TW202208526A - 親水性粒子之製造方法以及親水性粒子 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種能夠較簡單地獲得在保持適度柔軟性的同時賦予親水性的親水性粒子之製造方法以及親水性粒子。親水性粒子之製造方法具備燒成工序，其將10%K值於2GPa以上、20GPa以下之範圍內之聚有機矽氧烷粒子於氧濃度為7體積%以上之氣氛下進行燒成。從聚有機矽氧烷粒子得到的親水性粒子之吸水率於2%以上，10%K值則於2GPa以上、25GPa以下之範圍內。

Description

親水性粒子之製造方法以及親水性粒子

本發明係關於一種親水性粒子之製造方法以及親水性粒子。

作為功能性粒子之核殼粒子，一直以來就有廣泛之研究，眾所周知，為了提高核粒子和殼層之附著性，實施親水化處理作為使得核粒子表面改性之物理性或化學性處理技術。

作為使核粒子之表面親水化之物理性處理技術，例如可以列舉氬激光照射、等離子處理、臭氧照射等。例如，專利文獻1公開了一種利用藉由低溫等離子處理使表面親水化之高分子聚合物微粒子（核粒子）獲得提高了與金屬層之間之附著性的金屬膜微粒子之方法。

然而，這樣的低溫等離子處理係於真空下進行的處理，需要特殊的大型設備。另外，由於進行等離子照射（蝕刻處理）難以使各個微粒子之表面整體均勻，所以作為微粒子之親水化處理卻不一定適合。

另一方面，作為使核粒子之表面親水化之化學性處理技術，例如可以列舉與氣體接觸的處理技術。例如，專利文獻2公開了一種藉由使用氟氣體和含氧原子之化合物之氣體之混合氣體來處理乙烯基系聚合物微粒子而進行親水化的方法。

但是，由於上述處理中使用的氣體含有毒性和危險性之氟氣體，所以於安全方面存在顧慮點。另外，於將高分子聚合物粒子作為核粒子使用的情況下，亦存在不能獲得充分的耐熱性而粒子的使用用途有限之問題。

先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1：日本專利特開2007-184278號公報 專利文獻2：日本專利特開2010-072492號公報

發明所欲解決之課題 對於如上所述之乙烯基系聚合物微粒子，由於聚有機矽氧烷粒子例如具有優異之粒徑精度和適度之柔軟性和耐熱性，所以可以適合用作功能性粒子之核粒子。然而，聚有機矽氧烷粒子本身係疏水性，如果要給這樣的聚有機矽氧烷粒子自身賦予親水性，則存在會失去適度之柔軟性的問題。

本發明之目的為提供一種能夠較簡單地獲得於保持適度柔軟性的同時賦予親水性的親水性粒子之製造方法和親水性粒子。

用以解決課題之手段 解決上述問題的親水性粒子之製造方法具備燒成工序，其將10%K值於2GPa以上、20GPa以下之範圍內之聚有機矽氧烷粒子於氧濃度為7體積%以上之氣氛下進行燒成。

根據該方法，藉由使用具有上述10%K值之聚有機矽氧烷粒子，即使於氧濃度為7體積%以上之氣氛下進行燒成，亦不會急速變硬，而且，藉由於這樣的氧濃度之氣氛下進行燒成，能夠適當地提高吸水率。

於上述親水性粒子之製造方法中，藉由所述燒成工序，較佳為獲得吸水率於2%以上，10%K值於2GPa以上、25GPa以下之範圍內之親水性粒子。

於上述親水性粒子之製造方法中，較佳為，所述聚有機矽氧烷粒子係聚甲基矽氧烷粒子，所述氧濃度於20體積%以上、40體積%以下之範圍內，所述燒成工序中之燒成溫度於300℃以上、480℃以下之範圍內。

於上述親水性粒子之製造方法中，較佳為，所述燒成工序中之燒成時間於1小時以上、150小時以下之範圍內。 從聚有機矽氧烷粒子得到的親水性粒子，較佳為，吸水率於2%以上， 10%K值於2GPa以上、25GPa以下之範圍內。

發明功效 根據本發明，可以較簡單地獲得於保持適度柔軟性的同時賦予親水性的親水性粒子。

以下，對親水性粒子之製造方法和親水性粒子之一個實施方式進行說明。 首先，對親水性粒子進行說明。 親水性粒子係從聚有機矽氧烷粒子中獲得。聚有機矽氧烷以矽氧烷骨架作為主體，並具有有機基團。作為聚有機矽氧烷，例如，可列舉三烷氧基矽烷之縮合物。

作為三烷氧基矽烷，例如，可列舉：甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三丙氧基矽烷、甲基三異丙氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、丙基三乙氧基矽烷、丁基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷（γ glycidoxypropyltrimethoxysilane）、γ-丙烯酰氧基丙基三甲氧基矽烷，以及γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基矽烷。三烷氧基矽烷可以使用一種或兩種以上。

此外，三烷氧基矽烷可以與選自四烷氧基矽烷，二烷氧基矽烷和單烷氧基矽烷中之至少一種組合使用。藉由選擇這些各種矽烷化合物和有機置換基之種類，亦可以任意設計粒子之機械特性等各種物性。作為聚有機矽氧烷，從容易調整到任意物性之觀點來看，較佳為聚甲基矽氧烷。

親水性粒子之10%K值為於2GPa以上、25GPa以下之範圍內，較佳為於2GPa以上、20GPa以下之範圍內，更佳為於5GPa以上、15GPa以下之範圍內。

例如，於作為電子構件等隔片（spacer）而使用親水性粒子或將親水性粒子作為核粒子之復合粒子的情況下，為了發揮層間保持（隔片）功能，親水性粒子之10%K值更佳為5GPa以上。另外，從難以對使親水性粒子接觸之周邊構件造成物理性損傷之觀點來看，親水性粒子之10%K值更佳為20GPa以下。作為使親水性粒子接觸之周邊構件，例如可以列舉形成於基板上之定向膜和保護膜、濾色器、或者ITO導電膜和電路等之電氣元件。

親水性粒子之吸水率於2%以上，較佳為5%以上。於親水性粒子之吸水率為2%以上之情況下，於水中之分散性良好，例如，於藉由親水性粒子之水系處理形成膜的情況下，能夠形成更均勻之膜。在這裏，可以推測親水性粒子之吸水率越高，聚有機矽氧烷粒子之包含內部之粒子整體之改性（親水化）程度越高。特別係於親水性粒子之吸水率為5%以上之情況下，推測連粒子內部亦充分的親水化，能夠形成更均勻之膜。

親水性粒子表面上存在的OH基團之量，可以用OH基團與鍵合到Si原子之O原子之比率，即表面原子濃度比（OH/O比）來進行表示。表面原子濃度比（OH/O比）可以藉由使用後述之X射線光電子能譜（ESCA）之定量分析來測量。從進一步提高於水中之分散性的觀點來看，親水性粒子之表面原子濃度比（OH/O比）較佳為0.003以上。

親水性粒子之粒徑為，藉由庫爾特顆粒計數器法求出之平均粒徑中，較佳為於0.5μm以上、200μm以下之範圍內。具有該範圍之平均粒徑的親水性粒子、以親水性粒子為核粒子之復合粒子，於電子構件等中，例如可以適用於隔片。親水性粒子之平均粒徑可以根據具體用途來設定。例如，於將親水性粒子用於液晶面板用之隔片的情況下，親水性粒子之平均粒徑較佳為於1μm以上、15μm以下之範圍內。例如，於將親水性粒子用於有機EL用之隔片的情況下，親水性粒子之平均粒徑較佳為於6μm以上、16μm以下之範圍內。例如，於將親水性粒子用於PDLC即高分子分散型液晶用之隔片的情況下，親水性粒子之平均粒徑較佳為於7μm以上、25μm以下之範圍內。例如，於將親水性粒子用於3D快門用之隔片的情況下，親水性粒子之平均粒徑較佳為於25μm以上、50μm以下之範圍內。例如，於將親水性粒子用於LED照明用之隔片的情況下，親水性粒子之平均粒徑較佳為於40μm以上、120μm以下之範圍內。

親水性粒子之粒徑分布由CV值即變動系數表示。親水性粒子之CV值較佳為5%以下，更佳為2.5%以下。CV值5%以下之親水性粒子之粒徑偏差小，可以適用於隔片。另外，親水性粒子較佳為球形之單分散粒子。

親水性粒子亦可以作為漿料分散性優異之粒子來利用，且由於可以於表面形成缺陷少之良好的膜，所以特別適合作為復合粒子之核粒子來使用，例如，可以適用於導電性粒子之核粒子。即，藉由於親水性粒子之表面上形成導電性膜，能夠得到導電性粒子。導電性膜例如可以列舉銀膜、金膜、銅膜等。導電性膜例如可以藉由無電解鍍法等水系處理形成。不僅限於導電性膜，如果形成硬化性樹脂或熱塑性樹脂等樹脂膜，則亦可以得到賦予了粘合性或固著性等功能之復合粒子。另外，於作為導電性填料等功能性填充材料之核粒子使用之情況下，亦可以期待表達起因於親水性粒子之柔軟性的應力緩和特性等。

其次，對親水性粒子之製造方法進行說明。 親水性粒子之製造方法包括燒成工序，其將10%K值於2GPa以上、20GPa以下之範圍內之聚有機矽氧烷粒子於氧濃度為7體積%以上之氣氛下進行燒成。只要能夠獲得吸水率於2%以上，10%K值於2GPa以上、25GPa以下之範圍內之親水性粒子，則製造方法不限定，但是根據本實施方式之製造方法，能夠以良好之生產效率簡便地得到具有均勻之所述吸水率和10%K值之親水性粒子。

在這裏，聚有機矽氧烷粒子之柔軟性係由有機基團（有機成分）表達。亦即，聚有機矽氧烷粒子之10%K值越大，聚有機矽氧烷粒子中之有機成分越少。由於上述之10%K值於2GPa以上之聚有機矽氧烷粒子，其有機成分比較少，所以即使於氧濃度於7體積%以上之氣氛下進行燒成，亦容易使有機成分之燒成進行得緩慢。藉此，能夠輕鬆地避免聚有機矽氧烷粒子中之有機成分之燒成急劇之進行，即粒子過於硬質化，以及燒成不均引起之柔軟性和親水性之偏差。

作為聚有機矽氧烷粒子之聚有機矽氧烷，可以使用親水性粒子之說明中所述的成分。 於親水性粒子之製造方法中，藉由上述之燒成工序，聚有機矽氧烷粒子所具有之有機基團之一部分被氧化分解，成為羥基，藉此得到親水性粒子。例如，即使於氧濃度小於7體積%之氣氛下進行燒成，亦不能促進有機成分之氧化分解，即聚有機矽氧烷粒子之親水化，不能有效地獲得親水性粒子。因此，燒成工序中之氧濃度從將有機成分更有效地氧化分解之觀點來看，為7體積%以上，較佳為15體積%以上，更佳為20體積%以上。這種燒成工序亦可以於氧濃度約為21體積%之大氣氣氛下進行。另外，從安全性和設備簡化之觀點來看，燒成工序中之氧濃度較佳為40體積%以下。

燒成工序中之燒成溫度和燒成時間可以根據聚有機矽氧烷粒子之種類、10%K值、燒成氣氛之氧濃度等進行調整。例如，當使用聚甲基矽氧烷粒子作為聚有機矽氧烷粒子，於氧濃度為20體積%以上、40體積%以下之範圍內之氣氛下進行燒成工序時，較佳燒成溫度為於300℃以上、480℃以下之範圍內。藉由設置於該溫度範圍內，於保持粒子柔軟性的同時，提高親水性變得容易。此外，於該溫度範圍內，藉由將燒成時間設定於1小時以上、150小時以下之範圍內，亦容易提高具有柔軟性和親水性之親水性粒子之生產效率。

作為於所述燒成工序中使用之燒成裝置，並無特別限定，例如，可以列舉電爐或旋轉窯等。於使用旋轉窯的情況下，因為可以於攪拌聚有機矽氧烷粒子的同時進行燒成，所以可以將聚有機矽氧烷粒子中之有機成分進行更均勻的氧化分解。藉此，容易獲得品質穩定的親水性粒子。

於親水性粒子之製造方法中，燒成工序之條件亦可以根據測量燒成工序前後的粒子之物性之結果來進行調整。燒成工序前聚有機矽氧烷粒子之平均粒徑，與燒成工序後親水性粒子之平均粒徑之差較佳為1μm以內。燒成工序前聚有機矽氧烷粒子之10%K值，與燒成工序後親水性粒子之10%K值之差，較佳為7GPa以內。

接下來，對本實施方式之作用及效果進行說明。 （1）親水性粒子之製造方法具備燒成工序，其將10%K值於2GPa以上、20GPa以下之範圍內之聚有機矽氧烷粒子於氧濃度為7體積%以上之氣氛下進行燒成。根據該方法，藉由使用具有上述10%K值之聚有機矽氧烷粒子，即使於氧濃度為7體積%以上之氣氛下進行燒成，亦不會迅速變硬，而且，藉由於這樣的氧濃度之氣氛下進行燒成，亦能夠適當提高吸水率。因此，可以較簡單地獲得於保持適度柔軟性的同時賦予親水性的親水性粒子。

（2）於親水性粒子之製造方法中，藉由燒成工序，較佳為獲得吸水率於2%以上，10%K值於2GPa以上、25GPa以下之範圍內之親水性粒子。例如，可以較簡單地獲得具有這種柔軟性和親水性的親水性粒子。

（3）於聚有機矽氧烷粒子為聚甲基矽氧烷粒子的情況下，較佳為，燒成工序中之氧濃度為於20體積%以上、40體積%以下之範圍內，燒成工序中之燒成溫度為於300℃以上、480℃以下之範圍內。例如，藉由這樣設定燒成條件，將聚甲基矽氧烷粒子作為原料，可較簡單地獲得具有柔軟性和親水性的親水性粒子。並且，燒成工序中之燒成時間為1小時以上、150小時以下之範圍內。藉此，可以較簡單地提高具有柔軟性和親水性的親水性粒子之生產率。

（4）親水性粒子可從聚有機矽氧烷粒子得到。該親水性粒子為，吸水率於2%以上， 10%K值於2GPa以上、25GPa以下之範圍內。根據該結構，例如，藉由水系處理，能夠於親水性粒子之表面上形成功能性膜。另外，由於親水性粒子具有適度之柔軟性，所以例如可以適用於電子構件之隔片等。

實施例 接下來，對實施例及比較例進行說明。 （實施例1） 如表1所示，將10%K值為14.23GPa，平均粒徑為7.01μm，CV值為1.58%之聚有機矽氧烷粒子（聚甲基矽氧烷粒子、UBE EXSYMO株式會社製造，商品名稱：HIPRESICA TS N5N）150g，使用馬弗爐（光洋熱系統株式會社製造，KBF 728N），於大氣氣氛下以350℃、1小時之條件進行燒成而得到親水性粒子。

（實施例2，3） 如表1所示，除了變更燒成時間以外，與實施例1同樣進行而獲得各例子之親水性粒子。

（實施例4） 如表1所示，將10%K值為8.18GPa，平均粒徑為3.11μm，CV值為2.04%之聚有機矽氧烷粒子（聚甲基矽氧烷粒子、UBE EXSYMO株式會社製造，商品名稱：HIPRESICA TS N5aN）150g，使用馬弗爐（光洋熱系統株式會社製造，KBF 728N），於大氣氣氛下以350℃，48小時的條件進行燒成而得到親水性粒子。

（實施例5） 如表1所示，除了變更燒成時間以外，與實施例4同樣進行而獲得親水性粒子。

（實施例6） 如表1所示，將10%K值為5.41GPa，平均粒徑為5.23μm，CV值為1.63%之聚有機矽氧烷粒子（聚甲基矽氧烷粒子、UBE EXSYMO株式會社製造，商品名稱：HIPRESICA TS N6N）150g，使用馬弗爐（光洋熱系統株式會社製造，KBF 728N），於大氣氣氛下以330℃，7小時的條件進行燒成而得到親水性粒子。

（實施例7,8） 如表1所示，除了變更燒成溫度和燒成時間以外，與實施例1同樣進行而獲得親水性粒子。

（比較例1） 比較例1之粒子係於實施例1中使用之聚有機矽氧烷粒子（聚甲基矽氧烷粒子、UBE EXSYMO株式會社製造，商品名稱：HIPRESICA TS N5N）。

（比較例2） 如表1所示，將10%K值為1.55GPa，平均粒徑為7.08μm，CV值為1.57%之聚有機矽氧烷粒子（聚甲基矽氧烷粒子、UBE EXSYMO株式會社製造，商品名稱：HIPRESICA TS N7N）150g，使用馬弗爐（光洋熱系統株式會社製造，KBF 728N），於大氣氣氛下以350℃,7小時的條件進行燒成而得到親水性粒子。

（10%K值、平均粒徑及CV值之測量方法） 可以如下測量粒子試樣之10%K值。首先，測量10個粒子的10%K值，求出其10%K值的平均值。該測量采用了微壓縮試驗機（MCTE-200，株式會社島津制作所製造）。10%K值藉由以下式（1）求出。

１０％Ｋ值［Ｎ／ｍｍ^２ ］＝（３／２^１／２ ）×Ｆ×Ｓ^－３／２ ×Ｒ^－１／２ …（１） 上述式（1）中的F係粒子的10%壓縮變形中之負荷[N]，S係粒子的10%壓縮變形中之位移[mm]，R係粒子的半徑[mm]。

粒子試樣的平均粒徑和CV值係使用庫爾特顆粒計數器（MULTISIZER IVe、beckmancoulter株式會社製造）求得。粒度分布之變動系數（CV值）可以藉由以下式（2）計算。

CV值（%）={粒徑之標準偏差〔μm〕/平均粒徑〔μm〕}×100…（２） 於表1和表2中示出了各例子的上述物性之測量結果。 （水分散性之評估） 於110mL螺口瓶中放入離子交換水45g及粒子試樣之幹燥粉末5g，使用超聲波處理機進行振動，與此同時於室溫下以5分鐘的條件進行超聲波處理。

觀察超聲波處理後的螺口瓶之水面進行判定，若所有的粒子浸濕於液中且分散於水中則判定為良好（○），若能夠目視水面上浮遊的粒子則判定為不良（×）。其結果顯示於表2上。

（表面原子濃度比（OH/O比）） 藉由X射線光電子能譜（ESCA）測量粒子表面上存在的OH基團。對粒子表面存在的OH基團之測量，則 使用了以1個原子相對於1個OH基團之比例進行修飾，測定Br原子之以下分析方法。藉由該分析方法，可以對於以矽氧烷骨架為主體之聚有機矽氧烷粒子之表面（比表層數nm）上，與Si原子鍵合之O原子、OH基、C原子（來自有機基）進行定量性比較。

1.  OH基之修飾（modification）處理 將試樣浸入至修飾試劑（含溴矽化合物）中，於室溫下放置一夜。接著，藉由將試樣用乙腈充分清洗、過濾、幹燥後進行采樣，得到了將粒子表面之OH基團置換為Br基團之試樣。

2.  裝置及測量條件 對粒子試樣，測量了其表面之元素含量。首先，將顆粒試樣之粉末固定於粘合帶（透明膠帶）上後，固定於試樣臺上，並設置於X射線光電子能譜儀內。藉由X射線光電子能譜儀測量粉末之表面原子濃度，計算出粒子表面碳量（質量%）。另外，基於檢測元素（C，O，Si，Br）的窄幅光譜中之峰值強度，使用ULVAC-PHI公司提供之相對響應因子來計算表面原子濃度。所使用之裝置名稱及測量條件如下。

設備名稱：PHI製造1600S型X射線光電子能譜儀 測量條件：X射線源MgKα100W，分析領域0.8×2.0mm （吸水率之測量） 首先，將粒子試樣放入玻璃制培養皿中，於150℃之烤箱中幹燥1小時以上後，於幹燥器中放冷至室溫。然後，用電子天平稱量15g左右之粒子試樣。稱量粒子試樣後將培養皿於150℃下幹燥3小時，然後立即於含有五氧化磷之幹燥器中冷卻。冷卻到室溫後，測量粒子試樣質量。將此時之質量視為吸水前粒子試樣之質量。

然後，將粒子試樣放置於設定為30℃、90%RH之恒溫恒濕腔室中進行吸水。每過24小時測量試樣質量即吸水後試樣質量，並根據以下式（3）計算吸水率。經過24小時前後的吸水率之變化量為0.5%以下時，判斷為達到飽和吸水狀態，結束測量。

吸水率〔%〕=（K2-K1）/K1×100…（3） 但是，上述式（3）中之K1表示吸水前的粒子試樣質量，K2表示吸水後的粒子試樣質量。對一個粒子的試樣進行3次測量，其平均值為吸水率。

表1

	聚有機硅氧烷粒子	燒成工序
10%K值	平均粒徑	CV值	氧濃度	溫度	時間
GPa	μm	%	體積%	℃	h
實施例1	14.23	7.01	1.58	21	350	1
實施例2	14.23	7.01	1.58	21	350	7
實施例3	14.23	7.01	1.58	21	350	10
實施例4	8.18	3.11	2.04	21	350	48
實施例5	8.18	3.11	2.04	21	350	120
實施例6	5.41	5.23	1.63	21	330	7
實施例7	14.23	7.01	1.58	21	450	3
實施例8	14.23	7.01	1.58	21	500	3
比較例1	14.23	7.01	1.58	-	-	-
比較例2	1.55	7.08	1.57	21	350	7

表2

	親水性粒子
10%K值	親水性能	平均粒徑	CV值
水分散性	OH/O比	吸水率
GPa	-	-	%	μm	%
實施例1	11.12	○	0.005	2.61	6.96	1.57
實施例2	10.84	○	0.005	5.17	6.99	1.59
實施例3	10.65	○	0.005	5.68	6.96	1.59
實施例4	9.66	○	0.007	9.21	3.06	1.89
實施例5	11.21	○	0.008	10.16	3.02	2.14
實施例6	5.42	○	0.004	2.23	5.21	1.66
實施例7	17.18	○	0.007	6.10	6.40	1.59
實施例8	20.73	○	0.008	6.52	6.29	1.59
比較例1	-	×	0.000	0.66	-	-
比較例2	37.60	○	0.015	7.10	7.00	1.60

表1和表2所示之實施例1～8之親水性粒子係藉由燒成工序獲得，其中將10%K值於2GPa以上、20GPa以下之範圍內之聚有機矽氧烷粒子作為原料，於氧濃度為7體積%以上之氣氛下進行燒成。各實施例的親水性粒子之10%K值為20.73GPa以下，吸水率為2.23%以上。

與此相對，由於比較例1之粒子沒有進行燒成工序，所以可知沒能得到各實施例之親水性粒子那樣的親水性。另外，於比較例2中，將10%K值小於2GPa之聚有機矽氧烷粒子作為原料來使用。於該比較例2中，於與實施例2相同之燒成條件下燒成聚有機矽氧烷粒子之結果係，10%K值為37.60GPa。從該結果可以看出，於燒成比較例2之聚有機矽氧烷粒子之情況下，由於粒子之硬質化迅速進行，所以不能像各實施例那樣简单地獲得具有柔軟性之親水性粒子。

（導電性粒子的制作） 1. 金屬核之形成工序 於實施例1的親水性粒子的試樣表面上形成了金屬核。於金屬核之形成中，將粒子試樣10g浸入68mL之異丙醇和甲醇之混合溶劑中，加入0.086g之氯化金酸（HAuCl4・4H2O）和1.14ml 之3-氨基丙基三甲氧基矽烷，並用0.036g四氫硼酸鈉（NaBH4）進行還原。藉此，得到了表面上形成金屬核之粒子。

2. 導電性膜之形成工序 將10g形成了金屬核的粒子之試樣分散於523mL水中，加上0.073mL 之3-巰基三乙氧基矽烷，並用超聲波進行照射，然後添加到450mL甲醇和150mL水之混合溶劑中。加入事先與60mL水混合之6.043g硝酸銀和121mL 之25質量%氨水溶液。此外，添加181mL 之37%甲醛液以還原液體中之銀離子，獲得了於實施例1的親水性粒子之表面上具有作為導電性膜之銀膜的導電性粒子。

與以上之步驟相同，對於實施例2～8以及比較例2的親水性粒子，亦藉由形成銀膜來制作導電性粒子。此時，於金屬核之形成工序以及導電性膜之形成工序中，例如根據親水性粒子之平均粒徑適當調整成為導電性膜原料之硝酸銀等之配合量等，以於親水性粒子上形成大致相同厚度之導電性膜。

另外，對於比較例1之粒子，沒有觀察到形成金屬核和銀膜之反應進展之情況，沒能形成膜。 （導電性粒子之制作結果） 於實施例1～8以及比較例2之親水性粒子的試樣表面上形成了金屬核之粒子都呈紅色。

對於從實施例1～8以及比較例2之親水性粒子得到的導電性粒子，根據親水性粒子之平均粒徑和導電性粒子之平均粒徑之差計算出銀膜之厚度，結果皆為於0.05μm以上。

關於導電性粒子之表面，即親水性粒子（核粒子）表面形成的膜之外觀，使用掃描型顯微鏡（SEM:Scanning Electron Microscope、JEOL公司製造、JSM-6700F），以於1個畫面中能夠觀察到20～50個親水性粒子的程度之倍率為標準，以1000倍～10000倍之倍率進行觀察，用以下基準進行評估。其評估結果如表3所示。

○：形成了細致的膜，達到無法確認缺陷和非連續部位的程度。 △：膜之一部分有缺陷。 ×：間斷地形成膜或未形成膜。

（平均電阻值） 藉由測量電阻值來評估導電性粒子之電連接性。具體而言，使用微壓縮試驗機（株式會社島津制作所製造），對20個導電性粒子中之每一個進行電阻值之測量，將該測量值之平均值作為平均電阻值。結果如表3所示。

（表達率） 所謂表達率，係指能夠測量電阻值之粒子個數的比例。例如，由於膜之形成不良、剝離、附著不良等，導致電阻值無法測量時，成為O.R.（無法測量）。表達率可以使用微壓縮試驗機（株式會社島津制作所製造），測量20個導電性粒子之電阻值，可藉由下式（4）計算出來。

表達率（%）＝能夠測量到的電阻值之粒子個數/所測量之所有個數×100…（４） 計算出表達率的結果如表3所示。

表3

	導電性評估
外觀評估	平均電阻值	表達率 （n=20）
-	Ω	%
實施例1	○	3.3	80
實施例2	○	3.0	100
實施例3	○	3.1	100
實施例4	○	3.5	100
實施例5	○	3.3	100
實施例6	○	4.1	85
實施例7	○	3.0	100
實施例8	○	3.0	85
比較例1	×	O.R.（無法測量）	0
比較例2	○	3.0	100

Claims (5)

1. 一種親水性粒子之製造方法，其特徵為， 具備燒成工序，其將10%K值於2GPa以上、20GPa以下之範圍內之聚有機矽氧烷粒子於氧濃度為7體積%以上之氣氛下進行燒成。
2. 如請求項1所述之親水性粒子之製造方法，其中， 藉由所述燒成工序，獲得吸水率於2%以上，10%K值於2GPa以上、25GPa以下之範圍內之親水性粒子。
3. 如請求項1或2所述之親水性粒子之製造方法，其中， 所述聚有機矽氧烷粒子係聚甲基矽氧烷粒子，所述氧濃度於20體積%以上、40體積%以下之範圍內，所述燒成工序中之燒成溫度於300℃以上、480℃以下之範圍內。
4. 如請求項3所述之親水性粒子之製造方法，其中， 所述燒成工序中之燒成時間於1小時以上、150小時以下之範圍內。
5. 一種親水性粒子，其特徵為， 係從聚有機矽氧烷粒子得到的親水性粒子，吸水率於2%以上， 10%K值於2GPa以上、25GPa以下之範圍內。