CN113903759B - 半导体结构、感光装置以及感光系统 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种半导体结构、感光装置以及感光系统，半导体结构包括呈阵列排布的多个第一像素单元，第一像素单元具有中心区域和设置于中心区域外的外围区域，其中，于中心区域上设置有以第一密度排布的多个第一微结构，第一微结构具有第一吸光度，于外围区域上设置有以第二密度排布的多个第二微结构，第二微结构具有第二吸光度，且其中，第一密度大于第二密度，第一吸光度不小于第二吸光度，本发明通过在第一像素单元的中心区域设置密度最大、且吸光度不小于位于外围区域的第二微结构的第一微结构，可以保证每个第一像素单元所吸收的光可以最大程度地集中在其中心位置处，并保证了相邻的第一像素单元之间不会发生串扰。

Description

半导体结构、感光装置以及感光系统

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构、感光装置以及感光系统。

背景技术

随着科技的不断发展，感光传感器芯片已被广泛地应用于各种例如数码相机、手机、计算机、安全摄像头、汽车产品以及医疗配件的电子设备中，感光传感器芯片通常可以包括多个用以接收光的像素。

然而，在设计感光传感器芯片时，如何保证每个像素所吸收的光可以最大程度地集中在其中心位置处，并且，如何保证相邻像素之间不会发生串扰（cross-talk），是目前需要解决的问题。

发明内容

为了解决上述问题或其它问题，本发明提供了以下技术方案。

一种半导体结构，包括：

呈阵列排布的多个第一像素单元，所述第一像素单元具有中心区域和设置于所述中心区域外的外围区域；

其中，于所述中心区域上设置有以第一密度排布的多个第一微结构，所述第一微结构具有第一吸光度，于所述外围区域上设置有以第二密度排布的多个第二微结构，所述第二微结构具有第二吸光度；

且其中，所述第一密度大于所述第二密度，所述第一吸光度不小于所述第二吸光度。

根据本发明一实施例的半导体结构，其中，所述中心区域具有第一面积，所述外围区域具有第二面积，其中，所述第一面积大于所述第二面积。

根据本发明一实施例的半导体结构，其中，在沿所述中心区域至所述外围区域的方向上，所述第二密度逐渐减小。

根据本发明一实施例的半导体结构，其中，所述第一微结构以及所述第二微结构沿第一方向从所述第一像素单元的表面延伸至所述第一像素单元内的水平面，其中，所述第一微结构与所述水平面之间具有第一夹角，所述第二微结构与所述水平面之间具有第二夹角，所述第一夹角不小于所述第二夹角。

根据本发明一实施例的半导体结构，其中，所述第一微结构以及所述第二微结构在所述第一方向上的深度相同。

根据本发明一实施例的半导体结构，其中，所述第一微结构在所述第一方向上的截面形状包括三角形，所述第二微结构在所述第一方向上的截面形状包括三角形和梯形其中至少之一。

根据本发明一实施例的半导体结构，其中，所述第一微结构以及所述第二微结构的形状相同和/或形状不同。

一种感光装置，包括上述任一项所述的半导体结构。

一种半导体结构，包括：

呈阵列排布的多个第一像素单元，所述第一像素单元具有中心区域和设置于所述中心区域外的外围区域；以及，

设置于多个所述第一像素单元外围的多个第二像素单元，所述第二像素单元具有远离所述第一像素单元排布的第一区域以及第二区域；

其中，于所述中心区域、所述外围区域、所述第一区域以及所述第二区域上分别设置有以第一密度、第二密度、第三密度以及第四密度排布且分别具有第一吸光度、第二吸光度、第三吸光度以及第四吸光度的多个第一微结构、多个第二微结构、多个第三微结构以及多个第四微结构；

且其中，所述第一密度大于所述第二密度，所述第三密度大于所述第四密度，所述第一吸光度不小于所述第二吸光度，所述第三吸光度不小于所述第四吸光度。

根据本发明一实施例的半导体结构，其中，所述第二区域具有远离所述第一像素单元排布的第一子区以及第二子区，其中，所述第四微结构设置于所述第一子区上。

根据本发明一实施例的半导体结构，其中，在远离所述第一像素单元的方向上，所述第二密度和所述第四密度逐渐减小。

根据本发明一实施例的半导体结构，其中，所述第一密度等于所述第三密度。

根据本发明一实施例的半导体结构，其中，所述第一微结构、所述第二微结构、所述第三微结构以及所述第四微结构的形状相同和/或形状不同。

根据本发明一实施例的半导体结构，其中，所述中心区域具有第一面积，所述外围区域具有第二面积，所述第二区域具有第三面积，其中，所述第一面积大于所述第二面积，所述第三面积大于所述第二面积。

根据本发明一实施例的半导体结构，其中，所述第一微结构、所述第二微结构、所述第三微结构以及所述第四微结构在所述半导体结构厚度方向上的深度相同。

一种感光装置，包括上述任一项所述的半导体结构。

一种感光系统，包括：

上述任一项所述的感光装置；以及，

外围电路，与所述感光装置耦接，用以控制所述感光装置。

本发明的有益效果为：本发明提供了一种半导体结构，包括呈阵列排布的多个第一像素单元，第一像素单元具有中心区域和设置于中心区域外的外围区域，其中，于中心区域上设置有以第一密度排布的多个第一微结构，第一微结构具有第一吸光度，于外围区域上设置有以第二密度排布的多个第二微结构，第二微结构具有第二吸光度，且其中，第一密度大于第二密度，第一吸光度不小于第二吸光度，本发明通过在第一像素单元的中心区域设置密度最大、且吸光度不小于位于外围区域的第二微结构的第一微结构，可以保证每个第一像素单元所吸收的光可以最大程度地集中在其中心位置处，并且，由于位于外围区域的多个第二微结构的密度较小，因而，每个第一像素单元的边缘处所吸收的光较少，从而保证了相邻的第一像素单元之间不会发生串扰。

附图说明

为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对根据本发明而成的各实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是根据本发明而成的第一实施例所提供的半导体结构的俯视结构示意图。

图2是根据本发明而成的第一实施例所提供的第一像素单元的剖面结构示意图。

图3是根据本发明而成的另一实施例所提供的第一像素单元的剖面结构示意图。

图4是根据本发明而成的另一实施例所提供的第一像素单元的剖面结构示意图。

图5是根据本发明而成的另一实施例所提供的第一像素单元的剖面结构示意图。

图6是根据本发明而成的第一实施例所提供的感光装置的结构示意图。

图7是根据本发明而成的第二实施例所提供的半导体结构的俯视结构示意图。

图8是根据本发明而成的第二实施例所提供的第二像素单元的剖面结构示意图。

图9是根据本发明而成的另一实施例所提供的第二像素单元的剖面结构示意图。

图10是根据本发明而成的第二实施例所提供的感光装置的结构示意图。

图11是根据本发明而成的实施例所提供的感光系统的结构示意图。

图12是根据本发明而成的实施例所提供的第一微结构与第二微结构的吸光能力的示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

根据本发明而成的实施例可以解决例如上文所述的在现有的感光传感器芯片中所存在的问题。

请参阅图1和图2，图1示出了根据本发明而成的第一实施例所提供的半导体结构100的俯视结构示意图，图2示出了根据本发明而成的第一实施例所提供的第一像素单元110-a的剖面结构示意图，从图中可以很直观的看到根据本发明而成的实施例的各组成部分，以及各组成部分的相对位置关系。

如图1和图2所示，该半导体结构100包括呈阵列排布的多个第一像素单元（110-1、110-2、110-3至110-N），第一像素单元110-a（其中，a为1至N其中任一值）具有中心区域A和设置于中心区域A外的外围区域B，其中：

于中心区域A上设置有以第一密度排布的多个第一微结构111，第一微结构111具有第一吸光度，于外围区域B上设置有以第二密度排布的多个第二微结构112，第二微结构112具有第二吸光度，且其中，第一密度大于第二密度，第一吸光度不小于第二吸光度。

需要说明的是，在根据本发明而成的实施例中，由于在第一像素单元110-a的中心区域A设置的第一微结构111所具有的第一密度大于在其外围区域B设置的第二微结构112所具有的第二密度，因此，只需保证第一微结构111的吸光度不小于第二微结构112的吸光度，即可使每个第一像素单元110-a的中心区域A所吸收的光的量大于其外围区域B所吸收的光的量，因此，保证了每个第一像素单元110-a所吸收的光最大程度地集中在其中心。

进一步地，由于每个第一像素单元110-a的外围区域B所吸收的光的量较少，因此，也保证了相邻的第一像素单元110-a之间不会发生串扰。

具体的，请继续参阅图2，在图2所示出的一个示例中，沿中心区域A至外围区域B的方向上，上述第二密度逐渐减小，也即，在越靠近第一像素单元110-a的边缘的地方，第二微结构112排布得越疏，这样的排布方式不仅利于使每个第一像素单元110-a所吸收的光更靠近中心，也可以保证相邻的第一像素单元110-a之间不会发生串扰。

进一步地，在根据本发明而成的一个实施例中，中心区域A具有第一面积，外围区域B具有第二面积，较优的，第一面积大于第二面积。

请参阅图3以及图4，图3与图4示出了根据本发明而成的另外两个实施例所提供的第一像素单元110-b以及第一像素单元110-c的剖面结构示意图。

如图3和图4所示，第一微结构111以及第二微结构112沿第一方向从第一像素单元110-b（或第一像素单元110-c）的表面延伸至第一像素单元110-b（或第一像素单元110-c）内的水平面S，其中，第一微结构111与水平面S之间具有第一夹角b1（或第一夹角c1），第二微结构112与水平面S之间具有第二夹角b2（或度数为0，图4中未示出），第一夹角b1大于第二夹角b2。

请一并参阅图12所示出的根据本发明而成的实施例所提供的第一微结构111与第二微结构112的吸光能力的示意图。需要说明的是，第一微结构111以及第二微结构112的吸光能力，会取决于它们与上述水平面S之间的夹角。在图3以及图4所示出的两个示例中，第一微结构111与第二微结构112的形状不同。具体的，第一微结构111与上述水平面S之间的夹角更大，那么说明其位于第一像素单元110-b/110-c内的尖角越小，此时，如图12所示，经由第一微结构111的光可被更大程度地打散，从而在第一像素单元110-b/110-c中具有较长的光程L111，进而可以使得第一像素单元110-b/110-c能吸收到较多的光，也即，本实施例中的第一微结构111具有较强的吸光能力。同理，在本实施例中，第二微结构112与上述水平面S之间的夹角更小，那么说明其位于第一像素单元110-b/110-c内的尖角越大，此时，如图12所示，经由第二微结构112的光被打散的程度不及第一微结构111，从而在第一像素单元110-b/110-c中具有较短的光程L112，因此，第二微结构112使得第一像素单元110-b/110-c吸收到较少的光，也即，本实施例中的第二微结构112具有较弱的吸光能力。

具体的，在图2所示出的一个示例中，由于第一微结构111与第二微结构112的形状相同，其与上述水平面S之间形成的第一夹角a1与第二夹角a2的大小相等，因此，第一微结构111与第二微结构112具有相同的吸光能力，但由于第一微结构111的第一密度大于第二微结构112的第二密度，因此，每个第一像素单元110-a所吸收的光仍是最大程度地集中在其中心。

进一步地，在图2以及图3所示出的两个示例中，第一微结构111与第二微结构112在第一方向上的截面形状为三角形，在图4所示出的一个示例中，第一微结构111在第一方向上的截面形状为三角形，第二微结构112在第一方向上的截面形状为梯形。需要说明的是，上述形状只是作为几个可能的示例，本发明对第一微结构111与第二微结构112在第一方向上的截面形状并不加以限制。

具体的，在图2、图3以及图4所示出的实施例中，第一微结构111以及第二微结构112在上述第一方向上的深度H相同。而在根据本发明而成的其它实施例中，第一微结构111以及第二微结构112在上述第一方向上的深度H也可以不同，此时，保证第一微结构111可吸收到的光的量大于第二微结构112可吸收到的光的量即可，本发明对此并不加以限制。

请参阅图5，图5示出了根据本发明而成的另一实施例所提供的第一像素单元110-d的剖面结构示意图。

如图5所示，在本实施例中，外围区域B包括环绕中心区域A设置的第一外围区域B1，以及环绕第一外围区域B1设置的第二外围区域B2，其中，设置于第一外围区域B1上的第二微结构112-1与第一微结构111具有相同的形状，设置于第二外围区域B2上的第二微结构112-2与第一微结构111具有不同的形状。

需要说明的是，在这种设计方式下，在沿中心区域A至外围区域B的方向上，微结构的密度以及吸光能力均呈减弱的趋势排布，更加有利于保证每个第一像素单元110-d所吸收的光最大程度地集中在其中心，并保证相邻的第一像素单元110-d之间不会发生串扰。

根据前述实施例，需要说明的是，位于中心区域A上的多个第一微结构111与位于外围区域B上的多个第二微结构112之间，可以具有例如在密度上和/或在排布周期上和/或在与水平面S的夹角上的差异，在根据本发明而成的实施例中，上述差异可以任意组合，只要使得第一像素单元110的中心区域A所吸收的光较外围区域B多即可。

根据前述内容，根据本发明而成的第一实施例提供了一种半导体结构100，包括呈阵列排布的多个第一像素单元（110-1、110-2、110-3至110-N），第一像素单元具有中心区域A和设置于中心区域A外的外围区域B，其中，中心区域A上设置有以第一密度排布的多个第一微结构111，第一微结构111具有第一吸光度，外围区域B上设置有以第二密度排布的多个第二微结构112，第二微结构112具有第二吸光度，且其中，第一密度大于第二密度，第一吸光度不小于第二吸光度，本发明通过在第一像素单元的中心区域A设置密度最大、且吸光度不小于位于外围区域B的第二微结构112的第一微结构111，可以保证每个第一像素单元所吸收的光可以最大程度地集中在其中心位置处，并且，由于位于外围区域B的多个第二微结构112的密度较小，因而，每个第一像素单元的边缘处所吸收的光较少，从而保证了相邻的第一像素单元之间不会发生串扰。

请参阅图6，图6示出了根据本发明而成的第一实施例所提供的感光装置200的结构示意图，如图6所示，该感光装置200包括如上文所述的半导体结构100，具体的，该感光装置200为非图像类型（non-image type）的传感器，这种类型的传感器，其性能仅受光的强度的影响。

请参阅图7和图8，图7示出了根据本发明而成的第二实施例所提供的半导体结构300的俯视结构示意图，图8示出了根据本发明而成的第二实施例所提供的第二像素单元320-a的剖面结构示意图，从图中可以很直观的看到根据本发明而成的实施例的各组成部分，以及各组成部分的相对位置关系。

如图7和图8所示，该半导体结构300包括呈阵列排布的多个第一像素单元（310-1、310-2至310-N），以及设置于多个第一像素单元外围的多个第二像素单元（320-1、320-2、320-3至320-N），其中：

第一像素单元具有中心区域（未示出）和设置于中心区域外的外围区域（未示出），第二像素单元320-a具有远离第一像素单元排布的第一区域C以及第二区域D，于中心区域、外围区域、第一区域C以及第二区域D上分别设置有以第一密度、第二密度、第三密度以及第四密度排布且分别具有第一吸光度、第二吸光度、第三吸光度以及第四吸光度的多个第一微结构（未示出）、多个第二微结构（未示出）、多个第三微结构321以及多个第四微结构322；

且其中，第一密度大于第二密度，第三密度大于第四密度，第一吸光度不小于第二吸光度，第三吸光度不小于第四吸光度。

需要说明的是，在本实施例中，第一像素单元可以是例如上文所述的第一实施例中的第一像素单元110-a、第一像素单元110-b、第一像素单元110-c以及第一像素单元110-d，与上文所述的第一实施例所不同的是，在本实施例中，如图8所示，半导体结构300具有设置于多个第一像素单元外围的多个第二像素单元320-a，下文将结合图8对该第二像素单元320-a进行详细说明。

如图8所示，在本实施例中，由于第二像素单元320-a设置于第一像素单元的外围，所以，第一像素单元接收到垂直入射的光，第二像素单元320-a接收到斜向入射的光。因此，需要在较靠近第一像素单元的第一区域C上设置以较大密度排布、且吸光能力较强的多个第三微结构321，并在较远离第一像素单元的第二区域D上设置以较小密度排布、且吸光能力较弱的多个第四微结构322，从而当第二像素单元320-a接收到斜向入射的光时，可以保证每个第二像素单元320-a所吸收的光也能最大程度地集中在其中心，并且，有效地避免了相邻的第二像素单元320-a之间发生串扰。

进一步地，请继续参阅图8，与上文所述的第一实施例的原理相类似，在本实施例中，在远离第一像素单元的方向上，上述第二密度与第四密度逐渐减小。并且，第一微结构与第三微结构321具有相同的形状，且均以紧靠的方式排布，因此，上述第一密度等于上述第三密度。

进一步地，在本实施例中，中心区域具有第一面积，外围区域具有第二面积，第二区域D具有第三面积，其中，与上文所述的第一实施例的原理相类似，第一面积大于第二面积，并且，由于在第二像素单元320-a中，第四微结构322是用以作为使第二像素单元320-a的中心吸收到大量光的结构，因此，第三面积大于第二面积。

具体的，如图8所示，在本实施例中，第三微结构321以及第四微结构322在半导体结构300厚度方向上的深度相同H，进一步地，该深度与第一微结构和第二微结构在半导体结构300厚度方向上的深度相等。

进一步地，请参阅图9，图9示出了根据本发明而成的另一实施例所提供的第二像素单元320-b的剖面结构示意图。

如图9所示，在该实施例中，第二区域D具有远离第一像素单元排布的第一子区D1以及第二子区D2，其中，第四微结构322设置于第一子区D1上，并且，第二子区D2上不设有任何微结构。

需要说明的是，上述第二像素单元320-b可以是位于半导体器件300最外围的第二像素单元。

具体的，在本实施例中，第一微结构、第二微结构、第三微结构321以及第四微结构322的形状可以相同，也可以不同，本发明对此不加以限制。

根据前述实施例，需要说明的是，位于中心区域上的多个第一微结构与位于外围区域上的多个第二微结构之间，以及位于第一区域上的多个第三微结构与位于第二区域上的多个第四微结构之间，可以具有例如在密度上和/或在排布周期上和/或在与水平面S的夹角上的差异，在根据本发明而成的实施例中，上述差异可以任意组合，只要使得第一像素单元的中心区域所吸收的光较外围区域多，并且，使得第二像素单元的第二区域所吸收的光较第一区域多即可。

根据前述内容，根据本发明而成的第二实施例提供了一种半导体结构300，包括呈阵列排布的多个第一像素单元（310-1、310-2至310-N），以及设置于多个第一像素单元外围的多个第二像素单元（320-1、320-2至320-N），其中，第一像素单元具有中心区域（未示出）和设置于中心区域外的外围区域（未示出），第二像素单元具有远离第一像素单元排布的第一区域C以及第二区域D，于中心区域、外围区域、第一区域C以及第二区域D上分别设置有以第一密度、第二密度、第三密度以及第四密度排布且分别具有第一吸光度、第二吸光度、第三吸光度以及第四吸光度的多个第一微结构（未示出）、多个第二微结构（未示出）、多个第三微结构321以及多个第四微结构322，且其中，第一密度大于第二密度，第三密度大于第四密度，第一吸光度不小于第二吸光度，第三吸光度不小于第四吸光度，本发明通过在第一像素单元的中心区域设置密度与吸光度均不小于位于外围区域的第二微结构的第一微结构，并在第二像素单元的第二区域D设置密度与吸光度均不小于位于第一区域的第三微结构的第四微结构，不仅可以保证每个第一像素单元和第二像素单元所吸收的光可以最大程度地集中在各自的中心位置处，还可以保证相邻的第一像素单元之间以及相邻的第二像素单元之间均不会发生串扰。

请参阅图10，图10示出了根据本发明而成的第二实施例所提供的感光装置400的结构示意图，如图10所示，该感光装置400包括如上文所述的半导体结构300，具体的，该感光装置400为图像类型（image type）的传感器，这种类型的传感器，其性能不仅会受光的强度的影响，还会受光的入射角度的影响。

请参阅图11，图11示出了根据本发明而成的实施例所提供的感光系统500的结构示意图，如图11所示，该感光系统500包括如上文所述的感光装置200或感光装置400，以及与感光装置200或感光装置400耦接，并用以控制感光装置200或感光装置400的外围电路510，其中，外围电路510可以包括读出电路、功能逻辑以及控制电路。

除上述实施例外，本发明还可以有其他实施方式。凡采用等同替换或等效替换形成的技术方案，均落在本发明要求的保护范围。

综上所述，虽然本发明已将优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (17)

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

呈阵列排布的多个第一像素单元，所述第一像素单元具有中心区域和设置于所述中心区域外的外围区域；

其中，于所述中心区域上设置有以第一密度排布的多个第一微结构，所述第一微结构具有第一吸光度，于所述外围区域上设置有以第二密度排布的多个第二微结构，所述第二微结构具有第二吸光度；

且其中，所述第一密度大于所述第二密度，所述第一吸光度不小于所述第二吸光度。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述中心区域具有第一面积，所述外围区域具有第二面积，其中，所述第一面积大于所述第二面积。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在沿所述中心区域至所述外围区域的方向上，所述第二密度逐渐减小。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一微结构以及所述第二微结构沿第一方向从所述第一像素单元的表面延伸至所述第一像素单元内的水平面，其中，所述第一微结构与所述水平面之间具有第一夹角，所述第二微结构与所述水平面之间具有第二夹角，所述第一夹角不小于所述第二夹角。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一微结构以及所述第二微结构在所述第一方向上的深度相同。

6.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一微结构在所述第一方向上的截面形状包括三角形，所述第二微结构在所述第一方向上的截面形状包括三角形和梯形其中至少之一。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，多个所述第一微结构以及多个所述第二微结构的形状均相同或均不同或部分相同且部分不同。

8.一种感光装置，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的半导体结构。

9.一种半导体结构，其特征在于，包括：

呈阵列排布的多个第一像素单元，所述第一像素单元具有中心区域和设置于所述中心区域外的外围区域；以及，

设置于多个所述第一像素单元外围的多个第二像素单元，所述第二像素单元具有远离所述第一像素单元排布的第一区域以及第二区域；

其中，于所述中心区域、所述外围区域、所述第一区域以及所述第二区域上分别设置有以第一密度、第二密度、第三密度以及第四密度排布且分别具有第一吸光度、第二吸光度、第三吸光度以及第四吸光度的多个第一微结构、多个第二微结构、多个第三微结构以及多个第四微结构；

且其中，所述第一密度大于所述第二密度，所述第三密度大于所述第四密度，所述第一吸光度不小于所述第二吸光度，所述第三吸光度不小于所述第四吸光度。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第二区域具有远离所述第一像素单元排布的第一子区以及第二子区，其中，所述第四微结构设置于所述第一子区上。

11.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，在远离所述第一像素单元的方向上，所述第二密度和所述第四密度逐渐减小。

12.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第一密度等于所述第三密度。

13.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，多个所述第一微结构、多个所述第二微结构、多个所述第三微结构以及多个所述第四微结构的形状均相同或均不同或部分相同且部分不同。

14.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述中心区域具有第一面积，所述外围区域具有第二面积，所述第二区域具有第三面积，其中，所述第一面积大于所述第二面积，所述第三面积大于所述第二面积。

15.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第一微结构、所述第二微结构、所述第三微结构以及所述第四微结构在所述半导体结构厚度方向上的深度相同。

16.一种感光装置，其特征在于，包括如权利要求9-15任一项所述的半导体结构。

17.一种感光系统，其特征在于，包括：

如权利要求8和16任一项所述的感光装置；以及，

外围电路，与所述感光装置耦接，用以控制所述感光装置。

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