CN113881084B - 亲水性粒子的制造方法以及亲水性粒子 - Google Patents
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 247
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims abstract description 59
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 25
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 20
- -1 polymethylsiloxane Polymers 0.000 claims description 15
- 239000007771 core particle Substances 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 7
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 5
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 5
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 5
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 239000011246 composite particle Substances 0.000 description 4
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 4
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 3
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 description 2
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000006864 oxidative decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl prop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C=C KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001246 bromo group Chemical group Br* 0.000 description 1
- SXPLZNMUBFBFIA-UHFFFAOYSA-N butyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCC[Si](OC)(OC)OC SXPLZNMUBFBFIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N diphosphonate Chemical compound O=P(=O)OP(=O)=O YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000008098 formaldehyde solution Substances 0.000 description 1
- 239000012767 functional filler Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- RJMRIDVWCWSWFR-UHFFFAOYSA-N methyl(tripropoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](C)(OCCC)OCCC RJMRIDVWCWSWFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N phosphorus pentoxide Inorganic materials O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 229910000033 sodium borohydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012279 sodium borohydride Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(ethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(OCC)OCC DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N triethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OCC)(OCC)OCC NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
- C08J7/08—Heat treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/38—Polysiloxanes modified by chemical after-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2383/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Derivatives of such polymers
- C08J2383/04—Polysiloxanes
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Abstract
本发明提供一种能够容易获得在保持适度柔软性的同时赋予亲水性的亲水性粒子的制造方法以及亲水性粒子。亲水性粒子的制造方法具备烧成工序，其将10％K值在2GPa以上、20GPa以下的范围内的聚有机硅氧烷粒子在氧浓度为7体积％以上的环境下进行烧成。从聚有机硅氧烷粒子得到的亲水性粒子的吸水率在2％以上，10％K值则在2GPa以上、25GPa以下的范围内。
Description
技术领域
本发明涉及一种亲水性粒子的制造方法以及亲水性粒子。
背景技术
作为功能性粒子的核壳粒子，一直以来就有广泛的研究，众所周知，为了提高核粒子和壳层的附着性，实施亲水化处理作为使得核粒子表面改性的物理性或化学性处理技术。
作为使核粒子的表面亲水化的物理性处理技术，例如可以列举氩激光照射、等离子处理、臭氧照射等。例如，专利文献1公开了一种利用通过低温等离子处理使表面亲水化的高分子聚合物微粒子(核粒子)，获得提高了金属层之间的附着性的金属膜微粒子的方法。
然而，这样的低温等离子处理是在真空下进行的处理，需要特殊的大型设备。另外，由于进行等离子照射(蚀刻处理)并不能使各个微粒子的整个表面均匀，所以作为微粒子的亲水化处理却不一定适合。
另一方面，作为使核粒子的表面亲水化的化学性处理技术，例如可以列举与气体接触的处理技术。例如，专利文献2公开了一种通过使用氟气体和含氧原子的化合物的气体的混合气体来处理乙烯基系聚合物微粒子而进行亲水化的方法。
但是，由于上述处理中使用的气体含有毒性和危险性的氟气体，所以在安全方面存在疑点。另外，在将高分子聚合物粒子作为核粒子使用的情况下，也存在不能充分获得耐热性，粒子的使用用途有限的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开2007-184278号公报
专利文献2:日本专利特开2010-072492号公报
发明内容
发明要解决的问题
对于如上所述的乙烯基系聚合物微粒子，由于聚有机硅氧烷粒子例如具有优异的粒径精度和适度的柔软性和耐热性，所以可以优选地用作功能性粒子的核粒子。然而，聚有机硅氧烷粒子本身是疏水性的，如果要给这样的聚有机硅氧烷粒子自身赋予亲水性，则存在会失去适度的柔软性的问题。
本发明的目的在于提供一种能够容易地获得在保持适度柔软性的同时赋予亲水性的亲水性粒子的制造方法和亲水性粒子。
解决问题的方法
解决上述问题的亲水性粒子的制造方法具备烧成工序，其将10％K值在2GPa以上、20GPa以下的范围内的聚有机硅氧烷粒子在氧浓度为7体积％以上的环境下进行烧成。
根据该方法，通过使用具有上述10％K值的聚有机硅氧烷粒子，即使在氧气浓度为7体积％以上的环境下进行烧成，也不会急速变硬，而且，通过在这样的氧浓度的环境下进行烧成，能够适当地提高吸水率。
在上述亲水性粒子的制造方法中，通过所述烧成工序，优选获得吸水率在2％以上，10％K值在2GPa以上、25GPa以下的范围内的亲水性粒子。
在上述亲水性粒子的制造方法中，优选为，所述聚有机硅氧烷粒子是聚甲基硅氧烷粒子，所述氧浓度在20体积％以上、40体积％以下的范围内，所述烧成工序中的烧成温度在300℃以上、480℃以下的范围内。
在上述亲水性粒子的制造方法中，优选为，所述烧成工序中的烧成时间在1小时以上、150小时以下的范围内。
从聚有机硅氧烷粒子得到的亲水性粒子，优选为，吸水率在2％以上，10％K值在2GPa以上、25GPa以下的范围内。
发明效果
根据本发明，可以容易地获得在保持适度柔软性的同时赋予亲水性的亲水性粒子。
具体实施方式
以下，对亲水性粒子的制造方法和亲水性粒子的一个实施方式进行说明。
首先，对亲水性粒子进行说明。
亲水性粒子是从聚有机硅氧烷粒子中获得的。聚有机硅氧烷以硅氧烷骨架作为主体，并具有有机基团。作为聚有机硅氧烷，例如，可列举三烷氧基硅烷的缩合物。
作为三烷氧基硅烷，例如，可列举：甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、甲基三丙氧基硅烷、甲基三异丙氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、丙基三乙氧基硅烷、丁基三甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷(γglycidoxypropyltrimethoxysilane)、γ-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷，以及γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷。三烷氧基硅烷可以使用一种或两种以上。
此外，三烷氧基硅烷可以与选自四烷氧基硅烷，二烷氧基硅烷和单烷氧基硅烷中的至少一种组合使用。通过选择这些各种硅烷化合物和有机置换基的种类，也可以任意设计粒子的机械特性等各种物性。作为聚有机硅氧烷，从容易调整到任意物性的观点来看，优选为聚甲基硅氧烷。
亲水性粒子的10％K值在2GPa以上、25GPa以下的范围内，优选在2GPa以上、20GPa以下的范围内，更优选在5GPa以上、15GPa以下的范围内。
例如，在作为电子构件等隔片(spacer)而使用亲水性粒子或将亲水性粒子作为核粒子的复合粒子的情况下，为了发挥层间保持(隔片)功能，亲水性粒子的10％K值更优选为5GPa以上。另外，从难以对使亲水性粒子接触的周边构件造成物理性损伤的观点来看，亲水性粒子的10％K值更优选为20GPa以下。作为使亲水性粒子接触的周边构件，例如可以列举形成在基板上的定向膜和保护膜、滤色器、或者是ITO导电膜和电路等的电气元件。
亲水性粒子的吸水率在2％以上，优选为5％以上。在亲水性粒子的吸水率为2％以上的情况下，对水中的分散性良好，例如，在通过亲水性粒子的水系处理形成膜的情况下，能够形成更均匀的膜。在这里，可以推测亲水性粒子的吸水率越高，聚有机硅氧烷粒子的包含内部的粒子整体的改性(亲水化)程度越高。特别是在亲水性粒子的吸水率为5％以上的情况下，推测连粒子内部也可充分地进行亲水化，能够形成更均匀的膜。
亲水性粒子表面上存在的OH基团的量，可以用OH基团与键合到Si原子的O原子的比率，即表面原子浓度比(OH/O比)来进行表示。表面原子浓度比(OH/O比)可以通过使用后述的X射线光电子能谱(ESCA)的定量分析来测量。从进一步提高对水中的分散性的观点来看，亲水性粒子的表面原子浓度比(OH/O比)优选为0.003以上。
亲水性粒子的粒径为，通过库尔特颗粒计数器法求出的平均粒径优选为在0.5μm以上、200μm以下的范围内。具有该范围的平均粒径的亲水性粒子、以亲水性粒子为核粒子的复合粒子，在电子构件等中，例如可以优选地用作隔片。亲水性粒子的平均粒径可以根据具体用途来设定。例如，在将亲水性粒子用于液晶面板用的隔片的情况下，亲水性粒子的平均粒径优选在1μm以上、15μm以下的范围内。例如，在将亲水性粒子用于有机EL用的隔片的情况下，亲水性粒子的平均粒径优选在6μm以上、16μm以下的范围内。例如，在将亲水性粒子用于PDLC即高分子分散型液晶用的隔片的情况下，亲水性粒子的平均粒径优选在7μm以上、25μm以下的范围内。例如，在将亲水性粒子用于3D快门用的隔片的情况下，亲水性粒子的平均粒径优选在25μm以上、50μm以下的范围内。例如，在将亲水性粒子用于LED照明用的隔片的情况下，亲水性粒子的平均粒径优选在40μm以上、120μm以下的范围内。
亲水性粒子的粒径分布由CV值即变动系数表示。亲水性粒子的CV值优选为5％以下，更优选为2.5％以下。CV值5％以下的亲水性粒子的粒径偏差小，可以优选地用作隔片。另外，亲水性粒子优选为球形的单分散粒子。
亲水性粒子也可以作为浆料分散性优异的粒子来利用，但是由于可以在表面形成缺陷少的良好的膜，所以特别适合作为复合粒子的核粒子来使用，例如，可以作为导电性粒子的核粒子来优选地使用。即，通过在亲水性粒子的表面上形成导电性膜，能够得到导电性粒子。导电性膜例如可以列举银膜、金膜、铜膜等。导电性膜例如可以通过无电解镀法等水系处理形成。不仅限于导电性膜，如果形成硬化性树脂或热塑性树脂等树脂膜，则也可以得到赋予了粘合性或固着性等功能的复合粒子。另外，在作为导电性填料等功能性填充材料的核粒子使用的情况下，也可以期待表达起因于亲水性粒子的柔软性的应力缓和特性等。
其次，对亲水性粒子的制造方法进行说明。
亲水性粒子的制造方法包括烧成工序，其将10％K值在2GPa以上、20GPa以下的范围内的聚有机硅氧烷粒子在氧浓度为7体积％以上的环境下进行烧成。如果吸水率在2％以上，10％K值在2GPa以上、25GPa以下的范围内得到亲水性粒子，则制造方法不限定，但是根据本实施方式的制造方法，能够以良好的生产效率简便地得到具有均匀的所述吸水率和10％K值的亲水性粒子。
在这里，聚有机硅氧烷粒子的柔软性是由有机基团(有机成分)表达的。也就是说，聚有机硅氧烷粒子的10％K值越大，聚有机硅氧烷粒子中的有机成分越少。由于上述的10％K值在2GPa以上的聚有机硅氧烷粒子，其有机成分比较少，所以即使在氧气浓度在7体积％以上的环境下进行烧成，也容易使有机成分的烧成进行得缓慢。由此，能够容易地避免聚有机硅氧烷粒子中的有机成分的烧成急剧的进行，即粒子过于硬质化，以及烧成不均引起的柔软性和亲水性的偏差。
作为聚有机硅氧烷粒子的聚有机硅氧烷，可以使用亲水性粒子的说明中所述的成分。
在亲水性粒子的制造方法中，通过上述的烧成工序，聚有机硅氧烷粒子所具有的有机基团的一部分被氧化分解，成为羟基，由此得到亲水性粒子。例如，即使在氧浓度小于7体积％的环境下进行烧成，也不能促进有机成分的氧化分解，即聚有机硅氧烷粒子的亲水化，不能有效地获得亲水性粒子。因此，烧成工序中的氧浓度从将有机成分更有效地氧化分解的观点来看，为7体积％以上，优选为15体积％以上，更优选为20体积％以上。这种烧成工序也可以在氧气浓度约为21体积％的大气环境下进行。另外，从安全性和设备简化的观点来看，烧成工序中的氧浓度优选为40体积％以下。
烧成工序中的烧成温度和烧成时间可以根据聚有机硅氧烷粒子的种类、10％K值、烧成环境的氧浓度等进行调整。例如，当使用聚甲基硅氧烷粒子作为聚有机硅氧烷粒子，在氧浓度为20体积％以上、40体积％以下的范围内的环境下进行烧成工序时，优选烧成温度在300℃以上、480℃以下的范围内。通过设置在该温度范围内，在保持粒子柔软性的同时，提高亲水性变得容易。此外，在该温度范围内，通过将烧成时间设定在1小时以上、150小时以下的范围内，也容易提高具有柔软性和亲水性的亲水性粒子的生产效率。
作为在所述烧成工序中使用的烧成装置，并无特别限定，例如，可以列举电炉或旋转窑等。在使用旋转窑的情况下，因为可以在搅拌聚有机硅氧烷粒子的同时进行烧成，所以可以将聚有机硅氧烷粒子中的有机成分进行更均匀的氧化分解。由此，容易获得品质稳定的亲水性粒子。
在亲水性粒子的制造方法中，烧成工序的条件也可以根据测量烧成工序前后粒子的物性的结果来进行调整。烧成工序前的聚有机硅氧烷粒子的平均粒径和，烧成工序后亲水性粒子的平均粒径之差优选为1μm以内。优选为，在烧成工序前，聚有机硅氧烷粒子的10％K值与烧成工序后亲水性粒子的10％K值之间的差在7GPa以内。
接下来，对本发明实施方式的作用及效果进行说明。
(1)亲水性粒子的制造方法具备烧成工序，其将10％K值在2GPa以上、20GPa以下的范围内的聚有机硅氧烷粒子在氧浓度为7体积％以上的环境下进行烧成。根据该方法，通过使用具有上述10％K值的聚有机硅氧烷粒子，即使在氧浓度为7体积％以上的环境下进行烧成，也不会迅速变硬，而且，通过在这样的氧浓度的环境下进行烧成，也能够适合提高吸水率。因此，可以容易地获得在保持适度柔软性的同时赋予亲水性的亲水性粒子。
(2)在亲水性粒子的制造方法中，通过烧成工序，优选获得吸水率在2％以上，10％K值在2GPa以上、25GPa以下的范围内的亲水性粒子。例如，可以容易地获得具有这种柔软性和亲水性的亲水性粒子。
(3)在聚有机硅氧烷粒子为聚甲基硅氧烷粒子的情况下，优选为，烧成工序中的氧浓度在20体积％以上、40体积％以下的范围内，烧成工序中的烧成温度在300℃以上、480℃以下的范围内。例如，通过这样设定烧成条件，将聚甲基硅氧烷粒子作为原料，可容易地获得具有柔软性和亲水性的亲水性粒子。并且，烧成工序中的烧成时间优选为1小时以上、150小时以下的范围内。由此，可以容易提高具有柔软性和亲水性的亲水性粒子的生产率。
(4)亲水性粒子是从聚有机硅氧烷粒子得到的。该亲水性粒子的吸水率优选为在2％以上，10％K值在2GPa以上、25GPa以下的范围内。根据该结构，例如，通过水系的处理，能够在亲水性粒子的表面上形成功能性膜。另外，由于亲水性粒子具有适度的柔软性，所以例如可以适用于电子构件的隔片等。
【实施例】
接下来，对实施例及比较例进行说明。
(实施例1)
如表1所示，将10％K值为14.23GPa，平均粒径为7.01μm，CV值为1.58％的聚有机硅氧烷粒子(聚甲基硅氧烷粒子、UBE EXSYMO株式会社制造，商品名称：HIPRESICA TS N5N)150g，使用马弗炉(光洋热系统株式会社制造，KBF 728N)，在大气环境下以350℃、1小时的条件进行烧成而得到亲水性粒子。
(实施例2，3)
如表1所示，除了变更烧成时间以外，与实施例1同样进行而获得各例子的亲水性粒子。
(实施例4)
如表1所示，将10％K值为8.18GPa，平均粒径为3.11μm，CV值为2.04％的聚有机硅氧烷粒子(聚甲基硅氧烷粒子、UBE EXSYMO株式会社制造，商品名称：HIPRESICA TSN5aN)150g，使用马弗炉(光洋热系统株式会社制造，KBF 728N)，在大气环境下以350℃，48小时的条件进行烧成而得到亲水性粒子。
(实施例5)
如表1所示，除了变更烧成时间以外，与实施例4同样进行而获得亲水性粒子。
(实施例6)
如表1所示，将10％K值为5.41GPa，平均粒径为5.23μm，CV值为1.63％的聚有机硅氧烷粒子(聚甲基硅氧烷粒子、UBE EXSYMO株式会社制造，商品名称：HIPRESICA TSN6N)150g，使用马弗炉(光洋热系统株式会社制造，KBF 728N)，在大气环境下以330℃，7小时的条件进行烧成而得到亲水性粒子。
(实施例7,8)
如表1所示，除了变更烧成温度和烧成时间以外，与实施例1同样进行而获得亲水性粒子。
(比较例1)
比较例1的粒子是在实施例1中使用的聚有机硅氧烷粒子(聚甲基硅氧烷粒子、UBEEXSYMO株式会社制造，商品名称：HIPRESICA TS N5N)。
(比较例2)
如表1所示，将10％K值为1.55GPa，平均粒径为7.08μm，CV值为1.57％的聚有机硅氧烷粒子(聚甲基硅氧烷粒子、UBE EXSYMO株式会社制造，商品名称：HIPRESICA TS N7N)150g，使用马弗炉(光洋热系统株式会社制造，KBF 728N)，在大气环境下以350℃,7小时的条件进行烧成而得到亲水性粒子。
(10％K值、平均粒径及CV值的测量方法)
可以如下测量粒子试样的10％K值。首先，测量10个粒子的10％K值，求出其10％K值的平均值。该测量采用了微压缩试验机(MCTE-200，株式会社岛津制作所制造)。10％K值通过以下式(1)求出。
10％K值[N/mm2]＝(3/21/2)×F×S－3/2×R－1/2…(1)
上述式(1)中的F是粒子的10％压缩变形中的负荷[N]，S是粒子的10％压缩变形中的位移[mm]，R是粒子的半径[mm]。
粒子试样的平均粒径和CV值是使用库尔特颗粒计数器(MULTISIZER IVe、beckmancoulter株式会社制造)求得的。粒度分布的变动系数(CV值)可以通过以下式(2)计算。
CV值(％)＝{粒径的标准偏差〔μm〕/平均粒径〔μm〕}×100…(2)
在表1和表2中示出了各例的上述物性的测量结果。
(水分散性的评估)
在110mL螺口瓶中放入离子交换水45g及粒子试样干燥粉末5g，使用超声波处理机进行振动，与此同时在室温下以5分钟的条件进行超声波处理。
观察超声波处理后的螺口瓶的水面进行判定，若所有的粒子浸湿在液中且分散在水中则判定为良好(○)，若能够目视水面上浮游的粒子则判定为不良(×)。其结果显示在表2上。
(表面原子浓度比(OH/O比))
通过X射线光电子能谱(ESCA)测量粒子表面上存在的OH基团。对粒子表面存在的OH基团的测量，使用了以1个原子相对于1个OH基团的比例进行修饰的，测定Br原子的以下分析方法。通过该分析方法，可以对在以硅氧烷骨架为主体的聚有机硅氧烷粒子的表面(比表层数nm)上的，与Si原子键合的O原子、OH基、C原子(来自有机基)进行定量性比较。
1.OH基的修饰(modification)处理
将试样浸入修饰试剂(含溴硅化合物)中，在室温下放置一夜。接着，通过用乙腈充分清洗、过滤、干燥后进行采样，得到了将粒子表面的OH基团置换为Br基团的试样。
2.装置及测量条件
对粒子试样，测量了其表面的元素含量。首先，将颗粒试样的粉末固定在粘合带(透明胶带)上后，固定在试样台上，并设置在X射线光电子能谱仪内。通过X射线光电子能谱仪测量粉末的表面原子浓度，计算出粒子表面碳量(质量％)。另外，基于检测元素(C，O，Si，Br)的窄幅光谱中的峰值强度，使用ULVAC-PHI公司提供的相对响应因子来计算表面原子浓度。所使用的装置名称及测量条件如下。
设备名称：PHI制造1600S型X射线光电子能谱仪
测量条件：X射线源MgKα100W，分析领域0.8×2.0mm
(吸水率的测量)
首先，将粒子试样放入玻璃制培养皿中，在150℃的烤箱中干燥1小时以上后，在干燥器中放冷至室温。然后，用电子天平称量15g左右的粒子的试样。称量粒子的试样后将培养皿在150℃下干燥3小时，然后立即在含有五氧化磷的干燥器中冷却。冷却到室温后，测量粒子试样的质量。此时的质量是吸水前粒子试样的质量。
然后，将粒子试样放置在设定为30℃、90％RH的恒温恒湿腔室中进行吸水。每过24小时测量试样的质量即吸水后试样的质量，并根据以下式(3)计算吸水率。经过24小时前后的吸水率的变化量在0.5％以下时，判断为达到饱和吸水状态，结束测量。
吸水率〔％〕＝(K2-K1)/K1×100…(3)
但是，上述式(3)中的K1表示吸水前的粒子试样的质量，K2表示吸水后的粒子试样的质量。对一个粒子的试样进行3次测量，其平均值为吸水率。【表1】
【表2】
表1和表2所示的实施例1～8的亲水性粒子是通过烧成工序获得的，其中将10％K值在2GPa以上、20GPa以下的范围内的聚有机硅氧烷粒子作为原料，在氧浓度为7体积％以上的环境下进行烧成。各实施例的亲水性粒子的10％K值为20.73GPa以下，吸水率为2.23％以上。
与此相对，由于比较例1的粒子没有进行烧成工序，所以可知没能得到各实施例的亲水性粒子那样的亲水性。另外，在比较例2中，将10％K值小于2GPa的聚有机硅氧烷粒子作为原料来使用。在该比较例2中，在与实施例2相同的烧成条件下烧成聚有机硅氧烷粒子的结果是，10％K值为37.60GPa。从该结果可以看出，在烧成比较例2的聚有机硅氧烷粒子的情况下，由于粒子的硬质化迅速进行，所以不能像各实施例那样容易地获得具有柔软性的亲水性粒子。
(导电性例子的制作)
1.金属核的形成工序
在实施例1的亲水性粒子的试样表面上形成了金属核。在金属核的形成中，将粒子试样10g浸入68mL异丙醇和甲醇的混合溶剂中，加入0.086g的氯化金酸(HAuCl4·4H2O)和1.14ml的3-氨基丙基三甲氧基硅烷，并用0.036g四氢硼酸钠(NaBH4)进行还原。由此，得到了表面上形成金属核的粒子。
2.导电性膜的形成工序
将10g形成了金属核的粒子的试样分散在523mL水中，加上0.073mL的3-巯基三乙氧基硅烷，并用超声波进行照射，然后添加到450mL甲醇和150mL水的混合溶剂中。加入事先与60mL水混合的6.043g硝酸银和121mL的25质量％的氨水溶液。此外，添加181mL的37％甲醛液以还原液体中的银离子，获得了在实施例1的亲水性粒子的表面上具有作为导电性膜的银膜的导电性粒子。
与以上的步骤相同，对于实施例2～8以及比较例2的亲水性粒子，也通过形成银膜来制作导电性粒子。此时，在金属核的形成工序以及导电性膜的形成工序中，例如根据亲水性粒子的平均粒径适当调整成为导电性膜原料的硝酸银等的配合量等，以在亲水性粒子上形成大致相同厚度的导电性膜。
另外，对于比较例1的粒子，没有观察到形成金属核和银膜的反应进展的情况，没能形成膜。
(导电性粒子的制作结果)
实施例1～8以及比较例2的亲水性粒子的试样表面形成了金属核的粒子都呈红色。
对于从实施例1～8以及比较例2的亲水性粒子得到的导电性粒子，根据亲水性粒子的平均粒径和导电性粒子的平均粒径之差计算出银膜的厚度，结果都在0.05μm以上。
关于导电性粒子的表面，即亲水性粒子(核粒子)表面形成的膜的外观，使用扫描型显微镜(SEM:Scanning Electron Microscope、JEOL公司制造、JSM-6700F)，以在1个画面中能够观察到20～50个亲水性粒子的程度的倍率为标准，以1000倍～10000倍的倍率进行观察，用以下基准进行评估。其评估结果如表3所示。
○：形成了细致的膜，达到无法确认缺陷和非连续部位的程度。
△：膜的一部分有缺陷。
×：间断地形成膜或未形成膜。
(平均电阻值)
通过测量电阻值来评估导电性粒子的电连接性。具体而言，使用微压缩试验机(株式会社岛津制作所制造)，对20个导电性粒子中的每一个进行电阻值的测量，将该测量值的平均值作为平均电阻值。结果如表3所示。
(表达率)
所谓表达率，是指能够测量电阻值的粒子个数的比例。例如，由于膜的形成不良、剥离、附着不良等，导致电阻值无法测量时，成为O.R.(无法测量)。表达率可以使用微压缩试验机(株式会社岛津制作所制造)，测量了20个导电性粒子的电阻值，可通过下式(4)计算出来。
表达率(％)＝能够测量到的电阻值的粒子个数/所测量的所有个数×100…(4)
计算出表达率的结果如表3所示。
Claims (4)
1.一种亲水性粒子的制造方法，其特征在于，具备烧成工序，其将10％K值在2GPa以上、20GPa以下的范围内的聚有机硅氧烷粒子在氧浓度为7体积％以上的环境下进行烧成，
所述烧成前的聚有机硅氧烷粒子的10％K值与通过所述烧成工序得到的亲水性粒子的10％K值之间的差在7GPa以内。
2.如权利要求1所述的亲水性粒子的制造方法，其特征在于，
通过所述烧成工序，获得吸水率在2％以上，10％K值在2GPa以上、25GPa以下的范围内的亲水性粒子。
3.如权利要求1或2所述的亲水性粒子的制造方法，其特征在于，
所述聚有机硅氧烷粒子是聚甲基硅氧烷粒子，所述氧浓度在20体积％以上、40体积％以下的范围内，所述烧成工序中的烧成温度在300℃以上、480℃以下的范围内。
4.如权利要求3所述的亲水性粒子的制造方法，其特征在于，
所述烧成工序中的烧成时间在1小时以上、150小时以下的范围内。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010635679.7A CN113881084B (zh) | 2020-07-03 | 2020-07-03 | 亲水性粒子的制造方法以及亲水性粒子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010635679.7A CN113881084B (zh) | 2020-07-03 | 2020-07-03 | 亲水性粒子的制造方法以及亲水性粒子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113881084A CN113881084A (zh) | 2022-01-04 |
| CN113881084B true CN113881084B (zh) | 2024-02-06 |
Family
ID=79013238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010635679.7A Active CN113881084B (zh) | 2020-07-03 | 2020-07-03 | 亲水性粒子的制造方法以及亲水性粒子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113881084B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| IE87388B1 (en) * | 2020-09-03 | 2023-04-26 | Ube Exsymo Co Ltd | Hydrophilic particle manufacturing method and hydrophilic particle |
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-
2020
- 2020-07-03 CN CN202010635679.7A patent/CN113881084B/zh active Active
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113881084A (zh) | 2022-01-04 |
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| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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