CN113862746A - 一种电镀工艺预润湿系统及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种电镀工艺预润湿系统及方法,其中,电镀工艺预润湿系统包括驱动装置、阴极夹具以及电镀槽;电镀槽内注入有电镀液;驱动装置与阴极夹具连接,驱动装置用于驱动阴极夹具平移、旋转或翻转;阴极夹具用于夹持晶圆,阴极夹具可在驱动装置的控制下带动晶圆以倾斜、旋转姿态浸入电镀液且使电镀液浸没晶圆面积的一半。本发明提供的电镀工艺预润湿系统及方法,利用电镀液与晶圆表面的接触以及电镀液本身的表面张力,结合晶圆的倾斜及旋转姿态,使电镀液冲击晶圆表面图形结构,从而使晶圆表面孔隙中的气泡不断被电镀液所取代,避免了后续电镀空洞现象的产生,实现了优异的电镀效果。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,具体地,涉及一种电镀工艺预润湿系统及方法。
背景技术
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,其原始材料是硅,且由于其形状为圆形,故称为晶圆或硅晶圆。在生产过程中,需要对晶圆进行电镀工序,即在晶圆上电镀一层导电金属,后续还将对导电金属层进行加工以制成导电线路。晶圆作为芯片的基本材料,其对于电镀镀层的要求是极高的,故而工艺的要求也较高。晶圆电镀时必须保证镀层的均匀性,方能保证晶圆的质量。
目前晶圆电镀设备根据阴阳极的位置划分主要有两种,一种是垂直电镀装置,另一种是水平电镀装置。就垂直电镀装置来说,电镀时,晶圆垂直放置,如果晶圆表面的孔隙中有气泡,气泡相对容易排除,但是电镀时,由于晶圆的上下区域存在一定压力差,溶液流动可能也存在上下流速的差异,对电镀的形貌和均匀性会有一定的影响,造成晶圆电镀品质的下降。
针对垂直电镀装置的这一缺陷,许多企业转向采用水平电镀装置,即在电镀时,晶圆水平放置,晶圆待镀面朝下,这样便于晶圆的装卸,且由于晶圆待镀面各处在镀液中处于同一深度,各处压力相同,所以能够保证较好的电镀均匀性。但水平电镀装置也存在缺陷,其最大的两个问题在于:第一,晶圆表面图形以及图形内残留的气泡无法完全排除,在电镀过程中被气泡占据的区域无法成功电镀从而产生空洞(Void)缺陷,第二,水平电镀装置容易导致金属层面电镀完成后的表面粗糙度过高的问题,晶圆的电镀效果不够优越,影响晶圆性能。
针对水平电镀装置的上述缺陷,目前该领域采用的普遍做法是通过高纯度去离子水进行喷淋晶圆整体表面或者将晶圆在电镀工艺前静放在特殊真空腔体内进行气泡排除,但这两种方式仅仅解决了部分气泡的排除问题,对于沟槽、深孔、V形槽、倒V形槽、盲孔等结构,气体仍是难以排出,且电镀层的表面粗糙度问题仍是未得到解决。
发明内容
针对现有技术中的缺陷,本发明提出了一种电镀工艺预润湿系统,并一并提出了相应的预处理方法,本发明利用电镀液与晶圆表面的接触以及电镀液本身的表面张力,结合晶圆的倾斜及旋转状态,让电镀液冲击晶圆表面图形结构,从而使晶圆表面孔隙中的气泡不断被电镀液所取代,这避免了后续电镀空洞现象的产生,实现了优异的电镀效果。
为实现本发明的上述发明目的,本发明采用如下技术方案:
一种电镀工艺预润湿系统,包括驱动装置、阴极夹具以及电镀槽;
所述电镀槽内注入有电镀液;
所述驱动装置与阴极夹具连接,驱动装置用于驱动阴极夹具平移、旋转或翻转;
所述阴极夹具用于夹持晶圆,阴极夹具可在驱动装置的控制下带动晶圆以倾斜及旋转姿态浸入电镀液且使电镀液浸没晶圆面积的一半。
本技术方案中,通过采用以上的结构设计,控制晶圆倾斜并旋转,且将晶圆表面的一半区域浸入电镀液,一半区域未浸入,由于电镀液本身有粘度,且晶圆表面也并非绝对光滑而是具有一定粗糙度,在此情况下,当晶圆以一定转速旋转时,电镀液会被晶圆表面带起并填充至晶圆表面的孔隙,结合晶圆与电镀液液面相对倾斜,且晶圆仅部分区域浸入电镀液而非全部浸入,被电镀液置换出的气体容易在浮力作用下上升到自由表面破裂而后扩散至空气当中,由此实现排出晶圆表面气泡的目的,同时,由于晶圆仅一半面积浸没于电镀液中,一半面积露出电镀液,结合晶圆的旋转动作,可以保证晶圆表面的各个区域均与电镀液接触且接触的时间相同。
优选地,所述电镀槽设置于阴极夹具的正下方。
本技术方案中,通过采用以上的结构设计,使得驱动装置仅须通过简单的升降动作即可将晶圆浸入电镀液内,这一方面简化了驱动装置的结构,使整体设备的体积得以减小;另一方面,使阴极夹具花费最少的时间和移动距离就能够带动晶圆浸入电镀液中,从而在保证气泡排出效果的同时,节约了时间,简化了操作流程。
优选地,所述驱动装置包括机械手,机械手与阴极夹具连接。
本技术方案中,通过采用以上结构设计,利用机械手来移动阴极夹具,能够更为快速、便捷的使阴极夹具带动晶圆移动。
优选地,还包括电源模块,所述电镀槽内设置有阳极组件,电源模块的正极电连接阳极组件,电源模块的负极电连接阴极夹具。
本技术方案中,通过采用以上的结构设计,可通过控制电源模块的供电与否实现更好的气泡排出效果及电镀效果。具体地,一方面,在阴极夹具带动晶圆以倾斜及旋转姿态浸入电镀液时,可使电源模块处于未供电状态,由此使得阳极组件和阴极夹具之间不产生任何电场效应,保证气泡的顺利排出;另一方面,在晶圆于电镀槽内保持倾斜及旋转的过程中,可根据所需情况使电源模块处于供电状态或不供电状态,如认为晶圆表面图形结构存在孔道深度较深或开孔较小等情况,可使电源模块处于供电状态,从而使阳极组件和阴极夹具产生电势差,电镀槽中电镀液的金属离子将游至阴极夹具上夹持的晶圆,从而实现使金属离子更好的注入到晶圆表面微小的孔道中或者到达深孔底部的目的,在配合晶圆倾斜旋转排气泡的情况下,此举可更好提升后续电镀的整体填充良率,大大改善电镀金属层面的粗糙度问题,提升电镀质量。
优选地,还包括控制器,所述控制器与电源模块电连接,控制器用于发送供电指令至电源模块;所述供电指令包括以下参数中的一种或多种:向阳极组件供电的电流值、电压值、时间以及时长。
本技术方案中,通过采用以上的结构设计,使用者可通过控制器对电源模块供电参数实现自动化的控制,包括对电源模块供电时间的控制、和/或对电源模块供电电流及电压的控制、和/或对电源模块供电时长的控制,从而达到最优的预润湿效果。
一种电镀工艺预润湿方法,采用以上任一项所述的电镀工艺预润湿系统,包括如下步骤:
S10、往电镀槽内注入电镀液,将晶圆用阴极夹具固定;
S20、控制阴极夹具带动晶圆摆动至与电镀液液面呈角度并旋转;
S30、控制阴极夹具带动晶圆以倾斜及旋转的姿态浸入电镀液且使电镀液浸没晶圆面积的一半。
本技术方案中,通过采用以上方法步骤设计,利用阴极夹具控制晶圆在带有斜度的状态下以旋转动作浸入电镀槽的电镀液中,晶圆的部分区域浸入电镀液,部分区域未浸入,通过电镀液与晶圆表面的接触以及利用电镀液本身的表面张力,使电镀液不断冲刷晶圆浸入电镀液的那部分区域,结合晶圆与电镀液液面相对倾斜,晶圆表面孔隙中的气泡将不断被电镀液所取代,而被电镀液置换出的气体也容易在浮力作用下上升到自由表面破裂而后扩散至空气当中,实现彻底排除气泡的目的,此举有效保障了后续的电镀效果。
优选地,步骤S30中,在使电源模块未供电的情况下,控制阴极夹具带动晶圆以倾斜及旋转的姿态浸入电镀液。
本技术方案中,通过采用以上方法步骤设计,当电源模块处于未供电状态,阳极组件和阴极夹具之间将不会产生任何电场效应,由此使得晶圆以倾斜及旋转姿态浸入电镀液时,气泡能够非常顺利的排出。
优选地,在步骤S30之后,在步骤S30之后,还包括步骤S40、保持晶圆在电镀液中的倾斜及旋转姿态,控制电源模块按照预设参数向阳极组件供电。
本技术方案中,通过采用以上方法步骤设计,如认为晶圆表面图形结构存在孔道深度较深或开孔较小等情况,在晶圆倾斜旋转的过程中,可使电源模块处于供电状态,从而使阳极组件和阴极夹具产生电势差,电镀槽中电镀液的金属离子将游至阴极夹具上夹持的晶圆,从而实现使金属离子更好的注入到微小的孔道中或者到达深孔底部的目的,在配合晶圆倾斜旋转排气泡的情况下,此举可更好提升后续电镀的整体填充良率,大大改善电镀金属层面的粗糙度问题,提升电镀质量。
优选地,步骤S20中,控制阴极夹具带动晶圆摆动至与电镀液液面呈4~5°。
本技术方案中,通过采用以上方法步骤,当晶圆相对电镀液液面摆动的角度范围介于4°至5°之间时,气泡的排除效果佳,且在该角度范围内,夹持晶圆的阴极夹具倾斜幅度较小,由此不会使驱动装置产生过多负担,如此可简化驱动装置的结构。
优选地,步骤S20中,控制阴极夹具带动晶圆绕晶圆轴线往相同方向作360°旋转。
本技术方案中,通过采用以上方法步骤,使晶圆绕其轴线作360°旋转,可以保证晶圆表面的各个区域均能够与电镀液接触并被刷走气泡,同时,晶圆往相同方向重复作旋转动作,可避免水流因扰动从而产生气泡。
优选地,步骤S20中,晶圆旋转的速度范围为0~100rpm。
本技术方案中,晶圆的转速控制在0至100rpm之间时,一方面可以保证能够利用电镀液的液体张力将晶圆表面孔隙中的气泡带出,另一方面避免转速过高而增加对晶圆及阴极夹具的负荷,提高设备的可靠性。
与现有技术相比,本发明具有如下的有益效果:
1、本发明提供的电镀工艺预润湿系统及方法,利用电镀液与晶圆表面的接触以及电镀液本身的表面张力,结合晶圆的倾斜及旋转状态,让电镀液冲击晶圆表面图形结构,从而使晶圆表面孔隙中的气泡不断被电镀液所取代,这避免了后续电镀空洞现象的产生,实现了优异的电镀效果。
2、本发明提供的电镀工艺预润湿系统及方法,在阴极夹具带动晶圆以倾斜及旋转姿态浸入电镀液时,可使阳极组件和阴极夹具不处于导通状态,由此使得阳极组件和阴极夹具之间不产生任何电场效应,使气泡得以顺利排出。
3、本发明提供的电镀工艺预润湿系统及方法,在晶圆表面图形结构存在孔道深度较深或开孔较小等情况时,在晶圆于电镀槽内倾斜旋转的过程中,可使阳极组件和阴极夹具处于导通状态,从而使阳极组件和阴极夹具产生电势差,使得金属离子更好的注入到晶圆表面微小的孔道中或者到达深孔底部,提升后续电镀的整体填充良率。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述,本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1为本发明所述电镀工艺预润湿系统的结构示意图一;
图2为本发明所述电镀工艺预润湿系统的结构示意图二;
图3为晶圆摆动至倾斜姿态的结构示意图;
图4为晶圆以倾斜姿态旋转的结构示意图;
图5为晶圆摆动至与电镀液液面呈角度并旋转的结构示意图;
图6为晶圆以倾斜及旋转姿态浸入电镀液且仅一半面积浸入的结构示意图;
图7为电镀液浸没晶圆一半面积的结构示意图;
图8为本发明所述电镀工艺预润湿方法的流程框图。
图中示出:
100-电镀工艺预润湿系统
1-晶圆;
2-阴极夹具;
3-驱动装置;
4-电镀槽;
5-电镀液
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此,以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围,而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。此外,本申请中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后、底…)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等,如果该特定姿态发生改变时,则该方向性指示也相应地随之改变。进一步地,在申请中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
第1实施例
如图1至图7所示,本实施例提供一种电镀工艺预润湿系统100,包括驱动装置3、阴极夹具2以及电镀槽4;电镀槽4内注入有电镀液5;驱动装置3与阴极夹具2连接,驱动装置3用于驱动阴极夹具2平移、旋转或翻转;阴极夹具2用于夹持晶圆1,阴极夹具2可在驱动装置3的控制下带动晶圆1以倾斜及旋转姿态浸入电镀液5且使电镀液5浸没晶圆1面积的一半。
具体地,如图1所示,将晶圆1固定在阴极夹具2上,并使晶圆1处理面朝下,阴极夹具2与驱动装置3连接,驱动装置3驱动阴极夹具2产生位移,以带动晶圆1沿特定方向移动。如图2所示,驱动装置3也可通过阴极夹具2控制晶圆1以a线为转轴摆动或以b线为转轴旋转。所谓摆动,如图3所示,是指晶圆1在驱动装置3的控制下摆动至与水平面呈任意角度;所谓旋转,如图4所示,是指晶圆1在驱动装置3的控制下围绕其轴线旋转。
本实施例通过采用以上的结构设计,如图5所示,可控制晶圆1摆动至与电镀液5液面呈角度并旋转,进一步地,如图6所示,可控制晶圆1以倾斜且旋转的姿态浸入电镀液5,且将晶圆1表面的一半区域浸入电镀液5,一半区域未浸入,由于电镀液5本身有粘度,且晶圆1表面也并非绝对光滑而是具有一定粗糙度,在此情况下,当晶圆1以一定转速旋转时,电镀液5会被晶圆1表面带起并填充至晶圆1表面的孔隙,结合晶圆1与电镀液5液面相对倾斜,且晶圆1仅部分区域浸入电镀液5而非全部浸入,被电镀液5置换出的气体容易在浮力作用下上升到自由表面破裂而后扩散至空气当中,由此实现排出晶圆1表面气泡的目的,同时,由于晶圆1仅一半面积浸没于电镀液5中,一半面积露出电镀液5,结合晶圆1的旋转动作,可以保证晶圆1表面的各个区域均与电镀液5接触且接触的时间相同。
作为优选的实施方式,本实施例提供的电镀工艺预润湿系统100还包括控制器和与控制器电连接的电源模块,电镀槽4内设置有阳极组件,电源模块的正极电连接阳极组件,电源模块的负极电连接阴极夹具2;控制器用于发送供电指令至电源模块,电源模块用于在接受到供电指令时,向阳极组件供电。控制器向电源模块发出供电指令的目的不仅仅是控制电源模块供电与否,还可以是对电源模块的供电时间、供电时长、供电电流以及供电电压等进行控制,因此供电指令可以包括以下参数中的任意一种或多种:向阳极组件供电的电流值、向阳极组件供电的电压值、向阳极组件供电的时间以及向阳极组件供电的时长。
本实施例通过以上的结构设计,使得可通过控制电源模块的供电与否实现更好的气泡排出效果以及电镀效果。具体地,一方面,在阴极夹具2带动晶圆1以倾斜及旋转姿态浸入电镀液5时,可使电源模块处于未供电状态,由此使得阳极组件和阴极夹具2之间不产生任何电场效应,保障气泡顺利排出;另一方面,在晶圆1于电镀槽4内保持倾斜及旋转的过程中,可根据所需情况使电源模块处于供电状态或不供电状态,如认为晶圆1表面图形结构存在孔道深度较深或开孔较小等情况,在晶圆1倾斜及旋转的过程中,可使电源模块处于供电状态,从而使阳极组件和阴极夹具2产生电势差,电镀槽4中电镀液5的金属离子将游至阴极夹具2上夹持的晶圆1,从而实现使金属离子更好的注入到微小的孔道中或者到达深孔底部的目的,在配合晶圆1倾斜旋转排气泡的情况下,此举可更好提升后续电镀的整体填充良率,大大改善电镀金属层面的粗糙度问题,提升电镀质量。
作为优选的实施方式,如图1所示,电镀槽4设置于阴极夹具2的正下方,由此使得驱动装置3仅须通过简单的升降动作即可将晶圆1浸入电镀液5内,这一方面简化了驱动装置3的结构,使整体设备的体积得以减小;另一方面,使阴极夹具2花费最少的时间和移动距离就能够带动晶圆1浸入电镀液5中,从而在保证气泡排出效果的同时,节约时间,简化操作流程。此外,驱动装置3可包括机械手,机械手与阴极夹具2连接,利用机械手来移动阴极夹具2,能够更为快速、便捷的使阴极夹具2带动晶圆1移动。
本实施例提供的电镀工艺预润湿系统,通过以上的结构设计,利用电镀液与晶圆表面的接触以及电镀液本身的表面张力,结合晶圆的倾斜及旋转状态,使电镀液冲击晶圆表面图形结构,从而使晶圆表面孔隙中的气泡不断被电镀液所取代,这避免了后续电镀空洞现象的产生,实现了优异的电镀效果。
第2实施例
如图8所示,本实施例提供一种电镀工艺预润湿方法,采用第1实施例所述的电镀工艺预润湿系统100,包括如下步骤:
S10、往电镀槽4内注入电镀液5,将晶圆1用阴极夹具2固定;
S20、控制阴极夹具2带动晶圆1摆动至与电镀液5液面呈角度并旋转;
S30、控制阴极夹具2带动晶圆1以倾斜及旋转的姿态浸入电镀液5且使电镀液5浸没晶圆1面积的一半。
本实施例利用阴极夹具2控制晶圆1在带有斜度的状态下以旋转动作浸入电镀槽4的电镀液5中,晶圆1的部分区域浸入电镀液5,部分区域未浸入,通过电镀液5与晶圆1表面的接触以及利用电镀液5本身的表面张力,使电镀液5不断冲刷晶圆1浸入电镀液5的那部分区域,结合晶圆1与电镀液5液面相对倾斜,晶圆1表面孔隙中的气泡将不断被电镀液5所取代,而被电镀液5置换出的气体也容易在浮力作用下上升到自由表面破裂而后扩散至空气当中,实现彻底排除气泡的目的。
作为一种优选的实施方式,在实施步骤S30时,即晶圆1以倾斜及旋转姿态浸入电镀液5时,使电源模块处于未供电状态,由此使得阳极组件和阴极夹具2之间不会产生任何电场效应,使得气泡能够非常顺利的排出。
作为一种优选的实施方式,在步骤S30之后,还包括步骤S40,即晶圆1以倾斜及旋转姿态浸入电镀液5后,保持晶圆1在电镀液5中的倾斜及旋转姿态,在此过程中,使用者可根据实际需要选择是否使电源模块供电。倘若晶圆1表面图形结构存在孔道深度较深或开孔较小等情况,则可控制电源模块处于供电状态,从而使阳极组件和阴极夹具2产生电势差,电镀槽4中电镀液5的金属离子将游至阴极夹具2上夹持的晶圆1,从而实现使金属离子更好的注入到微小的孔道中或者到达深孔底部的目的,在配合晶圆1倾斜旋转排气泡的情况下,此举可更好提升后续电镀的整体填充良率,大大改善电镀金属层面的粗糙度问题,提升电镀质量。
就晶圆1的倾斜状态来说,作为优选的实施方式,控制阴极夹具2带动晶圆1摆动至与电镀液5液面呈4~5°,即使晶圆1相对于电镀液5液面向上或向下倾斜4~5°,由此在保证气泡排除效果的同时,使得夹持晶圆1的阴极夹具2倾斜幅度较小,由此不会使驱动装置3产生过多负担,如此可简化驱动装置3的结构。而就晶圆1的旋转状态来说,作为优选的实施方式,控制阴极夹具2带动晶圆1绕晶圆1中心点往相同方向作360°旋转,在晶圆1的一半面积浸入电镀液5、一半面积露出电镀液5的情况下,晶圆1作360°旋转,可以保证晶圆1表面的各个区域均能够与电镀液5接触并被刷走气泡,同时,晶圆1往相同方向重复作旋转动作,可避免水流因扰动从而产生气泡;就晶圆1的旋转速度来说,可将其控制在0~100rpm的转速之间,以在保证利用电镀液5的液体张力将晶圆1表面孔隙中的气泡带出的同时,避免转速过高而增加对晶圆1及阴极夹具2的负荷,提高设备的可靠性。
本实施例提供的电镀工艺预润湿系统及方法,利用电镀液5与晶圆1表面的接触以及电镀液5本身的表面张力,结合晶圆1的倾斜及旋转状态,让电镀液5冲击晶圆1表面图形结构,从而使晶圆1表面孔隙中的气泡不断被电镀液所取代,这避免了后续电镀空洞现象的产生,实现了优异的电镀效果。同时,在阴极夹具2带动晶圆1以倾斜及旋转姿态浸入电镀液5时,本实施例可通过控制电源模块不供电的方式使得阳极组件和阴极夹具2之间不产生任何电场效应,使气泡得以顺利排出。此外,在晶圆1表面图形结构存在孔道深度较深或开孔较小等情况时,在晶圆1于电镀槽4内倾斜旋转的过程中,本实施例可控制电源模块供电,从而使阳极组件和阴极夹具2产生电势差,使得金属离子更好的注入到晶圆1表面微小的孔道中或者到达深孔底部,提升后续电镀的整体填充良率。
以上对本发明的具体实施例进行了描述,通过上述的说明内容,相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内,进行多样的变更以及修改。
Claims (11)
1.一种电镀工艺预润湿系统,其特征在于,包括驱动装置、阴极夹具以及电镀槽;
所述电镀槽内注入有电镀液;
所述驱动装置与阴极夹具连接,驱动装置用于驱动阴极夹具平移、旋转或翻转;
所述阴极夹具用于夹持晶圆,阴极夹具可在驱动装置的控制下带动晶圆以倾斜及旋转姿态浸入电镀液且使电镀液浸没晶圆面积的一半。
2.根据权利要求1所述的电镀工艺预润湿系统,其特征在于,所述电镀槽设置于阴极夹具的正下方。
3.根据权利要求1所述的电镀工艺预润湿系统,其特征在于,所述驱动装置包括机械手,机械手与阴极夹具连接。
4.根据权利要求1所述的电镀工艺预润湿系统,其特征在于,还包括电源模块;所述电镀槽内设置有阳极组件,电源模块的正极电连接阳极组件,电源模块的负极电连接阴极夹具。
5.根据权利要求4所述的电镀工艺预润湿系统,其特征在于,还包括控制器,所述控制器与电源模块电连接,控制器用于发送供电指令至电源模块;所述供电指令包括以下参数中的一种或多种:向阳极组件供电的电流值、电压值、时间以及时长。
6.一种电镀工艺预润湿方法,其特征在于,采用权利要求1至5任一项所述的电镀工艺预润湿系统,包括如下步骤:
S10、往电镀槽内注入电镀液,将晶圆用阴极夹具固定;
S20、控制阴极夹具带动晶圆摆动至与电镀液液面呈角度并旋转;
S30、控制阴极夹具带动晶圆以倾斜及旋转的姿态浸入电镀液且使电镀液浸没晶圆面积的一半。
7.根据权利要求6所述的电镀工艺预润湿方法,其特征在于,步骤S30中,在使电源模块未供电的情况下,控制阴极夹具带动晶圆以倾斜及旋转的姿态浸入电镀液。
8.根据权利要求6所述的电镀工艺预润湿方法,其特征在于,在步骤S30之后,还包括步骤S40、保持晶圆在电镀液中的倾斜及旋转姿态,控制电源模块按照预设参数向阳极组件供电。
9.根据权利要求6所述的电镀工艺预润湿方法,其特征在于,步骤S20中,控制阴极夹具带动晶圆摆动至与电镀液液面呈4~5°。
10.根据权利要求6所述的电镀工艺预润湿方法,其特征在于,步骤S20中,控制阴极夹具带动晶圆绕晶圆轴线往相同方向作360°旋转。
11.根据权利要求6所述的电镀工艺预润湿方法,其特征在于,步骤S20中,晶圆旋转的速度范围为0~100rpm。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114577178A (zh) * | 2022-03-17 | 2022-06-03 | 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司 | 一种电镀头水平检测装置及方法 |
CN116065222A (zh) * | 2023-03-09 | 2023-05-05 | 苏州智程半导体科技股份有限公司 | 一种晶圆电镀夹具移动装置 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW475224B (en) * | 2001-01-11 | 2002-02-01 | Applied Materials Inc | Method to remove bubble on wafer surface during electroplating process |
JP2002080995A (ja) * | 2000-09-08 | 2002-03-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US20030079683A1 (en) * | 2001-10-25 | 2003-05-01 | Hiroshi Nakano | Electric plating method, electric plating apparatus, program for plating, recording medium, and manufacturing method and manufacturing apparatus for semiconductor device |
US20040251141A1 (en) * | 2003-06-13 | 2004-12-16 | Tokyo Electron Limited | Electroless plating apparatus and electroless plating method |
CN101459050A (zh) * | 2007-12-14 | 2009-06-17 | 盛美半导体设备(上海)有限公司 | 电化学或化学沉积金属层前预浸润晶片表面的方法和装置 |
US20100320609A1 (en) * | 2009-06-17 | 2010-12-23 | Mayer Steven T | Wetting pretreatment for enhanced damascene metal filling |
CN103021933A (zh) * | 2012-09-18 | 2013-04-03 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种化学电镀工艺前晶圆沟槽预处理的方法 |
CN105529282A (zh) * | 2014-09-29 | 2016-04-27 | 盛美半导体设备(上海)有限公司 | 一种半导体预湿润装置及方法 |
CN111146126A (zh) * | 2020-01-21 | 2020-05-12 | 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司 | 预润湿设备、预润湿系统及晶圆预润湿的预处理方法 |
CN112877741A (zh) * | 2021-01-13 | 2021-06-01 | 硅密芯镀(海宁)半导体技术有限公司 | 气泡去除方法及晶圆电镀设备 |
-
2021
- 2021-11-09 CN CN202111319339.4A patent/CN113862746B/zh active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002080995A (ja) * | 2000-09-08 | 2002-03-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
TW475224B (en) * | 2001-01-11 | 2002-02-01 | Applied Materials Inc | Method to remove bubble on wafer surface during electroplating process |
US20030079683A1 (en) * | 2001-10-25 | 2003-05-01 | Hiroshi Nakano | Electric plating method, electric plating apparatus, program for plating, recording medium, and manufacturing method and manufacturing apparatus for semiconductor device |
US20040251141A1 (en) * | 2003-06-13 | 2004-12-16 | Tokyo Electron Limited | Electroless plating apparatus and electroless plating method |
CN101459050A (zh) * | 2007-12-14 | 2009-06-17 | 盛美半导体设备(上海)有限公司 | 电化学或化学沉积金属层前预浸润晶片表面的方法和装置 |
US20100320609A1 (en) * | 2009-06-17 | 2010-12-23 | Mayer Steven T | Wetting pretreatment for enhanced damascene metal filling |
CN103021933A (zh) * | 2012-09-18 | 2013-04-03 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种化学电镀工艺前晶圆沟槽预处理的方法 |
CN105529282A (zh) * | 2014-09-29 | 2016-04-27 | 盛美半导体设备(上海)有限公司 | 一种半导体预湿润装置及方法 |
CN111146126A (zh) * | 2020-01-21 | 2020-05-12 | 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司 | 预润湿设备、预润湿系统及晶圆预润湿的预处理方法 |
CN112877741A (zh) * | 2021-01-13 | 2021-06-01 | 硅密芯镀(海宁)半导体技术有限公司 | 气泡去除方法及晶圆电镀设备 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114577178A (zh) * | 2022-03-17 | 2022-06-03 | 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司 | 一种电镀头水平检测装置及方法 |
CN114577178B (zh) * | 2022-03-17 | 2023-11-24 | 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司 | 一种电镀头水平检测装置及方法 |
CN116065222A (zh) * | 2023-03-09 | 2023-05-05 | 苏州智程半导体科技股份有限公司 | 一种晶圆电镀夹具移动装置 |
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Publication number | Publication date |
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