CN114038935B - 一种太阳能电池新型硼扩散方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种太阳能电池新型硼扩散方法，具体包括：S1、N型硅片正面沉积硼掺杂非晶硅；S2、将步骤S1得到的硅片刻蚀去四周及背面绕镀；S3、将步骤S2得到的硅片进行高温退火并完成硼掺杂；本发明方法避开了常规管式硼扩散预沉积过程中，由于反应产物B2O3的沸点在1600℃以上，反应产物始终处于液态B2O3，扩散过程中对石英器件的腐蚀严重，扩散结束后在恒温区外快速冷却凝固，易造成尾管堵塞，引起扩散机台石英炉门与石英炉管的粘连，造成维护成本高。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种太阳能电池新型硼扩散方法。
背景技术
目前P型晶硅电池占据晶硅电池市场的绝对份额。然而，不断追求效率提升和成本降低是光伏行业永恒的主题。N型单晶硅较常规的P型单晶硅具有少子寿命高、光致衰减小等优点，具有更大的效率提升空间，同时，N型单晶组件具有弱光响应好、温度系数低等优点。因此，N型单晶系统具有发电量高和可靠性高的双重优势。
硼扩散是N型电池核心工序。在硼扩散工艺过程中由于直接作用在硅片的B2O3沸点达到1860℃，而扩散工艺温度一般在900～1100℃之间，B2O3在工艺过程中以液态的形式与太阳能电池片接触，导致太阳能电池片的工艺结果均匀性较差。另一方面，由于副产物BSG(硼硅玻璃)的存在，致使石英件存在粘黏现象，导致硼扩散设备存在维护周期短、成本高等问题，严重制约着N型电池发展。
发明内容
针对上述情况，为克服现有技术的缺陷，本发明提供一种太阳能电池新型硼扩散方法。
为了实现上述目的，本发明提供以下技术方案：
一种太阳能电池新型硼扩散方法，包括以下步骤：
S1、在N型硅片上沉积硼掺杂非晶硅层，硼掺杂非晶硅沉积厚度在100nm-500nm，生长非晶硅层过程同时通入硼源；
采用LPCVD的方式在N型硅片上沉积硼掺杂非晶硅层，考虑到管式硼扩散，在表层深100nm-200nm处由于掺杂浓度大，该深度杂质分布状况主要以间隙扩散为主，硼激活率非常低，亦称之为“死层”。
优先地，硼掺杂非晶硅沉积厚度在100nm-500nm，为使得硼原子均匀分布在膜层中，生长非晶硅层过程同时通入硼源。
S2、将步骤S1得到的硅片刻蚀去除四周及背面绕镀；
S3、将步骤S2得到的硅片进行高温退火并完成硼掺杂：
(1)将硅片送入炉管，氮气氛围下升温至900℃-1100℃；
(2)氮气氛围下掺杂非晶硅层进行高温晶化及杂质分布，温度稳定在900℃-1100℃；
晶化过程实现了硼原子在硅中的原位掺杂，达到替位扩散效果，激活杂质硼原子，多余的硼原子将以间隙/替位扩散的方式继续向硅中扩散；
(3)氮、氧气氛围下掺杂晶硅层进行杂质再分布，温度稳定在900℃-1100℃；
(4)氮气氛围下降温退火并出管。
进一步地，步骤S1中，硼掺杂非晶硅沉积过程，温度为560℃-620℃，管压为220mTor-400mTor。
作为优选，步骤S1中，硼掺杂非晶硅沉积过程，温度为600℃，管压为300mTor。
进一步地，步骤S1中，掺杂源为BBr3/BCl3蒸汽。
进一步地，步骤S1中，通入200sccm-400sccm SiH4以及20sccm-40sccm BCl3，沉积硼掺杂非晶硅层，时间为40min-80min。
作为优选，步骤S1中，通入300sccm SiH4以及30sccm BCl3，沉积硼掺杂非晶硅层，时间为60min。
进一步地，步骤S3(1)中，N2流量控制在1000-10000sccm。
进一步地，步骤S3(2)中，N2流量控制在1000-10000sccm，时间控制在30min-200min。
进一步地，步骤S3(3)中，N2流量控制在1000-10000sccm，O2流量控制在3000sccm-10000sccm，时间控制在20min-30min，这样能够降低表面杂质浓度同时实现结深要求。
进一步地，步骤S3(4)中，N2流量控制在1000-10000sccm。
进一步地，步骤S3(4)中，降温至800℃。
本发明的有益效果是：
(1)本发明的太阳能电池新型硼扩散方法，能够提高硼扩散质量以及解决硼扩散副产物对于机台备件的损伤，降低运营成本。
(2)与现有技术相比，本发明采用先沉积掺硼非晶硅再退火扩散的方式，不会产生B2O3副产物，对于石英件无损伤，可有效降低硼扩运营成本。
具体实施方式：
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本申请进行描述和说明。
实施例1
一种太阳能电池新型硼扩散方法，包括以下步骤：
(1)将制绒后的N型硅片用LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)低压力化学气相沉积法，恒温600℃，在管压300mTor下通入300sccm的SiH4以及30sccm的BCl3沉积非晶硅，时间为60min，得到监控约在120nm厚的非晶硅；
所述N型硅片作为衬底材料，通过清洗制绒使硅片表面产生金字塔状表面结构。
(2)使用质量分数15％的酸(比如15％HF)对步骤(1)得到的硅片，进行刻蚀去除四周绕镀非晶硅，使用质量分数10％的碱(比如10％KOH)对步骤(1)得到的硅片，进行背面抛光；
(3)将去除完绕镀的硅片放入高温退火炉中；
(4)升温：保持通入3000sccm的N2下升温到950℃；
(5)退火：保持通入3000sccm的N2，温度950℃条件下恒温60min，掺杂非晶硅晶化过程中兼备杂质扩散；实现了硼原子在硅中的原位掺杂，达到替位扩散效果，激活杂质硼原子，多余的硼原子将以间隙/替位扩散的方式继续向硅中扩散；
(6)推进：保持通入3000sccm的N2，并同时通入3000sccm的O2，在950℃的条件下恒温30min；
(7)降温：保持通入3000sccm的N2，降温至800℃。
(8)出舟。
实施例2
一种太阳能电池新型硼扩散方法，包括以下步骤：
(1)将制绒后的N型硅片用LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)低压力化学气相沉积法，恒温600℃，在管压300mTor下通入300sccm的SiH4以及30sccm的BCl3沉积非晶硅，时间为60min，得到监控约在120nm厚的非晶硅；
所述N型硅片作为衬底材料，通过清洗制绒使硅片表面产生金字塔状表面结构。
(2)使用质量分数15％的酸(比如15％HF)对步骤(1)得到的硅片，进行刻蚀去除四周绕镀非晶硅，使用质量分数10％的碱(比如10％KOH)对步骤(1)得到的硅片，进行背面抛光；
(3)将去除完绕镀的硅片放入高温退火炉中；
(4)升温：保持通入3500sccm的N2下升温到920℃；
(5)退火：保持通入3500sccm的N2，温度920℃条件下恒温80min，掺杂非晶硅晶化过程中兼备杂质扩散；实现了硼原子在硅中的原位掺杂，达到替位扩散效果，激活杂质硼原子，多余的硼原子将以间隙/替位扩散的方式继续向硅中扩散；
(6)推进：保持通入3500sccm的N2，并同时通入3000sccm的O2，在920℃的条件下恒温25min；
(7)降温：保持通入3500sccm的N2，降温至800℃。
(8)出舟。
现有技术中的硼扩散工艺中通常会有液态B2O3存在，本发明采用先沉积掺硼非晶硅再退火扩散的方式，不会产生B2O3副产物，对于石英件无损伤，可有效降低硼扩运营成本。
本发明方法避开了常规管式硼扩散预沉积过程中，由于反应产物B2O3的沸点在1600℃以上，反应产物始终处于液态B2O3，扩散过程中对石英器件的腐蚀严重，扩散结束后在恒温区外快速冷却凝固，易造成尾管堵塞，引起扩散机台石英炉门与石英炉管的粘连，造成维护成本高。
本领域的技术人员应该明白，以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。
Claims (6)
1.一种太阳能电池新型硼扩散方法，其特征是，包括以下步骤：
S1、在N型硅片上沉积硼掺杂非晶硅层，硼掺杂非晶硅沉积厚度在100nm-500nm，生长非晶硅层过程同时通入硼源；
S2、将步骤S1得到的硅片刻蚀去除四周及背面绕镀；
S3、将步骤S2得到的硅片进行高温退火并完成硼掺杂：
(1)将硅片送入炉管，氮气氛围下升温至900℃-1100℃；
(2)氮气氛围下掺杂非晶硅层进行高温晶化及杂质分布，温度稳定在900℃-1100℃；
(3)氮、氧气氛围下掺杂晶硅层进行杂质再分布，温度稳定在900℃-1100℃；
(4)氮气氛围下降温退火并出管；
步骤S1中，硼掺杂非晶硅沉积过程，温度为560℃-620℃，管压为220mTor-400mTor；
步骤S1中，通入200sccm-400sccm SiH4以及20sccm-40sccmBCl3，沉积硼掺杂非晶硅层，时间为40min-80mi；
步骤S3(2)中，N2流量控制在1000-10000sccm，时间控制在30min-200min。
2.根据权利要求1所述的一种太阳能电池新型硼扩散方法，其特征是，步骤S1中，掺杂源为BBr3/BCl3蒸汽。
3.根据权利要求1所述的一种太阳能电池新型硼扩散方法，其特征是，步骤S3(1)中，N2流量控制在1000-10000sccm。
4.根据权利要求1所述的一种太阳能电池新型硼扩散方法，其特征是，步骤S3(3)中，N2流量控制在1000-10000sccm，O2流量控制在3000sccm-10000sccm，时间控制在20min-30min。
5.根据权利要求1所述的一种太阳能电池新型硼扩散方法，其特征是，步骤S3(4)中，N2流量控制在1000-10000sccm。
6.根据权利要求1所述的一种太阳能电池新型硼扩散方法，其特征是，步骤S3(4)中，降温至800℃。
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Effective date of registration: 20230414 Address after: No. 168, West Side of Kechuang Road, High-tech Industrial Development Zone, Taixing City, Taizhou City, Jiangsu Province, 225400 Applicant after: Pule New Energy Technology (Taixing) Co.,Ltd. Address before: 518000 Room 103, Building 3, Shekou Lanyuan, Nanshan District, Shenzhen, Guangdong Province Applicant before: Ou Wenkai |
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