CN115623825A - 显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置，属于显示技术领域。该显示基板包括：阵列基板、连接层和发光功能层，所述连接层在所述阵列基板和所述发光功能层之间；所述连接层中设有多个过孔，所述发光功能层包括多个发光单元，所述发光单元与至少一个所述过孔中的导电结构电连接，且所述过孔在所述连接层的承载面上的正投影位于对应的所述发光单元的发光区域在所述承载面的正投影外。本公开能避免过孔影响阳极层的厚度，保证阳极层的反射效果，提升发光功能层的发光效果。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置。
背景技术
显示基板通常包括依次层叠的阵列基板、连接层和发光功能层。连接层中设置有多个过孔，过孔连接在阵列基板和发光功能层之间。每个过孔与发光功能层中的一个发光单元相连。
发明内容
本公开实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置，能避免过孔影响阳极层的厚度，保证阳极层的反射效果，提升发光功能层的发光效果。所述技术方案如下：
本公开实施例提供了一种显示基板，所述显示基板包括：阵列基板、连接层和发光功能层，所述连接层在所述阵列基板和所述发光功能层之间；所述连接层中设有多个过孔，所述发光功能层包括多个发光单元，所述发光单元与至少一个所述过孔中的导电结构电连接，且所述过孔在所述连接层的承载面上的正投影位于对应的所述发光单元的发光区域在所述承载面的正投影外。
在本公开实施例的一种实现方式中，所述发光功能层还包括像素定义层，所述像素定义层包括多个间隔分布的开口，所述开口与所述发光单元一一对应，所述发光单元位于对应的所述开口内；所述开口用于限定对应的所述发光单元的所述发光区域。
在本公开实施例的另一种实现方式中，多个所述发光单元沿第一方向和第二方向阵列排布，所述第一方向和所述第二方向相交；多个所述发光单元包括沿所述第二方向依次交替排布的多个第一发光单元组和多个第二发光单元组，所述第一发光单元组和所述第二发光单元组均包括沿所述第一方向间隔排布的多个所述发光单元；所述第一发光单元组对应的多个所述过孔位于所述第一发光单元组的同一侧，所述第二发光单元组对应的多个所述过孔位于所述第二发光单元组的同一侧。
在本公开实施例的另一种实现方式中，相邻的所述第一发光单元组和所述第二发光单元组中；所述第一发光单元组对应的所述过孔和所述第二发光单元组对应的所述过孔，位于所述第一发光单元组或所述第二发光单元组的两侧。
在本公开实施例的另一种实现方式中，相邻的所述第一发光单元组和所述第二发光单元组中；所述第一发光单元组对应的所述过孔和所述第二发光单元组对应的所述过孔，位于所述第一发光单元组和所述第二发光单元组之间。
在本公开实施例的另一种实现方式中，所述发光单元包括依次层叠的阳极层和发光层，所述阳极层位于所述承载面，所述像素定义层位于所述承载面和所述阳极层上，且所述像素定义层的所述开口露出所述阳极层的部分表面，所述发光层位于所述开口内；所述过孔与所述阳极层相连，且所述过孔在所述承载面的正投影位于所述像素定义层在所述承载面的正投影内。
在本公开实施例的另一种实现方式中，所述发光单元还包括电流扩展层，所述电流扩展层位于所述阳极层和所述发光层之间。
在本公开实施例的另一种实现方式中，所述像素定义层位于所述阳极层上的部分从所述阳极层的边缘至所述阳极层的中部方向上的最大长度不小于0.2μm。
在本公开实施例的另一种实现方式中，所述像素定义层中具有隔离槽，所述隔离槽将所述像素定义层分隔为多个像素区，每个所述像素区内具有一个所述发光单元。
在本公开实施例的另一种实现方式中，所述隔离槽至少包括相连的第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分沿远离承载面方向依次布置，且所述第一部分在与所述隔离槽相邻的两个所述发光单元的排列方向上的尺寸，不小于所述第二部分在与所述隔离槽相邻的两个所述发光单元的排列方向上的尺寸。
在本公开实施例的另一种实现方式中，所述隔离槽的槽深不小于所述发光层的厚度。
在本公开实施例的另一种实现方式中，同一所述像素区中，所述过孔位于所述隔离槽与所述发光区域之间。
在本公开实施例的另一种实现方式中，同一所述像素区中，所述过孔的几何中心至所述发光区域的最小距离，小于所述过孔的几何中心至所述隔离槽的最小距离。
在本公开实施例的另一种实现方式中，在所述第二方向上相邻的两个所述像素区中，两个所述过孔的几何中心的距离大于两个所述发光区域的间距。
在本公开实施例的另一种实现方式中，在所述第二方向上相邻的两个所述像素区中，两个所述过孔的几何中心的距离小于两个所述发光区域的几何中心的距离。
在本公开实施例的另一种实现方式中，所述发光功能层的各膜层中与多个所述过孔相对的区域，突出于所述发光功能层的各膜层的远离所述承载面的表面，或者凹陷于所述发光功能层的各膜层的远离所述承载面的表面。
在本公开实施例的另一种实现方式中，所述过孔中的导电结构为钨结构。
在本公开实施例的另一种实现方式中，所述显示基板还包括彩膜层，所述发光单元为白光像素单元，所述彩膜层位于所述发光功能层上。
本公开实施例提供了一种显示面板，所述显示面板包括如前文所述的显示基板、触控层和封装层，所述显示基板、所述触控层和所述封装层依次层叠，
本公开实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括如前文所述的显示面板和电源，所述电源与所述显示面板电连接，
本公开实施例提供了一种显示基板的制备方法，所述制备方法包括：制备阵列基板；在所述阵列基板上形成连接层，所述连接层中设有多个过孔；在所述连接层上形成发光功能层，所述发光功能层包括多个发光单元，所述发光单元与至少一个所述过孔中的导电结构电连接，且所述过孔在所述连接层的承载面上的正投影位于对应的所述发光单元的发光区域在所述承载面的正投影外。
本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
本公开实施例提供的显示基板包括阵列基板、连接层和发光功能层，连接层上设有过孔，阵列基板通过过孔与发光功能层连接，这样通过阵列基板就可以控制发光功能层发光。发光功能层包括多个发光单元，发光单元的发光区域是用于发光的部分，将过孔设置在发光区域之外，使过孔不与发光区域相对。这样即使过孔内的导电结构的厚度加工不满足要求，也不会影响发光区域中阳极层的厚度，保证阳极层的反射效果，从而提升发光功能层的发光效果。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本公开实施例提供的一种显示基板的膜层结构示意图；
图2是本公开实施例提供的一种显示基板的平面示意图；
图3是本公开实施例提供的另一种显示基板的膜层结构示意图；
图4是本公开实施例提供的一种显示基板的平面示意图；
图5是本公开实施例提供的一种显示面板的示意图；
图6是本公开实施例提供的一种显示基板的制备方法的流程图。
图中各标记说明如下：
10、显示基板；
11、阵列基板；12、连接层；120、过孔；121、钨结构；
20、发光功能层；21、像素定义层；210、开口；211、第一氧化硅层；212、氮化硅层；213、第二氧化硅层；22、发光单元；221、阳极层；222、发光层；223、电流扩展层；224、阴极层；200、隔离槽；201、第一部分；202、第二部分；203、槽段；
30、彩膜层；
40、触控层；
50、封装层；
A1、发光区域；A2、像素区；
X、第一方向；Y、第二方向。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”、“第三”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则所述相对位置关系也可能相应地改变。
相关技术中，过孔位于发光功能层的发光单元的发光区域下方。若过孔中导电结构的厚度在加工后不满足要求，会影响位于过孔上方的阳极层的厚度，进而影响阳极层的反射率，不利于提升发光功能层的发光效果。
图1是本公开实施例提供的一种显示基板的膜层结构示意图。图2是本公开实施例提供的一种显示基板的平面示意图。图1中的膜层结构是图2中EE剖面线示意的截面图。
如图1所示，该显示基板包括：阵列基板11、连接层12和发光功能层20，连接层12在阵列基板11和发光功能层20之间。
如图1、2所示，连接层12中设有多个过孔120，发光功能层20包括多个发光单元22，发光单元22与至少一个过孔120中的导电结构电连接，且过孔120在连接层12的承载面上的正投影位于对应的发光单元22的发光区域A1在承载面的正投影外。
其中，承载面是连接层12朝向发光功能层20的表面，即连接层12承载发光功能层20的表面。
其中，过孔120连接阵列基板11和发光功能层20是指：阵列基板11中的驱动电路和发光功能层20中的发光单元通过位于过孔120内的导电结构实现电性连接。
其中，显示基板具有显示区域和围绕显示区域的非显示区域。显示区域包括多个发光单元22，通过控制多个发光单元22发光以显示图像。
本公开实施例提供的显示基板包括阵列基板11、连接层12和发光功能层20，连接层12上设有过孔120，阵列基板11通过过孔120与发光功能层20连接，这样通过阵列基板11就可以控制发光功能层20发光。发光功能层20包括多个发光单元22，发光单元22的发光区域A1是用于发光的部分，将过孔120设置在发光区域A1之外，使过孔120不与发光区域A1相对。这样即使过孔120内的导电结构的厚度加工不满足要求，也不会影响发光功能层20中阳极层221的厚度，保证阳极层221的反射效果，从而提升发光功能层20的发光效果。
示例性地，每个发光单元22可以连接一个过孔120。
本公开实施例中，阵列基板11包括衬底基板和多个像素驱动电路，多个像素驱动电路阵列排布于衬底基板上。
其中，阵列基板可以为TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)基板，阵列基板上的每个像素驱动电路至少包括2个TFT，用于控制所连接的发光单元发光。
可选地，阵列基板包括依次层叠的衬底基板、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间介电层和源漏极层。
本公开实施例中，衬底基板可以为任意呈透明的基板，例如玻璃基板、石英基板、塑胶基板或其他透明的硬质或者可挠式基板，其可以是单层或多层结构。
以多层结构为例，衬底基板包括由下至上依次层叠设置的第一PI(聚酰亚胺)层、第一保护层、第二PI(聚酰亚胺)层、第二保护层，两个保护层用于保护PI层，防止后续工艺对PI层的破坏。第二保护层上还覆盖有缓冲层，可以阻挡水氧和阻隔碱性离子。
当然，衬底基板也可以为硅基板，例如为单晶硅或者高纯度硅。硅基板内集成有上述所述的像素驱动电路包括的各晶体管，例如，通过掺杂工艺在硅基板中形成晶体管的源极、漏极和栅极。
示例性地，有源层的制作材料可以是非晶硅、多晶硅或金属氧化物半导体等；栅极绝缘层的制作材料可以是硅氧化物或硅氮化物，硅氮氧化物等。
示例性地，栅极金属层的制作材料可以是钼、铜、钛等单层金属薄膜，也可以是依次层叠的钼层、铝层和钼层，或者是依次层叠的钛层、铝层和钛层等多层金属薄膜；层间介电层的制作材料可以是硅氧化物或硅氮化物等。
示例性地，源漏金属层的制作材料可以是铝、钼、铜、钛等单层金属薄膜，也可以是依次层叠的钼层、铝层和钼层，或者是依次层叠的钛层、铝层和钛层等多层金属薄膜。
示例性地，有源层的制作材料可以包括LTPS(Low Temperature Poly-Silicon，低温多晶硅)和LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide，低温多晶氧化物)等。
需要说明的是，示例中仅举出了具有单层栅极金属层的TFT基板结构，TFT基板结构还可以是双层栅极金属层等多种结构，本公开实施例对此不做限制。
可选地，如图2所示，发光功能层20还包括像素定义层21，像素定义层21包括多个间隔分布的开口210，开口210与发光单元22一一对应，发光单元22位于对应的开口210内；每个开口210用于限定对应的发光单元22的发光区域A1。
本公开实施例中，发光区域A1的外轮廓为开口210的外轮廓，位于开口210内的发光单元22通过开口210(即发光区域A1)发光。
其中，阵列基板的各像素驱动电路与至少一个发光单元电连接。这样，发光单元就可以在所连接的驱动电路的驱动下发光。
示例性地，如图1所示，发光单元22的阳极层221可以通过过孔120与对应的驱动电路的源漏极层连接。
可选地，如图1所示，发光单元22包括依次层叠的阳极层221和发光层222，阳极层221位于承载面，像素定义层21位于承载面和阳极层221的表面。像素定义层21的开口露出阳极层221的部分表面，即阳极层221的边缘夹设于承载面和像素定义层21之间，阳极层221的中部位于开口中。发光层222位于开口内。
如图1所示，过孔120与阳极层221相连，且过孔120在承载面的正投影位于像素定义层21在承载面的正投影内。
由于发光层222位于像素定义层21的开口内，而发光层222是发光单元22中用于发光的部分，所以像素定义层21的开口就是发光单元22的发光区域A1。而过孔120在承载面的正投影位于像素定义层21在承载面的正投影内，这样就将过孔120设置在发光区域A1之外，使过孔120不与发光区域A1相对，因而过孔120内的导电结构的厚度不会影响发光区域A1的阳极层221的厚度，保证阳极层厚度的均一性。
示例性地，发光层222包括可以包括空穴传输层(Hole Transport Layer，简称HTL)、空穴注入层(Hole Injection Layer，简称HIL)、电子传输层(Electron TransportLayer，简称ETL)、电子注入层(Electron Injection Layer，简称EIL)、空穴阻挡层(HoleBlock Layer，简称HBL)、电子阻挡层(Electron Blocking Layer，简称EBL)和发光材料层。
示例性地，阳极层221可以包括依次层叠的Ti层、Al层和Ti层。
可选地，过孔120内的导电结构可以是金属结构。示例性地，如图1所示，过孔120中的导电结构为钨结构121。其中，过孔120露出阵列基板11的源漏极层，钨结构121连接阵列基板11的源漏极层和阳极层221。当然，过孔120位于像素定义层21的下方，其中钨结构121连接阵列基板11上的驱动电路。
可选地，如图3所示，发光功能层20的各膜层中与多个过孔120相对的区域，突出于发光功能层20的各膜层的远离承载面的表面，或者凹陷于发光功能层20的各膜层的远离承载面的表面。
参见图3中左侧过孔120示意，当将过孔120内填充的钨结构121的厚度小于过孔120的孔深时，发光功能层20的各膜层中与多个过孔120相对的区域，就会凹陷于发光功能层20的各膜层的远离承载面的表面。
参见图3中右侧过孔120示意，当将过孔120内填充的钨结构121的厚度大于过孔120的孔深时，发光功能层20的各膜层中与多个过孔120相对的区域，就会突出于发光功能层20的各膜层的远离承载面的表面。
上述实现方式中，通过钨结构121垫高像素定义层在发光区域外的膜层高度。这样在像素定义层21上沉积发光层222的过程中，垫高的像素定义层21更容易隔断发光层222，从而分割出多个间隔且绝缘的发光层222。
示例性地，如图3所示，发光单元22还包括阴极层224，阴极层224位于发光层222远离承载面的表面和像素定义层21远离承载面的表面。参见图3中右侧过孔120示意，阴极层224与多个过孔120相对的区域，突出于阴极层224远离承载面的表面。参见图3中左侧过孔120示意，阴极层224与多个过孔120相对的区域，凹陷于阴极层224远离承载面的表面。这样就使得阴极层形成波浪形，不容易断裂。
可选地，如图1所示，发光单元22还包括电流扩展层223，电流扩展层223位于阳极层221和发光层222之间。
通过在阳极层221和发光层222之间的设置电流扩展层223，能起到将阳极层221传输而来的电流向发光层222的整面扩展，从而提升发光层222的发光效率。
示例性地，电流扩展层223可以是ITO(Indium tin oxide，氧化铟锡)层或IZO(Indium Zinc Oxide，氧化铟锌)层。
本公开实施例中，如图1所示，不同发光单元22的阳极层221间隔分布，电流扩展层223可以位于阳极层221远离衬底的表面且延伸至阳极层221的侧面和承载面。这样通过电流扩展层223包覆阳极层221，可以让传输至阳极层221的侧面的电流也能通过电流扩展层223扩展至发光层222，提升发光层222的发光效果。
在一些实施例中，过孔120在承载面的正投影位于像素定义层21在承载面的正投影内，且过孔120在承载面的正投影位于电流扩展层223在承载面的正投影内，且过孔120与电流扩展层223在阳极层221的侧面有第一距离L6。如此尽量避免电流扩展层223在阳极层221的侧面翘起。例如：第一距离L6为0.5um-0.8um。上述实现方式中，阳极层221和电流扩展层223可以采用以下方式制备，首先，在承载面依次沉积形成Ti层、Al层和Ti层；然后，对沉积的金属膜层刻蚀，得到多个间隔排布的阳极层221；接着，在阳极层221和承载面沉积形成ITO层；最后，对ITO层刻蚀，得到包覆阳极层221的电流扩展层223。相较于一次沉积所有膜层再刻蚀的方式，通过两次沉积两次刻蚀的方式，能让电流扩展层良好地包覆阳极层，提升电流扩展层对阳极层的包覆性。
本公开实施例中，如图1所示，相邻两个阳极层221的最小间距L3不小于0.7μm。相邻两个阳极层221上的电流扩展层223的最小间距L4不小于0.4μm。
可选地，如图1所示，像素定义层21包括依次层叠的第一氧化硅层211、氮化硅层212和第二氧化硅层213。
其中，像素定义层21的开口210的形状为倒棱台。即像素定义层21的开口中靠近衬底的一端的面积小于像素定义层21的开口中远离衬底的一端的面积。
如图1所示，像素定义层21的开口中的侧壁倾斜于承载面，这样发光层222发出的光可以经开口的侧壁反射至显示基板的出光侧，从而提升显示基板的出光量，改善发光效果。
本公开实施例中，发光单元22为白光像素单元，显示基板还包括彩膜层30，彩膜层30位于发光功能层20上。通过白光像素单元形成的发光功能层20和彩膜层30实现彩色显示。
其中，彩膜层可以包括不同颜色的多个色阻块和用于阻挡光线黑矩阵，黑矩阵位于色阻块之间。彩膜层的多个色阻块包括不同的颜色。例如，色阻块可以包括三种颜色，分别是红色、绿色和蓝色。彩膜层设置在阵列基板的一侧，这样发光单元可以透过彩膜层的不同色阻块，发出不同颜色的光，以实现彩色显示。
可选地，如图1、2所示，像素定义层21中具有隔离槽200，隔离槽200将像素定义层21分隔为多个像素区A2，每个像素区A2内具有一个发光单元22。
其中，像素区A2包括发光单元22和围绕发光单元22的部分像素定义层21。即像素区A2的外轮廓大于发光区域A1的外轮廓，且像素区A2包围发光区域A1。
如图2所示，隔离槽200为像素定义层21的分界结构，以将像素定义层21分割为多个像素区A2。
上述实现方式中，发光功能层20的各发光单元22均为白光像素单元，这样仅需进行一次蒸镀即可完成发光层222的制备，提升制备效率。在像素定义层21上沉积发光层222的过程中，当发光层222蒸镀沉积在隔离槽200的位置时会陷入隔离槽200中，而蒸镀在隔离槽200外的发光层222则保留在像素定义层21的表面，因此在隔离槽200位置的发光层222就会被撕裂，从而让发光层222在隔离槽200的位置被分割开，以分割出多个间隔且绝缘的发光层222。通过设置隔离槽200无需使用掩模结构蒸镀发光层222，使用于形成厚度较小的发光层222，且能有效提升发光层222的制作效率。
可选地，如图1所示，隔离槽200至少包括相连的第一部分201和第二部分202，第一部分201和第二部分202沿远离承载面方向依次布置，且第一部分201在与隔离槽200相邻的两个发光单元的排列方向上的尺寸，不小于第二部分202在与隔离槽200相邻的两个发光单元的排列方向上的尺寸。
本公开实施例中，隔离槽200至少包括相连的第一部分201和第二部分202，第一部分201在相邻的两个发光单元的排列方向上的尺寸，不小于第二部分202在相邻的两个发光单元的排列方向上的尺寸。这样将隔离槽200的底部的尺寸更大，当发光层222陷入隔离槽200后，发光层222在隔离槽200的底部堆积的空间更大，让发光层222不易接触在一起，从而保证发光层222在隔离槽200位置被撕裂，形成绝缘的多个发光层222。
示例性地，如图1所示，隔离槽200包括远离承载面方向依次分布的第一部分201和第二部分202。第二部分202与第一部分201的中部连接，以使第一部分201和第二部分202形成阶梯状的槽体。
需要说明的是，在其他一些实现方式中，隔离槽200还可以包括沿远离承载面方向依次分布的3个、4个等多个部分，本公开实施例不做限制。
可选地，如图1所示，隔离槽200的槽深H不小于发光层222的厚度。隔离槽200的槽深H大于或等于发光层222时，能保证发光层222在隔离槽200位置蒸镀时，完全陷入隔离槽200内，以确保发光层222被隔离槽200撕裂，形成绝缘的多个发光层222。
可选地，如图1所示，隔离槽200的开口宽度L2为0.2μm至0.5μm。
其中，隔离槽200的开口宽度L2是：隔离槽200远离承载面的一端的开口，在相邻的两个发光单元22的排列方向上的宽度。
通过将隔离槽200的开口宽度设置在上述范围内，能避免开口宽度设置过小而起不到撕裂隔断发光层222的目的；且还能避免开口宽度设置过大而导致发光单元22分布间隔较大，让发光单元22分布稀疏而影响发光功能层20的发光效果。
示例性地，隔离槽200的第二部分202在相邻的两个发光单元22的排列方向上的宽度为隔离槽200的开口宽度，隔离槽200的开口宽度L2可以是0.3μm。
可选地，隔离槽200的最大宽度L1为0.5μm至1μm。
其中，隔离槽200的最大宽度L1是：隔离槽200靠近承载面的一端，在相邻的两个发光单元22的排列方向上的宽度。
通过将隔离槽200的最大宽度设置在上述范围内，能避免隔离槽200的最大宽度设置过小而起不到分离陷入隔离槽200内的发光层222的目的；且还能避免隔离槽200的最大宽度设置过大而削弱像素定义层21的强度。
示例性地，如图1所示，隔离槽200的第一部分201在相邻的两个发光单元22的排列方向上的宽度为隔离槽200的最大宽度L1。隔离槽200的最大宽度L1可以是0.8μm。
需要说明的是，当发光单元包括多种颜色的发光单元时，例如，发光单元包括三个颜色的发光单元，且分别可以是红光发光单元、绿光发光单元、蓝光发光单元，该种情况下像素定义层上可以无需设置隔离槽。
可选地，如图1所示，相邻两个发光单元22的间距h为1μm至1.5μm。
本公开实施例中，相邻两个发光单元22的间距可以是相邻两个像素定义层21的开口之间的最大距离。
通过将相邻两个发光单元22的间距设置在上述范围内，能避免相邻两个发光单元22的间距设置过小而没有充足的空间开设隔离槽200；且还能避免相邻两个发光单元22的间距设置过大而让发光单元22分布稀疏而影响发光功能层20的发光效果。
示例性地，相邻两个发光单元22的间距h为1.3μm。
需要说明的是，在其他一些实现方式中，还可以采用相邻两个像素定义层21的开口之间的最小距离，或相邻两个像素定义层21的开口之间的最大距离和最小距离的平均值，表示相邻两个发光单元22的间距，本公开实施例不做限制。
可选地，如图1所示，像素定义层21位于阳极层221上的部分从阳极层221的边缘至阳极层221的中部方向上的最大长度L5不小于0.2μm。
通过将像素定义层21搭接在阳极层221上的部分膜层的最大长度设置在上述范围内，能避免像素定义层21搭接在阳极层221上的部分膜层过小，而起不到支撑像素定义层21的目的；还能避免像素定义层21搭接在阳极层221上的部分膜层过多，而缩减像素定义层21的开口影响发光单元22的发光效果。
示例性地，像素定义层21位于阳极层上的部分从阳极层221的边缘至阳极层221的中部方向上的最大长度为0.3μm。
可选地，如图2所示，多个发光单元22沿第一方向X和第二方向Y阵列排布，第一方向X和第二方向Y相交。
示例性地，如图2所示，第一方向X为图2中示意的水平方向，第一方向X和第二方向Y之间具有非零夹角。例如，第一方向和第二方向之间的夹角可以是90°至170°。
如图2所示，多个发光单元22包括沿第二方向Y依次交替排布的多个第一发光单元组M和多个第二发光单元组N，第一发光单元组M和第二发光单元组均N包括沿第一方向X间隔排布的多个发光单元22。
如图2所示，第一发光单元组M对应的多个过孔120位于第一发光单元组M的同一侧，第二发光单元组N对应的多个过孔120位于第二发光单元组N的同一侧。
通过将多个过孔120整齐有序地排布在第一发光单元组M或第二发光单元组N的同一侧，便于加工制备。
在一种实现方式中，如图2所示，相邻的第一发光单元组M和第二发光单元组N中；第一发光单元组M对应的过孔120和第二发光单元组N对应的过孔120，位于第一发光单元组M或第二发光单元组N的两侧。例如：第一发光单元组M对应的过孔120和第二发光单元组N对应的过孔120，位于第一发光单元组M的A1两侧。
示例性地，如图2所示，第一发光单元组M对应的一行过孔120，位于第一发光单元组M的上方。第二发光单元组N对应一行过孔120，位于第二发光单元组N的上方。即两行过孔120位于第一发光单元组M的上下两侧。
示例性地，在另外一些实现方式中，第一发光单元组M对应的一行过孔120，位于第一发光单元组M的下方。第二发光单元组N对应一行过孔120，位于第二发光单元组N的下方。即两行过孔120位于第二发光单元组N的上下两侧
由于相关技术中过孔120均布置在开口的几何中心的位置，本公开实施例中，相对于将过孔120由开口的几何中心整体平移在开口外的一侧。这样将过孔120整体平移，并设置在第一发光单元组或第二发光单元组的同一侧，有利于显示效果均一性；并且过孔120是整体平移的，因而仍然可以采用原来的掩膜结构制备各个过孔120，在制程上可以实现整体偏移功能，节省制备成本。
示例性地，如图2所示，至少部分第一发光单元组M对应的一组过孔120和第二发光单元组N对应的一组过孔120可以与部分隔离槽200分布在一条直线上。这样的排布方式也能有效缩减过孔排布所占用的面积。
例如，如图2所示，像素区A2为6边形，隔离槽200包括多个槽段203，多个槽段203相连围成至少一个像素区A2。即像素区A2的各个侧边均为隔离槽200的槽段203。隔离槽200中垂直于第一方向X上的多个槽段203具有对应的过孔120，其中，与槽段203对应的过孔120的几何中心位于对应的槽段203的延伸线上。
可选地，同一像素区A2中，过孔120位于隔离槽200与发光区域A1之间。示例性地，如图2所示，至少部分第一发光单元组M对应的一组过孔120和/或第二发光单元组N对应的一组过孔120，位于隔离槽200与发光区域A1之间。
可选地，同一像素区A2中，过孔120的几何中心至发光区域A1的最小距离，小于过孔120的几何中心至隔离槽200的最小距离。例如：第一发光单元组M中，过孔120到对应发光区域A1的距离，小于过孔120到隔离槽200的距离，如此有利于过孔到发光区域的连接线更短，有利于避免过孔120到隔离槽200的距离太近而造成工艺不良(例如：隔离槽200容易过刻蚀影响到过孔连接线短路或断裂)。
可选地，如图2所示，在第二方向Y上相邻的两个像素区A2中，两个过孔120的几何中心的距离大于两个发光区域A1的间距L7。示例性地，第一发光单元组M对应的至少一过孔120到相邻(例如沿着X方向的左右两侧)的第二发光单元组N的过孔120距离，大于相邻两个发光区域A1的间距L7，如此设计有利于布局走线规整和提高良率。
示例性地，如图2所示，第一发光单元组M对应的至少一过孔120到相邻(例如沿着X方向的左右两侧)的第二发光单元组N的2个过孔120距离相等，且该3个过孔120形成正三角形结构(参见图2中示意的三角虚线框)，如此设计有利于布局走线规整和提高良率。
在另一种实现方式中，图4是本公开实施例提供的一种显示基板的平面示意图。如图4所示，相邻的第一发光单元组M和第二发光单元组N中；第一发光单元组M对应的过孔120和第二发光单元组N对应的过孔120，位于第一发光单元组M和第二发光单元组N之间。
其中，位于两个发光单元组之间的第一发光单元组M对应的一组过孔120和第二发光单元组N对应的一组过孔120之间也是间隔排布的。
示例性地，如图4所示，第一发光单元组M对应的一组过孔120可以分布在一条直线上，第二发光单元组N对应的一组过孔120可以分布在另一条直线上。这样两组过孔120就交错分布两条直线上，两组过孔120共同形成连续的W字型。
其中，一组过孔分布在一条直线上是指，各个过孔的几何中心沿同一直线分布。
如图4所示，当两组过孔对应的两条直线的间距不大于过孔在两条直线的排布方向上的尺寸时，两组过孔在延伸的方向上也存在部分区域重叠。这样的排布方式也能有效缩减过孔排布所占用的面积。
本公开实施例中，如图4所示，将过孔120设置在相邻的第一发光单元组M和第二发光单元组N之间，且让两组发光单元22的两组过孔120交错排布形成连续的W字型。该过孔120的分布方式的优点在于可以将过孔120中的导电结构也集中于发光单元22的一侧，降低了对像素定义层21中的其他区域的占用，便于为发光单元22提供更多的排布空间。
需要说明的是，在其他一些实现方式中，第一发光单元组M对应的一组过孔120和第二发光单元组N对应的一组过孔120可以分布在同一直线上。这样两组过孔120共同形成一字型。该过孔120的分布方式也可以将过孔120中的导电结构也集中于发光单元22的一侧，降低了对像素定义层21中的其他区域的占用，便于为发光单元22提供更多的排布空间。
本公开实施例中，两组过孔120共同形成连续的W字型的排布形式，相比于两组过孔120共同形成一字型，过孔120间的间距更大，这样刻蚀过孔时采用的掩膜结构的精度要求也更低，能有效降低制作难度。
示例性地，如图2、4所示，像素定义层的像素区A2的形状为六边形。
示例性地，如图4所示，至少部分第一发光单元组M对应的过孔120和/或第二发光单元组N对应的过孔120，可以与部分隔离槽200分布在一条直线上。这样的排布方式也能有效缩减过孔排布所占用的面积。
例如，如图4所示，像素区A2为6边形，隔离槽200包括多个槽段203，多个槽段203相连围成至少一个像素区A2。即像素区A2的各个侧边均为隔离槽200的槽段203。隔离槽200中垂直于第一方向X上的多个槽段203具有对应的过孔120，其中，与槽段203对应的过孔120的几何中心位于对应的槽段203的延伸线上。
可选地，如图4所示，相邻的第一发光单元组M的过孔120和第二发光单元组N过孔120，到相邻两个发光区域A1之间的槽段203的距离相等。
可选地，如图4所述，在第二方向Y上相邻的两个像素区A2中，两个过孔120的几何中心的距离小于两个发光区域A1的几何中心的距离。示例性地，如图4所示，至少部分第一发光单元组M的过孔120到相邻的第二发光单元组N的过孔120的距离，小于第一发光单元组M的过孔120对应的发光区域A1几何中心到相邻的第二发光单元组N的过孔120对应的发光区域A1几何中心的距离。如此设计有利于布局走线规整和提高良率。示例性地，如图4所示，至少部分第一发光单元组M中相邻的过孔120之间的距离，大于第一发光单元组M中的过孔120到相邻的第二发光单元组N中的过孔120的距离。如此设计，第一发光单元组M的过孔和第二发光单元组N中的过孔120交替排列，有利于布局走线规整和提高良率，以及简化工艺。
需要说明的是，在其他一些实现方式中，像素区A2的形状还可以是三角形、四边形等多边形；或者是弧形，例如，圆形和椭圆形等；或者是不规则封闭图形。本公开实施例不做限制。
图5是本公开实施例提供的一种显示面板的示意图。如图5所示，该显示面板包括如前文所述的显示基板10、触控层40和封装层50，显示基板10、触控层40和封装层50依次层叠。
触控层40包括多个触控单元和多根触控线。多个触控单元阵列排布于显示基板上，且至少部分位于显示区域。在一种实施例中，所有的触控单元都位于显示区域。在另外一种实施例中，一部分触控单元位于显示区域，另一部分触控单元位于非显示区域。例如，阵列排布的多个触控单元中，最外侧的触控单元位于非显示区域或者部分位于非显示区域。
多根触控线位于显示基板上，触控线与至少一个触控单元相连，且触控线用于将所连接的触控单元与触控集成电路电连接，以与触控集成电路连接。
本公开实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括如前文所述的的显示面板和电源，电源与显示面板电连接。其中，供电组件可以是电源等。
该显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
图6是本公开实施例提供的一种显示基板的制备方法的流程图。如图6所示，该制备方法包括：
步骤S1：制备阵列基板。
步骤S2：在阵列基板上形成连接层。
其中，如图1所示，连接层中设有多个过孔。
其中，过孔120内沉积有导电结构，导电结构可以是金属结构。示例性地，过孔120中的导电结构为钨结构121。
步骤S3：在连接层上形成发光功能层。
其中，发光功能层20包括多个发光单元22，发光单元22与过孔120一一对应，且过孔120在连接层12的承载面上的正投影位于对应的发光单元22的发光区域A1在承载面的正投影外。
其中，发光功能层的结构可以参见图1至图4示意的实施例。
发光功能层包括像素定义层和多个发光单元，像素定义层包括多个间隔分布的开口，开口与发光单元一一对应，开口为发光区域，发光单元位于对应的开口内，过孔与对应的开口内的发光单元相连。发光单元包括依次层叠的阳极层和发光层，阳极层位于承载面，像素定义层位于承载面和阳极层的表面，像素定义层的开口露出阳极层的部分表面，发光层位于开口内。
在步骤S3中，像素定义层21包括依次层叠的第一氧化硅层211、氮化硅层212和第二氧化硅层213。
其中，像素定义层可以采用沉积的防止在连接层的表面依次沉积第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层。
在步骤S3中，阳极层和电流扩展层可以采用以下方式制备，首先，在承载面依次沉积形成Ti层、Al层和Ti层；然后，对沉积的金属膜层刻蚀，得到多个间隔排布的阳极层；接着，在阳极层和承载面沉积形成ITO层；最后，对ITO层刻蚀，得到包覆阳极层的电流扩展层。
在步骤S3中，发光层包括可以包括空穴传输层、空穴注入层、电子传输层、电子注入层、空穴阻挡层、电子阻挡层和发光材料层。
其中，发光层也可以采用沉积的方式在电流扩展层的表面依次沉积空穴传输层、空穴注入层、电子传输层、电子注入层、空穴阻挡层、电子阻挡层和发光材料层，得到发光层。
通过上述方法制备的显示基板。上述制作方式中采用的制备手段均可以参见相关技术。
以上，并非对本公开作任何形式上的限制，虽然本公开已通过实施例揭露如上，然而并非用以限定本公开，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本公开技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本公开技术方案的内容，依据本公开的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本公开技术方案的范围内。
Claims (21)
1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：阵列基板(11)、连接层(12)和发光功能层(20)，所述连接层(12)在所述阵列基板(11)和所述发光功能层(20)之间；
所述连接层(12)中设有多个过孔(120)，所述发光功能层(20)包括多个发光单元(22)，所述发光单元(22)与至少一个所述过孔(120)中的导电结构电连接，且所述过孔(120)在所述连接层(12)的承载面上的正投影位于对应的所述发光单元(22)的发光区域(A1)在所述承载面的正投影外。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述发光功能层(20)还包括像素定义层(21)，所述像素定义层(21)包括多个间隔分布的开口(210)，所述开口(210)与所述发光单元(22)一一对应，所述发光单元(22)位于对应的所述开口(210)内；
所述开口(210)用于限定对应的所述发光单元(22)的所述发光区域(A1)。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，多个所述发光单元(22)沿第一方向和第二方向阵列排布，所述第一方向和所述第二方向相交；
多个所述发光单元(22)包括沿所述第二方向依次交替排布的多个第一发光单元组和多个第二发光单元组，所述第一发光单元组和所述第二发光单元组均包括沿所述第一方向间隔排布的多个所述发光单元(22)；
所述第一发光单元组对应的多个所述过孔(120)位于所述第一发光单元组的同一侧，所述第二发光单元组对应的多个所述过孔(120)位于所述第二发光单元组的同一侧。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，相邻的所述第一发光单元组和所述第二发光单元组中；
所述第一发光单元组对应的所述过孔(120)和所述第二发光单元组对应的所述过孔(120)，位于所述第一发光单元组或所述第二发光单元组的两侧。
5.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，相邻的所述第一发光单元组和所述第二发光单元组中；
所述第一发光单元组对应的所述过孔(120)和所述第二发光单元组对应的所述过孔(120)，位于所述第一发光单元组和所述第二发光单元组之间。
6.根据权利要求3至5任一项所述的显示基板，其特征在于，所述发光单元(22)包括依次层叠的阳极层(221)和发光层(222)，所述阳极层(221)位于所述承载面，所述像素定义层(21)位于所述承载面和所述阳极层(221)上，且所述像素定义层(21)的所述开口(210)露出所述阳极层(221)的部分表面，所述发光层(222)位于所述开口(210)内；
所述过孔(120)与所述阳极层(221)相连，且所述过孔(120)在所述承载面的正投影位于所述像素定义层(21)在所述承载面的正投影内。
7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述发光单元(22)还包括电流扩展层(223)，所述电流扩展层(223)位于所述阳极层(221)和所述发光层(222)之间。
8.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述像素定义层(21)位于所述阳极层上的部分从所述阳极层(221)的边缘至所述阳极层(221)的中部方向上的最大长度不小于0.2μm。
9.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述像素定义层(21)中具有隔离槽(200)，所述隔离槽(200)将所述像素定义层(21)分隔为多个像素区(A2)，每个所述像素区(A2)内具有一个所述发光单元(22)。
10.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述隔离槽(200)至少包括相连的第一部分(201)和第二部分(202)，所述第一部分(201)和所述第二部分(202)沿远离承载面方向依次布置，且所述第一部分(201)在与所述隔离槽(200)相邻的两个所述发光单元(22)的排列方向上的尺寸，不小于所述第二部分(202)在与所述隔离槽(200)相邻的两个所述发光单元(22)的排列方向上的尺寸。
11.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述隔离槽(200)的槽深不小于所述发光层(222)的厚度。
12.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，同一所述像素区(A2)中，所述过孔(120)位于所述隔离槽(200)与所述发光区域(A1)之间。
13.根据权利要求12所述的显示基板，其特征在于，同一所述像素区(A2)中，所述过孔(120)的几何中心至所述发光区域(A1)的最小距离，小于所述过孔(120)的几何中心至所述隔离槽(200)的最小距离。
14.根据权利要求12所述的显示基板，其特征在于，在所述第二方向上相邻的两个所述像素区(A2)中，两个所述过孔(120)的几何中心的距离大于两个所述发光区域(A1)的间距(L7)。
15.根据权利要求12所述的显示基板，其特征在于，在所述第二方向上相邻的两个所述像素区(A2)中，两个所述过孔(120)的几何中心的距离小于两个所述发光区域(A1)的几何中心的距离。
16.根据权利要求1至5任一项所述的显示基板，其特征在于，所述发光功能层(20)的各膜层中与多个所述过孔(120)相对的区域，突出于所述发光功能层(20)的各膜层的远离所述承载面的表面，或者凹陷于所述发光功能层(20)的各膜层的远离所述承载面的表面。
17.根据权利要求1至5任一项所述的显示基板，其特征在于，所述过孔(120)中的导电结构为钨结构(121)。
18.根据权利要求1至5任一项所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括彩膜层(30)，所述发光单元(22)为白光像素单元，所述彩膜层(30)位于所述发光功能层(20)上。
19.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求1至18任一项所述的显示基板、触控层(40)和封装层(50)，所述显示基板、所述触控层(40)和所述封装层(50)依次层叠。
20.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求19所述的显示面板和电源，所述电源与所述显示面板电连接。
21.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
制备阵列基板；
在所述阵列基板上形成连接层，所述连接层中设有多个过孔；
在所述连接层上形成发光功能层，所述发光功能层包括多个发光单元，所述发光单元与至少一个所述过孔中的导电结构电连接，且所述过孔在所述连接层的承载面上的正投影位于对应的所述发光单元的发光区域在所述承载面的正投影外。
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