CN113871526B - 显示面板的制作方法及显示面板 - Google Patents
显示面板的制作方法及显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113871526B CN113871526B CN202111093348.6A CN202111093348A CN113871526B CN 113871526 B CN113871526 B CN 113871526B CN 202111093348 A CN202111093348 A CN 202111093348A CN 113871526 B CN113871526 B CN 113871526B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- membrane
- slit
- display panel
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 79
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 79
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 78
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 9
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 8
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N molybdenum titanium Chemical compound [Ti].[Mo] ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000010147 laser engraving Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000007649 pad printing Methods 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明涉及一种显示面板的制作方法及显示面板,所述显示面板的制作方法通过在基板上形成膜片,在膜片上形成狭缝(slit),然后在膜片上形成金属膜,金属膜经由狭缝沉积至基板表面,撕除膜片及连带的金属膜后,沉积在基板表面的金属膜即可在基板表面形成金属线,提高金属膜内金属转移至基板表面形成金属线的转移效率,缩短制程时间。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示面板的制作方法及显示面板。
背景技术
Micro LED(微发光二极管)转移至基板前的步骤中,需要先在基板表面和侧边形成金属线路,目前金属线路的形成方法是通过在基板表面和侧面涂布银浆,银浆通过激光固化,固化后再进行激光雕刻,最终形成需要的金属线路,目前激光镭射雕刻的方式复杂,雕刻时先进行正面雕刻,再进行侧面雕刻,需要进行两次镭射,而且雕刻是直接在银浆表面进行雕刻,雕刻方式复杂,需要对形成的金属线的线宽有精准的控制,还需要保证正面雕刻形成的金属线与侧面雕刻形成的金属线之间准确对位,而且银浆厚度较薄,在进行激光雕刻的过程中,会有激光穿过银浆损坏基板表面的风险,提高了对激光雕刻的工艺精度要求,从而导致制程时间(tact time)长。此外,激光雕刻时大量的热量集中在银浆上,为避免高温损伤银浆形成的膜层,需要使用耐高温银浆,导致银浆制作成本增加。
发明内容
本发明目的在于,提供一种显示面板的制作方法及显示面板,以解决现有金属线形成方法采用直接在银浆表面进行激光雕刻导致制程时间长的问题。
具体地,本发明采用的技术方案为:
一种显示面板的制作方法,包括:
提供基板;
在所述基板表面形成膜片;
在所述膜片表面的至少一侧形成至少一狭缝,所述狭缝暴露至少部分所述基板表面;
在所述膜片表面形成金属膜,与所述狭缝相对应的金属膜沉积至所述基板表面,形成金属线;
去除所述膜片。
可选的,所述基板包括显示区和位于所述显示区外侧的非显示区;所述在所述膜片表面的至少一侧形成至少一狭缝的步骤包括:在与所述非显示区相对应的所述膜片表面的至少一侧形成至少一所述狭缝;所述狭缝的形状为沿第一方向设置的条形孔。
可选的,所述狭缝的形状为沿第一方向开设于所述膜片侧边的凹槽。
可选的,所述狭缝的数量为多个,沿第二方向间隔形成于所述膜片表面,所述第二方向与所述第一方向垂直。
可选的,对应非显示区的所述膜片表面还形成有至少一个通孔,所述通孔暴露所述基板表面的至少部分非显示区,所述通孔与至少部分所述狭缝的内侧连通。
可选的,所述在所述基板表面形成膜片的步骤中还包括在所述膜片表面的至少两个角的位置形成定位标记。
可选的,所述方法还包括:在所述基板表面形成与所述定位标记相对应的对位标记。
可选的,所述膜片包括层叠设置的保护层和胶层,所述保护层通过所述胶层形成于所述基板表面。
可选的,形成所述金属膜的金属选自如下金属中的一种:钼、铜、钼钛合金和银。
为实现上述目的,本发明还提供一种显示面板,所述显示面板采用如前所述的显示面板的制作方法制作。
本发明的有益效果在于,本发明所提供的显示面板的制作方法,在基板上形成膜片,在膜片上形成狭缝(slit),然后在膜片上形成金属膜,金属膜经由狭缝沉积至基板表面,撕除膜片及连带的金属膜后,沉积在基板表面的金属膜即可在基板表面形成金属线,避免了直接在银浆表面进行激光雕刻以形成金属线的工艺,提高金属膜内金属转移至基板表面形成金属线的转移效率,并可避免损坏基板表面,简化了制作工艺,缩短了制程时间。
附图说明
下面结合附图,通过对本发明的具体实施方式详细描述,将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1是本发明一示例性实施例所提供的显示面板的制作方法的流程示意图;
图2a~图2e是本发明一示例性实施例所提供的显示面板的制作方法的结构流程图;
图3a~图3c是本发明一示例性实施例所提供的显示面板的制作方法中膜片与基板组装的结构流程图;
图4a是本发明另一示例性实施例所提供的膜片的结构示意图;
图4b是本发明另一示例性实施例所提供的膜片在基板上形成的金属线的结构示意图;
图5a是本发明又一示例性实施例所提供的膜片的结构示意图;
图5b是本发明又一示例性实施例所提供的膜片在基板上形成的金属线的结构示意图;
图中部件编号如下:
100、基板,100a、显示区,100b、非显示区,101、101’、101”、金属线,110、110’、110”、膜片,111、111’、狭缝,111a、通孔,112、保护层,113、胶层,114、离型膜,115、定位标记,120、金属膜;
200、滚轴。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
所述显示面板的制作方法通过在基板上形成膜片,在膜片上形成狭缝(slit),然后在膜片上形成金属膜,金属膜经由狭缝沉积至基板表面,撕除膜片及连带的金属膜后,沉积在基板表面的金属膜即可在基板表面形成金属线,避免了直接在银浆或金属膜表面通过激光雕刻形成金属线的方法,提高金属膜内金属转移至基板表面形成金属线的转移效率,缩短制程时间。作为典型应用,本发明所述显示面板的制作方法可应用于显示面板的制作,所制得的显示面板可被应用于移动终端上,例如Micro LED显示器,所述移动终端包括终端主体和显示面板,所述移动终端可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有现实功能的产品或部件。
参照图1、图2a~图2e,在本发明的一个实施例中,显示面板的制作方法包括如下步骤:
S101、提供基板100;
S102、在所述基板100表面形成膜片110;
S103、在所述膜片110表面的至少一侧形成至少一狭缝111,所述狭缝111暴露至少部分所述基板100表面;
S104、在所述膜片110表面形成金属膜120,与所述狭缝111相对应的金属膜120沉积至所述基板100表面,形成金属线101;
S105、去除所述膜片110。
在本实施例中,参照图3a~3c,在所述基板100表面贴附膜片110的步骤包括:
取膜片110,所述膜片110包括层叠设置的保护层112和胶层113,胶层113远离保护层112一面设置有离型膜114;
撕除离型膜114以露出胶层113;
将撕除离型膜114后的膜片110通过胶层113与基板100表面层叠;
将层叠的膜片110与基板100通过软贴硬方式实现贴合。
其中,所述保护层112为PI(聚酰亚胺)膜或PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)膜。
在本实施例中,软贴硬方式通过软贴硬设备实现,软贴硬设备为相对设置的两滚轴200,两滚轴200相对旋转,对通过的膜片110和基板100进行压合。作为另一种方式,膜片110与基板100之间可通过真空贴合方式进行组装。
在本实施例中,在所述膜片110表面的至少一侧形成至少一狭缝111步骤中的狭缝111,是通过激光镭射形成的,在所述膜片110表面形成金属膜120的步骤中,通过物理气相沉积(PVD)方式形成所述金属膜120。
形成所述金属膜120的金属选自如下金属中的一种:钼、铜、钼钛合金和银,具体到本实施例,选用银浆作为形成金属膜120的,通过PVD方式在膜片110表面沉积银浆形成所述金属膜120,沉积过程中,部分金属膜120(银浆)经由狭缝111沉积至基板100表面,在沉积完成后,可进行固化,将沉积至基板100表面的金属膜120(银浆)固化在基板100表面形成金属线101,去除所述膜片110的步骤中,撕除方式为物理撕除,撕除膜片110,连带去除沉积于膜片110表面的金属膜120,而通过狭缝111沉积至基板100表面的金属膜120则保留在基板100表面形成金属线101。
其中,参照图2a和图2e,基板100表面(正面)包括显示区100a和位于显示区100a外侧的非显示区100b,狭缝111开设于对应非显示区100b的膜片110表面,形成的金属线101形成于基板100的非显示区100b内,金属线101的作用是连通显示区100a和位于基板100背面的绑定区(图中未示出),基板100侧壁上通过移印或者黄光制程形成导接线(图中未示出),基板100背面可通过所述显示面板的制作方法形成连接线,连接线一端与绑定区连接,连接线另一端与导接线连接,导接线远离连接线一端与金属线101连接,形成绑定区的输出信号向显示区100a的传输,实现形成绑定区与显示区100a之间的导通,Micro LED芯片与基板100表面形成的金属线101电连接,实现Micro LED向基板100表面的转移。
在本实施例中,所述膜片110表面的至少一侧,即,位于所述膜片110表面的非显示区100b内,所述非显示区100b的形状为方框、凹型框、L型框或一字型。其中,参照图2a和图2e,方框即非显示区100b包围显示区100a的四条边,狭缝111开设于方框的四条边中的至少一条边所对应的膜片110表面上;凹型框(图中未示出)即非显示区包围显示区的三条边,狭缝开设于凹型框的三条边中的至少一条边所对应的膜片110表面上;L型框(图中未示出)即非显示区包围显示区的相邻两边,狭缝开设于L型框的两条边中的至少一条边所对应的膜片110表面上;一字型(图中未示出)即非显示区与显示区沿第一方向X依次排布。
本发明提供的显示面板的制作方法,采用激光镭射在膜片110表面形成狭缝111,然后通过狭缝111沉积金属膜120至基板100表面,固化形成金属线101,可有效避免金属膜120的损伤,保证金属线101的形成质量,保证信号传输的稳定性。
在本实施例中,参照图2c,所述狭缝111的形状为条形孔,条形孔沿第一方向X开设于膜片110表面,狭缝111的数量为多个,沿第二方向Y间隔排布,第一方向X与第二方向Y相互垂直,狭缝111一端向显示区100a延伸,另一端向基板100侧壁延伸。相应地,通过条形孔形状的狭缝111在基板100表面形成金属线101的结构参照图2e,金属线101远离显示区100a一端与基板100相邻侧边之间留有间隙。
作为一种改进方式,参照图4a,狭缝111’的形状为凹槽,即,在膜片110’的侧边通过激光镭射形成若干凹槽结构,相应地,参照图4b,通过凹槽结构的狭缝111’在基板100表面形成金属线101’远离显示区100a一端延伸至基板100的侧边,如此设计,可使得通过移印或黄光制程在基板100侧壁形成导接线时,导接线可与金属线101’延伸至基板100侧边的一端直接连接,减少后续连接金属线101’与导接线的工序,缩短制程时间。
作为另一种改进方式,参照图5a,对应非显示区100b的膜片110”表面形成有多个通孔111a,通孔111a沿第二方向Y设置,多个通孔111a沿第二方向Y间隔排布,通孔111a暴露所述基板100表面的至少部分非显示区100b,通孔111a与至少部分所述狭缝111的内侧连通,在本实施例中,一个通孔111a与3个狭缝111连通,如此设计,在金属膜120沉积完成后,沉积在通孔111a与对应狭缝111内的金属膜120会彼此连通,参照图5b,实现基板100表面多条金属线101”的并联连接,如此设计,可提升后续金属线101”与显示区100a之间的接线效率和连接接触面积。
作为另一种改进方式,膜片110表面至少两个角的位置分别形成有定位标记115,在本发明中,参照图2c、图4a和图5a,定位标记115的形成方式为挖空膜片110的角部位置,在本实施例中,位于多个狭缝111的两侧的膜片110表面分别形成一定位标记115,定位标记115的作用在于为激光发射器提供定位,激光发射器根据定位标记115定位基板100及膜片110,在膜片110上进行激光镭射形成狭缝111,提供加工效率,缩短制程时间。当然,定位标记115的位置可形成在任意相邻的两个角或者任意相对的两个角,定位标记115的数量也可为3个或4个。
作为另一种改进方式,在所述基板100表面形成与所述定位标记115相对应的对位标记(图中未示出),对位标记与定位标记115相对应,在显示面板的后续制程中方便阵列基板与彩膜基板之间的贴合,并可作为在基板100表面形成其他膜层的参考标记。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (6)
1.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
提供基板;
在所述基板表面形成膜片;所述膜片包括层叠设置的保护层和胶层,所述保护层通过所述胶层形成于所述基板表面;
在所述膜片表面的至少一侧形成至少一狭缝,所述狭缝暴露至少部分所述基板表面;
在所述膜片表面形成金属膜,与所述狭缝相对应的金属膜沉积至所述基板表面,形成金属线;
去除所述膜片;
其中,所述基板包括显示区和位于所述显示区外侧的非显示区;
所述在所述膜片表面的至少一侧形成至少一狭缝的步骤包括:
在与所述非显示区相对应的所述膜片表面的至少一侧形成至少一所述狭缝;所述狭缝的形状为沿第一方向设置的条形孔,其中,所述狭缝的数量为多个,沿第二方向间隔形成于所述膜片表面,所述第二方向与所述第一方向垂直;
其中,对应非显示区的所述膜片表面还形成有至少一个通孔,所述通孔暴露所述基板表面的至少部分非显示区,所述通孔与多个所述狭缝的内侧连通。
2.如权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述狭缝的形状为沿第一方向开设于所述膜片侧边的凹槽。
3.如权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述在所述基板表面形成膜片的步骤中还包括在所述膜片表面的至少两个角的位置形成定位标记。
4.如权利要求3所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述方法还包括:在所述基板表面形成与所述定位标记相对应的对位标记。
5.如权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,形成所述金属膜的金属选自如下金属中的一种:钼、铜、钼钛合金和银。
6.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板采用如权利要求1~5中任一项所述的显示面板的制作方法制作。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111093348.6A CN113871526B (zh) | 2021-09-17 | 2021-09-17 | 显示面板的制作方法及显示面板 |
US17/618,891 US20240063353A1 (en) | 2021-09-17 | 2021-11-15 | Manufacturing method of display panel and display panel |
PCT/CN2021/130718 WO2023040029A1 (zh) | 2021-09-17 | 2021-11-15 | 显示面板的制作方法及显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111093348.6A CN113871526B (zh) | 2021-09-17 | 2021-09-17 | 显示面板的制作方法及显示面板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113871526A CN113871526A (zh) | 2021-12-31 |
CN113871526B true CN113871526B (zh) | 2023-07-25 |
Family
ID=78996411
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111093348.6A Active CN113871526B (zh) | 2021-09-17 | 2021-09-17 | 显示面板的制作方法及显示面板 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240063353A1 (zh) |
CN (1) | CN113871526B (zh) |
WO (1) | WO2023040029A1 (zh) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201639000A (zh) * | 2015-02-07 | 2016-11-01 | 應用材料股份有限公司 | 利用掩模及方向性電漿處理之選擇性沉積 |
CN108598133A (zh) * | 2018-05-23 | 2018-09-28 | Oppo广东移动通信有限公司 | Oled显示屏的制造方法、oled显示屏及电子装置 |
CN109301085A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-02-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20150207108A1 (en) * | 2013-03-29 | 2015-07-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Deposition apparatus, method of manufacturing organic light emitting display apparatus, and organic light emitting display apparatus |
CN104465319B (zh) * | 2014-10-30 | 2017-07-28 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 低温多晶硅的制作方法及tft基板的制作方法 |
CN109427243A (zh) * | 2017-08-22 | 2019-03-05 | 上海和辉光电有限公司 | 一种显示面板、装置及制作方法 |
CN107861656A (zh) * | 2017-11-08 | 2018-03-30 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 触摸屏的制造方法、显示装置 |
CN113053940B (zh) * | 2021-03-02 | 2022-07-12 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种Mini LED背光板的制作方法及Mini LED背光板 |
-
2021
- 2021-09-17 CN CN202111093348.6A patent/CN113871526B/zh active Active
- 2021-11-15 US US17/618,891 patent/US20240063353A1/en active Pending
- 2021-11-15 WO PCT/CN2021/130718 patent/WO2023040029A1/zh active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201639000A (zh) * | 2015-02-07 | 2016-11-01 | 應用材料股份有限公司 | 利用掩模及方向性電漿處理之選擇性沉積 |
CN108598133A (zh) * | 2018-05-23 | 2018-09-28 | Oppo广东移动通信有限公司 | Oled显示屏的制造方法、oled显示屏及电子装置 |
CN109301085A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-02-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20240063353A1 (en) | 2024-02-22 |
WO2023040029A1 (zh) | 2023-03-23 |
CN113871526A (zh) | 2021-12-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102487577B (zh) | 软硬结合电路板的制作方法 | |
US9024203B2 (en) | Embedded printed circuit board and method for manufacturing same | |
CN110504282B (zh) | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 | |
US20200118989A1 (en) | Light emitting device package structure and manufacturing method thereof | |
CN111524927B (zh) | 驱动基板及其制备方法和显示装置 | |
CN102340933B (zh) | 电路板的制作方法 | |
US20150302987A1 (en) | Production method for coil element, coil element assembly, and coil component | |
CN113875011A (zh) | 驱动基板及其制作方法、显示装置 | |
CN113597129A (zh) | 线路板及其制造方法 | |
TW202206900A (zh) | 面板裝置及面板裝置的製造方法 | |
US20130168137A1 (en) | Method of Fabricating PCB Board and PCB Board | |
CN113871526B (zh) | 显示面板的制作方法及显示面板 | |
CN102148312B (zh) | 发光二极管封装结构及其制造方法和显示装置 | |
CN104183567A (zh) | 薄型封装基板及其制作工艺 | |
CN103635006B (zh) | 电路板及其制作方法 | |
CN111315131A (zh) | 电路板及其制作方法 | |
CN114551492A (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 | |
CN218827137U (zh) | 一种显示基板以及包含该显示基板的显示模组、显示面板和显示设备 | |
JP2009071199A (ja) | 実装基板およびそれを用いた薄型発光装置の製造方法 | |
JPH027491A (ja) | 立体成形印刷回路基板の製造方法および、成形型用メッキ形成膜の製造方法 | |
CN113015326A (zh) | 电路板、电路板的制作方法、摄像模组及电子设备 | |
CN113764564B (zh) | 基板制备方法及膜片结构 | |
US20230032729A1 (en) | Display panel and method for making the same | |
US11963300B2 (en) | Panel device and manufacturing method of panel device | |
WO2023116595A1 (zh) | 一种双层柔性线路板及其制作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |