CN112820652B - 一种用于qfn封装器件l形焊接端子除金搪锡的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及电装工艺领域,具体是一种用于QFN封装器件L形焊接端子除金搪锡的方法,包括:S1、准备好未处理的元器件;S2、除金搪锡钢网设计;S3、锡膏印刷;S4、回流焊接;S5、完成元器件引脚除金搪锡,与现有方法相比,本发明能实现QFN封装器件L形焊接端子底部焊接面和侧面焊接面均能均匀除金搪锡,且回流时加热均匀,保证了焊点的可靠性,同时该搪锡钢网制作成本较低,简单实用;该方法同样适用于QFN封装器件L形焊接端子氧化润湿性差类问题,提高焊点的可焊性,实用性广。

Description

一种用于QFN封装器件L形焊接端子除金搪锡的方法
技术领域
本发明涉及电装工艺领域,具体是一种用于QFN封装器件L形焊接端子除金搪锡的方法。
背景技术
随着电子技术的飞速发展,QFN封装,方形扁平无引脚的器件具有良好的电和热性能、体积小、重量轻,被应用在飞机机载电子产品中。当对故障电子产品进行修理时,技术人员将故障定位在QFN器件失效,遂对其进行返修更换。QFN器件由于其焊接端子镀有金层,金与锡铅焊料的相容性优于铜,焊接时最先溶解到焊料里的金形成Au-Sn化合物引起“金脆”现象,飞机机载电子产品长期处于恶劣环境,焊点失效概率较高,焊点可靠性低,进而影响电子产品的可靠性,所以对QFN器件进行返修中需要对器件除金搪锡处理至关重要。
手工对L形焊接端子搪锡,涉及每个焊接端子需搪锡两次,当器件焊接端子数较多时,搪锡次数也较多,器件热冲击损伤较大。且手工作业依赖操作人员的技能,搪锡一致性差,效率低。
L形焊盘的底部焊接面与电路板上焊盘直接接触,侧面焊接面不直接接触电路板上的焊盘,焊接时底部焊接面能与焊锡充分润湿,但侧面焊接面润湿性不足且爬锡高度不够,针对航空航天类产品要求更高的电装工艺,要求该器件侧面焊接面100%的焊锡填充高度,保证在恶劣环境中产品焊点可靠性高,目前自动搪锡技术中没有专门针对L形焊接端子侧面焊接面镀金均匀除金搪锡方法。
如中国专利号为201610840013.9中,公开了一种用于QFN封装元器件去金搪锡的专用夹具及去金搪锡的方法,设计专用夹具的导轨水平放置在通孔器件返修工作台的台面上,移动下托机构使QFN器件的焊盘通过喷涌的熔融锡铅合金波峰,完成去金搪锡。该技术不适用L形焊接端子搪锡,原因两点:一是该搪锡方法只能对底部焊接面进行搪锡作业,侧面焊接面无法进行搪锡操作。二是焊接端子上的锡量无法控制,共面性不好,当底部焊接面上的锡量不均匀时,影响后续的锡膏印刷工艺。
如中国专利申请号为201910701201.7中,公开了一种高可靠应用印制电路板组件QFN装焊预处理方法,通过制作网板,网板上通孔的宽度与所述QFN芯片焊盘相同,所述通孔的长度比所述QFN芯片底面部分的焊盘长0.3~0.5mm进行回流焊接处理。该技术存在的不足是:仅是通过加长底部焊接面的钢网开口长度,通过锡膏融化时液态流动浸润到侧面焊接面,回流时不易控制侧面焊接面搪锡的均匀性,会存在侧面焊接面有部分位置没有焊锡搪锡的风险。
如中国专利申请号为201910772767.9中,公开了一种用于QFN器件的自动化去金工装及去金方法,通过设计厚度小于0.2mm的盖板,开孔尺寸与元器件尺寸比例为1.1:1,使用波峰焊机的波峰喷头将焊锡均匀的喷在盖板上,并将焊锡接触到侧面延伸的镀金引线。该技术存在的不足是:通过盖板实际开口长度与器件底面焊接面的长度1.1:1来将焊锡润湿到侧面镀金焊接面,当底面镀金焊接面润湿并且焊锡量在一定合适的厚度时,侧面镀金焊接面不能充分完全润湿,侧面焊接面搪锡效果不佳。
发明内容
因此,通过设计适用于QFN封装器件L形焊接端子除金搪锡的钢网,基于红外加热和热风对流的混合回流焊接工艺,保证军品QFN元器件焊接端子均匀高质量的除金搪锡,本发明提出一种用于QFN封装器件L形焊接端子除金搪锡的方法。
一种用于QFN封装器件L形焊接端子除金搪锡的方法,包括:
S1、准备好未处理的元器件;
S2、除金搪锡钢网设计:
a:设计制作QFN器件搪锡的工装模具,具体包括卡箍、通过卡箍实现精密固定且完全对称的左侧钢网和右侧钢网、设置在左侧钢网和右侧钢网上的托盘;左侧钢网和右侧钢网设计成L形,使器件能贴合进去;
b:每侧钢网的底面开口大小、侧面开口大小均与器件本体的焊接端子大小一一对应;钢网的开口厚度推荐为0.06-0.1mm,根据实际的QFN器件引线间距进行实际设定;
S3、锡膏印刷:通过钢网将锡膏印刷在器件的焊接端子上,具体实现方法如下:
a:将左侧钢网和右侧钢网通过控制卡箍实现固定,器件放置在钢网上,手捏住钢网的手持部位将钢网倒置,并使用托盘将器件托住固定;
b:锡膏通过刮刀以合适的角度印刷在器件焊接端子上,将卡箍解开并使用工具夹持器件其它两面未搪锡位置,将钢网与锡膏按与贴合面呈135°角度分离,重复上述步骤进行器件另外两边的焊接端子锡膏印刷;
S4、回流焊接:将器件倒放置在没有焊盘的裸PCB板上,使用返修台自带的固定装置固定PCB板,调整设备顶部和底部加热占比率,将热电偶固定在QFN器件旁进行温度实时监测,该返修台共5个温区,各个温区设置温度不同;
S5、完成元器件引脚除金搪锡。
本发明通过研究基于红外加热和热风对流混合加热的锡膏回流焊接,实现L形焊接端子的除金搪锡。
所述的步骤S4的加热占比率分别是以顶部加热为主,底部加热为辅设置返修设备,顶部加热为红外加热与热风对流混合加热,底部加热为红外加热。
所述的步骤S3的b中合适的角度为45度—60度。
所述的步骤S4的各个温区设置具体如下:
升温区:60℃-140℃,将温度上升到锡膏助焊剂活性温度,将加热斜率控制在1.0-2.0℃/S,避免加热速度太快造成器件热冲击损伤;
保温区:140℃-160℃,该区主要是锡膏里助焊剂活化区,去除焊点表面的氧化物,防止焊点再次氧化,加热时间控制在60-90S;
第二次升温区:160℃-220℃,快速达到锡膏熔点温度,将加热斜率控制在0.8-1.5℃/S;
回流区:保持回流最高温度220℃,回流时间10-20s,确保锡膏完全融化,达到除金搪锡的效果;
冷却区:借助压缩空气实现降温。
本发明的有益效果是:与现有方法相比,本发明能实现QFN封装器件L形焊接端子底部焊接面和侧面焊接面均能均匀除金搪锡,且回流时加热均匀,保证了焊点的可靠性,同时该搪锡钢网制作成本较低,简单实用;该方法同样适用于QFN封装器件L形焊接端子氧化润湿性差类问题,提高焊点的可焊性,实用性广。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1为本发明的流程结构示意图;
图2为本发明的QFN封装L形焊接端子示意图;
图3为本发明的QFN器件搪锡工装模具结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面对本发明进一步阐述。
如图1和图3所示,一种用于QFN封装器件L形焊接端子除金搪锡的方法,包括:
S1、准备好未处理的元器件;
S2、除金搪锡钢网设计:
a:如图2所示,设计制作QFN器件搪锡工装模具,具体包括卡箍、通过卡箍实现精密固定且完全对称的左侧钢网和右侧钢网、设置在左侧钢网和右侧钢网上的托盘;左侧钢网和右侧钢网设计成L形,使器件能贴合进去;
b:每侧钢网的底面开口大小、侧面开口大小均与器件本体的焊接端子大小一一对应;钢网的开口厚度推荐为0.06-0.1mm,根据实际的QFN器件引线间距进行实际设定;
S3、锡膏印刷:通过钢网将锡膏印刷在器件的焊接端子上,具体实现方法如下:
a:将左侧钢网和右侧钢网通过控制卡箍实现固定,器件放置在钢网上,手捏住钢网的手持部位将钢网倒置,并使用托盘将器件托住固定;
b:锡膏通过刮刀以合适的角度印刷在器件焊接端子上,将卡箍解开并使用工具夹持器件其它两面未搪锡位置,将钢网与锡膏按与贴合面呈135°角度分离,重复上述步骤进行器件另外两边的焊接端子锡膏印刷;
S4、回流焊接:将器件倒放置在没有焊盘的裸PCB板上,使用返修台自带的固定装置固定PCB板,调整设备顶部和底部加热占比率,将热电偶固定在QFN器件旁进行温度实时监测,该返修台共5个温区,各个温区设置温度不同;
S5、完成元器件引脚除金搪锡。
所述的步骤S3的b中合适的角度为45度—60度。
所述的步骤S4的加热占比率分别是以顶部加热为主,底部加热为辅设置返修设备,顶部加热为红外加热与热风对流混合加热,底部加热为红外加热。
通过提供一种QFN封装器件L形焊接端子除金搪锡的方法,实现侧面焊接面和底部焊接面均能均匀除金搪锡,保证焊点的可靠性,提升电路板维修的质量。
所述的步骤S4的各个温区设置具体如下:
升温区:60℃-140℃,将温度上升到锡膏助焊剂活性温度,将加热斜率控制在1.0-2.0℃/S,避免加热速度太快造成器件热冲击损伤;
保温区:140℃-160℃,该区主要是锡膏里助焊剂活化区,去除焊点表面的氧化物,防止焊点再次氧化,加热时间控制在60-90S;
第二次升温区:160℃-220℃,快速达到锡膏熔点温度,将加热斜率控制在0.8-1.5℃/S;
回流区:保持回流最高温度220℃,回流时间10-20s,确保锡膏完全融化,达到除金搪锡的效果;
冷却区:借助压缩空气实现降温。
与现有方法相比,本发明能实现QFN封装器件L形焊接端子底部焊接面和侧面焊接面均能均匀除金搪锡,且回流时加热均匀,保证了焊点的可靠性,同时该搪锡钢网制作成本较低,简单实用;该方法同样适用于QFN封装器件L形焊接端子氧化润湿性差类问题,提高焊点的可焊性,实用性广。
如图3所示,附图标记1为左侧钢网,附图标记2为右侧钢网,附图标记3为托盘和附图标记4为卡箍。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (4)

1.一种用于QFN封装器件L形焊接端子除金搪锡的方法,其特征在于:包括:
S1、准备好未处理的元器件;
S2、除金搪锡钢网设计:
a:设计制作QFN器件搪锡的工装模具,具体包括卡箍、通过卡箍实现精密固定且完全对称的左侧钢网和右侧钢网、设置在左侧钢网和右侧钢网上的托盘;左侧钢网和右侧钢网设计成L形,使器件能贴合进去;
b:每侧钢网的底面开口大小、侧面开口大小均与器件本体的焊接端子大小一一对应;钢网的开口厚度推荐为0.06-0.1mm,根据实际的QFN器件引线间距进行实际设定;
S3、锡膏印刷:通过钢网将锡膏印刷在器件的焊接端子上,具体实现方法如下:
a:将左侧钢网和右侧钢网通过控制卡箍实现固定,器件放置在钢网上,手捏住钢网的手持部位将钢网倒置,并使用托盘将器件托住固定;
b:锡膏通过刮刀以合适的角度印刷在器件焊接端子上,将卡箍解开并使用工具夹持器件其它两面未搪锡位置,将钢网与锡膏按与贴合面呈135°角度分离,重复上述步骤进行器件另外两边的焊接端子锡膏印刷;
S4、回流焊接:将器件倒放置在没有焊盘的裸PCB板上,使用返修台自带的固定装置固定PCB板,调整设备顶部和底部加热占比率,将热电偶固定在QFN器件旁进行温度实时监测,该返修台共5个温区,各个温区设置温度不同;
S5、完成元器件引脚除金搪锡。
2.根据权利要求1所述的一种用于QFN封装器件L形焊接端子除金搪锡的方法,其特征在于:所述的步骤S3的b中合适的角度为45度—60度。
3.根据权利要求1所述的一种用于QFN封装器件L形焊接端子除金搪锡的方法,其特征在于:所述的步骤S4的加热占比率分别是以顶部加热为主,底部加热为辅设置返修设备,顶部加热为红外加热与热风对流混合加热,底部加热为红外加热。
4.根据权利要求1所述的一种用于QFN封装器件L形焊接端子除金搪锡的方法,其特征在于:所述的步骤S4的各个温区设置具体如下:
升温区:60℃-140℃,将温度上升到锡膏助焊剂活性温度,将加热斜率控制在1.0-2.0℃/S,避免加热速度太快造成器件热冲击损伤;
保温区:140℃-160℃,该区主要是锡膏里助焊剂活化区,去除焊点表面的氧化物,防止焊点再次氧化,加热时间控制在60-90S;
第二次升温区:160℃-220℃,快速达到锡膏熔点温度,将加热斜率控制在0.8-1.5℃/S;
回流区:保持回流最高温度220℃,回流时间10-20s,确保锡膏完全融化,达到除金搪锡的效果;
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115106605A (zh) * 2022-06-17 2022-09-27 中国航空无线电电子研究所 一种底部焊端类器件焊端批量自动上锡与除金方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030061674A (ko) * 2002-01-11 2003-07-22 엔이씨 인프론티어 가부시키가이샤 납땜 방법 및 납땜 이음 부재
CN1705089A (zh) * 2004-05-26 2005-12-07 华为技术有限公司 一种无引脚封装类器件的返修方法
CN104780720A (zh) * 2015-04-20 2015-07-15 四川盟宝实业有限公司 一种基于smt技术的电路板制作工艺
CN110049634A (zh) * 2019-05-08 2019-07-23 中国电子科技集团公司第二十九研究所 一种基于细间距qfn器件及陶封qfp器件的装配工艺方法
CN110449683A (zh) * 2019-07-31 2019-11-15 嘉兴军胜电子科技有限公司 一种高可靠应用印制电路板组件qfn装焊预处理方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030061674A (ko) * 2002-01-11 2003-07-22 엔이씨 인프론티어 가부시키가이샤 납땜 방법 및 납땜 이음 부재
CN1705089A (zh) * 2004-05-26 2005-12-07 华为技术有限公司 一种无引脚封装类器件的返修方法
CN104780720A (zh) * 2015-04-20 2015-07-15 四川盟宝实业有限公司 一种基于smt技术的电路板制作工艺
CN110049634A (zh) * 2019-05-08 2019-07-23 中国电子科技集团公司第二十九研究所 一种基于细间距qfn器件及陶封qfp器件的装配工艺方法
CN110449683A (zh) * 2019-07-31 2019-11-15 嘉兴军胜电子科技有限公司 一种高可靠应用印制电路板组件qfn装焊预处理方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
史建卫 ; .QFN封装元件组装及质量控制工艺.电子工业专用设备.2015,(第02期),全文. *

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