CN113953618A - 一种上锡工装及载片上锡方法 - Google Patents
一种上锡工装及载片上锡方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113953618A CN113953618A CN202111502927.1A CN202111502927A CN113953618A CN 113953618 A CN113953618 A CN 113953618A CN 202111502927 A CN202111502927 A CN 202111502927A CN 113953618 A CN113953618 A CN 113953618A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- tin
- base
- pressing plate
- slide
- pressing block
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 103
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 69
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 38
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 4
- 239000007779 soft material Substances 0.000 claims description 4
- 239000002969 artificial stone Substances 0.000 claims description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 3
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- SWPMTVXRLXPNDP-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxy-2,6,6-trimethylcyclohexene-1-carbaldehyde Chemical compound CC1=C(C=O)C(C)(C)CC(O)C1 SWPMTVXRLXPNDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- WUUZKBJEUBFVMV-UHFFFAOYSA-N copper molybdenum Chemical compound [Cu].[Mo] WUUZKBJEUBFVMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 3
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 2
- 239000004484 Briquette Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N copper tungsten Chemical compound [Cu].[W] SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004227 thermal cracking Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K3/00—Tools, devices, or special appurtenances for soldering, e.g. brazing, or unsoldering, not specially adapted for particular methods
- B23K3/06—Solder feeding devices; Solder melting pans
- B23K3/0607—Solder feeding devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K3/00—Tools, devices, or special appurtenances for soldering, e.g. brazing, or unsoldering, not specially adapted for particular methods
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/42—Printed circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Coating With Molten Metal (AREA)
Abstract
本发明提供一种上锡工装及载片上锡方法，上锡工装包括：底座、压块、压板；底座端面沿长度方向设有多个凹槽，凹槽中设有用于承载锡片的卡槽；压块设于凹槽内，用于抵接载片；压板设于底座上方，压板通过销钉固定在底座上，用于对压块施加压力，压板下端面设有多个间隔均匀的限位槽，限位槽与压块上端配合；载片上锡方法包括以下步骤：制作与载片底面相同的锡片、将锡片放置在上锡工装的底座的卡槽中，将载片放置在锡片上、将已安装压块的压板对位底座上的定位销并安装到底座上、施加压力、将工装放置在真空共晶炉中、对共晶炉抽真空并继续加热，对载片上锡；在真空环境中上锡，减少气泡，降低焊接空洞率，降低操作难度，提高产品质量。
Description
技术领域
本发明涉及电路产品生产技术领域，尤其与一种上锡工装及载片上锡方法相关。
背景技术
随着微波产品不断朝着小型化、轻量化发展，传统大功率模块朝着厚膜模块转型，即将传统大功率元器件用裸芯片方式替代，通过安装到到高导热的HTCC电路基板上形成良好散热通道，从而达到减小体积和重量的目的；但考虑到HTCC电路基板在客户端焊接安装时与基材热膨胀系数与存在较大差异，为了防止热拉裂，往往需要将HTCC电路基板先安装到热匹配良好的钨铜或钼铜载片上，组成载片式结构，已组装完成的载片为了提高可焊性，需在钼铜载片底部预上锡，钼铜载片底部上锡的方法有手工上锡、回流焊上锡等方式。但是载片手工摩擦上锡主要存在以下不足：
1.镀金载板上焊料熔化时，金元素会熔入到焊料中，导致焊锡金元素含量增加，将可能导致焊接发生金脆效应；
2.手工摩擦过程中，使镀金载板上熔化的焊锡里层不断暴露出来，即使旁边加氮气保护，也会发生一定程度氧化，产生金属氧化物，降低焊接强度，
3.手工摩擦上锡操作难度较高，夹持产品失误会损伤产品上芯片，上锡厚度难以控制，厚薄均匀性较差，上锡后清理载片侧边焊锡花费时间长。
载片回流焊上锡主要存在以下不足：
1.载片回流焊前需要将载片底部印刷上焊膏，对于某些低温焊锡膏，由于其加工难度大，国内无生产厂家，只能购买进口低温焊膏，采购价格高昂，生产成本过高；
2.载片回流焊有助焊剂残留，对于已粘接芯片及键合金丝的产品不便于清洗，焊膏中较多的助焊剂排出不及时造成气泡残留，界面空洞率较大。
发明内容
针对上述相关现有技术的不足，本申请提供一种上锡工装及载片上锡方法，利用共晶炉进行载片上锡，在真空环境中熔化上锡，减少气泡，降低焊接空洞率，不仅可以避免手工摩擦上锡方法存在的焊锡融入金元素、焊料氧化的问题，也可以避免回流焊上锡方法存在助焊剂残留，清洗困难的问题，简单易操作，具有较强的实用性。
为了实现上述目的，本发明采用以下技术：
一种上锡工装，包括：底座、压块、压板。
底座端面沿长度方向设有多个间隔均匀的凹槽，且凹槽有两排，凹槽中设有与锡片形状适配的卡槽，卡槽用于承载锡片；压块设于凹槽内，用于抵接载片；压板设于底座上方，压板通过销钉固定在底座上，用于对压块施加压力，压板下端面设有多个间隔均匀的限位槽，限位槽与压块上端配合。
进一步地，底座端面设有定位销，压板端面设有贯穿的定位孔，定位销穿设于定位孔中，销钉设于底座上端面的四角，且销钉与底座通过螺纹连接，压板穿设于销钉中，压板上端面四角设有限位板，限位板通过螺钉固定在压板上，且限位板可绕螺钉轴线转动，应用时，限位板一端套设于销钉上。
进一步地，压块的下端面设有凹部，凹部形状与载片上的芯片分布相适配，压块上端面设有多个定位杆，定位杆穿过压板，定位杆上还套设有弹簧，弹簧一端抵接到压块端面，另一端抵接到压板的下端面.
进一步地，底座的材料为石墨，压板的材料为合成石，且压块的材料为耐高温软质材料。
一种载片上锡方法，应用如上所述的上锡工装，包括以下步骤：
S01、制作与载片底面形状、面积相同的锡片；
S02、将上锡工装放置在工作台上，将步骤S01中制作的锡片平放在上锡工装的底座的卡槽中，然后将载片放置在锡片上，并使载片的底面与锡片对齐；
S03、将压块安装在压板上，然后将已安装压块的压板对位底座上的定位销并安装到底座上；
S04、对压板施加向下压力，同时按对角方向依次旋转四个角上的锁扣于定位销上；
S05、将装有产品的上锡工装放置在真空共晶炉的加热平台上，然后关闭真空共晶炉；
S06、对真空共晶炉抽真空，直到炉内气压达到10Pa以下，然后充入保护性氮气，对真空共晶炉进行预热，以利于载片在共晶炉中较快升温，加热至焊锡熔点以下10~20℃后保温一段时间，以使得载片实际升温与设定温度趋于一致；
S07、对共晶炉继续加热，并保温一段时间，然后再次抽真空至10Pa以下，排出熔化焊锡中的气体，然后充入氮气使产品降温至室温，完成对载片的上锡。
进一步地，步骤S01中采用激光切割或者冲压成型制作锡片，保证异形锡片加工精度。
进一步地，步骤S04所施加的压力为1N~10N。
进一步地，步骤S06中充入保护性氮气的时间为3分钟，充入速度为5L/min。
进一步地，步骤S06中预热温度为140℃，且保温时间为5min。
进一步地，步骤S07中继续加热的温度为180℃，保温时间为1min，充入氮气的速度为20L/min。
本发明有益效果在于：采用共晶炉上锡代替产品手工摩擦上锡，有助于降低操作难度，避免焊锡在搪锡摩擦过程中暴露在空气中而氧化产生空洞；采用共晶炉上锡代替回流焊上锡，使用焊片代替焊膏，避免了使用特殊焊膏所带来的高昂成本，同时有助于避免焊剂排出不及时而造成在焊锡中残留气泡，降低了界面空洞率，而且共晶炉真空上锡后不需要再进行清洗去除焊剂的工作，减少工序；在对载片上锡的过程中，多次抽真空，使得焊锡中的气泡大量减少；提供一种上锡工装，用于载片和锡片限位，同时施加压力使载片与锡片接触良好，方便对载片上锡；采用石墨制作底座，提高导热性能，使锡片上的焊锡能够快速熔化；压块用有螺纹定位杆和弹簧组合安装于定位板，具备一定弹性，在多个载片同时上锡时可全面接触，避免某些载片因接触不良导致上锡不好；同时压块与载片接触的部分采用耐高温软质材料，也可以防止载片损伤。
附图说明
本文描述的附图只是为了说明所选实施例，而不是所有可能的实施方案，更不是意图限制本发明的范围。
图1为本申请实施例的上锡方法流程图。
图2为本申请实施例的上锡工装立体示意图。
图3为本申请实施例的底座立体示意图。
图4为本申请实施例的压块立体示意图。
图5为本申请实施例的压板立体示意图。
附图标识说明：1—底座、2—压块、3—压板、11—凹槽、12—卡槽、13—销钉、14—定位销、21—凹部、22—定位杆、23—弹簧、31—限位槽、32—定位孔、33—限位板。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本发明的实施方式进行详细说明，但本发明所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
如图2~图4所示，本申请实施例的一个方面，本实例提供一种应用于载片上锡方法中的上锡工装，应用时，将上锡工装设于真空共晶炉中，包括：底座1、压块2、压板3。
底座1端面沿长度方向设有多个间隔均匀的凹槽11，且凹槽11有两排，凹槽11中设有与锡片形状适配的卡槽12，卡槽12用于承载锡片；压块2设于凹槽11内，用于抵接载片；压板3设于底座1上方，压板3通过销钉13固定在底座1上，用于对压块2施加压力，压板3下端面设有多个间隔均匀的限位槽31，限位槽31与压块2上端配合。
具体地，底座1端面设有定位销14，压板3端面设有贯穿的定位孔32，定位销14穿设于定位孔32中，销钉13设于底座1上端面的四角，且销钉13与底座1通过螺纹连接，压板3穿设于销钉13中，压板3上端面四角设有限位板33，限位板33通过螺钉固定在压板3上，且限位板33可绕螺钉轴线转动，应用时，限位板33一端套设于销钉13上。
具体地，压块2的下端面设有凹部21，凹部21形状与载片上的芯片分布相适配，压块2上端面设有多个定位杆22，定位杆22穿过压板3，定位杆22上还套设有弹簧23，弹簧23一端抵接到压块2端面，另一端抵接到压板3的下端面，弹簧23可以在对载片施加压力的过程中起一定的缓冲作用，避免载片损伤。
具体地，底座1的材料为石墨，采用石墨制作底座1，可以提高导热性能，使锡片上的焊锡能够快速熔化，压板3的材料为合成石，且压块2的材料为耐高温软质材料，比如聚四氟乙烯等，可以防止载片损伤。
如图1所示，本申请实施例的另一个方面，本实例提供一种载片上锡方法，应用如上所述的上锡工装，包括以下步骤：
S01、制作与载片底面形状、面积相同的锡片；
S02、将上锡工装放置在工作台上，将步骤S01中制作的锡片平放在上锡工装的底座1的卡槽12中，然后将载片放置在锡片上，并使载片的搪锡面与锡片对齐；
S03、将压块2安装在压板3上，然后将已安装压块2的压板3对位底座1上的定位销14并安装到底座1上；
S04、对压板3施加向下压力，同时按对角方向依次旋转四个角上的锁扣于定位销14上；
S05、将装有产品的上锡工装放置在真空共晶炉的加热平台上，然后关闭真空共晶炉；
S06、对真空共晶炉抽真空，直到炉内气压达到10Pa以下，然后充入保护性氮气，对真空共晶炉进行预热，以利于载片在共晶炉中较快升温，加热至焊锡熔点以下10~20℃后保温一段时间，以使得载片实际升温与设定温度趋于一致；
S07、对共晶炉继续加热，并保温一段时间，然后再次抽真空至10Pa以下，排出熔化焊锡中的气体，然后充入氮气使产品降温至室温，完成对载片的上锡。
具体地，步骤S01中采用激光切割或者冲压成型制作锡片，保证异形锡片加工精度。
具体地，步骤S04所施加的压力为1N~10N。
具体地，步骤S07中继续加热的温度为180℃，保温时间为1min，充入氮气的速度为20L/min。
具体的实施方式如下描述：
首先用激光切割出与载片上锡面形状相同的锡片，然后将底座1放置在工作台上，用吸笔将锡片放置在底座1的卡槽12中，然后将载片放置在锡片上，载片和锡片在底座1的卡槽12中限位，保证锡片和载片对齐，然后再将压块2放置在底座1的凹槽11中，将压板3两端的定位孔32穿过底座1的定位销14，并使压块2的定位杆22穿过压板3，此时压板3被限位，而且压块2恰好处于压板3的限位槽31中，压块2则被锁紧，此时对载片就施加了压力，保证载片与锡片接触良好，方便对载片上锡，然后将限位板33一端套设在底座1的销钉13上，使压板3被锁紧在底座1上；
将装有载片和锡片的上锡工装平稳地放到真空共晶炉的加热平台上，采用共晶炉上锡代替产品手工摩擦上锡，有助于降低操作难度，避免焊锡在搪锡摩擦过程中暴露在空气中而氧化产生空洞；同时相对于回流焊上锡，使用焊片代替焊膏，避免了使用特殊焊膏所带来的高昂成本，有助于避免焊剂排出不及时而造成在焊锡中残留气泡，降低界面空洞率，然后关上共晶炉舱门，开始对共晶炉抽真空，直到真空度小于10Pa，此时共晶炉的温度还是室温，再以5L/min的速度充入保护性氮气3min；控制加热平台对上锡工装进行预热，预热温度为140℃，并保温5min；随后继续加热到180℃，并保温1min，然后再次抽真空，至10pa以下，再以20L/min充入氮气进行产品快速降温到室温，完成对载片的上锡，在对载片上锡的过程中，多次抽真空，使得焊锡中的气泡大量减少，大幅提升产品质量。
以上仅为本发明的优选实施例，并不用于限制本发明，显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种上锡工装，应用于电路产品的载片上锡，其特征在于，包括：
底座（1），其端面沿长度方向设有多个间隔均匀的凹槽（11），且所述凹槽（11）有两排，所述凹槽（11）中设有与锡片形状适配的卡槽（12），所述卡槽（12）用于承载锡片；
压块（2），设于所述凹槽（11）内，用于抵接载片，载片表面分布有芯片；
压板（3），设于所述底座（1）上方，所述压板（3）通过销钉（13）固定在所述底座（1）上，用于对所述压块（2）施加压力，所述压板（3）下端面设有多个间隔均匀的限位槽（31），所述限位槽（31）与所述压块（2）上端配合。
2.根据权利要求1所述的上锡工装，其特征在于，所述底座（1）端面设有定位销（14），所述压板（3）端面设有贯穿的定位孔（32），所述定位销（14）穿设于所述定位孔（32）中，所述销钉（13）设于所述底座（1）上端面的四角，且所述销钉（13）与所述底座（1）通过螺纹连接，所述压板（3）穿设于所述销钉（13）中，所述压板（3）上端面四角设有限位板（33），所述限位板（33）通过螺钉固定在所述压板（3）上，且所述限位板（33）可绕所述螺钉轴线转动，应用时，所述限位板（33）一端套设于所述销钉（13）上。
3.根据权利要求1所述的上锡工装，其特征在于，所述压块（2）的下端面设有凹部（21），所述凹部（21）形状与载片上的芯片分布相适配，所述压块（2）上端面设有多个定位杆（22），所述定位杆（22）穿过所述压板（3），所述定位杆（22）上还套设有弹簧（23），所述弹簧（23）一端抵接到所述压块（2）端面，另一端抵接到所述压板（3）的下端面。
4.根据权利要求1所述的上锡工装，其特征在于，所述底座（1）的材料为石墨，所述压板（3）的材料为合成石，且所述压块（2）的材料为耐高温软质材料。
5.一种载片上锡方法，应用如权利要求1~4中任意一项所述的上锡工装，其特征在于，包括以下步骤：
S01、制作与载片底面形状、面积相同的锡片；
S02、将上锡工装放置在工作台上，将步骤S01中制作的锡片水平放置在上锡工装的底座（1）的卡槽（12）中，然后将载片放置在锡片上，并使载片的搪锡面与锡片对齐；
S03、将压块（2）安装在压板（3）上，然后将已安装压块（2）的压板（3）对位底座（1）上的定位销（14）并安装到底座（1）上；
S04、对压板（3）施加向下压力，同时按对角方向依次旋转四个角上的锁扣于定位销（14）上；
S05、将装有产品的上锡工装放置在真空共晶炉的加热平台上，然后关闭真空共晶炉；
S06、对真空共晶炉抽真空，直到炉内气压达到10Pa以下，然后充入保护性氮气，对真空共晶炉进行预热，然后加热至焊锡熔点以下10~20℃后保温一段时间，以使得载片实际升温与设定温度趋于一致；
S07、对共晶炉继续加热，并保温一段时间，然后再次抽真空至10Pa以下，排出熔化焊锡中的气体，然后充入氮气使产品降温至室温，完成对载片的上锡。
6.根据权利要求1所述的载片上锡方法，其特征在于，步骤S01中采用激光切割或者冲压成型制作锡片。
7.根据权利要求1所述的载片上锡方法，其特征在于，步骤S04所施加的压力为1N~10N。
8.根据权利要求1所述的载片上锡方法，其特征在于，步骤S06中充入保护性氮气的时间为3分钟，充入速度为5L/min。
9.根据权利要求1所述的载片上锡方法，其特征在于，步骤S06中预热温度为140℃，且保温时间为5min。
10.根据权利要求1所述的载片上锡方法，其特征在于，步骤S07中继续加热的温度为180℃，保温时间为1min，充入氮气的速度为20L/min。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111502927.1A CN113953618A (zh) | 2021-12-10 | 2021-12-10 | 一种上锡工装及载片上锡方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111502927.1A CN113953618A (zh) | 2021-12-10 | 2021-12-10 | 一种上锡工装及载片上锡方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113953618A true CN113953618A (zh) | 2022-01-21 |
Family
ID=79473124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111502927.1A Pending CN113953618A (zh) | 2021-12-10 | 2021-12-10 | 一种上锡工装及载片上锡方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113953618A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117340490A (zh) * | 2023-11-21 | 2024-01-05 | 中科光智(重庆)科技有限公司 | 一种微波等离子辅助的共晶回流焊接方法 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000243467A (ja) * | 1999-02-17 | 2000-09-08 | Toyota Motor Corp | 電子部品基板のはんだ付け方法 |
| CN102528194A (zh) * | 2010-12-15 | 2012-07-04 | 无锡华测电子系统有限公司 | 一种真空共晶焊接方法 |
| CN104759747A (zh) * | 2014-04-14 | 2015-07-08 | 苏州塞一澳电气有限公司 | 一种连接器上锡设备及焊接上锡方法 |
| CN108364905A (zh) * | 2018-02-23 | 2018-08-03 | 中科芯集成电路股份有限公司 | 焊接工装夹具以及焊接微波芯片的方法 |
| CN208094933U (zh) * | 2018-02-09 | 2018-11-13 | 无锡全裕电子科技有限公司 | 印刷电路板定位治具 |
| CN111604567A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-09-01 | 浙江禾川科技股份有限公司 | 一种伺服电机定子pcb板焊锡工装 |
| CN112151399A (zh) * | 2019-06-28 | 2020-12-29 | 深圳市华达微波科技有限公司 | 一种共晶有功率芯片的载体焊接方法 |
| CN213459653U (zh) * | 2020-09-28 | 2021-06-15 | 南通市万泰精密模具有限公司 | 一种芯片上植球剪力测试模具 |
| CN213522548U (zh) * | 2020-11-16 | 2021-06-22 | 四川斯艾普电子科技有限公司 | 一种多台阶的基片烧结工装 |
| CN113245654A (zh) * | 2021-06-22 | 2021-08-13 | 广东钜兴电子科技有限公司 | 一种芯片自动焊接工艺及焊接装置 |
-
2021
- 2021-12-10 CN CN202111502927.1A patent/CN113953618A/zh active Pending
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000243467A (ja) * | 1999-02-17 | 2000-09-08 | Toyota Motor Corp | 電子部品基板のはんだ付け方法 |
| CN102528194A (zh) * | 2010-12-15 | 2012-07-04 | 无锡华测电子系统有限公司 | 一种真空共晶焊接方法 |
| CN104759747A (zh) * | 2014-04-14 | 2015-07-08 | 苏州塞一澳电气有限公司 | 一种连接器上锡设备及焊接上锡方法 |
| CN208094933U (zh) * | 2018-02-09 | 2018-11-13 | 无锡全裕电子科技有限公司 | 印刷电路板定位治具 |
| CN108364905A (zh) * | 2018-02-23 | 2018-08-03 | 中科芯集成电路股份有限公司 | 焊接工装夹具以及焊接微波芯片的方法 |
| CN112151399A (zh) * | 2019-06-28 | 2020-12-29 | 深圳市华达微波科技有限公司 | 一种共晶有功率芯片的载体焊接方法 |
| CN111604567A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-09-01 | 浙江禾川科技股份有限公司 | 一种伺服电机定子pcb板焊锡工装 |
| CN213459653U (zh) * | 2020-09-28 | 2021-06-15 | 南通市万泰精密模具有限公司 | 一种芯片上植球剪力测试模具 |
| CN213522548U (zh) * | 2020-11-16 | 2021-06-22 | 四川斯艾普电子科技有限公司 | 一种多台阶的基片烧结工装 |
| CN113245654A (zh) * | 2021-06-22 | 2021-08-13 | 广东钜兴电子科技有限公司 | 一种芯片自动焊接工艺及焊接装置 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 余仕求等, 华中科技大学出版社 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117340490A (zh) * | 2023-11-21 | 2024-01-05 | 中科光智(重庆)科技有限公司 | 一种微波等离子辅助的共晶回流焊接方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2500996B2 (ja) | 電子相互接続の製作方法 | |
| CN109256337B (zh) | 一种周长毫米级元件共晶焊接装置及焊接方法 | |
| KR100279133B1 (ko) | 전자회로장치의제조방법,땜납잔여물균일화지그,땜납페이스트전사용지그,및전자회로장치의제조장치 | |
| EP0185326B1 (en) | Method and tool for individual pin exchange in a dense array of connector pins of an electronic packaging structure | |
| CN113953618A (zh) | 一种上锡工装及载片上锡方法 | |
| US4334646A (en) | Method of solder reflow assembly | |
| CN111681972B (zh) | 一种辅助带引脚贴装芯片除金的工装及除金搪锡方法 | |
| WO2018036202A1 (zh) | 金属结构件与pcb非接触式加热锡钎焊方法 | |
| CN113681107B (zh) | 一种微带板与基板焊接装置及使用方法 | |
| CN110587064B (zh) | 一种mcm共晶钎焊工装及共晶钎焊工艺 | |
| CN112820652B (zh) | 一种用于qfn封装器件l形焊接端子除金搪锡的方法 | |
| US3541673A (en) | Method of forming fillet-shaped bonds | |
| CN110278667B (zh) | 一种微波介质板和载体一体化焊接方法 | |
| CN115722752A (zh) | 一种表贴底部端子元器件搪锡装置和工艺方法 | |
| CN111774682B (zh) | 异形多孔印制板焊接方法 | |
| CN212239515U (zh) | 一种金属件间的恒温锡焊系统 | |
| CN112183010A (zh) | 一种基于imc厚度控制的再流焊工艺参数可靠性的设计方法 | |
| CN107346747B (zh) | 一种芯片焊接方法 | |
| JP2002057453A (ja) | 半導体装置のリペア方法 | |
| US20120091188A1 (en) | Solder pot | |
| CN203057706U (zh) | 金属基板刷锡装置 | |
| US4456163A (en) | Multi-faced solder pot | |
| Obenland | Pin grid arrays. Final report | |
| WO2021131905A1 (ja) | はんだバンプ形成用部材、はんだバンプ形成用部材の製造方法、及びはんだバンプ付き電極基板の製造方法 | |
| CN115609102A (zh) | 一种芯片热沉组件低空洞率焊接方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20220121 |