CN111312167A - 电压输出方法、装置、控制器及存储介质 - Google Patents

电压输出方法、装置、控制器及存储介质 Download PDF

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Abstract

本发明提供了电压输出方法、装置、控制器及存储介质，应用于一包括驱动薄膜晶体管的像素电路，将第一电压和第二电压分别加载在驱动薄膜晶体管的控制端、输出端，获取驱动薄膜晶体管的输出端稳定后的输出电压，判断输出电压与标准电压的差值是否满足预设条件，当不满足预设条件时，根据输出电压与标准电压更新第一电压，以及得到对应的目标电压，并返回执行将第一电压和第二电压分别加载在驱动薄膜晶体管的控制端、输出端的步骤，直至满足预设条件，则将全部的目标电压相加得到驱动薄膜晶体管的阈值电压，并输出阈值电压；此方案可以提高驱动薄膜晶体管的阈值电压检测的准确度，以更好地解决OLED显示器显示画面不均的问题。

Description

电压输出方法、装置、控制器及存储介质
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及电压输出方法、装置、控制器及存储介质。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示器件具备重量轻、厚度薄、可弯曲、视角范围大等优点。但是，OLED显示器件中存在控制OLED发光的驱动薄膜晶体管的阈值电压不稳定、以及OLED老化等问题,使得驱动OLED发光的电流不稳定，造成OLED显示器的显示画面不均匀。
目前，业界通过对驱动OLED发光的电流或者与之相关的电压进行侦测及补偿来解决OLED显示器显示画面不均的问题。但是，现有的被侦测点的电压值或者电流值会处于侦测模块的侦测范围的两端造成回传值与实际值偏差较大，甚至被侦测点的电压值或者电流值会超过侦测模块的侦测范围造成数据溢出以至于获取错误的回传值。
因此，有必要提供可以提高侦测模块的回传值的准确度的电压输出方法、装置、控制器及存储介质。
发明内容
本发明实施例提供电压输出方法、装置、控制器及存储介质，在驱动薄膜晶体管的控制端、输出端分别加载第一电压和第二电压，若输出端稳定后的输出电压与标准电压之间的差值不满足预设条件，则根据输出电压与标准电压更新第一电压，以及得到对应的目标电压，直至上述差值满足预设条件，则将全部的目标电压相加得到驱动薄膜晶体管的阈值电压；以解决现有的显示面板的像素电路中驱动薄膜晶体管的阈值电压的检测值误差较大或者超过检测范围引起检测值完全错误，最终造成的驱动薄膜晶体管的阈值电压检测的准确度较低的问题。
本发明实施例提供电压输出方法，应用于一像素电路，所述像素电路包括驱动薄膜晶体管，所述方法包括：
将第一电压加载在所述驱动薄膜晶体管的控制端，将第二电压加载在所述驱动薄膜晶体管的输出端；
当所述驱动薄膜晶体管的输出端的输出电压稳定后，获取所述输出电压；
判断所述输出电压与标准电压的差值是否满足预设条件；
当所述输出电压与所述标准电压的差值不满足所述预设条件时，根据所述输出电压与所述标准电压更新所述第一电压，根据所述输出电压与所述标准电压得到对应的目标电压，并返回执行将第一电压加载在所述驱动薄膜晶体管的控制端，将第二电压加载在所述驱动薄膜晶体管的输出端的步骤，直至所述输出电压与所述标准电压的差值满足所述预设条件；
当所述输出电压与所述标准电压的差值满足所述预设条件时，将全部的所述目标电压相加得到所述驱动薄膜晶体管的阈值电压，并输出所述阈值电压。
在一实施例中，首次执行所述将第一电压加载在所述驱动薄膜晶体管的控制端，将第二电压加载在所述驱动薄膜晶体管的输出端的步骤之后，包括：
将所述第一电压设置为所述标准电压；
所述判断所述输出电压与标准电压的差值是否满足预设条件的步骤，包括：
获取所述输出电压与所述标准电压的差值；
判断所述差值是否为0，若所述差值为0，则所述输出电压与标准电压的差值满足所述预设条件。
在一实施例中，所述当所述输出电压与所述标准电压的差值不满足所述预设条件时，根据所述输出电压与所述标准电压更新所述第一电压，根据所述输出电压与所述标准电压得到对应的目标电压，再返回执行将第一电压加载在所述驱动薄膜晶体管的控制端，将第二电压加载在所述驱动薄膜晶体管的输出端步骤，直至所述输出电压与所述标准电压的差值满足所述预设条件的步骤，包括：
获取所述输出电压与所述标准电压的差值；
更新所述第一电压为当前的第一电压与当前的差值之和。
在一实施例中，所述当所述输出电压与所述标准电压的差值不满足所述预设条件时，根据所述输出电压与所述标准电压更新所述第一电压，根据所述输出电压与所述标准电压得到对应的目标电压，再返回执行将第一电压加载在所述驱动薄膜晶体管的控制端，将第二电压加载在所述驱动薄膜晶体管的输出端步骤，直至所述输出电压与所述标准电压的差值满足所述预设条件的步骤，包括：
获取所述输出电压与所述标准电压的差值作为对应的目标电压。
在一实施例中，所述当所述驱动薄膜晶体管的输出端的输出电压稳定后，获取所述输出电压的步骤，包括：
当所述驱动薄膜晶体管的输出端的电压的波动范围不超过预设波动范围，且维持的时间不少于预设时间，获取在所述维持的时间内的所述输出端的电压的均值作为所述输出电压。
本发明实施例提供电压输出装置，应用于一像素电路，所述像素电路包括驱动薄膜晶体管，所述电压输出装置包括：
电压模块，用于将第一电压加载在所述驱动薄膜晶体管的控制端，将第二电压加载在所述驱动薄膜晶体管的输出端；
获取模块，用于当所述驱动薄膜晶体管的输出端的输出电压稳定后，获取所述输出电压；
判断模块，用于判断所述输出电压与标准电压的差值是否满足预设条件；
第一控制模块，用于当所述输出电压与所述标准电压的差值不满足所述预设条件时，根据所述输出电压与所述标准电压更新所述第一电压，根据所述输出电压与所述标准电压得到对应的目标电压，并返回执行将第一电压加载在所述驱动薄膜晶体管的控制端，将第二电压加载在所述驱动薄膜晶体管的输出端的步骤，直至所述输出电压与所述标准电压的差值满足所述预设条件；
第二控制模块，用于当所述输出电压与所述标准电压的差值满足所述预设条件时，将全部的所述目标电压相加得到所述驱动薄膜晶体管的阈值电压，并输出所述阈值电压。
在一实施例中，所述电压模块，还用于首次执行所述将第一电压加载在所述驱动薄膜晶体管的控制端，将第二电压加载在所述驱动薄膜晶体管的输出端的步骤之后，将所述第一电压设置为所述标准电压；
所述判断模块包括：
获取子模块，用于获取所述输出电压与所述标准电压的差值；
判断子模块，用于判断所述差值是否为0，若所述差值为0，则所述输出电压与标准电压的差值满足所述预设条件。
在一实施例中，所述第一控制模块包括：
控制子模块，用于获取所述输出电压与所述标准电压的差值；
第一处理子模块，用于更新所述第一电压为当前的第一电压与当前的差值之和。
本发明实施例还提供控制器，所述控制器用于执行存储于存储器的若干指令，以实现如上述全部或部分电压输出方法。
本发明实施例还提供存储介质，所述存储介质中存储若干指令，所述指令用于供控制器执行以实现如上述全部或部分电压输出方法。
本发明提供了电压输出方法、装置、控制器和存储介质，通过判断输出电压与标准电压的差值是否满足预设条件，来选择执行根据输出电压与标准电压更新第一电压、计算目标电压，并返回执行将第一电压和第二电压加载在驱动薄膜晶体管的控制端和输出端，或者选择执行将全部的所述目标电压相加得到所述驱动薄膜晶体管的阈值电压；综上所述，本方案并不是直接获取某一次的输出电压经过计算得到驱动薄膜晶体管的阈值电压，而是在输出电压与标准电压的差值不满足预设条件时，更新第一电压继续得到新的输出电压，直至上述差值满足预设条件，计算之前全部的目标电压之和作为驱动薄膜晶体管的阈值电压，考虑了每次检测的误差值，提高了驱动薄膜晶体管的阈值电压检测的准确度，更好地解决了OLED显示器显示画面不均的问题。
附图说明
下面通过附图来对本发明进行进一步说明。需要说明的是，下面描述中的附图仅仅是用于解释说明本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的像素电路图；
图2为本发明实施例提供的电压输出方法的流程图；
图3为现有技术以及本发明实施例提供的输出电压的测量值V5的曲线图；
图4为现有技术提供的输出电压的测量值V5的正态分布图；
图5为本发明实施例提供的输出电压的测量值V5的正态分布图；
图6为本发明实施例提供的电压输出装置的结构框图；
图7为本发明实施例提供的电压模块的结构框图；
图8为本发明实施例提供的电压输出装置和像素电路图相结合的结构示意图；
图9为本发明实施例提供的电压输出装置和像素电路图相结合的时序图；
图10为本发明实施例提供的判断模块的结构框图；
图11为本发明实施例提供的第一控制模块的结构框图；
图12为本发明实施例提供的控制器和存储器的结构框图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明中的术语“第一”、“第二”、“第三”和“第四”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或模块的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或模块，而是可选地还包括没有列出的步骤或模块，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或模块。
在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本发明的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
本发明实施例提供的电压输出方法的执行主体，可以为本发明实施例提供的电压输出装置，或者集成了所述电压输出装置的电子设备，所述电压输出装置可以采用硬件或者软件的方式实现。
本发明实施例提供了电压输出方法、装置、控制器及存储介质。以下将分别进行详细说明。
在一实施例中，本发明实施例提供的电压输出方法，应用于一像素电路，所述像素电路包括驱动薄膜晶体管。
具体的，如图1所示，所述像素电路00包括所述驱动薄膜晶体管01，所述驱动薄膜晶体管01包括控制端02、输入端03和输出端04，所述控制端02和所述输出端04之间通过导线连接一电容05，所述输入端03连接一工作电压，所述输出端04连接一OLED器件06的阳极，所述OLED器件06的阴极接地。可以理解的，所述输入端03在连接一工作电压的情况下，控制所述控制端02的信号可以控制所述输出端04的电压，控制流经所述OLED器件06的电流大小，以控制所述OLED器件06的发光情况。
在一实施例中，结合图1中的所述像素电路00，所述电压输出方法可以包括如下步骤，请参考如图2所示的流程图。
S10，将第一电压加载在所述驱动薄膜晶体管01的控制端02，将第二电压加载在所述驱动薄膜晶体管01的输出端04。
其中，所述第一电压可以大于所述第二电压，需要注意的是，首次执行所述步骤S10时，所述第一电压可以为后期用于获取所述输出端04的电压的模块的测量范围的中间值，例如所述第一电压可以为4.5V，所述第二电压可以为1V。
可以理解的，执行所述步骤S10后，所述电容05的左、右两端的电位也对应等于所述第一电压、所述第二电压。
在一实施例中，首次执行所述步骤S10之后，可以包括如下步骤。
S101，将所述第一电压设置为标准电压。
其中，所述标准电压可以理解为与其他电压相比较，作为参考的电压，所述标准电压的大小可以设置为首次加载在所述驱动薄膜晶体管01的控制端02的电压值，例如当所述第一电压为4.5V时，所述标准电压也为4.5V。
S20，当所述驱动薄膜晶体管01的输出端04的输出电压稳定后，获取所述输出电压。
需要注意的是，执行完所述步骤S10后，需要继续在所述控制端02加载所述第一电压、以及停止在所述输出端04加载所述第二电压后，即将所述输出端04悬空后，此时所述控制端02、所述电容05和所述OLED器件06形成一回路，所述电容05才会放电导致所述输出端04的电位上升，当上述电位变化引起所述控制端02与所述输出端04的电位差等于所述驱动薄膜晶体管01此时的阈值电压时，所述驱动薄膜晶体管01截止，所述输出端04的输出电压不再变化。
在一实施例中，所述步骤S20，可以包括如下步骤。
S201，当所述驱动薄膜晶体管01的输出端04的电压的波动范围不超过预设波动范围，且维持的时间不少于预设时间，获取在所述维持的时间内的所述输出端04的电压的均值作为所述输出电压。
可以理解的，可以根据所述驱动薄膜晶体管01的特性合理地设置所述预设波动范围以及所述预设时间，保证获取的所述输出电压尽可能地接近所述驱动薄膜晶体管01的输出端04的稳定时的电压值，此时若不考虑测量存在误差或者超范围，则可以比较准确地认为所述控制端02和所述输出端04的电压值的差值为所述驱动薄膜晶体管01的阈值电压。
S30，判断所述输出电压与所述标准电压的差值是否满足预设条件。
在一实施例中，所述步骤S30，可以包括如下步骤。
S301，获取所述输出电压与所述标准电压的差值。
可以理解的，当所述像素电路00确定以后，理论上所述输出电压仅由所述第一电压和所述第二电压决定，但实际获取的所述输出电压由于所述像素电路00中其他器件的干扰或者所述用于获取所述输出电压与所述标准电压的差值的模块本身精度等原因，导致所述输出电压的值可能不等于理论值。
如表1-2所示，为采用本方法得到的所述像素电路00中的某些电压的仿真值，其中，表1、表2中对应的所述驱动薄膜晶体管01的阈值电压的理论值Vth分别为4V、(-4)V，可以理解的，所述驱动薄膜晶体管01的阈值电压的理论值Vth与所述驱动薄膜晶体管01的内部结构和材料相关，随着使用时间的累加，所述驱动薄膜晶体管01的阈值电压的理论值可能会发生改变，此处仅以所述驱动薄膜晶体管01刚开始投入使用时的状况进行测量，故本方法最终计算出的所述阈值电压与所述驱动薄膜晶体管01的阈值电压的理论值Vth越接近，则表示测量准确度越高。其中，表1、表2中用于获取所述输出电压的测量值V5的模块的测量范围为3V-6V。
具体的，n表示迭代次数，V1表示所述第一电压，V2表示所述第二电压，V3表示所述标准电压，V4表示所述输出电压的理论值，V5表示所述输出电压的测量值，V6表示所述标准电压V3与所述输出电压的测量值V5之间的差值，V7表示通过本方法计算得到的所述驱动薄膜晶体管01的阈值电压。其中，当n为0表示还未对所述第一电压V1进行迭代处理，当n为3表示累计对所述第一电压V1分别迭代了三次对应的差值V6的处理。
需要注意的是，由于表1、表2中用于获取所述输出电压的测量值V5的模块的测量范围为3V-6V，所述第一电压V1的初始值和所述标准电压V3分别为所述测量范围的中间值4.5V，所述第二电压V2设置为1V；可以理解的，若所述输出电压的理论值V4处于所述测量范围为3V-6V内，则可以认为所述输出电压的测量值V5准确，否则不准确，例如若所述输出电压的理论值V4不大于3V，则所述输出电压的测量值V5均为3V，若所述输出电压的理论值V4大于6V，则所述输出电压的测量值V5均为6V；进一步的，所述输出电压的理论值V4可以理解为用电压表准确地测量所述输出端04的电压值，同样的，也可以根据当前的所述控制端02的电压值，即当前的所述第一电压V1，减去所述驱动薄膜晶体管01的阈值电压的理论值Vth得到当前的所述输出电压的理论值V4。
表1
Figure BDA0002438268090000091
表2
Figure BDA0002438268090000092
S302，判断所述差值是否为0，若所述差值为0，则所述输出电压与标准电压的差值满足所述预设条件。
可以理解的，此处仅以所述输出电压的测量值V5与所述标准电压V3的差值作为判断标准，所述差值V6可以理解为获取到的所述驱动薄膜晶体管01的所述输出电压的测量值V5与所述测量范围的中间值之间的差值；进一步的，当所述差值V6为0则表示所述测量值V5刚好为所述测量范围的中间值，且所述测量值V5的准确度很高，当所述差值V6不为0则表示所述测量值V5不为所述测量范围的中间值，且所述差值V6的绝对值越大则表示所述测量值V5的误差越大。
如表1所示，当首次执行所述步骤S10中的所述第一电压V1为4.5V时，也即当所述标准电压V3为4.5V时，所述驱动薄膜晶体管01的所述输出电压的理论值V4为0.5V，但所述步骤S20中获取的所述输出电压的测量值V5为3V，则此时所述差值V6为1.5V，不等于0，即所述输出电压的测量值V5与标准电压V3的差值V6不满足所述预设条件。
如表2所示，当首次执行所述步骤S10中的所述第一电压V1为4.5V时，也即当所述标准电压V3为4.5V时，所述驱动薄膜晶体管01的所述输出电压的理论值V4为8.5V，但所述步骤S20中获取的所述输出电压的测量值V5为6V，则此时所述差值V6为(-1.5)V，不等于0，即所述输出电压的测量值V5与标准电压V3的差值V6不满足所述预设条件。
S40，当所述输出电压与所述标准电压的差值不满足所述预设条件时，根据所述输出电压与所述标准电压更新所述第一电压，根据所述输出电压与所述标准电压得到对应的目标电压，并返回执行将第一电压加载在所述驱动薄膜晶体管的控制端，将第二电压加载在所述驱动薄膜晶体管的输出端的步骤，直至所述输出电压与所述标准电压的差值满足所述预设条件。
可以理解的，当获取的所述输出电压的测量值不等于所述标准电压时，则需要对应更新所述第一电压的电压值，以及计算得到对应的目标电压的电压值。
在一实施例中，所述步骤S40中根据所述输出电压与所述标准电压更新所述第一电压的步骤，可以包括如下步骤。
S401，获取所述输出电压与所述标准电压的差值。
其中，所述步骤S401可以参考所述步骤S301的相关描述。
S402，更新所述第一电压为当前的第一电压与当前的差值之和。
可以理解的，如表1-2所示，所述差值V6的绝对值越大则表示所述测量值V5的误差越大，此时可以通过更新所述第一电压V1为当前的第一电压V1与当前的差值V6之和，减小本次所述测量值V5的误差，直至所述差值V6为0。
如表1所示，当首次执行完所述步骤S10-S30后，此时所述差值V6为1.5V，不满足所述预设条件，则对所述第一电压V1进行第一次迭代处理，即将所述第一电压V1更新为当前的第一电压V1的电压值与当前的差值V6之和，即为6V，对应的，再返回执行所述步骤S10可以得到所述n为1时对应的所述输出电压的测量值V5、差值V6。
如表2所示，当首次执行完所述步骤S10-S30后，此时所述差值V6为(-1.5)V，不满足所述预设条件，则对所述第一电压V1进行第一次迭代处理，即将所述第一电压V1更新为当前的第一电压V1的电压值与当前的差值V6之和，即为3V，对应的，再返回执行所述步骤S10可以得到所述n为1时对应的所述输出电压的测量值V5、差值V6。
在一实施例中，所述步骤S40中根据所述输出电压与所述标准电压得到对应的目标电压的步骤，可以包括如下步骤：
S403，获取所述输出电压与所述标准电压的差值作为对应的目标电压。
如表1所示，当首次执行完所述步骤S10-S30后，此时所述差值V6为1.5V，不满足所述预设条件，则将此次的所述目标电压设置为当前的所述差值，即为1.5V。
如表2所示，当首次执行完所述步骤S10-S30后，此时所述差值V6为(-1.5)V，不满足所述预设条件，则将此次的所述目标电压设置为当前的所述差值，即为(-1.5)V。
S50，当所述输出电压与所述标准电压的差值满足所述预设条件时，将全部的所述目标电压相加得到所述驱动薄膜晶体管01的阈值电压，并输出所述阈值电压。
可以理解的，当所述输出电压与所述标准电压的差值满足所述预设条件时，表示所述测量值V5刚好为所述测量范围的中间值，且所述测量值V5的准确度很高，即此次的所述测量值V5可以作为所述输出电压的理论值V4，当前的所述第一电压V1与当前的所述测量值V5的差值即可以作为所述驱动薄膜晶体管01的阈值电压。
对于本方法而言，当所述标准电压V3不等于所述测量范围的中间值时，同样的，当获取的所述输出电压的测量值V5等于所述标准电压V3时，则可以将前几次的所述输出电压的测量值V5不等于所述标准电压V3时对应的全部的所述目标电压相加得到所述驱动薄膜晶体管01的阈值电压。如表1所示，当第四次执行完所述步骤S10-S30后，此时所述差值V6为0V，满足所述预设条件，则此时不需要对所述第一电压V1进行迭代处理、以及不需要返回执行所述步骤S10-S30，取而代之，此次应该将迭代次数n为0、1、2时分别对应的所述目标电压，即对应的所述差值V6进行累加，得到为4V，以此作为所述驱动薄膜晶体管01的阈值电压。同理，如表2所示，当第四次执行完所述步骤S10-S30后，此时所述差值V6为0V，满足所述预设条件，则此时不需要对所述第一电压V1进行迭代处理、以及不需要返回执行所述步骤S10-S30，取而代之，此次应该将迭代次数n为0、1、2时分别对应的所述目标电压，即对应的所述差值V6进行累加，得到为(-4)V，以此作为所述驱动薄膜晶体管01的阈值电压。
可以理解的，采用本电压输出方法计算得到的所述驱动薄膜晶体管01的阈值电压的数值等于所述驱动薄膜晶体管的阈值电压的理论值Vth，即采用本方案可以准确地计算出所述驱动薄膜晶体管01的阈值电压。
具体的，如图3所示，为所述像素电路00中的所述输出电压的测量值V5的曲线图，其中S1、S2可以分别为所述驱动薄膜晶体管01的阈值电压的理论值Vth分别为(-4)V、4V时采用现有技术测量的所述输出电压的测量值V5的曲线图，S3为所述驱动薄膜晶体管01的阈值电压的理论值Vth为(-4)V或者4V时采用本方法测量的所述输出电压的测量值V5的曲线图，H为用于获取所述输出电压的测量值V5的模块的测量范围，此处以3-6V为例。由曲线S3可知，采用本方法测量的所述输出电压的测量值V5最终可以稳定在所述测量范围3-6V的中间值4.5V左右，提高了测量的准确度。
具体的，如图4-5所示，分别为采用现有技术和采用本方法得到的所述像素电路00中的所述输出电压的测量值V5的对应的正态分布图。由图4可知，采用现有技术得到的所述输出电压的测量值V5的不同数值的百分比相差不大，无法得到一个百分比较大的所述测量值V5；而采用本方法得到的所述输出电压的测量值V5的不同数值的分布很集中，绝大部分都集中在所述测量范围3-6V的中间值4.5V左右，提高了测量的准确度和可靠度。
为了更好地实施以上方法，在一实施例中提供了一种电压输出装置，请参考如图6所示的结构图，所述灯光显示装置10可以包括电压模块101、获取模块102、判断模块103、第一控制模块104和第二控制模块105。
(1)电压模块101
所述电压模块101用于将第一电压加载在所述驱动薄膜晶体管01的控制端02，将第二电压加载在所述驱动薄膜晶体管01的输出端04。
其中，所述第一电压可以大于所述第二电压，需要注意的是，所述电压模块101首次执行所述步骤S10时，所述第一电压可以为后期用于获取所述输出端04的电压的模块的测量范围的中间值，例如所述第一电压可以为4.5V，所述第二电压可以为1V。
可以理解的，所述电压模块101执行所述步骤S10后，所述电容05的左、右两端的电位也对应等于所述第一电压、所述第二电压。
在一实施例中，请参考如图7所示的结构图，所述电压模块101可以包括第一电压模块1011和第二电压模块1012，具体的，所述第一电压模块1011用于将所述第一电压加载在所述驱动薄膜晶体管01的控制端02，所述第二电压模块1012用于将所述第二电压加载在所述驱动薄膜晶体管01的输出端04。
进一步的，结合图7-8所示，所述第一电压模块1011可以包括第一电压发射器10111和第一薄膜晶体管10112，当所述第一薄膜晶体管10112的栅极为高电平时，所述第一电压发射器10111将所述第一电压传输至所述驱动薄膜晶体管01的控制端02，同样的，所述第二电压模块1012可以包括第二电压发射器10121、第一开关10122和第二薄膜晶体管10123，当所述第一开关10122闭合、且所述第二薄膜晶体管10123的栅极为高电平时，所述第二电压发射器10121将所述第二电压传输至所述驱动薄膜晶体管01的输出端04。
再进一步的，结合图8-9以及表1-2，当迭代次数n为0时，第一时期T1内，所述第一薄膜晶体管10112的栅极G1和所述第二薄膜晶体管10123的栅极G2均为高电平，且K1为高电平，即所述第一开关10122闭合时，所述第一电压发射器10111将所述第一电压V1加载至所述控制端02，所述第二电压发射器10121将所述第二电压V2加载至所述输出端04。
在一实施例中，所述电压模块101还用于首次执行所述步骤S10之后，将所述第一电压设置为标准电压。
其中，所述标准电压可以理解为与其他电压相比较，作为参考的电压，所述电压模块101可以将所述标准电压的大小设置为首次加载在所述驱动薄膜晶体管01的控制端02的电压值，例如当所述第一电压为4.5V时，所述电压模块101可以将所述标准电压也设置为4.5V。
(2)获取模块102
所述获取模块102用于当所述驱动薄膜晶体管01的输出端04的输出电压稳定后，获取所述输出电压。
需要注意的是，所述电压模块101执行完所述步骤S10后，需要继续在所述控制端02加载所述第一电压、以及停止在所述输出端04加载所述第二电压，即将所述输出端04悬空，结合图8-9所示，当迭代次数n为0时，第二时期T2内，所述第一薄膜晶体管10112的栅极G1为高电平，且K1为低电平，即所述第一开关10122断开，此时所述控制端02、所述电容05和所述OLED器件06形成一回路，所述电容05才会放电导致所述输出端04的电位V8上升，当上述电位V8变化引起所述控制端02与所述输出端04的电位差等于所述驱动薄膜晶体管01此时的阈值电压的理论值Vth时，即当电位V8上升至所述输出电压的理论值V4时，所述驱动薄膜晶体管01截止，所述输出端04的的电位V8不再变化。
在一实施例中，所述获取模块102具体用于当所述驱动薄膜晶体管01的输出端04的电压的波动范围不超过预设波动范围，且维持的时间不少于预设时间，获取在所述维持的时间内的所述输出端04的电压的均值作为所述输出电压。
可以理解的，所述获取模块102可以根据所述驱动薄膜晶体管01的特性合理地设置所述预设波动范围以及所述预设时间，保证获取的所述输出电压尽可能地接近所述驱动薄膜晶体管01的输出端04的稳定时的电压值，此时若不考虑测量存在误差或者超范围，则可以比较准确地认为所述控制端02和所述输出端04的电压值的差值为所述驱动薄膜晶体管01的阈值电压。
进一步的，结合图8所示，所述获取模块102可以包括电压采样器1021和第二开关1022，所述第二开关1022可以识别所述驱动薄膜晶体管01的输出端04的输出电压是否稳定，当其稳定时，则所述第二开关1022闭合，所述电压采样器1021将获取所述输出电压。
再进一步的，结合图8-9所示，当迭代次数n为0时，第三时期T3内，所述第一薄膜晶体管10112的栅极G1和所述第二薄膜晶体管10123的栅极G2均为高电平，可以理解的，所述第三时期T3即所述第二开关1022识别到所述驱动薄膜晶体管01的输出端04的输出电压稳定的时期，即K2为高电平，即所述第二开关1022闭合时，所述电压采样器1021将采集所述输出端04的电压值所述输出电压。
如表1-2所示，为所述像素电路00采用本方法得到的某些电压的仿真值，其中，表1、表2中对应的所述驱动薄膜晶体管01的阈值电压的理论值Vth分别为4V、(-4)V，可以理解的，所述驱动薄膜晶体管01的阈值电压的理论值Vth与所述驱动薄膜晶体管01的内部结构和材料相关，随着使用时间的累加，所述驱动薄膜晶体管01的阈值电压的理论值可能会发生改变，此处仅以所述驱动薄膜晶体管01刚开始投入使用时的状况进行测量，故本方法最终计算出的所述阈值电压与所述驱动薄膜晶体管01的阈值电压的理论值Vth越接近，则表示测量准确度越高。其中，表1、表2中用于获取所述输出电压的测量值V5的所述电压采样器1021的测量范围为3V-6V。
具体的，n表示迭代次数，V1表示所述第一电压，V2表示所述第二电压，V3表示所述标准电压，V4表示所述输出电压的理论值，V5表示所述输出电压的测量值，V6表示所述标准电压V3与所述输出电压的测量值V5之间的差值，V7表示通过本方法计算得到的所述驱动薄膜晶体管01的阈值电压。其中，当n为0表示还未对所述第一电压V1进行迭代处理，当n为3表示累计对所述第一电压V1分别迭代了三次对应的差值V6的处理。
需要注意的是，由于所述电压采样器1021的测量范围为3V-6V，所述第一电压V1的初始值和所述标准电压V3分别为所述测量范围的中间值4.5V，所述第二电压V2设置为1V；可以理解的，若所述输出电压的理论值V4处于所述测量范围为3V-6V内，则可以认为所述输出电压的测量值V5准确，否则不准确，例如若所述输出电压的理论值V4不大于3V，则所述输出电压的测量值V5均为3V，若所述输出电压的理论值V4大于6V，则所述输出电压的测量值V5均为6V；进一步的，所述输出电压的理论值V4可以理解为用电压表准确地测量所述输出端04的电压值，同样的，也可以根据当前的所述控制端02的电压值，即当前的所述第一电压V1，减去所述驱动薄膜晶体管01的阈值电压的理论值Vth得到当前的所述输出电压的理论值V4。
(3)判断模块103
所述判断模块103用于判断所述输出电压与标准电压的差值是否满足预设条件。
在一实施例中，请参考如图10所示的结构图，所述判断模块103可以包括获取子模块1031和判断子模块1032，具体的，所述获取子模块1031用于获取所述输出电压与所述标准电压的差值，所述判断子模块1032用于判断所述差值是否为0，若所述差值为0，则所述输出电压与标准电压的差值满足所述预设条件。
可以理解的，此处仅以所述获取子模块1031获取到的所述输出电压的测量值V5与所述标准电压V3的差值V6作为判断标准，所述差值V6可以理解为所述获取子模块1031获取到的所述驱动薄膜晶体管01的所述输出电压的测量值V5与所述测量范围的中间值之间的差值；进一步的，当所述差值V6为0则表示所述测量值V5刚好为所述测量范围的中间值，且所述测量值V5的准确度很高，当所述差值V6不为0则表示所述测量值V5不为所述测量范围的中间值，且所述差值V6的绝对值越大则表示所述测量值V5的误差越大。
如表1所示，当所述第一电压模块1011首次执行所述步骤S10中的所述第一电压V1为4.5V时，也即当所述电压模块101将所述标准电压V3设置为4.5V时，所述驱动薄膜晶体管01的所述输出电压的理论值V4为0.5V，但所述步骤S20中所述获取模块102获取的所述输出电压的测量值V5为3V，则此时所述获取子模块1031获取到的所述差值V6为1.5V，不等于0，即所述输出电压的测量值V5与标准电压V3的差值V6不满足所述预设条件。
如表2所示，当所述第一电压模块1011首次执行所述步骤S10中的所述第一电压V1为4.5V时，也即当所述电压模块101将所述标准电压V3设置为4.5V时，所述驱动薄膜晶体管01的所述输出电压的理论值V4为8.5V，但所述步骤S20中所述获取模块102获取的所述输出电压的测量值V5为6V，则此时所述获取子模块1031获取到的所述差值V6为(-1.5)V，不等于0，即所述输出电压的测量值V5与标准电压V3的差值V6不满足所述预设条件。
(4)第一控制模块104
所述第一控制模块104用于当所述输出电压与所述标准电压的差值不满足所述预设条件时，根据所述输出电压与所述标准电压更新所述第一电压，根据所述输出电压与所述标准电压得到对应的目标电压，并返回执行将第一电压加载在所述驱动薄膜晶体管的控制端，将第二电压加载在所述驱动薄膜晶体管的输出端的步骤，直至所述输出电压与所述标准电压的差值满足所述预设条件。
在一实施例中，请参考如图11所示的结构图，所述第一控制模块104可以包括控制子模块1041和第一处理子模块1042，具体的，所述控制子模块1041用于获取所述输出电压与所述标准电压的差值，所述第一处理子模块1042用于更新所述第一电压为当前的第一电压与当前的差值之和。
其中，所述控制子模块1041的作用可以参考所述获取子模块1031的相关描述，或者所述控制子模块1041可以直接从所述获取子模块1031获取所述输出电压与所述标准电压的差值。
可以理解的，如表1-2所示，所述差值V6的绝对值越大则表示所述测量值V5的误差越大，此时可以通过所述第一处理子模块1042更新所述第一电压V1为当前的第一电压V1与当前的差值V6之和，减小本次所述测量值V5的误差，直至所述差值V6为0。
如表1所示，当所述电压模块101、所述获取模块102和所述判断模块103首次执行完所述步骤S10-S30后，此时所述差值V6为1.5V，不满足所述预设条件，则所述第一处理子模块1042对所述第一电压V1进行第一次迭代处理，即将所述第一电压V1更新为当前的第一电压V1的电压值与当前的差值V6之和，即为6V，对应的，再返回通过所述电压模块101执行所述步骤S10可以得到所述n为1时对应的所述输出电压的测量值V5、差值V6。
如表2所示，当所述电压模块101、所述获取模块102和所述判断模块103首次执行完所述步骤S10-S30后，此时所述差值V6为(-1.5)V，不满足所述预设条件，则所述第一处理子模块1042对所述第一电压V1进行第一次迭代处理，即将所述第一电压V1更新为当前的第一电压V1的电压值与当前的差值V6之和，即为3V，对应的，再返回通过所述电压模块101执行所述步骤S10可以得到所述n为1时对应的所述输出电压的测量值V5、差值V6。
在一实施例中，请参考如图11所示的结构图，所述第一控制模块104还可以包括第二处理子模块1043，具体的，所述第二处理子模块1042用于获取所述输出电压与所述标准电压的差值作为对应的目标电压。
如表1所示，当所述电压模块101、所述获取模块102和所述判断模块103首次执行完所述步骤S10-S30后，此时所述差值V6为1.5V，不满足所述预设条件，则所述第二处理子模块1042将此次的所述目标电压设置为当前的所述差值，即为1.5V。
如表2所示，当所述电压模块101、所述获取模块102和所述判断模块103首次执行完所述步骤S10-S30后，此时所述差值V6为(-1.5)V，不满足所述预设条件，则所述第二处理子模块1042将此次的所述目标电压设置为当前的所述差值，即为(-1.5)V。
(5)第二控制模块105
所述第二控制模块105用于当所述输出电压与所述标准电压的差值满足所述预设条件时，将全部的所述目标电压相加得到所述驱动薄膜晶体管的阈值电压，并输出所述阈值电压。
可以理解的，当所述获取子模块1031获取的所述输出电压与所述标准电压的差值满足所述预设条件时，表示所述测量值V5刚好为所述测量范围的中间值，且所述测量值V5的准确度很高，即此次的所述测量值V5可以作为所述输出电压的理论值V4，当前的所述第一电压V1与当前的所述测量值V5的差值即可以作为所述驱动薄膜晶体管01的阈值电压。
对于本方法而言，当所述电压模块101设置的所述标准电压V3不等于所述测量范围的中间值时，同样的，当所述判断子模块1032判断所述差值V6为0时，则所述第二控制模块105可以将前几次的所述输出电压的测量值V5不等于所述标准电压V3时对应的全部的所述目标电压相加得到所述驱动薄膜晶体管01的阈值电压。如表1所示，当所述电压模块101、所述获取模块102和所述判断模块103第四次执行完所述步骤S10-S30后，此时所述差值V6为0V，满足所述预设条件，则此时不需要所述第一控制模块104对所述第一电压V1进行迭代处理、以及不需要返回执行所述步骤S10-S30，取而代之，此次所述第二控制模块105应该将迭代次数n为0、1、2时分别对应的所述目标电压，即对应的所述差值V6进行累加，得到为4V，以此作为所述驱动薄膜晶体管01的阈值电压。同理，如表2所示，当所述电压模块101、所述获取模块102和所述判断模块103第四次执行完所述步骤S10-S30后，此时所述差值V6为0V，满足所述预设条件，则此时不需要所述第一控制模块104对所述第一电压V1进行迭代处理、以及不需要返回执行所述步骤S10-S30，取而代之，此次所述第二控制模块105应该将迭代次数n为0、1、2时分别对应的所述目标电压，即对应的所述差值V6进行累加，得到为(-4)V，以此作为所述驱动薄膜晶体管01的阈值电压。
可以理解的，采用本电压输出装置得到的所述驱动薄膜晶体管01的阈值电压的数值等于所述驱动薄膜晶体管的阈值电压的理论值Vth，即采用本电压输出装置可以准确地计算出所述驱动薄膜晶体管01的阈值电压。
具体的，如图3所示，为所述像素电路00中的所述输出电压的测量值V5的曲线图，其中S1、S2可以分别为所述驱动薄膜晶体管01的阈值电压的理论值Vth分别为(-4)V、4V时采用现有技术测量的所述输出电压的测量值V5的曲线图，S3为所述驱动薄膜晶体管01的阈值电压的理论值Vth为(-4)V或者4V时通过所述电压输出装置测量的所述输出电压的测量值V5的曲线图，H为所述获取模块102的测量范围，此处以3-6V为例。由曲线S3可知，通过所述电压输出装置测量的所述输出电压的测量值V5最终可以稳定在所述测量范围3-6V的中间值4.5V左右，提高了测量的准确度。
具体的，如图4-5所示，分别为通过现有技术和通过所述电压输出装置得到的所述像素电路00中的所述输出电压的测量值V5的对应的正态分布图。由图4可知，通过现有技术得到的所述输出电压的测量值V5的不同数值的百分比相差不大，无法得到一个百分比较大的所述测量值V5；而通过所述电压输出装置得到的所述输出电压的测量值V5的不同数值的分布很集中，绝大部分都集中在所述测量范围3-6V的中间值4.5V左右，提高了测量的准确度和可靠度。
在一实施例中还提供了控制器和存储器。
请参考图12，图12为本发明实施例提供的控制器和存储器的结构示意图。
存储器601可用于存储软件程序以及模块，其主要包括存储程序区和存储数据区。控制器602通过运行存储在存储器601的软件程序以及模块，从而执行各种功能应用以及数据处理。
控制器602通过运行或执行存储在存储器201内的软件程序和/或模块，以及调用存储在存储器601内的数据，执行各种功能和处理数据，从而进行整体监控。
在一些实施例中，控制器602用于将第一电压加载在所述驱动薄膜晶体管的控制端，将第二电压加载在所述驱动薄膜晶体管的输出端，具体可以如下。
在一些实施例中，控制器602首次执行所述将第一电压加载在所述驱动薄膜晶体管的控制端，将第二电压加载在所述驱动薄膜晶体管的输出端的步骤之后，将所述第一电压设置为所述标准电压。
在一些实施例中，控制器602用于当所述驱动薄膜晶体管的输出端的输出电压稳定后，获取所述输出电压，具体可以如下。
在一些实施例中，控制器602用于当所述驱动薄膜晶体管的输出端的电压的波动范围不超过预设波动范围，且维持的时间不少于预设时间，获取在所述维持的时间内的所述输出端的电压的均值作为所述输出电压。
在一些实施例中，控制器602用于判断所述输出电压与标准电压的差值是否满足预设条件，具体可以如下。
在一些实施例中，控制器602用于获取所述输出电压与所述标准电压的差值，并判断所述差值是否为0，若所述差值为0，则所述输出电压与标准电压的差值满足所述预设条件。
在一些实施例中，控制器602用于当所述输出电压与所述标准电压的差值不满足所述预设条件时，根据所述输出电压与所述标准电压更新所述第一电压，根据所述输出电压与所述标准电压得到对应的目标电压，并返回执行将第一电压加载在所述驱动薄膜晶体管的控制端，将第二电压加载在所述驱动薄膜晶体管的输出端的步骤，直至所述输出电压与所述标准电压的差值满足所述预设条件，具体可以如下。
在一些实施例中，控制器602用于获取所述输出电压与所述标准电压的差值；并更新所述第一电压为当前的第一电压与当前的差值之和。
在一些实施例中，控制器602用于获取所述输出电压与所述标准电压的差值作为对应的目标电压。
需要说明的是，本领域普通技术人员可以理解上述实施例的各种方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件来完成，该程序可以存储于计算机可读存储介质中，如存储在电子设备的存储器中，并被该电子设备内的至少一个处理器执行，在执行过程中可包括如充电提醒方法的实施例的流程。其中，存储介质可以包括：只读存储器(ROM，Read Only Memory)、随机存取记忆体(RAM，Random Access Memory)、磁盘或光盘等。
本发明提供了电压输出方法、装置、控制器和存储介质，通过判断输出电压与标准电压的差值是否满足预设条件，来选择执行根据输出电压与标准电压更新第一电压、计算目标电压，并返回执行将第一电压和第二电压加载在驱动薄膜晶体管的控制端和输出端，或者选择执行将全部的所述目标电压相加得到所述驱动薄膜晶体管的阈值电压；综上所述，本方案并不是直接获取某一次的输出电压经过计算得到驱动薄膜晶体管的阈值电压，而是在输出电压与标准电压的差值不满足预设条件时，更新第一电压继续得到新的输出电压，直至上述差值满足预设条件，计算之前全部的目标电压之和作为驱动薄膜晶体管的阈值电压，考虑了每次检测的误差值，提高了驱动薄膜晶体管的阈值电压检测的准确度，更好地解决了OLED显示器显示画面不均的问题。
以上对本发明实施例提供的电压输出方法、装置、控制器和存储介质进行了详细介绍，其各功能模块可以集成在一个处理芯片中，也可以是各个模块单独物理存在，也可以两个或两个以上模块集成在一个模块中。上述集成的模块既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能模块的形式实现。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；以及，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种电压输出方法，应用于一像素电路，所述像素电路包括驱动薄膜晶体管，其特征在于，所述方法包括：
将第一电压加载在所述驱动薄膜晶体管的控制端，将第二电压加载在所述驱动薄膜晶体管的输出端；
当所述驱动薄膜晶体管的输出端的输出电压稳定后，获取所述输出电压；
判断所述输出电压与标准电压的差值是否满足预设条件；
当所述输出电压与所述标准电压的差值不满足所述预设条件时，根据所述输出电压与所述标准电压更新所述第一电压，根据所述输出电压与所述标准电压得到对应的目标电压，并返回执行将第一电压加载在所述驱动薄膜晶体管的控制端，将第二电压加载在所述驱动薄膜晶体管的输出端的步骤，直至所述输出电压与所述标准电压的差值满足所述预设条件；
当所述输出电压与所述标准电压的差值满足所述预设条件时，将全部的所述目标电压相加得到所述驱动薄膜晶体管的阈值电压，并输出所述阈值电压。
2.根据权利要求1所述的电压输出方法，其特征在于：
首次执行所述将第一电压加载在所述驱动薄膜晶体管的控制端，将第二电压加载在所述驱动薄膜晶体管的输出端的步骤之后，包括：
将所述第一电压设置为所述标准电压；所述判断所述输出电压与标准电压的差值是否满足预设条件的步骤，包括：
获取所述输出电压与所述标准电压的差值；
判断所述差值是否为0，若所述差值为0，则所述输出电压与标准电压的差值满足所述预设条件。
3.根据权利要求1所述的电压输出方法，其特征在于，所述当所述输出电压与所述标准电压的差值不满足所述预设条件时，根据所述输出电压与所述标准电压更新所述第一电压，根据所述输出电压与所述标准电压得到对应的目标电压，再返回执行将第一电压加载在所述驱动薄膜晶体管的控制端，将第二电压加载在所述驱动薄膜晶体管的输出端步骤，直至所述输出电压与所述标准电压的差值满足所述预设条件的步骤，包括：
获取所述输出电压与所述标准电压的差值；
更新所述第一电压为当前的第一电压与当前的差值之和。
4.根据权利要求1所述的电压输出方法，其特征在于，所述当所述输出电压与所述标准电压的差值不满足所述预设条件时，根据所述输出电压与所述标准电压更新所述第一电压，根据所述输出电压与所述标准电压得到对应的目标电压，再返回执行将第一电压加载在所述驱动薄膜晶体管的控制端，将第二电压加载在所述驱动薄膜晶体管的输出端步骤，直至所述输出电压与所述标准电压的差值满足所述预设条件的步骤，包括：
获取所述输出电压与所述标准电压的差值作为对应的目标电压。
5.根据权利要求1所述的电压输出方法，其特征在于，所述当所述驱动薄膜晶体管的输出端的输出电压稳定后，获取所述输出电压的步骤，包括：
当所述驱动薄膜晶体管的输出端的电压的波动范围不超过预设波动范围，且维持的时间不少于预设时间，获取在所述维持的时间内的所述输出端的电压的均值作为所述输出电压。
6.一种电压输出装置，应用于一像素电路，所述像素电路包括驱动薄膜晶体管，其特征在于，所述电压输出装置包括：
电压模块，用于将第一电压加载在所述驱动薄膜晶体管的控制端，将第二电压加载在所述驱动薄膜晶体管的输出端；
获取模块，用于当所述驱动薄膜晶体管的输出端的输出电压稳定后，获取所述输出电压；
判断模块，用于判断所述输出电压与标准电压的差值是否满足预设条件；
第一控制模块，用于当所述输出电压与所述标准电压的差值不满足所述预设条件时，根据所述输出电压与所述标准电压更新所述第一电压，根据所述输出电压与所述标准电压得到对应的目标电压，并返回执行将第一电压加载在所述驱动薄膜晶体管的控制端，将第二电压加载在所述驱动薄膜晶体管的输出端的步骤，直至所述输出电压与所述标准电压的差值满足所述预设条件；
第二控制模块，用于当所述输出电压与所述标准电压的差值满足所述预设条件时，将全部的所述目标电压相加得到所述驱动薄膜晶体管的阈值电压，并输出所述阈值电压。
7.根据权利要求6所述的电压输出装置，其特征在于：
所述电压模块，还用于首次执行所述将第一电压加载在所述驱动薄膜晶体管的控制端，将第二电压加载在所述驱动薄膜晶体管的输出端的步骤之后，将所述第一电压设置为所述标准电压；
所述判断模块包括：
获取子模块，用于获取所述输出电压与所述标准电压的差值；
判断子模块，用于判断所述差值是否为0，若所述差值为0，则所述输出电压与标准电压的差值满足所述预设条件。
8.根据权利要求6所述的电压输出装置，其特征在于，所述第一控制模块包括：
控制子模块，用于获取所述输出电压与所述标准电压的差值；
第一处理子模块，用于更新所述第一电压为当前的第一电压与当前的差值之和。
9.一种控制器，其特征在于，所述控制器用于执行存储于存储器的若干指令，以实现如权利要求1-5任一项所述的方法。
10.一种存储介质，所述存储介质中存储若干指令，其特征在于，所述指令用于供控制器执行以实现如权利要求1-5任一项所述的方法。
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