CN113979732B - 一种高反射率陶瓷基板及其制备方法和cob - Google Patents

一种高反射率陶瓷基板及其制备方法和cob Download PDF

Info

Publication number
CN113979732B
CN113979732B CN202111342227.0A CN202111342227A CN113979732B CN 113979732 B CN113979732 B CN 113979732B CN 202111342227 A CN202111342227 A CN 202111342227A CN 113979732 B CN113979732 B CN 113979732B
Authority
CN
China
Prior art keywords
ceramic substrate
parts
reflectivity
prepared
oxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202111342227.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113979732A (zh
Inventor
殷仕乐
王强
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Zomo Photoelectric Technology Co ltd
Original Assignee
Shenzhen Zomo Photoelectric Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Zomo Photoelectric Technology Co ltd filed Critical Shenzhen Zomo Photoelectric Technology Co ltd
Priority to CN202111342227.0A priority Critical patent/CN113979732B/zh
Publication of CN113979732A publication Critical patent/CN113979732A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113979732B publication Critical patent/CN113979732B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/10—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/71—Ceramic products containing macroscopic reinforcing agents
    • C04B35/78—Ceramic products containing macroscopic reinforcing agents containing non-metallic materials
    • C04B35/80—Fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3208—Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3244—Zirconium oxides, zirconates, hafnium oxides, hafnates, or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/327—Iron group oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3279—Nickel oxides, nickalates, or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3284—Zinc oxides, zincates, cadmium oxides, cadmiates, mercury oxides, mercurates or oxide forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/52—Constituents or additives characterised by their shapes
    • C04B2235/5208—Fibers
    • C04B2235/5216—Inorganic
    • C04B2235/524—Non-oxidic, e.g. borides, carbides, silicides or nitrides
    • C04B2235/5248—Carbon, e.g. graphite
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
    • C04B2235/9646—Optical properties

Abstract

本申请涉及陶瓷基板的领域，具体公开了一种高反射率陶瓷基板及其制备方法和COB光源，所述陶瓷基板由包括如下各重量份的原料制备而成：90‑100份的氧化铝粉、0.2‑0.8份的氧化镍、0.3‑0.6份的氧化锌、0.1‑0.4份的氧化锆、0.5‑1.2份的氧化钙、10‑20份的乙醇、0.5‑1.0份的蓖麻油、5‑10份的粘结剂和3‑6份的增塑剂；其具有能够提高陶瓷基板的高反射率的优点。

Description

一种高反射率陶瓷基板及其制备方法和COB
技术领域
本申请涉及陶瓷基板的技术领域，更具体地说，它涉及一种高反射率陶瓷基板及其制备方法和COB。
背景技术
LED是英文light emitting diode(发光二极管)的缩写，它的基本结构是一块电致发光的半导体材料芯片，用银胶或白胶固化到支架上，然后用银线或金线连接芯片和电路板，然后四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，最后安装外壳，所以LED灯的抗震性能好。运用领域涉及到手机、台灯、家电等日常家电和机械生产方面。
LED灯所用的电路板是以镜面铝或陶瓷为基板，然后在基板上印刷厚膜电路即可制得LED用电路板。由于普通陶瓷基板的热导率和反射率均低于镜面铝基板，但普通陶瓷基板的散热性和绝缘性较高，有利于利于长久使用。
针对上述中的相关技术，发明人认为陶瓷基板的散热性和绝缘性较好，但其反射率不足，有待进一步提高。
发明内容
为了提高陶瓷基板的高反射率，本申请提供一种高反射率陶瓷基板及其制备方法和COB。
第一方面，本申请提供的一种高反射率陶瓷基板采用如下的技术方案：
一种高反射率陶瓷基板，其由包括如下各重量份的原料制备而成：90-100份的氧化铝粉、0.2-0.8份的氧化镍、0.3-0.6份的氧化锌、0.1-0.4份的氧化锆、0.5-1.2份的氧化钙、10-20份的乙醇、0.5-1.0份的蓖麻油、5-10份的粘结剂和3-6份的增塑剂。
通过采用上述技术方案，通过在陶瓷基板的原料中添加氧化镍、氧化锌、氧化锆和氧化钙，利用其之间的协同作用，大大提高了陶瓷基板的反射率，弥补了陶瓷基板在应用时的不足；通过对陶瓷基板的改进，其反射率最大可达到99.8％，并且其抗弯强度均达到国家标准以上，各项性能表现良好。
优选的，所述陶瓷基板由包括如下各重量份的原料制备而成：93-96份的氧化铝粉、0.4-0.6份的氧化镍、0.4-0.5份的氧化锌、0.2-0.3份的氧化锆、0.8-1.0份的氧化钙、13-17份的乙醇、0.6-0.8份的蓖麻油、6-8份的粘结剂和4-5份的增塑剂。
通过采用上述技术方案，通过对各原料进行优化，可以使陶瓷基板的反射率达到99.6％以上。
优选的，所述陶瓷基板还包括2-8重量份的碳纤维。
通过采用上述技术方案，添加碳纤维，可以使陶瓷基板的反射率不受较大影响的同时，其抗弯强度提高，抗弯强度的有效提高，可以在后续制备成品的过程中，不易损坏。
优选的，所述碳纤维的添加量为3-5重量份。
通过采用上述技术方案，碳纤维的添加量在此优选范围时，制得的陶瓷基板的抗弯强度在606-792MPa之间，并且其陶瓷基板的反射率可以达到99.8％，同时满足抗弯强度表现优异，并且反射率较高的优点。
优选的，所述碳纤维的平均长度为2-5mm。
通过采用上述技术方案，碳纤维的平均长度在此范围时，对陶瓷基板的抗弯强度及反射率无明显影响，均可使陶瓷基板的抗弯强度较高，并且不会明显降低陶瓷基板的反射率。
优选的，所述陶瓷基板还包括2-5重量份的碳化硅。
通过采用上述技术方案，碳化硅的加入对陶瓷基板的抗弯强度、反射率和白度无明显影响，加入碳化硅，期望利用碳化硅本身的稳定性能，增加陶瓷基板的耐久性能。
第二方面，本申请提供一种高反射率陶瓷基板的制备方法，采用如下的技术方案：一种高反射率陶瓷基板的制备方法，其包括如下步骤：
1)将氧化镍、氧化锌、氧化锆和氧化钙加入到氧化铝粉中混合均匀，然后加入乙醇和蓖麻油，将其搅拌均匀后，球磨分散10-20h，得第一混合料；
2)向步骤1)制得的混合料中加入粘接剂和增塑剂，搅拌均匀后，球磨分散10-20h，得第二混合料；
3)将步骤2)制得的第二混合料进行抽真空脱泡得流延浆料，然后经流延成型，制得流延生坯片；
4)将步骤3)制得的流延生坯片进行烧结，在1400-1500℃的温度下保温2-8小时，即得到陶瓷基板。
通过采用上述技术方案，通过上述步骤，可以制得陶瓷基板，并且烧结温度在1400-1500℃之间时，对陶瓷基板的抗弯强度无明显影响，但由于碳纤维的温度过于高时，其强度下降的影响，其烧结温度超过1500℃时，分布在陶瓷基板内部碳纤维的强度下降，导致其陶瓷基板的抗弯强度同时下降。
第三方面，本申请提供一种COB，采用如下的技术方案：
一种COB，所述COB是由权利要求1-6任一所述的陶瓷基板制备而成。
综上所述，本申请具有以下有益效果：
1、通过在陶瓷基板的原料中添加氧化镍、氧化锌、氧化锆和氧化钙，利用其之间的协同作用，大大提高了陶瓷基板的反射率，弥补了陶瓷基板在应用时的不足；并且添加碳纤维，可以使陶瓷基板的反射率不受较大影响的同时，其抗弯强度提高，抗弯强度的有效提高，可以在后续制备成品的过程中，不易损坏。
2、陶瓷基板的制备工艺中，其烧结温度在1400-1500℃之间时，对陶瓷基板的抗弯强度无明显影响，但由于碳纤维的温度过于高时，其强度下降的影响，其烧结温度超过1500℃时，分布在陶瓷基板内部碳纤维的强度下降，导致其陶瓷基板的抗弯强度同时下降。
3、本申请的陶瓷基板的反射率均在99.3％及以上，抗弯强度均超过345MPa，并且最大可达到832MPa，白度均在90.0-92.6％之间；并且本申请的陶瓷基板COB的亮度均在4893lm以上，并且光效均在96.97lm/W及以上，说明本申请的陶瓷基板应用良好。
具体实施方式
以下结合实施例对本申请作进一步详细说明。
原料
本申请中应用的增塑剂的生产厂家为广盈新材料(广州)有限公司，型号为TBY-218；粘结剂的生产厂家为武汉美琪林新材料有限公司，货号为30193；其余原料均为市售产品。
实施例
实施例1-4
实施例1-4的一种高反射率陶瓷基板，其各原料及各原料用量如表1所示，其制备方法包括如下步骤：
1)按照表1中的用量称取各原料，然后将氧化镍、氧化锌、氧化锆和氧化钙加入到氧化铝粉中混合均匀，然后加入乙醇和蓖麻油，将其搅拌均匀后，放入球磨机中进行球磨分散10h，得第一混合料；
2)将粘接剂和增塑剂加入到步骤1)制得的第一混合料中，搅拌均匀后，将其转移至球磨机韩总进行球磨分散20h，得第二混合料；
3)将步骤2)制得的第二混合料通过真空脱泡机进行抽真空脱泡，制得流延浆料，然后将流延浆料在流延机上经流延成型，制得流延生坯片；
4)将步骤3)制得的流延生坯片进行烧结，在1400℃℃的温度下保温8小时，即得到陶瓷基板。
表1实施例1-4的各原料及各原料用量(kg)
实施例1 实施例2 实施例3 实施例4
氧化铝 90 93 96 100
氧化镍 0.6 0.5 0.4 0.3
氧化锌 0.2 0.4 0.6 0.8
氧化锆 0.4 0.3 0.2 0.1
氧化钙 0.5 0.8 1.0 1.2
乙醇 20 17 13 10
蓖麻油 0.5 0.6 0.8 1.0
粘结剂 10 8 6 5
增塑剂 3 4 5 6
实施例5
一种高反射率陶瓷基板，与实施例3的不同之处在于，其添加的原料还包括2kg的碳纤维，碳纤维的平均长度为2mm，其余步骤与实施例3均相同。
实施例6
一种高反射率陶瓷基板，与实施例3的不同之处在于，其添加的原料还包括3kg的碳纤维，碳纤维的平均长度为2mm，其余步骤与实施例3均相同。
实施例7
一种高反射率陶瓷基板，与实施例3的不同之处在于，其添加的原料还包括5kg的碳纤维，碳纤维的平均长度为2mm，其余步骤与实施例3均相同。
实施例8
一种高反射率陶瓷基板，与实施例3的不同之处在于，其添加的原料还包括8kg的碳纤维，碳纤维的平均长度为2mm，其余步骤与实施例3均相同。
实施例9
一种高反射率陶瓷基板，与实施例7的不同之处在于，其碳纤维的平均长度为3mm，其余步骤与实施例7均相同。
实施例10
一种高反射率陶瓷基板，与实施例7的不同之处在于，其碳纤维的平均长度为5mm，其余步骤与实施例7均相同。
实施例11
一种高反射率陶瓷基板，与实施例9的不同之处在于，其原料中还包括2kg的碳化硅，其余步骤与实施例9均相同。
实施例12
一种高反射率陶瓷基板，与实施例9的不同之处在于，其原料中还包括5kg的碳化硅，其余步骤与实施例9均相同。
实施例13
一种高反射率陶瓷基板，与实施例7的不同之处在于，其制备方法包括如下步骤：
1)按照表1中的用量称取各原料，然后将氧化镍、氧化锌、氧化锆、碳纤维和氧化钙加入到氧化铝粉中混合均匀，然后加入乙醇和蓖麻油，将其搅拌均匀后，放入球磨机中进行球磨分散20h，得第一混合料；
2)将粘接剂和增塑剂加入到步骤1)制得的第一混合料中，搅拌均匀后，将其转移至球磨机韩总进行球磨分散10h，得第二混合料；
3)将步骤2)制得的第二混合料通过真空脱泡机进行抽真空脱泡，制得流延浆料，然后将流延浆料在流延机上经流延成型，制得流延生坯片；
4)将步骤3)制得的流延生坯片进行烧结，在1500℃的温度下保温2小时，即得到陶瓷基板。
对比例
对比例1
一种高反射率陶瓷基板，与实施例3的不同之处在于，其原料中未添加氧化镍，其余步骤与实施例3均相同。
对比例2
一种高反射率陶瓷基板，与实施例3的不同之处在于，其原料中未添加氧化锌，其余步骤与实施例3均相同。
对比例3
一种高反射率陶瓷基板，与实施例3的不同之处在于，其原料中未添加氧化锆，其余步骤与实施例3均相同。
对比例4
一种高反射率陶瓷基板，与实施例3的不同之处在于，其原料中未添加氧化钙，其余步骤与实施例3均相同。
对比例5
一种高反射率陶瓷基板，与实施例3的不同之处在于，其原料中未添加氧化镍、氧化锌、氧化锆和氧化钙，其余步骤与实施例3均相同。
对比例6
一种高反射率陶瓷基板，与实施例7的不同之处在于，其制备步骤4)中的保温的温度为1700℃，其余步骤与实施例7均相同。
性能检测试验
检测方法/试验方法
1、陶瓷基板的检测
按照实施例1-13和对比例1-6中的制备方法进行制备陶瓷基板，按照GB/T14619-2013《厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片》中的方法对其进行抗弯强度、反射率和白度进行检测，其检测结果如表2所示。
表2陶瓷基板的检测结果
抗弯强度(MPa) 反射率(％) 白度(％)
实施例1 346 99.3 92.4
实施例2 347 99.6 92.3
实施例3 346 99.8 92.5
实施例4 345 99.4 92.6
实施例5 532 99.8 91.5
实施例6 606 99.8 90.7
实施例7 792 99.8 90.3
实施例8 832 99.5 90.0
实施例9 803 99.8 90.4
实施例10 794 99.8 90.3
实施例11 799 99.7 90.3
实施例12 797 99.6 90.2
实施例13 804 99.8 90.4
对比例1 344 96.6 92.4
对比例2 347 95.2 92.3
对比例3 325 95.3 92.5
对比例4 332 96.7 92.6
对比例5 331 92.9 92.3
对比例6 323 99.8 89.4
从实施例1-13和对比例1-6，并结合表2的检测数据可以看出，本申请的陶瓷基板的反射率均在99.3％及以上，抗弯强度均超过345MPa，并且最大可达到832MPa，白度均在90.0-92.6％之间；本申请的陶瓷基板的反射率均表现良好，并且其抗弯强度均超过国家标准的300MPa。
从实施例3和对比例1-5的检测数据可以看出，未添加氧化镍、氧化锌、氧化锆和氧化钙的陶瓷基板，或只添加其中3个物质的陶瓷基板，其反射率均较低，说明本申请的陶瓷基板的反射率较高，是氧化镍、氧化锌、氧化锆和氧化钙共同作用的结果，并且达到了1+1＞2的效果，氧化镍、氧化锌、氧化锆和氧化钙之间具有协同作用。
从实施例3和实施例5-8的检测结果可以看出，添加碳纤维，有助于提高陶瓷基板的抗弯强度，有利于其在后期的加工中，不易损坏。结合实施例9-10，碳纤维的平均长度在2-5mm的范围内时，其对陶瓷基板的抗弯强度及反射率无明显影响。
从实施例9和实施例11-12的检测数据可以看出，在原料中添加碳化硅，对陶瓷基板的抗弯强度、反射率和白度无明显影响。
从实施例7、实施例13以及对比例6的检测数据可以看出，步骤4)中的烧结温度在1400-1500℃之间时，对陶瓷基板的抗弯强度无明显影响，但由于碳纤维的温度过于高时，其强度下降的影响，其烧结温度超过1500℃，其陶瓷基板的抗弯强度同时下降。
2、COB的检测
COB制备：支架采用本发明中实施例和对比例制备的陶瓷基板，芯片采用三安1231/452.5-455/190-197/3.0-3.1/120mA/厚度150um，108颗芯片，54串2并；测试机台是ATA-1000远方测试仪，测试条件为300mA/160-170V，并且均封装8个COB光源。
表3陶瓷基板COB的检测结果
φ(lm) 光效(lm/W)
实施例3 4936 97.54
实施例7 4894 97.01
实施例9 4890 96.97
实施例11 4893 97.02
实施例13 4895 97.03
结合表3可以看出，本申请的陶瓷基板COB的亮度均在4893lm以上，并且光效均在96.97lm/W及以上，说明本申请的陶瓷基板应用良好。
本具体实施例仅仅是对本申请的解释，其并不是对本申请的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本申请的权利要求范围内都受到专利法的保护。

Claims (6)

1.一种高反射率陶瓷基板，其特征在于，其由包括如下各重量份的原料制备而成：90-100份的氧化铝、0.2-0.8份的氧化镍、0.3-0.6份的氧化锌、0.1-0.4份的氧化锆、0.5-1.2份的氧化钙、10-20份的乙醇、0.5-1.0份的蓖麻油、5-10份的粘结剂和3-6份的增塑剂；
所述陶瓷基板还包括2-8重量份的碳纤维。
2.根据权利要求1所述的一种高反射率陶瓷基板，其特征在于：所述碳纤维的添加量为3-5重量份。
3.根据权利要求1所述的一种高反射率陶瓷基板，其特征在于：所述碳纤维的平均长度为2-5mm。
4.根据权利要求1所述的一种高反射率陶瓷基板，其特征在于：所述陶瓷基板还包括2-5重量份的碳化硅。
5.一种权利要求1-4任一所述的高反射率陶瓷基板的制备方法，其特征在于，其包括如下步骤：
1）将除粘接剂、增塑剂、乙醇和蓖麻油以外的原料加入到氧化铝粉中搅拌均匀，然后加入乙醇和蓖麻油，将其搅拌均匀后，球磨分散10-20h，得第一混合料；
2）向步骤1）制得的第一混合料中加入粘接剂和增塑剂，搅拌均匀后，球磨分散10-20h，得第二混合料；
3）将步骤2）制得的第二混合料进行抽真空脱泡得流延浆料，然后经流延成型，制得流延生坯片；
4）将步骤3）制得的流延生坯片进行烧结，在1400℃-1500℃的温度下保温2-8小时，即得到陶瓷基板。
6.一种COB，其特征在于：所述COB是由权利要求1-4任一所述的陶瓷基板制备而成。
CN202111342227.0A 2021-11-12 2021-11-12 一种高反射率陶瓷基板及其制备方法和cob Active CN113979732B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111342227.0A CN113979732B (zh) 2021-11-12 2021-11-12 一种高反射率陶瓷基板及其制备方法和cob

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111342227.0A CN113979732B (zh) 2021-11-12 2021-11-12 一种高反射率陶瓷基板及其制备方法和cob

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113979732A CN113979732A (zh) 2022-01-28
CN113979732B true CN113979732B (zh) 2022-12-06

Family

ID=79748323

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111342227.0A Active CN113979732B (zh) 2021-11-12 2021-11-12 一种高反射率陶瓷基板及其制备方法和cob

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113979732B (zh)

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4999324A (en) * 1988-01-18 1991-03-12 Pathold Investments, Co., Inc. Method of manufacturing ceramic artifacts
EP0729927A1 (en) * 1995-03-03 1996-09-04 Eastman Kodak Company Alumina ceramic articles having cubic spinel on surfaces and methods for preparing alumina ceramic articles and for sintering
WO2001056945A1 (en) * 2000-02-02 2001-08-09 3M Innovative Properties Company FUSED -Al2O3-MgO-Y2O3 EUTECTIC ABRASIVE PARTICLES, ABRASIVE ARTICLES, AND METHODS OF MAKING AND USING THE SAME
CA2455902A1 (en) * 2001-08-02 2003-12-18 Anatoly Z. Rosenflanz Alumina-yttria-zirconium oxide/hafnium oxide materials, and methods of making and using the same
US20040148869A1 (en) * 2003-02-05 2004-08-05 3M Innovative Properties Company Ceramics and methods of making the same
FR2907116B1 (fr) * 2006-10-16 2008-12-19 Saint Gobain Ct Recherches Produit fritte a base de zircon+nb2o5 ou ta2o5
CN101306944A (zh) * 2008-06-24 2008-11-19 中国铝业股份有限公司 一种绿色氧化铝陶瓷及其制备方法
CN106946574A (zh) * 2017-03-30 2017-07-14 南京云启金锐新材料有限公司 高纯高强氧化锆‑氧化铝‑氧化锆复合陶瓷及其制备方法
CN109293345B (zh) * 2018-11-23 2020-10-02 郑州中瓷科技有限公司 高反射率高强度陶瓷基板及其制备方法
CN111393151A (zh) * 2020-03-26 2020-07-10 郑州中瓷科技有限公司 一种掺杂氧化锆的氧化铝陶瓷基板及其制备工艺

Also Published As

Publication number Publication date
CN113979732A (zh) 2022-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4104013B2 (ja) 発光デバイス及び照明装置
JP4963705B2 (ja) 発光デバイス及び照明装置
CN103011614B (zh) 一种荧光玻璃片及其制备方法
US9657224B2 (en) Fluorescent-material-containing resin sheet and light-emitting device
JP2011243660A (ja) 発光素子搭載用基板および発光装置
CN103342543B (zh) 一种led陶瓷基板及其制备方法
TW201143168A (en) Substrate for mounting light-emitting element and light-emitting device employing the substrate
CN103219449B (zh) Led封装结构及led封装方法
CN111393151A (zh) 一种掺杂氧化锆的氧化铝陶瓷基板及其制备工艺
CN104177079A (zh) 用于白光LED荧光转换的含Sr的Ce：YAG基透明陶瓷及其制备方法
CN109411589A (zh) 一种led灯丝
CN104177078B (zh) 用于白光LED荧光转换的含Lu的Ce：YAG基透明陶瓷及其制备方法
CN113979732B (zh) 一种高反射率陶瓷基板及其制备方法和cob
CN103435334B (zh) Led节能灯基座用复合陶瓷材料
KR101496718B1 (ko) 형광체 및 발광소자
CN102881809A (zh) 荧光层及其制造方法与用途
CN106469775A (zh) 发光二极管的结构
JP6150159B2 (ja) 発光ダイオードパッケージ用ガラスセラミック、それを用いたセラミック基板、および発光ダイオードパッケージ
CN106957511A (zh) 一种led光源薄板封装材料
CN102891141A (zh) 防水防腐散热高绝缘led陶瓷集成光源及其制作方法
JP2006351600A (ja) 白色系発光ダイオードおよびその製造方法
CN107820507B (zh) 高硬度led封装材料及其制备方法
CN102751420A (zh) 发光二极管封装结构
KR102378761B1 (ko) 일체형 발광 패키지 및 이를 이용한 차량용 램프
CN110473948B (zh) 一种led封装方法及封装结构

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant