CN113921561A - 制造显示装置的方法 - Google Patents

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CN113921561A CN202110674778.0A CN202110674778A CN113921561A CN 113921561 A CN113921561 A CN 113921561A CN 202110674778 A CN202110674778 A CN 202110674778A CN 113921561 A CN113921561 A CN 113921561A
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金正洙
金鎭洙
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Abstract

提供了一种制造显示装置的方法,在该方法中,通过在主加工之前,将激光照射到显示基底的加工区域的一部分,并预测和校正激光所照射到的位置,来降低显示基底的缺陷率。所述方法包括:将第一激光照射到显示基底的加工区域的第一照射区域;获得显示基底的加工区域的第一图像;通过使用第一图像来计算被第一激光照射的第一照射区域的中心与加工区域的中心之间的第一位移;基于第一位移确定第二激光将要照射到显示基底上的第二照射区域;以及将第二激光照射到第二照射区域。

Description

制造显示装置的方法
本申请要求于2020年7月7日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0083607号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种制造显示装置的方法。
背景技术
显示装置可视地显示数据。显示装置可以用作诸如移动电话的小尺寸产品的显示器,或者可以用作诸如电视的大尺寸产品的显示器。
显示装置包括接收电信号并发射光以向外部显示图像的多个像素。每个像素包括发光元件。例如,有机发光显示装置包括有机发光二极管(OLED)作为发光元件。通常,在有机发光显示装置中,薄膜晶体管和OLED布置在基底上,并且OLED自身发光(例如,OLED是自发光)。
近来,随着显示装置的使用增加,已经开发了用于改善显示装置的质量的各种设计。例如,显示装置可以包括在其中显示图像的显示区域内部的透射区域,相机、传感器等可以布置在透射区域中。为了形成这种透射区域,可以用激光照射显示装置,并且已经进行了关于通过在预定加工区域内照射激光来形成透射区域的设计的研究。此外,已经尝试了各种研究来提高使用激光的加工精度。
发明内容
然而,通过使用现有技术的制造这种显示装置的方法,无法(例如,高精度地)预测激光照射到显示基底上的区域。
一个或更多个实施例提供了一种制造显示装置的方法,在该方法中,通过将激光照射到显示基底的加工区域(例如,预定加工区域)的一部分,并预测和校正照射激光的位置,来减小显示基底的缺陷/缺陷率。然而,这仅是示例,本公开的范围不限于此。
附加方面将在下面的描述中被部分地阐述,并且部分地将通过描述而明显,或者可以通过给出的实施例的实践而获知。
根据一个或更多个实施例,制造显示装置的方法包括:将第一激光照射到显示基底的加工区域的第一照射区域;获得显示基底的加工区域的第一图像;通过使用第一图像来计算被第一激光照射的第一照射区域的中心与加工区域的中心之间的第一位移;基于第一位移确定第二激光将要照射到显示基底上的第二照射区域;以及将第二激光照射到第二照射区域。
所述方法还可以包括获得示出第二照射区域的第二图像。
所述方法还可以包括使用第二图像计算第二照射区域的中心与加工区域的中心之间的第二位移。
第一照射区域和第二照射区域可以具有圆形形状。
第一照射区域的直径可以小于第二照射区域的直径。
所述方法还可以包括通过改变照射第一激光和第二激光的方向来确定第一照射区域和第二照射区域的形状。
第一照射区域可以具有环形形状或十字形形状。
显示基底可以包括多个单元,其中,第一激光提供为多个第一激光,并且其中,将第一激光照射到第一照射区域的步骤包括将多个第一激光基本上同时照射到多个单元之中的位于第一列中的单元。
第二激光可以提供为多个第二激光,其中,将第二激光照射到第二照射区域的步骤包括将多个第二激光基本上同时照射到位于第一列中的单元。
获得加工区域的第一图像的步骤可以包括顺序地获得第一列中的单元的区域的多个第一图像。
所述方法还可以包括:在第一方向上顺序地获得第一列中的单元的区域的多个第一图像;以及在第二方向上顺序地获得多个单元之中的位于第二列中的单元的区域的多个第一图像,其中,第二方向与第一方向相反。
所述方法还可以包括使用激光扫描仪来确定第二照射区域。
所述方法还可以包括使显示基底在第三方向上移动,第三方向不同于第一激光和第二激光中的一者入射在显示基底的表面上的方向。
所述方法还可以包括在使显示基底沿第三方向移动的同时将第一激光和第二激光中的一者照射到显示基底上。
所述方法还可以包括在使显示基底沿与第三方向相反的第四方向移动的同时获得第一图像。
根据一个或更多个实施例,一种制造显示装置的方法包括:通过使用处理器将第一激光照射到显示基底的加工区域的第一照射区域,显示基底附着到传输器的下表面;通过使用相对于处理器在第一方向上定位的相机来获得加工区域的第一图像;通过使用第一图像来计算第一照射区域的中心与加工区域的中心之间的第一位移;将第一位移传输到处理器;处理器基于第一位移来确定第二激光将要照射到显示基底上的第二照射区域;以及将第二激光照射到第二照射区域。
第一激光和第二激光可以通过处理器与显示基底之间的保护窗照射到显示基底的表面上。
处理器可以包括光源和激光扫描仪,其中,基于由相机传输的第一位移来调节激光扫描仪。
所述方法还可以包括使用传输器使显示基底在第一方向上移动,其中,在使显示基底沿第一方向移动的同时执行获得第一图像的步骤。
处理器可以包括光源和激光扫描仪,并且其中,第一照射区域和第二照射区域的形状由激光扫描仪确定。
第一照射区域可以具有圆形形状、环形形状和十字形形状中的一种。
第一照射区域和第二照射区域可以具有圆形形状,其中,第一照射区域的直径小于第二照射区域的直径。
所述方法还可以包括:通过使用相机获得显示基底的加工区域的第二图像;以及通过使用第二图像来计算被第二激光照射的第二照射区域的中心与加工区域的中心之间的第二位移。
通过用于执行给出的实施例的权利要求、附图和下面的具体实施方式,除了上面描述的那些以外的其他方面、特征和优点将变得明显。
可以通过使用系统、方法、计算机程序或它们的任何组合来实践这些一般和特定方面。
附图说明
通过下面结合附图进行的描述,某些实施例的以上和其他方面将更加明显,在附图中:
图1是根据一些实施例的用于制造显示装置的设备的示意性剖视图;
图2是根据一些实施例的制造显示装置的方法的流程图;
图3是根据一些实施例的制造显示装置的方法的示意性剖视图;
图4A是根据一些实施例的制造显示装置的方法的示意性剖视图;
图4B是根据一些实施例的制造显示装置的方法的示意性平面图;
图5A是根据一些实施例的制造显示装置的方法的示意性剖视图;
图5B至图5D是根据一些实施例的制造显示装置的方法的示意性平面图;
图6A是根据一些实施例的制造显示装置的方法的示意性剖视图;
图6B是根据一些实施例的制造显示装置的方法的示意性平面图;
图7A是根据一些实施例的制造显示装置的方法的示意性剖视图;
图7B是根据一些实施例的制造显示装置的方法的示意性平面图;
图8是根据一些实施例的通过制造显示装置的方法制造的显示装置的透视图;
图9A是根据一些实施例的沿着图8的线I-I’截取的显示装置的剖视图;以及
图9B是根据其他实施例的沿着图8的线I-I’截取的显示装置的剖视图。
具体实施方式
现在将更详细地参照实施例,实施例的示例示出在附图中,其中,同样的附图标记始终表示同样的元件。在这方面,呈现的实施例可以具有不同的形式,并且不应被解释为限于这里阐述的描述。因此,下面仅通过参照图来描述实施例,以解释本描述的各方面。如这里使用的,术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和全部组合。在整个公开中,表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”指仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或者它们的变型。
因为公开可以具有各种修改的实施例,所以实施例在附图中被示出,并且在具体实施例中被描述。当参考参照附图描述的实施例时,公开的效果和特性以及实现这些的方法将是明显的。然而,公开可以以许多不同的形式来实施,并且不应被解释为限于这里阐述的实施例。
下面将参照附图更详细地描述公开的一个或更多个实施例。相同或彼此对应的那些元件被赋予相同的附图标记而与图号无关,并且省略了重复的说明。
尽管可以使用诸如“第一”、“第二”等的术语来描述各种元件,但是这些元件不限于上述术语。上述术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。
如这里使用的,除非上下文另外清楚地指出,否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。
将理解的是,术语“包括”、“具有”和“包含”意图说明存在说明书中所描述的特征、数量、步骤、操作、元件、部件或他们的组合,并且不意图排除可以存在或可以添加一个或更多个其他特征、数量、步骤、操作、元件、部件或他们的组合的可能性。
将理解的是,当层、区域或元件被称为“形成在”另一层、区域或元件“上”时,该层、区域或元件可以直接地或间接地形成在所述另一层、区域或元件上。也就是说,例如,可以存在中间层、区域或元件。
为了便于说明,可以夸大附图中的元件的尺寸。换句话说,因为为了便于说明而任意地示出了附图中元件的尺寸和厚度,所以以下实施例不限于此。
当可以不同地实施一些实施例时,可以不同于所描述的顺序来执行特定的工艺顺序。例如,可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
在说明书中,短语“A和/或”B表示A、B或者A和B。此外,短语“A和B中的至少一个(种/者)”表示A、B或者A和B。
在以下实施例中,当层、区域或元件等被称为“连接”时,将理解的是,该层、区域或元件等可以直接连接,或者在层、区域或元件之间可以存在中间部分。例如,当层、区域或元件等被称为“电连接”时,该层、区域或元件等可以直接电连接,或者该层、区域或元件等可以间接电连接并可以存在中间部分。
x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴,并且可以以更广泛的意义来解释。例如,x轴、y轴和z轴可以彼此垂直,或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
图1是根据一些实施例的用于制造显示装置的设备100的示意性剖视图。
参照图1,用于制造显示装置的设备100可以包括室110、移动器或传输器(例如,移动单元)120、引导件(例如,引导单元)121、驱动器130、压力控制器(例如,压力调节单元)140、保护窗150、处理器(例如,处理单元)160、相机(例如,图像捕获单元或视觉单元)170和控制器180。处理器160、相机170和控制器180可以均通过支撑件固定。
室110可以在其中限定空间,并且可以形成为使得其一部分开口。闸阀110c可以安装在室110的开口部分中,以选择性地打开和关闭室110的开口部分。此外,室110可以包括第一透射窗110a和第二透射窗110b。布置在室110外部的各种设备可以通过第一透射窗110a和/或第二透射窗110b加工位于室110内部的显示基底D的表面,或者可以通过第一透射窗110a和/或第二透射窗110b获得显示基底D的表面的图像。也就是说,第一透射窗110a和第二透射窗110b可以用作连接室110的外部与内部的媒介。尽管图1中示出了两个透射窗,但是透射窗的数量可以大于或等于两个。作为示例,第一透射窗110a和第二透射窗110b可以包括玻璃或丙烯酰类材料。
可以附着有显示基底D的传输器120可以使用引导件121和驱动器130在y方向上移动。传输器120可以通过使用引导件121在直线上移动而不倾斜。作为示例,引导件121可以是线性运动(LM)引导件。尽管图1示出了一个引导件121,但是当在x-y平面中观察时,在其他实施例中可以布置均在y方向上延伸并且彼此平行地布置的两个引导件121。
驱动器130可以包括线性电机系统(LMS)磁体131和磁性体132。尽管图1示出了一个LMS磁体131和一个磁性体132,但是当在x-y平面中观察时,可以布置均在y方向上延伸并且彼此平行地布置的两个LMS磁体131和两个磁性体132。显示基底D可以位于两个磁性体132之间。线性电机可以通过组合LMS磁体131和磁性体132来形成,并且传输器120可以通过线性电机在y方向上移动。作为示例,磁性体132可以是线圈。当传输器120沿着驱动器130移动时,传输器120可以使用磁悬浮无线充电系统移动。传输器120可以包括改变显示基底D的位置或者精细地调节传输器120的位置的位置致动器(例如,位置调节单元)。
附着到传输器120的显示基底D可以是显示装置或显示装置的一部分。例如,显示基底D可以包括薄膜晶体管(TFT)和有机发光二极管(OLED)。
压力控制器140可以连接到室110,以将室110的内部压力调节为例如类似于大气压或类似于真空。在这种情况下,压力控制器140可以包括连接到室110的连接管141和布置在连接管141中的压力控制泵142。
保护窗150可以与第一透射窗110a叠置,并且可以布置在室110中。保护窗150可以保护第一透射窗110a。第一透射窗110a可以对应于如稍后将描述的从处理器160发射的激光所穿过的部分。在这种情况下,从处理器160发射的激光可以通过第一透射窗110a到达显示基底D,并且可以去除包括在显示基底D中的有机层的一部分。来自有机层的通过激光而与显示基底D分离的所述一部分的颗粒会分布在室110内,并且会粘附到激光所穿过的第一透射窗110a的表面。因对粘附到第一透射窗110a的表面的异物做出敏感的反应,穿过第一透射窗110a的激光不会到达目标点。因此,保护窗150可以布置在室110内部,使得异物不粘附到第一透射窗110a的表面,从而保护第一透射窗110a。
此外,当室110的内部处于如由压力控制器140控制的高真空状态时,在保持室110的内部处于高真空状态的同时仅替换保护窗150,因此作为激光所穿过的部分的第一透射窗110a和保护窗150可以保持清洁而没有异物。在保持室110的内部处于高真空状态的同时仅替换保护窗150可以包括各种方法,诸如单独地提供包括清洁的保护窗150的真空室并使用闸阀替换保护窗150。
通常,当不使用保护窗150时,可以通过在将室的内部压力改变为大气压之后直接清洗透射窗来保持透射窗的表面清洁。在这种情况下,因为适合于直接清洗透射窗并将室的内部压力再次改变为高真空状态,所以显示基底的加工时间会增加。
然而,当根据本公开的一些实施例通过与第一透射窗110a叠置来布置保护窗150时,可以在保持室110的内部压力处于高真空状态的同时通过仅替换保护窗150来保持第一透射窗110a和保护窗150清洁,从而缩短了加工时间。
处理器160可以包括激光光源(例如,激光光源单元)161、激光束收集器(例如,激光束接收器)162、第一反射镜至第三反射镜(例如,第一反射镜单元至第三反射镜单元)M1、M2和M3、光学组件163和激光扫描仪LS。处理器160可以布置在室110外部,并且可以通过第一透射窗110a将激光照射到显示基底D的表面上。通过压力控制器140将室110的内部保持为高真空状态可以防止处理器160的故障和损坏。
激光光源161可以用于产生和输出激光。因此,激光光源161可以调节发射激光的频率和/或激光的强度。
激光束收集器162可以布置为与激光光源161相邻,以吸收和耗散从激光光源161输出的激光。也就是说,激光束收集器162可以用于选择是否继续输出来自激光光源161的激光。尽管图1示出了激光束收集器162在来自激光光源161的激光行进的方向上布置,但是在其他实施例中可以省略激光束收集器162。
从激光光源161输出的激光可以顺序地到达第一反射镜至第三反射镜M1、M2和M3。激光行进的方向可以由第一反射镜至第三反射镜M1、M2和M3改变。作为示例,可以通过调节第一反射镜至第三反射镜M1、M2和M3的角度来改变反射激光的角度,因此可以改变激光行进的方向。当调节第一反射镜至第三反射镜M1、M2和M3的角度时,可以旋转第一反射镜至第三反射镜M1、M2和M3。
到达第一反射镜M1和第二反射镜M2中的每个的激光可以穿过光学组件163。光学组件163可以改变激光的形状和/或质量。光学组件163可以包括激光束大小调节器、激光束功率调节器等,并且可以调节激光的大小和发射激光的功率。作为示例,激光束大小调节器可以是扩束器。尽管图1示出了光学组件163位于第二反射镜M2与第三反射镜M3之间,但是光学组件163可以位于第一反射镜M1与第二反射镜M2之间。如图1中所示,可以通过将光学组件163布置在沿z方向延伸的保护层之间来保护光学组件163。
穿过光学组件163的激光可以通过第三反射镜M3到达激光扫描仪LS。激光扫描仪LS可以调节将要最终照射激光的位置(例如,可以调节对应于激光的坐标)。激光扫描仪LS可以包括作为微调电机(例如,能够微调的电机)的检流计扫描仪以及附着到检流计扫描仪的反射镜。当通过使用检流计扫描仪来调节反射镜的角度时,可以调节激光将要照射的位置。此外,因为可以通过激光扫描仪LS来调节激光将要照射的位置,所以可以改变使用激光的加工区域的形状。作为示例,激光的加工区域可以具有圆形形状、环形形状或十字形形状。除了上述形状之外,加工区域还可以具有各种形状。
可以通过相机170观察附着到传输器120的显示基底D的表面,并且可以获得显示基底D的表面的图像。相机170可以观察显示基底D的整个表面或表面的一部分。此外,即使显示基底D通过传输器120移动,相机170也可以连续地捕获待观察的对象的位置。尽管相机170被描述为照相机,但是在其他实施例中,相机可以被任何合适的光检测单元替换。
相机170可以布置在室110外部,并且可以通过第二透射窗110b观察显示基底D的表面。通过压力控制器140将室110的内部保持为高真空状态,可以减少或防止相机170的故障和损坏的可能性。
控制器180可以分析使用相机170获得的显示基底D的表面的图像,并且可以将分析的图像传输到处理器160的激光扫描仪LS。
图2是根据一些实施例的制造显示装置的方法的流程图,图3、图4A、图5A、图6A和图7A是顺序地示出根据一些实施例的制造显示装置的方法的示意性剖视图,图4B、图5B至图5D、图6B和图7B是详细地示出根据一些实施例的制造显示装置的方法的示意性平面图。
参照图2,制造显示装置的方法可以包括:将第一激光照射到显示基底D的加工区域(例如,预定加工区域)的一部分(S30);获得显示基底D的加工区域的图像(S40);通过使用在前一操作中获得的图像来计算被第一激光照射的照射区域的中心与加工区域的中心之间的位移(S50);基于前一操作中计算的位移来调节第二激光将要照射到显示基底D上的位置(S60);以及将第二激光照射到显示基底D的加工区域(S70)。
此外,在一些实施例中,制造显示装置的方法还可以包括:在将第一激光照射到显示基底D上(S30)之前,装载显示基底D(S10)并使显示基底D对准(S20)。另外,在一些实施例中,在将第二激光照射到显示基底D上(S70)之后,可以顺序地执行重新获得显示基底D的加工区域的图像(S80)的步骤以及计算被第二激光照射的照射区域的中心与加工区域的中心之间的位移的步骤(S90)。作为另一示例,可以省略重新获得显示基底D的加工区域的图像的步骤(S80)和/或计算被第二激光照射的照射区域的中心与加工区域的中心之间的位移的步骤(S90)。
在下文中,将参照图3至图7B详细描述根据一些实施例的制造显示装置的方法。在图3至图7B中,与图1中的附图标记相同的附图标记表示与图1中的构件相同的构件,并且将省略其重复描述。
参照图3,压力控制器140可以将室110的内部保持为大气压或大气压附近,在打开闸阀110c之后可以将附着到传输器120的显示基底D插入到室110中(S10)。此后,压力控制器140可以将室110的内部保持为基本上类似于真空(例如,真空状态)。
在执行装载显示基底D的步骤(S10)之后,可以执行对准显示基底D的步骤(S20)。在一些实施例中,可以在室110的内部或外部布置对准相机,并且可以使用由对准相机捕获的显示基底D的图像来使显示基底D对准。例如,可以在显示基底D的每个顶点处显示对准键(对准码),并且对准相机可以捕获在显示基底D的每个顶点处显示的对准键。当显示基底D倾斜或扭曲时,对准键无法由对准相机完全捕获,因此可以使用由对准相机捕获的图像来使显示基底D对准。也就是说,可以通过移动显示基底D来使显示基底D对准,使得对准键由对准相机完全捕获。
参照图4A,在执行对准显示基底D的步骤(S20)之后,可以使显示基底D以例如恒定速度在第一方向(例如,+y方向)上移动。在这种情况下,第一方向可以与第一激光Laser1入射在显示基底D上所沿的方向不同。显示基底D可以变得邻近室110的第一透射窗110a,并且可以执行将第一激光Laser1照射到显示基底D的加工区域AR1(例如,见图4B、图5B、图5C、图5D、图6B和图7B)的一部分的步骤(S30)。尽管图4A示出了第一激光Laser1穿过如图1中描绘的LMS磁体131,但是可以理解的是,利用彼此间隔开的两个或更多个LMS磁体131而可移动传输器120,并且第一激光Laser1可以行进到彼此间隔开的相应的LMS磁体131之间的空的空间。
在执行将第一激光Laser1照射到显示基底D的加工区域AR1的一部分的步骤(S30)之前,可以通过激光光源161来调节发射第一激光Laser1的频率和/或第一激光Laser1的强度,并且/或者可以通过光学组件163来改变第一激光Laser1的形状和/或质量。此外,可以通过调节激光扫描仪LS的检流计扫描仪来调节第一激光Laser1将要照射到显示基底D上的位置。也就是说,可以通过调节激光扫描仪LS的检流计扫描仪来将第一激光Laser1照射到显示基底D的加工区域AR1的一部分。如图4B中所示,可以在显示基底D的其中第一激光Laser1局部加工(例如,集中)的加工区域AR1内形成第一照射区域AR2。
可以在使显示基底D以恒定速度在第一方向(例如,+y方向)上移动的同时执行将第一激光Laser1照射到显示基底D的加工区域AR1的一部分的步骤(S30),这可以称为“运动加工”。作为另一示例,当使显示基底D以恒定速度在第一方向上移动并使显示基底D的加工区域AR1到达预定区域时,使显示基底D停止,并且可以使第一激光Laser1照射到加工区域AR1的一部分,这可以称为“阶段加工”。
参照图4B,第一激光Laser1可以提供为多个第一激光Laser1。例如,如图4B中所示,可以存在总共四个第一激光Laser1。也就是说,第一激光Laser1可以包括第1-1激光Laser 1-1、第1-2激光Laser 1-2、第1-3激光Laser1-3和第1-4激光Laser 1-4。
此外,显示基底D可以包括多个单元C。多个单元C可以在行方向(y方向)和列方向(x方向)上布置。多个单元C可以均包括加工区域AR1。
在一些实施例中,如图4B中所示,可以用第1-1激光Laser 1-1照射布置在第一行中的多个单元C,可以用第1-2激光Laser 1-2照射布置在第二行中的多个单元C,可以用第1-3激光Laser 1-3照射布置在第三行中的多个单元C,并且可以用第1-4激光Laser 1-4照射布置在第四行中的多个单元C。
如图4A中所描述的,可以使显示基底D以恒定速度在第一方向(例如,+y方向)上移动。当使显示基底D在第一方向上移动时,多个单元C之中的布置在第十一列(11)中的单元C首先变得邻近激光扫描仪LS。可以使第一激光Laser1从布置在第十一列(11)中的单元C到布置在第一列(1)中的单元C顺序地照射。当使显示基底D以恒定速度在第一方向上移动时,可以使第一激光Laser1从布置在第十一列(11)中的单元C到布置在第一列(1)中的单元C顺序地照射(例如,运动加工)。作为另一示例,当使显示基底D以恒定速度在第一方向上移动并使布置在第十一列(11)中的单元C到达预定区域时,使显示基底D停止,并且可以使第一激光Laser1照射到布置在第十一列(11)中的每个单元C的加工区域AR1的一部分(例如,阶段加工)。
此外,因为第一激光Laser1可以提供为多个第一激光Laser1,所以第一激光Laser1可以同时或基本上同时(例如,分别地)照射布置在同一列中的单元C。例如,可以用第1-1激光Laser 1-1照射布置在第一列中的单元C之中的布置在第一行中的单元C,可以用第1-2激光Laser 1-2照射布置在第一列中的单元C之中的布置在第二行中的单元C,可以用第1-3激光Laser 1-3照射布置在第一列中的单元C之中的布置在第三行中的单元C,并且可以用第1-4激光Laser 1-4照射布置在第一列中的单元C之中的布置在第四行中的单元C。第一激光Laser1可以同时或基本上同时照射布置在第一列中的单元C,使得可以加工每个加工区域AR1的一部分,并且可以在布置在第一列中的每个单元C的加工区域AR1内形成第一照射区域AR2。
在加工区域AR1内形成的第一照射区域AR2可以具有圆形形状。第一照射区域AR2的形状可以由激光扫描仪LS确定。也就是说,当第一激光Laser1以恒定频率多次照射到加工区域AR1时,可以通过激光扫描仪LS来改变照射第一激光Laser1的方向。累积照射到加工区域AR1的第一激光Laser1以形成第一照射区域AR2,从而可以确定第一照射区域AR2的形状。
参照图5A,在执行将第一激光Laser1照射到显示基底D的加工区域AR1的一部分的步骤(S30)之后,可以使显示基底D以恒定速度在与第一方向(例如,+y方向)相反的第二方向(例如,-y方向)上移动。显示基底D变得邻近室110的第二透射窗110b,并且可以使用相机170捕获显示基底D的加工区域AR1的图像(S40)。使用相机170获得的加工区域AR1的图像被传输到控制器180,并且控制器180可以分析获得的图像(例如,结合S50)。由控制器180分析的数据可以被传输到激光扫描仪LS(例如,结合S60)。
为了参照图5B详细描述,显示基底D可以包括在行方向(y方向)和列方向(x方向)上布置的多个单元C。在一些实施例中,可以使用相机170或者其他图像捕获单元或视觉单元来获得显示基底D的加工区域AR1的图像(S40)。可以使用相机170获得多个单元C中的每个的加工区域AR1的图像。这可以保持多个单元C中的每个的加工区域AR1的图像的均匀性。
当使用相机170获得多个单元C中的每个的加工区域AR1的图像时,可以顺序地获得位于同一列中的相应单元C的加工区域AR1的图像。此外,可以在第三方向(例如,+x方向)上顺序地获得位于奇数列中的相应单元C的加工区域AR1的图像,并且可以在与第三方向相反的第四方向(例如,-x方向)上顺序地获得多个单元C之中的位于偶数列中的相应单元C的加工区域AR1的图像(反之亦然)。例如,相机170可以在沿第三方向(例如,+x方向)移动的同时顺序地获得多个单元C之中的位于第一列中的相应单元C的加工区域AR1的图像,并且可以移动以获得位于第二列中的单元C之中的位于第一行中的单元C的加工区域AR1的图像。此后,相机170可以在沿与第三方向相反的第四方向(例如,-x方向)移动的同时顺序地获得多个单元C之中的位于第二列中的相应单元C的加工区域AR1的图像(反之亦然)。
参照图5B的一部分的放大图,可以通过使用利用相机170获得的图像来执行分析被第一激光Laser1照射的第一照射区域AR2的中心和加工区域AR1的中心的工艺。可以根据通过识别加工区域AR1的位置而辨识出的加工区域AR1的形状来绘制第一线l1,并且可以经由第一线l1导出加工区域AR1的第一中心c1。以相同的方式,可以根据通过识别第一照射区域AR2的位置而辨识出的第一照射区域AR2的形状来绘制第二线l2,并且可以经由第二线l2导出第一照射区域AR2的第二中心c2。
接下来,可以计算从被第一激光Laser1照射的第一照射区域AR2的第二中心c2到加工区域AR1的第一中心c1的第一位移d1(S50)。通过第一位移d1,可以调节被第一激光Laser1照射的第一照射区域AR2的第二中心c2,以匹配或更紧密地匹配加工区域AR1的第一中心c1。计算出的第一位移d1可以被传输到激光扫描仪LS,并且可以执行基于第一位移d1调节第二激光Laser2(见图6A)将要照射到显示基底D上的位置的步骤(S60)。
如图5B中所示,第一照射区域AR2可以具有圆形形状。可以通过以恒定频率多次照射第一激光Laser1而形成的第一照射区域AR2的边缘可以是圆形的。作为另一示例,分别如图5C和图5D中所示,第一照射区域AR2可以具有环形形状或十字形形状。第一照射区域AR2的形状可以由激光扫描仪LS确定。
即使当第一照射区域AR2具有环形形状或十字形形状时,也可以如图5B中所描述的根据第一照射区域AR2的形状来绘制第二线l2,并且可以通过第二线l2导出第一照射区域AR2的第二中心c2。例如,当第一照射区域AR2具有十字形形状时,可以适当地导出第一照射区域AR2的第二中心c2。
参照图6A,在基于图5A和图5B中计算的第一位移d1执行调节第二激光Laser2将要照射到显示基底D上的位置的步骤(S60)之后,可以使显示基底D以恒定速度在第一方向(例如,+y方向)上再次移动。在这种情况下,第一方向可以不同于第二激光Laser2入射在显示基底D上所沿的方向。显示基底D可以变得邻近室110的第一透射窗110a,并且可以执行将第二激光Laser2照射到显示基底D的加工区域AR1的一部分的步骤(S70)。尽管图6A示出了第二激光Laser2穿过如图1中描绘的LMS磁体131,但是可以理解的是,利用彼此间隔开的两个LMS磁体131而可移动传输器120,并且第二激光Laser2可以穿过彼此间隔开的两个LMS磁体131之间的空的空间。
在执行将第二激光Laser2照射到显示基底D的加工区域AR1的步骤(S70)之前,可以通过激光光源161调节发射第二激光Laser2的频率和/或第二激光Laser2的强度,并且/或者可以通过光学组件163改变第二激光Laser2的形状和/或质量。此外,可以通过调节激光扫描仪LS的检流计扫描仪基于第一位移d1来调节第二激光Laser2将要照射到显示基底D上的位置。也就是说,通过调节激光扫描仪LS的检流计扫描仪,可以将第二激光Laser2照射到显示基底D的加工区域AR1。如图6B中所示,可以形成第二照射区域AR3,其中,显示基底D的加工区域AR1由第二激光Laser2局部加工。
在使显示基底D以恒定速度在第一方向(例如,+y方向)上移动的同时可以执行将第二激光Laser2照射到显示基底D的加工区域AR1的一部分的步骤(S70)。作为另一示例,当使显示基底D以恒定速度在第一方向上移动并使显示基底D的加工区域AR1到达预定区域时,使显示基底D停止,并且可以使第二激光Laser2照射到加工区域AR1。
参照图6B,第二激光Laser2可以提供为多个第二激光Laser2。例如,如图6B中所示,可以存在总共四个第二激光Laser2。也就是说,第二激光Laser2可以包括第2-1激光Laser 2-1、第2-2激光Laser 2-2、第2-3激光Laser 2-3和第2-4激光Laser 2-4。此外,显示基底D可以包括在行方向(y方向)和列方向(x方向)上布置的多个单元C。多个单元C可以均包括加工区域AR1。
在一些实施例中,如图6B中所示,可以用第2-1激光Laser 2-1照射布置在第一行中的多个单元C,可以用第2-2激光Laser 2-2照射布置在第二行中的多个单元C,可以用第2-3激光Laser 2-3照射布置在第三行中的多个单元C,并且可以用第2-4激光Laser 2-4照射布置在第四行中的多个单元C。
如图6A中所描述的,可以使显示基底D以恒定速度在第一方向(例如,+y方向)上移动。当使显示基底D在第一方向上移动时,多个单元C之中的布置在第十一列中的单元C首先变得邻近激光扫描仪LS。可以使第二激光Laser2从布置在第十一列中的单元C到布置在第一列中的单元C顺序地照射。当使显示基底D以恒定速度在第一方向上移动时,可以使第二激光Laser2从布置在第十一列中的单元C到布置在第一列中的单元C顺序地照射(运动加工)。作为另一示例,当使显示基底D以恒定速度在第一方向上移动并使布置在第十一列中的单元C到达预定区域时,使显示基底D停止,并且可以使第二激光Laser2照射到布置在第十一列中的每个单元C的加工区域AR1(阶段加工)。
此外,因为第二激光Laser2可以提供为多个第二激光Laser2,所以可以用第二激光Laser2同时或基本上同时照射布置在同一列中的单元C。例如,可以用第2-1激光Laser2-1照射第一行第一列中的单元C,可以用第2-2激光Laser 2-2照射第二行第一列中的单元C,可以用第2-3激光Laser 2-3照射第三行第一列中的单元C,并且可以用第2-4激光Laser2-4照射第四行第一列中的单元C。可以用第二激光Laser2同时或基本上同时照射布置在第一列中的单元C,使得可以加工每个加工区域AR1,并且可以在布置在第一列中的每个单元C的加工区域AR1内形成第二照射区域AR3。
在加工区域AR1内形成的第二照射区域AR3可以具有圆形形状。第二照射区域AR3的形状可以由激光扫描仪LS确定。也就是说,当第二激光Laser2以恒定频率多次照射到加工区域AR1时,可以通过激光扫描仪LS改变照射第二激光Laser2的方向。积累照射到加工区域AR1的第二激光Laser2以形成第二照射区域AR3,从而可以形成第二照射区域AR3的形状。
如图4B和图6B中所示,被第一激光Laser1照射的第一照射区域AR2和被第二激光Laser2照射的第二照射区域AR3都可以具有圆形形状,并且第一照射区域AR2的直径r1可以小于第二照射区域AR3的直径r2。
参照图7A,在执行将第二激光Laser2照射到显示基底D的加工区域AR1(S70)的步骤之后,可以使显示基底D以恒定速度在与第一方向(例如,+y方向)相反的第二方向(例如,-y方向)上移动。显示基底D变得邻近室110的第二透射窗110b,并且可以执行使用相机170重新获得显示基底D的加工区域AR1的图像的步骤(S80)。使用相机170重新获得的加工区域AR1的图像被传输到控制器180,并且控制器180可以分析重新获得的图像(例如,结合S90)。由控制器180分析的数据可以被传输到激光扫描仪LS。
为了参照图7B详细描述,显示基底D可以包括在行方向(y方向)和列方向(x方向)上布置的多个单元C。在一些实施例中,当重新获得显示基底D的加工区域AR1的图像时,可以使用相机170或者其他图像捕获单元或视觉单元来获得图像(S80)。可以使用相机170重新获得多个单元C中的每个的加工区域AR1的图像,以保持多个单元C中的每个的加工区域AR1的图像的均匀性。
当使用相机170重新获得多个单元C中的每个的加工区域AR1的图像时,可以顺序地获得位于同一列中的相应单元C的加工区域AR1的图像。此外,可以在第三方向(例如,+x方向)上顺序地获得位于奇数列中的相应单元C的加工区域AR1的图像,并且可以在与第三方向相反的第四方向(例如,-x方向)上顺序地获得位于偶数列中的相应单元C的加工区域AR1的图像(反之亦然)。
参照图7B的一部分的放大图,可以通过使用利用相机170重新获得的图像来执行分析被第二激光Laser2照射的第二照射区域AR3的中心和加工区域AR1的中心的工艺。可以根据通过识别加工区域AR1的位置而辨识出的加工区域AR1的形状来绘制第一线l1,并且可以经由第一线l1导出加工区域AR1的第一中心c1。以相同的方式,可以根据通过识别第二照射区域AR3的位置而辨识出的第二照射区域AR3的形状绘制第三线l3,并且可以经由第三线l3导出第二照射区域AR3的第三中心c3。
接下来,可以计算被第二激光Laser2照射的第二照射区域AR3的第三中心c3与加工区域AR1的第一中心c1之间的第二位移d2(S90)。通过第二位移d2,可以调节被第二激光Laser2照射的第二照射区域AR3的第三中心c3以匹配加工区域AR1的第一中心c1。计算的第二位移d2可以被传输到激光扫描仪LS,并且可以基于第二位移d2来调节第一激光Laser1(见图4A)将要照射到另一显示基底D上的位置。
如上所述,根据一些实施例的制造显示装置的方法可以包括:将第一激光Laser1照射到显示基底D的加工区域AR1的一部分(S30);获得显示基底D的加工区域AR1的图像(S40);通过使用加工区域AR1的图像来计算被第一激光Laser1照射的第一照射区域AR2的中心与加工区域AR1的中心之间的位移(S50);基于所计算的位移来调节第二激光Laser2将要照射到显示基底D上的位置(S60);以及将第二激光Laser2照射到显示基底D的加工区域AR1(S70)。
作为对比示例,在加工显示基底的加工区域之前,会省略诸如将激光照射到加工区域的一部分等的初步加工。也就是说,会直接加工显示基底的加工区域。如图1中所描述的,保护窗可以用于保护形成在室中的透射窗,并且通过周期性地替换保护窗,对应于激光的路径的区域可以保持清洁。然而,替换的保护窗可能具有与替换之前的保护窗的厚度不同的厚度,结果,激光穿过保护窗的路径会根据折射角等的变化而改变。因此,当按照替换保护窗之前设定的坐标将激光照射到显示基底上时,被激光照射的区域可能位于加工区域的外部。当被激光照射的区域位于加工区域的外部时,显示基底可能经受处理,并且显示基底的缺陷率可能增加。另外,激光所照射到的位置会根据形成激光的激光光源的设定值的变化而改变,并且由于在具有高能量的激光穿过光学组件时可能会发生的对光学组件的损坏,可能会改变激光所照射到的位置。如此,越来越需要一种能够校正由保护窗的替换、激光光源的设定值的改变、对光学组件的损坏等引起的工艺变化而不会处理显示基底的方法。
根据一些实施例的制造显示装置的方法包括:在对加工区域AR1进行加工之前,将第一激光Laser1照射到显示基底D的加工区域AR1的一部分(S30),使得可以校正由保护窗的替换、激光光源的设定值的改变、对光学组件的损坏等引起的工艺变化而不会处理显示基底D。在对加工区域AR1进行加工之前,可以通过将第一激光Laser1照射到显示基底D的加工区域AR1的一部分来执行初步加工,并且在对加工区域AR1进行加工之前,可以确定被第一激光Laser1照射的第一照射区域AR2的中心距加工区域AR1的中心有多远。也就是说,当对加工区域AR1进行加工时,可以预测被激光照射的区域距加工区域AR1有多远。在主加工期间,通过计算被第一激光Laser1照射的第一照射区域AR2的中心与加工区域AR1的中心之间的位移,可以调节第二激光Laser2将要照射到显示基底D上的坐标,因此可以在加工区域AR1内形成被第二激光Laser2照射的第二照射区域AR3。因此,当对加工区域AR1进行加工时,其中被激光照射的区域位于加工区域AR1的外部的情况的频率降低,因此也可以降低不合格的或经受处理的显示基底D的数量(例如,可以降低显示基底D的缺陷率)。此外,加工已经被初步加工的显示基底D的加工区域AR1,因此几乎不需要时间来将显示基底D重新装载到室110中。因为被激光照射的面积小,所以加工速度不高,因此初步加工不会显著影响加工时间。
图8是根据一些实施例的通过制造显示装置1的方法制造的显示装置的透视图。
参照图8,显示装置1包括发光的显示区域DA和不发光的非显示区域NDA。非显示区域NDA与显示区域DA相邻。显示装置1可以通过使用从布置在显示区域DA中的多个像素PX发射的光来提供特定图像。
显示装置1包括被显示区域DA至少部分地围绕的透射区域TA。在一些实施例中,图8示出了透射区域TA被显示区域DA完全围绕。非显示区域NDA可以包括围绕透射区域TA的第一非显示区域NDA1和围绕显示区域DA的外周的第二非显示区域NDA2。第一非显示区域NDA1可以完全围绕透射区域TA,显示区域DA可以完全围绕第一非显示区域NDA1,并且第二非显示区域NDA2可以完全围绕显示区域DA。
根据一些实施例的显示装置1可以包括各种类型的显示装置,诸如有机发光显示器、无机发光显示器、量子点发光显示器等。
透射区域TA可以通过根据一些实施例的制造显示装置1的方法来形成。如图3至图7B中所描述的,在初步加工之后,对加工区域AR1进行加工,因此,通过使用显示基底D,可以在显示基底D的加工区域AR1内形成透射区域TA。
图9A和图9B是根据一些实施例的显示装置的示意性剖视图,并且可以对应于沿着图8的线I-I’截取的显示装置的剖面。图9B对应于图9A的一些修改实施例,因此将基于图9A描述一些实施例,并且将主要针对与图9A的差异来描述图9B。
参照图9A,显示装置1(见图8)可以包括显示面板10,显示面板10包括显示元件和与透射区域TA对应的组件50。
显示面板10可以包括基底200、面对基底200作为封装构件的封装基底300和位于其间的显示元件层400。
基底200可以包括玻璃材料、陶瓷材料、金属材料或者柔性或可弯曲材料。基底200可以具有包括上述材料的单层或多层结构。在多层结构的情况下,基底200还可以包括无机层。在一些实施例中,基底200可以具有有机材料/无机材料/有机材料的堆叠结构。
封装基底300可以布置为面对基底200,并且可以包括玻璃或聚合物树脂。
显示元件层400可以包括电路层,电路层包括薄膜晶体管TFT、作为显示元件连接到薄膜晶体管TFT的有机发光二极管OLED以及位于它们之间的绝缘层IL。薄膜晶体管TFT和连接到其的有机发光二极管OLED可以布置在显示区域DA中,显示元件层400的一些布线WL可以位于第一非显示区域NDA1和/或透射区域TA中。
绝缘层IL可以包括位于显示区域DA与第一非显示区域NDA1之间的第一不平坦部UE1以及位于第一非显示区域NDA1与透射区域TA之间的第二不平坦部UE2。第一不平坦部UE1和第二不平坦部UE2可以对应于第一非显示区域NDA1形成在绝缘层IL上。
尽管图9A示出了当在与基底200的主表面垂直的方向上观察时第一不平坦部UE1相对于透射区域TA分别布置在左侧第一非显示区域NDA1和右侧第一非显示区域NDA1中,但是可以理解的是,第一非显示区域NDA1被第一不平坦部UE1完全围绕。尽管已经基于第一不平坦部UE1描述了一些实施例,但是这也适用于第二不平坦部UE2。也就是说,当在与基底200的主表面垂直的方向上观察时,可以理解的是,透射区域TA被第二不平坦部UE2完全围绕。
第一不平坦部UE1和第二不平坦部UE2可以用于将透射区域TA、第一非显示区域NDA1和显示区域DA彼此区分开。例如,第二不平坦部UE2可以对应于指示图4B中所示的加工区域AR1的粗边界线。加工区域AR1的位置可以通过第二不平坦部UE2来识别,并且如图2至图7B中描述的,激光可以照射在加工区域AR1内。如图9A中所示,第二不平坦部UE2的高度可以高于第一不平坦部UE1的高度。第二不平坦部UE2的端部可以具有尖角形状。加工区域AR1和非加工区域可以通过第二不平坦部UE2彼此容易地区分开。
可以通过将激光照射在图4B的加工区域AR1内来形成图9A的透射区域TA,并且可以去除有机发光二极管OLED,该有机发光二极管OLED是定位为对应于透射区域TA的有机层。当通过激光去除对应于透射区域TA的有机层时,可以确保电子元件的透光率。
尽管图9A示出了基底200和封装基底300不包括通孔,但是如图9B中所示出的,显示面板10可以包括对应于透射区域TA的通孔10H。例如,基底200和封装基底300可以分别包括对应于透射区域TA的通孔200H和通孔300H。显示元件层400也可以包括对应于透射区域TA的通孔。
覆盖显示元件层400的侧表面的密封剂350可以位于基底200与封装基底300之间。尽管图9B示出了密封剂350布置在透射区域TA的两侧上,但是当在与基底200的主表面垂直的方向上观察时,可以理解的是,透射区域TA被密封剂350完全围绕。
布线WL可以被构造为向彼此间隔开且透射区域TA位于其间的像素提供特定信号或电压。尽管图9B示出了布线WL在第一非显示区域NDA1中不与密封剂350叠置,但是作为另一示例,密封剂350的一部分也可以布置在布线WL上。此外,尽管图9B示出了布线WL彼此间隔开且透射区域TA位于其间,但是当在与基底200的主表面垂直的方向上观察时,布线WL可以布置为绕过透射区域TA。作为另一示例,如图9A中所示,布线WL可以布置为对应于透射区域TA。
在一些实施例中,元件(诸如感测触摸输入的输入感测构件、包括偏振器和延迟器或者滤色器和黑矩阵的防反射构件以及透明窗)可以进一步布置在显示面板10上。
组件50可以位于透射区域TA中。组件50可以是使用光或声音的电子元件。例如,电子元件可以包括接收光的传感器(诸如红外传感器)、通过接收光来捕获图像的相机、输出并检测光和/或声音以测量距离和/或识别指纹的传感器、输出光的小灯、输出声音的扬声器等。在电子元件使用光的情况下,可以使用诸如可见光、红外光、紫外光等的各种波段的光。如图9B中所示,当显示面板10包括与透射区域TA对应的通孔10H时,可以更有效地接收或使用从电子元件输出或接收的光或声音。
与如图9B中所示的包括对应于透射区域TA的通孔10H的显示面板10不同,显示面板10的一些元件可以不包括通孔。例如,在其他实施例中,封装基底300包括对应于透射区域TA的通孔300H,但是基底200可以省略通孔。作为另一示例,在其他实施例中,基底200和封装基底300两者可以省略对应于透射区域TA的通孔。即使在基底200不包括通孔200H时,也可以去除显示元件层400的与透射区域TA对应的部分,从而确保电子元件的透光率。
尽管图9A和图9B示出了组件50位于显示面板10的下部中,即,位于基底200的一侧上,但是组件50可以至少部分地插入到通孔10H中,以与显示面板10的限定通孔10H的侧表面叠置。
组件50可以是除上述电子元件之外的构件。在一些实施例中,当显示面板10用作智能手表或车辆仪表板时,组件50可以是包括时钟针(例如,对应于表针)或指示某些信息(例如,车辆速度等)的针的构件。可选地,组件50可以包括增加显示面板10的美观性的元件(诸如饰件)。
透射区域TA可以通过根据一些实施例的制造显示装置1的方法来形成。如图3至图7B中描述的,在初步加工之后对加工区域AR1进行加工,因此可以在显示基底D的加工区域AR1内形成透射区域TA。如此,因为透射区域TA被精确地加工,所以可以增加透射区域TA中的透射率,并且可以加宽到达与透射区域TA对应的组件50的光的波段宽。例如,当组件50是接收光以捕获图像的相机时,随着到达组件50的光的波段宽越宽,捕获的图像会越清晰。
如上所述,透射区域TA可以通过根据一些实施例的制造显示装置1的方法来形成。另外,该方法可以通过照射激光而在加工的工艺中被不同地使用,诸如去除包括在显示装置1中的有机层。
根据如上所述的实施例,可以实现制造显示装置的方法,在该方法中,通过在主加工之前,将激光照射到显示基底的加工区域的一部分,并预测和校正激光所照射的位置,来降低显示基底的缺陷率。然而,公开的范围不受上述效果限制。
应当理解的是,这里描述的实施例应仅以描述性含义来考虑,而不是出于限制的目的。所公开的实施例内的各方面的描述应通常被认为可用于其他实施例中的其他相似方面。虽然已经参照图描述了一个或更多个实施例,但是本领域普通技术人员将理解的是,在不脱离由权利要求(其功能等同物包括在其中)限定的精神和范围的情况下,可以在其中做出形式和细节上的各种改变。

Claims (23)

1.一种制造显示装置的方法,所述方法包括以下步骤:
将第一激光照射到显示基底的加工区域的第一照射区域;
获得所述显示基底的所述加工区域的第一图像;
通过使用所述第一图像来计算被所述第一激光照射的所述第一照射区域的中心与所述加工区域的中心之间的第一位移;
基于所述第一位移来确定第二激光将要照射到所述显示基底上的第二照射区域;以及
将所述第二激光照射到所述第二照射区域。
2.根据权利要求1所述的方法,所述方法还包括获得示出所述第二照射区域的第二图像。
3.根据权利要求2所述的方法,所述方法还包括使用所述第二图像来计算所述第二照射区域的中心与所述加工区域的所述中心之间的第二位移。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一照射区域和所述第二照射区域具有圆形形状。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,所述第一照射区域的直径小于所述第二照射区域的直径。
6.根据权利要求1所述的方法,所述方法还包括通过改变照射所述第一激光和所述第二激光的方向来确定所述第一照射区域和所述第二照射区域的形状。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一照射区域具有环形形状或十字形形状。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述显示基底包括多个单元,
其中,所述第一激光提供为多个第一激光,并且
其中,将所述第一激光照射到所述第一照射区域的步骤包括将所述多个第一激光同时照射到所述多个单元之中的位于第一列中的单元。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述第二激光提供为多个第二激光,并且
其中,将所述第二激光照射到所述第二照射区域的步骤包括将所述多个第二激光同时照射到位于所述第一列中的所述单元。
10.根据权利要求8所述的方法,其中,获得所述加工区域的所述第一图像的步骤包括顺序地获得所述第一列中的所述单元的区域的多个第一图像。
11.根据权利要求10所述的方法,所述方法还包括:
在第一方向上顺序地获得所述第一列中的所述单元的所述区域的所述多个第一图像;以及
在第二方向上顺序地获得所述多个单元之中的位于第二列中的单元的区域的多个第一图像,
其中,所述第二方向与所述第一方向相反。
12.根据权利要求1所述的方法,所述方法还包括使用激光扫描仪来确定所述第二照射区域。
13.根据权利要求1所述的方法,所述方法还包括使所述显示基底在第三方向上移动,所述第三方向不同于所述第一激光和所述第二激光中的一者入射在所述显示基底的表面上的方向。
14.根据权利要求13所述的方法,所述方法还包括在使所述显示基底沿所述第三方向移动的同时将所述第一激光和所述第二激光中的一者照射到所述显示基底上。
15.根据权利要求13所述的方法,所述方法还包括在使所述显示基底沿与所述第三方向相反的第四方向移动的同时获得所述第一图像。
16.一种制造显示装置的方法,所述方法包括以下步骤:
通过使用处理器将第一激光照射到显示基底的加工区域的第一照射区域,所述显示基底附着到传输器的下表面;
通过使用相机来获得所述加工区域的第一图像;
通过使用所述第一图像来计算所述第一照射区域的中心与所述加工区域的中心之间的第一位移;
将所述第一位移传输到所述处理器;
所述处理器基于所述第一位移来确定第二激光将要照射到所述显示基底上的第二照射区域;以及
将所述第二激光照射到所述第二照射区域。
17.根据权利要求16所述的方法,其中,所述第一激光和所述第二激光通过所述处理器与所述显示基底之间的保护窗照射到所述显示基底的表面上。
18.根据权利要求16所述的方法,其中,所述处理器包括光源和激光扫描仪,并且
其中,基于由所述相机传输的所述第一位移来调节所述激光扫描仪。
19.根据权利要求16所述的方法,所述方法还包括使用所述传输器使所述显示基底在第一方向上移动,
其中,在使所述显示基底沿所述第一方向移动的同时执行获得所述第一图像的步骤。
20.根据权利要求16所述的方法,其中,所述处理器包括光源和激光扫描仪,并且
其中,所述第一照射区域和所述第二照射区域的形状由所述激光扫描仪确定。
21.根据权利要求16所述的方法,其中,所述第一照射区域具有圆形形状、环形形状和十字形形状中的一种。
22.根据权利要求16所述的方法,其中,所述第一照射区域和所述第二照射区域具有圆形形状,并且
其中,所述第一照射区域的直径小于所述第二照射区域的直径。
23.根据权利要求16所述的方法,所述方法还包括:
通过使用所述相机获得所述显示基底的所述加工区域的第二图像;以及
通过使用所述第二图像来计算被所述第二激光照射的所述第二照射区域的中心与所述加工区域的所述中心之间的第二位移。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002103459A (ja) 2000-09-29 2002-04-09 Sanyo Electric Co Ltd 光造形装置及び光造形品の制作方法
EP1967317A1 (en) * 2007-03-07 2008-09-10 Fujitsu Limited Method for separating a workpiece and laser processing apparatus
JP4959422B2 (ja) * 2007-05-30 2012-06-20 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
KR101122240B1 (ko) 2009-02-23 2012-03-21 한미반도체 주식회사 반도체 패키지 가공을 위한 레이저 빔 조사 위치 보정방법
DE102015106693A1 (de) * 2015-04-29 2016-11-03 Infineon Technologies Austria Ag Superjunction-Halbleitervorrichtung mit Übergangsabschlusserstreckungsstruktur und Verfahren zur Herstellung
KR101283557B1 (ko) 2010-05-20 2013-07-15 (주)미래컴퍼니 레이저 가공장치
JP5580701B2 (ja) * 2010-09-13 2014-08-27 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
WO2012106326A1 (en) * 2011-01-31 2012-08-09 The Regents Of The University Of California Using millisecond pulsed laser welding in mems packaging
JP5725430B2 (ja) * 2011-10-18 2015-05-27 富士電機株式会社 固相接合ウエハの支持基板の剥離方法および半導体装置の製造方法
AU2013222069A1 (en) * 2012-02-26 2014-10-16 Solexel, Inc. Systems and methods for laser splitting and device layer transfer
JP6214192B2 (ja) * 2013-04-11 2017-10-18 株式会社ディスコ 加工方法
JP6230381B2 (ja) * 2013-11-15 2017-11-15 株式会社ディスコ 加工方法
US9517929B2 (en) * 2013-11-19 2016-12-13 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method of fabricating electromechanical microchips with a burst ultrafast laser pulses
US9093518B1 (en) * 2014-06-30 2015-07-28 Applied Materials, Inc. Singulation of wafers having wafer-level underfill
US9165832B1 (en) * 2014-06-30 2015-10-20 Applied Materials, Inc. Method of die singulation using laser ablation and induction of internal defects with a laser
US9349648B2 (en) * 2014-07-22 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a rectangular shaped two-dimensional top hat laser beam profile or a linear shaped one-dimensional top hat laser beam profile laser scribing process and plasma etch process
US9412619B2 (en) * 2014-08-12 2016-08-09 Applied Materials, Inc. Method of outgassing a mask material deposited over a workpiece in a process tool
US10234695B2 (en) * 2015-02-16 2019-03-19 Apple Inc. Low-temperature hermetic sealing for diffractive optical element stacks
KR101778088B1 (ko) 2016-07-28 2017-09-13 (주)에스엠텍 초경합금 고품질 레이저 미세방전 복합가공 장치
KR101913580B1 (ko) 2016-12-22 2018-11-01 삼성디스플레이 주식회사 하향식 기판 에칭장치

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