一反射槽，避免LED受到刻蚀损伤。
针对LED在阵列基板上的排布方式或设置方式，本发明提供了具体的实施方式。参考图1和图3所示，在本发明的一种实施例中，可选第一电极111包括相互绝缘的公共电极1111和独立电极1112；LED20的两极分别位于在平行阵列基板10的方向上的两端；LED20的两极分别与公共电极1111和独立电极1112电连接。
此实施例中，LED20的两极设置于同一侧，LED20实质上是横躺于阵列基板10的表面，两极分别与阵列基板10上的一个公共电极1111和一个独立电极1112电连接。需要说明的是，当该LED20为nano-LED时，阵列基板10上的公共电极1111和独立电极1112一般是两两成对设计，即一个公共电极1111对应一个独立电极1112平行排布在阵列基板10表面，至少一个LED20均跨越公共电极1111和独立电极1112之间的间隙与公共电极1111和独立电极1112电连接，该至少一个LED20由该公共电极1111和独立电极1112对应控制。可以理解，当该公共电极1111和独立电极1112连接某一颜色的至少一个LED20时，则可以组成一个子像素，可配合其他颜色的子像素组成一个像素单元用于画面显示。
需要注意的是，上述一个公共电极1111和一个独立电极1112成对设计表示该两个电极的位置对应邻近设置，以保证LED20分别与该两个电极电连接。由于阵列基板上的公共电极1111所提供的驱动信号相同，故而可将阵列基板上的至少部分公共电极1111通过连接走线或电极连接，同步提供相同的驱动信号。而独立电极1112需要对应不同的子像素提供不同的驱动信号，故而需将各个独立电极1112独立设置，即与阵列基板上的其他电极不连接。
图9是本发明实施例提供的一种LED结构示意图，参考图9，进一步地，本发明实施例中可设计LED20呈棒状结构，LED20沿棒状结构的径向出光。该棒状的LED20沿径向出光，表示LED20出光方向不受自身过多的限制，可以想象，将LED20横躺转移至阵列基板10的表面上时，部分光线沿径向直接向上出射，而部分光线会沿径向向下出射。此时，本发明实施例中设置的第一反射槽可将此部分向下出射的光线向上反射，从而提高LED20出光利用率，保证了显示面板的显示亮度。
可选地，对阵列基板上第一电极的形状和排布方式进行变形，由此LED在阵列基板上的排布方式也会同步变形。图10是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，参考图10，可选第一电极111包括相互绝缘的公共电极1111和独立电极1112。与上述实施例不同之处在于，此实施例中公共电极1111和独立电极1112之间的间隙呈环状，如图10所示，独立电极1112呈圆形，公共电极1111围绕圆形的独立电极1112。此时，与其电连接的多个LED20实质上需要沿圆周排布于两个电极之间。基于此，由公共电极1111和独立电极1112以及同色的多个LED20可组成一个子像素，可配合其他颜色的子像素组成一个像素单元用于画面显示。
由上图1和图10所示的显示面板中，像素单元包括沿行方向依次排列的红绿蓝三种颜色的子像素仅为本发明的一种实施例方式，该显示面板中对应的子像素排布即为RGB顺序排布。而在本发明的其他实施例中，可选对排布方式进行变形。图11是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，参考图11，示例性地，同一像素单元中包括一个红色子像素、一个蓝色子像素以及两个绿色子像素，两个绿色子像素沿行方向排列，且在列方向上位于红色子像素和蓝色子像素之间。
图12是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，参考图12，本实施例中，还可选阵列基板10上的第一电极111包括相互绝缘的公共电极1111或独立电极1112；LED20的两极分别位于在垂直阵列基板10的方向上的两端；LED20的其中一极与阵列基板10上的公共电极1111或独立电极1112电连接。
与上图1所示实施例不同之处在于，该实施例阵列基板10上仅设置有公共电极1111和独立电极1112中的一种电极，相应地，LED20呈竖立式设置在阵列基板10上，其一端与阵列基板10上设置的电极电连接，另一端则需要设置的另一基板，并与该另一基板上设置的另一种电极电连接。示例性地，可选在阵列基板10上设置独立电极1112，在另一基板上设置公共电极1111，棒状且竖立的LED20两端分别连接独立电极1112和公共电极1111。
本发明实施例中基于第一反射槽的设计，针对像素单元发光效率较低的问题也提供了另外的解决方案。图13是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图，图14是图13所示显示面板沿CC’的剖视图，图15是图13所示显示面板沿DD’的剖视图，参考图13-图15，在上述实施例基础上，阵列基板包括多个像素单元区100，第一电极111位于像素单元区100，一个像素单元100区包括至少一个LED20。电极11还包括像素隔断电极112，像素隔断电极112位于至少部分相邻的两个像素单元区100之间；至少部分第一反射槽121位于相邻的隔断电极112和像素单元区110中的第一电极111之间，和/或，至少部分第一反射槽121位于相邻的两个像素隔断电极112之间。
像素单元区100中像素单元表示显示面板中重复排列的多行多列的显示单元，其中包括至少两种颜色的LED20。像素单元区100则表示该显示单元所在的区域。该实施例实质是在相邻的像素单元区100之间设置像素隔断电极112的方案，像素隔断电极112主要作用为隔断相邻两个像素单元区100之间的间隙，使相邻的两个像素单元区100之间形成多个子间隙，一方面可以减少原间隙的面积，对应减小由原间隙形成的第一反射槽的面积，另一方面可以增加间隙的数量，从而形成多个第一反射槽。可以理解，面积相对较小数量较多的第一反射槽，能够使像素单元区中LED向侧下方出射的光线更多地向上反射，为像素单元区的出光提供更好的反射效果，改善像素单元区的出光效率。
考虑到不同的子像素存在发光效率不均衡的问题，本发明实施例同样提供相应的方案。图16是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，图17是图16所示显示面板沿EE’的剖视图，参考图16和图17，该显示面板中，阵列基板包括多个像素单元区100，像素单元区100包括至少两个子像素区101，第一电极111位于子像素区101，子像素区101包括至少一个LED20，且LED20与第一电极111电连接。电极11还包括子像素隔断电极113，子像素隔断电极113至少部分围绕至少一个子像素区101。至少部分第一反射槽121位于相邻的子隔断电极113和子像素区101中的第一电极111之间，和/或，至少部分第一反射槽121位于相邻的两个子像素隔断电极113之间。
其中，像素单元由至少两种颜色的子像素组成，同一子像素中包括至少一个特定颜色的LED20。子像素区101则表示子像素所在的区域。子像素隔断电极113至少部分围绕至少一个子像素区101，表示特定的子像素区101的相邻区域会设置子像素隔断电极113，以隔断与其他子像素区101之间的间隙形成多个子间隙。例如在特定颜色的一类子像素区101与相邻子像素区101的部分交界区域上设置子像素隔断电极113。更进一步地，以子像素区101为矩形为例，可在该矩形子像素区101任意的至少一条边的相邻区域设置该子像素隔断电极113。同理可知，该实施例中设置子像素隔断电极113，目的在于隔断相邻两个子像素区101之间的间隙形成多个子间隙，由此可以在子像素区101之间形成多个第一反射槽121。此时，子像素区101中的LED20向侧下方出射的光线可以由第一反射槽121更多地向上反射，为该子像素区101的出光提供更好的反射效率，改善该子像素区101的出光效率。需要说明的是，该实施例中可选只针对特定颜色的子像素设置该子像素隔断电极，从而提高该特定颜色的子像素的发光效率，平衡各子像素的出光。
考虑到红光LED较绿光LED和蓝光LED的出光效率低，在阵列基板上设置一个像素单元区包括三个子像素区，三个子像素区分别对应设置红光LED、绿光LED和蓝光LED时，驱动过程需要针对不同颜色的不同出光效率提供相应驱动方案，使得驱动过程较为复杂。因此，可选地，本发明实施例中可选像素单元区100包括第一子像素区1011，第一子像素区1011包括红光LED21，子像素隔断电极113至少部分围绕第一子像素区1011。此时，针对出光效率较低的红光LED21，通过设置子像素隔断电极113能够弥补红光LED21自身出光效率低的问题，平衡不同颜色子像素在像素单元中的出光效率，也有助于减少驱动差异，降低驱动难度。此外，也可选对于像素单元区中各子像素区均设置子像素隔断电极，即子像素隔断电极至少部分围绕各个子像素区，而针对包括某一颜色LED的子像素区，可选设置数量较多的子像素隔断电极。此处子像素隔断电极数量较多表示围绕子像素区的子像素隔断电极长度较长或环绕子像素区的子像素隔断电极的圈数较多等。继续以包括红光LED的第一子像素区为例，可设置该第一子像素区相较于包括其他颜色例如绿光LED和蓝光LED的子像素区，边缘设置更多子像素隔断电极，从而相对增加红光LED周围第一反射槽的数量，弥补红光LED自身出光效率低的问题。
更进一步地，为了提高显示面板的整体出光效率，本发明实施例还提供了其他可选方案。图18是图1所示显示面板沿FF’的剖视图，参考图1和图18，在上述实施例基础上，可选电极11上设置有第二反射槽122，第二反射槽122的深度小于电极11的厚度；第二反射槽122在电极11上的正投影，与电连接电极的LED20在电极11上的正投影毗邻。
针对此实施例，本发明实施例同样提供了相应的制备方法。具体地，在上述实施例提供的制备方法基础上，可选还包括S140、以LED为掩膜，采用刻蚀工艺在电极上形成第二反射槽，第二反射槽的深度小于电极的厚度；第二反射槽在电极上的正投影，与电连接电极的LED在电极上的正投影毗邻。
由此，与第一反射槽121不同之处在于，第二反射槽122是在电极11上形成的反射槽，其作用与第一反射槽121相同，均用于将LED20向侧下方出射的光线向上反射，从而保证LED20不同的侧下方向光线的反射，进一步提高LED的出光效率。可以理解，以LED作为掩膜形成的第二反射槽122在位置上同样与LED20共用部分边界，即处于正投影毗邻的状态。
图19是本发明实施例提供的又一种显示面板的剖视图，参考图19，更进一步地，还可选阵列基板10还包括挡墙结构15，阵列基板10包括多个像素单元区100；挡墙结构15在阵列基板10的表面的垂直投影围绕至少部分像素单元区100；挡墙结构15包括反光侧壁151，反光侧壁151向背离所围绕的像素单元区100的方向倾斜。
该挡墙结构15实质上是由下至上厚度逐渐变小的挡墙结构，反光侧壁151背离所围绕的像素单元区100的方向倾斜，表示其向远离所围绕的LED20的方向倾斜。此时，发光侧壁151可将所围的LED20横向出射的光线向上反射，利用该挡墙结构15以及阵列基板10上的反射槽，可以充分利用LED20的出光，改善出光效率。此外，利用该挡墙结构15可以阻挡LED20出射的光线入射至相邻的像素单元区100中，避免相邻像素单元之间产生串扰。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置。图20是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，参考图20，该显示装置包括上述实施例提供的任意一种显示面板200。由此，本发明实施例提供的显示装置具备本发明实施例提供的显示面板相应的有益效果，这里不再赘述。示例性的，该显示装置可以是手机、电脑、智能可穿戴设备(例如，智能手表)以及车载显示设备等电子设备，本发明实施例对此不作限定。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (16)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
阵列基板，所述阵列基板包括电极和第一反射槽；
LED，位于所述阵列基板的一侧，所述电极包括第一电极，所述第一电极与所述LED电连接；所述LED在所述阵列基板上的正投影与所述第一电极至少部分交叠；
所述第一反射槽在所述阵列基板的表面上的正投影，与所述LED和/或所述电极在所述阵列基板的表面上的正投影毗邻。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括多个像素单元区，所述第一电极位于所述像素单元区，一个所述像素单元区包括至少一个LED；
所述电极还包括像素隔断电极，所述像素隔断电极位于至少部分相邻的两个所述像素单元区之间；至少部分所述第一反射槽位于相邻的所述隔断电极和所述像素单元区中的所述第一电极之间，和/或，至少部分所述第一反射槽位于相邻的两个所述像素隔断电极之间。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括多个像素单元区，所述像素单元区包括至少两个子像素区，所述第一电极位于所述子像素区，所述子像素区包括至少一个所述LED，且所述LED与所述第一电极电连接；
所述电极还包括子像素隔断电极，所述子像素隔断电极至少部分围绕至少一个所述子像素区。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述像素单元区包括第一子像素区，所述第一子像素区包括红光LED，所述子像素隔断电极至少部分围绕所述第一子像素区。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述电极上设置有第二反射槽，所述第二反射槽的深度小于所述电极的厚度；所述第二反射槽在所述电极上的正投影，与电连接所述电极的所述LED在所述电极上的正投影毗邻。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，至少部分相邻的两个所述LED之间的间距不相等，且相邻的两个所述LED之间的间距越大，位于两个所述LED之间的所述第一反射槽的开口尺寸和/或深度越大。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第一反射槽的形状呈半切圆柱形或倒置且侧壁外凸的棱台型，半切圆柱形的所述第一反射槽的开口尺寸和/或深度，大于倒置且侧壁外凸的棱台型的所述第一反射槽的开口尺寸和/或深度。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括多个像素单元区；所述阵列基板还包括挡墙结构，所述挡墙结构在所述阵列基板的表面的垂直投影围绕至少部分所述像素单元区；所述挡墙结构包括反光侧壁，所述反光侧壁向背离所围绕的所述像素单元区的方向倾斜。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括平坦化层、衬底以及形成于所述平坦化层远离所述衬底一侧的电极图案层，所述电极图案层包括所述电极；
所述平坦化层包括至少一层掺杂有反射粒子的有机膜层；或者，所述平坦化层包括在垂直所述衬底的方向上依次层叠的至少两层有机膜层，且相邻的两层有机膜层包括第一有机膜层以及位于所述第一有机膜层背离所述电极图案层一侧的第二有机膜层，所述第二有机膜层的折射率大于所述第一有机膜层的折射率。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极包括相互绝缘的公共电极和/或独立电极；
所述LED的两极分别位于在平行所述阵列基板的方向上的两端；所述LED的两极分别与所述公共电极和所述独立电极电连接；
或者，所述LED的两极分别位于在垂直所述阵列基板的方向上的两端；所述LED的其中一极与所述阵列基板上的所述公共电极或所述独立电极电连接。
11.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述LED呈棒状结构，所述LED沿棒状结构的径向出光。
12.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述LED至少背离所述阵列基板的一侧表面覆盖有防刻蚀保护层。
13.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述LED包括mini-LED、micro-LED和nano-LED中的至少一种。
14.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供阵列基板，所述阵列基板设置有电极，所述电极包括第一电极；
在所述阵列基板的一侧设置LED，并使所述LED与所述第一电极电连接，所述LED在所述阵列基板上的正投影与所述第一电极至少部分交叠；
在所述阵列基板的表面刻蚀形成第一反射槽；其中，所述第一反射槽在所述阵列基板的表面上的正投影，与所述LED和/或所述电极在所述阵列基板的表面上的正投影毗邻。
15.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，在所述阵列基板的表面刻蚀形成第一反射槽，包括：
以所述LED和/或所述电极为掩膜，采用灰化工艺，在所述阵列基板的表面刻蚀形成所述第一反射槽。
16.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-13任一项所述的显示面板。
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Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5790984A (en) * | 1980-11-27 | 1982-06-05 | Ricoh Co Ltd | Optical information transfer device and fabrication thereof |
| KR20100046558A (ko) * | 2008-10-27 | 2010-05-07 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법 |
| CN101937967A (zh) * | 2010-09-14 | 2011-01-05 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 发光二极管、发光装置及制造方法 |
| CN204391161U (zh) * | 2015-02-13 | 2015-06-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素结构和显示装置 |
| CN206312927U (zh) * | 2016-12-28 | 2017-07-07 | 浙江长兴金盛光电科技有限公司 | 一种新型倒装led光源 |
| US20180166606A1 (en) * | 2016-12-09 | 2018-06-14 | PlayNitride Inc. | Light emitting diode chip |
| US20180294254A1 (en) * | 2017-01-24 | 2018-10-11 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Micro light emitting diode display panel and manufacturing method thereof |
| CN109307955A (zh) * | 2018-11-28 | 2019-02-05 | 厦门天马微电子有限公司 | 背光模组及显示装置 |
| CN111029334A (zh) * | 2019-12-06 | 2020-04-17 | 惠州视维新技术有限公司 | Led显示面板及其制造方法 |
| CN211858674U (zh) * | 2020-05-29 | 2020-11-03 | 聚灿光电科技（宿迁）有限公司 | 图形化衬底和led外延结构 |
-
2021
- 2021-11-01 CN CN202111284069.8A patent/CN114038985A/zh active Pending
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5790984A (en) * | 1980-11-27 | 1982-06-05 | Ricoh Co Ltd | Optical information transfer device and fabrication thereof |
| KR20100046558A (ko) * | 2008-10-27 | 2010-05-07 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법 |
| CN101937967A (zh) * | 2010-09-14 | 2011-01-05 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 发光二极管、发光装置及制造方法 |
| CN204391161U (zh) * | 2015-02-13 | 2015-06-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素结构和显示装置 |
| US20180166606A1 (en) * | 2016-12-09 | 2018-06-14 | PlayNitride Inc. | Light emitting diode chip |
| CN206312927U (zh) * | 2016-12-28 | 2017-07-07 | 浙江长兴金盛光电科技有限公司 | 一种新型倒装led光源 |
| US20180294254A1 (en) * | 2017-01-24 | 2018-10-11 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Micro light emitting diode display panel and manufacturing method thereof |
| CN109307955A (zh) * | 2018-11-28 | 2019-02-05 | 厦门天马微电子有限公司 | 背光模组及显示装置 |
| CN111029334A (zh) * | 2019-12-06 | 2020-04-17 | 惠州视维新技术有限公司 | Led显示面板及其制造方法 |
| CN211858674U (zh) * | 2020-05-29 | 2020-11-03 | 聚灿光电科技（宿迁）有限公司 | 图形化衬底和led外延结构 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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