CN113920870A - 电子装置 - Google Patents

电子装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113920870A
CN113920870A CN202111185962.5A CN202111185962A CN113920870A CN 113920870 A CN113920870 A CN 113920870A CN 202111185962 A CN202111185962 A CN 202111185962A CN 113920870 A CN113920870 A CN 113920870A
Authority
CN
China
Prior art keywords
conductive layer
electronic device
conductive
disposed
flexible substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111185962.5A
Other languages
English (en)
Inventor
张砥中
王之杰
陈建志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Innolux Corp
Original Assignee
Innolux Display Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Innolux Display Corp filed Critical Innolux Display Corp
Priority claimed from CN201811196586.8A external-priority patent/CN110503894B/zh
Publication of CN113920870A publication Critical patent/CN113920870A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/301—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/4985—Flexible insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本申请是关于一种电子装置，包括支撑基板、可挠基板、开口、第一导电层、第二导电层以及多个间隔元件。可挠基板是设置在支撑基板上。开口分隔支撑基板，且开口露出部分的可挠基板。第一导电层是设置在可挠基板上。第二导电层是设置在第一导电层上。间隔元件设置在第一导电层及第二导电层之间，且第一导电层是交替地接触第二导电层及间隔元件的其中之一。

Description

电子装置
本申请是2018年10月15日申请的，申请号为“201811196586.8”，发明名称为“电子装置”的中国发明专利申请的分案申请。
技术领域
本申请是关于一种电子装置，且特别关于一种可挠式电子装置。
背景技术
一般的显示区是由不具显示功能的边框区域环绕，此边框区域是用以设置驱动元件以及走线层。由于边框区域会限制使用者可用的屏幕空间，因此对于固定的屏幕尺寸而言，希望可将边框区域最小化，以得到最大的屏幕空间。此外，传统的可挠式电子装置亦具有当弯折次数过高，或弯折的曲率半径过小时，电子装置中的导线可能会因此发生断裂，从而降低可靠度的问题。
发明内容
本申请是关于一种电子装置，包括支撑基板、可挠基板、开口、第一导电层、第二导电层以及多个间隔元件。可挠基板是设置在支撑基板上。开口分隔支撑基板，且开口露出部分的可挠基板。第一导电层是设置在可挠基板上。第二导电层是设置在第一导电层上。间隔元件设置在第一导电层及第二导电层之间，且第一导电层是交替地接触第二导电层及间隔元件的其中之一。
附图说明
以下将配合所附图式详述本申请的实施例。应注意的是，依据在业界的标准做法，多种特征并未按照比例绘示且仅用以说明例示。事实上，可能任意地放大或缩小元件的尺寸，以清楚地表现出本申请的特征。
图1是根据本申请一实施例所绘示的电子装置的示意图。
图2A是根据本申请一实施例的电子装置在一种弯折状态时的示意图。
图2B是根据本申请一实施例的电子装置在另一种弯折状态时的示意图。
图3A是根据本申请一实施例所绘示的电子装置的剖面示意图。
图3B是图3A虚线部分的放大图。
图3C是当图3A的电子装置发生如图2A的弯折时的剖面示意图。
图3D是当图3A的电子装置发生如图2B的弯折时的剖面示意图。
图4A是根据本申请另一实施例所绘示的电子装置的剖面示意图。
图4B是当图4A的电子装置发生如图2A的弯折时的剖面示意图。
图4C是当图4A的电子装置发生如图2B的弯折时的剖面示意图。
图5A到图5C是根据本申请一些实施例绘示的导电结构与弹性元件位置关系的示意图。
图6是根据本申请一些实施例制造电子装置的流程图。
图中元件标号说明：
1电子装置
2显示区
3非显示区
4弯折区
5配线区
10支撑基板
12开口
20可挠基板
30第一有机绝缘层
30A、30B、D、E界面
40A、40B第一导电层
50A、50B第二导电层
52导电条
60A、60B弹性结构
61A、61B、62、63弹性元件
64A第一条状结构
64B第二条状结构
70第二有机绝缘层
80无机绝缘层
100流程图
102、104、106、108、110、112、114、116、118、120步骤
401、501～箭头
C电子元件
T厚度
S空间
W线路
X、Y方向
θ1、θ2、θ3夹角
具体实施方式
以下公开许多不同的实施方法或是范例来实行所提供的标的的不同特征，以下描述具体的元件及其排列的实施例以阐述本申请。当然这些实施例仅用以例示，且不该以此限定本申请的范围。举例来说，在说明书中提到第一特征部件形成于第二特征部件之上，其包括第一特征部件与第二特征部件是直接接触的实施例，另外也包括于第一特征部件与第二特征部件之间另外有其他特征的实施例，亦即，第一特征部件与第二特征部件并非直接接触。
此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示，这些重复仅为了简单清楚地叙述本申请，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间有特定的关系。此外，在本申请中的在另一特征部件的上形成、连接到及/或耦接到另一特征部件可包括其中特征部件形成为直接接触的实施例，并且还可包括其中可形成插入上述特征部件的附加特征部件的实施例，使得上述特征部件可能不直接接触。此外，其中可能用到与空间相关用词，例如“垂直的”、“上方”、“上”、“下”、“底”及类似的用词(如“向下地”、“向上地”等)，这些空间相关用词是为了便于描述图示中一个(些)元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系，这些空间相关用词旨在涵盖包括特征的装置的不同方向。
图1是根据本申请一实施例所绘示的电子装置1的示意图。在本实施例中，电子装置1包括显示区2及非显示区3。非显示区3包括弯折区4及配线区5，其中，显示区2与弯折区4之间的交界，以及弯折区4与配线区5之间的交界，会在后文详细的定义。在本实施例中，线路W是设置在配线区5上，用以连接其他的装置(未绘示)。在一些实施例中，线路W可为但不限制于COF(Chip on film)、FPC(flexible printed circuit)或PCB(printed circuitboard)。
上述电子装置1主要是由支撑基板10及支撑基板10上的电子元件C所组成。支撑基板10是设置在显示区2及配线区5上，并且在部分的弯折区4上设置有支撑基板10。举例来说，如图1所示，在弯折区4中有一部分未设置支撑基板10，亦即在弯折区4中有一部分的支撑基板10被移除。在一些实施例中，支撑基板10设置在显示区2上，但未设置在配线区5上。
上述电子装置1例如可为显示装置，上述显示装置可包括液晶(liquid crystal，LC)、有机发光二极管(organic light-emitting diode，OLED)、量子点(quantum dot，QD)、荧光材料(fluorescence material)、磷光材料(phosphor material)、发光二极管(light-emitting diode，LED)、Mini LED(mini light-emitting diode)、Micro LED(microlight-emitting diode)或其他显示媒介，但本申请并不限于此。上述电子装置亦例如可为感测装置、天线、上述的组合、或将多个电子装置拼接而成的拼接式电子装置。
图2A是根据本申请一实施例的电子装置1在弯折状态时的示意图。在图2A中，非显示区3是朝向显示区2的背面(靠近支撑基板10的一面)弯折，其中非显示区3的弯折区4是弯折成弧状，且弯折区4及支撑基板10间形成一空间S。在显示区2及配线区5上的支撑基板10彼此可重叠或互相接触。借此，当从显示区2的正面(远离支撑基板10的一面)观察时，可将不具有显示功能的配线区5隐藏在显示区2的背面，以增加显示区2所占的面积比例或增加配线时的自由度，以做为制造窄边框的电子装置或窄接缝的拼接式电子装置的实施手段。
图2B是根据本申请另一实施例的电子装置1在弯折状态时的示意图。在图2B中，弯折区4沿着支撑基板10的侧边弯折，使其靠近或接触支撑基板10的侧边(如界面D所示)，并且显示区2相对于弯折区4位于支撑基板10侧边的部分有接近90度的夹角，且弯折区4位于支撑基板10侧边的部分相对于配线区5亦有接近90度的夹角。在显示区2及配线区5上的支撑基板10可彼此重叠或互相接触。因此，从显示区2的正面(远离支撑基板10的一面)观察时，亦可将不具有显示功能的配线区5隐藏在显示区2的背面，以增加显示区2所占的面积比例。此外，由于弯折区4位于支撑基板10侧边的部分相对于显示区2及配线区5有接近90度的夹角，因此可进一步增加从显示区2的正面观察时显示区2所占的面积比例、增加配线时的自由度、或减少拼接时电子元件C于接缝处所占据的面积，以做为制造窄边框的电子装置或窄接缝的拼接式电子装置的实施手段。
图3A是根据本申请一实施例所绘示的电子装置1A的剖面示意图。在图3A中，电子装置1A包括支撑基板10、可挠基板20、第一有机绝缘层30、第一导电层40A、第二导电层50A、弹性结构60A、第二有机绝缘层70、以及无机绝缘层80。
上述可挠基板20是设置在支撑基板10上，开口12在非显示区3贯穿支撑基板10而将其分隔成两部分，且开口12露出部分的可挠基板20。在一些实施例中，支撑基板10截止于开口12，而未被开口12分隔成两部分。第一有机绝缘层30及无机绝缘层80是设置在可挠基板20上，具有大抵相等的厚度，且第一有机绝缘层30及无机绝缘层80之间的界面30A或界面30B与可挠基板20的夹角为θ1。于本申请中，在一些实施例中，夹角θ1大于90度，但本申请并不以此为限。第一有机绝缘层30与无机绝缘层80之间的界面30A及界面30B分别为显示区2与弯折区4之间的交界，以及弯折区4与配线区5之间的交界。若界面30A或界面30B具有一倾斜角度，则以界面30A或界面30B与可挠基板20的接触处做为不同区之间的交界。第一有机绝缘层30与无机绝缘层80之间的界面30A或界面30B位于支撑基板10上。换句话说，于垂直可挠基板20的方向上，无机绝缘层80与第一有机绝缘层30之间的界面30A或界面30B与支撑基板10重叠。将界面30A或界面30B从支撑基板10的边界向内退缩一段距离，可降低界面30A或界面30B因承受弯折应力而剥离的几率，借以提升电子装置1A的可靠度。于本申请中，垂直可挠基板20的方向定义为可挠基板20的表面的法线方向，而此表面上设置有其他元件。
第一导电层40A是设置在第一有机绝缘层30及无机绝缘层80上，而第二导电层50A是设置在第一导电层40A上，弹性结构60A包括多个弹性元件61A，设置在第一导电层40A及第二导电层50A之间，而第二有机绝缘层70是设置在第二导电层50A上。且第一有机绝缘层30、第一导电层40A、第二导电层50A、弹性结构60A、及第二有机绝缘层70是设置在非显示区3上。在此实施例中，第一导电层40A是与显示区2或非显示区3内的有源驱动装置电性连接。
支撑基板10是用以支撑整个电子装置1A，并且可包括合适的透明材料，例如玻璃、石英、陶瓷、蓝宝石或塑胶等，但本申请并不以此为限。可挠基板20可形变，以辅助电子装置1A进行弯折。可挠基板20包括合适的可挠材料，例如聚碳酸酯(polycarbonate)、聚酰亚胺(polyimide)、聚丙烯(polypropylene)或聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate)等。第一有机绝缘层30及第二有机绝缘层70是用以将第一导电层40A、第二导电层50A、及其他元件与外界绝缘或用以分散弯折时产生的应力，并且可包括合适的有机材料。第一有机绝缘层30的厚度例如为大于等于0.5μm且小于或等于2μm，且第二有机绝缘层70的厚度例如为大于等于1μm且小于等于9μm。然而，前述范围仅为举例而已，本申请的第一与第二有机绝缘层30、70的厚度并不以前述范围为限。
上述第一导电层40A及第二导电层50A的材料可包括适合的导电材料，例如为金属导电材料或透明导电材料，但本申请并不以此为限。上述金属材料可包括例如铜、铝、钼、钨、金、铬、镍、铂、钛、铜合金、铝合金、钼合金、钨合金、金合金、铬合金、镍合金、铂合金、钛合金等合适的金属或组合，但本申请并不以此为限。上述透明导电材料可包括例如氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)、铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide，IGZO)、其组合、或其他优良的导电或低电阻材料，但本申请并不以此为限。
在一些实施例中，上述第一导电层40A或第二导电层50A可与显示区2或非显示区3内的有源驱动装置(例如开关晶体管或驱动晶体管)或导电垫中的其中某一层别共用同一道光罩或以相同材料制作，例如第一导电层40A与驱动晶体管的源极21/漏极22共用同一道光罩，而第二导电层50A与导电垫23共用同一道光罩，借以节省制造成本，但本申请并不限于此。在一些实施例中，上述第一导电层40A或第二导电层50A与显示区2内的元件不共用光罩或以不同材料制作。在一些实施例中，第一导电层40A或第二导电层50A是与显示区2或非显示区3内的有源驱动装置电性连接。在一些实施例中，第一导电层40A或第二导电层50A是与配线区5上的线路W电性连接。在一些实施例中，电子装置1A的自发光型显示媒介(未绘示)，例如发光二极管，是透过例如导电垫23或其他导电介质电性连接至漏极22。在一些实施例中，电子装置1A的非自发光型显示媒介或调控电容的媒介(未绘示)，例如液晶，是被漏极22或电性连接至漏极22的电极所控制。
第一导电层40A及第二导电层50A的厚度例如为大于等于0.3μm且小于等于0.7μm。上述无机绝缘层80可包括合适的绝缘材料，例如刚性比可挠基板20高的无机绝缘材料(如SiOx、SiNx、SiOxNy等)，但本申请并不以此为限。在一些实施例中，前述提及的刚性高低，是以材料的杨式系数作为刚性高低的比较基础。
在图3A中，弹性元件61A之间并未连续地设置，而是在每个弹性元件61A之间各自具有一距离，其中，任两相邻的弹性元件61A之间的距离可相等或不相等，本申请并不限制。第一导电层40A是间隔地接触第二导电层50A，其中，第一导电层40A与第二导电层50A接触的态样，包括直接接触与间接接触，只要第一导电层40A与第二导电层50A每隔一距离有电性导通即可。且前述段落所定义的两者接触的态样，适用于本申请的任一实施例。应注意的是，弹性元件61A在图3A中具有接近多边形的形状。亦即，第一导电层40A及第二导电层50A在接触弹性元件61A的部分是弯折成多个段部。此外，第一导电层40A是交替地接触第二导电层50A及弹性元件61A，借此可对这些结构进行弯折。弹性结构60A的厚度例如可大于等于1μm且小于等于4μm，例如为2μm或3μm。
第一有机绝缘层30及无机绝缘层80间的界面30A或界面30B与可挠基板20的表面的夹角θ1例如是大于90度。因此，第一有机绝缘层30可由较为平缓的方式与无机绝缘层80连接，从而可降低此处的应力，并因此避免由于过大的应力造成第一有机绝缘层30与无机绝缘层80之间发生剥离。
应注意的是，在图3A中的支撑基板10是被开口12分隔成两部分，第一导电层40A是横跨开口12，且第一导电层40A的两端设置在此二部分的支撑基板10上方。此外，第二导电层50A是横跨开口12，且第二导电层50A的两端设置在此二部分的支撑基板10上方。因此，可确保第一导电层40A及第二导电层50A皆横跨弯折区4发生弯折的部分，从而即使第一导电层40A或第二导电层50A任一者因使用时弯折而发生断裂，第一导电层40A或第二导电层50A的另一者仍可继续传递电信号，以增加电子装置1的可靠度。
图3B是图3A虚线部分的放大图。应注意的是，如图3B所示，第二导电层50A是与无机绝缘层80于垂直可挠基板20的方向上至少有部分重叠。因此，借由这种配置方式，可增加第二导电层50A与无机绝缘层80重叠的面积，将此处的应力予以分散，以避免应力过于集中，而造成在弯折时发生断裂。
图3C是当前述图3A中的电子装置1A发生如图2A的弯折时的剖面示意图。图2A中的弯折区4具有接近圆弧状的形状，弯折区4的厚度L例如但不限制于大于等于100um且小于等于500μm，例如100μm、250μm或400μm。在图3C中，与图3A未发生弯折的状态相比，如箭头401及箭头501所示，可看到第一导电层40A被挤压，使得第一导电层40A每一相邻段部间的夹角增加；而第二导电层50A被拉伸，使得第二导电层50B每一相邻段部间的夹角降低；弹性结构60A从而会发生形变。借此，可分散电子装置1A的弯折区4弯折时产生的应力、将配线区5隐藏在显示区2的背面或增加配线时的自由度，以做为制造窄边框的电子装置或窄接缝的拼接式电子装置的实施手段。
图3D是当前述图3A中的电子装置1A发生如图2B的弯折时的剖面示意图。应注意的是，为了方便描述，在图3D中各元件的大小比例与前述图式不相同。在图3D中，与图3A未发生弯折的状态相比，可看到第一导电层40A被挤压，使得第一导电层40A每一相邻段部间的夹角增加；而第二导电层50A被拉伸，使得第二导电层50B每一相邻段部间的夹角降低；弹性结构60A从而会发生形变。此外，在界面D处，原本开口12处露出的可挠基板20在图3D的弯折状态下是靠近支撑基板10，甚而与支撑基板10接触。借此，将电子装置1A的弯折区4弯折之后，可将配线区5隐藏在显示区2的背面、增加配线时的自由度，或允许较大的显示空间，以做为制造窄边框的电子装置或窄接缝的拼接式电子装置的实施手段。
图4A是根据本申请另一实施例所绘示的电子装置1B的剖面示意图。在图4A中，电子装置1B包括支撑基板10、可挠基板20、第一有机绝缘层30、第一导电层40B、第二导电层50B、弹性结构60B、第二有机绝缘层70、以及无机绝缘层80。
上述可挠基板20是设置在支撑基板10上，而支撑基板10在非显示区3被开口12分隔成两部分，且开口12露出部分的可挠基板20。第一有机绝缘层30及无机绝缘层80是设置在可挠基板20上，具有大抵相等的厚度，且第一有机绝缘层30及无机绝缘层80间的界面30A或界面30B与可挠基板20的夹角为θ1。在一些实施例中，夹角θ1是大于90度。
第一导电层40B是设置在第一有机绝缘层30及无机绝缘层80间上，而第二导电层50B是设置在第一导电层40B上，弹性结构60B包括多个弹性元件61B，设置在第一导电层40B及第二导电层50B间，而第二有机绝缘层70是设置在第二导电层50B上。且第一有机绝缘层30、第一导电层40B、第二导电层50B、弹性结构60B、及第二有机绝缘层70是设置在非显示区3上。
在本实施例中，上述支撑基板10、可挠基板20、第一有机绝缘层30、第一导电层40B、第二导电层50B、弹性结构60B、第二有机绝缘层70、以及无机绝缘层80的材料分别与前述实施例的上述支撑基板10、可挠基板20、第一有机绝缘层30、第一导电层40A、第二导电层50A、弹性结构60A、第二有机绝缘层70、以及无机绝缘层80相同或相似，于此不再赘述。
在图4A中，弹性元件61B之间并未连续地设置，而是在每个弹性元件61B间各自具有一距离，其中，任两相邻的弹性元件61B之间的距离可相等也可以不相等。第一导电层40B是间隔地接触第二导电层50B，其中，第一导电层40B可间隔地直接接触第二导电层50B，亦可在第一导电层40B与第二导电层50B之间设置导电元件，以使第一导电层40B间隔地间接接触第二导电层50B。此外，第一导电层40B是交替地接触第二导电层50B及弹性元件61B，借此可对这些结构进行弯折。与图3A中的实施例不同的是，弹性元件61B在与第一导电层40B及第二导电层50B接触处具有弧状的侧边。换句话说，第一导电层40B及第二导电层50B并未弯折成多个段部，而是实质上平缓地设置在弹性元件61B上，并且具有波浪状的形状。于此实施例中，具有弧状的侧边的第一有机绝缘层30与弹性元件61B是可在光刻制程中使用多灰度光罩，例如半调光罩(half tone mask)或灰度光罩(gray tone mask)，来制作。然而，本申请并不以此为限。
图4B是当电子装置1B发生如图2A的弯折时的示意图。在图4B中，弯折区4具有接近圆弧状的形状，弯折区4的厚度L是大于等于100μm且小于等于500μm，例如100μm、250μm或400μm。与前述图3C的实施例类似，第一导电层40B被挤压，第二导电层50B被拉伸，且弹性结构60B从而会发生形变。借此，将电子装置1B的弯折区4弯折之后，可将配线区5隐藏在显示区2的背面、增加配线时的自由度，或允许较大的显示空间，以做为制造窄边框的电子装置或窄接缝的拼接式电子装置的实施手段。
图4C是当电子装置1B发生如图2B的弯折时的示意图。应注意的是，为了方便描述，在图4C中各元件的大小比例与前述图式不相同。在图4C中，与图4A未发生弯折的状态相比，可看到第一导电层40B被挤压，而第二导电层50B被拉伸，且弹性结构60B从而会发生形变。此外，在界面E处，原本开口12处露出的可挠基板20在图4C的弯折状态下是靠近支撑基板10，甚而与支撑基板10接触。借此，将电子装置1B的弯折区4弯折之后，可将配线区5隐藏在显示区2的背面、增加配线时的自由度，或允许较大的显示空间，以做为制造窄边框的电子装置或窄接缝的拼接式电子装置的实施手段。
图5A到图5C是根据本申请一些实施例绘示弯折区4从可挠基板20的表面的法线方向观察时，上述第二导电层50A或第二导电层50B与弹性元件61A或弹性元件61B(以下在不同实施例中分别称为弹性元件62、弹性元件63、第一弹性元件64A及第二弹性元件64B)位置关系的示意图。须注意的是，第一导电层40A或第一导电层40B因为分别与第二导电层50A或第二导电层50B在俯视方向上重叠。因此，并未绘示第一导电层40A或第一导电层40B。
在图5A中，第二导电层50A或第二导电层50B包括数个导电条52，朝向Y方向延伸且彼此平行。于本申请中，显示区2、弯折区4与配线区5是沿着Y方向排列。在本实施例中的弹性元件62具有岛状的形状，且多个弹性元件62间隔地设置在导电条52的每一者下方，其中不同的导电条52上的弹性元件62是沿X方向排列，因此可提升于不同方向上的应力对称性，减少因应力不对称，造成某方向上的应力集中而使得装置损坏的可能性。在其他实施例中，不同的导电条52上的弹性元件62在X方向上亦可为错位排列。在其他实施例中，不同的导电条52上的弹性元件62的个数也可不同。再者，虽然在图5A中的弹性元件62于X方向上的宽度是绘示为与导电条52于X方向上的宽度相同，但本申请并不以此为限。举例来说，亦可根据设计需求，调整弹性元件62的尺寸，使弹性元件62于X方向上的宽度大于或小于导电条52的宽度，借以达到增加制程自由度的功能。
在图5B中，第二导电层50A或第二导电层50B包括数个导电条52，朝向Y方向延伸且彼此平行。在本实施例中的弹性元件63具有条状的形状，朝X方向延伸并穿越数条导电条52，亦即各导电条穿过数条导电条52的下方，其中X方向与Y方向彼此实质上垂直。上述弹性元件63是实质上彼此平行，因此可提升于不同方向上的应力对称性，减少因某方向上的应力集中而增加装置损坏的可能性。在其他实施例中，上述弹性元件63亦可彼此不平行。
在图5C中，第二导电层50A或第二导电层50B包括数个导电条52，朝向Y方向延伸且彼此平行。在本实施例中的弹性结构具有网状的形状，且包括多个第一条状结构64A及多个第二条状结构64B，其中第一条状结构64A的每一者及第二条状结构64B的每一者的交界处是与导电条52重叠。虽然本实施例中的弹性结构是绘示为包括不同的第一条状结构64A及第二条状结构64B，但其仅为方便说明，实际上的第一条状结构64A及第二条状结构64B是为一体成形，并设置在同个平面上。第一条状结构64A与导电条52的夹角为θ2，且第二条状结构64B与导电条52的夹角为θ3，其中夹角θ2与夹角θ3实质上相同。亦即，第一条状结构64A及第二条状结构64B是相对于导电条52而对称。因此，可提升于不同方向上的应力对称性，减少因某方向上的应力集中而造成装置损坏的可能性。在其他实施例中，夹角θ2与夹角θ3亦可不相同。
图6是根据本申请一些实施例制造电子装置的流程图100。在步骤102中，提供支撑基板。在步骤104中，在支撑基板上提供可挠基板。在步骤106中，在可挠基板上提供薄膜晶体管(Thin-Film Transistor，TFT)，例如半导体层为非晶硅(amorphous silicon)、低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)或金属氧化物(metal oxide)的顶栅极、底栅极或双栅极薄膜晶体管。在步骤108中，在上述薄膜晶体管上提供无机绝缘层。在步骤110中，借由光刻制程去除部分无机绝缘层，并在去除无机绝缘层处提供第一有机绝缘层。在步骤112中，在第一有机绝缘层上提供第一导电层。在步骤114中，在第一导电层上提供弹性结构。在步骤116中，在弹性结构上提供第二导电层。在步骤118中，在上述第二导电层上提供第二有机绝缘层。
综上所述，本申请提供了一种可挠式电子装置，具有可挠结构，在电子装置的弯折区进行弯折之后，可将配线区隐藏在显示区的背面、增加配线时的自由度、或可允许较大的显示空间，以做为制造窄边框的电子装置或窄接缝的拼接式电子装置的实施手段。此外，在弯折区中具有至少两个电性连接的导电结构，从而若当其中一者因弯折而断裂，另一者仍可达到传递电信号的功能，以增加电子装置的可靠度。
虽然本申请的实施例及其优点已申请如上，但应该了解的是，任何所属技术领域中的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，当可作更动、替代与润饰。此外，本申请的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何所属技术领域中的普通技术人员可从本申请揭示内容中理解现行或未来所发展出的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本申请使用。因此，本申请的保护范围包括上述制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，每一权利要求构成个别的实施例，且本申请的保护范围也包括各个权利要求及实施例的组合。

Claims (9)

1.一种电子装置，其特征在于，该电子装置包括：
一支撑基板；
一可挠基板，设置在该支撑基板上；
一开口，分隔该支撑基板，且该开口露出部分的该可挠基板；
一第一导电层，设置在该可挠基板上；
一第二导电层，设置在该第一导电层上；以及
多个间隔元件，设置在该第一导电层及该第二导电层之间，
其中该第一导电层是交替地接触该第二导电层及该多个间隔元件的其中之一。
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该多个间隔元件与该第一导电层及该第二导电层接触处具有弧状的侧边。
3.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，于垂直该可挠基板的方向上，该第二导电层包括多个导电条，该多个导电条分别朝一第一方向延伸且彼此平行。
4.如权利要求3所述的电子装置，其特征在于，该多个间隔元件具有岛状的形状，并设置在该多个导电条下方。
5.如权利要求3所述的电子装置，其特征在于，在该第一方向上，至少一个该多个间隔元件的一宽度与至少一个该多个导电条的一宽度不同。
6.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，包括一显示区以及一非显示区，该非显示区邻接该显示区，其中该显示区包括一有源驱动装置，该第一导电层电性连接该有源驱动装置。
7.如权利要求6所述的电子装置，其特征在于，该第一导电层、该第二导电层及该多个间隔元件是至少部分设置在该非显示区。
8.如权利要求6所述的电子装置，其特征在于，该开口是至少部分设置在该非显示区。
9.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该多个间隔元件的其中之一的一厚度大於该第一导电层的一厚度。
CN202111185962.5A 2018-05-18 2018-10-15 电子装置 Pending CN113920870A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862673212P 2018-05-18 2018-05-18
US62/673,212 2018-05-18
CN201811196586.8A CN110503894B (zh) 2018-05-18 2018-10-15 电子装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811196586.8A Division CN110503894B (zh) 2018-05-18 2018-10-15 电子装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113920870A true CN113920870A (zh) 2022-01-11

Family

ID=68533418

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111185962.5A Pending CN113920870A (zh) 2018-05-18 2018-10-15 电子装置

Country Status (2)

Country Link
US (3) US10886307B2 (zh)
CN (1) CN113920870A (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109494314B (zh) * 2018-10-16 2020-12-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性oled显示面板及其制备方法
KR20200113108A (ko) * 2019-03-22 2020-10-06 삼성디스플레이 주식회사 터치 감지 장치와 이를 포함하는 표시 장치
KR20210086285A (ko) * 2019-12-31 2021-07-08 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US11640963B2 (en) * 2020-05-19 2023-05-02 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and display device
CN213240763U (zh) * 2020-09-25 2021-05-18 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN114665101A (zh) * 2022-03-02 2022-06-24 东莞新能安科技有限公司 电化学装置以及电子装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160035759A1 (en) * 2014-07-31 2016-02-04 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with wire having reinforced portion and manufacturing method for the same
CN105989783A (zh) * 2015-03-17 2016-10-05 乐金显示有限公司 柔性显示器背板组件、带该组件的显示设备及其制造方法
US20170262109A1 (en) * 2016-03-11 2017-09-14 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
CN107170374A (zh) * 2017-06-29 2017-09-15 武汉天马微电子有限公司 柔性显示面板及柔性显示装置
TW201733092A (zh) * 2016-03-15 2017-09-16 友達光電股份有限公司 可撓式畫素陣列基板以及顯示面板

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102526110B1 (ko) * 2016-04-12 2023-04-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102583831B1 (ko) * 2016-11-25 2023-09-27 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 전계발광 표시장치
US20200066822A1 (en) * 2017-07-28 2020-02-27 Sharp Kabushiki Kaisha Display device, manufacturing method for display device, and manufacturing device for display device
KR102370639B1 (ko) * 2017-08-31 2022-03-03 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102367989B1 (ko) * 2017-09-08 2022-02-28 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US10754387B2 (en) * 2017-09-29 2020-08-25 Sharp Kabushiki Kaisha Flexible display device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160035759A1 (en) * 2014-07-31 2016-02-04 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with wire having reinforced portion and manufacturing method for the same
CN105989783A (zh) * 2015-03-17 2016-10-05 乐金显示有限公司 柔性显示器背板组件、带该组件的显示设备及其制造方法
US20170262109A1 (en) * 2016-03-11 2017-09-14 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
TW201733092A (zh) * 2016-03-15 2017-09-16 友達光電股份有限公司 可撓式畫素陣列基板以及顯示面板
CN107170374A (zh) * 2017-06-29 2017-09-15 武汉天马微电子有限公司 柔性显示面板及柔性显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US10886307B2 (en) 2021-01-05
US20210082970A1 (en) 2021-03-18
US11664390B2 (en) 2023-05-30
US20230261009A1 (en) 2023-08-17
US20190355761A1 (en) 2019-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113920870A (zh) 电子装置
US10038013B2 (en) Flexible display device with side crack protection structure and manufacturing method for the same
US10199445B2 (en) Flexible display device with reinforced area
US10304869B2 (en) Flexible display device with wire having reinforced portion and manufacturing method for the same
US10582612B2 (en) Flexible display device with reduced bend stress wires and manufacturing method for the same
CN113889490A (zh) 显示设备
KR20030043629A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
CN111599908A (zh) 发光装置以及制造发光装置的方法
EP3734665A1 (en) Electronic device
CN110349547A (zh) 显示装置
CN114863822A (zh) 显示设备
CN110503894B (zh) 电子装置
CN112242417A (zh) 显示设备及电子装置的制作方法
CN112863329B (zh) 显示装置
CN112993020B (zh) 电子装置
TWI721584B (zh) 顯示裝置
CN116314292A (zh) 电子装置
CN115830996A (zh) 显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination