CN113889747A - 辐射单元、天线及基站 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种辐射单元、天线及基站，所述辐射单元，包括以极化正交设置的两对辐射臂，该两对辐射臂关于同一中心点呈中心对称结构，每个辐射臂包括馈电部和与馈电部连接的辐射开环，所述辐射开环包括辐射线，所述辐射线串接有至少一个滤波单元，所述滤波单元由金属线反复弯折以在不同平面形成实现平行耦合的至少一对耦合片。本发明的辐射单元在辐射臂上设置滤波单元，所述滤波单元用于抵消因高频信号谐振而引起的高频电流，以解决所述辐射单元与高频辐射单元共阵设置时的相互耦合所带来的辐射性能降低的问题。

Description

辐射单元、天线及基站

技术领域

本发明涉及移动通信技术领域，具体涉及一种辐射单元和配置了所述辐射单元的天线，以及配置了所述天线的基站。

背景技术

随着现代移动通信技术的迅猛发展，用户对于高容量、低时延通信的需求与日俱增，由此第五代移动通信网络应运而生。在国内5G移动通信网络建设过程中，需要多种网络制式协同发展，例如5G与4G网络同时工作；但不同的网络制式需要采用不同的天线，使得每个基站站址上的天线数量急剧增加，极大地增加了天线基站站址的建设和维护费用，导致了天线环境资源的浪费，且过多的天线也会影响城市面貌。因此，业内采用将多种制式的天线集成为一体，以形成一种小尺寸、共口径与集成化的多频天线来满足移动通信的应用需求，以期解决目前5G天面空间不足，挂高不够、覆盖不广以及性能不佳等问题。

一般4G天线主要采用低频辐射单元，5G天线主要采用高频辐射单元，低频辐射单元的体积大于高频辐射单元的体积。在多频天线中，各辐射单元之间的间距较小，低频辐射单元与高频辐射单元共口径设置时，不可避免地会对高频辐射单元产生遮挡，使得低频辐射单元将会被高频辐射单元发射的高频信号激励而产生高频电流，从而影响多频天线的电气性能，造成方向图畸变等问题，进而影响多频天线合成波束的性能。

发明内容

本发明的首要目的在于解决上述问题至少之一而提供一种辐射单元、天线及基站。

为满足本发明的各个目的，本发明采用如下技术方案：

适应本发明的目的之一而提供一种辐射单元，包括以极化正交设置的两对辐射臂，该两对辐射臂关于同一中心点呈中心对称结构，每个辐射臂包括馈电部和与馈电部连接的辐射开环，所述辐射开环包括辐射线，所述辐射线串接有至少一个滤波单元，所述滤波单元由金属线反复弯折以在不同平面形成实现平行耦合的至少一对耦合片。

进一步的，所述耦合片由金属线往复弯折形成，所述耦合片因往复弯折形成多个延伸枝节，相邻两个延伸枝节之间因首尾相接形成过渡枝节。

具体的，所述延伸枝节呈直线状或弧状或U形状，所述过渡枝节呈直线状或弧状。

进一步的，在同一对耦合片中，其中一个耦合片于另一个耦合片所在平面上的投影与该另一个耦合片完全重合或部分重合。

进一步的，所述辐射线包括多个局部枝节，相邻两个局部枝节之间通过所述滤波单元串接，所述滤波单元包括分别与相邻两个局部枝节连接的第一耦合片与第二耦合片。

进一步的，所述第一耦合片与所述辐射线设置于介质板的第一面，所述第二耦合片设置于介质板的第二面，所述第二耦合片通过穿设所述介质板的金属化过孔与所述辐射线连接。

进一步的，所述第一耦合片与所述第二耦合片为同一对耦合片，所述第一耦合片与所述第二耦合片通过穿设所述介质板的金属化过孔连接。

进一步的，所述辐射单元还包括一个巴伦，该巴伦为所述两对辐射臂馈电，所述巴伦包括巴伦介质板，所述巴伦介质板包括第一臂与第二臂，所述第一臂与所述第二臂之间呈钝角设置。

进一步的，所述巴伦设有两对接地层，所述接地层呈脉冲波状，所述一对接地层分别设置于所述巴伦介质板的正反两面，所述一对接地层平行耦合设置且通过穿设所述巴伦介质板的金属化过孔连接。

具体的，所述巴伦包括分别为两对辐射臂馈电的两个馈电组，所述馈电组包括分别设置于巴伦介质板正反两面的两个馈电线，该两个馈电线平行耦合设置且通过穿设所述巴伦介质板的金属化过孔连接，所述巴伦的馈电线与所述馈电片耦合连接。

适应本发明的目的之一而提供一种天线，包括反射板、低频辐射单元列以及高频辐射单元列，每个辐射单元列均包括彼此并联馈电的多个辐射单元，所述低频辐射单元列中的辐射单元采用如首一目的任意一项所述的辐射单元。

适应本发明的目的之一而提供一种基站，该基站配置有如次一目的所述的天线，用于发射该基站通行的信号。

相对于现有技术，本发明的优势如下：

首先，本发明的辐射单元的每个辐射臂设有至少一个滤波单元，当辐射单元被高频信号透射而激励产生高频电流时，所述滤波单元可抵消高频电流，以使得所述辐射单元不受高频信号的影响，通过所述滤波单元可解决与高频辐射单元共阵时所带来的互耦问题，改善辐射单元的方向图指标，提高辐射单元的辐射性能。

其次，本发明的辐射单元的每个辐射臂呈环状结构，环状结构的辐射臂可降低辐射单元的辐射面积并延伸电传输路径，提高辐射单元的工作带宽，辐射面积减小使得环状结构的辐射臂较少与共阵设置的高频辐射单元相耦合，故可降低高频谐振引起的高频电流。

本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为本发明典型实施例的辐射单元的结构示意图。

图2为本发明典型实施例的辐射单元未安装巴伦的仰视图。

图3为本发明典型实施例的辐射单元的滤波单元的结构示意图。

图4为本发明典型实施例的辐射单元的巴伦的正面示意图。

图5为本发明典型实施例的辐射单元的巴伦的反面示意图。

图6为测试使用未与低频辐射单元共阵的高频辐射阵列的高频辐射单元工作于3.4GHz频段时的方向图与和本发明的辐射单元共阵的高频辐射阵列的高频辐射单元工作于3.4GHz频段时的方向图。

图7为测试使用未与低频辐射单元共阵的高频辐射阵列的高频辐射单元工作于3.6GHz频段时的方向图与和本发明的辐射单元共阵的高频辐射阵列的高频辐射单元工作于3.6GHz频段时的方向图。

图8为测试使用未与低频辐射单元共阵的高频辐射阵列的高频辐射单元工作于3.8GHz频段时的方向图与和本发明的辐射单元共阵的高频辐射阵列的高频辐射单元工作于3.8GHz频段时的方向图。

图9为本发明的辐射单元工作在820-960MHz频段时的水平方向图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的实例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是实例性的，仅用于解释本发明而不能解释为对本发明的限制。

本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本发明的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本发明所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

本发明提供了一种辐射单元，该辐射单元适于作为低频辐射单元使用，所述低频辐射单元的各个辐射臂上设有滤波单元，该滤波单元用于抵消因受高频信号激励而产生的高频电流，以便于本发明的辐射单元与高频辐射单元共阵设置。

在本发明的典型实施例中，结合图1与图2，所述辐射单元10包括以极化正交设置的两对辐射臂，该两对辐射臂关于同一中心点呈对称结构，所述辐射臂20包括馈电部21和与馈电部21连接的辐射开环22。所述辐射臂20由辐射开环22与馈电部21构成环状结构，环状结构的辐射臂20可减少对高频信号的阻挡，减少与高频辐射单元的耦合，降低高频电流的获取量，以使得滤波单元24可将激励产生的高频电流抵消。优选的，所述辐射臂20呈方环状或圆环状或椭圆环状。

具体言之，所述馈电部21靠近所述同一中心点所在区域设置，所述馈电部21呈片状结构。

所述辐射开环22包括辐射线23与串接于所述辐射线23上的至少一个滤波单元24，所述滤波单元24由金属线一体弯折成型，所述辐射线23的两端分别与馈电部21连接，以形成环状结构的辐射臂20。在一个实施例中，所述辐射臂20上设有多个滤波单元24。

结合图3，所述滤波单元24包括一对耦合片，该一对耦合片分别设置于不同平面上，且相互平行，该一对耦合片的其中一个耦合片于另一个耦合片所在平面上的投影与该另一个耦合片部分重合或完全重合，以使得该一对耦合片实现平行耦合。所述一对耦合片之间彼此相近的一端通过连接部件电性连接，该一对耦合片彼此相远的一端各自串接于辐射线23上。

当所述辐射单元10受到高频信号的激励产生高频电流时，滤波单元24的一对耦合片相互平行耦合高频电流，增大电感值，使得两个耦合片241各自所流经的高频电流的流向相反，流向相反的两路高频电流通过连接部件相导通，因流向相反而使得该两路高频电流相互抵消，从而使得本发明的辐射单元10可通过滤波单元24抵消甚至清除受高频信号激励产生高频电流，过滤高频谐波，以便于所述辐射单元10与高频辐射单元共阵设置。

所述耦合片241由金属线往复弯折形成，所述耦合片241因往复弯折而形成多个延伸枝节2411，相邻两个延伸枝节2411之间通过过渡枝节2412相互连接。在一个实施例中，所述延伸枝节2411呈直线段状或弧状或L形状或U形状等形状；所述过渡枝节2412呈直线段状或弧状。也即是说，所述延伸枝节与所述过渡枝节相互配合以形成各种形状的耦合片，例如U形状的耦合片或W形状的耦合片。优选的，所述金属线为所述辐射线。

在本发明的典型实施例中，结合图3，所述滤波单元24的一对耦合片分别为第一耦合片242与第二耦合片243，所述第一耦合片242与所述辐射线23设置于第一参考平面上，所述第二耦合片243设置于第二参考平面上，所述第一参考平面与所述第二参考平面相互平行。所述第一耦合片242的首端与辐射线23相串接，第一耦合片242的末端与第二耦合片243的首端通过连接部件连接，所述第二耦合片243的末端所述辐射线23相串接。

在本实施例中，所述第一耦合片242包括第一延伸枝节2421与第二延伸枝节2422及用于连接该两个延伸枝节2411的第一过渡枝节2423，所述第一延伸枝节2421的不与第一过渡枝节2423相连的一端与所述辐射线23连接，所述第二延伸枝节2422的不与第一过渡枝节2423相连的一端与所述连接部件连接，所述第一延伸枝节2421与所述第二延伸枝节2422相互平行设置，以使得所述第一耦合片242呈U形结构。

所述第二耦合片243包括三个相互平行的延伸枝节，分别为第三延伸枝节2431与第四延伸枝节2432与第五延伸枝节2433，且所述第三延伸枝节2431设置于第四延伸枝节2432与所述第五延伸枝节2433之间。所述第三延伸枝节2431的其中一端与所述连接部件相连接，以使得第一耦合片242与第二耦合片243相导通，第三延伸枝节2431的另一端通过第二过渡枝节2434而与第四延伸枝节2432相连，所述第四延伸枝节2432不与第二过渡枝节2434相连的一端通过第三过渡枝节2435而与第五延伸枝节2433相连，所述第五延伸枝节2433不与第三过渡枝节2435相连的一端串接与所述辐射线23上，所述第五延伸枝节2433与所述第二延伸枝节2422分别连接辐射线23的不同位置。

在第一参考平面的投影方向上，所述第四延伸枝节2432与所述第一延伸枝节2421相重合，所述第三过渡枝节2435与所述第一过渡枝节2423相重合，以使得第一耦合片242与第二耦合片243可实现平行耦合，从而使得第一耦合片242与第二耦合片243可加载流向不同的高频电流，流向不同的高频电流通过所述连接部件而相导通，从而将两路高频电流相抵消，使得本发明的辐射单元10可抵消高频电流，以便于高频辐射单元共阵设置。

结合图9，图9为本发明的辐射单元10工作在820-960MHz频段时的水平方向图。由图9可知当本发明的辐射单元10工作在820-960MHz频段时的半功率波束宽度在70°左右，具有较佳的波束宽度。

在一个实施例中，所述滤波单元24包括多对耦合片，该多对耦合片设置于所述第一耦合片242与所述第二耦合片243之间。每对耦合片的两个耦合片241可分别设置于第一参考平面与第二参考平面或者分别设置于与第一参考平面相平行的其它参考平面上。每对耦合片的结构均与所述第一耦合片242或第二耦合片243的结构类似，以便于实现平行耦合。所述滤波单元24的每对耦合片之间通过所述连接部件连接，而相邻两对耦合片之间也通过连接部件连接，从而使得滤波单元24构成一个完整的整体。

在本发明的典型实施例中，结合图2，所述辐射线23与所述第一耦合片242共同设置于所述第一参考平面上，所述第二耦合片243与所述馈电部21设置于所述第二参考平面上。所述辐射线23包括多个局部枝节231，所述局部枝节231呈直线段状或弧段状，相邻两个局部枝节231之间通过所述滤波单元24连接。具体言之，称相邻两个局部枝节231分别为第一局部枝节232与第二局部枝节233，设置于第一局部枝节232与第二局部枝节233的滤波单元24的第一耦合片242的第一延伸枝节2421的其中一端连接第一局部枝节232，第二耦合片243的第五延伸枝节2433的其中一端通过所述连接部件与所述第二局部枝节233相接，以使得局部枝节231与滤波单元24相串接。

在一个实施例中，所述辐射线23的多个局部枝节231分别设置于第一参考平面与第二参考平面上。具体言之，所述多个局部枝节231均布设置于所述第一参考平面与第二参考平面。优选的，所述多个局部枝节231依次交替设置于第一参考平面与第二参考平面上。

在本发明的典型实施例中，结合图2，所述两对辐射臂设置于介质板25上，所述第一参考平面设置于介质板25的第一面上，所述第二参考平面设置于介质板25的第二面上。所述第一面为介质板25的正面251或反面252，所述第二面为介质板25的反面252或正面251。优选的，所述第一面为介质板25的反面252，所述第二面为介质板25的正面251。将所述两对辐射臂设置于介质板25上可维持辐射臂20的结构稳定性，避免呈环状的辐射臂20结构不稳而坍塌。

在一个实施例中，所述连接部件为穿设介质板25的金属化过孔253，以便于所述第一耦合片242与第二耦合片243之间通过金属化过孔253导通电流。

在一个实施例中，所述多个局部枝节231依次交替设置于介质板25的正面51与反面252上。

在一个实施例中，每个辐射开环22上的局部枝节231与所述滤波单元24由辐射线23一体成型，以便于辐射单元10的生产制造。

在本发明的典型实施例中，结合图1，所述辐射单元10还设有一个巴伦30，该一个巴伦30为所述两对辐射臂馈电。

具体言之，结合图5，所述巴伦30包括巴伦介质板31与设置于巴伦介质板31上馈电线路。所述巴伦介质板31包括第一臂311与第二臂312，所述第一臂311与所述第二臂312之间呈钝角设置，且第一臂311不与第二臂312相连的一端插接于介质板25的所述同一中心点区域，所述第二臂312用于支撑所述第一臂311与所述两对辐射臂。所述第一臂311包括用于插接于介质板25上的多个插接脚316，所述介质板25于所述同一中心点区域对应所述多个插接脚316设有多个巴伦孔254，所述插接脚316与所述辐射臂20不相连接。

所述馈电线路包括两个馈电组，该两个馈电组分别为两对辐射臂馈电，该两个馈电组分别设置于巴伦介质板31的纵长方向的两侧，且该两个馈电组关于所述巴伦介质板31的纵长方向的中轴线相对称。所述馈电组包括第一馈电线32与第二馈电线33，所述第一馈电线32设置于巴伦介质板31的正面313，所述第二馈电线33设置于巴伦介质板31的反面314，所述第一馈电线32与所述第二馈电线33平行耦合设置，所述第一馈电线32与所述第二馈电线33通过穿设于巴伦介质板31上的金属化过孔315连接。

外部电流自第二馈电线33馈入，第二馈电线33通过金属化过孔315将电流传输至第一馈电线32，且第二馈电线33将馈入其中的部分电流耦合至第一馈电线32，第一馈电线32延伸至所述介质板25所处位置，所述第一馈电线32与辐射臂20的馈电部21相耦合，以将第一馈电线32上所获取的电流耦合至辐射臂20的馈电部21，之后经馈电部21流经整个辐射臂20。

所述巴伦30还包括两个接地组，每个接地组与一个馈电组相对应，所述两个接地组分别设置于巴伦介质板31的纵长方向的两侧，且该两个接地组关于所述巴伦介质板31的纵长方向的中轴线相对称。所述接地组包括两个接地层，所述接地层呈脉冲波状，所述两个接地层分别为第一接地层34与第二接地层35，所述第一接地层34设置于巴伦介质板31的正面313，所述第二接地层35设置于巴伦介质板31的反面314，所述第一接地层34与第二接地层35平行耦合设置，且第一接地层34与第二接地层35通过穿设于巴伦介质板31的金属化过孔315连接。所述接地组用于调节辐射单元10的匹配性能与隔离度。优选的，所述接地层呈方波状。

本发明还提供了一种天线，该天线包括反射板与设置于反射板上的低频辐射单元列与高频辐射单元列。所述低频辐射单元列包括多个彼此并联馈电的低频辐射单元，所述低频辐射单元为上文所述的辐射单元，所述高频辐射单元列包括多个彼此并联馈电的高频辐射单元。所述低频辐射单元与所述高频辐射单元相近设置。

在一个实施例中，所述低频辐射单元列与高频辐射单元列均沿同一轴线共线布阵，因低频辐射单元列的低频辐射单元为上文所述的辐射单元，低频辐射单元可有效的过滤因高频辐射单元发射高频信号而引起的高频谐波，具有较佳的辐射性能。

结合图6，图6为测试使用未与低频辐射单元共阵的高频辐射阵列的高频辐射单元工作于3.4GHz频段时的方向图与和本发明的辐射单元共阵的高频辐射阵列的高频辐射单元工作于3.4GHz频段时的方向图。其中，虚线表征未与低频辐射单元共阵的高频辐射阵列的高频辐射单元工作于3.4GHz频段时的方向图，实线表征和与本发明的辐射单元共阵的高频辐射阵列的高频辐射单元工作于3.4GHz频段时的方向图。结合图6可知，在未与低频辐射单元共阵的高频辐射单元时的方向图与和本发明的辐射单元共阵的高频辐射单元的方向图大致重合，由此可知本发明的辐射单元与高频辐射单元共阵时，不会影响高频辐射单元的辐射性能。

结合图7，图7为测试使用与低频辐射单元共阵的高频辐射阵列的高频辐射单元工作于3.6GHz频段时的方向图与和本发明的辐射单元共阵的高频辐射阵列的高频辐射单元工作于3.6GHz频段时的方向图。其中，虚线表征未与低频辐射单元共阵的高频辐射阵列的高频辐射单元工作于3.6GHz频段时的方向图，实线表征与本发明的辐射单元共阵的高频辐射阵列的高频辐射单元工作于3.6GHz频段时的方向图。结合图7可知，未与低频辐射单元共阵的高频辐射单元时的方向图与本发明的辐射单元共阵的高频辐射单元的方向图大致重合，由此可知本发明的辐射单元与高频辐射单元共阵时，不会影响高频辐射单元的辐射性能。

结合图8，图8为测试使用未与低频辐射单元共阵的高频辐射阵列的高频辐射单元工作于3.8GHz频段时的方向图与和本发明的辐射单元共阵的高频辐射阵列的高频辐射单元工作于3.8GHz频段时的方向图。其中，虚线表征未与低频辐射单元共阵的高频辐射阵列的高频辐射单元工作于3.8GHz频段时的方向图，实线表征与本发明的辐射单元共阵的高频辐射阵列的高频辐射单元工作于3.8GHz频段时的方向图。结合图8可知，未加载低频辐射单元的高频辐射单元的方向图与和本发明的辐射单元共阵的高频辐射单元的方向图大致重合，由此可知本发明的辐射单元与高频辐射单元共阵时，不会影响高频辐射单元的辐射性能。

由此可知，本发明的辐射单元与高频辐射单元共阵时不会影响高频辐射单元的辐射性能，便于与高频辐射单元共阵融合形成多频天线。

本发明还提供了一种基站，所述基站配置了上文所述的天线，通过所述天线接收或发射相应频段的天线信号。

综上所述，本发明的辐射单元在辐射臂上设置滤波单元，所述滤波单元用于抵消因高频信号谐振而引起的高频电流，以解决所述辐射单元与高频辐射单元共阵设置时的相互耦合所带来的辐射性能降低问题。

以上描述仅为本发明的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本发明中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离上述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本发明中发明的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

尽管已经采用特定于结构特征和/或方法逻辑动作的语言描述了本主题，但是应当理解所附权利要求书中所限定的主题未必局限于上面描述的特定特征或动作。相反，上面所描述的特定特征和动作仅仅是实现权利要求书的示例形式。

Claims (12)

1.一种辐射单元，包括以极化正交设置的两对辐射臂，该两对辐射臂关于同一中心点呈中心对称结构，其特征在于，每个辐射臂包括馈电部和与馈电部连接的辐射开环，所述辐射开环包括辐射线，所述辐射线串接有至少一个滤波单元，所述滤波单元由金属线反复弯折以在不同平面形成实现平行耦合的至少一对耦合片。

2.如权利要求1所述的辐射单元，其特征在于，所述耦合片因往复弯折形成多个延伸枝节，相邻两个延伸枝节之间因首尾相接形成过渡枝节。

3.如权利要求2所述的辐射单元，其特征在于，所述延伸枝节呈直线状或弧状或U形状，所述过渡枝节呈直线状或弧状。

4.如权利要求1所述的辐射单元，其特征在于，在同一对耦合片中，其中一个耦合片于另一个耦合片所在平面上的投影与该另一个耦合片完全重合或部分重合。

5.如权利要求1至4任意一项所述的辐射单元，其特征在于，所述辐射线包括多个局部枝节，相邻两个局部枝节之间通过所述滤波单元串接，所述滤波单元包括分别与相邻两个局部枝节连接的第一耦合片与第二耦合片。

6.如权利要求5所述的辐射单元，其特征在于，所述第一耦合片与所述辐射线设置于介质板的第一面，所述第二耦合片设置于介质板的第二面，所述第二耦合片通过穿设所述介质板的金属化过孔与所述辐射线连接。

7.如权利要求6所述的辐射单元，其特征在于，所述第一耦合片与所述第二耦合片为同一对耦合片，所述第一耦合片与所述第二耦合片通过穿设所述介质板的金属化过孔连接。

8.如权利要求1所述的辐射单元，其特征在于，所述辐射单元还包括一个巴伦，该巴伦为所述两对辐射臂馈电，所述巴伦包括巴伦介质板，所述巴伦介质板包括第一臂与第二臂，所述第一臂与所述第二臂之间呈钝角设置。

9.如权利要求8所述的辐射单元，其特征在于，所述巴伦设有两对接地层，所述接地层呈脉冲波状，所述一对接地层分别设置于所述巴伦介质板的正反两面，所述一对接地层平行耦合设置且通过穿设所述巴伦介质板的金属化过孔连接。

10.如权利要求8或9所述的辐射单元，其特征在于，所述巴伦包括分别为两对辐射臂馈电的两个馈电组，所述馈电组包括分别设置于巴伦介质板正反两面的两个馈电线，该两个馈电线平行耦合设置且通过穿设所述巴伦介质板的金属化过孔连接，所述馈电线与所述馈电片耦合连接。

11.一种天线，包括反射板、低频辐射单元列以及高频辐射单元列，每个辐射单元列均包括彼此并联馈电的多个辐射单元，其特征在于：所述低频辐射单元列中的辐射单元采用如权利要求1至10任意一项所述的辐射单元。

12.一种基站，其特征在于，该基站配置有如权利要求11所述的天线，用于发射该基站通行的信号。

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