CN114038421A - 阈值电压侦测方法和显示装置 - Google Patents

阈值电压侦测方法和显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN114038421A
CN114038421A CN202111482234.0A CN202111482234A CN114038421A CN 114038421 A CN114038421 A CN 114038421A CN 202111482234 A CN202111482234 A CN 202111482234A CN 114038421 A CN114038421 A CN 114038421A
Authority
CN
China
Prior art keywords
voltage
node
threshold voltage
detection
transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202111482234.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114038421B (zh
Inventor
窦维
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN202111482234.0A priority Critical patent/CN114038421B/zh
Publication of CN114038421A publication Critical patent/CN114038421A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114038421B publication Critical patent/CN114038421B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/006—Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3266—Details of drivers for scan electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3275—Details of drivers for data electrodes
    • G09G3/3291—Details of drivers for data electrodes in which the data driver supplies a variable data voltage for setting the current through, or the voltage across, the light-emitting elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)

Abstract

本申请提供一种阈值电压侦测方法和显示装置。本申请提供的阈值电压侦测方法，通过新的侦测时序，实现在侦测过程中流过驱动晶体管的驱动电流恒定。然后，通过迭代的方式，让驱动晶体管的源极的电压经过多次迭代后抬升至预设电压，从而得到目标阈值电压。这种方式下流过驱动晶体管的驱动电流不会像传统源跟随侦测方法一样随时间减小，并且电流大小可以通过预设时间段、预设电压来控制，所以侦测速度可以有效提高。同时，在迭代计算过程中，通过其中两次侦测的结果直接计算获取新的初始数据电压，可以进一步提升驱动晶体管的阈值电压迭代侦测的效率，同时改善恒流积分侦测中迭代不收敛现象。

Description

阈值电压侦测方法和显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阈值电压侦测方法和显示装置。
背景技术
有机发光二极管显示装置按照驱动方式分为无源矩阵型和有源矩阵型两大类，即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两大类。在有源矩阵型这种驱动方式下，像素驱动电路设有用于驱动有机发光二极管发光的驱动晶体管。由于驱动晶体管工作在饱和区，流过驱动晶体管的电流大小会受到驱动晶体管自身的阈值电压。因此为了保证有机发光二极管显示装置的显示亮度的均匀性，需要对不同子像素之间的阈值电压差异进行补偿。
传统的阈值电压侦测方式采用的是给定驱动晶体管一个初始Vgs(栅源电压Vgs＝Vg-Vs)。然后利用源跟随的方式，保持驱动晶体管的栅极电压不变，让驱动晶体管的源极电压抬升至Vgs＝Vth(驱动晶体管的阈值电压)状态，流过驱动晶体管的电流大小趋近于零，对此状态下的驱动晶体管的源极电压进行采样，计算出驱动晶体管的阈值电压。再将得到的阈值电压叠加至显示时的数据电压上，实现对阈值电压差异的补偿，消除由阈值电压差异导致的显示亮度不均匀性。
然而，随着侦测中Vgs的减小以及侦测线路的寄生电容远大于单个子像素的存储电容，驱动晶体管的源极电压的抬升越来越慢，如果要完全侦测出不同子像素的驱动晶体管的阈值电压差异，需要很长的时间。这在很大程度上会影响到工厂产能以及侦测设备的投入。对此，本申请提出一种基于恒流积分法实现高速侦测阈值电压的方法，但也因为其恒流的特性，当侦测条件以及驱动晶体管自身特性满足一定条件时，将会导致迭代侦测得到的阈值电压高低波动，无法实现收敛或需要更多的迭代次数来达到收敛的目的。
发明内容
本申请提供一种阈值电压侦测方法和显示装置，可以提升驱动晶体管的阈值电压迭代侦测的效率，也能解决恒流积分侦测中迭代不收敛的问题。
本申请提供一种阈值电压侦测方法，其包括：
步骤S1、提供像素；所述像素包括驱动晶体管、开关晶体管、感测晶体管、电容及发光元件；所述驱动晶体管的栅极、所述开关晶体管的源极以及所述电容的第一端均与第一节点电连接，所述驱动晶体管的漏极与第一电源电连接，所述驱动晶体管的源极、所述感测晶体管的漏极以及所述电容的第二端均与第二节点电连接，所述开关晶体管的栅极与扫描线电连接，所述开关晶体管的漏极与数据线电连接，所述感测晶体管的栅极与控制线电连接，所述感测晶体管的源极与采样线电连接；
步骤S2、初始化所述第一节点和所述第二节点的电压，以使得所述驱动晶体管导通；其中，Vdatan＝Vthn-1+Vdata0，n表示迭代的次数，Vdatan表示第n+1次初始化所述第一节点时的初始数据电压，Vdata0表示第1次初始化所述第一节点时的预设数据电压，Vthn-1表示对所述第二节点的电压进行第n次侦测时的初始阈值电压，n为大于1的整数；
步骤S3、维持流经所述驱动晶体管的驱动电流不变，且间隔预设时间段后，对所述第二节点的电压进行侦测；
步骤S4、根据所述第二节点的电压以及预设电压得到初始阈值电压；
步骤S5、将所述第二节点的电压与所述预设电压进行比较，若所述第二节点的电压不等于所述预设电压，则返回步骤S2；若所述第二节点的电压等于所述预设电压，则根据所述初始阈值电压得到目标阈值电压。
可选的，在本申请一些实施例中，当第1次初始化所述第一节点和所述第二节点时，所述步骤S2具体包括：所述扫描线供应扫描信号，使得所述开关晶体管导通，所述数据线供应所述预设数据电压至所述第一节点；所述控制线供应侦测控制信号，使得所述感测晶体管导通，所述采样线供应预设源极电压至所述第二节点。
可选的，在本申请一些实施例中，当第n次初始化所述第一节点和所述第二节点时，所述步骤S2具体包括：所述扫描线供应扫描信号，使得所述开关晶体管导通，所述数据线供应初始数据电压至所述第一节点，所述控制线供应侦测控制信号，使得所述感测晶体管导通，所述采样线供应预设源极电压至所述第二节点，n为大于1的整数。
可选的，在本申请一些实施例中，所述预设数据电压大于所述预设源极电压，且所述预设数据电压与所述预设源极电压之间的差值大于所述驱动晶体管的阈值电压。
可选的，在本申请一些实施例中，所述步骤S3具体包括：控制所述开关晶体管截止，控制所述感测晶体管导通，控制所述采样线处于浮空状态，以维持流经所述驱动晶体管的驱动电流不变；间隔所述预设时间段，通过所述采样线对所述第二节点的电压进行侦测。
可选的，在本申请一些实施例中，所述步骤S4具体包括：计算得到初始阈值电压Vthn＝(Vtrg-Vsn)，其中，Vtrg为所述预设电压，Vsn表示对所述第二节点进行第n+1次侦测时的所述第二节点的电压，Vthn表示对所述第二节点的电压进行第n+1次侦测时的初始阈值电压，n为大于0的整数。
可选的，在本申请一些实施例中，所述若所述第二节点的电压等于所述预设电压，则根据所述初始阈值电压得到目标阈值电压的步骤，具体包括：获取多个所述初始阈值电压，并将除第一次侦测获取的所述初始阈值电压之外的多个所述初始阈值电压进行求和运算，以获得目标阈值电压。
可选的，在本申请一些实施例中，所述阈值电压侦测方法还包括：根据不同的所述像素的目标阈值电压得到不同的所述像素的阈值电压之间的差异。
可选的，在本申请一些实施例中，所述间隔时间段介于0.2毫秒至1.2毫秒之间。
相应的，本申请还提供一种显示装置，所述显示装置包括多个像素，在所述显示装置开机前或关机后的待机时间，采用上述任一项所述的阈值电压侦测方法，对所述像素进行阈值电压侦测。
本申请提供一种阈值电压侦测方法和显示装置。本申请提供的阈值电压侦测方法，通过新的侦测时序，实现在侦测过程中流过驱动晶体管的驱动电流恒定。然后，通过迭代的方式，让驱动晶体管的源极的电压经过多次迭代后抬升至预设电压，从而得到目标阈值电压；这种方式下流过驱动晶体管的驱动电流不会像传统源跟随侦测方法一样随时间减小，并且电流大小可以通过侦测时间、预设电压来控制，所以在侦测中向侦测线路充电速度可以很快。同时，在迭代过程中，通过其中两次侦测的结果直接计算获取新的初始数据电压，进一步提升驱动晶体管的阈值电压迭代侦测的效率，同时解决恒流积分侦测中迭代不收敛的问题。
附图说明
图1是本申请实施例提供的阈值电压侦测方法的流程示意图；
图2是本申请实施例提供的像素的等效电路示意图；
图3是图2所示的像素的等效电路的时序示意图；
图4是本申请实施例提供的多次迭代计算的结果示意图；
图5是本申请实施例提供的直接计算初始数据电压的说明示意图；
图6是本申请实施例提供的直接计算结合迭代的方法与常规迭代计算的仿真示意图；
图7是本申请提供的显示装置的一种结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
此外，本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。由于本申请采用的晶体管的源极、漏极是对称的，所以其源极、漏极是可以互换的。
本申请提供一种阈值电压侦测方法和显示装置，以下进行详细说明。需要说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对本申请实施例优选顺序的限定。
请参阅图1，图1是本申请实施例提供的阈值电压侦测方法的流程示意图。如图1所示，本申请实施例提供的阈值电压侦测方法包括以下步骤：
步骤S1、提供像素；像素包括驱动晶体管、开关晶体管、感测晶体管、电容及发光元件；驱动晶体管的栅极、开关晶体管的源极以及电容的第一端均与第一节点电连接，驱动晶体管的漏极与第一电源电连接，驱动晶体管的源极、感测晶体管的漏极以及电容的第二端均与第二节点电连接，开关晶体管的栅极与扫描线电连接，开关晶体管的漏极与数据线电连接，感测晶体管的栅极与控制线电连接，感测晶体管的源极与采样线电连接。
需要说明的是，本申请实施例提供的像素仅仅只是一种示例，本领域技术人员可以根据具体需要对像素进行设置。也即，本申请实施例提供的像素不仅仅包括以上描述的器件，本申请实施例提供的像素还可以包括其他器件。比如：为了进一步提升对发光元件发光时间的控制，可以在第一电源和驱动晶体管之间设置一晶体管，和/或，在第二节点和发光元件之间可以设置一晶体管。
其中，驱动晶体管用于控制流经驱动晶体管及发光元件的驱动电流。开关晶体管用于在扫描线供应的扫描信号的控制下将数据线供应的数据电压供应至第一节点(驱动晶体管的栅极)。感测晶体管用于在控制线供应的控制信号的控制下将采样线供应的预设源极电压供应至第二节点(驱动晶体管的源极)。感测晶体管还用于在控制线供应的控制信号的控制下对与采样线电连接的第二节点进行侦测。发光元件可以是包括有机发光层的有机发光二极管，也可以是由无机材料形成的无机发光元件。
在一些实施例中，驱动晶体管、开关晶体管以及感测晶体管可以为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管中的一种或者多种。本申请实施例提供的像素中的晶体管可以为同一种类型的晶体管，从而可以避免不同类型的晶体管之间的差异性对像素造成的影响。
本申请提供的阈值电压侦测方法，结合新的侦测时序，并利用直接计算获取的初始数据电压，多次对第一节点的电压进行初始化。并在每次初始化第一节点和第二节点的电压后，在预设时间段内对第二节点的电压进行侦测。最后根据多次侦测到的第二节点的电压以及预设电压得到目标阈值电压。一方面，实现对第二节点的电压的恒流侦测，提高侦测速率。另一方面可以减少迭代次数，提升对像素中驱动晶体管的目标阈值电压迭代侦测的效率以及改善侦测到的目标阈值电压的收敛性。
具体的，请参阅图2和图3，图2是本申请实施例提供的像素的等效电路示意图。图3是图2所示的像素的等效电路的时序示意图。
如图2所示，本申请实施例提供的像素10包括驱动晶体管DT、开关晶体管T1、感测晶体管T2、电容Cst及发光元件D。驱动晶体管DT的栅极与第一节点g电连接。驱动晶体管DT的漏极与第一电源ELVDD电连接。驱动晶体管DT的源极与第二节点s电连接。开关晶体管T1的栅极与扫描线11电连接。开关晶体管T1的漏极与数据线12电连接。开关晶体管T1的源极与第一节点g电连接。感测晶体管T2的栅极与控制线13电连接。感测晶体管T2的源极与采样线14电连接。采样线14与第一开关元件Samp的第一端电连接。第一开关元件Samp的第二端与侦测源ADC(Analog To Digital Converter，模拟数字转换器)电连接。采样线14与第二开关元件Spre的第一端电连接。第二开关元件Spre的第二端与初始电源Vprer电连接。电容Cst的第一端与第一节点g电连接。电容Cst的第二端与第二节点s电连接。
其中，第一开关元件Samp用于导通或者断开采样线14与侦测源ADC之间的线路。第二开关元件Spre用于导通或者断开采样线14与初始电源Vprer之间的线路。侦测源ADC用于侦测采样线14上的电压，即侦测第二节点s的电压。初始电源Vprer用于提供预设源极电压Vref至第二节点s。
结合图2和图3，像素10的驱动时序包括初始化时间段t1、预设时间段t2以及侦测时间段t3。在初始化时间段t1，扫描线11供应扫描信号S1，使得开关晶体管T1导通。数据线12供应数据电压Vdata至第一节点g，从而使得第一节点g的电压等于数据电压Vdata。与此同时，控制线13供应控制信号S2，使得感测晶体管T2导通。第一开关元件Samp截止，第二开关元件Spre导通，初始电源Vprer供应预设源极电压Vref至第二节点s，从而使得第二节点s的电压等于预设源极电压Vref。
在预设时间段t2，扫描线11停止供应扫描信号S1，开关晶体管T1截止，从而使得第一节点g处于浮空状态。第一开关元件Samp截止以及第二开关元件Spre截止。控制线13继续供应控制信号S2，感测晶体管T2导通，从而使得采样线14处于浮空状态。此时，驱动电流给采样线14充电，使得第二节点s的电压抬升。因为第一节点g处于浮空状态，根据电容耦合效应，电容Cst两端的电势差维持不变，即第一节点g与第二节点s之间的压差不变。因此，流经驱动晶体管DT的驱动电流不变，实现恒流功能。
在侦测时刻t3，控制线13继续供应控制信号S2，感测晶体管T2导通，第二开关元件Spre导通。在预设时间段后，侦测源ADC对第二节点s进行侦测，获得驱动晶体管DT的初始阈值电压。
需要说明的是，上述内容仅对在一次迭代过程中像素10的驱动时序进行说明，以便于理解如何实现初始阈值电压的侦测，以及如何在侦测过程中实现恒流。具体的迭代计算过程将在以下实施例中进行说明。
步骤S2、初始化第一节点和第二节点的电压，以使得驱动晶体管导通；其中，Vdatan＝Vthn-1+Vdata0，n表示迭代的次数，Vdatan表示第n+1次初始化第一节点时的初始数据电压，Vdata0表示第1次初始化第一节点时的预设数据电压，Vthn-1表示对第二节点的电压进行第n次侦测时的初始阈值电压，n为大于1的整数。
其中，在迭代计算过程中，本申请实施例需要多次对第一节点g以及第二节点s进行初始化。需要说明的是，多次对第一节点g进行初始化之间是不连续的，且每次对第一节点g进行初始化的数据电压均不相同。多次对第二节点s进行初始化之间是不连续的，且每次对第二节点s进行初始化的初始源极电压均相同。比如：当对第一节点g进行第1次初始化后，先执行其他步骤，待其他步骤执行完后，可再对第一节点g进行第2次初始化。其中，对第一节点g进行第1次初始化后第一节点g的电压不等于对第一节点g进行第2次初始化后第一节点g的电压。当对第二节点s进行第1次初始化后，先执行其他步骤，待其他步骤执行完后。可再对第二节点s进行第2次初始化，其中，对第二节点s进行第1次初始化后第二节点s的电压等于对第二节点s进行第2次初始化后第二节点的电压。
在侦测目标阈值电压的过程中，像素10的驱动时序包括多个迭代时间段，比如，第0次迭代时间段、第1次迭代时间段等。每个迭代时间段均包括初始化时间段t1、预设时间段t2以及侦测时间段t3，在此不一一赘述。
需要说明的是，在本申请实施例中，在对第一节点g和第二节点s的电位进行第一次初始化，以及对第二节点s进行第一次侦测时，不存在迭代的过程。因此，第一次初始化以及第一次侦测的过程也称为第0次迭代；第二次初始化以及第二次侦测的过程也称为第1次迭代；以此类推，在此不一一赘述。
具体的，结合图2-图4，图4是本申请实施例提供的多次迭代计算的结果示意图。
在第0次迭代时，也即当第1次初始化第一节点g和第二节点s时，FB＝0。步骤S2(初始化时间段t1)具体包括：扫描线11供应扫描信号S1，使得开关晶体管T1导通。数据线12将预设数据电压Vdata0供应至第一节点g，从而使得第一节点g的电压等于初始数据电压Vdata0。与此同时，控制线13供应控制信号S2，使得感测晶体管T2导通。第一开关元件Samp截止，第二开关元件Spre导通。初始电源Vprer供应预设源极电压Vref至第二节点s，从而使得第二节点s的电压等于预设源极电压Vref。
在第1次迭代时，也即当第2次初始化第一节点g和第二节点s时，FB＝1。步骤S2具体包括：扫描线11供应扫描信号S1，使得开关晶体管T1导通，数据线12供应初始数据电压Vdata1供应至第一节点g，从而使得第一节点g的电压等于初始数据电压Vdata1。与此同时，控制线13供应控制信号S2，使得感测晶体管T2导通。第一开关元件Samp截止，第二开关元件Spre导通，初始电源Vprer供应预设源极电压Vref至第二节点s，从而使得第二节点s的电压等于预设源极电压Vref。
在第n次迭代时，也即当第n+1次初始化第一节点g和第二节点s时，FB＝n。步骤S2具体包括：扫描线供S1应扫描信号S1，使得开关晶体管T1导通，数据线12供应初始数据电压Vdatan至第一节点g。其中，Vdatan＝Vthn-1+Vdata0，n表示迭代的次数。Vdatan表示第n+1次初始化所述第一节点时的初始数据电压。Vdata0表示第1次初始化所述第一节点时的预设数据电压。Vthn-1表示对所述第二节点的电压进行第n次侦测时获得的初始阈值电压。n为大于1的整数。
在本申请实施例中，对第一节点g进行第1次初始化后第一节点g的电压为预设数据电压Vdata0。预设数据电压Vdata0可以根据需要进行设定。对第一节点g进行第n次初始化后第一节点g的电压可以根据以上公式计算得到。对第二节点s进行初始化后第二节点s的电压等于预设源极电压Vref。预设源极电压Vref可以根据需要进行设定。
在本申请实施例中，预设数据电压Vdata0与预设源极电压Vref之间的差值大于驱动晶体管DT的阈值电压。初始数据电压Vdatan与预设源极电压Vref之间的差值大于驱动晶体管DT的阈值电压。基于此，当第一节点g和第二节点s进行初始化后，可以使得驱动晶体管DT导通。
可知，在本申请实施例中，可通过直接计算得到每次迭代计算时的初始数据电压Vdatan，一方面可以减小迭代的次数，提高侦测速率。另一方面可以保证迭代计算的收敛性。
以下将对上述列出的初始数据电压Vdatan的计算公式进行说明。
请参阅图2和5，图5是本申请实施例提供的直接计算初始数据电压的说明示意图。其中，驱动晶体管DT的饱和区电流公式为：
Figure BDA0003395718280000091
其中，μ为驱动晶体管DT的迁移率。W/L为驱动晶体管DT的有源层宽长比。Cox为单位面积栅氧化层电容。Vg为第一节点g的电压。Vs为第二节点s的电压。Vth为驱动晶体管DT的真实阈值电压。
令
Figure BDA0003395718280000092
另外，电压电流关系满足：ΔV＝I*t/Csen。其中，Csen为侦测线路的寄生电容。
则对于某一像素10的驱动晶体管DT，第a次迭代侦测：Ia＝K*(Vga-Vref-Vth)2。由上述内容可知，侦测过程中驱动电流恒流，所以Ia不变。Vs的变化量如下：ΔVsa＝Ia*t/Csen。其中，ΔVsa为Vs在一次侦测中从Vref抬升至Vsa的电压变化量，即：ΔVsa＝Vsa-Vref。
对于驱动晶体管DT的第b次迭代侦测，同理可得：Ib＝K*(Vgb-Vref-Vth)2，ΔVsb＝Ib*t/Csen。
所以，Ia/Ib＝(Vga-Vref-Vth)2/(Vgb-Vref-Vth)2，ΔVsa/ΔVsb＝Ia/Ib。
然后令：α＝ΔVsa/ΔVsb，求解Vth可得(Vga、Vgb为系统计算输出的已知量，即为预设数据电压。Vsa、Vsb为侦测得到的已知量，即为预设源极电压)：
Figure BDA0003395718280000101
若需要第n次迭代侦测完成让Vs收敛至预设电压Vtrg，可得：
In＝K*(Vgn-Vref-Vth)2，ΔVsn＝In*t/Csen＝ΔVtrg。
其中，ΔVtrg＝Vtrg-Vref，In/Ia＝(Vgn-Vref-Vth)2/(Vga-Vref-Vth)2，ΔVtrg/ΔVsa＝In/Ia。
令：β＝ΔVtrg/ΔVsa，求解Vgn可得：
Figure BDA0003395718280000102
再将前式(1)求解得到的Vth代入式(2)，即可得到Vgn的具体数值，此时计算得到Vthn-1＝Vgn-Vg0。
需要说明的是，Vg0即为预设数据电压Vdata0。计算公式中a、b无明确大小关系，可以任取两次侦测来计算。n需要满足大于a和b(因为是以a和b的数据为基础计算得到第n次迭代侦测需要施加的栅极电压大小，也即初始数据电压)。
因此，可以任取两次侦测直接计算得到新的预设数据电压，对第一节点g的电位进行初始化，以减少迭代的次数以及改善迭代收敛性。
步骤S3、维持流经驱动晶体管的驱动电流不变，且间隔预设时间段后，对第二节点的电压进行侦测。
其中，本申请实施例需要多次对第二节点s的电压进行侦测。需要说明的是，多次对第二节点s的电压进行侦测之间是不连续的。比如：当对第二节点s的电压进行第1次侦测后，先执行其他步骤，待其他步骤执行完后，可再对第二节点s的电压进行第2次侦测。
具体的，步骤S3具体包括：控制开关晶体管T1截止，控制感测晶体管T2导通，控制采样线14处于浮空状态，以维持流经驱动晶体管DT的驱动电流不变。此时，驱动电流给采样线14充电，使得第二节点s的电压抬升。当感测时间达到设定的间隔预设时间段后，第二节点s的电压抬升到一定数值。第一开关元件Samp打开，ADC通过采样线14对第二节点s的电压进行侦测，获得第二节点s的电压Vsn。
其中，间隔预设时间段可以设置很短。在本申请实施例中，间隔预设时间段介于0.2毫秒至1.2毫秒之间。例如，间隔预设时间段可以是0.2毫秒、0.5毫秒、1毫秒、1.5毫秒等。由于间隔预设时间段很短，且本申请实施例可以减少迭代次数，因此可以有效提高迭代侦测的速度。
步骤S4、根据第二节点的电压以及预设电压得到初始阈值电压。
其中，本申请实施例需要得到多个初始阈值电压。具体的，步骤S4包括：计算得到初始阈值电压Vthn＝(Vtrg-Vsn)，其中，Vtrg为预设电压。Vsn表示对第二节点s进行第n+1次侦测时的第二节点s的电压。Vthn表示对第二节点s的电压进行第n+1次侦测时的初始阈值电压。n为大于0的整数。
比如：当对第二节点s的电压进行第1次侦测后，根据第1次侦测后的第二节点s的电压Vs0以及预设电压Vtrg得到第1个初始阈值电压Vth0。当对第二节点s的电压进行第2次侦测后，根据第1次侦测后的第二节点s的电压Vs1以及预设电压Vtrg得到第2个初始阈值电压Vth1。以此类推，在此不一一赘述。
步骤S5、将第二节点的电压与预设电压进行比较，若第二节点的电压不等于预设电压，则返回步骤S2；若第二节点的电压等于预设电压，则根据初始阈值电压得到目标阈值电压。
其中，将第二节点s的电压Vsn与预设电压Vtrg比较。若第二节点s的电压Vsn不等于预设电压Vtrg。也即，在本申请实施例提供的阈值电压侦测方法中，先执行步骤S1，接着执行步骤S2，再接着执行步骤S3，紧接着执行步骤S4。若第二节点s的电压Vsn不等于预设电压Vtrg，则继续执行步骤S2、步骤S3以及步骤S4，直至第二节点s的电压Vsn等于预设电压Vtrg。
具体的，若第二节点s的电压等于预设电压Vtrg，则根据初始阈值电压得到目标阈值电压的步骤，具体包括：获取多个初始阈值电压，并将除第一次侦测获取的所述初始阈值电压之外的多个初始阈值电压进行求和运算，以获得目标阈值电压。
需要说明的是，当Vsn＝Vtrg，此时Vthn＝0。随着迭代次数增加，初始数据电压不再改变，即Vdatan不再改变。此时，计算得到目标阈值电压Vth’。
进一步的，本申请实施例提供的阈值电压侦测方法还包括：根据不同的像素的目标阈值电压得到不同的像素的阈值电压之间的差异。
其中，计算得到的目标阈值电压Vth’并非驱动晶体管DT的真实阈值电压。而是包含不同驱动晶体管DT真实阈值电压差异信息的值。虽然不是真实的阈值电压，但在补偿时因为可以消除阈值电压差异，所以同样可以达到消除显示不均的目的。具体的原理如下所示：
根据饱和区电流公式：
Figure BDA0003395718280000121
令
Figure BDA0003395718280000122
则取两次侦测的电流为：
Figure BDA0003395718280000124
迭代稳定电流为：
I1′＝K1(Vgs+ΔV1-Vt1)2，I2′＝K2(Vgs+ΔV2-Vt2)2，I2′＝I1′。
ΔV1和ΔV2的关系为：
Figure BDA0003395718280000123
当不同驱动晶体管TD的K相等时，即K1＝K2时，ΔV1-ΔV2＝Vt1-Vt2，侦测结果可完全反应驱动晶体管DT的真实阈值电压Vth的差异。
需要说明的是，在本申请实施例中，由于流经驱动晶体管DT的驱动电流的恒流的特性，当侦测条件以及驱动晶体管DT的自身特性满足一定条件时，将会导致迭代侦测得到的第二节点s的电压关于预设电压高低波动，无法实现收敛或需要更多的迭代次数来达到侦测得到的第二节点s的电压收敛于预设电压。基于此，本申请实施例利用上述公式直接计算初始数据电压Vdatan，在理想情况下，第二次迭代计算时，第二节点s的电压Vs2即收敛于预设电压Vtrg。从而减少迭代次数，提升侦测效率以及改善侦测结果不收敛情况。
比如，请参阅图6，图6是本申请实施例提供的直接计算结合迭代的方法与常规迭代计算的仿真示意图。如图6所示，本实施例是以a＝0，b＝1，n＝2(即迭代两次)，以及预设电压Vtrg等于4V为例进行仿真。可知，采用直接计算结合迭代的计算方法相较于常规迭代计算，能够加速迭代收敛。
本申请还提供一种显示装置。显示装置包括多个像素，多个像素均采用上述任一实施例所述的阈值电压侦测方法，对像素进行阈值电压侦测，具体可参阅上述内容，在此不再赘述。
在本申请实施例中，显示装置可以是智能手机、平板电脑、视频播放器、个人计算机(PC)等，本申请对此不作限定。
具体的，请参阅图7，图7是本申请提供的显示装置的一种结构示意图。显示装置100包括像素10。像素10呈阵列排布。因为采用外部补偿方案时，像素中驱动晶体管的阈值电压的侦测只能在黑画面下进行，所以会占用用户开机前或关机后的待机时间，极大影响用户使用体验。
本申请提供的显示装置100中，通过新的侦测时序，实现在侦测过程中流过驱动晶体管的驱动电流恒定。然后，通过迭代的方式，让驱动晶体管的源极的电压经过多次迭代后，在侦测时间内均抬升至预设电压，从而得到目标阈值电压；这种方式下流过驱动晶体管的驱动电流不会像传统源跟随侦测方法一样随时间减小，并且电流大小可以通过侦测时间、预设电压来控制，所以在侦测中向侦测线路充电速度可以很快。同时，在迭代时，通过直接计算获取初始数据电压，可以提升驱动晶体管的阈值电压迭代侦测的效率，从而提高用户使用体验。
以上仅为本申请的实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种阈值电压侦测方法，其特征在于，包括：
步骤S1、提供像素；所述像素包括驱动晶体管、开关晶体管、感测晶体管、电容及发光元件；所述驱动晶体管的栅极、所述开关晶体管的源极以及所述电容的第一端均与第一节点电连接，所述驱动晶体管的漏极与第一电源电连接，所述驱动晶体管的源极、所述感测晶体管的漏极以及所述电容的第二端均与第二节点电连接，所述开关晶体管的栅极与扫描线电连接，所述开关晶体管的漏极与数据线电连接，所述感测晶体管的栅极与控制线电连接，所述感测晶体管的源极与采样线电连接；
步骤S2、初始化所述第一节点和所述第二节点的电压，以使得所述驱动晶体管导通；其中，Vdatan＝Vthn-1+Vdata0，n表示迭代的次数，Vdatan表示第n+1次初始化所述第一节点时的初始数据电压，Vdata0表示第1次初始化所述第一节点时的预设数据电压，Vthn-1表示对所述第二节点的电压进行第n次侦测时获得的初始阈值电压，n为大于1的整数；
步骤S3、维持流经所述驱动晶体管的驱动电流不变，且间隔预设时间段后，对所述第二节点的电压进行侦测；
步骤S4、根据所述第二节点的电压以及预设电压得到初始阈值电压；
步骤S5、将所述第二节点的电压与所述预设电压进行比较，若所述第二节点的电压不等于所述预设电压，则返回步骤S2；若所述第二节点的电压等于所述预设电压，则根据所述初始阈值电压得到目标阈值电压。
2.根据权利要求1所述的阈值电压侦测方法，其特征在于，当第1次初始化所述第一节点和所述第二节点时，所述步骤S2具体包括：所述扫描线供应扫描信号，使得所述开关晶体管导通，所述数据线供应所述预设数据电压至所述第一节点；所述控制线供应侦测控制信号，使得所述感测晶体管导通，所述采样线供应预设源极电压至所述第二节点。
3.根据权利要求1所述的阈值电压侦测方法，其特征在于，当第n次初始化所述第一节点和所述第二节点时，所述步骤S2具体包括：所述扫描线供应扫描信号，使得所述开关晶体管导通，所述数据线供应所述初始数据电压至所述第一节点，所述控制线供应侦测控制信号，使得所述感测晶体管导通，所述采样线供应预设源极电压至所述第二节点，n为大于1的整数。
4.根据权利要求2或3所述的阈值电压侦测方法，其特征在于，所述预设数据电压大于所述预设源极电压，且所述预设数据电压与所述预设源极电压之间的差值大于所述驱动晶体管的阈值电压。
5.根据权利要求1所述的阈值电压侦测方法，其特征在于，所述步骤S3具体包括：控制所述开关晶体管截止，控制所述感测晶体管导通，控制所述采样线处于浮空状态，以维持流经所述驱动晶体管的驱动电流不变；间隔所述预设时间段，通过所述采样线对所述第二节点的电压进行侦测。
6.根据权利要求1所述的阈值电压侦测方法，其特征在于，所述步骤S4具体包括：计算得到初始阈值电压Vthn＝Vtrg-Vsn，其中，Vtrg为所述预设电压，Vsn表示对所述第二节点进行第n+1次侦测时的所述第二节点的电压，Vthn表示对所述第二节点的电压进行第n+1次侦测时的初始阈值电压，n为大于0的整数。
7.根据权利要求1所述的阈值电压侦测方法，其特征在于，所述若所述第二节点的电压等于所述预设电压，则根据所述初始阈值电压得到目标阈值电压的步骤，具体包括：获取多个所述初始阈值电压，并将除第一次侦测获取的所述初始阈值电压之外的多个所述初始阈值电压进行求和运算，以获得目标阈值电压。
8.根据权利要求1所述的阈值电压侦测方法，其特征在于，所述阈值电压侦测方法还包括：根据不同的所述像素的目标阈值电压得到不同的所述像素的阈值电压之间的差异。
9.根据权利要求1所述的阈值电压侦测方法，其特征在于，所述间隔时间段介于0.2毫秒至1.2毫秒之间。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括多个像素，在所述显示装置开机前或关机后的待机时间，采用如权利要求1-9任一项所述的阈值电压侦测方法，对所述像素进行阈值电压侦测。
CN202111482234.0A 2021-12-07 2021-12-07 阈值电压侦测方法和显示装置 Active CN114038421B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111482234.0A CN114038421B (zh) 2021-12-07 2021-12-07 阈值电压侦测方法和显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111482234.0A CN114038421B (zh) 2021-12-07 2021-12-07 阈值电压侦测方法和显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114038421A true CN114038421A (zh) 2022-02-11
CN114038421B CN114038421B (zh) 2022-08-05

Family

ID=80146296

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111482234.0A Active CN114038421B (zh) 2021-12-07 2021-12-07 阈值电压侦测方法和显示装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114038421B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114203080A (zh) * 2021-12-17 2022-03-18 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阈值电压侦测方法、侦测装置及显示装置

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100225634A1 (en) * 2009-03-04 2010-09-09 Levey Charles I Electroluminescent display compensated drive signal
US20140285407A1 (en) * 2004-12-15 2014-09-25 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in amoled displays
CN106097943A (zh) * 2016-08-08 2016-11-09 深圳市华星光电技术有限公司 Oled驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法
US20170004764A1 (en) * 2015-06-30 2017-01-05 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display, device for sensing threshold voltage of driving tft in organic light emitting display, and method for sensing threshold voltage of driving tft in organic light emitting display
CN106328061A (zh) * 2016-10-14 2017-01-11 深圳市华星光电技术有限公司 Oled像素混合补偿电路及混合补偿方法
CN106782320A (zh) * 2016-12-29 2017-05-31 深圳市华星光电技术有限公司 Oled驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法
EP3367374A1 (en) * 2017-02-28 2018-08-29 IMEC vzw An active matrix display and a method for threshold voltage compensation in an active matrix display
CN110164342A (zh) * 2019-05-23 2019-08-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种驱动晶体管的阈值电压侦测方法及装置、显示装置
CN111312167A (zh) * 2020-04-03 2020-06-19 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 电压输出方法、装置、控制器及存储介质
US20200388215A1 (en) * 2019-06-10 2020-12-10 Apple Inc. Image Data Compensation Based on Predicted Changes in Threshold Voltage of Pixel Transistors
CN112562557A (zh) * 2020-12-30 2021-03-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 像素驱动电路及驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法
US20210304673A1 (en) * 2020-03-31 2021-09-30 Apple Inc. Configurable pixel uniformity compensation for oled display non-uniformity compensation based on scaling factors
WO2021196288A1 (zh) * 2020-04-02 2021-10-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 像素驱动电路及显示面板

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140285407A1 (en) * 2004-12-15 2014-09-25 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in amoled displays
US20100225634A1 (en) * 2009-03-04 2010-09-09 Levey Charles I Electroluminescent display compensated drive signal
US20170004764A1 (en) * 2015-06-30 2017-01-05 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display, device for sensing threshold voltage of driving tft in organic light emitting display, and method for sensing threshold voltage of driving tft in organic light emitting display
CN106097943A (zh) * 2016-08-08 2016-11-09 深圳市华星光电技术有限公司 Oled驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法
CN106328061A (zh) * 2016-10-14 2017-01-11 深圳市华星光电技术有限公司 Oled像素混合补偿电路及混合补偿方法
CN106782320A (zh) * 2016-12-29 2017-05-31 深圳市华星光电技术有限公司 Oled驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法
EP3367374A1 (en) * 2017-02-28 2018-08-29 IMEC vzw An active matrix display and a method for threshold voltage compensation in an active matrix display
CN108510942A (zh) * 2017-02-28 2018-09-07 Imec 非营利协会 有源矩阵显示器和用于其中的阈值电压补偿的方法
CN110164342A (zh) * 2019-05-23 2019-08-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种驱动晶体管的阈值电压侦测方法及装置、显示装置
US20200388215A1 (en) * 2019-06-10 2020-12-10 Apple Inc. Image Data Compensation Based on Predicted Changes in Threshold Voltage of Pixel Transistors
US20210304673A1 (en) * 2020-03-31 2021-09-30 Apple Inc. Configurable pixel uniformity compensation for oled display non-uniformity compensation based on scaling factors
WO2021196288A1 (zh) * 2020-04-02 2021-10-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 像素驱动电路及显示面板
CN111312167A (zh) * 2020-04-03 2020-06-19 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 电压输出方法、装置、控制器及存储介质
CN112562557A (zh) * 2020-12-30 2021-03-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 像素驱动电路及驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114203080A (zh) * 2021-12-17 2022-03-18 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阈值电压侦测方法、侦测装置及显示装置
CN114203080B (zh) * 2021-12-17 2023-11-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阈值电压侦测方法、侦测装置及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN114038421B (zh) 2022-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108417169B (zh) 像素电路的检测方法、显示面板的驱动方法和显示面板
US11308875B2 (en) Detection method of pixel circuit, driving method of display panel and display panel
EP3279888B1 (en) Detection circuit, detection method and driving system
US10242625B2 (en) Pixel driving circuit, pixel driving method and display apparatus
CN109509428B (zh) 像素驱动电路、像素驱动方法和显示装置
CN109192141B (zh) 显示面板及其检测方法、显示装置
US10755636B2 (en) Pixel circuit and driving method for the same, display substrate and display device
US10535299B2 (en) Pixel circuit, array substrate, display device and pixel driving method
CN109817165B (zh) 像素驱动电路、像素驱动方法、显示面板和显示装置
US20200035158A1 (en) Pixel driving circuit, method for driving the same and display device
US20220375416A1 (en) Display device, and method of sensing a driving characteristic
CN105210139A (zh) 提取有源矩阵有机发光器件显示器中的参数的系统和方法
JP5473263B2 (ja) 表示装置及びその駆動方法
JP2010066331A (ja) 表示装置
CN110969989A (zh) 像素电路的驱动方法和控制驱动方法
CN109389937B (zh) 一种像素电路、显示装置及像素电路的驱动方法
CN114038421B (zh) 阈值电压侦测方法和显示装置
WO2020259545A1 (zh) 显示面板的充电时间的控制装置及控制方法、电子设备
CN114203080B (zh) 阈值电压侦测方法、侦测装置及显示装置
CN110097840B (zh) 像素电路的检测方法、显示面板的驱动方法和显示装置
CN114038422B (zh) 迁移率侦测补偿方法和显示装置
CN113966529A (zh) 像素电路及其驱动方法和显示装置
CN111462700A (zh) 主动发光型显示像素电路、显示方法及主动型发光显示器
CN114758598A (zh) 阈值电压侦测方法、侦测装置及显示装置
US11610551B2 (en) Display device and method of sensing a threshold voltage

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant