CN114221114B - 辐射单元、天线及基站 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种辐射单元、天线及基站，所述辐射单元，包括辐射部和为辐射部馈电的馈电部，所述辐射部包括辐射体与多个频率选择单元，所述频率选择单元与所述辐射体分别处于不同参考平面构成平行耦合关系，所述频率选择单元通过设置交叉镂空结构而将其分为具有缝隙耦合关系的多个副导体，相互缝隙耦合的两个副导体响应外部高频信号而激励出流向相反的两路电流。本发明的辐射单元通过设置频率选择单元可抵消因外部高频信号透射而激励产生的高频电流，使得辐射单元维持其辐射性能，以便于本发明的辐射单元作为低频辐射单元与高频辐射单元共阵设置。

Description

辐射单元、天线及基站

技术领域

本发明属于移动通信技术领域，具体涉及一种辐射单元、配置了所述辐射单元的天线以及配置了所述天线的基站。

背景技术

随着现代移动通信技术的迅猛发展，用户对于高容量、低时延通信的需求与日俱增，由此第五代移动通信网络应运而生。在国内5G移动通信网络建设过程中，需要多种网络制式协同发展，例如5G与4G网络同时工作；但不同的网络制式需要采用不同频段的天线，使得每个基站站址上的天线数量急剧增加，极大地增加了天线基站站址的建设和维护费用，导致了天线环境资源的浪费，且过多的天线也会影响城市面貌。因此，业内采用将多种制式的天线集成为一体，以形成一种小尺寸、共口径与集成化的多频天线来满足移动通信的应用需求，以期解决目前5G天面空间不足，挂高不够、覆盖不广以及性能不佳等问题。

一般4G天线主要采用低频辐射单元，5G天线主要采用高频辐射单元，低频辐射单元的体积大于高频辐射单元的体积。在多频天线中，各辐射单元之间的间距较小，低频辐射单元与高频辐射单元共口径设置时，不可避免地会对高频辐射单元产生遮挡，使得低频辐射单元将会被高频辐射单元发射的高频信号激励而产生高频电流，从而影响多频天线的电气性能，造成方向图畸变等问题，进而影响多频天线合成波束的性能。

发明内容

本发明的首要目的在于解决上述问题至少之一而提供一种辐射单元、天线及基站。

为满足本发明的各个目的，本发明采用如下技术方案：

适应本发明的目的之一而提供一种辐射单元，包括辐射部和为辐射部馈电的馈电部，所述辐射部包括辐射体与多个频率选择单元，所述频率选择单元与所述辐射体分别处于不同参考平面构成平行耦合关系，所述频率选择单元通过设置交叉镂空结构而将其分为具有缝隙耦合关系的多个副导体，相互缝隙耦合的两个副导体响应外部高频信号而激励出流向相反的两路电流。

进一步的，所述多个副导体在结构上互不相连，每个副导体的两侧设有构成所述交叉镂空结构的两个缝隙，副导体经该两个缝隙而分别与两个相邻的副导体构成缝隙耦合关系。

进一步的，所述辐射体对应所述频率选择单元于该辐射体所在参考平面的投影设有第一镂空结构，所述第一镂空结构的形状与所述频率选择单元的投影的外轮廓相对应。

具体的，所述频率选择单元通过设置所述交叉镂空结构而形成四个副导体，该四个副导体关于所述频率选择单元的垂直于所述纵长轴线的中垂线呈对称结构。

具体的，所述频率选择单元呈圆形、椭圆形及多边形中的任意一种。

进一步的，所述副导体内设有第二镂空结构，所述第二镂空结构的形状与其所在的副导体的形状相对应，以使所述副导体构成环状结构。

进一步的，所述多个频率选择单元按所述辐射体的布设轨迹依次设置。

进一步的，所述辐射体对应相邻两个频率选择单元之间的间隙空间于该辐射体上的投影设有第三镂空结构，该第二镂空结构的形状与所述间隙空间的投影的形状相对应。

具体的，所述频率选择单元的横向宽度大于或等于所述辐射体的横向宽度，在辐射体所在参考平面的投影方向上，所述频率选择单元的投影与所述辐射体的投影完全重叠或部分重叠。

具体的，所述辐射单元还包括介质板，所述辐射体与所述频率选择单元所在的参考平面分别设置于介质板的正面两面。

适应本发明的目的之一而提供一种天线，包括反射板与辐射阵列，所述辐射阵列包括构成低频辐射阵列的低频辐射单元列与构成高频辐射单元阵列的高频辐射单元列，至少存在一个低频辐射单元列布设于多个高频辐射单元列之间，所述布设于多频高频辐射单元列之间的低频辐射单元为如前一目的任意一项所述的辐射单元，在面向反射板的投影方向上，至少一个所述的低频辐射单元的投影完全或部分覆盖所述高频辐射单元列中与之相邻的多个高频辐射单元的投影。

适应本发明的目的之一而提供一种基站，该基站配置有前一目的所述的天线，用于发射该基站通行的信号。

相对于现有技术，本发明的优势如下：

首先，本发明的辐射单元的辐射部上设有多个频率选择单元，该多个频率选择单元与辐射体平行耦合，以将辐射体受外部高频信号激励产生的高频电流耦合至频率选择单元上，频率选择单元通过设置交叉镂空结构将其分为多个副导体，相邻两个副导体上的高频电流的流向不同，使得相邻两个副导体之间相互缝隙耦合流向相反的高频电流，流向相反的高频电流相互抵消，以使的本发明的辐射单元可抵消高频电流，以便于作为低频辐射单元与高频辐射单元共阵，而不影响辐射单元的辐射性能。

其次，本发明的辐射单元的辐射体与频率选择单元分别设置于两个参考平面上，避免了辐射体与频率选择单元设置于同一平面上，在电气层面上的相互影响，造成抵消高频电流的性能不佳。

再次，辐射体与频率选择单元设置于同一个辐射单元上，可通过控制频率选择单元与辐射体之间距离而控制辐射单元的抵消高频电流的性能，便于与相应高频辐射单元共阵设置。而且，该辐射单元便于使用，而不需在使用时单独为辐射单元或为天线组装频率选择单元，缩短了将辐射单元安装于狭小空间的天线内的时间，提高了工作效率。

本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为本发明典型实施例的辐射单元的俯视透视图，其中实线部分表征设置于第二参考平面上的结构，虚线部分表征设置于第一参考平面上的结构。

图2为图1的A区域的放大图。

图3为在第一参考平面视角方向上，本发明典型实施例的辐射单元的结构示意图。

图4为在第二参考平面视角方向上，本发明典型实施例的辐射单元的结构示意图。

图5为本发明的一个实施例的辐射单元的俯视透视图，其中实线部分表征设置于第二参考平面上的结构，虚线部分表征设置于第一参考平面上的结构。

图6为本发明的又一个实施例的辐射单元的俯视透视图，其中实线部分表征设置于第二参考平面上的结构，虚线部分表征设置于第一参考平面上的结构。

图7为本发明的再一个实施例的辐射单元的俯视透视图，其中实线部分表征设置于第二参考平面上的结构，虚线部分表征设置于第一参考平面上的结构。

图8为图7的B区域的放大图。

图9为本发明的辐射单元与高频辐射单元共阵的结构示意图。

图10为不与低频辐射单元共阵时的高频辐射单元的方向图。

图11为普通低频辐射单元与高频辐射单元共阵时，高频辐射单元的方向图。

图12为本发明的典型实施例的辐射单元与高频辐射单元共阵时，高频辐射单元的方向图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的实例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是实例性的，仅用于解释本发明而不能解释为对本发明的限制。

本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本发明的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本发明所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

本发明提供了一种辐射单元，所述辐射单元上设有频率选择单元，所述频率选择单元通过设有交叉镂空结构而将其分为多个互不连接的副导体，相邻两个副导体呈缝隙耦合关系，当辐射单元受到外部高频信号激励时产生高频电流，呈缝隙耦合关系的两个副导体从辐射体上平行耦合获取两路方向相反的电流，因该两个副导体相互缝隙耦合，以将相邻副导体上的流向相反的高频电流耦合至其上，副导体上具有流向相反的两路电路，该两路流向相反的电流相互抵消，以使本发明的辐射单元不会因外部高频信号而影响其辐射性能，便于与高频辐射单元共阵设置。

在本发明的典型实施例中，结合图1，所述辐射单元10包括以极化正交设置的两对辐射臂11，该两对辐射臂11关于同一中心点呈对称结构，所述辐射臂11包括辐射部12和为辐射部12馈电的馈电部15。

结合图3与图4，所述辐射部12包括辐射体13和多个频率选择单元14，所述辐射体13设置于第一参考平面，所述频率选择单元14设置于第二参考平面，所述第一参考平面与所述第二参考平面相互平行，以使得频率选择单元14与辐射体13之间构成平行耦合关系。

结合图2与图4，所述频率选择单元14上设有交叉镂空结构141，通过该交叉镂空结构141将所在的频率选择单元14分为多个副导体142，该多个副导体142之间相互不连接。所述交叉镂空结构141由两条缝隙组成，该两条缝隙分别为第一缝隙1411与第二缝隙1412，第一缝隙1411与第二缝隙1412交叉设置以形成所述交叉镂空结构141。优选的，所述第一缝隙1411与所述第二缝隙1412之间垂直交叉设置或第一缝隙1411与所述第二缝隙1412交叉形成两个相对的钝角与两个相对的锐角，且每个钝角与两个锐角相邻。

相邻两个副导体142之间被所述交叉镂空结构141的一条缝隙分隔，该两个相邻的副导体142之间构成缝隙耦合关系。每个副导体142与相邻的两个副导体142之间构成缝隙耦合关系。当辐射单元10受到外部高频信号的激励后，辐射体13被激励产生高频电流，频率选择单元14的副导体142将辐射体13上的高频电流平行耦合至其上，每个副导体142上的高频电流的流向与相邻的副导体142上的高频电流的流向相反，副导体142将相邻的副导体142上的流向相反的高频电流缝隙耦合至其上，因缝隙耦合获取的高频电流的流向与本副导体142上的高频电流的流向相反，因此流向相反的两路高频电流相互抵消，以清除辐射单元10上被高频信号激励产生的高频电流，从而避免辐射单元10因受外部高频信号激励而产生的高频电流影响本发明辐射单元10的辐射性能，以使得本发明的辐射单元10便于与高频辐射单元10共阵设置。

在本发明的典型实施例中，结合图2与图4，所述频率选择单元14呈矩形状，所述第一缝隙1411与所述第二缝隙1412的交叉点在所述频率选择单元14的中心点处，由此，由第一缝隙1411与第二缝隙1412组成的交叉镂空结构141将频率选择单元14分为四个副导体142，该四个副导体142呈等腰三角形状，且等腰三角形状的副导体142的两条长度相等的边分别与第一缝隙1411和第二缝隙1412相邻。在一个实施例中，所述频率选择单元14呈圆形、椭圆形及多边形中的任意一种。

具体言之，所述四个副导体142按逆时针依次为第一副导体143、第二副导体144、第三副导体145以及第四副导体146，其中第一副导体143与第二副导体144及第四副导体146相邻，第三副导体145与第二副导体144及第四副导体146相邻，第一副导体143与第三副导体145相对，第二副导体144与第四副导体146相对。

第一缝隙1411设置于第一组副导体与第二组副导体之间，所述第一组副导体包括第一副导体143与第二副导体144，所述第二组副导体包括第三副导体145与第四副导体146；第二缝隙1412设置于第三组副导体与第四组副导体之间，所述第三组副导体包括第一副导体143与第四副导体146，所述第四组副导体包括第二副导体144与第三副导体145。所述第一副导体143与第三副导体145关于所述频率选择单元14的纵长中轴线相对称，所述第二副导体144与第四副导体146关于所述频率选择单元14的横向中垂线相对称。

具体言之，以第一副导体143为例，结合图2，其中图2中的箭头表征副导体上的电流的流向，以揭示副导体142与相邻两个副导体142之间相互缝隙耦合抵消高频电流的原理。所述第一副导体143分别与第二副导体144与第四副导体146相邻，具体的，第一副导体143与第二副导体144设置于第二缝隙1412的两侧，所述第一副导体143的第二边1432与第二副导体144的第一边1441相邻；第一副导体143与第四副导体146设置于第一缝隙1411的两侧，第一副导体143的第一边1431与第四副导体146的第二边1462相邻。

当外部高频信号透射本发明的辐射单元10时，辐射单元10的辐射体13被所述外部高频信号激励产生高频电流，第一副导体143从辐射体13上平行耦合获取了一路高频电流(称该路高频电流为第一高频电流)，该一路高频电流自第一副导体143的第一边1431流向第二边1432；第二副导体144从辐射体13上平行耦合获取了两路高频电流，该两路高频电流流向相反，该两路高频电流分别自第二副导体144的第一边1441与第二边1442相交点流向第一边1441和第二边1442，称流向第一边1441的高频电流为第二高频电流，称流向第二边1442的高频电流为第三高频电流。

第一副导体143的第二边1432与第二副导体144的第一边1441缝隙耦合，第一副导体143将第二副导体144的第一边1441上的第二高频电流缝隙耦合至该第一副导体143的第二边1432上，第二高频电流的流向与第一高频电流的流向相反，因此，第二高频电流抵消一部分第一高频电流；而且第二副导体144也可从第一副导体143的第二边1432上缝隙耦合第一高频电流至该第二副导体144的第一边1441上，第一高频电流抵消部分第二高频电流。

第四副导体146从辐射体13平行耦合获取的高频电流以及与第一副导体143之间的缝隙耦合抵消高频电流的原理与第二副导体144的电气原理相同。第三副导体145从辐射体13平行耦合获取高频电流以及与第二副导体144及第四副导体146之间缝隙耦合抵消电流的电气原理相同。在此为节省篇幅，不在赘述。

由此，四个副导体142相互缝隙耦合抵消从辐射体13上平行耦合获取的高频电流，以清除辐射单元10上的高频电流，使得辐射单元10在被外部高频信号透射时，不会影响辐射单元10的辐射性能，以便于本发明的辐射单元10与高频辐射单元10共阵设置。

在一个实施例中，所述第二副导体144上的第二高频电流与第三高频电流的流向相反，当第一副导体143不能完全缝隙耦合完第二高频电流，第三副导体145不能完全缝隙完第三高频电流时，第二副导体144上剩余的第二高频电流与第三高频电流可相互抵消，以清除第二副导体144上的高频电流。所述第四副导体146上的两路高频电流的相互抵消的方式与第二副导体144的两路高频电流的抵消方式相同，在此为节省篇幅，不在赘述。

在一个实施例中，结合图7与图8，每个副导体142上还设有第二镂空结构1421，该第二镂空结构1421的形状与该第二镂空结构1421所在的副导体142的形状相对应，以使得副导体142呈环状结构。例如，所述副导体142呈等腰三角形状，所述第二镂空结构1421也呈等腰三角形状，由此使得所述副导体142呈环状结构。优选的，所述第二镂空结构1421的尺寸为所在的副导体142的尺寸的50％至95％。

在本发明的典型实施例中，结合图2，辐射体13对应频率选择单元14于第一参考平面上的投影设有第一镂空结构131，所述第一镂空结构131的形状与所述频率选择单元14于第一参考平面上的投影的外轮廓的形状相对应。所述第一镂空结构131的尺寸小于频率选择单元14于第一参考平面上的投影的外轮廓的尺寸。优选的，所述第一镂空结构131的尺寸为所述频率选择单元14预第一参考平面上的投影的50％至95％。

在辐射体13上设置第一镂空结构131，以缩小辐射体13阻挡外部高频信号所透射的面积，减少辐射体13被外部高频信号激励所产生的高频电流的量。且在辐射体13上设置第一镂空结构131，可使得外部高频信号直接透射至频率选择单元14，频率选择单元14被外部高频信号激励直接产生高频电流，以避免频率选择单元14不能将辐射体13上的高频电流完全平行耦合至该频率选择单元14上，造成辐射体13上有剩余高频电流，影响辐射单元10的辐射性能。

具体言之，所述频率选择单元14呈矩形状，所述频率选择单元14于第一参考平面上的投影也呈矩形状，对应的所述第一镂空结构131也呈矩形状。优选的，所述辐射体13呈环状或长条状，辐射体13对应设有第一镂空结构131所处区段构成方环状结构。

在本发明的典型实施例中，结合图1、图5、图6及图7，当所述辐射体13呈环状或长条状时，辐射部12的多个所述频率选择单元14沿所述辐射体13于第二参考平面的投影布设轨迹依次设置。

具体言之，所述频率选择单元14沿所述辐射体13的布设轨迹依次设置，在辐射体13的同一区段于第二参考平面上的投影区域内，只设置一个频率选择单元14。

结合图2与图7，所述频率选择单元14的横向宽度大于或等于辐射体13的横向宽度，也即是说，在第一参考平面的投影方向上，频率选择单元14的投影与辐射体13的投影相重合或者部分重叠。频率选择单元14的横向宽度大于或等于辐射体13的横向宽度，可提高频率选择单元14与辐射体13之间的平行耦合效率，避免频率选择单元14不能将辐射体13的所有高频电流平行耦合至该频率选择单元14之上。

在一个实施例中，结合图7，所述辐射体13对应相邻两个频率选择单元14之间的间隙空间于第一参考平面上的投影设有第三镂空结构132，该第三镂空结构132的形状与该间隙空间于第一参考平面上的投影的形状相同，以使得辐射体13在设有第三镂空结构132的区段处形成镂空结构。在所述辐射体13上设置第三镂空结构132可减少辐射体13的面积，减少辐射体13阻挡外部高频信号的面积，减少辐射体13被外部高频信号激励所产生的高频电流的量。优选的，所述第三镂空结构132的尺寸为所对应的间隙空间在第一参考平面上的投影的50％至95％。

在一个实施例中，所述辐射体13呈片状，所述多个频率选择单元14均布于所述辐射体13于第二参考平面上的投影所处的区域内。

在本发明的典型实施例中，结合图1、图3至图7，所述辐射单元10还包括介质板16，所述第一参考平面设置于所述介质板16的反面上，所述第二参考平面设置于所述介质板16的正面上，也即是说，所述辐射体13设置于介质板16的反面上，所述频率选择单元14设置于介质板16的正面上。所述辐射体13与频率选择单元14分别设置于介质板16的正反两面上，便于生产制造所述辐射单元10，节省加工成本。

在另一个实施例中，所述第一参考平面设置于介质板16的正面上，所述第二参考平面设置于介质板16的反面上。

在一个实施例中，本发明的辐射单元为偶极子辐射单元。

在一个实施例中，结合图9，所述辐射单元10还包括一对巴伦17，该一对巴伦17插接于馈电部15，以便于为辐射单元10馈电。

本发明还提供了一种天线，结合图9，该天线包括反射板70与设置于反射板70上的低频辐射单元列与高频辐射单元列60。所述低频辐射单元列包括多个彼此并联馈电的低频辐射单元，所述低频辐射单元为上文所述的辐射单元10，所述高频辐射单元列60包括多个彼此并联馈电的高频辐射单元61。所述低频辐射单元10与所述高频辐射单元相邻设置，且低频辐射单元10于反射板70上的投影完全覆盖或部分覆盖与之相邻的高频辐射单元61于反射板70上的投影。

所述低频辐射单元列与高频辐射单元列60均沿同一轴线共线布阵，因低频辐射单元列的低频辐射单元为上文所述的辐射单元10，低频辐射单元可通过频率选择单元抵消被高频辐射单元61发射的高频信号激励产生的高频电流，不会影响低频辐射单元10与高频辐射单元61的辐射性能。

结合图10、图11及图12，图10为不与低频辐射单元共阵时的高频辐射单元的方向图；图11为普通低频辐射单元与高频辐射单元共阵时，高频辐射单元的方向图；图12为本发明的典型实施例的辐射单元10与高频辐射单元共阵时，高频辐射单元的方向图。由图10与图11可知，当高频辐射单元与普通的低频辐射单元共阵设置时，高频辐射单元的方向图产生了较大的畸变，极大的影响了高频辐射单元的辐射性能。由图10与图12可知，当高频辐射单元与本发明的典型实施例的辐射单元共阵设置时，高频辐射单元的方向图和未与低频辐射单元共阵的高频辐射单元的方向图基本相同。与本发明的典型实施例的辐射单元共阵设置的高频辐射单元的辐射性能与未与低频辐射单元共阵设置的高频辐射单元的辐射性能基本相同。

由此，可知本发明的辐射单元与高频辐射单元共阵设置时，不会影响高频辐射单元的辐射性能，本发明的辐射单元便于与高频辐射单元共阵设置。

本发明还提供了一种基站，所述基站配置了上文所述的天线，通过所述天线接收或发射相应频段的天线信号。

综上所述，本发明的辐射单元通过设置频率选择单元可抵消因外部高频信号透射而激励产生的高频电流，使得辐射单元维持其辐射性能，以便于本发明的辐射单元作为低频辐射单元与高频辐射单元共阵设置。

以上描述仅为本发明的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本发明中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离上述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本发明中发明的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

尽管已经采用特定于结构特征和/或方法逻辑动作的语言描述了本主题，但是应当理解所附权利要求书中所限定的主题未必局限于上面描述的特定特征或动作。相反，上面所描述的特定特征和动作仅仅是实现权利要求书的示例形式。

Claims (11)

1.一种辐射单元，包括辐射部和为辐射部馈电的馈电部，其特征在于，所述辐射部包括辐射体与多个频率选择单元，所述频率选择单元与所述辐射体分别处于不同参考平面构成平行耦合关系，所述频率选择单元通过设置交叉镂空结构而将其分为具有缝隙耦合关系的多个副导体，相互缝隙耦合的两个副导体可从所述辐射体上耦合获得流向相反的两路电流；

所述辐射体对应所述频率选择单元于该辐射体所在参考平面的投影设有第一镂空结构，所述第一镂空结构的形状与所述频率选择单元的投影的外轮廓相对应。

2.如权利要求1所述的辐射单元，其特征在于，所述多个副导体在结构上互不相连，每个副导体的两侧设有构成所述交叉镂空结构的两个缝隙，副导体经该两个缝隙而分别与两个相邻的副导体构成缝隙耦合关系。

3.如权利要求2所述的辐射单元，其特征在于，所述频率选择单元通过设置所述交叉镂空结构而形成四个副导体，该四个副导体关于所述频率选择单元的垂直于纵长轴线的中垂线呈对称结构。

4.如权利要求3所述的辐射单元，其特征在于，所述频率选择单元呈圆形、椭圆形及多边形中的任意一种。

5.如权利要求1所述的辐射单元，其特征在于，所述副导体内设有第二镂空结构，所述第二镂空结构的形状与其所在的副导体的形状相对应，以使所述副导体构成环状结构。

6.如权利要求1所述的辐射单元，其特征在于，所述多个频率选择单元按所述辐射体的布设轨迹依次设置。

7.如权利要求6所述的辐射单元，其特征在于，所述辐射体对应相邻两个频率选择单元之间的间隙空间于该辐射体上的投影设有第三镂空结构，该第二镂空结构的形状与所述间隙空间的投影的形状相对应。

8.如权利要求6所述的辐射单元，其特征在于，所述频率选择单元的横向宽度大于或等于所述辐射体的横向宽度，在辐射体所在参考平面的投影方向上，所述频率选择单元的投影与所述辐射体的投影完全重叠或部分重叠。

9.如权利要求1至8任意一项所述的辐射单元，其特征在于，所述辐射单元还包括介质板，所述辐射体与所述频率选择单元所在的参考平面分别设置于介质板的正反两面。

10.一种天线，包括反射板与辐射阵列，所述辐射阵列包括构成低频辐射阵列的低频辐射单元列与构成高频辐射单元阵列的高频辐射单元列，其特征在于，至少存在一个低频辐射单元列布设于多个高频辐射单元列之间，所述布设于多频高频辐射单元列之间的低频辐射单元为如权利要求1至9任意一项所述的辐射单元，在面向反射板的投影方向上，至少一个所述的低频辐射单元的投影完全或部分覆盖所述高频辐射单元列中与之相邻的多个高频辐射单元的投影。

11.一种基站，其特征在于，该基站配置有如权利要求10所述的天线，用于发射该基站通行的信号。