CN113963653A - 显示装置以及包括该显示装置的瓦片型显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种显示装置以及包括该显示装置的瓦片型显示装置。显示装置包括：基板，包括多个发光区域和多个遮光区域，所述多个遮光区域分别围绕所述多个发光区域；薄膜晶体管层，包括薄膜晶体管和连接布线，所述薄膜晶体管布置在所述基板上，所述连接布线连接到所述薄膜晶体管；发光元件层，布置在所述薄膜晶体管层上，并且包括与所述多个发光区域分别对应的多个发光元件；封装层，覆盖所述发光元件层；以及垫部，布置在所述封装层上，并且通过布置在所述封装层的接触孔与所述连接布线接触。

Description

显示装置以及包括该显示装置的瓦片型显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示装置以及包括该显示装置的瓦片型显示装置。
背景技术
随着信息化社会的发展，对用于显示图像的显示装置的需求正在以多种形态增加。例如，显示装置正在应用于诸如智能电话、数码相机、笔记本电脑、导航仪以及智能电视等多种电子设备。显示装置可以是诸如液晶显示装置(Liquid Crystal Display Device)、场发射显示装置(Field Emission Display Device)、有机发光显示装置(Organic LightEmitting Display Device)等平板显示装置。在这些平板显示装置中，发光显示装置可以包括显示面板的每一个像素能够自发光的发光元件，从而不使用向显示面板供应光的背光单元也可以显示图像。
在以大型尺寸制造显示装置的情形下，由于像素数量的增加，发光元件的不良率可能增加，并且生产性或者可靠性可能降低。为了解决这个问题，瓦片(Tile)型显示装置可以通过连接具有相对小尺寸的多个显示装置而实现大型尺寸的画面。由于彼此相邻的多个显示装置中的每一个的非显示区域或者边框区域，瓦片型显示装置可能包括多个称作接缝(Seam)的部分，所述接缝为多个显示装置之间的边界部分。在将一个图像显示于整个画面的情形下，多个显示装置之间的边界部分会给整个画面带来隔断感，从而降低对图像的沉浸感。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种通过防止多个显示装置之间的边界部分或者非显示区域可识别，从而能够消除多个显示装置之间的隔断感，并且提高对图像的沉浸感的瓦片型显示装置。
本发明的技术问题并不限于以上提及的技术问题，未提及的其他技术问题能够通过下文的记载而被本领域技术人员明确地理解。
用于解决所述技术问题的一实施例的显示装置包括：基板，包括多个发光区域和多个遮光区域，所述多个遮光区域分别围绕所述多个发光区域；薄膜晶体管层，包括薄膜晶体管和连接布线，所述薄膜晶体管布置在所述基板上，所述连接布线连接到所述薄膜晶体管；发光元件层，布置在所述薄膜晶体管层上，并且包括与所述多个发光区域分别对应的多个发光元件；封装层，覆盖所述发光元件层；以及垫部，布置在所述封装层上，并且通过布置在所述封装层的接触孔与所述连接布线接触。
所述薄膜晶体管层可以还包括：连接电极，布置在所述薄膜晶体管上而连接所述薄膜晶体管的第一电极和所述发光元件，其中，所述连接布线与所述连接电极可以布置在相同层。
所述连接布线可以与所述薄膜晶体管的栅电极布置在相同层。
所述垫部或者所述连接布线可以与所述多个遮光区域重叠。
所述显示装置还可以包括：金属层，布置在所述封装层上，并且与所述垫部相隔。
所述金属层可以利用与所述垫部相同的物质构成。
所述显示装置还可以包括：保护膜，覆盖所述金属层；以及柔性膜，布置在所述垫部上而连接到所述垫部。
所述多个发光元件中的每一个可以包括：第一电极，布置在所述薄膜晶体管层上，并且与所述薄膜晶体管连接；第二电极，在所述薄膜晶体管层上与所述第一电极相隔而布置；以及发光二极管，在所述第一电极与所述第二电极之间与所述第一电极和所述第二电极相隔地布置。
所述发光元件层还可以包括：第一接触电极，覆盖所述发光二极管的一端和所述第一电极而连接所述发光二极管和所述第一电极；以及第二接触电极，覆盖所述发光二极管的另一端和所述第二电极而连接所述发光二极管和所述第二电极。
所述发光元件层还可以包括：保护层，覆盖所述发光元件、所述第一接触电极以及所述第二接触电极；以及反射部件，覆盖所述保护层，并且朝向所述基板反射由所述发光二极管发出的光，其中，所述多个发光区域中的每一个的反射部件可以彼此相隔。
所述封装层可以覆盖所述反射部件的上表面和侧表面以及所述薄膜晶体管层的一部分。
所述发光元件层还可以包括：保护层，覆盖所述发光元件、所述第一接触电极以及所述第二接触电极；以及反射部件，覆盖所述保护层和所述薄膜晶体管层，并且朝向所述基板反射由所述发光二极管发出的光。
用于解决所述技术问题的一实施例的瓦片型显示装置包括：多个显示装置，所述多个显示装置中的每一个包括显示区域和非显示区域，所述显示区域配备有多个像素，所述非显示区域围绕所述显示区域；以及结合部件，结合所述多个显示装置，其中，所述多个显示装置中的每一个包括：基板，包括作为所述显示区域的一部分的多个发光区域，所述多个遮光区域作为所述显示区域的另一部分而分别围绕所述多个发光区域；薄膜晶体管层，包括薄膜晶体管和连接布线，所述薄膜晶体管布置在所述基板上，所述连接布线连接到所述薄膜晶体管；发光元件层，布置在所述薄膜晶体管层上，并且包括与所述多个发光区域分别对应的多个发光元件；封装层，覆盖所述发光元件层；以及垫部，布置在所述封装层上，并且通过布置在所述封装层的接触孔与所述连接布线接触。
所述薄膜晶体管层还可以包括：连接电极，布置在所述薄膜晶体管上而连接所述薄膜晶体管的第一电极和所述发光元件，其中，所述连接布线可以与所述连接电极布置在相同层。
所述连接布线可以与所述薄膜晶体管的栅电极布置在相同层。
所述垫部或者所述连接布线可以与所述非显示区域或者所述多个遮光区域重叠。
所述多个显示装置中的每一个还可以包括：金属层，布置在所述封装层上，并且与所述垫部相隔。
所述多个显示装置中的每一个还可以包括：保护膜，覆盖所述金属层；以及柔性膜，布置在所述垫部上而连接到所述垫部。
所述多个发光元件中的每一个可以包括第一电极、第二电极以及发光二极管，所述第二电极与所述第一电极相隔，所述发光二极管在所述第一电极与所述第二电极之间与所述第一电极和所述第二电极相隔地布置，所述发光元件层还可以包括第一接触电极和第二接触电极，所述第一接触电极连接所述发光二极管和所述第一电极，所述第二接触电极连接所述发光二极管和所述第二电极。
所述发光元件层还可以包括：保护层，覆盖所述发光元件、所述第一接触电极以及所述第二接触电极；以及反射部件，覆盖所述保护层，并且朝向所述基板反射由所述发光二极管发出的光。
其他实施例的具体内容包括于详细说明和附图。
在根据实施例的显示装置以及包括该显示装置的瓦片型显示装置中，从发光元件层发出的光可以借由反射部件而被反射，从而通过基板向显示装置的前方发出。垫部可以在封装层上布置在显示装置的边沿。多个显示装置中的每一个可以通过包括布置在后方的垫部而最小化显示装置的非显示区域的面积。因此，瓦片型显示装置可以通过最小化多个显示装置之间的间隔而防止用户识别出多个显示装置之间的非显示区域或者边界部分。
根据实施例的效果并不局限于以上举例说明的内容，更多样的效果包含在本说明书中。
附图说明
图1是示出根据一实施例的瓦片型显示装置的平面图。
图2是示出根据一实施例的显示装置的平面图。
图3是沿图2的截线I-I'截取的剖面图。
图4是图3的A1区域的放大图。
图5是示出根据一实施例的发光元件的图。
图6是示出根据一实施例的瓦片型显示装置的结合结构的平面图。
图7是沿图6的截线II-II'截取的一例的剖面图。
图8是沿图6的截线II-II'截取的另一例的剖面图。
图9是沿图6的截线II-II'截取的又一例的剖面图。
图10至图18是示出根据一实施例的显示装置的制造过程的剖面图。
附图标记说明
TD：瓦片型显示装置
10：显示装置 20：结合部件
SUB：基板 CFL：滤色器层
WLCL：波长转换层 TFTL：薄膜晶体管层
EML：发光元件层 EL：发光元件
CTE1：第一接触电极 CTE2：第二接触电极
RM：反射部件 TFE：封装层
CWL：连接布线 PD：垫部
ACT：连接膜 210：柔性膜
220：源极驱动部 PF：保护膜
具体实施方式
参照与附图一起详细后述的实施例，则可以明确本发明的优点和特征以及达成这些的方法。然而本发明可以实现为互不相同的多种形态，并不限于以下公开的实施例，本实施例仅用于使本发明的公开得以完整，并为了向本发明所属技术领域中具有普通知识的人完整地告知发明范围而提供，本发明仅由权利要求的范围而被定义。
提及元件(elements)或者层在其他元件或者层“上(on)”的情形包括在其他元件的紧邻的上方的情形或者在中间夹设有其他层或者其他元件的情形。贯穿整个说明书，相同的附图标记指代相同的构成要素。用于说明实施例的附图中所公开的形状、大小、比例、角度、数量等是示例性的，因此本发明并不局限于图示的事项。
虽然第一、第二等术语为了叙述多种构成要素而使用，但这些构成要素显然不局限于这些术语。这些术语仅用于将一个构成要素与另一构成要素进行区分。因此，以下提及的第一构成要素在本发明的技术思想内，显然也可以是第二构成要素。
本发明的多个实施例的各个特征能够部分地或全部地相互结合或组合，并且能够在技术上进行多样的联动及驱动，各个实施例对于彼此而言能够独立地进行实施，也能够以相关关系一同实施。
以下，参照附图对具体实施例进行说明。
图1是示出根据一实施例的瓦片型显示装置的平面图。
参照图1，瓦片型显示装置TD可以包括多个显示装置10。多个显示装置10可以排列为格子型，但并不限于此。多个显示装置10可以沿第一方向(X轴方向)或者第二方向(Y轴方向)连接，瓦片型显示装置TD可以具有特定形状。例如，多个显示装置10可以分别具有彼此相同的大小，但并不限于此。作为另一例，多个显示装置10可以具有彼此不同的大小。
多个显示装置10中的每一个可以是包括长边和短边的矩形形状。多个显示装置10可以布置为长边或者短边彼此连接。一部分显示装置10可以布置在瓦片型显示装置TD的边沿，从而形成瓦片型显示装置TD的一边。另一部分显示装置10可以布置在瓦片型显示装置TD的边角，并且可以形成瓦片型显示装置TD的相邻的两个边。又一部分显示装置10可以布置在瓦片型显示装置TD的内部，并且可以被其他显示装置10围绕。
多个显示装置10中的每一个可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以包括多个像素而显示图像。非显示区域NDA可以布置在显示区域DA周围而围绕显示区域DA，并且可以不显示图像。
瓦片型显示装置TD可以整体上具有平面形状，但并不限于此。瓦片型显示装置TD可以通过具有立体形状而给用户带来立体感。例如，在瓦片型显示装置TD具有立体形状的情形下，多个显示装置10中的至少一部分显示装置10可以具有曲面(Curved)形状。作为另一例，多个显示装置10中的每一个可以通过具有平面形状，彼此以预定角度连接而使瓦片型显示装置TD具有立体形状。
瓦片型显示装置TD可以通过连接相邻显示装置10中的每一个的非显示区域NDA而形成。多个显示装置10可以通过结合部件或者粘结部件彼此连接。因此，多个显示装置10之间的非显示区域NDA可以被相邻的显示区域DA围绕。多个显示装置10中的每一个的显示区域DA之间的距离可以足够近到多个显示装置10之间的非显示区域NDA或者多个显示装置10之间的边界部分不会被用户识别的程度。并且，多个显示装置10中的每一个的显示区域DA的外部光反射率与多个显示装置10之间的非显示区域NDA的外部光反射率可以实质上相同。据此，瓦片型显示装置TD可以防止多个显示装置10之间的非显示区域NDA或者边界部分被识别，从而消除多个显示装置10之间的隔断感并提高对图像的沉浸感。
图2是示出根据一实施例的显示装置的平面图。
参照图2，显示装置10可以包括在显示区域DA沿着多个行和列排列的多个像素。多个像素中的每一个可以包括由像素限定膜限定的发光区域LA，并且可以通过发光区域LA发出具有预定峰值波长的光。例如，显示装置10的显示区域DA可以包括第一发光区域LA1至第三发光区域LA3。第一发光区域LA1至第三发光区域LA3中的每一个可以是将由显示装置10的发光元件生成的光向显示装置10的外部发出的区域。
第一发光区域LA1至第三发光区域LA3可以向显示装置10的外部发出具有预定峰值波长的光。第一发光区域LA1可以发出第一颜色的光，第二发光区域LA2可以发出第二颜色的光，第三发光区域LA3可以发出第三颜色的光。例如，第一颜色的光可以是具有610nm至650nm范围的峰值波长的红色光，第二颜色的光可以是具有510nm至550nm范围的峰值波长的绿色光，第三颜色的光可以是具有440nm至480nm范围的峰值波长的蓝色光，但并不限于此。
第一发光区域LA1至第三发光区域LA3可以沿显示区域DA的第一方向(X轴方向)依次重复布置。例如，第一发光区域LA1在第一方向(X轴方向)上的宽度可以比第二发光区域LA2在第一方向上的宽度宽，第二发光区域LA2在第一方向上的宽度可以比第三发光区域LA3在第一方向上的宽度宽。作为另一例，第一发光区域LA1在第一方向(X轴方向)上的宽度、第二发光区域LA2在第一方向上的宽度以及第三发光区域LA3在第一方向上的宽度可以实质上相同。
例如，第一发光区域LA1的面积可以比第二发光区域LA2的面积宽，第二发光区域LA2的面积可以比第三发光区域LA3的面积宽。作为另一例，第一发光区域LA1的面积、第二发光区域LA2的面积以及第三发光区域LA3的面积可以实质上相同。
显示装置10的显示区域DA可以包括围绕多个发光区域LA的多个遮光区域BA。例如，显示区域DA可以包括第一遮光区域BA1至第三遮光区域BA3。第一遮光区域BA1、第二遮光区域BA2、第三遮光区域BA3各自可以布置在第一发光区域LA1、第二发光区域LA2、第三发光区域LA3各自的一侧，并且可以防止从第一发光区域LA1至第三发光区域LA3发出的光的混色。
图3是沿图2的截线I-I'截取的剖面图，图4是图3的A1区域的放大图。
参照图3和图4，显示装置10的显示区域DA可以包括第一发光区域LA1至第三发光区域LA3。第一发光区域LA1至第三发光区域LA3中的每一个可以是将由显示装置10的发光二极管ED生成的光向显示装置10的外部发出的区域。
显示装置10可以包括基板SUB、滤色器层CFL、波长转换层WLCL、薄膜晶体管层TFTL、发光元件层EML、封装层TFE、金属层HRL以及保护膜PF。
基板SUB可以是基底基板或者基底部件，并且可以利用高分子树脂等绝缘物质构成。例如，基板SUB可以是能够弯曲(Bending)、折叠(Folding)、卷曲(Rolling)等的柔性(Flexible)基板。基板SUB可以包括聚酰亚胺(PI)，但并不限于此。
滤色器层CFL可以包括第一遮光部件BK1、第一滤色器CF1至第三滤色器CF3、第一保护层PAS1以及第一平坦化层OC1。
第一遮光部件BK1可以在基板SUB上布置在第一遮光区域BA1至第三遮光区域BA3。第一遮光部件BK1可以在厚度方向上与第二遮光部件BK2重叠。第一遮光部件BK1可以阻断光的透射。第一遮光部件BK1可以防止光侵入到第一发光区域LA1至第三发光区域LA3之间而混色，从而提高颜色再现率。第一遮光部件BK1在平面上可以布置为围绕第一发光区域LA1至第三发光区域LA3的格子形态。
第一滤色器CF1可以布置在基板SUB上的第一发光区域LA1。第一滤色器CF1可以被第一遮光部件BK1围绕。第一滤色器CF1可以在厚度方向上与第一波长转换部WLC1重叠。第一滤色器CF1可以选择性地透射第一颜色的光(例如，红色光)，并且阻断或者吸收第二颜色的光(例如，绿色光)以及第三颜色的光(例如，蓝色光)。例如，第一滤色器CF1可以是红色滤色器，并且可以包括红色的色料(Red Colorant)。红色的色料(Red Colorant)可以利用红色染料(Red Dye)或者红色颜料(Red Pigment)构成。
第二滤色器CF2可以布置在基板SUB上的第二发光区域LA2。第二滤色器CF2可以被第一遮光部件BK1围绕。第二滤色器CF2可以在厚度方向上与第二波长转换部WLC2重叠。第二滤色器CF2可以选择性地透射第二颜色的光(例如，绿色光)，并且阻断或者吸收第一颜色的光(例如，红色光)以及第三颜色的光(例如，蓝色光)。例如，第二滤色器CF2可以是绿色滤色器，并且可以包括绿色的色料(Green Colorant)。绿色的色料(Green Colorant)可以利用绿色染料(Green Dye)或者绿色颜料(Green Pigment)构成。
第三滤色器CF3可以布置在基板SUB上的第三发光区域LA3。第三滤色器CF3可以被第一遮光部件BK1围绕。第三滤色器CF3可以在厚度方向上与透光部LTU重叠。第三滤色器CF3可以选择性地透射第三颜色的光(例如，蓝色光)，并且阻断或者吸收第一颜色的光(例如，红色光)以及第二颜色的光(例如，绿色光)。例如，第三滤色器CF3可以是蓝色滤色器，并且可以包括蓝色的色料(Blue Colorant)。蓝色的色料(Blue Colorant)可以利用蓝色染料(Blue Dye)或者蓝色颜料(Blue Pigment)构成。
第一滤色器CF1至第三滤色器CF3可以吸收一部分从显示装置10的外部流入的光，从而减少外部光导致的反射光。因此，第一滤色器CF1至第三滤色器CF3可以防止外部光反射导致的颜色失真。
由于第一滤色器CF1至第三滤色器CF3布置在基板SUB与薄膜晶体管层TFTL之间，因此显示装置10可以不需要用于第一滤色器CF1至第三滤色器CF3的额外的基板。因此，显示装置10的厚度可以相对减小。
第一保护层PAS1可以覆盖第一滤色器CF1至第三滤色器CF3。第一保护层PAS1可以保护第一滤色器CF1至第三滤色器CF3。
第一平坦化层OC1可以布置在第一保护层PAS1的上部，从而平坦化滤色器层CFL的上端。第一平坦化层OC1可以包括有机物质。例如，第一平坦化层OC1可以包括丙烯酸树脂(Acryl Resin)、环氧树脂(Epoxy Resin)、酚醛树脂(Phenolic Resin)、聚酰胺树脂(Polyamide Resin)以及聚酰亚胺树脂(Polyimide Resin)中的至少一种。
波长转换层WLCL可以包括第一封盖层CAP1、第二遮光部件BK2、第一波长转换部WLC1、第二波长转换部WLC2、透光部LTU、第二封盖层CAP2以及第二平坦化层OC2。
第一封盖层CAP1可以布置在滤色器层CFL的第一平坦化层OC1上。第一封盖层CAP1可以密封第一波长转换部WLC1、第二波长转换部WLC2以及透光部LTU的下表面。第一封盖层CAP1可以包括无机物质。例如，第一封盖层CAP1可以包括硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、锡氧化物、铈氧化物以及硅氮氧化物中的至少一种。
第二遮光部件BK2可以布置在第一封盖层CAP1上的第一遮光区域BA1至第三遮光区域BA3。第二遮光部件BK2可以在厚度方向上与第一遮光部件BK1重叠。第二遮光部件BK2可以阻断光的透射。第二遮光部件BK2可以防止光侵入到第一发光区域LA1至第三发光区域LA3之间而混色，从而提高颜色再现率。第二遮光部件BK2在平面上可以布置为围绕第一发光区域LA1至第三发光区域LA3的格子形态。
第二遮光部件BK2可以包括有机遮光物质和疏液成分。其中，疏液成分可以利用含氟单体或者含氟聚合物构成，具体地，可以包括含氟脂肪族聚碳酸酯。例如，第二遮光部件BK2可以利用包括疏液成分的黑色有机物质构成。第二遮光部件BK2可以通过包含疏液成分的有机遮光物质的涂覆工艺和曝光工艺等形成。
第二遮光部件BK2可以通过包括疏液成分而将第一波长转换部WLC1、第二波长转换部WLC2以及透光部LTU分离到对应的发光区域LA。例如，在通过喷墨方式形成第一波长转换部WLC1、第二波长转换部WLC2以及透光部LTU的情形下，墨组合物可能在第二遮光部件BK2的上表面流动。在此情形下，第二遮光部件BK2可以通过包括疏液成分而引导墨组合物流向各个发光区域LA。因此，第二遮光部件BK2可以防止墨组合物混合。
第一波长转换部WLC1可以布置在第一封盖层CAP1上的第一发光区域LA1。第一波长转换部WLC1可以被第二遮光部件BK2围绕。第一波长转换部WLC1可以包括第一基础树脂BS1、第一散射体SCT1以及第一波长移位器WLS1。
第一基础树脂BS1可以包括透光率相对较高的物质。第一基础树脂BS1可以利用透明有机物质构成。例如，第一基础树脂BS1可以包括环氧系树脂、丙烯酸系树脂、Cardo系树脂以及酰亚胺系树脂等有机物质中的至少一种。
第一散射体SCT1可以具有与第一基础树脂BS1不同的折射率，并且可以与第一基础树脂BS1一起形成光学界面。例如，第一散射体SCT1可以包括使透射光的至少一部分散射的光散射物质或者光散射颗粒。例如，第一散射体SCT1可以包括氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)或者氧化锡(SnO2)等金属氧化物，或者可以包括丙烯酸系树脂或者聚氨酯系树脂等有机颗粒。第一散射体SCT1可以在实质上不改变入射光的峰值波长的情况下与入射光的入射方向无关地沿随机方向散射光。
第一波长移位器WLS1可以将入射光的峰值波长转换或者移位至第一峰值波长。例如，第一波长移位器WLS1可以将由显示装置10供应的光转换为具有610nm至650nm范围的单一峰值波长的红色光并发出。第一波长移位器WLS1可以是量子点、量子棒或者荧光体。量子点可以是在电子从导带迁移到价带时发出特定颜色的颗粒状物质。
例如，量子点可以是半导体纳米晶体物质。量子点可以根据其组成和尺寸而具有特定的带隙，从而在吸收光之后发出具有固有波长的光。量子点的半导体纳米晶体的示例可以包括IV族系纳米晶体、II-VI族系化合物纳米晶体、III-V族系化合物纳米晶体、IV-VI族系纳米晶体或者其组合等。
由第一波长移位器WLS1发出的光可以具有45nm以下、40nm以下或者30nm以下的发光波长光谱半峰全宽(FWHM：Full Width of Half Maximum)，并且可以进一步改善由显示装置10显示的颜色的颜色纯度和颜色再现性。由第一波长移位器WLS1发出的光可以与入射光的入射方向无关地朝多个方向发出。因此，可以提高在第一发光区域LA1显示的红色的侧面识别性。
由发光元件层EML供应的光的一部分可以不被第一波长移位器WLS1转换为红色光，而是透射第一波长转换部WLC1。在由发光元件层EML供应的光中，不被第一波长转换部WLC1转换而入射到第一滤色器CF1的光可以被第一滤色器CF1阻断。并且，在由发光元件层EML供应的光中，被第一波长转换部WLC1转换的红色光可以从第一滤色器CF1透射并向外部发出。因此，第一发光区域LA1可以发出红色光。
第二波长转换部WLC2可以布置在第一封盖层CAP1上的第二发光区域LA2。第二波长转换部WLC2可以被第二遮光部件BK2围绕。第二波长转换部WLC2可以包括第二基础树脂BS2、第二散射体SCT2以及第二波长移位器WLS2。
第二基础树脂BS2可以包括透光率相对较高的物质。第二基础树脂BS2可以利用透明有机物质构成。例如，第二基础树脂BS2可以利用与第一基础树脂BS1相同的物质构成，或者可以利用在第一基础树脂BS1例示的物质构成。
第二散射体SCT2可以具有与第二基础树脂BS2不同的折射率，并且可以与第二基础树脂BS2形成光学界面。例如，第二散射体SCT2可以包括使透射光的至少一部分散射的光散射物质或者光散射颗粒。例如，第二散射体SCT2可以利用与第一散射体SCT1相同的物质构成，或者可以利用在第一散射体SCT1例示的物质构成。第二散射体SCT2可以在实质上不改变入射光的峰值波长的情况下与入射光的入射方向无关地沿随机方向散射光。
第二波长移位器WLS2可以将入射光的峰值波长转换或者移位至与第一波长移位器WLS1的第一峰值波长不同的第二峰值波长。例如，第二波长移位器WLS2可以将由显示装置10供应的光转换为具有510nm至550nm范围的单一峰值波长的绿色光并发出。第二波长移位器WLS2可以是量子点、量子棒或者荧光体。第二波长移位器WLS2可以包括与在第一波长移位器WLS1例示的物质相同性质的物质。第二波长移位器WLS2可以以使第二波长移位器WLS2的波长转换范围与第一波长移位器WLS1的波长转换范围不同的方式用量子点、量子棒或者荧光体构成。
透光部LTU可以布置在第一封盖层CAP1上的第三发光区域LA3。透光部LTU可以被第二遮光部件BK2围绕。透光部LTU可以维持入射光的峰值波长并使入射光透射。透光部LTU可以包括第三基础树脂BS3和第三散射体SCT3。
第三基础树脂BS3可以包括透光率相对较高的物质。第三基础树脂BS3可以利用透明有机物质构成。例如，第三基础树脂BS3可以利用与第一基础树脂BS1或者第二基础树脂BS2相同的物质构成，或者可以利用在第一基础树脂BS1或者第二基础树脂BS2例示的物质构成。
第三散射体SCT3可以具有与第三基础树脂BS3不同的折射率，并且可以与第三基础树脂BS3形成光学界面。例如，第三散射体SCT3可以包括使透射光的至少一部分散射的光散射物质或者光散射颗粒。例如，第三散射体SCT3可以利用与第一散射体SCT1或者第二散射体SCT2相同的物质构成，或者可以利用在第一散射体SCT1或者第二散射体SCT2例示的物质构成。第三散射体SCT3可以在实质上不改变入射光的峰值波长的情况下与入射光的入射方向无关地沿随机方向散射光。
由于第一波长转换部WLC1、第二波长转换部WLC2以及透光部LTU布置在滤色器层CFL与薄膜晶体管层TFTL之间，显示装置10可以不需要用于第一波长转换部WLC1、第二波长转换部WLC2以及透光部LTU的额外的基板。因此，可以容易地使第一波长转换部WLC1、第二波长转换部WLC2以及透光部LTU与第一发光区域LA1至第三发光区域LA3分别对准，并且显示装置10的厚度可以相对减小。
第二封盖层CAP2可以覆盖第一波长转换部WLC1、第二波长转换部WLC2、透光部LTU以及第二遮光部件BK2。例如，第二封盖层CAP2可以密封第一波长转换部WLC1、第二波长转换部WLC2以及透光部LTU，从而防止第一波长转换部WLC1、第二波长转换部WLC2以及透光部LTU被损坏或者污染。第二封盖层CAP2可以利用与第一封盖层CAP1相同的物质构成，或者可以利用在第一封盖层CAP1例示的物质构成。
第二平坦化层OC2可以布置在第二封盖层CAP2的上部，从而平坦化波长转换层WLCL的上端。第二平坦化层OC2可以包括有机物质。例如，第二平坦化层OC2可以包括丙烯酸树脂(Acryl Resin)、环氧树脂(Epoxy Resin)、酚醛树脂(Phenolic Resin)、聚酰胺树脂(Polyamide Resin)以及聚酰亚胺树脂(Polyimide Resin)中的至少一种。
薄膜晶体管层TFTL可以包括薄膜晶体管TFT、栅极绝缘膜GI、层间绝缘膜ILD、连接电极CNE、第二保护层PAS2以及第三平坦化层OC3。
薄膜晶体管TFT可以布置在波长转换层WLCL的第二平坦化层OC2上，并且可以构成多个像素中的每一个的像素电路。例如，薄膜晶体管TFT可以是像素电路的驱动晶体管或者开关晶体管。薄膜晶体管TFT可以包括半导体区域ACT、栅电极GE、源电极SE以及漏电极DE。
半导体区域ACT、源电极SE以及漏电极DE可以布置在波长转换层WLCL的第二平坦化层OC2上。半导体区域ACT可以在厚度方向上与栅电极GE重叠，并且可以借由栅极绝缘膜GI而绝缘。源电极SE和漏电极DE可以通过将半导体区域ACT的物质导体化而布置。
栅电极GE可以布置在栅极绝缘膜GI的上部。栅电极GE可以与半导体区域ACT重叠，并且将栅极绝缘膜GI设置在栅电极GE与半导体区域ACT之间。
栅极绝缘膜GI可以布置在半导体区域ACT、源电极SE以及漏电极DE的上部。例如，栅极绝缘膜GI可以覆盖半导体区域ACT、源电极SE、漏电极DE以及第二平坦化层OC2，并且可以使半导体区域ACT与栅电极GE绝缘。栅极绝缘膜GI可以包括使连接电极CNE贯通的接触孔。
层间绝缘膜ILD可以布置在栅电极GE的上部。例如，层间绝缘膜ILD可以包括使连接电极CNE贯通的接触孔。其中，层间绝缘膜ILD的接触孔可以连接到栅极绝缘膜GI的接触孔。
连接电极CNE可以布置在层间绝缘膜ILD上。连接电极CNE可以连接薄膜晶体管TFT的漏电极DE和发光元件EL的第一电极AE。连接电极CNE可以通过布置在栅极绝缘膜GI和层间绝缘膜ILD的接触孔与漏电极DE接触。
第二保护层PAS2可以布置在连接电极CNE的上部而保护薄膜晶体管TFT。例如，第二保护层PAS2可以包括使发光元件EL的第一电极AE贯通的接触孔。
第三平坦化层OC3可以布置在第二保护层PAS2的上部以平坦化薄膜晶体管层TFTL的上端。例如，第三平坦化层OC3可以包括使发光元件EL的第一电极AE贯通的接触孔。其中，第三平坦化层OC3的接触孔可以连接到第二保护层PAS2的接触孔。
发光元件层EML可以包括发光元件EL、第一接触电极CTE1、第二接触电极CTE2、第一绝缘膜IL1、第二绝缘膜IL2、第三保护层PAS3以及反射部件RM。
发光元件EL可以布置在薄膜晶体管层TFTL的第三平坦化层OC3上。发光元件EL可以布置为与第一发光区域LA1至第三发光区域LA3中的一个发光区域重叠。
发光元件EL可以包括第一电极AE、第二电极CE以及发光二极管ED。
第一电极AE可以布置在薄膜晶体管层TFTL的第三平坦化层OC3上。第一电极AE可以通过布置在第三平坦化层OC3和第二保护层PAS2的接触孔连接到连接电极CNE。第一电极AE可以通过连接电极CNE连接到薄膜晶体管TFT的漏电极DE。第一电极AE可以是发光元件EL的阳极，但并不限于此。
第二电极CE可以布置为在薄膜晶体管层TFTL的第三平坦化层OC3上与第一电极AE相隔。例如，第二电极CE可以接收供应到所有像素的公共电压。第二电极CE可以是发光元件EL的阴极，但并不限于此。
发光二极管ED可以在薄膜晶体管层TFTL的第三平坦化层OC3上布置在第一电极AE与第二电极CE之间。发光二极管ED可以布置为与第一电极AE和第二电极CE分别相隔。发光二极管ED的一端可以通过第一接触电极CTE1连接到第一电极AE，发光二极管ED的另一端可以通过第二接触电极CTE2连接到第二电极CE。例如，多个发光二极管ED可以包括具有相同物质的活性层，从而发出相同波段的光或者相同颜色的光。从第一发光区域LA1至第三发光区域LA3中的每一个发出的光可以具有相同颜色。例如，多个发光二极管ED可以发出具有440nm至480nm范围的峰值波长的第三颜色的光或者蓝色光。因此，发光元件层EML可以发出第三颜色的光或者蓝色光。
第一接触电极CTE1可以覆盖发光二极管ED的一端和第一电极AE。第一接触电极CTE1可以连接发光二极管ED的一端和第一电极AE。第一接触电极CTE1可以借由第一绝缘膜IL1和第二绝缘膜IL2而与第二接触电极CTE2绝缘。
第二接触电极CTE2可以覆盖发光二极管ED的另一端和第二电极CE。第二接触电极CTE2可以连接发光二极管ED的另一端和第二电极CE。第二接触电极CTE2可以借由第一绝缘膜IL1和第二绝缘膜IL2而与第一接触电极CTE1绝缘。
第一绝缘膜IL1可以覆盖发光二极管ED的一部分。第一绝缘膜IL1可以防止第二接触电极CTE2延伸至发光二极管ED的一端。第一绝缘膜IL1可以使第一接触电极CTE1与第二接触电极CTE2绝缘。
第二绝缘膜IL2可以覆盖第一绝缘膜IL1的一部分和第二电极CE。第二绝缘膜IL2可以防止第一接触电极CTE1延伸至第二接触电极CTE2。
第三保护层PAS3可以覆盖发光元件EL、第一接触电极CTE1、第二接触电极CTE2。第三保护层PAS3可以布置为与第一发光区域LA1至第三发光区域LA3中的一个发光区域重叠。第三保护层PAS3可以防止诸如水分或者空气等杂质从外部渗透，从而防止多个发光元件EL的损坏。
第三保护层PAS3可以包括透光率相对较高的物质。第三保护层PAS3可以利用透明有机物质构成。例如，第三保护层PAS3可以包括环氧系树脂、丙烯酸系树脂、Cardo系树脂以及酰亚胺系树脂等有机物质中的至少一种。例如，第三保护层PAS3可以确定反射部件RM的形状。
反射部件RM可以覆盖第三保护层PAS3。反射部件RM可以朝向基板SUB反射由发光二极管ED发出的光L。由发光二极管ED发出的光L可以借由反射部件RM而被反射，并且可以穿过薄膜晶体管层TFTL、波长转换层WLCL以及滤色器层CFL而向显示装置10的前方发出。例如，由反射部件RM反射的光L可以穿过第一波长转换部WLC1和第一滤色器CF1而向第一发光区域LA1发出。由反射部件RM发出的光可以穿过第二波长转换部WLC2和第二滤色器CF2而向第二发光区域LA2发出。并且，由反射部件RM发出的光可以穿过透光部LTU以及第三滤色器CF3而向第三发光区域LA3发出。反射部件RM的形状可以由第三保护层PAS3确定，反射部件RM可以具有能够使发光元件层EML的光发出效率最大化的形状。
例如，反射部件RM可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)、氟化锂/钙(LiF/Ca)以及氟化锂/铝(LiF/Al)中的至少一种的合金、氮化物或者氧化物等。反射部件RM可以具有单层结构或者多层结构。
封装层TFE可以覆盖发光元件层EML。例如，封装层TFE可以覆盖反射部件RM的上表面和侧表面以及薄膜晶体管层TFTL的一部分。例如，封装层TFE可以包括至少一个无机膜，从而防止氧气或者水分渗透。并且，封装层TFE可以包括至少一个有机膜，从而保护显示装置10免受诸如灰尘等异物的影响。
金属层HRL可以布置在封装层TFE上。金属层HRL可以将在显示装置10内部产生的热释放到外部。金属层HRL的导热率可以高于封装层TFE的导热率。在从发光元件层EML或者薄膜晶体管层TFTL产生的热通过封装层TFE被传递的情形下，金属层HRL可以将热释放到显示装置10的外部。
保护膜PF可以布置在金属层HRL上。保护膜PF可以覆盖金属层HRL，从而防止金属层HRL的损坏。
图5是示出根据一实施例的发光元件的图。
参照图5，发光二极管ED可以包括第一半导体层111、第二半导体层113、活性层115、电极层117以及绝缘膜118。例如，发光二极管ED可以具有微米(Micro-meter)单位或者纳米(Nano-meter)单位的尺寸，并且可以是包括无机物的无机发光二极管。无机发光二极管可以根据在彼此对向的两个电极之间沿特定方向形成的电场而在两个电极之间对准。
第一半导体层111可以是n型半导体。例如，在发光二极管ED发出蓝色光的情形下，第一半导体层111可以包括具有化学式AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体物质。第一半导体层111可以包括掺杂为n型的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN以及InN中的至少一种半导体物质。第一半导体层111可以掺杂有诸如Si、Ge、Sn等n型掺杂剂。第一半导体层111可以是掺杂有n型Si的n-GaN。第一半导体层111的长度可以具有1.5μm至5μm的范围，但并不限于此。
第二半导体层113可以布置在活性层115上。例如，在发光二极管ED发出蓝色光或者绿色光的情形下，第二半导体层113可以包括具有化学式AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体物质。例如，第二半导体层113可以包括掺杂为p型的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN以及InN中的至少一种半导体物质。第二半导体层113可以掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Se、Ba等p型掺杂剂。第二半导体层113可以是掺杂有p型Mg的p-GaN。第二半导体层113的长度可以具有0.05μm至0.10μm的范围，但并不限于此。
第一半导体层111及第二半导体层113中的每一个可以形成为一个层，但并不限于此。例如，第一半导体层111及第二半导体层113中的每一个可以具有包括包覆层(CladLayer)或者拉伸应变势垒降低(TSBR：Tensile Strain Barrier Reducing)层的多个层。
活性层115可以布置在第一半导体层111与第二半导体层113之间。活性层115可以包括单量子阱结构的物质或者多量子阱结构的物质。在活性层115包括多量子阱结构的物质的情形下，量子层(QuantumLayer)和阱层(WellLayer)可以相互交替地堆叠有多个。活性层115可以根据通过第一半导体层111及第二半导体层113施加的电信号而借由电子-空穴对的结合来发光。例如，在活性层115发出蓝色光的情形下，可以包括诸如AlGaN、AlGaInN等物质。在活性层115为交替堆叠量子层和阱层的多量子阱结构的情形下，量子层可以包括AlGaN或者AlGaInN等物质，并且阱层可以包括GaN或者AlInN等物质。活性层115可以通过包括作为量子层的AlGaInN和作为阱层的AlInN而发出蓝色光。
作为另一例，活性层115可以具有将带隙(Band gap)能高的种类的半导体物质和带隙能低的半导体物质相互交替地堆叠的结构，并且可以根据发出的光的波段而包括3族至5族半导体物质。活性层115发出的光不限于蓝色光，根据情况可以发出红色光或者绿色光。活性层115的长度可以具有0.05μm至0.10μm的范围，但并不限于此。
从活性层115发出的光可以沿发光二极管ED的长度方向发出，也可以向发光二极管ED的两个侧面发出。从活性层115发出的光的方向性可以不受限制。
电极层117可以是欧姆(Ohmic)接触电极。作为另一例，电极层117也可以是肖特基(Schottky)接触电极。发光二极管ED可以包括至少一个电极层117。当发光二极管ED电连接到电极时，电极层117可以减小发光二极管ED与电极之间的电阻。电极层117可以包括具有导电性的金属。例如，电极层117可以包括铝(Al)、钛(Ti)、铟(In)、金(Au)、银(Ag)、氧化铟锡(ITO：Indium Tin Oxide)、氧化铟锌(IZO：Indium Zinc Oxide)以及氧化铟锡锌(ITZO：Indium Tin-Zinc Oxide)中的至少一种。电极层117还可以包括掺杂为n型或者p型的半导体物质。
绝缘膜118可以围绕多个半导体层以及电极层的外表面。绝缘膜118可以围绕活性层115的外表面，并且可以沿发光二极管ED所延伸的方向延伸。绝缘膜118可以保护发光二极管ED。例如，绝缘膜118可以围绕发光二极管ED的侧表面，并且可以暴露发光二极管ED的长度方向的两端。
绝缘膜118可以包括具有绝缘特性的物质，例如，硅氧化物(SiOx：Siliconoxide)、硅氮化物(SiNx：Silicon nitride)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlN：Aluminumnitride)、氧化铝(Al2O3：Aluminum oxide)等。因此，绝缘膜118可以防止在活性层115与向发光二极管ED传递电信号的电极直接接触的情形下可能发生的电短路。并且，绝缘膜118由于包括活性层115而保护发光二极管ED的外表面，从而可以防止发光效率的降低。
绝缘膜118的外表面可以被表面处理。在制造显示装置10时，发光二极管ED可以以分散在预定的墨中的状态而被喷射到电极上并对准。通过对绝缘膜118的表面进行疏水性或者亲水性处理，发光二极管ED可以在墨内不与相邻的其他发光二极管ED凝聚而维持分散的状态。
图6是示出根据一实施例的瓦片型显示装置的结合结构的平面图，图7是沿图6的截线II-II'截取的一例的剖面图。以下将简要说明或者省略与前述构成相同的构成。
参照图6以及图7，瓦片型显示装置TD可以包括多个显示装置10以及结合部件20。例如，瓦片型显示装置TD可以包括第一显示装置10-1至第四显示装置10-4，但显示装置10的数量并不限于图6的实施例。显示装置10的数量可以根据显示装置10和瓦片型显示装置TD中的每一个的尺寸而确定。
第一显示装置10-1和第二显示装置10-2中的每一个可以包括基板SUB、滤色器层CFL、波长转换层WLCL、薄膜晶体管层TFTL、发光元件层EML、封装层TFE、金属层HRL、保护膜PF、垫部PD、连接膜ACF、柔性膜210以及源极驱动部220。
基板SUB可以是基底基板或者基底部件，并且可以利用高分子树脂等绝缘物质构成。例如，基板SUB可以是能够弯曲(Bending)、折叠(Folding)、卷曲(Rolling)等的柔性(Flexible)基板。基板SUB可以包括聚酰亚胺(PI)，但并不限于此。
滤色器层CFL、波长转换层WLCL、薄膜晶体管层TFTL、发光元件层EML以及封装层TFE可以依次堆叠在基板SUB上。因此，基板SUB可以支撑显示装置10。由于滤色器层CFL、波长转换层WLCL、薄膜晶体管层TFTL、发光元件层EML以及封装层TFE依次堆叠在基板SUB上，显示装置10可以不需要用于波长转换层WLCL或者滤色器层CFL的额外的基板。因此，显示装置10的厚度可以相对减小。
薄膜晶体管层TFTL可以包括布置在层间绝缘膜ILD上的连接布线CWL。连接布线CWL与连接电极CNE可以在相同层利用相同物质构成。连接布线CWL可以布置在显示区域DA的遮光区域BA或者非显示区域NDA。连接布线CWL可以与第一遮光部件BK1和第二遮光部件BK2重叠。连接布线CWL可以将从垫部PD供应的电压或者信号供应到薄膜晶体管TFT。例如，连接布线CWL可以将从垫部PD接收到的数据电压供应到数据线，并且可以将从垫部PD接收到的电源电压供应到电源线。
垫部PD可以在封装层TFE上布置在显示装置10的边沿。垫部PD可以通过贯通封装层TFE、第三平坦化层OC3以及第二保护层PAS2的第一接触孔CNT1连接到薄膜晶体管层TFTL的连接布线CWL。垫部PD可以将从柔性膜210或者源极驱动部220接收到的电压或者信号供应到连接布线CWL。
垫部PD可以布置在显示装置10的后方。例如，由发光元件层EML发出的光可以被反射部件RM反射，从而通过薄膜晶体管层TFTL、波长转换层WLCL、滤色器层CFL以及基板SUB而向显示装置10的前方发出。垫部PD可以布置在显示装置10的后方，从而最小化显示装置10的非显示区域NDA的面积。例如，垫部PD可以布置在显示区域DA的遮光区域BA或者非显示区域NDA。垫部PD可以与第一遮光部件BK1以及第二遮光部件BK2重叠。因此，瓦片型显示装置TD可以通过最小化多个显示装置10之间的间隔，从而防止用户识别出多个显示装置10之间的非显示区域NDA或者边界部分。
垫部PD与金属层HRL可以在相同层利用相同物质构成。可以通过在封装层TFE上涂覆构成垫部PD和金属层HRL的物质之后进行图案化而制备垫部PD和金属层HRL。因此，显示装置10可以减少工艺步骤和工艺时间，并且降低制造成本。
连接膜ACF可以将柔性膜210贴附到垫部PD。连接膜ACF的一表面可以贴附到垫部PD，连接膜ACF的另一表面可以贴附到柔性膜210。例如，连接膜ACF可以覆盖整个垫部PD，但并不限于此。
连接膜ACF可以包括各向异性导电膜(Anisotropic Conductive Film)。在连接膜ACF包括各向异性导电膜的情形下，连接膜ACF可以在垫部PD和柔性膜210的接触垫接触的区域具有导电性，并且可以将柔性膜210电连接到垫部PD。
柔性膜210可以布置在垫部PD上。柔性膜210的一侧可以连接到垫部PD，柔性膜210的另一侧可以连接到源极电路板(未示出)。柔性膜210可以将来自源极驱动部220的信号传输至显示装置10。例如，源极驱动部220可以是集成电路(IC：Integrated Circuit)。源极驱动部220可以基于时序控制部的源极控制信号来将数字视频数据转换为模拟数据电压，并通过柔性膜210供应至显示区域DA的数据线。
结合部件20可以布置在多个显示装置10中的每一个之间，从而使相邻的显示装置10的侧表面彼此结合。结合部件20可以通过连接以格子形态排列的第一显示装置10-1至第四显示装置10-4的侧表面，从而呈现瓦片型显示装置TD。结合部件20可以结合彼此相邻的显示装置10各自的侧表面。
例如，结合部件20可以利用具有相对较薄的厚度的粘结剂或者双面胶构成，从而使多个显示装置10之间的间距最小化。作为另一例，结合部件20可以利用具有相对较薄的厚度的结合框架构成，从而使多个显示装置10之间的间距最小化。因此，瓦片型显示装置TD可以防止用户识别出多个显示装置10之间的非显示区域NDA或者边界部分。
图8是沿图6的截线II-II'截取的另一例的剖面图。图8的显示装置在图7的显示装置的基础上改变了连接布线CWL的构成，将简要说明或者省略与前述构成相同的构成。
参照图8，薄膜晶体管层TFTL可以包括布置在栅极绝缘膜GI上的连接布线CWL。连接布线CWL与薄膜晶体管TFT的栅电极GE可以在相同层利用相同物质构成。连接布线CWL可以布置在显示区域DA的遮光区域BA或者非显示区域NDA。连接布线CWL可以与第一遮光部件BK1和第二遮光部件BK2重叠。连接布线CWL可以将从垫部PD供应的电压或者信号供应到薄膜晶体管TFT。例如，连接布线CWL可以将从垫部PD接收到的栅极信号供应到栅极线，并且可以将从垫部PD接收到的发光信号供应到发光控制线。
垫部PD可以在封装层TFE上布置在显示装置10的边沿。垫部PD可以通过贯通封装层TFE、第三平坦化层OC3、第二保护层PAS2以及层间绝缘膜ILD的第二接触孔CNT2连接到薄膜晶体管层TFTL的连接布线CWL。垫部PD可以将从柔性膜210或者源极驱动部220接收到的电压或者信号供应到连接布线CWL。
图9是沿图6的截线II-II'截取的又一例的剖面图。图9的显示装置在图7的显示装置的基础上改变了反射部件RM的构成，将简要说明或者省略与前述构成相同的构成。
参照图9，第一显示装置10-1和第二显示装置10-2中的每一个可以包括基板SUB、滤色器层CFL、波长转换层WLCL、薄膜晶体管层TFTL、发光元件层EML、封装层TFE、金属层HRL、保护膜PF、垫部PD、连接膜ACF、柔性膜210以及源极驱动部220。
发光元件层EML可以包括发光元件EL、第一接触电极CTE1、第二接触电极CTE2、第一绝缘膜IL1、第二绝缘膜IL2、第三保护层PAS3以及反射部件RM。
反射部件RM可以覆盖第三保护层PAS3以及第三平坦化层OC3。反射部件RM可以朝向基板SUB反射由发光二极管ED发出的光L。由发光二极管ED发出的光L可以借由反射部件RM而被反射，并且可以穿过薄膜晶体管层TFTL、波长转换层WLCL以及滤色器层CFL而向显示装置10的前方发出。例如，由反射部件RM反射的光L可以穿过第一波长转换部WLC1和第一滤色器CF1向第一发光区域LA1发出。从反射部件RM发出的光可以穿过第二波长转换部WLC2和第二滤色器CF2向第二发光区域LA2发出。并且，由反射部件RM发出的光可以穿过透光部LTU以及第三滤色器CF3向第三发光区域LA3发出。反射部件RM的形状可以由第三保护层PAS3和第三平坦化层OC3确定，反射部件RM可以具有能够使发光元件层EML的光发出效率最大化的形状。
例如，反射部件RM可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)、氟化锂/钙(LiF/Ca)以及氟化锂/铝(LiF/Al)中的至少一种的合金、氮化物或者氧化物等。反射部件RM可以具有单层结构或者多层结构。
封装层TFE可以覆盖发光元件层EML。封装层TFE可以覆盖反射部件RM。例如，封装层TFE可以覆盖反射部件RM的覆盖第三保护层PAS3的一部分和反射部件RM的覆盖第三平坦化层OC3的另一部分。例如，封装层TFE可以包括至少一个无机膜，从而防止氧气或者水分渗透。并且，封装层TFE可以包括至少一个有机膜，从而保护显示装置10免受诸如灰尘等异物的影响。
图10至图18是示出根据一实施例的显示装置的制造过程的剖面图。
在图10中，滤色器层CFL、波长转换层WLCL以及薄膜晶体管层TFTL可以依次堆叠在基板SUB上。
滤色器层CFL可以包括第一遮光部件BK1、第一滤色器CF1至第三滤色器CF3以及第一平坦化层OC1。
波长转换层WLCL可以包括第一封盖层CAP1、第二遮光部件BK2、第一波长转换部WLC1、第二波长转换部WLC2、透光部LTU、第二封盖层CAP2以及第二平坦化层OC2。
薄膜晶体管层TFTL可以包括薄膜晶体管TFT、栅极绝缘膜GI、层间绝缘膜ILD、连接电极CNE、第二保护层PAS2以及第三平坦化层OC3。
在图11中，第一电极AE可以布置在薄膜晶体管层TFTL的第三平坦化层OC3上。第一电极AE可以通过布置在第三平坦化层OC3和第二保护层PAS2的接触孔连接到连接电极CNE。第一电极AE可以通过连接电极CNE连接到薄膜晶体管TFT的漏电极DE。第一电极AE可以是发光元件EL的阳极，但并不限于此。
第二电极CE可以布置为在薄膜晶体管层TFTL的第三平坦化层OC3上与第一电极AE相隔。例如，第二电极CE可以接收供应到所有像素的公共电压。第二电极CE可以是发光元件EL的阴极，但并不限于此。
在图12中，发光二极管ED可以在薄膜晶体管层TFTL的第三平坦化层OC3上布置在第一电极AE与第二电极CE之间。发光二极管ED可以布置为与第一电极AE和第二电极CE分别相隔。发光二极管ED可以根据在第一电极AE与第二电极CE之间沿特定方向形成的电场而在第一电极AE与第二电极CE之间对准。例如，发光二极管ED的p型半导体层可以与第一电极AE相面对，发光二极管ED的n型半导体层可以与第二电极CE相面对，但并不限于此。
在图13中，第一绝缘膜IL1可以覆盖发光二极管ED的一部分。第一绝缘膜IL1可以防止第二接触电极CTE2延伸至发光二极管ED的一端。
第二接触电极CTE2可以覆盖发光二极管ED的另一端和第二电极CE。例如，第二接触电极CTE2可以连接发光二极管ED的n型半导体层和第二电极CE。
在图14中，第二绝缘膜IL2可以覆盖第一绝缘膜IL1的一部分和第二电极CE。第二绝缘膜IL2可以防止第一接触电极CTE1延伸到第二接触电极CTE2。
第一接触电极CTE1可以覆盖发光二极管ED的一端和第一电极AE。例如，第一接触电极CTE1可以连接发光二极管ED的p型半导体层和第一电极AE。第一接触电极CTE1可以借由第一绝缘膜IL1和第二绝缘膜IL2而与第二接触电极CTE2绝缘。
在图15中，第三保护层PAS3可以覆盖发光元件EL、第一接触电极CTE1、第二接触电极CTE2。第三保护层PAS3可以布置为与第一发光区域LA1至第三发光区域LA3中的一个发光区域重叠。第三保护层PAS3可以防止诸如水分或者空气等杂质从外部渗透，从而防止多个发光元件EL的损坏。
第三保护层PAS3可以包括透光率相对较高的物质。第三保护层PAS3可以利用透明有机物质构成。例如，第三保护层PAS3可以包括环氧系树脂、丙烯酸系树脂、Cardo系树脂以及酰亚胺系树脂等有机物质中的至少一种。例如，第三保护层PAS3可以决定反射部件RM的形状。
反射部件RM可以覆盖第三保护层PAS3。反射部件RM可以朝向基板SUB反射由发光二极管ED发出的光L。由发光二极管ED发出的光L可以借由反射部件RM而被反射，并且可以穿过薄膜晶体管层TFTL、波长转换层WLCL以及滤色器层CFL而向显示装置10的前方发出。例如，由反射部件RM反射的光L可以穿过第一波长转换部WLC1和第一滤色器CF1而向第一发光区域LA1发出。由反射部件RM发出的光可以穿过第二波长转换部WLC2和第二滤色器CF2而向第二发光区域LA2发出。并且，由反射部件RM发出的光可以穿过透光部LTU以及第三滤色器CF3而向第三发光区域LA3发出。反射部件RM的形状可以由第三保护层PAS3来决定，反射部件RM可以具有能够使发光元件层EML的光发出效率最大化的形状。
例如，反射部件RM可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)、氟化锂/钙(LiF/Ca)以及氟化锂/铝(LiF/Al)中的至少一种的合金、氮化物或者氧化物等。反射部件RM可以具有单层结构或者多层结构。
在图16中，封装层TFE可以覆盖发光元件层EML。例如，封装层TFE可以覆盖反射部件RM的上表面和侧表面以及薄膜晶体管层TFTL的一部分。例如，封装层TFE可以包括至少一个无机膜，从而防止氧气或者水分渗透。并且，封装层TFE可以包括至少一个有机膜，从而保护显示装置10免受诸如灰尘等异物的影响。
第一接触孔CNT1可以借由布置在封装层TFE上的掩模MSK而被图案化。例如，构成掩模MSK的物质可以布置在封装层TFE上之后通过湿法蚀刻(Wet Etching)工艺而进行图案化。并且，封装层TFE、第三平坦化层OC3以及第二保护层PAS2的一部分可以通过干法蚀刻工艺(Dry Etching)而进行图案化。掩模MSK可以在形成第一接触孔CNT1之后被去除。第一接触孔CNT1的形成工艺不限于湿法刻蚀(Wet Etching)工艺或者干法刻蚀(Dry Etching)工艺。
在图17中，垫部PD可以在封装层TFE上布置在显示装置10的边沿。垫部PD可以通过贯通封装层TFE、第三平坦化层OC3以及第二保护层PAS2的第一接触孔CNT1连接到薄膜晶体管层TFTL的连接布线CWL。
垫部PD可以布置在显示装置10的后方。例如，由发光元件层EML发出的光可以被反射部件RM反射，从而穿过薄膜晶体管层TFTL、波长转换层WLCL、滤色器层CFL以及基板SUB而向显示装置10的前方发出。垫部PD可以布置在显示装置10的后方，从而最小化显示装置10的非显示区域NDA的面积。例如，垫部PD可以布置在显示区域DA的遮光区域BA或者非显示区域NDA。垫部PD可以与第一遮光部件BK1以及第二遮光部件BK2重叠。因此，瓦片型显示装置TD可以通过最小化多个显示装置10之间的间隔，来防止用户识别出多个显示装置10之间的非显示区域NDA或者边界部分。
金属层HRL可以在封装层TFE上布置在除了布置有垫部PD的区域以外的区域。金属层HRL可以与垫部PD相隔而绝缘。金属层HRL可以将在显示装置10内部产生的热释放到外部。金属层HRL的导热率可以高于封装层TFE的导热率。在从发光元件层EML或者薄膜晶体管层TFTL产生的热通过封装层TFE而被传递的情形下，金属层HRL可以将热释放到显示装置10的外部。
垫部PD与金属层HRL可以在相同层利用相同物质构成。可以通过在封装层TFE上涂覆构成垫部PD和金属层HRL的物质之后进行图案化而制备垫部PD和金属层HRL。因此，显示装置10可以减少工艺步骤和工艺时间，并且降低制造成本。
在图18中，柔性膜210可以布置在垫部PD上。柔性膜210的一侧可以连接到垫部PD，柔性膜210的另一侧可以连接到源极电路板(未示出)。柔性膜210可以将来自源极驱动部220的信号传输至显示装置10。例如，源极驱动部220可以是集成电路(IC：IntegratedCircuit)。源极驱动部220可以基于时序控制部的源极控制信号来将数字视频数据转换为模拟数据电压，并通过柔性膜210供应至显示区域DA的数据线。
保护膜PF可以布置在金属层HRL上。保护膜PF可以覆盖金属层HRL，从而防止金属层HRL的损坏。
像这样，可以通过将多个显示装置10中的每一个的垫部PD布置在显示装置10的后方而最小化显示装置10的非显示区域NDA的面积。例如，垫部PD可以布置在显示区域DA的遮光区域BA或者非显示区域NDA。垫部PD可以与第一遮光部件BK1和第二遮光部件BK2重叠。因此，瓦片型显示装置TD可以最小化多个显示装置10之间的间隔，从而防止用户识别出多个显示装置10之间的非显示区域NDA或者边界部分。
以上，虽然参照附图对本发明的实施例进行了说明，但是在本发明所属技术领域中具有普通知识的技术人员能够理解，在不改变本发明的技术思想或必要特征的前提下能够实施为其他具体形态。因此，以上描述的实施例应当在所有方面均被理解为示例性的，而并非限定性的。

Claims (14)

1.一种显示装置，包括：
基板，包括多个发光区域和多个遮光区域，所述多个遮光区域分别围绕所述多个发光区域；
薄膜晶体管层，包括薄膜晶体管和连接布线，所述薄膜晶体管布置在所述基板上，所述连接布线连接到所述薄膜晶体管；
发光元件层，布置在所述薄膜晶体管层上，并且包括与所述多个发光区域分别对应的多个发光元件；
封装层，覆盖所述发光元件层；以及
垫部，布置在所述封装层上，并且通过布置在所述封装层的接触孔与所述连接布线接触。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述薄膜晶体管层还包括：连接电极，布置在所述薄膜晶体管上而连接所述薄膜晶体管的第一电极和所述发光元件，
其中，所述连接布线与所述连接电极布置在相同层。
3.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述连接布线与所述薄膜晶体管的栅电极布置在相同层。
4.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述垫部或者所述连接布线与所述多个遮光区域重叠。
5.如权利要求1所述的显示装置，其中，还包括：
金属层，布置在所述封装层上，并且与所述垫部相隔。
6.如权利要求5所述的显示装置，其中，
所述金属层利用与所述垫部相同的物质构成。
7.如权利要求6所述的显示装置，其中，还包括：
保护膜，覆盖所述金属层；以及
柔性膜，布置在所述垫部上而连接到所述垫部。
8.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述多个发光元件中的每一个包括：
第一电极，布置在所述薄膜晶体管层上，并且与所述薄膜晶体管连接；
第二电极，在所述薄膜晶体管层上与所述第一电极相隔而布置；以及
发光二极管，在所述第一电极与所述第二电极之间与所述第一电极和所述第二电极相隔地布置。
9.如权利要求8所述的显示装置，其中，
所述发光元件层还包括：
第一接触电极，覆盖所述发光二极管的一端和所述第一电极而连接所述发光二极管和所述第一电极；以及
第二接触电极，覆盖所述发光二极管的另一端和所述第二电极而连接所述发光二极管和所述第二电极。
10.如权利要求9所述的显示装置，其中，
所述发光元件层还包括：
保护层，覆盖所述发光元件、所述第一接触电极以及所述第二接触电极；以及
反射部件，覆盖所述保护层，并且朝向所述基板反射由所述发光二极管发出的光，
其中，所述多个发光区域中的每一个的反射部件彼此相隔。
11.如权利要求10所述的显示装置，其中，
所述封装层覆盖所述反射部件的上表面和侧表面以及所述薄膜晶体管层的一部分。
12.如权利要求9所述的显示装置，其中，
所述发光元件层还包括：
保护层，覆盖所述发光元件、所述第一接触电极以及所述第二接触电极；以及
反射部件，覆盖所述保护层和所述薄膜晶体管层，并且朝向所述基板反射由所述发光二极管发出的光。
13.一种瓦片型显示装置，包括：
多个显示装置，所述多个显示装置中的每一个包括显示区域和非显示区域，所述显示区域配备有多个像素，所述非显示区域围绕所述显示区域；以及
结合部件，结合所述多个显示装置，
其中，所述多个显示装置中的每一个是根据权利要求1至3和5至12中的任意一项所述的显示装置，
其中，所述基板所包括的多个发光区域对应于所述显示区域的一部分，所述基板所包括的多个遮光区域对应于所述显示区域的另一部分。
14.如权利要求13所述的瓦片型显示装置，其中，
所述垫部或者所述连接布线与所述非显示区域或者所述多个遮光区域重叠。
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