CN114000126A - 一种化学气相沉积防水镀膜装置 - Google Patents
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Abstract
本发明属于化学气相沉积技术领域，具体公开了一种化学气相沉积防水镀膜装置，包括腔室、水平位镀膜组件、垂直位镀膜组件、射频馈入装置及电源；水平位镀膜组件和垂直位镀膜组件设置于腔室内，且水平位镀膜组件和垂直位镀膜组件并联后与射频馈入装置连接，电源与射频馈入装置连接。以此结构设置的化学气相沉积防水镀膜装置，能够通过射频馈入装置的切换，方便灵活的实现水平位镀膜组件和垂直位镀膜组件的单独作业或混合组合，继而满足工件进行化学气相沉积时的多种工作需求，且操作方便，省时省力。
Description
技术领域
本发明涉及化学气相沉积技术领域，尤其涉及一种化学气相沉积防水镀膜装置。
背景技术
目前化学气相沉积防水镀膜装置功能相对较为单一，无法实现在一个射频馈入电极系统中同时存在水平位和垂直位化学气相沉积馈入电极；此外在现有的射频馈入电极系统基础上，要实现水平位和垂直位的相互切换必须对其进行拆卸、更换、重装，因此使得操作接繁琐，继而对生产效率造成较大的影响。此外，在目前的化学气相沉积防水镀膜装置中，实现水平位和垂直位的镀膜切换还需进行工件架的切换，因此操作起来也十分的繁琐。
发明内容
本发明的目的在于提供一种化学气相沉积防水镀膜装置，该化学气相沉积防水镀膜装置结构紧凑，易于各种工作模式的切换，方便实用。
为实现上述目的，本发明采用下述技术方案：
一种化学气相沉积防水镀膜装置，包括腔室、水平位镀膜组件、垂直位镀膜组件、射频馈入装置及电源；所述水平位镀膜组件和所述垂直位镀膜组件设置于所述腔室内，且所述水平位镀膜组件和所述垂直位镀膜组件并联后与所述射频馈入装置连接，所述电源与所述射频馈入装置连接。
其中，所述水平位镀膜组件包括第一工件架、沿所述第一工件架高度方向平行间隔架设的多个第一接地电极片和多个第一射频电极片、与多个所述第一接地电极片连接的接地电极片搭桥、以及与多个所述第一射频电极片连接的第一射频电极片搭桥；所述接地电极片搭桥与腔室连接并接地；所述第一射频电极片搭桥与所述射频馈入装置连接。
其中，沿所述第一工件架高度方向均布有多个插槽，多个所述第一接地电极片和多个所述第一射频电极片通过多个所述插槽平行间隔架设，所述第一接地电极片和所述第一射频电极片相邻设置。
其中，所述垂直位镀膜组件包括第二工件架、设置于所述第二工件架相对两侧的第二射频电极片、设置于所述第二射频电极片与所述第一工件架之间的第二接地电极片、以及与两个所述第二射频电极片连接的第二射频电极片搭桥。
其中，所述第二接地电极片与所述腔室连接并接地；所述第二射频电极片搭桥与设置于所述腔室背面的所述射频馈入装置连接。
其中，所述第一射频电极片、第一接地电极片及所述第二射频电极片的表面均贯穿有多个第一通孔。
其中，两个所述第二射频电极片与所述第二工件架的两侧壁间隔设置；所述第二接地电极片与所述第二射频电极片间隔设置。
其中，所述第一工件架的两侧壁，以及所述第二工件架的两侧壁均贯穿有第二通孔。
其中，所述第一工件架和所述第二工件架的开口端均铰接有支架门。
其中，所述射频馈入装置设置有与所述电源连接的第一射频馈入端和第二射频馈入端，所述第一射频馈入端与所述水平位镀膜组件连接，所述第二射频馈入端与所述垂直位镀膜组件连接。
本发明的有益效果在于：本发明公开了一种化学气相沉积防水镀膜装置，包括腔室、水平位镀膜组件、垂直位镀膜组件、射频馈入装置及电源；水平位镀膜组件和垂直位镀膜组件设置于腔室内，且水平位镀膜组件和垂直位镀膜组件并联后与射频馈入装置连接，电源与射频馈入装置连接。以此结构设置的化学气相沉积防水镀膜装置，能够通过射频馈入装置的切换，方便灵活的实现水平位镀膜组件和垂直位镀膜组件的单独作业或混合组合，继而满足工件进行化学气相沉积时的多种工作需求，且操作方便，省时省力。
附图说明
图1是本实施例中一种化学气相沉积防水镀膜装置的正面轴测图。
图2是图1中去除腔室后的反面轴测图。
图中：
1、腔室；2、水平位镀膜组件；21、第一工件架；22、第一接地电极片；23、第一射频电极片；24、接地电极片搭桥；25、第一射频电极片搭桥；3、垂直位镀膜组件；31、第二工件架；32、第二射频电极片；33、第二接地电极片；34、第二射频电极片搭桥；4、射频馈入装置；5、支架门。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本实施例的描述中，术语“上”、“下”、“右”、等方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化操作，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅仅用于在描述上加以区分，并没有特殊的含义。
图1是本实施例中一种化学气相沉积防水镀膜装置的正面轴测图；图2是图1中去除腔室1后的反面轴测图。结合图1至图2所示，本实施例提供了一种化学气相沉积防水镀膜装置，该化学气相沉积防水镀膜装置由腔室1，以及设置于腔室1内的水平位镀膜组件2、垂直位镀膜组件3、射频馈入装置4及电源等几部分组合而成，作为优选，本实施例中的水平位镀膜组件2和垂直位镀膜组件3并联后与射频馈入装置4连接，之后将电源与射频馈入装置4连接，并通过射频馈入装置4对电源通断方向进行切换，以此满足水平位镀膜组件2和垂直位镀膜组件3的单独工作或混合工作，继而满足工件进行化学气相沉积时的多种工作需求，且操作方便，省时省力。
具体的，作为优选，本实施例中的水平位镀膜组件2包括第一工件架21、沿第一工件架21高度方向平行间隔架设的多个第一接地电极片22和多个第一射频电极片23、与多个第一接地电极片22连接的接地电极片搭桥24、以及与多个第一射频电极片23连接的第一射频电极片搭桥25；接地电极片搭桥24与腔室1连接并接地；第一射频电极片搭桥25与射频馈入装置4连接。
更进一步优选的，本实施例中，为了方便多个第一接地电极片22和多个第一射频电极片23能够与第一工件架21稳定可靠的装配，本实施在第一工件架21收纳腔的相对两侧壁上开设有多个插槽，多个插槽分别沿第一工件架21高度方向均布，架设后的多个第一接地电极片22和多个第一射频电极片23通过多个插槽平行间隔架设，且第一接地电极片22和第一射频电极片23相邻设置，把工件放入第一接地电极片22和第一射频电极片23之间的收纳层内，第一接地电极片22和第一射频电极片23接通过接地电极片搭桥24与腔室1连接并接地、第一射频电极片搭桥25与射频馈入装置4导通后，即可在第一接地电极片22和第一射频电极片23之间的收纳层内形成区域电场激发等离子体并扩散沉积至工件的表面形成膜层。
更进一步具体的，本实施例在上述垂直位镀膜组件3的一侧还设置有水平位镀膜组件3，作为优选，该水平位镀膜组件3包括第二工件架31、设置于第二工件架31相对两侧的第二射频电极片32、设置于第二射频电极片32与第一工件架21之间的第二接地电极片33、以及与两个第二射频电极片32连接的第二射频电极片搭桥34，其中第二接地电极片33与腔室1连接并接地；第二射频电极片搭桥34与射频馈入装置4连接。
进一步优选的，两个第二射频电极片32与第二工件架31的两侧壁间隔设置；第二接地电极片33与第二射频电极片32间隔设置。
此外，本实施例中的第一射频电极片23、第一接地电极片22及第二射频电极片32的表面均贯穿有多个第一通孔；第一工件架21的两侧壁，以及第二工件架31的两侧壁均贯穿有第二通孔。当两个第二射频电极片32通过第二射频电极片搭桥34与射频馈入装置4导通后，并配合第二接地电极片33与腔室1的连接以及腔室1的内侧壁，便可以在第二工件架31的两侧形成成区域电场激发等离子体，并通过开设于第二工件架31两侧壁的第二通孔流入第二工件架31内，进而使得区域电场激发形成的等离子体沉积于第二工件架31中的工件表面并形成镀膜。
更进一步的，本实施例中，为了防止区域电场激发等离子体外溢，作为优选，本实施例中的第一工件架21和第二工件架31的开口端均铰接有支架门5，支架门5闭合后，能够阻止区域电场激发等离子体从第一工件架21和第二工件架31的开口端外溢，继而有效提升工件镀膜效率。
更进一步的，作为优选，本实施例中的射频馈入装置4设置有与电源连接的第一射频馈入端和第二射频馈入端，第一射频馈入端与水平位镀膜组件2连接，第二射频馈入端与垂直位镀膜组件3连接。
当电源单独与第一射频馈入端连接后，即可实现水平位镀膜组件2的单独工作；当电源单独与第二射频馈入端连接后，即可实现垂直位镀膜组件3的单独工作；
当电源按照预定的通断顺序可形成先水平位镀膜组件2工作后垂直位镀膜组件3工作，或先垂直位镀膜组件3工作后水平位镀膜组件2工作的串行工作模式；
当电源同时接通第一射频馈入端和第二射频馈入端后，即可使得水平位镀膜组件2和垂直位镀膜组件3同时工作。
本实施例中有关上述射频馈入装置4的具体结构设置，相关技术中都较为常用，在此不做具体赘述。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (10)
1.一种化学气相沉积防水镀膜装置，其特征在于，包括腔室(1)、水平位镀膜组件(2)、垂直位镀膜组件(3)、射频馈入装置(4)及电源；所述水平位镀膜组件(2)和所述垂直位镀膜组件(3)设置于所述腔室(1)内，且所述水平位镀膜组件(2)和所述垂直位镀膜组件(3)并联后与所述射频馈入装置(4)连接，所述电源与所述射频馈入装置(4)连接。
2.根据权利要求1所述的一种化学气相沉积防水镀膜装置，其特征在于，所述水平位镀膜组件(2)包括第一工件架(21)、沿所述第一工件架(21)高度方向平行间隔架设的多个第一接地电极片(22)和多个第一射频电极片(23)、与多个所述第一接地电极片(22)连接的接地电极片搭桥(24)、以及与多个所述第一射频电极片(23)连接的第一射频电极片搭桥(25)；所述接地电极片搭桥(24)与腔室(1)连接并接地；所述第一射频电极片搭桥(25)分别与所述射频馈入装置(4)连接。
3.根据权利要求2所述的一种化学气相沉积防水镀膜装置，其特征在于，沿所述第一工件架(21)高度方向均布有多个插槽，多个所述第一接地电极片(22)和多个所述第一射频电极片(23)通过多个所述插槽平行间隔架设，所述第一接地电极片(22)和所述第一射频电极片(23)相邻设置。
4.根据权利要求2所述的一种化学气相沉积防水镀膜装置，其特征在于，所述垂直位镀膜组件(3)包括第二工件架(31)、设置于所述第二工件架(31)相对两侧的第二射频电极片(32)、设置于所述第二射频电极片(32)与所述第一工件架(21)之间的第二接地电极片(33)、以及与两个所述第二射频电极片(32)连接的第二射频电极片搭桥(34)。
5.根据权利要求4所述的一种化学气相沉积防水镀膜装置，其特征在于，所述第二接地电极片(33)与所述腔室(1)连接并接地；所述第二射频电极片搭桥(34)与所述射频馈入装置(4)连接。
6.根据权利要求4所述的一种化学气相沉积防水镀膜装置，其特征在于，所述第一射频电极片(23)、第一接地电极片(22)及所述第二射频电极片(32)的表面均贯穿有多个第一通孔。
7.根据权利要求4所述的一种化学气相沉积防水镀膜装置，其特征在于，两个所述第二射频电极片(32)与所述第二工件架(31)的两侧壁间隔设置；所述第二接地电极片(33)与所述第二射频电极片(32)间隔设置。
8.根据权利要求4所述的一种化学气相沉积防水镀膜装置，其特征在于，所述第一工件架(21)的两侧壁，以及所述第二工件架(31)的两侧壁均贯穿有第二通孔。
9.根据权利要求4所述的一种化学气相沉积防水镀膜装置，其特征在于，所述第一工件架(21)和所述第二工件架(31)的开口端均铰接有支架门(5)。
10.根据权利要求4所述的一种化学气相沉积防水镀膜装置，其特征在于，所述射频馈入装置(4)设置有与所述电源连接的第一射频馈入端和第二射频馈入端，所述第一射频馈入端与所述水平位镀膜组件(2)连接，所述第二射频馈入端与所述垂直位镀膜组件(3)连接。
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