CN113865154A - 翅片式蒸发器及其化霜控制方法、装置和制冷设备 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了一种翅片式蒸发器及其化霜控制方法、装置和制冷设备，翅片与半导体制冷片的制热面直接接触，半导体制冷片的制热面的热量可通过热传导的方式由半导体制冷片的制热面传递至翅片，以化除翅片上的霜，在化霜过程中不会大范围的辐射大量的热量，不会造成间室温度明显升高，提高了制冷翅片式蒸发器的制冷性能。

Description

翅片式蒸发器及其化霜控制方法、装置和制冷设备
技术领域
本发明涉及制冷技术领域，特别是涉及一种翅片式蒸发器及其化霜控制方法、装置和制冷设备。
背景技术
翅片蒸发器上结霜一方面会减小空气流通面积、增加流通阻力、降低换热量；另一方面增大了蒸发器翅片表面与空气的传热热阻，降低了制冷性能。因此当蒸发器翅片表面的霜层达到一定厚度时，冰箱的制冷性能会迅速下降，此时需要及时进行化霜。
现有常用的化霜方法是，在翅片式蒸发器中布置加热器，通过加热器工作时辐射的热量来达到化霜目的。这种通过热辐射的加热化霜方式，由于热辐射范围较大，会造成冰箱的间室温度回升明显的问题。
发明内容
基于此，有必要提供一种翅片式蒸发器及其化霜控制方法、装置和制冷设备，以解决现有的翅片式蒸发器通过热辐射化霜造成间室温度回升大的问题。
一种翅片式蒸发器，包括蒸发器盘管、半导体制冷片、翅片；
所述蒸发器盘管沿第一方向划分为两个或两个以上的化霜区；
每个所述化霜区设置至少一个所述半导体制冷片，所述半导体制冷片沿第二方向延伸，所述第二方向与第一方向垂直；
所述半导体制冷片具有相对的制冷面和制热面，所述制冷面与所述蒸发器盘管接触；
设置有所述半导体制冷片的所述蒸发器盘管穿过所述翅片，所述翅片与所述制热面接触。
在一些实施例中，
不同的所述化霜区设置的所述半导体制冷片与不同的供电端口相连。
在一些实施例中，所述蒸发器盘管包括交替相连的直线段和弯折段；
各个所述化霜区至少包括两个或两个以上的所述直线段，各个所述直线段上设置有所述半导体制冷片；
各个所述化霜区设置的各个所述半导体制冷片依次串联，以构成不同的串联支路，各个所述串联支路分别与所述对应的供电端口相连。
在一些实施例中，所述的翅片式蒸发器还包括沿所述第一方向相对设置的第一支架和第二支架；
所述直线段两端的弯折段分别穿过所述第一支架和第二支架；
所述第一支架与第二支架之间平行且间隔设置两片或两片以上的所述翅片。
在一些实施例中，所述直线段的断截面为D型；
各个所述半导体制冷片的制冷面与对应的所述直线段的平面相接触。
在一些实施例中，所述翅片具有供所述蒸发器盘管穿过的通孔以及位于所述通孔边缘的外翻面；
所述翅片的外翻面与所述制热面接触，并在所述制热面延伸。
在一些实施例中，，所述外翻面与所述制热面之间，以及所述制冷面与所述蒸发器盘管之间均设置有导热胶。
一种如上述任意一项所述制冷设备的化霜控制方法，包括：
判断各个所述化霜区当前是否需要进行化霜，并输出对应的化霜请求指令；
根据所述化霜请求指令为当前需要进行化霜的所述化霜区中所述半导体制冷片供电，以使对应的所述化霜区进入化霜状态；
分别获取当前进入化霜状态的各个所述化霜区的各个第一温度和对应的各个第二温度；
根据对应的所述第一温度和第二温度，调节对应的所述化霜区设置的所述半导体制冷片的输入功率大小；
根据对应的第一温度和第二温度，以判断对应的所述化霜区当前是否完成化霜，若是，则停止为当前完成化霜的所述化霜区中的所述半导体制冷片供电。
在一些实施例中，所述分别获取当前进入化霜状态的各个所述化霜区的各个第一温度和对应的各个第二温度的步骤，包括：
检测当前进入化霜状态的每个所述化霜区中的一个半导体制冷片的制冷面的温度，以获得各个所述第一温度；
检测当前进入化霜状态的各个所述化霜区中对应的各个所述一个半导体制冷片的制热面的温度，以获得各个所述第二温度。
在一些实施例中，所述根据对应的所述第一温度和第二温度，调节对应的所述化霜区中所述半导体制冷片的输入功率大小的步骤包括：
将对应的所述第二温度与第一温度做差值计算，以获得对应的温度差值；
计算对应的温度差值与对应的参考差值之间的第一误差值，以及计算对应的第二温度和对应的化霜参考温度之间的第二误差值；
根据所述第一误差值和第二误差值调节所述输入功率的大小，以改变所对应的述温度差值和所述第二温度的大小，从而将所述第一误差值的大小控制为小于第一预设值，以及将所述第二误差值的大小控制为小于第二预设值。
在一些实施例中，根据对应的第一温度和第二温度，以判断对应的所述化霜区当前是否完成化霜，若否，则间隔第一预设时间再次判断对应的所述化霜区当前是否完成化霜。
在一些实施例中，在执行根据对应的第一温度和第二温度，以判断对应的所述化霜区当前是否完成化霜，若是则停止为当前完成化霜的所述化霜区中的所述半导体制冷片供电的步骤之后，还包括：
判断当前进入化霜状态的所有所述化霜区是否均已完成完成化霜，若是，则输出化霜完成指令，若否，则间隔第二预设时间再次判断当前进入化霜状态的所有所述化霜区是否均已完成完成化霜。
一种上述任意一项所述的翅片式蒸发器的化霜控制装置，包括：
第一温度检测单元，用于检测各个所述化霜区的各个第一温度；
第二温度检测单元，用于检测各个所述化霜区的各个第一温度；
控制板，所述控制板上设置有供电单元和控制单元；
所述各个化霜区设置的半导体制冷片分别与所述供电单元的不同供电端口相连，以为所述对应的所述化霜区设置的所述半导体制冷片供电；
所述控制单元用于根据对应的所述第一温度和第二温度控制所述供电单元为对应的所述化霜区的半导体制冷片的供电状态以及调节各个所述化霜区设置的所述半导体制冷片的输入功率大小。
一种制冷设备，包括如上述任意一项所述的翅片式蒸发器。
在本申请提供的翅片式蒸发器及其化霜控制方法、装置和制冷设备中，翅片与半导体制冷片的制热面直接接触，半导体制冷片的制热面的热量可通过热传导的方式由半导体制冷片的制热面传递至翅片，以化除翅片上的霜，在化霜过程中不会大范围的辐射大量的热量，不会造成间室温度明显升高，提高了制冷翅片式蒸发器的制冷性能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为依据本申请实施例中提供的翅片式蒸发器的主视图；
图2为依据本申请实施例中提供的翅片式蒸发器的前视图；
图3为依据本申请实施例中提供的翅片式蒸发器的俯视图；
图4为依据本申请实施例中提供的翅片式蒸发器的左视图；
图5为依据本申请实施例中提供的翅片式蒸发器的翅片的左视图；
图6为依据本申请实施例中提供的粘附在直线段的半导体制冷片与翅片接触的局部结构示意图；
图7为图6沿A5-A6方向的剖面示意图；
图8为依据本申请实施例提供的各个半导体制冷片与对应的控制板的连接结构示意图；
图9为依据本申请一实施例提供的翅片式蒸发器的化霜控制方法流程示意图。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
可以理解，以下实施例中的“连接”，如果被连接的电路、模块、单元等相互之间具有电信号或数据的传递，则应理解为“电连接”、“通信连接”等，此外，这里需要说明的情况是，本申请中的一个单元与另一个单元相连，或一个器件与另一个器件相连包括直接相连和间接相连，除非明确说明是指直接相连。
在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。
在一些实施例中，本申请提供的翅片式蒸发器的主视图如图1所示。本申请提供的翅片式蒸发器包括蒸发器盘管1、半导体制冷片2和翅片3。
蒸发器盘管1沿第一方向划分为两个或两个以上的化霜区，每个化霜区设置至少一个述半导体制冷片2，半导体制冷片2沿第二方向延伸，第二方向与第一方向垂直。半导体制冷片2具有相对的制冷面和制热面，制冷面与蒸发器盘管1接触。设置有半导体制冷片2的蒸发器盘管1穿过翅片3，翅,3与半导体制冷片2的制热面接触。
当给半导体制冷片2加上供电电流时，半导体制冷片2的制热面会以热传导的方式向翅片传递热量，从而化掉翅片上的结霜。因此，在本申请提供的片式蒸发器以半导体制冷片的制热面作为化霜加热源。将半导体制冷片2的制冷面设置在蒸发器盘管1的方式可以为将半导体制冷片2的制冷面粘附在蒸发器盘管1上，后续实施例中，直接将设置描述成粘附，但是需要说明的是，除将半导体制冷片2的制冷面粘附在蒸发器盘管1上外，还可通过其它固定方式将半导体制冷片2的制冷面设置在蒸发器盘管1上。
如图1所示，由于蒸发器盘管1沿A2-A1方向的各个组成部分具有不同的温度，为了时蒸发器盘管1的各个区域得到均匀化霜，且优化化霜的电耗，在本申请中，将蒸发器盘管1沿A2-A1方向划分为两个或两组以上的化霜区，在一些实施例中蒸发器盘管1沿A2-A1方向划分为3至8个化霜区。A2-A1方向(上述第一方向)与A3-A4方向(上述第二方向)垂直。
本申请提供的翅片式蒸发器中，翅片与半导体制冷片的制热面直接接触，半导体制冷片的制热面的热量可通过热传导的方式由半导体制冷片的制热面传递至翅片，以化除翅片上的霜，在化霜过程中不会大范围的辐射大量的热量，不会造成间室温度明显升高，提高了制冷翅片式蒸发器的制冷性能，且将蒸发器盘管划分为不同的化霜区，可对不同的化霜区进行单独化霜控制，有利于提高化霜质量。
如图1所示，蒸发器盘管1依次交替相连的直线段11和弯折段12构成，蒸发器盘管1的包括两段或两段以上的直线段11，各个直线段均沿上述第一方向延申，例如在图1中，第一方向指水平方向，如对应的虚线A3-A4方向。
为了更清楚的展示本申请中的蒸发器盘管的结构，图2展示了图1的前视图，图3展示了图1的俯视图，图4展示图1的左视图，图5为图1中翅片或第二支架的左视图。
由图1至图5所示，翅片式蒸发器还进一步包括第一支架4和与第一支架4相对设置的第二支架5，蒸发器盘管1的各个直线段11由第一支架4延申至第二支架5，各个直线段11两端相连的弯折段12分别穿过第一支架4和第二支架5。
在一些实施例中，在第一支架4与第二支架5直接延申的各个直线段11从蒸发器盘管的进液端111开始依次包括直线段a、b、c、d、e、f、g、h、I、j、k、l、m、n、o、p、q、r、s、t、u、v、w和x。直线段a由进液端111开始穿过第一支架4上的通孔41向翅片3方向延伸，并穿过翅片3的通孔42后继续延申至第二支架5上，并通过对应的弯折部分与直线端b相连，直线段b穿过翅片3后，延申至第一支架4上，以通过对应的弯折部分与直线段c相连，依次类推，直线段a、b、c、d、e、f、g、h、I、j、k、l、m、n、o、p、q、r、s、t、u、v、w和x依次通过对应的弯折部分相连，最后的直线段w由第二支架向第一支架4的方向延申至第一支架4后，穿过第一支架4的通孔43，以引出蒸发器盘管的出液端112，即除直线段a和直线段w外，设置在直线段a与直线段w之间的各个直线段的两端均与对应的弯折部分相连。图5也可以作为图1中的第二支架5的左视图，第二支架5上具有与翅片3上的通孔32相对的通孔51，各个直线段11向第二支架5方向延伸至第二支架5后通过对应的弯折段12穿过通孔51。
如5图所示，蒸发器盘管1沿A2-A1方向划分为U1、U2、U3、U4四个化霜区，各个化霜区上粘附至少一片半导体制冷片2。各个化霜区上粘附的半导体制冷片分别于对应的供电端相连。即各个化霜区中的半导体制冷片在执行化霜任务时的供电不同。因此，可以实现不同温度的化霜区的对应的半导体制冷片的供电进行独立控制，即实现分温度区域的化霜控制。
在一些实施例中，蒸发器盘管1为D型管弯折而成，即蒸发器盘管1的直线段11的断截面为D型，则各个直线段11具有平面，各个半导体制冷片2的制冷面粘附在对应的直线段11的平面上。
为了进一步展示半导体制冷片2与蒸发器盘管1的直线段11以及对应的翅片3之间的结构关系，图6示意了图1中的虚线圈B的局部放大图，图7为图6沿直线A5-A6的剖面示意图。结合图5至图7所示，翅片3上具有供蒸发器盘管1穿过的通孔32以及位于通孔32边缘的外翻面31。翅片3的外翻面31与半导体制冷片2的制热面接触，并在半导体制冷片2的制热面上延伸，半导体片制冷片2通过导热胶6与对应的直线段11的平面粘结。进一步的，在一些实施例中，外翻面31与半导体制冷片2的制热面之间也设置有导热胶，导热胶例如为导热硅胶。翅片3的外翻面31与半导体制冷片的制热面接触且在制热面上延申，从而可增加了翅片3与半导体制冷片的制热面之间的热传导面积，有利于提高化霜效率。
在一些实施例中，各个化霜区中至少包括两个或两个以上的直线段11，各个直线段上均粘附有半导体制冷片2。例如第一化霜区U1中具有直线段a、p、q、r、o、b；第二化霜区U2中具有直线段c、n、s、t、m、d；第三化霜区U3中具有直线段e、l、u、v、k、f；第四化霜区U4中具有直线段g、j、w、x、i、j。第一化霜区U1中的各个直线段a、p、q、r、o、b上依次粘附有半导体制冷片2a、2p、2q、2r、2o、2b；第二化霜区U2中的各个直线段c、n、s、t、m、d上依次粘附有半导体制冷片2c、2n、2s、2t、2m、2d；第三化霜区U3在中的各个直线段e、l、u、v、k、f上依次粘附有半导体制冷片2e、2l、2u、2v、2k、2f；第四化霜区U4中的直线段g、j、w、x、i、h上依次粘附有半导体制冷片2g、2j、2w、2x、2i、2h。进一步的，如图8所示，其为依据本申请提供的半导体制冷片的连接结构示意图，各个化霜区上粘附的个半导体制冷片依次串联，形成串联支路。如半导体制冷片2a、2p、2q、2r、2o、2b依次串联连接，半导体制冷片2a的一端作为第一化霜区U1对应的串联支路的外接供电端口的正及端，半导体制冷片2o的一端作为第一化霜区U1对应的串联支路的外接供电端口的负及端，第一化霜区U1对应的串联支路接收控制板提供的第一输入功率；半导体制冷片、2n、2s、2t、2m、2d依次串联连接，半导体制冷片2n的一端作为第二化霜区U2对应的串联支路的外接供电端口的正极端，半导体制冷片2d的一端作为第二化霜区U2对应的串联支路的外接供电端口的负极端，第二化霜区U2对应的串联支路接收控制板提供的第二输入功率；半导体制冷片2e、2l、2u、2v、2k、2f依次串联连接，半导体制冷片2l的一端作为第三化霜区U3对应的串联支路的外接供电端口的正极端，半导体制冷片2f的一端作为第三化霜区U3对应的串联支路的外接供电端口的负极端，第三化霜区U3对应的串联支路接收控制板提供的第三输入功率；半导体制冷片2g、2j、2w、2x、2i、2h依次串联连接，半导体制冷片2l的一端作为第三化霜区U3对应的串联支路的外接供电端口的正极端，半导体制冷片2g的一端作为第四化霜区U4对应的串联支路的外接供电端口的极及端，第四化霜区U4对应的串联支路接收控制板提供的第四输入功率。
在一些实施例中，本申请还提供了一种根据本申请提供的翅片式蒸发器的化霜控制方法，如图9所示，具体包括以下步骤：
S200：判断当前是否收到化霜请求指令。
具体的，翅片式蒸发器的化霜控制板上集成有供电单元和控制单元，其中，供电单元具有两个或两个以上的供电端口，各个化霜区设置的半导体制冷片分别与各个供电端口相连，供电单元用于为各个化霜区设置的半导体制冷片供电，并受控制单元控制。控制单元主要包括控制器(如CPU等)，其具有化霜请求指令接收接口，当该接口接收到化霜请求指令时，唤醒处于待机状态的控制板进行化霜控制，在化霜完成后，控制板由化霜完成指令控制进入待机状态。
S300：在收到化霜请求指令时，根据化霜请求指令为当前需要进行化霜的化霜区中所述半导体制冷片供电，以使对应的化霜区进入化霜状态。
供电单元在控制板接收到化霜请求指令后，便向当前需要进行化霜的化霜区设置的半导体制冷片提供供电，即通过各个供电端口，向对应的半导体制冷片提供输入功率，以使得的对应的半导体制冷片开始进行加热化霜，从而使对应的化霜区进行化霜状态。
S400:分别获取当前进入化霜状态的各个化霜区的各个第一温度和对应的各个第二温度。
具体的，由温度检测器检测对应化霜区中设置的一片半导体制冷片(位于化霜区中心)的制冷面和制热面的温度，以分别获得各个对应的第一温度和第二温度，并将对应的第一温度和第二温度反馈给控制板，由控制板获得对应的各个第一温度和第二温度。
S500:根据对应的第一温度和第二温度，调节对应的化霜区设置的半导体制冷片的输入功率大小。
具体的，输入功率包括输入电流和输入电压，根据调节输入电流和输入电压，从而改变对应半导体制冷片的第一温度和第二温度的大小，从而使第二温度趋于化霜参考温度，以便对对应的化霜区进行化霜，在满足能够化霜的温度条件的同时，控制第一温度和第二温度之间的温度差值趋于参考差值，以使得半导体制冷片的制热效能最大化。参考差值由为半导体制冷片的制热效能最大化时对应的第一温度和第二温度之间的差值，其取值一般为25度至30度。
S600:根据对应的第一温度和第二温度，以判断对应的化霜区当前是否完成化霜，若是，则执行S700。
由于本申请中，翅片式蒸发器的蒸发器盘管划分了多个化霜区，且各个化霜区的半导体制冷片与不同的供电端口相连，可使各个化霜区中的半导体制冷片的输入功率不同，即各个化霜区可以单独控制加热化霜。因此，S600分别判断各个化霜区是否完成化霜，对于已经完成化霜的化霜区对应的半导体制冷片，控制板停止为其继续供电，以减小功耗。
S700:停止为当前完成化霜的所述化霜区中的半导体制冷片供电。
控制板在判断对应的化霜单元完成化霜任务后，及当前对应的化霜区不在需要化霜，则控制停止为其供电，从而可以减小功耗。
在一些实施例中，若S600的判断结果为否，则执行S800。
S800:间隔第一预设时间再次执行S600。
具体的，在判断对应的化霜区当前未完成化霜，则继续使其处于化霜状态，并在间隔第一预设时间后再次执行S600，若S600判断的结果为是，则执行S700，否则还是需要间隔第一预设时间再次执行S600，以此类推。其中，第一预设时间例如为30s。
在一些实施例中，在执行S700之后，还包括直线S900。
S900：判断当前进入化霜状态的所有化霜区是否均已完成完成化霜，若是则执行S901，若否，执行S902。
S901:输出化霜完成指令。
控制板接收到化霜完成指令后，并会进入待机状态，等再次接收化霜请求指令时，再被化霜请求指令唤醒，进入化霜控制状态(工作状态)，以控制对应的化霜区进入化霜状态。
S902：间隔第二预设时间后再次执行S900。
具体的，在判断所有化霜区当前未全部完成化霜，则继续使其控制板继续处于化霜控制状态，并在间隔第二预设时间后再次执行S900，若S900判断的结果为是，则执行S901，否则还是需要间隔第二预设时间再次执行S900，以此类推。其中，第二预设时间例如为30s。在各个化霜区全部完成化霜任务后，使控制板进入待机状态，有利于降低功耗。
在一些实施例中，S400包括：
S401:检测当前进入化霜状态的每个化霜区中的一个半导体制冷片的制冷面的温度，以获得各个第一温度。
S402检测当前进入化霜状态的各个化霜区中对应的各个一个半导体制冷片的制热面的温度，以获得各个第二温度。
具体的，对于相同的化霜区，S401和S402中提到一个半导体制冷片为同一个半导体制冷片，即对应第一对第一温度和第二温度为同一个半导体制冷片的第一温度和第二温度。
在一些实施例中，可间隔预设时间检测一次，以分别获得对应化霜区对应的一对第一温度和第二温度。具体的预设时间可以为30s。
为了更精准的表征对应化霜区的温度，S401和S402中描述的一个半导体制冷片为位于对应化霜区中心的一块半导体制冷片。
在一些实施例中S500包括：
S501：将对应的第二温度与第一温度做差值计算，以获得对应的温度差值。
由于在S401和S402中，第一温度和第二温度每隔预设时间更新一次，则计算温度差值也为每隔预设时间计算一次，如30s,则温度差值每隔30s更新一次。
S502:计算对应的温度差值与对应的参考差值之间的第一误差值，以及计算对应的第二温度和对应的化霜参考温度之间的第二误差值。
S503:根据第一误差值和第二误差值调节对应化霜区中的半导体制冷片的输入功率的大小，以改变对应的温度差值和所述第二温度的大小，从而将第一误差值的大小控制为小于第一预设值，以及将第二误差值的大小控制为小于第二预设值。
具体的，在执行S502之前，还包括构建半导体制冷片的制热效能η的计算模型，该计算模型为：
η＝K*(Tn2-Tn1)2+M*Tn1+N*Tn2；
其中，Tn1、Tn2分别为第一温度的值、第二温度的值，K，M，N分别为对应的预设系数，可以将S400中获得第一温度的值和第二温度值输入至所述计算模型，以计算对应的所述制热效能η。然后，将所述制热效能η最大时对应的第二温度与第一温度之间的差值作为参考差值。在其它实施例中，参考差值可以为根据经验值获得，也可以为通过实验测试获得。
通过第一温度与第二温度的反馈，可以形成第一温度与第二温度的闭环控制环路，以最终通过调节半导体制冷片的输入电流和电压的大小，在确保第二温度无限接近与化霜参考温度的基础上，即第二温度与化霜参考温度之间的第一误差值小于第一预设值的基础是，为了使半导体制冷片处于最大制热效能，以降低化霜功耗，改变半导体制冷片的制热面与制冷面的温度差值，从而将最终的温度差值调节为与无限接近或等于参考差值，即参考差值与温度差之间的误差值调节为小于第二预设值。温度差稳定在参考差值差的允许偏差范围内时，对应的输入功率即对应半导体制冷片在执行化霜工作时稳定的输入功率。
此外，在一些实施例中，还提供了依据本申请任意一实施例提供的翅片式蒸发器的化霜控制装置，包括第一温度检测单元、第二温度检测单元和控制板。
其中，第一温度检测单元用于检测各个化霜区的各个第一温度，第二温度检测单元用于检测各个化霜区的各个第一温度，控制板上设置有供电单元和控制单元。各个化霜区设置的半导体制冷片分别与供电单元的不同供电端口相连，供电单元通过各个对应供电端口为对应的化霜区设置的半导体制冷片供电。控制单元用于控制供电单元对各个化霜区设置的半导体制冷片的供电状态，及执行上述S200、S300、S400、S500、S600的步骤。
此外，第一温度检测单元包括与各个化霜区对应设置的各个第一温度检测器，第二温度检测单元包括与各个化霜区对应设置的各个第二温度检测器。
此外，本申请还提供了一种制冷设备，其包括依据本申请任意一实施例提供的翅片式蒸发器，制冷设备如冰箱。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (15)

1.一种翅片式蒸发器，包括蒸发器盘管、半导体制冷片、翅片；
所述蒸发器盘管沿第一方向划分为两个或两个以上的化霜区；
每个所述化霜区设置至少一个所述半导体制冷片，所述半导体制冷片沿第二方向延伸，所述第二方向与第一方向垂直；
所述半导体制冷片具有相对的制冷面和制热面，所述制冷面与所述蒸发器盘管接触；
设置有所述半导体制冷片的所述蒸发器盘管穿过所述翅片，所述翅片与所述制热面接触。
2.根据权利要求1所述的翅片式蒸发器，其特征在于，不同的所述化霜区设置的所述半导体制冷片与不同的供电端口相连。
3.根据权利要求2所述的翅片式蒸发器，其特征在于，所述蒸发器盘管包括交替相连的直线段和弯折段；
各个所述化霜区至少包括两个或两个以上的所述直线段，各个所述直线段上设置有所述半导体制冷片；
各个所述化霜区设置的各个所述半导体制冷片依次串联，以构成不同的串联支路，各个所述串联支路分别与所述对应的供电端口相连。
4.根据权利要求3所述的翅片式蒸发器，还包括沿所述第一方向相对设置的第一支架和第二支架；
所述直线段两端的弯折段分别穿过所述第一支架和第二支架；
所述第一支架与第二支架之间平行且间隔设置两片或两片以上的所述翅片。
5.根据权利要求3所述的翅片式蒸发器，其特征在于，所述直线段的断截面为D型；
各个所述半导体制冷片的制冷面与对应的所述直线段的平面相接触。
6.根据权利要求1所述的翅片式蒸发器，其特征在于，所述翅片具有供所述蒸发器盘管穿过的通孔以及位于所述通孔边缘的外翻面；
所述翅片的外翻面与所述制热面接触，并在所述制热面延伸。
7.根据权利要求6所述的翅片式蒸发器，其特征在于，所述外翻面与所述制热面之间，以及所述制冷面与所述蒸发器盘管之间均设置有导热胶。
8.一种如权利要求1至7中任意一项所述制冷设备的化霜控制方法，包括：
判断当前是否收到化霜请求指令；
在收到所述化霜请求指令时，根据所述化霜请求指令为当前需要进行化霜的所述化霜区中所述半导体制冷片供电，以使对应的所述化霜区进入化霜状态；
分别获取当前进入化霜状态的各个所述化霜区的各个第一温度和对应的各个第二温度；
根据对应的所述第一温度和第二温度，调节对应的所述化霜区设置的所述半导体制冷片的输入功率大小；
根据对应的第一温度和第二温度，以判断对应的所述化霜区当前是否完成化霜，若是，则停止为当前完成化霜的所述化霜区中的所述半导体制冷片供电。
9.根据权利要求8所述的化霜控制方法，其特征在于，所述分别获取当前进入化霜状态的各个所述化霜区的各个第一温度和对应的各个第二温度的步骤，包括：
检测当前进入化霜状态的每个所述化霜区中的一个半导体制冷片的制冷面的温度，以获得各个所述第一温度；
检测当前进入化霜状态的各个所述化霜区中对应的各个所述一个半导体制冷片的制热面的温度，以获得各个所述第二温度。
10.根据权利要求8所述的化霜控制方法，其特征在于，所述根据对应的所述第一温度和第二温度，调节对应的所述化霜区中所述半导体制冷片的输入功率大小的步骤包括：
将对应的所述第二温度与第一温度做差值计算，以获得对应的温度差值；
计算对应的温度差值与对应的参考差值之间的第一误差值，以及计算对应的第二温度和对应的化霜参考温度之间的第二误差值；
根据所述第一误差值和第二误差值调节所述输入功率的大小，以改变对应的温度差值和所述第二温度的大小，从而将所述第一误差值的大小控制为小于第一预设值，以及将所述第二误差值的大小控制为小于第二预设值。
11.根据权利要求8所述的化霜控制方法，其特征在于，根据对应的第一温度和第二温度，以判断对应的所述化霜区当前是否完成化霜，若否，则间隔第一预设时间再次判断对应的所述化霜区当前是否完成化霜。
12.根据权利要求8所述的化霜控制方法，其特征在于，在执行根据对应的第一温度和第二温度，以判断对应的所述化霜区当前是否完成化霜，若是则停止为对应的所述化霜区中的所述半导体制冷片供电的步骤之后，还包括：
判断当前进入化霜状态的所有所述化霜区是否均已完成完成化霜，若是，则输出化霜完成指令，若否，则间隔第二预设时间再次判断当前进入化霜状态的所有所述化霜区是否均已完成完成化霜。
13.一种如权利要求1至7中任意一项所述的翅片式蒸发器的化霜控制装置，包括：
第一温度检测单元，用于检测各个所述化霜区的各个第一温度；
第二温度检测单元，用于检测各个所述化霜区的各个第一温度；
控制板，所述控制板上设置有供电单元和控制单元；
所述各个化霜区设置的半导体制冷片分别与所述供电单元的不同供电端口相连；
所述控制单元用于根据对应的所述第一温度和第二温度控制所述供电单元为对应的所述化霜区的半导体制冷片的供电状态以及调节各个所述化霜区设置的所述半导体制冷片的输入功率大小。
14.根据权利要求13所述的化霜控制装置，其特征在于，所述控制单元还用于判断当前进入化霜状态的所有所述化霜区是否均已完成完成化霜，若是，则输出化霜完成指令，以控制所述控制板进入待机状态。
15.一种制冷设备，包括如权利要求1至7中任意一项所述的翅片式蒸发器。
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