CN113916903A - 缺陷检测方法及系统 - Google Patents
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Abstract
一种缺陷检测方法及系统，其中方法包括：提供若干历史晶圆，历史晶圆包括若干历史芯片；根据若干历史芯片获取参考图像；提供待检测晶圆，待检测晶圆包括若干待检测芯片；获取各待检测芯片的待检测图像；将待检测图像和参考图像进行对比，获取图像之间的像素偏差绝对值；将像素偏差绝缘值与像素检测阈值对比，判断与待检测图像相对应的待检测芯片是否存在缺陷。根据若干历史芯片获取参考图像，参考图像可视作为没有缺陷的标准图像，在将待检测图像与参考图像进行对比时，若存在缺陷，则可以直接判断与待检测图像相对应的待检测芯片存在缺陷。另外，对于残缺的待检测芯片，则可以与参考图像仅对比具有待检测像素值的部分即可，进而降低噪音干扰。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种缺陷检测方法及系统。
背景技术
半导体集成电路芯片通过批量制作，在同一衬底上会形成大量各种类型的半导体器件，并将其互相连接以具有完整的电子功能。其中，任一步骤中所产生的缺陷，都可能导致电路制作的失败。因此，在制作工艺中，常需要对各步工艺的制作结构进行缺陷检测及分析，找出缺陷发生的原因，并加以排除。然而，随着超大规模集成电路(ULSI，Ultra LargeScale Integration)的迅速发展，芯片的集成度越来越高，器件的尺寸越来越小，相应的，在工艺制作中产生的足以影响器件成平率的缺陷尺寸也越来越小，给半导体器件的缺陷检测提出了更高的要求。
然而，现有技术中的缺陷检测过程仍存在诸多问题。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种缺陷检测方法及系统，能够有效提高检测效率以及降低噪音干扰。
为解决上述问题，本发明提供一种缺陷检测方法，包括：提供若干历史晶圆，各所述历史晶圆包括若干历史芯片；根据若干所述历史芯片获取参考图像，所述参考图像具有若干参考像素值；提供待检测晶圆，所述待检测晶圆与若干所述历史晶圆的制程相同，所述待检测晶圆包括若干待检测芯片；获取各所述待检测芯片的待检测图像，各所述待检测图像中均具有若干与所述参考像素值相对应的待检测像素值；将所述待检测图像和所述参考图像进行对比，获取所述待检测像素值与相对应的所述参考像素值之间的像素偏差绝对值；提供像素检测阈值；将所述像素偏差绝缘值与所述像素检测阈值对比，当所述像素偏差绝对值大于所述像素检测阈值时，则判断与所述待检测图像相对应的所述待检测芯片存在缺陷。
可选的，所述历史晶圆包括：相互不重叠的第一区域和第二区域。
可选的，所述参考图像包括：第一参考图像，所述第一参考图像中具有若干第一参考像素值；各所述待检测图像中的若干所述待检测像素值分别与若干所述第一参考像素值相对应。
可选的，根据若干所述历史芯片获取参考图像的方法包括：根据若干所述历史芯片获取所述第一参考图像。
可选的，根据若干历史芯片获取所述第一参考图像的方法包括：从每片所述历史晶圆的第一区域中选取至少一片第一历史芯片；获取每片所述第一历史芯片的第一历史图像，所述第一历史图像中具有若干第一历史像素值；将若干所述第一历史图像中位置相同的所述第一历史像素值求和，并计算出若干第一平均像素值；将若干所述第一平均像素值作为所述第一参考图像中的若干所述第一参考像素值。
可选的，在将若干所述第一历史图像中位置相同的所述第一历史像素值求和，并计算出若干第一平均像素值之前，还包括：提供异常像素值阈值；当任意所述第一历史像素值A大于所述异常像素值阈值时，去除所述第一历史像素值A。
可选的，将所述待检测图像和所述参考图像进行对比，获取所述待检测像素值与相对应的所述参考像素值的像素偏差绝对值之间的方法包括：将所述待检测图像与所述第一参考图像进行对比，获取所述待检测像素值与相对应的所述第一参考像素值之间的第一像素偏差绝对值。
可选的，将所述像素偏差绝缘值与所述像素检测阈值对比，当所述像素偏差绝对值大于所述像素检测阈值时，则判断与所述待检测图像相对应的所述待检测芯片存在缺陷的方法包括：将所述第一像素偏差绝缘值与所述像素检测阈值对比，当所述第一像素偏差绝对值大于所述像素检测阈值时，则判断与所述待检测图像相对应的所述待检测芯片存在缺陷。
可选的，所述参考图像包括：第一参考图像，所述第一参考图像中具有若干第一参考像素值；各所述待检测图像中的若干所述待检测像素值分别与若干所述第一参考像素值相对应；第二参考图像，所述第二参考图像中具有若干第二参考像素值；各所述待检测图像中的若干所述待检测像素值还分别与若干所述第二参考像素值相对应。
可选的，根据若干所述历史芯片获取参考图像的方法包括：根据若干所述历史芯片获取所述第一参考图像和所述第二参考图像。
可选的，根据若干历史芯片获取所述第一参考图像和所述第二参考图像的方法包括：从每片所述历史晶圆的第一区域中选取至少一片第一历史芯片；获取每片所述第一历史芯片的第一历史图像，所述第一历史图像中具有若干第一历史像素值；将若干所述第一历史图像中位置相同的所述第一历史像素值求和，并计算出若干第一平均像素值；将若干所述第一平均像素值作为所述第一参考图像中的若干所述第一参考像素值；从每片所述历史晶圆的第二区域中选取至少一片第二历史芯片；获取每片所述第二历史芯片的第二历史图像，所述第二历史图像中具有若干第二历史像素值；将若干所述第二历史图像中位置相同的所述第二历史像素值求和，并计算出若干第二平均像素值；将若干所述第二平均像素值作为所述第二参考图像中的若干所述第二参考像素值。
可选的，在将若干所述第一历史图像中位置相同的所述第一历史像素值求和，并计算出若干第一平均像素值之前，还包括：提供异常像素值阈值；当任意所述第一历史像素值A大于所述异常像素值阈值时，去除所述第一历史像素值A；在将若干所述第二历史图像中位置相同的所述第二历史像素值求和，并计算出若干第二平均像素值之前，还包括：当任意所述第二历史像素值B大于所述异常像素值阈值时，去除所述第二历史像素值B。
可选的，将所述待检测图像和所述参考图像进行对比，获取所述待检测像素值与相对应的所述参考像素值的像素偏差绝对值的方法还包括：将所述待检测图像与所述第一参考图像进行对比，获取所述待检测像素值与相对应的所述第一参考像素值之间的第一像素偏差绝对值；将所述待检测图像与所述第二参考图像进行对比，获取所述待检测像素值与相对应的所述第二参考像素值之间的第二像素偏差绝对值。
可选的，将所述像素偏差绝缘值与所述像素检测阈值对比，当所述像素偏差绝对值大于所述像素检测阈值时，则判断与所述待检测图像相对应的所述待检测芯片存在缺陷的方法包括：将所述第一像素偏差绝缘值和所述第二像素偏差绝对值分别与所述像素检测阈值对比，当所述第一像素偏差绝对值和所述第一像素偏差绝对值中至少一者大于所述像素检测阈值时，则判断与所述待检测图像相对应的所述待检测芯片存在缺陷。
可选的，所述历史晶圆的数量大于100片。
相应的，本发明的技术方案中还提供了一种缺陷检测系统，包括：参考图像获取模块，用于根据若干历史芯片获取参考图像，所述参考图像具有若干参考像素值，若干所述历史芯片包括于若干历史晶圆中；待检测图像获取模块，用于获取若干待检测芯片的待检测图像，各所述待检测图像中均具有若干与所述参考像素值相对应的待检测像素值，若干所述待检测芯片包括于一片待检测晶圆中，且所述待检测晶圆与若干所述历史晶圆的制程相同；对比模块，用于将所述待检测图像和所述参考图像进行对比，获取所述待检测像素值与相对应的所述参考像素值之间的像素偏差绝对值；第一输入模块，用于提供像素检测阈值；判断模块，用于将所述像素偏差绝缘值与所述像素检测阈值对比，当所述像素偏差绝对值大于所述像素检测阈值时，则判断与所述待检测图像相对应的所述待检测芯片存在缺陷。
可选的，所述历史晶圆包括：相互不重叠的第一区域和第二区域。
可选的，所述参考图像包括：第一参考图像，所述第一参考图像中具有若干第一参考像素值；各所述待检测图像中的若干所述待检测像素值分别与若干所述第一参考像素值相对应。
可选的，参考图像获取模块用于根据若干所述历史芯片获取所述第一参考图像。
可选的，所述参考图像获取模块包括：第一芯片选取模块，用于从每片所述历史晶圆的第一区域中选取至少一片第一历史芯片；第一历史图像获取模块，用于获取每片所述第一历史芯片的第一历史图像，所述第一历史图像中具有若干第一历史像素值；第一像素平均值获取模块，用于将若干所述第一历史图像中位置相同的所述第一历史像素值求和，并计算出若干第一平均像素值；第一参考图像形成模块，用于将若干所述第一平均像素值作为所述第一参考图像中的若干所述第一参考像素值。
可选的，还包括：第二输入模块，用于提供异常像素值阈值；去除模块，用于当任意所述第一历史像素值A大于所述异常像素值阈值时，去除所述第一历史像素值A。
可选的，所述对比模块用于将所述待检测图像与所述第一参考图像进行对比，获取所述待检测像素值与相对应的所述第一参考像素值之间的第一像素偏差绝对值。
可选的，所述判断模块用于将所述第一像素偏差绝缘值与所述像素检测阈值对比，当所述第一像素偏差绝对值大于所述像素检测阈值时，则判断与所述待检测图像相对应的所述待检测芯片存在缺陷。
可选的，所述参考图像包括：第一参考图像，所述第一参考图像中具有若干第一参考像素值；各所述待检测图像中的若干所述待检测像素值分别与若干所述第一参考像素值相对应；第二参考图像，所述第二参考图像中具有若干第二参考像素值；各所述待检测图像中的若干所述待检测像素值还分别与若干所述第二参考像素值相对应。
可选的，所述参考图像获取模块用于根据若干所述历史芯片获取所述第一参考图像和所述第二参考图像。
可选的，所述参考图像获取模块包括：芯片选取模块，用于从每片所述历史晶圆的第一区域中选取至少一片第一历史芯片、以及从每片所述历史晶圆的第二区域中选取至少一片第二历史芯片；历史图像获取模块，用于获取每片所述第一历史芯片的第一历史图像，所述第一历史图像中具有若干第一历史像素值、以及获取每片所述第二历史芯片的第二历史图像，所述第二历史图像中具有若干第二历史像素值；像素平均值获取模块，用于将若干所述第一历史图像中位置相同的所述第一历史像素值求和，并计算出若干第一平均像素值、以及将若干所述第二历史图像中位置相同的所述第二历史像素值求和，并计算出若干第二平均像素值；参考图像形成模块，用于将若干所述第一平均像素值作为所述第一参考图像中的若干所述第一参考像素值、以及将若干所述第二平均像素值作为所述第二参考图像中的若干所述第二参考像素值。
可选的，还包括：第二输入模块，用于提供异常像素值阈值；去除模块，用于当任意所述第一历史像素值A大于所述异常像素值阈值时，去除所述第一历史像素值A、以及当任意所述第二历史像素值B大于所述异常像素值阈值时，去除所述第二历史像素值B。
可选的，所述对比模块用于将所述待检测图像与所述第一参考图像进行对比，获取所述待检测像素值与相对应的所述第一参考像素值之间的第一像素偏差绝对值、以及将所述待检测图像与所述第二参考图像进行对比，获取所述待检测像素值与相对应的所述第二参考像素值之间的第二像素偏差绝对值。
可选的，所述判断模块用于将所述第一像素偏差绝缘值和所述第二像素偏差绝对值分别与所述像素检测阈值对比，当所述第一像素偏差绝对值和所述第一像素偏差绝对值中至少一者大于所述像素检测阈值时，则判断与所述待检测图像相对应的所述待检测芯片存在缺陷。
可选的，所述历史晶圆的数量大于100片。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
在本发明技术方案的缺陷检测方法中，根据若干所述历史芯片获取参考图像，所述参考图像可视作为没有缺陷的标准图像，在将所述待检测图像与所述参考图像进行对比时，若存在缺陷，则可以直接判断与所述待检测图像相对应的所述待检测芯片存在缺陷，提高检测效率。另外，对于残缺的所述待检测芯片，则可以与所述参考图像仅对比具有待检测像素值的部分即可，进而降低噪音干扰。
进一步，所述参考图像包括：第一参考图像，所述第一参考图像中具有若干第一参考像素值；各所述待检测图像中的若干所述待检测像素值分别与若干所述第一参考像素值相对应。将所述像素偏差绝缘值与所述像素检测阈值对比，当所述像素偏差绝对值大于所述像素检测阈值时，则判断与所述待检测图像相对应的所述待检测芯片存在缺陷的方法包括：将所述第一像素偏差绝缘值与所述像素检测阈值对比，当所述第一像素偏差绝对值大于所述像素检测阈值时，则判断与所述待检测图像相对应的所述待检测芯片存在缺陷。通过仅将所述待检测图像与所述第一参考图像进行对比，能够有效降低对比次数，进而提高缺陷检测效率。
进一步，所述参考图像包括：第一参考图像，所述第一参考图像中具有若干第一参考像素值；各所述待检测图像中的若干所述待检测像素值分别与若干所述第一参考像素值相对应；第二参考图像，所述第二参考图像中具有若干第二参考像素值；各所述待检测图像中的若干所述待检测像素值还分别与若干所述第二参考像素值相对应。将所述像素偏差绝缘值与所述像素检测阈值对比，当所述像素偏差绝对值大于所述像素检测阈值时，则判断与所述待检测图像相对应的所述待检测芯片存在缺陷的方法包括：将所述第一像素偏差绝缘值和所述第二像素偏差绝对值分别与所述像素检测阈值对比，当所述第一像素偏差绝对值和所述第一像素偏差绝对值中至少一者大于所述像素检测阈值时，则判断与所述待检测图像相对应的所述待检测芯片存在缺陷。通过将所述待检测图像分别与所述第一参考图像和所述第二参考图像进行对比，使得对比方式能与现有技术的对比方式兼容，且能够有效提高缺陷检测的精度。
进一步，在将若干所述第一历史图像中位置相同的所述第一历史像素值求和，并计算出若干第一平均像素值之前，还包括：当任意所述第一历史像素值A大于所述异常像素值阈值时，去除所述第一历史像素值A；或者在将若干所述第二历史图像中位置相同的所述第二历史像素值求和，并计算出若干第二平均像素值之前，还包括：当任意所述第二历史像素值B大于所述异常像素值阈值时，去除所述第二历史像素值B。能够将明显存在缺陷的历史像素值去除，进而降低最终形成的所述第一参考图像或所述第二参考图像与标准图像之间的差异。
在本发明技术方案的缺陷检测系统中，包括：参考图像获取模块，用于根据若干历史芯片获取参考图像。所述参考图像可视作为没有缺陷的标准图像，在将所述待检测图像与所述参考图像进行对比时，若存在缺陷，则可以直接判断与所述待检测图像相对应的所述待检测芯片存在缺陷，提高检测效率。另外，对于残缺的所述待检测芯片，则可以与所述参考图像仅对比具有待检测像素值的部分即可，进而降低噪音干扰。
进一步，所述参考图像包括：第一参考图像，所述第一参考图像中具有若干第一参考像素值；各所述待检测图像中的若干所述待检测像素值分别与若干所述第一参考像素值相对应。所述判断模块用于将所述第一像素偏差绝缘值与所述像素检测阈值对比，当所述第一像素偏差绝对值大于所述像素检测阈值时，则判断与所述待检测图像相对应的所述待检测芯片存在缺陷。通过仅将所述待检测图像与所述第一参考图像进行对比，能够有效降低对比次数，进而提高缺陷检测效率。
进一步，所述参考图像包括：第一参考图像，所述第一参考图像中具有若干第一参考像素值；各所述待检测图像中的若干所述待检测像素值分别与若干所述第一参考像素值相对应；第二参考图像，所述第二参考图像中具有若干第二参考像素值；各所述待检测图像中的若干所述待检测像素值还分别与若干所述第二参考像素值相对应。所述判断模块用于将所述第一像素偏差绝缘值和所述第二像素偏差绝对值分别与所述像素检测阈值对比，当所述第一像素偏差绝对值和所述第一像素偏差绝对值中至少一者大于所述像素检测阈值时，则判断与所述待检测图像相对应的所述待检测芯片存在缺陷。通过将所述待检测图像分别与所述第一参考图像和所述第二参考图像进行对比，使得对比方式能与现有技术的对比方式兼容，且能够有效提高缺陷检测的精度。
进一步，还包括：第二输入模块，用于提供异常像素值阈值；去除模块，用于当任意所述第一历史像素值A大于所述异常像素值阈值时，去除所述第一历史像素值A、以及当任意所述第二历史像素值B大于所述异常像素值阈值时，去除所述第二历史像素值B。能够将明显存在缺陷的历史像素值去除，进而降低最终形成的所述第一参考图像或所述第二参考图像与标准图像之间的差异。
附图说明
图1至图4是一种缺陷检测方法各步骤结构示意图；
图5是本发明实施例的一种缺陷检测方法的流程图；
图6至图11是本发明实施例中一种缺陷检测方法各步骤结构示意图；
图12是本发明实施例中一种缺陷检测系统结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述，现有技术中的缺陷检测过程仍存在诸多问题。以下将结合附图进行具体说明。
图1至图4是一种缺陷检测方法各步骤结构示意图。
请参考图1，提供待检测晶圆100，所述待检测晶圆100具有若干待检测芯片，若干所述待检测芯片包括：沿第一方向X排布且相邻的的第一待检测芯片101、第二待检测芯片102和第三待检测芯片103。
请参考图2，获取第一待检测芯片101的第一待检测图像101a，所述第一待检测图像101a具有若干第一待检测像素值；获取第二待检测芯片102的第二待检测图像102a，所述第二待检测图像102a具有若干第二待检测像素值；获取第三待检测芯片103的第三待检测图像103a，所述第三待检测图像103a具有若干第三待检测像素值。
请参考图3，将所述第一待检测图像101a与所述第二待检测图像102a进行对比，获取所述第一待检测图像101a中每个所述第一待检测像素值，与所述第二待检测图像102a相对应的每个所述第二待检测像素值之间的第一像素偏差绝对值。
请参考图4，将所述第二待检测图像102a与所述第三待检测图像103a进行对比，获取所述第二待检测图像102a中每个所述第二待检测像素值，与所述第三待检测图像103a相对应的每个所述第三待检测像素值之间的第二像素偏差绝对值；提供像素检测阈值；当所述第一像素偏差绝对值和所述第二像素偏差绝对值中，相同位置的待检测像素值所对应的像素偏差绝对值均大于所述像素检测阈值时，则判断所述第二待检测芯片102存在缺陷。
在本实施例中，由于所述待检测晶圆100呈圆形结构，根据设计规则，每片所述待检测芯片呈矩形结构。因此，在进行待检测芯片分割时，总会有部分所述待检测芯片是残缺的(如图1中A部分所示)。然而，在所述第一待检测图像101a、第二待检测图像102a以及第三待检测图像103a进行对比的过程中，所对应所述待检测芯片都需要是完整的。若存在某个所述待检测芯片为残缺时，在对比的过程中，所述待检测芯片残缺的位置会被误报为缺陷，具有较大的噪音干扰。另外，在本实施例中，需要经过两次对比才能够最终确定具有缺陷的所述待检测芯片，缺陷检测效率较低。
在此基础上，本发明提供一种缺陷检测方法及系统，根据若干所述历史芯片获取参考图像，所述参考图像可视作为没有缺陷的标准图像，在将所述待检测图像与所述参考图像进行对比时，若存在缺陷，则可以直接判断与所述待检测图像相对应的所述待检测芯片存在缺陷，提高检测效率。另外，对于残缺的所述待检测芯片，则可以与所述参考图像仅对比具有待检测像素值的部分即可，进而降低噪音干扰。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细地说明。
图5是本发明实施例的一种缺陷检测方法的流程图。
请参考图5，所述缺陷检测方法包括：
步骤S101，提供若干历史晶圆，各所述历史晶圆包括若干历史芯片；
步骤S102，根据若干所述历史芯片获取参考图像，所述参考图像具有若干参考像素值；
步骤S103，提供待检测晶圆，所述待检测晶圆与若干所述历史晶圆的制程相同，所述待检测晶圆包括若干待检测芯片；
步骤S104，获取各所述待检测芯片的待检测图像，各所述待检测图像中均具有若干与所述参考像素值相对应的待检测像素值；
步骤S105，将所述待检测图像和所述参考图像进行对比，获取所述待检测像素值与相对应的所述参考像素值之间的像素偏差绝对值；
步骤S106，提供像素检测阈值；
步骤S107，将所述像素偏差绝缘值与所述像素检测阈值对比，当所述像素偏差绝对值大于所述像素检测阈值时，则判断与所述待检测图像相对应的所述待检测芯片存在缺陷。
以下将结合附图对所述缺陷检测方法的各个步骤进行详细说明。
图6至图11是本发明实施例中一种缺陷检测方法各步骤结构示意图。
请参考图6，提供若干历史晶圆200，各所述历史晶圆200包括若干历史芯片201。
在本实施例中，所述历史晶圆200为已制作完成的晶圆，所述历史晶圆200在制作的过程中，需要对所述历史芯片201进行缺陷检测，在所述缺陷检测的之后，会保留缺陷检测过程中所形成的历史图像的数据，所述历史图像的数据为后续获取的参考图像提供样本基础。
需要说明的是，由于所述历史晶圆200在制作过程中会有若干制程步骤。然而，在实际的缺陷检测过程中，并不是需要对所述历史晶圆200的每一次制程步骤后都进行检测，只是选取一些关键制程步骤进行检测。并保留每次关键制程步骤检测过程中所形成的历史图像的数据。
在本实施例中，所述历史晶圆200包括：相互不重叠的第一区域I和第二区域II。通过将所述历史晶圆200划分为所述第一区域I和所述第二区域II，使得后续在形成第一参考图像和第二参考图像时，能够分别从所述第一区域I或所述第二区域II选取所述历史芯片201的图像作为样本，以增大所述第一参考图像和所述第二参考图像的差异性，在后续待检测图像分别与所述第一参考图像和所述第二参考图像进行对比时，能够更为全面的进行对比，以提高缺陷检测的精度。
在本实施例中，所述第一区域I为中心区域，所述第二区域II为包围所述中心区域的外围区域。
在其他实施例中，所述第二区域还可以为中心区域，所述第一区域为包围所述中心区域的外围区域。
在本实施例中，所述历史晶圆200的数量大于100片，提供所述历史晶圆200的数量越多，使得后续形成的参考图像与没有缺陷的标准图像之间的差异越小。
请参考图7，根据若干所述历史芯片201获取参考图像，所述参考图像具有若干参考像素值。
在本实施例中，所述参考图像包括：第一参考图像202，所述第一参考图像202中具有若干第一参考像素值；第二参考图像203，所述第二参考图像203中具有若干第二参考像素值。
相应的，在本实施例中，根据若干所述历史芯片201获取参考图像的方法包括：根据若干所述历史芯片201获取所述第一参考图像202和所述第二参考图像203。
在本实施例中，根据若干历史芯片201获取所述第一参考图像202和所述第二参考图像203的方法包括：从每片所述历史晶圆200的第一区域I中选取至少一片第一历史芯片；获取每片所述第一历史芯片的第一历史图像(未图示)，所述第一历史图像中具有若干第一历史像素值；将若干所述第一历史图像中位置相同的所述第一历史像素值求和，并计算出若干第一平均像素值；将若干所述第一平均像素值作为所述第一参考图像202中的若干所述第一参考像素值；从每片所述历史晶圆200的第二区域II中选取至少一片第二历史芯片；获取每片所述第二历史芯片的第二历史图像(未图示)，所述第二历史图像中具有若干第二历史像素值；将若干所述第二历史图像中位置相同的所述第二历史像素值求和，并计算出若干第二平均像素值；将若干所述第二平均像素值作为所述第二参考图像203中的若干所述第二参考像素值。
在本实施例中，在将若干所述第一历史图像中位置相同的所述第一历史像素值求和，并计算出若干第一平均像素值之前，还包括：提供异常像素值阈值；当任意所述第一历史像素值A大于所述异常像素值阈值时，去除所述第一历史像素值A；在将若干所述第二历史图像中位置相同的所述第二历史像素值求和，并计算出若干第二平均像素值之前，还包括：当任意所述第二历史像素值B大于所述异常像素值阈值时，去除所述第二历史像素值B。
通过将明显存在缺陷的历史像素值去除，能够降低最终形成的所述第一参考图像202或所述第二参考图像203与没有缺陷的标准图像之间的差异。
在其他实施例中，所述参考图像还可以只包括：第一参考图像，所述第一参考图像中具有若干第一参考像素值；各所述待检测图像中的若干所述待检测像素值分别与若干所述第一参考像素值相对应。
相应的，在其他实施例中，根据若干所述历史芯片获取参考图像的方法包括：根据若干所述历史芯片获取所述第一参考图像。
在其他实施例中，根据若干历史芯片获取所述第一参考图像的方法包括：从每片所述历史晶圆的第一区域中选取至少一片第一历史芯片；获取每片所述第一历史芯片的第一历史图像，所述第一历史图像中具有若干第一历史像素值；将若干所述第一历史图像中位置相同的所述第一历史像素值求和，并计算出若干第一平均像素值；将若干所述第一平均像素值作为所述第一参考图像中的若干所述第一参考像素值。
在其他实施例中，在将若干所述第一历史图像中位置相同的所述第一历史像素值求和，并计算出若干第一平均像素值之前，还包括：当任意所述第一历史像素值A大于所述异常像素值阈值时，去除所述第一历史像素值A。
通过将明显存在缺陷的历史像素值去除，能够降低最终形成的所述第一参考图像与标准图像之间的差异。
请参考图8，提供待检测晶圆300，所述待检测晶圆300与若干所述历史晶圆200的制程相同，所述待检测晶圆300包括若干待检测芯片301。
所述待检测晶圆300与若干所述历史晶圆200的制程相同应当理解为：在对所述待检测晶圆300进行缺陷检测时以及之前的制程步骤，与所述历史晶圆200对应的制程步骤相同。
请参考图9，获取各所述待检测芯片301的待检测图像302，各所述待检测图像302中均具有若干与所述参考像素值相对应的待检测像素值。
在本实施例中，所述待检测图像302中的若干所述待检测像素值与所述第一参考图像202中的若干第一参考像素值相对应；且所述待检测图像302中的若干所述待检测像素值还与所述第二参考图像203中的若干第二参考像素值相对应。
在本实施例中，若所述待检测图像302是所述待检测晶圆300在制程步骤A时获取的图像，对应的所述第一历史图像和所述第二历史图像也应当是所述历史晶圆200在制程步骤A时获取的图像。
在本实施例中，所述待检测图像302的像素数量也以根据检测精度决定。若某一制程步骤的较为关键，或该制程步骤较容易出现缺陷，对应的所述待检测图像302的像素数量可设定较多；若某一制程步骤的重要性较小，且不易出现缺陷，对应的所述待检测图像302的像素数量也设定较少。因此，根据经验规则灵活的设定所述待检测图像302的像素数量，能够在保证检测精度的同时，提高检测效率。
请参考图10，将所述待检测图像302和所述参考图像进行对比，获取所述待检测像素值与相对应的所述参考像素值之间的像素偏差绝对值。
在本实施例中，将所述待检测图像302和所述参考图像进行对比，获取所述待检测像素值与相对应的所述参考像素值的像素偏差绝对值的方法包括：将所述待检测图像301与所述第一参考图像202进行对比，获取所述待检测像素值与相对应的所述第一参考像素值之间的第一像素偏差绝对值；将所述待检测图像302与所述第二参考图像203进行对比，获取所述待检测像素值与相对应的所述第二参考像素值之间的第二像素偏差绝对值。
在本实施例中，将所述待检测图像301与所述第一参考图像202进行对比，获取所述待检测像素值与相对应的所述第一参考像素值之间的第一像素偏差绝对值的方法包括：将所述待检测图像301中的待检测像素值与对应的所述第一参考像素值进行相减后获取初始第一像素偏差绝对值；在对所述初始第一像素偏差绝对值进行绝对值处理，获取所述第一像素偏差绝对值。
在本实施例中，将所述待检测图像301与所述第二参考图像203进行对比，获取所述待检测像素值与相对应的所述第二参考像素值之间的第二像素偏差绝对值的方法包括：将所述待检测图像301中的待检测像素值与对应的所述第二参考像素值进行相减后获取初始第二像素偏差绝对值；在对所述初始第二像素偏差绝对值进行绝对值处理，获取所述第二像素偏差绝对值。
在本实施例中，将所述待检测图像301与所述第一参考图像202进行对比后获取的若干所述第一像素偏差绝对值，通过也形成了一张第一像素偏差绝对值图像303；将所述待检测图像301与所述第二参考图像203进行对比后获取的若干所述第二像素偏差绝对值，通过也形成了一张第二像素偏差绝对值图像304。
由于现有技术采用的对比方式是三张图像进行对比。因此，在本实施例中，通过获取所述第一参考图像202和所述第二参考图像203，并将所述待检测图像302分别与所述第一参考图像202和所述第二参考图像203进行对比，能够有效兼容现有的对比方式。
在其他实施例中，将所述待检测图像和所述参考图像进行对比，获取所述待检测像素值与相对应的所述参考像素值的像素偏差绝对值之间的方法包括：将所述待检测图像与所述第一参考图像进行对比，获取所述待检测像素值与相对应的所述第一参考像素值之间的第一像素偏差绝对值。
通过只形成所述第一参考图像，并将所述待检测图像与所述第一参考图像进行对比，能够有效降低对比次数，进而提高缺陷检测效率。
请参考图11，提供像素检测阈值；将所述像素偏差绝缘值与所述像素检测阈值对比，当所述像素偏差绝对值大于所述像素检测阈值时，则判断与所述待检测图像302相对应的所述待检测芯片301存在缺陷305。
在本实施例中，将所述像素偏差绝缘值与所述像素检测阈值对比，当所述像素偏差绝对值大于所述像素检测阈值时，则判断与所述待检测图像302相对应的所述待检测芯片301存在缺陷305的方法包括：将所述第一像素偏差绝缘值和所述第二像素偏差绝对值分别与所述像素检测阈值对比，当所述第一像素偏差绝对值和所述第一像素偏差绝对值中至少一者大于所述像素检测阈值时，则判断与所述待检测图像302相对应的所述待检测芯片301存在缺陷305。
根据若干所述历史芯片201获取参考图像，所述参考图像可视作为没有缺陷的标准图像，在将所述待检测图像302与所述参考图像进行对比时，若存在缺陷305，则可以直接判断与所述待检测图像302相对应的所述待检测芯片301存在缺陷，提高检测效率。另外，对于残缺的所述待检测芯片301，则可以与所述参考图像仅对比具有待检测像素值的部分即可，进而降低噪音干扰。
在本实施例中，将所述第一像素偏差绝缘值和所述第二像素偏差绝对值分别与所述像素检测阈值对比，当所述第一像素偏差绝对值和所述第一像素偏差绝对值中至少一者大于所述像素检测阈值时，则判断与所述待检测图像302相对应的所述待检测芯片301存在缺陷305，能够有效提高缺陷检测的精度。
在其他实施例中，将所述像素偏差绝缘值与所述像素检测阈值对比，当所述像素偏差绝对值大于所述像素检测阈值时，则判断与所述待检测图像相对应的所述待检测芯片存在缺陷的方法包括：将所述第一像素偏差绝缘值与所述像素检测阈值对比，当所述第一像素偏差绝对值大于所述像素检测阈值时，则判断与所述待检测图像相对应的所述待检测芯片存在缺陷。
图12是本发明实施例中一种缺陷检测系统结构示意图。
相应的，本发明的实施例中还提供了一种缺陷检测系统，请参考图12，包括：参考图像获取模块400，用于根据若干历史芯片201获取参考图像，所述参考图像具有若干参考像素值，若干所述历史芯片201包括于若干历史晶圆200中；待检测图像获取模块500，用于获取若干待检测芯片301的待检测图像302，各所述待检测图像302中均具有若干与所述参考像素值相对应的待检测像素值，若干所述待检测芯片301包括于一片待检测晶圆300中，且所述待检测晶圆300与若干所述历史晶圆200的制程相同；对比模块600，用于将所述待检测图像302和所述参考图像进行对比，获取所述待检测像素值与相对应的所述参考像素值之间的像素偏差绝对值；第一输入模块700，用于提供像素检测阈值；判断模块800，用于将所述像素偏差绝缘值与所述像素检测阈值对比，当所述像素偏差绝对值大于所述像素检测阈值时，则判断与所述待检测图像302相对应的所述待检测芯片301存在缺陷。
通过所述参考图像获取模块400获取参考图像。所述参考图像可视作为没有缺陷的标准图像，在将所述待检测图像302与所述参考图像进行对比时，若存在缺陷，则可以直接判断与所述待检测图像302相对应的所述待检测芯片301存在缺陷，提高检测效率。另外，对于残缺的所述待检测芯片301，则可以与所述参考图像仅对比具有待检测像素值的部分即可，进而降低噪音干扰。
在本实施例中，所述历史晶圆200包括：相互不重叠的第一区域I和第二区域II。
在本实施例中，所述参考图像包括：第一参考图像202，所述第一参考图像202中具有若干第一参考像素值；各所述待检测图像302中的若干所述待检测像素值分别与若干所述第一参考像素值相对应；第二参考图像203，所述第二参考图像203中具有若干第二参考像素值；各所述待检测图像302中的若干所述待检测像素值还分别与若干所述第二参考像素值相对应。
在本实施例中，所述参考图像获取模块400用于根据若干所述历史芯片201获取所述第一参考图像202和所述第二参考图像203。
在本实施例中，所述参考图像获取模块400包括：芯片选取模块401，用于从每片所述历史晶圆200的第一区域I中选取至少一片第一历史芯片、以及从每片所述历史晶圆200的第二区域II中选取至少一片第二历史芯片；历史图像获取模块402，用于获取每片所述第一历史芯片的第一历史图像，所述第一历史图像中具有若干第一历史像素值、以及获取每片所述第二历史芯片的第二历史图像，所述第二历史图像中具有若干第二历史像素值；像素平均值获取模块403，用于将若干所述第一历史图像中位置相同的所述第一历史像素值求和，并计算出若干第一平均像素值、以及将若干所述第二历史图像中位置相同的所述第二历史像素值求和，并计算出若干第二平均像素值；参考图像形成模块404，用于将若干所述第一平均像素值作为所述第一参考图像202中的若干所述第一参考像素值、以及将若干所述第二平均像素值作为所述第二参考图像203中的若干所述第二参考像素值。
在本实施例中，还包括：第二输入模块900，用于提供异常像素值阈值；去除模块，用于当任意所述第一历史像素值A大于所述异常像素值阈值时，去除所述第一历史像素值A、以及当任意所述第二历史像素值B大于所述异常像素值阈值时，去除所述第二历史像素值B。
在本实施例中，所述对比模块600用于将所述待检测图像302与所述第一参考图像202进行对比，获取所述待检测像素值与相对应的所述第一参考像素值之间的第一像素偏差绝对值、以及将所述待检测图像302与所述第二参考图像203进行对比，获取所述待检测像素值与相对应的所述第二参考像素值之间的第二像素偏差绝对值。
在本实施例中，所述判断模块800用于将所述第一像素偏差绝缘值和所述第二像素偏差绝对值分别与所述像素检测阈值对比，当所述第一像素偏差绝对值和所述第一像素偏差绝对值中至少一者大于所述像素检测阈值时，则判断与所述待检测图像302相对应的所述待检测芯片301存在缺陷。
在其他实施例中，所述参考图像包括：第一参考图像，所述第一参考图像中具有若干第一参考像素值；各所述待检测图像中的若干所述待检测像素值分别与若干所述第一参考像素值相对应。
在其他实施例中，参考图像获取模块用于根据若干所述历史芯片获取所述第一参考图像。
在其他实施例中，所述参考图像获取模块包括：第一芯片选取模块，用于从每片所述历史晶圆的第一区域中选取至少一片第一历史芯片；第一历史图像获取模块，用于获取每片所述第一历史芯片的第一历史图像，所述第一历史图像中具有若干第一历史像素值；第一像素平均值获取模块，用于将若干所述第一历史图像中位置相同的所述第一历史像素值求和，并计算出若干第一平均像素值；第一参考图像形成模块，用于将若干所述第一平均像素值作为所述第一参考图像中的若干所述第一参考像素值。
在其他实施例中，还包括：第二输入模块，用于提供异常像素值阈值；去除模块，用于当任意所述第一历史像素值A大于所述异常像素值阈值时，去除所述第一历史像素值A。
在其他实施例中，所述对比模块用于将所述待检测图像与所述第一参考图像进行对比，获取所述待检测像素值与相对应的所述第一参考像素值之间的第一像素偏差绝对值。
在其他实施例中，所述判断模块用于将所述第一像素偏差绝缘值与所述像素检测阈值对比，当所述第一像素偏差绝对值大于所述像素检测阈值时，则判断与所述待检测图像相对应的所述待检测芯片存在缺陷。
在本实施例中，所述历史晶圆200的数量大于100片。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (30)
1.一种缺陷检测方法，其特征在于，包括：
提供若干历史晶圆，各所述历史晶圆包括若干历史芯片；
根据若干所述历史芯片获取参考图像，所述参考图像具有若干参考像素值；
提供待检测晶圆，所述待检测晶圆与若干所述历史晶圆的制程相同，所述待检测晶圆包括若干待检测芯片；
获取各所述待检测芯片的待检测图像，各所述待检测图像中均具有若干与所述参考像素值相对应的待检测像素值；
将所述待检测图像和所述参考图像进行对比，获取所述待检测像素值与相对应的所述参考像素值之间的像素偏差绝对值；
提供像素检测阈值；
将所述像素偏差绝缘值与所述像素检测阈值对比，当所述像素偏差绝对值大于所述像素检测阈值时，则判断与所述待检测图像相对应的所述待检测芯片存在缺陷。
2.如权利要求1所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述历史晶圆包括：相互不重叠的第一区域和第二区域。
3.如权利要求2所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述参考图像包括：第一参考图像，所述第一参考图像中具有若干第一参考像素值；各所述待检测图像中的若干所述待检测像素值分别与若干所述第一参考像素值相对应。
4.如权利要求3所述的缺陷检测方法，其特征在于，根据若干所述历史芯片获取参考图像的方法包括：根据若干所述历史芯片获取所述第一参考图像。
5.如权利要求4所述的缺陷检测方法，其特征在于，根据若干历史芯片获取所述第一参考图像的方法包括：从每片所述历史晶圆的第一区域中选取至少一片第一历史芯片；获取每片所述第一历史芯片的第一历史图像，所述第一历史图像中具有若干第一历史像素值；将若干所述第一历史图像中位置相同的所述第一历史像素值求和，并计算出若干第一平均像素值；将若干所述第一平均像素值作为所述第一参考图像中的若干所述第一参考像素值。
6.如权利要求5所述的缺陷检测方法，其特征在于，在将若干所述第一历史图像中位置相同的所述第一历史像素值求和，并计算出若干第一平均像素值之前，还包括：提供异常像素值阈值；当任意所述第一历史像素值A大于所述异常像素值阈值时，去除所述第一历史像素值A。
7.如权利要求3所述的缺陷检测方法，其特征在于，将所述待检测图像和所述参考图像进行对比，获取所述待检测像素值与相对应的所述参考像素值的像素偏差绝对值之间的方法包括：将所述待检测图像与所述第一参考图像进行对比，获取所述待检测像素值与相对应的所述第一参考像素值之间的第一像素偏差绝对值。
8.如权利要求7所述的缺陷检测方法，其特征在于，将所述像素偏差绝缘值与所述像素检测阈值对比，当所述像素偏差绝对值大于所述像素检测阈值时，则判断与所述待检测图像相对应的所述待检测芯片存在缺陷的方法包括：将所述第一像素偏差绝缘值与所述像素检测阈值对比，当所述第一像素偏差绝对值大于所述像素检测阈值时，则判断与所述待检测图像相对应的所述待检测芯片存在缺陷。
9.如权利要求2所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述参考图像包括：第一参考图像，所述第一参考图像中具有若干第一参考像素值；各所述待检测图像中的若干所述待检测像素值分别与若干所述第一参考像素值相对应；第二参考图像，所述第二参考图像中具有若干第二参考像素值；各所述待检测图像中的若干所述待检测像素值还分别与若干所述第二参考像素值相对应。
10.如权利要求9所述的缺陷检测方法，其特征在于，根据若干所述历史芯片获取参考图像的方法包括：根据若干所述历史芯片获取所述第一参考图像和所述第二参考图像。
11.如权利要求10所述的缺陷检测方法，其特征在于，根据若干历史芯片获取所述第一参考图像和所述第二参考图像的方法包括：从每片所述历史晶圆的第一区域中选取至少一片第一历史芯片；获取每片所述第一历史芯片的第一历史图像，所述第一历史图像中具有若干第一历史像素值；将若干所述第一历史图像中位置相同的所述第一历史像素值求和，并计算出若干第一平均像素值；将若干所述第一平均像素值作为所述第一参考图像中的若干所述第一参考像素值；从每片所述历史晶圆的第二区域中选取至少一片第二历史芯片；获取每片所述第二历史芯片的第二历史图像，所述第二历史图像中具有若干第二历史像素值；将若干所述第二历史图像中位置相同的所述第二历史像素值求和，并计算出若干第二平均像素值；将若干所述第二平均像素值作为所述第二参考图像中的若干所述第二参考像素值。
12.如权利要求11所述的缺陷检测方法，其特征在于，在将若干所述第一历史图像中位置相同的所述第一历史像素值求和，并计算出若干第一平均像素值之前，还包括：提供异常像素值阈值；当任意所述第一历史像素值A大于所述异常像素值阈值时，去除所述第一历史像素值A；在将若干所述第二历史图像中位置相同的所述第二历史像素值求和，并计算出若干第二平均像素值之前，还包括：当任意所述第二历史像素值B大于所述异常像素值阈值时，去除所述第二历史像素值B。
13.如权利要求9所述的缺陷检测方法，其特征在于，将所述待检测图像和所述参考图像进行对比，获取所述待检测像素值与相对应的所述参考像素值的像素偏差绝对值的方法还包括：将所述待检测图像与所述第一参考图像进行对比，获取所述待检测像素值与相对应的所述第一参考像素值之间的第一像素偏差绝对值；将所述待检测图像与所述第二参考图像进行对比，获取所述待检测像素值与相对应的所述第二参考像素值之间的第二像素偏差绝对值。
14.如权利要求13所述的缺陷检测方法，其特征在于，将所述像素偏差绝缘值与所述像素检测阈值对比，当所述像素偏差绝对值大于所述像素检测阈值时，则判断与所述待检测图像相对应的所述待检测芯片存在缺陷的方法包括：将所述第一像素偏差绝缘值和所述第二像素偏差绝对值分别与所述像素检测阈值对比，当所述第一像素偏差绝对值和所述第一像素偏差绝对值中至少一者大于所述像素检测阈值时，则判断与所述待检测图像相对应的所述待检测芯片存在缺陷。
15.如权利要求1所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述历史晶圆的数量大于100片。
16.一种缺陷检测系统，其特征在于，包括：
参考图像获取模块，用于根据若干历史芯片获取参考图像，所述参考图像具有若干参考像素值，若干所述历史芯片包括于若干历史晶圆中；
待检测图像获取模块，用于获取若干待检测芯片的待检测图像，各所述待检测图像中均具有若干与所述参考像素值相对应的待检测像素值，若干所述待检测芯片包括于一片待检测晶圆中，且所述待检测晶圆与若干所述历史晶圆的制程相同；
对比模块，用于将所述待检测图像和所述参考图像进行对比，获取所述待检测像素值与相对应的所述参考像素值之间的像素偏差绝对值；
第一输入模块，用于提供像素检测阈值；
判断模块，用于将所述像素偏差绝缘值与所述像素检测阈值对比，当所述像素偏差绝对值大于所述像素检测阈值时，则判断与所述待检测图像相对应的所述待检测芯片存在缺陷。
17.如权利要求16所述的缺陷检测系统，其特征在于，所述历史晶圆包括：相互不重叠的第一区域和第二区域。
18.如权利要求17所述的缺陷检测系统，其特征在于，所述参考图像包括：第一参考图像，所述第一参考图像中具有若干第一参考像素值；各所述待检测图像中的若干所述待检测像素值分别与若干所述第一参考像素值相对应。
19.如权利要求18所述的缺陷检测系统，其特征在于，参考图像获取模块用于根据若干所述历史芯片获取所述第一参考图像。
20.如权利要求19所述的缺陷检测系统，其特征在于，所述参考图像获取模块包括：第一芯片选取模块，用于从每片所述历史晶圆的第一区域中选取至少一片第一历史芯片；第一历史图像获取模块，用于获取每片所述第一历史芯片的第一历史图像，所述第一历史图像中具有若干第一历史像素值；第一像素平均值获取模块，用于将若干所述第一历史图像中位置相同的所述第一历史像素值求和，并计算出若干第一平均像素值；第一参考图像形成模块，用于将若干所述第一平均像素值作为所述第一参考图像中的若干所述第一参考像素值。
21.如权利要求20所述的缺陷检测系统，其特征在于，还包括：第二输入模块，用于提供异常像素值阈值；去除模块，用于当任意所述第一历史像素值A大于所述异常像素值阈值时，去除所述第一历史像素值A。
22.如权利要求18所述的缺陷检测系统，其特征在于，所述对比模块用于将所述待检测图像与所述第一参考图像进行对比，获取所述待检测像素值与相对应的所述第一参考像素值之间的第一像素偏差绝对值。
23.如权利要求22所述的缺陷检测系统，其特征在于，所述判断模块用于将所述第一像素偏差绝缘值与所述像素检测阈值对比，当所述第一像素偏差绝对值大于所述像素检测阈值时，则判断与所述待检测图像相对应的所述待检测芯片存在缺陷。
24.如权利要求17所述的缺陷检测系统，其特征在于，所述参考图像包括：第一参考图像，所述第一参考图像中具有若干第一参考像素值；各所述待检测图像中的若干所述待检测像素值分别与若干所述第一参考像素值相对应；第二参考图像，所述第二参考图像中具有若干第二参考像素值；各所述待检测图像中的若干所述待检测像素值还分别与若干所述第二参考像素值相对应。
25.如权利要求24所述的缺陷检测系统，其特征在于，所述参考图像获取模块用于根据若干所述历史芯片获取所述第一参考图像和所述第二参考图像。
26.如权利要求25所述的缺陷检测系统，其特征在于，所述参考图像获取模块包括：芯片选取模块，用于从每片所述历史晶圆的第一区域中选取至少一片第一历史芯片、以及从每片所述历史晶圆的第二区域中选取至少一片第二历史芯片；历史图像获取模块，用于获取每片所述第一历史芯片的第一历史图像，所述第一历史图像中具有若干第一历史像素值、以及获取每片所述第二历史芯片的第二历史图像，所述第二历史图像中具有若干第二历史像素值；像素平均值获取模块，用于将若干所述第一历史图像中位置相同的所述第一历史像素值求和，并计算出若干第一平均像素值、以及将若干所述第二历史图像中位置相同的所述第二历史像素值求和，并计算出若干第二平均像素值；参考图像形成模块，用于将若干所述第一平均像素值作为所述第一参考图像中的若干所述第一参考像素值、以及将若干所述第二平均像素值作为所述第二参考图像中的若干所述第二参考像素值。
27.如权利要求26所述的缺陷检测系统，其特征在于，还包括：第二输入模块，用于提供异常像素值阈值；去除模块，用于当任意所述第一历史像素值A大于所述异常像素值阈值时，去除所述第一历史像素值A、以及当任意所述第二历史像素值B大于所述异常像素值阈值时，去除所述第二历史像素值B。
28.如权利要求24所述的缺陷检测系统，其特征在于，所述对比模块用于将所述待检测图像与所述第一参考图像进行对比，获取所述待检测像素值与相对应的所述第一参考像素值之间的第一像素偏差绝对值、以及将所述待检测图像与所述第二参考图像进行对比，获取所述待检测像素值与相对应的所述第二参考像素值之间的第二像素偏差绝对值。
29.如权利要求28所述的缺陷检测系统，其特征在于，所述判断模块用于将所述第一像素偏差绝缘值和所述第二像素偏差绝对值分别与所述像素检测阈值对比，当所述第一像素偏差绝对值和所述第一像素偏差绝对值中至少一者大于所述像素检测阈值时，则判断与所述待检测图像相对应的所述待检测芯片存在缺陷。
30.如权利要求16所述的缺陷检测系统，其特征在于，所述历史晶圆的数量大于100片。
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Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100774826B1 (ko) * | 2006-11-28 | 2007-11-07 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 웨이퍼 결함 검출방법 |
| CN101090083A (zh) * | 2006-06-12 | 2007-12-19 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 晶片检测方法 |
| KR20130049357A (ko) * | 2011-11-04 | 2013-05-14 | (주)오로스 테크놀로지 | 반도체용 웨이퍼 결함 검사방법 |
| CN103346104A (zh) * | 2013-06-27 | 2013-10-09 | 上海华力微电子有限公司 | 一种芯片缺陷检测方法 |
| JP2015115504A (ja) * | 2013-12-12 | 2015-06-22 | 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 半導体検査方法、半導体検査装置及び半導体製造方法 |
| CN104900553A (zh) * | 2014-03-07 | 2015-09-09 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 晶圆缺陷检测方法 |
| CN110708537A (zh) * | 2019-09-30 | 2020-01-17 | 芯盟科技有限公司 | 图像传感器性能测试方法及装置、存储介质 |
| CN111239152A (zh) * | 2020-01-02 | 2020-06-05 | 长江存储科技有限责任公司 | 晶圆检测方法、装置和设备 |
| CN112086373A (zh) * | 2019-06-13 | 2020-12-15 | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 | 晶圆缺陷检测方法 |
| CN112635346A (zh) * | 2020-12-08 | 2021-04-09 | 深圳中科飞测科技股份有限公司 | 晶圆检测方法、半导体检测设备及存储介质 |
-
2021
- 2021-09-29 CN CN202111152713.6A patent/CN113916903A/zh active Pending
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101090083A (zh) * | 2006-06-12 | 2007-12-19 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 晶片检测方法 |
| KR100774826B1 (ko) * | 2006-11-28 | 2007-11-07 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 웨이퍼 결함 검출방법 |
| KR20130049357A (ko) * | 2011-11-04 | 2013-05-14 | (주)오로스 테크놀로지 | 반도체용 웨이퍼 결함 검사방법 |
| CN103346104A (zh) * | 2013-06-27 | 2013-10-09 | 上海华力微电子有限公司 | 一种芯片缺陷检测方法 |
| JP2015115504A (ja) * | 2013-12-12 | 2015-06-22 | 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 半導体検査方法、半導体検査装置及び半導体製造方法 |
| CN104900553A (zh) * | 2014-03-07 | 2015-09-09 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 晶圆缺陷检测方法 |
| CN112086373A (zh) * | 2019-06-13 | 2020-12-15 | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 | 晶圆缺陷检测方法 |
| CN110708537A (zh) * | 2019-09-30 | 2020-01-17 | 芯盟科技有限公司 | 图像传感器性能测试方法及装置、存储介质 |
| CN111239152A (zh) * | 2020-01-02 | 2020-06-05 | 长江存储科技有限责任公司 | 晶圆检测方法、装置和设备 |
| CN112635346A (zh) * | 2020-12-08 | 2021-04-09 | 深圳中科飞测科技股份有限公司 | 晶圆检测方法、半导体检测设备及存储介质 |
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