CN206312927U - 一种新型倒装led光源 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及领域半导体发光器件领域，尤其涉及了一种新型倒装LED光源，包括P‑N电极外延片和基板，P‑N电极外延片包括蓝宝石衬底，蓝宝石衬底上形成的N‑GaN层，N‑GaN层上形成的发光层和发光层上形成的P‑GaN层，所述P‑GaN层上和N‑GaN层上分别引出P电极和N电极，所述基板上围绕所述P‑N电极外延片部位设有反射槽，所述反射槽内均匀涂覆反射层。本实用新型提供的一种新型倒装LED光源，通过设置反射槽，将P‑N电极外延片侧面散射出来的光反射至蓝宝石衬底发出，提高了出光效率，并且不会影响LED芯片的散热效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及领域半导体发光器件领域，尤其涉及了一种新型倒装LED光源。
背景技术
LED芯片倒装是近年来出现了较为先进的倒装芯片技术，这是一种理想的芯片粘接技术，现有技术中的倒装式 LED 基本上均为平面结构，这种结构的倒装式 LED 存在这样的缺点，即倒装的 LED 的 PN 结在正面、侧面、底面上均会发光，但是由于侧面及底面发出的光被散射出去，因而没有被充分利用，造成 LED 的发光效率较低，使得正面出光的强度降低。
中国专利授权公告号为CN205092266U，授权公告日为2016年03月16日，公开了一种倒装LED芯片，包括从上方及周侧包围 P 型 GaN 层的反射镜，以将多量子阱有源区发出的光全部反射到衬底，虽然此结构提高了LED芯片的发光效率，但同时也使LED芯片的散热变差，散热问题将更加严重。
发明内容
本实用新型针对现有技术中的上述缺点，提供了一种新型倒装LED光源，将侧面和底面散射出来的光反射至衬底层发出，增大了出光效率，并且技术实现简单，不影响LED芯片的散热。
为了解决上述技术问题，本实用新型通过下述技术方案得以解决：
一种新型倒装LED光源，包括P-N电极外延片和基板，P-N电极外延片包括蓝宝石衬底，蓝宝石衬底上形成的N-GaN层，N-GaN层上形成的发光层和发光层上形成的P-GaN层，所述P-GaN层上和N-GaN层上分别引出P电极和N电极，所述基板上围绕所述P-N电极外延片部位设有反射槽，所述反射槽内均匀涂覆反射层。
作为优选，所述反射槽横截面为三角形，反射槽两边相交呈90度,反射槽两边分别与基板相交呈45度，通过设置三角形反射槽，能将外延片侧面散出的光一部分反射出，经过蓝宝石衬底射出，同时将反射槽的开口设置为正对上方，能收集到更多的散射光。
作为优选，所述反射槽横截面为半圆形，所述半圆形横截面的半径为5um-7um，设置半圆形反射槽，使接收散射光的面积更大，增加了出光效率。
作为优选，所述反射层为白色硅胶层或者钛铝合金反射层。使用白色硅胶或者钛铝合金作为反射层，能提高光的反射率。
作为优选，所述反射层的厚度为0.1um-0.3um。控制反射层的厚度在0.3um内，避免因为反射层的设置影响此处的电阻值，致使此处产生热量堆积，影响芯片的长期使用。
本实用新型由于采用了上述技术方案，具有的技术效果：本实用新型提供的一种新型倒装LED光源，通过设置反射槽，将P-N电极外延片侧面散射出来的光反射至蓝宝石衬底发出，提高了出光效率，并且不会影响LED芯片的散热效率。
附图说明
图1是本实用新型的实施例的结构示意图；
图2是本实用新型的另一实施例结构示意图。
图中：基板1、N电极2、P电极3、P-GaN层4、发光层5 、N-GaN层6、蓝宝石衬底7 、反射层8、反射槽9。
具体实施方式
下面结合附图与实施例对本实用新型作进一步详细描述。
如图1、图2所示，一种新型倒装LED光源，包括P-N电极外延片和基板1，P-N电极外延片包括蓝宝石衬底7，蓝宝石衬底7上形成的N-GaN层6，N-GaN层6上形成的发光层5和发光层5上形成的P-GaN层4，P-GaN层4上和N-GaN层6上分别引出P电极3和N电极2，基板1上围绕所述P-N电极外延片部位设有反射槽9，反射槽9内均匀涂覆反射层8。
反射槽9横截面为三角形，反射槽9两边相交呈90度,反射槽9两边分别与基板1相交呈45度。通过设置三角形的反射槽9，可以增大出光面积，且将三角形的开口设为朝向外延片的出光区域，可以收集更多的反射光和散射光，增大倒装芯片的出光面积。
在另一实施例中，反射槽9还可以为半圆形，所述半圆形横截面的半径为5um-7um。设置半圆形横截面的反射槽9，相比三角形的横截面，在不增大芯片内基板1的尺寸的情况下，增大了反射槽9的反光面积，反射层8为白色硅胶层或者钛铝合金反射层。反射层8设置为白色硅胶层或者钛铝合金反射层，反射效果最佳。反射层8的厚度为0.1um-0.3um。在较佳实施例中，反射层8的厚度为0.2um，控制反射层8的厚度，避免因为反射层8的设置影响此处的电阻值，致使此处产生热量堆积，影响芯片的长期使用。
本实用新型提供的技术方案简单易行，通过在外延片周围开设反射槽9来收集外延片侧面散射的光，提高了LED芯片的出光效率，并且不影响LED芯片的散热。
总之，以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，凡依本实用新型申请专利范围所作的均等变化与修饰，皆应属本实用新型专利的涵盖范围。
Claims (5)
1.一种新型倒装LED光源，包括P-N电极外延片和基板（1），P-N电极外延片包括蓝宝石衬底（7），蓝宝石衬底（7）上形成的N-GaN层（6），N-GaN层（6）上形成的发光层（5）和发光层（5）上形成的P-GaN层（4），所述P-GaN层（4）上和N-GaN层（6）上分别引出P电极（3）和N电极（2），其特征在于，所述基板（1）上围绕所述P-N电极外延片部位设有反射槽（9），所述反射槽（9）内均匀涂覆反射层（8）。
2.根据权利要求1所述的一种新型倒装LED光源，其特征在于，所述反射槽（9）横截面为三角形，反射槽（9）两边相交呈90度,反射槽（9）两边分别与基板（1）相交呈45度。
3.根据权利要求1所述的一种新型倒装LED光源，其特征在于，所述反射槽（9）横截面为半圆形，所述半圆形横截面的半径为5um-7um。
4.根据权利要求1所述的一种新型倒装LED光源，其特征在于，所述反射层（8）为白色硅胶层或者钛铝合金反射层。
5.根据权利要求4所述的一种新型倒装LED光源，其特征在于，所述反射层（8）的厚度为0.1um-0.3um。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201621457249.6U CN206312927U (zh) | 2016-12-28 | 2016-12-28 | 一种新型倒装led光源 |
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| CN201621457249.6U CN206312927U (zh) | 2016-12-28 | 2016-12-28 | 一种新型倒装led光源 |
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| CN206312927U true CN206312927U (zh) | 2017-07-07 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114038985A (zh) * | 2021-11-01 | 2022-02-11 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板、其制备方法及显示装置 |
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2016
- 2016-12-28 CN CN201621457249.6U patent/CN206312927U/zh not_active Expired - Fee Related
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