CN115966900A - 一种宽带高隔离双频mimo单极锥天线阵列 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列，工作频率为2.4GHz‑2.5GHz以及5GHz‑6GHz，解决双频MIMO天线阵列中天线单元间强耦合问题。本发明包括两个单极锥天线组成的双频MIMO天线阵列、低频去耦元件、高频去耦元件、系统地板。单极锥天线通过顶帽加载以及添加接地短柱获得一个较宽的匹配带宽；低频去耦单元由两个“C”形环、一个长条带以及三个接地短柱构成；高频去耦元件由垂直系统地板的接地短柱以及平行系统地板放置的短柱构成。低频去耦元件的引入不仅可以增大低频端口隔离度，还可以略微增大天线高频段的隔离度并且改善低频匹配条件，而高频去耦元件的引入则能明显改善天线高频段的隔离性能。

Description

一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列

技术领域

本发明属于电磁场与微波技术领域，涉及一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列，具体是一种工作在双频带上且两个天线单元在工作频带上具有高隔离特性的单极锥天线阵列，其中低频为2.4GHz-2.5GHz频带，高频为5GHz-6GHz频带。

背景技术

在5G无线通信领域中，频谱资源是尤为宝贵且稀缺的，多输入多输出(Multi-Input Multi-Output，MIMO)技术可以在不扩大频谱资源使用的同时极大的提高信道容量和高数据传输速率，因此被广泛的应用于现代无线通信系统。但在实际系统的设计中存在空间限制，迫使天线单元之间摆放过于紧密，天线之间会产生强烈的互耦，互耦的产生会降低天线的辐射效率，恶化匹配条件，扭曲辐射模式。为了减小MIMO系统天线单元之间的互耦从而获得满意的MIMO系统性能，多种去耦方案被陆续提出。

目前已有的去耦方案包括缺陷地结构，去耦中和线，寄生单元，去耦匹配网络，周期谐振结构，自解耦等。缺陷地结构是通过抑制地板上的耦合电流的产生来实现高隔离度，但会导致背向辐射的产生；去耦中和线是通过产生额外的耦合路径用于削弱原有的天线耦合，从而增大隔离，但由于与天线辐射主体直接相连，往往会恶化天线的匹配条件；寄生单元是一种无源去耦器件，通常不与天线直接相连，而是利用其与天线本身的耦合效应来达到去耦的目的，但寄生单元的引入会增大整体结构轮廓，不利于小型化天线设计；去耦匹配网络是基于所需的匹配以及隔离条件通过运算得到的，往往设计复杂且增加了整体结构轮廓；周期谐振结构是通过抑制指定频率波的传播从而提高天线之间的隔离，常见的周期谐振结构有频率选择表面，电磁带隙结构，超表面等，但实现这些结构会使用到多层结构，会导致整体轮廓的增大；自解耦方案是通过适当的结构设计以及天线排布位置设计来提高隔离度，但目前应用起来具有很大的局限性。

上述提到的去耦方案虽然均能对MIMO天线阵列起到一定的去耦效果，但都存在一定的不足之处，或是恶化天线匹配条件从而导致辐射模式畸变，或是结构轮廓过大且设计过于复杂，这些缺陷都是实际MIMO天线阵列设计当中所不能接受的。同时现有的去耦方案大多只适用于单频带去耦，双频乃至多频MIMO天线阵列的去耦方案目前发展还较为缓慢。

随着5G无线通信技术的不断发展，对于信道容量以及数据传输速率的要求会越来越高，天线单元越来越多，去耦场景越来越复杂都对未来MIMO天线阵列去耦提出了更高的要求，因此一种适用于双频段且天线单元之间拥有高隔离度的MIMO天线阵列的设计方案变得尤为重要。

本发明提出了一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列，利用单极锥天线的慢波效应获得一个较宽的匹配带宽，再利用顶帽加载以及添加接地短柱来降低单极锥天线的轮廓，调谐使双单元单极锥天线阵列工作在感兴趣的双频带上，引入低频去耦元件使2.4GHz-2.5GHz频带内隔离显著提高，且低频带内匹配条件得到改善，高频段5GHz-6GHz频带内隔离略微提升，引入高频去耦元件使得高频段带内互耦降低20dB以上，并且对低频去耦元件不产生干扰，高频去耦元件能够与低频去耦元件同时作用达到双频去耦的目的，且高频以及低频去耦元件的去耦作用均能用等效电路来进一步解释。

发明内容

本发明的目的在于针对现有去耦方案的不足，提供一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列。

为了达到上述目的，本发明采用了下列技术方案：

一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列，为全向天线阵列，包括两个轴对称的单极锥天线(1)、低频去耦元件、高频去耦元件、以及系统地板；

所述单极锥天线(1)的外周连接有环状结构的顶帽(2)，顶帽(2)底部设有两根关于单极锥天线(1)中心对称的第一接地短柱(3)，所述单极锥天线(1)通过锥顶加载馈电贴片(4)激励；

所述低频去耦元件位于两个单极锥天线(1)间，包括两个“C”形环(5)、长条带(6)、两个第二接地短柱(7)、第三接地短柱(8)；所述“C”形环(5)位于所述顶帽(2)的下方，且所述“C”形环(5)与所述顶帽(2)间留有间隙；两个“C”形环(5)的外凸侧中心通过长条带(6)连接；所述“C”形环(5)与所述长条带(6)的连接端下方设有第二接地短柱(7)，所述长条带(6)的中心位置下方设有第三接地短柱(8)；所述低频去耦元件会对低频以及高频均有去耦效果，高频去耦元件对高频去耦效果明显但对于低频段可以视为透明单元；

所述高频去耦元件位于低频去耦元件两侧，包括两个关于所述长条带(6)轴对称的高频去耦元件，每个高频去耦元件包括相互正交的金属短柱(9)、第四接地短柱(10)；所述金属短柱(9)与所述长条带(6)垂直设置，且两者间留有间距；所述第四接地短柱(10)与所述第三接地短柱(8)平行设置；

所述第一接地短柱(3)、第二接地短柱(7)、第三接地短柱(8)、第四接地短柱(10)接系统地板；所述金属短柱(9)与系统地板平行设置；

作为优选，两个单极锥天线(1)中心距离为0.8λ₀，λ₀表示低频与高频的平均中心频率所对应波长；

作为优选，第一接地短柱(3)与所在单极锥天线(1)中心的距离为0.28λ₀；

作为优选，低频去耦元件中“C”形环(5)与所述顶帽(2)的距离为0.003λ₀；

作为优选，所述长条带(6)的长度为0.26λ₀；

作为优选，所述第二接地短柱(7)、第三接地短柱(8)的高度为0.13λ₀。

作为优选，所述第一接地短柱(3)的高度hm为0.14λ₀。

作为优选，所述第四接地短柱(10)的高度为0.1λ₀，所述金属短柱(9)的长度为0.25λ₀，接地短柱的高以及平行短柱的长均会影响高频去耦效果。

所述第二接地短柱(7)是为了优化低频的匹配条件，调节第二接地短柱(7)的沿着所述金属短柱(9)平行方向的长度会对低频匹配条件造成影响，第二接地短柱(7)长度优选为0.02λ₀。

所述第一接地短柱(3)、第二接地短柱(7)、第三接地短柱(8)、第四接地短柱(10)不仅具有去耦以及调节匹配的作用，同时能够起到支撑固定单极锥天线(1)及去耦元件的作用。

所述单极锥天线(1)、系统地板、低频去耦元件、高频去耦元件均采用金属材质，天线本身不存在介质损耗，因此天线的辐射效率很高。

所述单极锥天线(1)的谐振、初始相邻单极锥天线(1)之间的耦合、去耦元件的作用在两个工作频带内均可用对应的等效电路代替，等效电路由若干传输线、电容、电感、电阻串并联构成。

本发明提出的单极锥天线阵列在两个工作频带内均有较低的回波损耗(S11＜-10dB)和较高的端口隔离度(S21＜-30dB)，通过引入低频去耦元件不仅可以使低频段的隔离性能提高，还能略微提高高频段的隔离性能并且改善低频段的匹配条件。低频去耦元件中两个“C”形环(5)、长条带(6)及第三接地短柱(8)是作为去耦元件引入的，两侧第二接地短柱(7)则是起到改善低频段匹配条件的作用；高频去耦元件中第四接地短柱(10)的高以及平行系统地板放置的金属短柱(9)的长均影响高频去耦效果。

本发明的去耦原理可以由等效电路模型来解释，单极锥天线(1)可以等效为RLC串联谐振，两个相邻放置的单极锥天线(1)之间的初始耦合可以由一个电容和两个电感以及两段传输线产生的耦合作用来等效，低频去耦元件等效为由两个电容以及五个电感和两段传输线构成的电路模型，高频去耦元件对于低频可以等效为透明元件，对于高频则等效为RLC耦合电路。对于去耦元件的几何尺寸的改变，相当于对所提出的等效电路中电容电感进行改变从而达到抵消原始耦合的目的。

本发明的有益效果是：本发明是一种应用于双频MIMO天线阵列的去耦方案，低频去耦元件与高频去耦元件工作互不干扰，并且去耦单元均放置在两天线中间位置，因此去耦元件的引入不会增大整体系统的轮廓，相较于其余发明可以实现更高的端口隔离度的提升，去耦以及匹配带宽均优于常规去耦方案，可以适用于更多更复杂的应用场合。

附图说明

图1是所设计宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列的立体结构示意图；

图2是所设计宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列的俯视结构示意图；

图3是所设计宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列的侧视结构示意图；

图4是所设计宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列的等效电路模型；

图5是未添加去耦元件时双频MIMO单极锥天线阵列的S参数图；

图6是仅添加低频去耦元件时双频MIMO单极锥天线阵列的S参数图；

图7是添加高频以及低频去耦元件时双频MIMO单极锥天线阵列的S参数图；

图8是2.45GHz时第一天线单元作为激励单元在theta＝40°平面的辐射方向图；

图9是5.5GHz时第一天线单元作为激励单元在theta＝40°平面的辐射方向图。

具体实施方式

为了进一步阐述本发明的发明目的、技术方案及优势，通过结合实例并对附图结构进行说明，对本发明进行进一步的介绍说明，但本发明并不局限于这个实施例。

图1所示，本发明天线阵列由两个轴对称的单极锥天线1、低频去耦元件、高频去耦元件、系统地板(图1中略去)四部分构成，其中单极锥天线1由单极锥天线主体、加载在单极锥天线主体1顶部的顶帽2、添加在顶帽下方的第一接地短柱3、馈电贴片4组成，低频去耦元件由“C”形环5、矩形金属长条带6、两侧第二接地短柱7、中心第三接地短柱8组成，高频去耦元件由垂直系统地板放置的第四接地短柱10、以及平行地板放置的金属短柱9组成；

图2-3所示为本发明不同方位的结构具体尺寸标注图，其中系统地板置于最底部，宽Wg＝200mm，长Lg＝200mm，高Hg＝0.035mm。单极锥天线经过馈电贴片4馈电被激励，正方形馈电贴片4边长hf为1mm。单极锥天线1由三部分组成，单极锥天线主体部分，锥顶圆口直径df＝1mm，锥底部内圆半径r1＝14mm，外圆半径r2＝14.5mm；顶部加载圆环形状的顶帽2，圆环内径为r2，外径r5＝21.5mm，圆环厚度hy＝0.2mm；底部第一接地短柱3长lm＝1.5mm，wm＝0.2mm，高hm＝10.25mm，距离天线中心距dm＝20.2mm。低频去耦元件由四部分组成，“C”形环5内环半径r3＝17mm，外环半径r4＝20mm，环边缘宽lh＝4.42mm，环厚度hh＝0.5mm；方形长条带6长lr＝20.1mm，宽wr＝2mm，厚为hh；两侧第二接地短柱7长wr，宽wn＝0.1mm，高度hn＝9.5mm；中间位置第三接地短柱8直径dv＝1mm，高度为hn。高频去耦元件由两部分组成，平行地板放置的金属短柱9长lp＝19mm，宽wp＝0.5mm，厚度hp＝1mm；垂直地板第四接地短柱10长lv＝2mm，宽为wp，高度为hv＝7.8mm。两个单极锥天线中心距d为60mm，低频去耦元件放置在两单极锥天线的中间位置，高频去耦元件则置于低频去耦元件的两侧。

图4为本发明的等效电路模型，由单极锥天线等效电路A、单极锥天线之间初始耦合等效电路B、低频去耦元件等效电路C、高频去耦元件等效电路D四部分构成。

单极锥天线等效电路A由RLC串联谐振电路构成，包括电阻R₁、电容C_1a、电感L_1a、电容C_1b、电感L_1b，其中电阻R₁的一端接地，另一端接电容C_1a的一端；电容C_1a的另一端接电感L_1a的一端，电感L_1a的另一端接电感L_1b的一端，电感L_1b的另一端接电容C_1b的一端；电容C_1b的另一端接端口。R₁＝131.71ohm，C_1a＝2.76pF，L_1a＝0.00036nH，C_1b＝4.92pF，L_1b＝2.32nH。

相邻放置的单极锥天线之间的初始耦合等效电路B由两根传输线TLine1、串联电容C₂、串联电感L₂₂、并联接地电感L₂₁构成，其中一根传输线TLine1的一端接其中一个单极锥天线等效电路A内电感L_1a的另一端、电感L_1b的一端，另一端接串联电感L₂₂的一端；串联电感L₂₂的另一端接串联电容C₂的一端；串联电容C₂的另一端接并联接地电感L₂₁的一端；串联电感L₂₁的另一端接另一根传输线TLine1的一端；另一根传输线TLine1的另一端接另一个单极锥天线等效电路A内电感L_1a的另一端、电感L_1b的一端。传输线TLine1的特征阻抗z₁＝48.13ohm，电长度e₁＝26.58°，C₂＝0.85pF，L₂₁＝6.37nH，L₂₂＝6.37nH。

低频去耦元件的等效电路C由两个串联传输线Tline2、两个串联电容C₃、两个串联电感L_3a、两个两侧的并联电感L_3b、中间并联电感L_3c组成，其中一根串联传输线Tline2的一端连接其中一个单极锥天线等效电路A内端口Port，另一端接其中一个串联电容C₃的一端；其中一个串联电容C₃的另一端接其中一个串联电感L_3a的一端、其中一个并联电感L_3b的一端；其中一个并联电感L_3b的另一端接另一个串联电感L_3a的一端、中间并联电感L_3c的一端；另一个串联电感L_3a的另一端接另一个并联电感L_3b的一端、另一个串联电容C₃的一端；另一个串联电容C₃的另一端接另一根串联传输线Tline2的一端；另一根串联传输线Tline2的另一端接另一个单极锥天线等效电路A内端口Port；两个并联电感L_3b的另一端、中间并联电感L_3c的另一端接地。C₃＝0.036pF，L_3a＝22.32nH，L_3b＝39.87nH，L_3c＝3.01nH，串联传输线电长度e₂＝0°可以等效为导线。

高频去耦元件的等效电路D由电阻R₄、电感L₄、电容C₄串联构成，与低频去耦元件的等效电路C并联设置；电阻R₄的一端接其中一个单极锥天线等效电路A内端口Port，另一端接电感L₄的一端；电感L₄的另一端接电容C₄的一端；电容C₄的另一端接另一个单极锥天线等效电路A内端口Port；其中R₄＝179.95ohm，L₄＝12.22nH，C₄＝0.08pF。

改变本发明中一些部件尺寸可以等效为对等效电路当中的电容电感进行改变，通过调谐这些关键参数可以找到最优的双频去耦结构。高频等效电路对于低频的去耦效果没有影响，因此在对2.4GHz-2.5GHz频段进行等效电路模型的构建时，未添加图4中高频等效电路D。

本发明的设计步骤如下：

首先建立一个单极锥天线模型以及系统地板，通过加载顶帽以及第一接地短柱并调谐优化使此时天线处于一个全向辐射的状态且在两个工作频带内均有良好的匹配；

第二步构MIMO单极锥天线系统，将两单极锥天线中心对齐放置，由于此时两个单极锥天线放置较为紧密，如图5所示，在2.4GHz-2.5GHz及5GHz-6GHz两个工作频带内互耦均较为强烈(S21＞-15dB),并且此时辐射模式由于互偶的存在发生了明显的畸变；

第三步加入低频去耦元件，通过调谐低频去耦元件，如图6所示使2.4GHz-2.5GHz频带内耦合明显降低，隔离度由初始带内12.5dB左右提升至带内40dB以上，且高频带内隔离度也有小幅提升，低频匹配也得到了改善，带内S11由-17dB到-22dB，其中“C”形环以及金属长条带以及中间第三接地短柱起到增大隔离的作用，两侧第二接地短柱起到改善匹配的做用，去耦效果主要受“C”形环的尺寸r3，r4，lh以及距离顶帽的距离(hm-hn-hh)影响；

图5为未添加去耦元件的双频MIMO单极锥天线阵列的S参数图，此时端口隔离度较低；

图6为仅添加了低频去耦元件的双频MIMO单极锥天线阵列的S参数图，此时低频耦合得到了明显的缓解，高频耦合略微减小；

第四步加入高频去耦元件，通过调谐高频去耦元件得到如图7所示S参数，可以看到在5GHz-6GHz频带内隔离度得到了明显提升，由原先的带内20dB提升至带内均大于40dB，并且高频匹配得到了改善，图8-9分别为本发明在2.45GHz以及5.5GHz下theta＝40°时辐射方向图，可以看到此时MIMO天线阵列处于一个全向辐射模式，证实引入低频去耦元件以及高频去耦元件均不会使天线辐射模式发生畸变。

本发明不仅提高了MIMO系统的端口隔离度，由于所有部件均为金属结构提高了天线的辐射效率，并改善了发生畸变的辐射模式。当去耦后的MIMO天线系统应用于5G无线通信系统时，可以使5G通信系统的信道容量，数据吞吐量都有一个比较好的提升。

本发明为一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列，在2.4GHz-2.5GHz以及5GHz-6GHz两个频带内匹配良好，隔离性能优秀，匹配隔离带宽大，辐射效率高，辐射模式为全向辐射，本发明的这些优势能够比其他方案更加适用于现代5G无线通信系统中对天线系统高信道容量，高数据吞吐量的要求。

上述仅为本发明的一个实施例，仅用于阐述本发明的设计方法以及核心设计思想。本发明提出的去耦方案不仅仅局限于本实施例的两个频带，通过调整去耦单元也能够去耦其他频带，其次此发明不仅仅局限于双单元MIMO天线系统，在多单元乃至大规模MIMO天线系统中也有应用前景。应当指出的是对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，仍然可以对本发明进行优化改进，这些优化改进也将落入本发明权利要求的保护范围内。本发明并未限制具体实施方式的范围，对本技术领域的普通技术人员来讲，只要发生的各种变化在所附的权利要求限定和确定的本发明的精神和范围内，一切以本发明为设计思想构思的发明创造均在保护之列。

Claims (10)

1.一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列，为全向天线阵列，其特征在于包括两个轴对称的单极锥天线(1)、低频去耦元件、高频去耦元件、以及系统地板；

所述单极锥天线(1)的外周连接有环状结构的顶帽(2)，顶帽(2)底部设有两根关于单极锥天线(1)中心对称的第一接地短柱(3)，所述单极锥天线(1)通过锥顶加载馈电贴片(4)激励；

所述低频去耦元件位于两个单极锥天线(1)间，包括两个“C”形环(5)、长条带(6)、两个第二接地短柱(7)、第三接地短柱(8)；所述“C”形环(5)位于所述顶帽(2)的下方，且所述“C”形环(5)与所述顶帽(2)间留有间隙；两个“C”形环(5)的外凸侧中心通过长条带(6)连接；所述“C”形环(5)与所述长条带(6)的连接端下方设有第二接地短柱(7)，所述长条带(6)的中心位置下方设有第三接地短柱(8)；

所述高频去耦元件位于低频去耦元件两侧，包括两个关于所述长条带(6)轴对称的高频去耦元件，每个高频去耦元件包括相互正交的金属短柱(9)、第四接地短柱(10)；所述金属短柱(9)与所述长条带(6)垂直设置，且两者间留有间距；所述第四接地短柱(10)与所述第三接地短柱(8)平行设置；

所述第一接地短柱(3)、第二接地短柱(7)、第三接地短柱(8)、第四接地短柱(10)接系统地板；所述金属短柱(9)与系统地板平行设置。

2.根据权利要求1所述的一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列，其特征在于，两个单极锥天线(1)中心距离为0.8λ₀，λ₀表示低频与高频的平均中心频率所对应波长；第一接地短柱(3)与所在单极锥天线(1)中心的距离为0.28λ₀；低频去耦元件中“C”形环(5)与所述顶帽(2)的距离为0.003λ₀。

3.根据权利要求1所述的一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列，其特征在于，所述长条带(6)的长度为0.26λ₀。

4.根据权利要求1所述的一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列，其特征在于，所述第二接地短柱(7)、第三接地短柱(8)的高度为0.13λ₀。

5.根据权利要求1所述的一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列，其特征在于，所述第一接地短柱(3)的高度hm为0.14λ₀。

6.根据权利要求1所述的一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列，其特征在于，所述第四接地短柱(10)的高度为0.1λ₀，所述金属短柱(9)的长度为0.25λ₀。

7.根据权利要求1或4所述的一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列，其特征在于，所述第二接地短柱(7)长度为0.02λ₀。

8.根据权利要求1所述的一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列，其特征在于，所述单极锥天线(1)、系统地板、低频去耦元件、高频去耦元件均采用金属材质。

9.根据权利要求1所述的一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列，其特征在于，低频为2.4GHz-2.5GHz频带，高频为5GHz-6GHz频带。

10.根据权利要求1所述的一种宽带高隔离双频MIMO单极锥天线阵列，其特征在于，

两个单极锥天线(1)等效电路A由RLC串联谐振电路构成，包括电阻R₁、电容C_1a、电感L_1a、电容C_1b、电感L_1b，其中电阻R₁的一端接地，另一端接电容C_1a的一端；电容C_1a的另一端接电感L_1a的一端，电感L_1a的另一端接电感L_1b的一端，电感L_1b的另一端接电容C_1b的一端；电容C_1b的另一端接端口；R₁＝131.71ohm，C_1a＝2.76pF，L_1a＝0.00036nH，C_1b＝4.92pF，L_1b＝2.32nH；

两个单极锥天线(1)之间的初始耦合等效电路B由两根传输线TLine1、串联电容C₂、串联电感L₂₂、并联接地电感L₂₁构成，其中一根传输线TLine1的一端接其中一个单极锥天线等效电路A内电感L_1a的另一端、电感L_1b的一端，另一端接串联电感L₂₂的一端；串联电感L₂₂的另一端接串联电容C₂的一端；串联电容C₂的另一端接并联接地电感L₂₁的一端；串联电感L₂₁的另一端接另一根传输线TLine1的一端；另一根传输线TLine1的另一端接另一个单极锥天线等效电路A内电感L_1a的另一端、电感L_1b的一端；传输线TLine1的特征阻抗z₁＝48.13ohm，电长度e₁＝26.58°，C₂＝0.85pF，L₂₁＝6.37nH，L₂₂＝6.37nH；

低频去耦元件的等效电路C由两个串联传输线Tline2、两个串联电容C₃、两个串联电感L_3a、两个两侧的并联电感L_3b、中间并联电感L_3c组成，其中一根串联传输线Tline2的一端连接其中一个单极锥天线等效电路A内端口Port，另一端接其中一个串联电容C₃的一端；其中一个串联电容C₃的另一端接其中一个串联电感L_3a的一端、其中一个并联电感L_3b的一端；其中一个并联电感L_3b的另一端接另一个串联电感L_3a的一端、中间并联电感L_3c的一端；另一个串联电感L_3a的另一端接另一个并联电感L_3b的一端、另一个串联电容C₃的一端；另一个串联电容C₃的另一端接另一根串联传输线Tline2的一端；另一根串联传输线Tline2的另一端接另一个单极锥天线等效电路A内端口Port；两个并联电感L_3b的另一端、中间并联电感L_3c的另一端接地；C₃＝0.036pF，L_3a＝22.32nH，L_3b＝39.87nH，L_3c＝3.01nH，串联传输线Tline2电长度e₂＝0°；

高频去耦元件的等效电路D由电阻R₄、电感L₄、电容C₄串联构成，与低频去耦元件的等效电路C并联设置；电阻R₄的一端接其中一个单极锥天线等效电路A内端口Port，另一端接电感L₄的一端；电感L₄的另一端接电容C₄的一端；电容C₄的另一端接另一个单极锥天线等效电路A内端口Port；其中R₄＝179.95ohm，L₄＝12.22nH，C₄＝0.08pF；所述单极锥天线(1)由RLC串联谐振电路等效，其中R₁＝131.71ohm，C_1a＝2.76pF，L_1a＝0.00036nH，C_1b＝4.92pF，L_1b＝2.32nH。

Images